JPWO2018042979A1 - 導電性フィルムの製造方法、導電性フィルム、タッチパネルセンサー、及び、タッチパネル - Google Patents

Abstract

本発明は、線幅が細く、基板への密着性に優れた金属細線を備える導電性フィルムを簡便に製造することを課題とする。本発明の導電性フィルムの製造方法は、基板の少なくとも一方の主面上に、第一金属膜を形成する工程と、第一金属膜上に、第一金属膜の主成分とは異なる成分を主成分として含有する第二金属膜を形成する工程と、第二金属膜上に、金属細線が形成される領域に、線幅が２．０μｍ以下である開口部を備えるレジスト膜を形成する工程と、第三金属膜を形成する工程と、レジスト膜を除去する工程と、第三金属膜をマスクとして、第二エッチング液を用いて、第二金属膜を除去する工程と、第三金属膜をマスクとして、第一エッチング液を用いて、第一金属膜を除去する工程と、をこの順に有する。

Description

本発明は、導電性フィルムの製造方法、導電性フィルム、タッチパネルセンサー、及び、タッチパネルに関する。

基板上に金属細線からなる導電部が配置された導電性フィルムは、種々の用途に使用されている。例えば、近年、携帯電話又は携帯ゲーム機器等へのタッチパネルの搭載率の上昇に伴い、多点検出が可能な静電容量方式のタッチパネルセンサー用として導電性フィルムの需要が急速に拡大している。

タッチパネルを備えるディスプレイを使用する場合、使用者は、ディスプレイから数十ｃｍの距離からディスプレイを見ることになる。このとき、金属細線が使用者から視認されないようにするため、金属細線の線幅をより細くすることが求められている。
一般に、線幅の細い金属細線は、基板との密着性が劣り、これを改善するために、基板と金属細線との間に、更に両者の密着性を向上する作用を有する層を設けた導電性フィルムが提案されている。

上記のような導電性フィルムとしては、特許文献１には、透明フィルム基板の少なくとも一方の面上に、金属細線パターンからなる透明電極層を備える透明導電性フィルムであって、金属細線が、透明フィルム基板側から第一金属層、及び、第一金属層に接する第二金属層をこの順に備え、透明フィルム基板と第一金属層との間に、Ｎｉを主成分とする下地金属層を備え、下地金属層と第一金属層とが接している、透明導電性フィルム、が記載されている。また、特許文献１には、透明導電性フィルムの製造方法も記載されている。

国際公開第２０１４／１５６４８９号

本発明者は、特許文献１に記載された透明導電性フィルムの製造方法について検討したところ、より線幅が細い金属細線を形成しようとすると、形成された金属細線が基板から剥離しやすいという問題、又は、金属細線の形成時に実施するエッチングの際に金属細線となる金属膜が消失するという問題が生じることを明らかとした。

そこで、本発明は、線幅が細く、基板への密着性に優れた金属細線を備える導電性フィルムを簡便に製造できる、導電性フィルムの製造方法の提供を課題とする。
また、本発明は、導電性フィルム、タッチパネルセンサー、及び、タッチパネルの提供も課題とする。

本発明者は、上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を達成することができることを見出した。

［１］ 基板と、基板の少なくとも一方の主面上に配置された、金属細線から構成された導電部と、を備える導電性フィルムの製造方法であって、基板の少なくとも一方の主面上に、第一金属膜を形成する工程と、第一金属膜上に、第一金属膜の主成分とは異なる成分を主成分として含有する第二金属膜を形成する工程と、第二金属膜上に、金属細線が形成される領域に開口部を備えるレジスト膜を形成する工程と、めっき法により、開口部内であって、二金属膜上に、第三金属膜を形成する工程と、レジスト膜を除去する工程と、
第三金属膜をマスクとして、第二エッチング液を用いて、第二金属膜を除去する工程と、第三金属膜をマスクとして、第二エッチング液とは異なる第一エッチング液を用いて、第一金属膜を除去する工程と、をこの順に有し、開口部の線幅が、２．０μｍ以下である、導電性フィルムの製造方法。
［２］ 第二金属膜が銅又はその合金を含有する、［１］に記載の導電性フィルムの製造方法。
［３］ 第一金属膜がクロム又はその合金を含有する、［１］又は［２］に記載の導電性フィルムの製造方法。
［４］ 第三金属膜が銅又はその合金を含有する、［１］〜［３］のいずれかに記載の導電性フィルムの製造方法。
［５］ 第一金属膜の厚みが２０ｎｍ未満である、［１］〜［４］のいずれかに記載の導電性フィルムの製造方法。
［６］ 開口部の線幅が１．５μｍ以下である、［１］〜［５］のいずれかに記載の導電性フィルムの製造方法。
［７］ 第二エッチング液の第二金属膜に対するエッチングレートが、毎分３００ｎｍ以下である、［１］〜［６］のいずれかに記載の導電性フィルムの製造方法。
［８］ 第一エッチング液の第一金属膜に対するエッチングレートが、毎分２００ｎｍ以下である、［１］〜［７］のいずれかに記載の導電性フィルムの製造方法。
［９］ 第二エッチング液の第二金属膜に対するエッチングレートに対する、第二エッチング液の第一金属膜に対するエッチングレートの比が、０．０００５以下である、［１］〜［８］のいずれかに記載の導電性フィルムの製造方法。
［１０］ 基板と、基板の少なくとも一方の主面上に配置された、金属細線から構成された導電部と、を備える導電性フィルムであって、金属細線が、第一金属層と、第一金属層の主成分とは異なる成分を主成分として含有する第二金属層と、第三金属層と、を基板側からこの順に備え、金属細線の線幅が、２．０μｍ以下であり、第一金属層の線幅に対する、第二金属層の線幅の比が、１．０超、１．３未満である、導電性フィルム。
［１１］ 第二金属層が銅又はその合金を含有する、［１０］に記載の導電性フィルム。
［１２］ 第一金属層がクロム又はその合金を含有する、［１０］又は［１１］に記載の導電性フィルム。
［１３］ 第三金属層が銅又はその合金を含有する、［１０］〜［１２］のいずれかに記載の導電性フィルム。
［１４］ 第一金属層の厚みが２０ｎｍ以下である、［１０］〜［１３］のいずれかに記載の導電性フィルム。
［１５］ 金属細線の線幅が１．５μｍ以下である、［１０］〜［１４］のいずれかに記載の導電性フィルム。
［１６］ ［１０］〜［１５］のいずれかに記載の導電性フィルムを含有する、タッチパネルセンサー。
［１７］ ［１６］に記載のタッチパネルセンサーを含有する、タッチパネル。

本発明によれば、線幅が細く、基板への密着性に優れた金属細線を備える導電性フィルムを簡便に製造できる、導電性フィルムの製造方法を提供できる。
また、本発明によれば、導電性フィルム、タッチパネルセンサー、及び、タッチパネルも提供できる。

