JPH09304785A - 配線基板、その製造方法及び該配線基板を備えた液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】樹脂内に形成される金属配線の腐食を防止す
る。 【解決手段】電気抵抗率の小さい銅などからなる金属配
線３間にＵＶ硬化樹脂６が充填された配線基板１におい
て、金属配線３の表面を、化学的に安定なニッケルや亜
鉛、或はその合金などからなる保護膜４で被覆すること
により、ＵＶ硬化樹脂６中の様々な溶剤、及びＵＶ硬化
樹脂６から発生する気体成分に晒されても金属配線３に
腐食が発生することが防止される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、金属配線間に硬化
樹脂が充填、硬化された配線基板、その製造方法及び該
配線基板を備えた液晶素子液晶素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＴＮ（Twisted Nematic ）やＳＴＮ（Su
per Twisted Nematic ）型等の液晶素子では、従来よ
り、ガラス基板上に形成される透明電極にはＩＴＯ（In
dium TinOxide）膜などが一般に用いられている。