第一金属膜形成工程を実施して得られる第一金属膜付き基板の断面図である。 第二金属膜形成工程を実施して得られる第二金属膜付き基板の断面図である。 レジスト膜形成工程を実施して得られるレジスト膜付き基板の断面図である。 第三金属膜形成工程を実施して得られる第三金属膜付き基板の断面図である。 レジスト膜除去工程を実施して得られる積層体の断面図である。 第二金属膜除去工程及び第一金属膜除去工程を実施して得られる導電性フィルムの断面図である。 導電性フィルムの一実施形態の上面図である。 図２Ａ中のＡ−Ａ断面における断面図である。 導電性フィルム中の導電部の一部拡大図である。 金属細線の一部拡大断面図である。 従来方法により製造される導電性フィルムの一実施形態の断面図である。 従来方法により製造される導電性フィルムの他の実施形態の断面図である。

以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
また、本明細書中における「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、及びエキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ：Extreme ultraviolet）、Ｘ線、及び、電子線等を意味する。また本明細書において光とは、活性光線及び放射線を意味する。本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザー、遠紫外線、Ｘ線、及び、ＥＵＶ等による露光のみならず、電子線及びイオンビーム等の粒子線による描画も包含する。

本発明の導電性フィルムの製造方法の特徴点としては、線幅の細い金属細線を製造する際に、２種のエッチング液を用いて所定の金属膜（第一金属膜及び第二金属膜）を除去している点が挙げられる。後述するように、特許文献１に記載される下地金属層と第一金属膜とを一つのエッチング液で除去する方法を用いて線幅の細い金属細線を形成しようとすると、エッチング中に金属細線の剥離、及び／又は、金属膜の消失が生じてしまい、所望の金属細線が得られない。そこで、２種のエッチング液を用いて段階的に所定の金属膜を除去することで、所望の金属細線を簡便に製造できる。

以下では、まず、本発明の実施形態に係る導電性フィルムの製造方法について説明し、その後、本発明の実施形態に係る導電性フィルムについて説明する。

［導電性フィルムの製造方法］
導電性フィルムの製造方法は、以下の工程をこの順に有する。
（１）基板の少なくとも一方の主面上に、第一金属膜を形成する工程（第一金属膜形成工程）
（２）第一金属膜上に、第二金属膜を形成する工程（第二金属膜形成工程）
（３）第二金属膜上に、金属細線が形成される領域に開口部を備えるレジスト膜を形成する工程（レジスト膜形成工程）
（４）めっき法により、開口部内であって、第二金属膜上に、第三金属膜を形成する工程（第三金属膜形成工程）
（５）レジスト膜を除去する工程（レジスト膜除去工程）
（６）第三金属膜をマスクとして、第二エッチング液を用いて、第二金属膜を除去する工程（第二金属膜除去工程）
（７）第三金属膜をマスクとして、第一エッチング液を用いて、第一金属膜を除去する工程（第一金属膜除去工程）
以下、上記各工程の手順について詳述する。

〔第一金属膜形成工程〕
第一金属膜形成工程は、基板の少なくとも一方の主面上に、第一金属膜を形成する工程である。具体的には、図１Ａに示すように、本工程を実施することにより、基板１０１上に第一金属膜１１が形成される。
後述するように、第一金属膜１１にエッチング処理を施すことにより、第一金属層が得られる。第一金属層は、下地金属層（下地密着層）として機能する。

〔基板〕
基板１０１は、主面を有し、導電部を支持するものであれば、その種類は特に制限されない。基板１０１としては、可撓性を有する基板が好ましく、可撓性を有する絶縁基板がより好ましい。具体的には、樹脂基板が好ましい。

基板１０１としては、可視光（波長４００〜８００ｎｍ）の光の透過率が、６０％以上が好ましく、８０％以上がより好ましく、９０％以上が更に好ましく、９５％以上が特に好ましい。

樹脂基板を構成する材料としては、例えば、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリアクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂（ポリエチレンテレフタレート、及び、ポリエチレンナフタレート等）、ポリカーボネート系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、セルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、及び、シクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。なかでも、より優れた光学特性を有する点で、シクロオレフィン系樹脂が好ましい。
基板１０１の厚みとしては、特に制限されないが、取り扱い性及び薄型化のバランスの点から、０．０５〜２ｍｍが好ましく、０．１〜１ｍｍがより好ましい。
また、基板１０１は複層構造であってもよく、例えば、その一つの層として機能性フィルムを含有してもよい。なお、基板自体が機能性フィルムであってもよい。

〔第一金属膜〕
第一金属膜１１に含有される金属としては特に制限されず、公知の金属を使用できる。
第一金属膜１１は、例えば、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、及び、亜鉛等の金属、並びに、これらの金属の合金を含有していてもよい。
第一金属膜１１に含まれる主成分としては、例えば、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、及び、亜鉛等が挙げられる。なお、上記主成分とは、第一金属膜１１中に含まれる金属のうち、最も含有量（質量）が大きい金属を意味する。
なかでも、第一金属層の下地金属層としての機能がより優れる点で、第一金属膜１１はクロム又はその合金を含有することが好ましい。また、第一金属層の下地金属層としての機能がより優れる点で、第一金属膜１１の主成分はクロムが好ましい。

第一金属膜１１中の主成分を構成する金属の含有量としては特に制限されないが、一般に、５５質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましい。

第一金属膜１１の厚みとしては特に制限されないが、一般に、５０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ未満がより好ましく、１５ｎｍ以下がより好ましい。
第一金属膜１１の厚みの下限値としては特に制限されないが、一般に、３ｎｍ以上が好ましい。
第一金属膜１１の厚みが、２０ｎｍ未満であると、導電性フィルムが備える金属細線は、より優れた基板への密着性を有する。

第一金属膜１１の形成方法としては特に制限されず、公知の形成方法を使用できる。なかでも、より緻密な構造を有する層を形成し易い点で、スパッタリング法、又は、蒸着法が好ましい。

〔第二金属膜形成工程〕
第二金属膜形成工程は、第一金属膜上に、第一金属膜の主成分とは異なる成分を主成分として含有する第二金属膜を形成する工程である。具体的には、図１Ｂに示すように、本工程を実施することにより、第一金属膜１１上に第二金属膜１２が形成される。
後述するように、第二金属膜１２は、めっき法の際のシード層として機能する。また、第二金属膜１２にエッチング処理を施すことにより、第二金属層が得られる。

第二金属膜１２は、第一金属膜１１の主成分とは異なる成分を主成分として含有していれば、公知の金属が使用できる。例えば、第一金属膜１１がクロムを主成分として含有する場合、第二金属膜１２はクロム以外の成分（例えば、銅）を主成分として含有する。
第二金属膜１２は、例えば、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、及び、亜鉛等の金属、並びに、これらの金属の合金を含有していてもよい。
第二金属膜１２に含まれる主成分としては、例えば、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、及び、亜鉛等が挙げられる。なお、上記主成分とは、第二金属膜１２中に含まれる金属のうち、最も含有量（質量）が大きい金属を意図する。
なかでも、後述する第三金属層を構成する材料との親和性により優れる点で、第二金属膜１２の主成分は、後述する第三金属膜の主成分と同一であることが好ましい。
第二金属膜１２のシード層としての機能がより優れる点で、第二金属膜１２は銅又はその合金を含有することが好ましい。また、第二金属膜１２のシード層としての機能がより優れる点で、第二金属膜１２の主成分は銅が好ましい。

第二金属膜１２中の主成分を構成する金属の含有量としては特に制限されないが、一般に、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましい。

第二金属膜１２の厚みとしては特に制限されないが、一般に、３００ｎｍ以下が好ましい。第二金属膜１２の厚みの下限値としては特に制限されないが、一般に３０ｎｍ以上が好ましい。

第二金属膜１２の形成方法としては特に制限されず、公知の形成方法が使用できるが、なかでもより緻密な構造を有する層を形成し易い点で、スパッタリング法、又は、蒸着法が好ましい。

〔レジスト膜形成工程〕
レジスト膜形成工程は、金属細線が形成される領域に開口部を備えるレジスト膜を形成する工程である。具体的には、図１Ｃに示すように、本工程を実施することにより、第二金属膜１２上にレジスト膜２０が形成される。

レジスト膜２０は、金属細線が形成される領域に開口部２１を備える。
レジスト膜２０中における開口部２１の領域は、金属細線を配置したい領域に合わせて適宜調整できる。例えば、メッシュ状に配置された金属細線を形成しようとする場合、メッシュ状の開口部を有するレジスト膜が形成される。なお、通常、開口部は、金属細線に合わせて細線状に形成される。
上記開口部の線幅Ｗは、２．０μｍ以下である。上記線幅Ｗは、１．５μｍ以下が好ましく、１．０μｍ以下がより好ましい。開口部の線幅Ｗを２．０μｍ以下とすることにより、線幅の細い金属細線を得ることができる。特に、開口部の線幅Ｗが１．５μｍ以下の場合、得られる金属細線の線幅がより細くなり、導電性フィルムを、例えば、タッチパネルセンサー等に適用した際、使用者から金属細線がより視認されにくい。なお、上記開口部の線幅Ｗの下限は特に制限されないが、０．３μｍ以上が好ましい。
なお、本明細書において開口部の幅とは、開口部の細線部分の延在方向に直交する方向での細線部の大きさを意味する。後述する各工程を経て、開口部の線幅に対応した線幅を有する金属細線が形成される。

第二金属膜１２上にレジスト膜２０を形成する方法としては特に制限されず、公知のレジスト膜形成方法が使用でき、例えば、以下の工程を有する方法が挙げられる。
（ａ）第二金属膜上にレジスト膜形成用組成物を塗布し、レジスト膜形成用組成物層を形成する工程。
（ｂ）パターン状の開口部を備えるフォトマスクを介して、レジスト膜形成用組成物を露光する工程。
（ｃ）露光後のレジスト膜形成用組成物を現像し、レジスト膜を得る工程。
なお、上記工程（ａ）と（ｂ）の間、（ｂ）と（ｃ）の間、及び／又は、（ｃ）の後には、レジスト膜形成用組成物層、及び／又は、レジスト膜を加熱する工程を更に有してもよい。

・工程（ａ）
上記工程（ａ）において使用できるレジスト膜形成用組成物としては特に制限されず、公知のレジスト膜形成用組成物が使用できる。
レジスト膜形成用組成物としては、例えば、ポジ型、又は、ネガ型の感放射線性組成物が挙げられる。

第二金属膜上にレジスト膜形成用組成物を塗布する方法としては特に制限されず、公知の塗布方法が使用できる。
レジスト膜形成用組成物の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、スプレー法、ローラーコート法、及び、浸漬法等が挙げられる。

第二金属膜上にレジスト膜形成用組成物層を形成後、レジスト膜形成用組成物層を加熱してもよい。加熱により、レジスト膜形成用組成物層に残留する不要な溶剤を除去し、レジスト膜形成用組成物層を均一な状態にできる。
レジスト膜形成用組成物層を加熱する方法としては特に制限されないが、例えば、基板を加熱する方法が挙げられる。
上記加熱の温度としては特に制限されないが、一般に４０〜１６０℃が好ましい。

レジスト膜形成用組成物層の厚みとしては特に制限されないが、乾燥後の厚みとして、一般に０．５〜２．５μｍが好ましい。

・工程（ｂ）
レジスト膜形成用組成物層を露光する方法としては特に制限されず、公知の露光方法が使用できる。
レジスト膜形成用組成物層を露光する方法としては、例えば、パターン状の開口部を備えるフォトマスクを介して、レジスト膜形成用組成物層に、活性光線、又は、放射線を照射する方法が挙げられる。露光量としては特に制限されないが、一般に１〜１００ｍＷ／ｃｍ^２で、０．１〜１０秒間照射することが好ましい。

例えば、レジスト膜形成用組成物がポジ型である場合、工程（ｂ）中で用いられるフォトマスクが備えるパターン状の開口部の線幅Ｗは、一般に２．０μｍ以下が好ましく、１．５μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下が更に好ましい。

露光後のレジスト膜形成用組成物層を加熱してもよい。加熱の温度としては特に制限されないが、一般に４０〜１６０℃が好ましい。

・工程（ｃ）
露光後のレジスト膜形成用組成物層を現像する方法としては特に制限されず、公知の現像方法が使用できる。
公知の現像方法としては、例えば、有機溶剤を含有する現像液、又は、アルカリ現像液を用いる方法が挙げられる。
現像方法としては、例えば、ディップ法、パドル法、スプレー法、及び、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。

また、現像後のレジスト膜を、リンス液を用いて洗浄してもよい。リンス液としては特に制限されず、公知のリンス液が使用できる。リンス液としては、有機溶剤、及び、水等が挙げられる。

〔第三金属膜形成工程〕
第三金属膜形成工程は、めっき法により、上記レジスト膜の開口部内であって、第二金属膜上に、第三金属膜を形成する工程である。具体的には、図１Ｄに示すように、本工程を実施することにより、図１Ｃ中の開口部２１を埋めるように、第二金属膜１２上に第三金属膜１３が形成される。
後述するように、第三金属膜１３は、所定の処理後、金属細線中の第三金属層となる。

第三金属膜１３は、めっき法により形成される。
めっき法としては、公知のめっき法が使用できる。具体的には、電解めっき法及び無電解めっき法が挙げられ、生産性の点から、電解めっき法が好ましい。

第三金属膜１３に含有される金属としては特に制限されず、公知の金属が使用できる。
第三金属膜１３は、例えば、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、及び、亜鉛等の金属、並びに、これらの金属の合金を含有していてもよい。
また、エッチング液に対する溶解性が異なる点で、第三金属膜１３の主成分と、第一金属膜１１の主成分とは異なることが好ましい。
なかでも、第三金属層の導電性がより優れる点で、第三金属膜１３は銅又はその合金を含有することが好ましい。また、第三金属層の導電性がより優れる点で、第三金属膜１３の主成分は銅が好ましい。
なお、上記主成分とは、第三金属膜１３中に含まれる金属のうち、最も含有量（質量）が大きい金属を意味する。

第三金属膜１３中の主成分を構成する金属の含有量としては特に制限されないが、一般に、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましい。

第三金属膜１３の厚みとしては特に制限されないが、一般に、３μｍ以下が好ましく、２μｍ以下がより好ましく、１μｍ以下が最も好ましい。第三金属膜１３の厚みの下限値としては特に制限されないが、一般に０．１μｍ以上が好ましい

〔レジスト膜除去工程〕
レジスト膜除去工程は、レジスト膜を除去する工程である。具体的には、図１Ｅに示すように、本工程を実施することにより、基板１０１上に、第一金属膜１１、第二金属膜１２、及び、第三金属膜１３を備える積層体が得られる。

レジスト膜を除去する方法としては特に制限されず、公知のレジスト膜除去液を用いてレジスト膜を除去する方法が挙げられる。
レジスト膜除去液としては例えば、有機溶剤、及び、アルカリ溶液等が挙げられる。
レジスト膜除去液をレジスト膜に接触させる方法としては特に制限されないが、例えば、ディップ法、パドル法、スプレー法、及び、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。

〔第二金属膜除去工程〕
第二金属膜除去工程は、第三金属膜をマスクとして、第二エッチング液を用いて、第二金属膜を除去する工程である。本工程を実施することにより、第三金属膜が配置されていない領域の第二金属膜が除去される。
なお、図１Ｆでは、第二金属膜除去工程及び後述する第一金属膜除去工程を実施した後に得られる導電性フィルム３０を示し、導電性フィルム３０は、基板１０１と、金属細線１０３とを備える。金属細線１０３は、基板１０１が側から順に、第一金属層２０１、第二金属層２０２、及び、第三金属層２０３を備える。

本発明者は、線幅の細い金属細線を形成する際に、特許文献１の００８７段落に記載の透明導電性フィルムの製造方法（セミアディティブ法）のように、第二金属膜の除去工程において第一金属膜も合わせて除去しようとすると、所望の金属細線が得られないことを知見している。その理由としては、第一金属膜と第二金属膜とのエッチング液に対する溶解性の違いにより、第一金属膜と比較して、第二金属膜（及び、第三金属膜）が意図せず多く除去されてしまうこと、又は、第二金属膜と比較して、第一金属膜が意図せず多く除去されてしまうことが発生するためであると推測される。第一金属膜と比較して、第二金属膜（及び、第三金属膜）が意図せず多く除去されてしまう場合、図５（金属細線の線幅方向の断面図）に示すように、基板１０１上に配置される金属細線１０３Ａにおいて、第一金属層２０１Ａの線幅が、第二金属層２０２Ａ及び第三金属層２０３Ａの線幅よりも大きくなる。また、第二金属膜と比較して、第一金属膜が意図せず多く除去されてしまう場合、図６（金属細線の幅方向の断面図）に示すように、基板１０１上に配置される金属細線１０３Ｂにおいて、第一金属層２０１Ｂの線幅が、第二金属層２０２Ｂ及び第三金属層２０３Ｂの線幅よりも小さくなる。

図５に示すような現象が発生すれば、第二金属膜（及び、第三金属膜）の線幅が薄くなり、金属細線の電気抵抗率が大きくなってしまう、及び／又は、エッチングの際に第二金属膜（及び、第三金属膜）が消失してしまう等の不具合が生じやすい。
一方で、図６に示すような現象が発生すれば、金属細線と、基板との密着性が不十分となりやすい。金属細線と基板との密着性が不十分となると、金属細線が基板から剥離しやすい。金属細線が基板から剥離すると、その部分に金属細線の断線が生じやすくなる。

本発明の実施形態に係る導電性フィルムの製造方法は、第二エッチング液を用いて第二金属膜を除去する工程（第二金属膜除去工程）、及び、第一エッチング液を用いて第一金属膜を除去する工程（第二金属膜除去工程）をこの順に有する。
ここで、第一エッチング液と、第二エッチング液とは、互いに異なるエッチング液を意味する。なお、異なるエッチング液、とは、含有する成分の種類、含有する成分同士の比率（組成）、成分の含有量、及び／又は、温度等が異なるエッチング液を意味し、中でも、含有する成分の種類、含有する成分同士の比率、及び／又は、成分の含有量が異なることが好ましい。

また、第二金属膜除去工程において除去されるのは、「第三金属膜が積層されていない領域の第二金属膜」、言い換えれば、「レジスト膜が積層されていた領域の第二金属膜」が好ましく、第一金属膜除去工程において除去されるのは、「第二金属膜が積層されていない領域の第一金属膜」、言い換えれば、「第二金属膜除去工程で除去された第二金属膜が積層されていた領域の第一金属膜」が好ましい。

本発明の実施形態に係る導電性フィルムの製造方法は、上記のとおり異なるエッチング液を用いて、第二金属膜、及び、第一金属膜を除去する工程を有するため、図５、及び、図６のような不具合、すなわち、単一のエッチング液を用いて第一金属膜、及び、第二金属膜を除去することによる不具合が生じにくいものと推測される。

第二エッチング液としては、第二金属膜を溶解して除去することができれば特に制限されず、公知のエッチング液を用いることができる。
公知のエッチング液としては、例えば、塩化第二鉄溶液、塩化第二銅溶液、アンモニアアルカリ溶液、硫酸−過酸化水素混合液、及び、リン酸−過酸化水素混合液等が挙げられる。

第二エッチング液の、第二金属膜に対するエッチングレートとしては特に制限されないが、基板への密着性がより優れた金属細線を備える導電性フィルムがより簡便に得られる点で、第二エッチング液の、第二金属膜に対するエッチングレートとしては、毎分３００ｎｍ（以降、毎分Ａｎｍは「Ａｎｍ／ｍｉｎ」と表記する。）以下が好ましく、２００ｎｍ／ｍｉｎ以下がより好ましい。
第二金属膜に対するエッチングレートの下限値としては特に制限されないが、一般に３０ｎｍ／ｍｉｎ以上が好ましい。
第二エッチング液の第二金属膜に対するエッチングレートは、第二エッチング液の濃度、及び、温度等を調整することにより、調整することができる。
なお、本明細書において、各エッチング液の各金属膜のエッチングレートとは、以下の方法により測定したエッチングレートを意味する。

（エッチングレート測定方法）
本明細書におけるエッチング液による金属膜に対するエッチングレートの測定は、以下の方法により行うものとする。
まず、シリコンウェハ上に１０μｍの厚みで対象とする金属膜を形成したモデル基板を準備する。次に、上記モデル基板を、対象とするエッチング液に５分間浸漬した後の金属膜の厚みを測定し、浸漬前後で減少した金属膜の厚みを算出し、これを５（分）で除して、エッチングレートを算出する。
なお、厚みの測定には、表面形状測定装置Ｄｅｋｔａｋ６Ｍ（Ｖｅｅｃｏ社製）を用いる。

第二エッチング液の、「第二金属膜に対するエッチングレート（ＥＲ２）」に対する、第二エッチング液の、「第一金属膜に対するエッチングレート（ＥＲ１）」の比（すなわち、第一金属膜に対するエッチングレート／第二金属膜に対するエッチングレート、ＥＲ１／ＥＲ２）としては、特に制限されないが、第二エッチング液が第一金属膜を溶解しにくい点で、言い換えれば、選択的に第二金属膜を溶解する点で、０．０１以下が好ましく、０．００２以下がより好ましく、０．０００５未満が更に好ましい。
第二エッチング液の、ＥＲ１／ＥＲ２の下限値としては特に制限されないが、一般に０以上が好ましい。
なお、第二エッチング液の、ＥＲ１／ＥＲ２が０である場合とは、第二エッチング液が第一金属膜を実質的に溶解しない場合を意味する。
第二エッチング液の、ＥＲ１／ＥＲ２が０．０００５未満であると、基板への密着性により優れた金属細線を備える導電性フィルムがより簡便に得られる。

第二エッチング液を用いて第二金属膜をエッチングする方法としては特に制限されず、公知の方法を使用できる。

〔第一金属膜除去工程〕
第一金属膜除去工程は、第一エッチング液を用いて第一金属膜を除去する工程である。本工程を実施することにより、第三金属膜が配置されていない領域の第一金属膜が除去される。
第一エッチング液としては、第一金属膜を溶解して除去することができれば特に制限されず、公知のエッチング液を使用できる。
公知のエッチング液としては、例えば、硝酸セリウム第二アンモニウム（硝酸アンモニウムセリウム）−過塩素酸−水混合液、又は硝酸アンモニウムセリウム−硝酸−水混合液等が挙げられる。

第一エッチング液の、第一金属膜に対するエッチングレートとしては特に制限されないが、基板への密着性により優れた金属細線を備える導電性フィルムがより簡便に得られる点で、第一エッチング液の、第一金属膜に対するエッチングレートとしては、４００ｎｍ／ｍｉｎ以下が好ましく、２００ｎｍ／ｍｉｎ以下がより好ましく、１００ｎｍ／ｍｉｎが更に好ましい。
第一金属膜に対するエッチングレートの下限値としては特に制限されないが、一般に１０ｎｍ／ｍｉｎが好ましい。
第一エッチング液の、第一金属膜に対するエッチングレートは、第一エッチング液の濃度、及び、温度等を調整することにより、調整することができる。

第一エッチング液の、「第一金属膜に対するエッチングレート（ＥＲ１）」に対する、第一エッチング液の、「第二金属膜に対するエッチングレート（ＥＲ２）」の比（第二金属膜に対するエッチングレート／第一金属膜に対するエッチングレート、ＥＲ２／ＥＲ１）としては、特に制限されないが、第一エッチング液が第二金属膜を溶解しにくい（選択的に第一金属膜を溶解する）点で、０．０１以下が好ましく、０．００２以下がより好ましい。
第一エッチング液の、ＥＲ２／ＥＲ１の下限値としては特に制限されないが、一般に、０以上が好ましい。
なお、第一エッチング液の、ＥＲ２／ＥＲ１が０である場合とは、第一エッチング液が第二金属膜を実質的に溶解しない場合を意図する。

第一エッチング液を用いて第一金属膜をエッチングする方法としては特に制限されず、公知の方法が使用できる。

［導電性フィルム］
上述した手順によって、所定の導電性フィルムが製造される。
本発明の導電性フィルムは、基板と、基板の少なくとも一方の主面上に配置された金属細線から構成された導電部とを備える。導電性フィルムにおいて、導電部は、通常、複数の金属細線により構成される。なお、例えば、導電性フィルムをタッチパネルセンサー用として用いる場合には、導電部を透明電極及び／又は引き出し配線として使用できる。
本明細書において、主面とは、上記基板を構成する面のうち、互いに向かい合う最も面積が大きい面を意味し、基板の厚み方向に対向する面に該当する。

図２Ａは、上記導電性フィルムの一実施形態の上面図であり、図２ＢはそのＡ−Ａ断面における断面図である。図３は、導電性フィルム中の導電部の一部拡大図である。
図２Ａ、及び、図２Ｂに示すように、導電性フィルム１００は、基板１０１、及び、基板１０１の一方の主面上に配置された導電部１０２を含有する。

なお、図２Ａ、及び、図２Ｂにおいては、平面状の形状を有する導電性フィルムの形態を示したが、導電性フィルムとしては上記に制限されない。導電性フィルムは３次元形状（立体形状）を有していてもよい。３次元形状としては、例えば、曲面を含有する３次元形状が挙げられ、より具体的には、半球状、かまぼこ形状、波形形状、凸凹形状、及び、円柱状等が挙げられる。
また、図２Ａ、及び、図２Ｂには、導電部１０２は基板１０１の一方の主面上に配置されているが、この形態には制限されない。例えば、基板１０１の両方の主面上に導電部１０２が配置されていてもよい。
また、図２Ａ、及び、図２Ｂには、導電部１０２は、６本ストライプ状に配置されているが、この形態には制限されず、他の配置であってもよい。

図３は、導電部１０２の一部拡大上面図であり、導電部１０２は、複数の金属細線１０３により構成され、交差する金属細線１０３による複数の開口部１０４を含有するメッシュ状のパターンを含有する。
金属細線１０３の線幅は、２．０μｍ以下であり、１．５μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下が更に好ましい。
金属細線１０３の線幅の下限値としては特に制限されないが、一般に０．２μｍ以上が好ましい。
金属細線１０３の線幅が２．０μｍ以下であると、例えば、導電性フィルムをタッチパネルセンサーに適用した際、タッチパネルの使用者が、金属細線をより視認しにくい。

なお、本明細書において、金属細線１０３の線幅とは、金属細線１０３の幅方向の断面（金属細線の延在方向と直交する断面）において、後述する、第一金属層、第二金属層、及び、第三金属層の線幅のうち最大の線幅を意図する。すなわち、第一金属層、第二金属層、及び、第三金属層の線幅は、金属細線１０３の線幅以下となる。
なお、第一〜第三金属層の形態、及び、線幅の測定方法については後述する。

金属細線１０３の厚みとしては、特に制限されないが、一般に０．１〜５．０μｍが好ましく、導電性の観点から、０．２〜２．０μｍが好ましい。
開口部１０４の一辺の長さＸは、２０〜２５０μｍが好ましい。

なお、図３においては、開口部１０４は、略ひし形の形状を有している。但し、その他、多角形状（例えば、三角形、四角形、六角形、及び、ランダムな多角形）としてもよい。また、一辺の形状を直線状の他、湾曲形状にしてもよいし、円弧状にしてもよい。円弧状とする場合は、例えば、対向する２辺については、外方に凸の円弧状とし、他の対向する２辺については、内方に凸の円弧状としてもよい。また、各辺の形状を、外方に凸の円弧と内方に凸の円弧が連続した波線形状としてもよい。もちろん、各辺の形状を、サイン曲線にしてもよい。
なお、図３においては、導電部１０２はメッシュ状のパターンを有するが、この形態には制限されない。

図４は、金属細線１０３の断面図である。金属細線１０３は、基板１０１が側から順に、第一金属層２０１、第二金属層２０２、及び、第三金属層２０３を備える。なお、第一金属層２０１、第二金属層２０２、及び、第三金属層２０３の形状はいずれも、金属細線１０３の形状に対応した細線状である。

〔第一金属層〕
第一金属層２０１は、導電性を有すると共に、その上に配置される第二金属層２０２を基板上に保持する作用（密着性向上作用）を有する。つまり、第一金属層２０１は、下地金属層として機能する。
上述したように、第一金属層２０１は、第一金属膜にエッチング処理を施すことにより形成される。
第一金属層２０１に含まれる金属の種類は、上述した第一金属膜に含まれる金属の種類と同じである。
また、第一金属層２０１の厚みの好適範囲は、上述した第一金属膜の厚みの好適範囲と同じである。なお、導電性フィルム中の第一金属層の厚みは、後述する、第一金属層の線幅の測定の際に、合わせて測定することもできる。

第一金属層２０１の線幅としては、２．０μｍ以下であり、１．５μｍ以下が好ましく、１．０μｍ以下がより好ましい。
なお、第一金属層２０１の線幅は、金属細線１０３を基板１０１ごと樹脂に包埋し、幅方向（金属細線の延在方向と直交する方向）で、ウルトラミクロトームを用いて切断し、得られた断面に炭素を蒸着した後、走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 Ｓ−５５００型）を用いて観察して、測定される線幅を意味する。また、後述する第二金属層２０２、及び、第三金属層２０３の線幅も同様である。

第一金属層２０１と、後述する第二金属層２０２の線幅との関係としては、第一金属層２０１の線幅に対する、第二金属層２０２の線幅の比（第二金属層の線幅／第一金属層の線幅）が、１．０超であることが好ましく、１．０１以上であることがより好ましく、１．３未満であることが好ましく、１．２５未満であることが好ましく、１．２以下であることがより好ましい。
第二金属層の線幅／第一金属層の線幅が１．０超であると、導電性フィルムが備える金属細線は、より優れた視認性を有する。
一方、第二金属層の線幅／第一金属層の線幅が１．３未満であると、導電性フィルムが備える金属細線は、より優れた基板への密着性を有する。
〔第二金属層〕
第二金属層２０２は、第三金属層２０３の密着性向上、及び、第三金属層２０３を形成する際のシード層としての機能を有する。
上述したように、第二金属層２０２は、第二金属膜にエッチング処理を施すことにより形成される。
第二金属層２０２に含有される金属の種類は、上述した第二金属膜に含有される金属の種類と同じである。なかでも、後述する第三金属層２０３を構成する材料との親和性により優れる点で、第二金属層２０２の主成分は、後述する第三金属層２０３の主成分と同一であることが好ましい。
また、第二金属層２０２の厚みの好適範囲は、上述した第二金属膜の厚みの好適範囲と同じである。なお、導電性フィルム中の第二金属層の厚みは、上述した、第一金属層の線幅の測定の際に、合わせて測定することもできる。

第二金属層２０２の線幅としては、２．０μｍ以下であり、１．５μｍ以下が好ましく、１．０μｍ以下がより好ましい。
なお、第二金属層２０２の線幅としては、すでに説明した第一金属層２０１の線幅との関係を満たすことが好ましい。

〔第三金属層〕
第三金属層２０３は、導電性を有し、金属細線の導通を確保する作用を有する。
第三金属層２０３に含有される金属の種類は、上述した第三金属膜に含有される金属の種類と同じである。
また、第三金属層２０３の厚みの好適範囲は、上述した第三金属膜の厚みの好適範囲と同じである。なお、導電性フィルム中の第三金属層の厚みは、上述した、第一金属層の線幅の測定の際に、合わせて測定することもできる。

第三金属層２０３の線幅としては、２．０μｍ以下であり、１．５μｍ以下が好ましく、１．０μｍ以下がより好ましい。

上記の製造方法により製造された導電性フィルムは、種々の用途に使用できる。用途としては、例えば、各種電極フィルム、発熱シート、及び、プリント配線基板等が挙げられる。なかでも、導電性フィルムは、タッチパネルセンサーに使用されるのが好ましく、静電容量方式のタッチパネルセンサーに使用されるのがより好ましい。上記導電性フィルムをタッチパネルセンサーとして含むタッチパネルでは、金属細線が視認しづらい。
なお、タッチパネルの構成としては、例えば、特開２０１５−１９５００４号公報の００２０〜００２７段落に記載のタッチパネルモジュール等が挙げられ、上記内容は本明細書に組み込まれる。

以下に実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、及び、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す実施例に制限されない。
また、特に断らない限り、部、及び、％は質量基準を意図する。

［実施例１］
ＣＯＰフィルム（シクロオレフィンポリマーフィルム、厚み８０μｍ）上に、スパッタリング装置を用いて、Ｃｒを１０ｎｍの厚みになるよう成膜し第一金属膜を得た。引き続き、第一金属膜上に、Ｃｕを５０ｎｍの厚みになるよう成膜し第二金属膜を得た。次にレジスト膜形成用組成物（富士フイルム社製、「ＦＨｉ−６２２ＢＣ」、粘度１１ｍＰａ・ｓ）を、乾燥後の厚みが１μｍとなるように、スピンコーターの回転数を調整して、第二金属膜上に塗布し、１００℃で１分間乾燥させて、レジスト膜形成用組成物層を得た。上記レジスト膜形成用組成物層に対し、線幅０．８μｍの直線状の開口部を備えるフォトマスクを介し、平行光露光機を用いて３６５ｎｍの波長の光（露光量 １６ｍＷ／ｃｍ^２）を２秒間照射し、１００℃で１分間加熱（ポストベーク）して、露光後のレジスト膜形成用組成物層を得た。次に、露光後のレジスト膜形成用組成物を、０．５Ｍ水酸化ナトリウム水溶液で現像し、パターン状のレジスト膜を得た。上記レジスト膜のパターン状の開口部は、線幅１．０μｍ±０．１μｍであった。
上記手順により作製した、基板と、第一金属膜と、第二金属膜と、パターン状の開口部を備えるレジスト膜とをこの順に備える積層体に対して、硫酸銅ハイスロー浴（添加剤としてトップルチナＨＴ−ＡとトップルチナＨＴ−Ｂとを含有する。いずれも奥野製薬工業社製）を用いて、電気めっきを施した。電気めっきの条件としては、電流密度は３Ａ／ｄｍ^２、導通時間は２０秒間とした。電気めっきにより、パターン状の開口部内であって、第二金属膜上に、第三金属膜を形成した。すなわち、パターン状の第三金属膜を得た。このとき、第三金属膜の厚みは３００ｎｍであった。次に、１Ｍ水酸化ナトリウム水溶液を用いてレジスト膜を剥離した。次に、第二金属膜に対するエッチングレートが２００ｎｍ／ｍｉｎとなるよう濃度を調整した第二エッチング液（和光純薬工業社製、Ｃｕエッチング液、「Ｃｕエッチャント」）を用いて、第二金属膜をエッチングした。
次に、第一エッチング液（日本化学産業社製；Ｃｒエッチング液；「アルカリ性クロムエッチング液」；原液を使用した；第一金属膜に対するエッチングレートは１００ｎｍ／ｍｉｎだった。）を用いて第一金属膜をエッチングし、基板と、金属細線とを備える導電性フィルム１を得た。

［実施例２］
第一金属膜の厚みを２０ｎｍとしたこと、を除いては実施例１と同様の操作により、導電性フィルム２を得た。

［実施例３］
第二エッチング液の濃度を、第二金属膜に対するエッチングレートが５００ｎｍ／ｍｉｎとなるよう調整したこと、及び、第一エッチング液の濃度を、第一金属膜に対するエッチングレートが１００ｎｍ／ｍｉｎとなるよう調整したこと、を除いては、実施例１と同様の操作により、導電性フィルム３を得た。導電性フィルム１と比較すると、金属細線の線幅、及び、厚みにムラが生じた。また、一部に断線も確認されたが、実用範囲内であった。

［実施例４］
第二エッチング液の濃度を、第二金属膜に対するエッチングレートが２００ｎｍ／ｍｉｎとなるよう調整したこと、及び、第一のエッチング液の濃度を、第一金属膜に対するエッチングレートが４００ｎｍ／ｍｉｎとなるよう調整したこと、を除いては、実施例１と同様の操作により、導電性フィルム４を得た。導電性フィルム１と比較すると密着力が低下したが、実用範囲内であった。

［比較例１］
第一金属膜を銅合金を用いて厚み１５ｎｍとなるよう形成したこと、並びに、第二金属膜に対するエッチングレートが２００ｎｍ／ｍｉｎとなるよう濃度を調製した第二エッチング液（和光純薬工業社製、Ｃｕエッチング液、「Ｃｕエッチャント」）のみを用いて、第一金属膜、及び、第二金属膜をエッチングしたこと、を除いては、実施例１と同様に操作した。なお、エッチングは、第三金属膜が積層された部分以外の部分（レジスト膜に被覆されていた部分）の第二金属膜が完全に除去されたことを、第二金属膜に由来する金属色が消失したのを目視で確認できるまで行った。その結果、金属細線が、エッチング液中で剥離した。
なお、銅合金の主成分は銅であり、銅の含有量は銅合金全体の７０質量％であった。

［比較例２］
第一金属膜を銅合金（比較例１で用いたものと同様）を用いて厚み１５ｎｍとなるよう形成したこと、第二エッチング液として、第二金属膜に対するエッチングレートが２００ｎｍ／ｍｉｎとなるよう濃度を調整した塩化第二鉄（和光純薬工業社製）水溶液を用いたこと、並びに、第二エッチング液のみを用いて、第一金属膜、及び、第二金属膜をエッチングしたこと、を除いては、実施例１と同様に操作した。なお、エッチングは、第三金属膜が積層された部分以外の部分の第二金属膜が完全に除去されたことを、第二金属膜に由来する金属色が消失したのを目視で確認できるまで行った。その結果、金属細線における第三金属膜に由来する金属色も消失した。

［比較例３］
第一金属膜を銅合金（比較例１で用いたものと同様）を用いて厚み３５ｎｍとなるよう形成したことを除いては、比較例１と同様に操作した。その結果、金属細線がエッチング液中で剥離した。

［比較例４］
第一金属膜を銅合金（比較例１で用いたものと同様）を用いて厚み３５ｎｍとなるよう形成したことを除いては、比較例２と同様に操作した。その結果、金属細線における第三金属膜に由来する金属色も消失した。

［比較例５］
第一金属膜を形成しなかったこと以外は比較例１と同様に操作した。その結果、エッチング後の第三金属膜は、エッチング前の第三金属膜が有していた形状を維持した。しかし、後述する方法により実施したテープ剥離試験では、金属細線が大きく剥離した。

［比較例６］
第一金属膜をＣｒを用いて厚み１０ｎｍとなるよう形成し、第二金属膜に対するエッチングレートが２００ｎｍ／ｍｉｎとなるよう濃度を調製した第二エッチング液のみを用いて、第一金属膜、及び、第二金属膜をエッチングしたこと、を除いては、実施例１と同様に操作した。
なお、第二エッチング液は、硝酸アンモニウムセリウム（ＩＶ）及び硝酸を混合し純水で希釈したものを用い、表１中では「硝酸アンモニウムセリウム液」と記載した。試薬はいずれも東京化成工業社製である。
なお、エッチングは、第三金属膜が積層された部分以外の部分（レジスト膜に被覆されていた部分）の第二金属膜が完全に除去されたことを、第二金属膜に由来する金属色が消失したのを目視で確認できるまで行った。その結果、金属細線における第三金属膜に由来する金属色も消失した。

なお、上記において使用した第一エッチング液の、第一金属膜に対するエッチングレートは、以下の方法により測定した。また、その他のエッチングレートも以下と同様の方法で測定した。測定結果をあわせて表１に示した。
まず、シリコンウェハ上に１０μｍの厚みで第一金属膜を形成したモデル基板を準備した。次に、上記モデル基板を、第一エッチング液に５分間浸漬した後の第一金属膜の厚みを測定し、浸漬前後で減少した第一金属膜の厚みを算出し、これを５（分）で除して、エッチングレートを算出した。
なお、厚みの測定には、表面形状測定装置Ｄｅｋｔａｋ６Ｍ（Ｖｅｅｃｏ社製）を用いた。

［評価］
〔金属細線の形成性〕
金属細線の形状は、目視で確認した。結果は以下の基準により評価し、評価結果を表１に示した。実用上「Ｂ」以上が好ましい。
Ａ：金属細線の線幅、及び、厚みにムラがなく、断線も確認されなかった。
Ｂ：金属細線の線幅、及び、厚みにムラが生じた。また、一部に断線も確認されたが、導電性フィルムとしては実用範囲内だった。
Ｃ：金属細線が剥離していた、及び／又は、金属細線が消失していた。

〔基板への密着性〕
金属細線の基板への密着性は、テープ剥離試験により評価した。
上記の方法で作製した各導電性フィルムを用い、金属細線を備える側の基材主面に対し、セロハンテープフィルム（「ＣＴ２４」ニチバン社製）を指の腹で押圧して密着させた後、セロハンテープを剥離した。その後、基材上の金属細線の剥離面積（％）（剥離した金属細線の面積／試験片における金属細線の面積×１００）を目視で確認した。
結果は以下の基準により評価し、評価結果を表１に示した。実用上「Ｂ」以上が好ましい。
Ａ：金属細線の剥離は観察されなかった。
Ｂ：金属細線の剥離は観察されたが、剥離面積は１％未満だった。
Ｃ：金属細線の剥離が観察され、剥離面積は１％以上だった。
Ｄ：すでに金属細線が剥離していた、及び／又は、金属細線が消失していたため、テープ剥離試験が実施できなかった。

〔金属細線の線幅〕
上記の方法により作製した導電性フィルムが備える金属細線の線幅、及び、各金属層の線幅を以下の方法により測定した。結果は表１にまとめて示した。
まず、上記導電性フィルムを、基板ごと樹脂に包埋し、幅方向（金属細線の延在方向と直交する方向）で、ウルトラミクロトームを用いて切断し、得られた断面に炭素を蒸着した後、走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 Ｓ−５５００型）を用いて観察した。第一金属層、第二金属層、及び、第三金属層のそれぞれの線幅を測定し、最大の線幅を金属細線の線幅（μｍ）として表１に記載した。

なお、表１には、実施例及び比較例に係る金属膜形成工程における条件、使用したエッチング液の種類とエッチングレート、得られた導電性フィルムの線幅、及び、評価を、（その１）〜（その４）にわたって、それぞれ各行に記載した。例えば、実施例１であれば、第一金属膜はＣｒからなり、厚み１０ｎｍであり、第二金属膜はＣｕからなり、厚み５０ｎｍであり、第三金属膜はＣｕからなり、厚み３００ｎｍである。第二エッチング液の種類はＣｕエッチング液であり、第二エッチング液の第二金属膜に対するエッチングレート（ＥＲ２）は２００ｎｍ／ｍｉｎであり、第二エッチング液の第一金属膜に対するエッチングレート（ＥＲ１）は０．１ｎｍ／ｍｉｎ未満であり、結果として、第二エッチング液のＥＲ１／ＥＲ２は０．０００５未満である。第一エッチング液は、Ｃｒエッチング液であり、第一エッチング液の第一金属膜に対するエッチングレート（ＥＲ１）は１００ｎｍ／ｍｉｎであり、第一エッチング液の第二金属膜に対するエッチングレート（ＥＲ２）は１ｎｍ／ｍｉｎ未満であり、結果として、第一エッチング液のＥＲ２／ＥＲ１は０．０１未満である。そして、得られた導電性フィルムにおける金属細線の線幅は１μｍであり、第一金属層の線幅は０．９μｍ、第二金属層の線幅は１μｍ、第三金属層の線幅は１μｍ、結果として第二金属層の線幅／第一金属層の線幅は１．１１だった。そして、評価は、金属細線の形成性が「Ａ」であり、金属細線の基板への密着性が「Ａ」だった。その他の実施例及び比較例についても上記と同様に記載した。

上記表中、「なし」とは、第一金属膜を形成しなかったことを表し、「−」とは、第一金属膜を形成しなかたっため、該当する厚みがないことを表す。

上記表中、「なし」は、第一エッチング液を用いなかったことを表し、「−」は該当する測定結果、又は、計算結果がないことを表す。また、「＜」は、測定値又は計算値がその数値未満であることを表す。

上記表中、比較例１〜４の導電性フィルムの製造方法は、所望の導電性フィルムが得られず、線幅を測定することができなかったため、該当する欄には「測定不可」と表示した。また、「−」は、該当する測定結果、又は、計算結果がないことを表す。

表１に示した結果から、実施例１〜４の導電性フィルムの製造方法によれば、線幅が細く、基板への密着性に優れた金属細線を備える導電性フィルムを簡便に製造することができることがわかった。一方、比較例１〜６の導電性フィルムの製造方法は、所望の導電性フィルムを製造することができなかった。
第一金属層の厚みが２０ｎｍ未満である実施例１の導電性フィルムの製造方法は、実施例２の導電性フィルムの製造方法と比較して、基板への密着性により優れた金属細線を備える導電性フィルムを簡便に製造することができることがわかった。
第二エッチング液の第二金属膜に対するエッチングレートが、毎分３００ｎｍ以下である実施例１の導電性フィルムの製造方法は、実施例３の導電性フィルムの製造方法と比較して、より優れた形状を有する金属細線を有する導電性フィルムを製造することができることがわかった。
第一エッチング液の第一金属膜に対するエッチングレートが、毎分２００ｎｍ以下である実施例１の導電性フィルムの製造方法は、実施例４の導電性フィルムの製造方法と比較して、基板への密着性により優れた金属細線を備える導電性フィルムを簡便に製造することができることがわかった。
第二エッチング液の第二金属膜に対するエッチングレートに対する、第二エッチング液の第一金属膜に対するエッチングレートの比が、０．０００５以下である実施例１の導電性フィルムの製造方法は、実施例４の導電性フィルムの製造方法と比較して、基板への密着性により優れた金属細線を備える導電性フィルムを簡便に製造することができることがわかった。

１１ 第一金属膜
１２ 第二金属膜
１３ 第三金属膜
２０ レジスト膜
２１ 開口部
３０，１００ 導電性フィルム
１０１ 基板
１０２ 導電部
１０３ 金属細線
１０４ 開口部
２０１ 第一金属層
２０２ 第二金属層
２０３ 第三金属層

Claims (17)

1. 基板と、
   前記基板の少なくとも一方の主面上に配置された、金属細線から構成された導電部と、を備える導電性フィルムの製造方法であって、
   前記基板の少なくとも一方の主面上に、第一金属膜を形成する工程と、
   前記第一金属膜上に、前記第一金属膜の主成分とは異なる成分を主成分として含有する第二金属膜を形成する工程と、
   前記第二金属膜上に、前記金属細線が形成される領域に開口部を備えるレジスト膜を形成する工程と、
   めっき法により、前記開口部内であって、前記二金属膜上に、第三金属膜を形成する工程と、
   前記レジスト膜を除去する工程と、
   前記第三金属膜をマスクとして、第二エッチング液を用いて、前記第二金属膜を除去する工程と、
   前記第三金属膜をマスクとして、前記第二エッチング液とは異なる第一エッチング液を用いて、前記第一金属膜を除去する工程と、
   をこの順に有し、
   前記開口部の線幅が、２．０μｍ以下である、導電性フィルムの製造方法。
2. 前記第二金属膜が銅又はその合金を含有する、請求項１に記載の導電性フィルムの製造方法。
3. 前記第一金属膜がクロム又はその合金を含有する、請求項１又は２に記載の導電性フィルムの製造方法。
4. 前記第三金属膜が銅又はその合金を含有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の導電性フィルムの製造方法。
5. 前記第一金属膜の厚みが２０ｎｍ未満である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の導電性フィルムの製造方法。
6. 前記開口部の線幅が１．５μｍ以下である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の導電性フィルムの製造方法。
7. 前記第二エッチング液の前記第二金属膜に対するエッチングレートが、毎分３００ｎｍ以下である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の導電性フィルムの製造方法。
8. 前記第一エッチング液の前記第一金属膜に対するエッチングレートが、毎分２００ｎｍ以下である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の導電性フィルムの製造方法。
9. 前記第二エッチング液の前記第二金属膜に対するエッチングレートに対する、前記第二エッチング液の前記第一金属膜に対するエッチングレートの比が、０．０００５以下である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の導電性フィルムの製造方法。
10. 基板と、
    前記基板の少なくとも一方の主面上に配置された、金属細線から構成された導電部と、を備える導電性フィルムであって、
    前記金属細線が、
    第一金属層と、
    前記第一金属層の主成分とは異なる成分を主成分として含有する第二金属層と、
    第三金属層と、を前記基板側からこの順に備え、
    前記金属細線の線幅が、２．０μｍ以下であり、
    前記第一金属層の線幅に対する、前記第二金属層の線幅の比が、１．０超、１．３未満である、導電性フィルム。
11. 前記第二金属層が銅又はその合金を含有する、請求項１０に記載の導電性フィルム。
12. 前記第一金属層がクロム又はその合金を含有する、請求項１０又は１１に記載の導電性フィルム。
13. 前記第三金属層が銅又はその合金を含有する、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の導電性フィルム。
14. 前記第一金属層の厚みが２０ｎｍ以下である、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の導電性フィルム。
15. 前記金属細線の線幅が１．５μｍ以下である、請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の導電性フィルム。
16. 請求項１０〜１５のいずれか一項に記載の導電性フィルムを含有する、タッチパネルセンサー。
17. 請求項１６に記載のタッチパネルセンサーを含有する、タッチパネル。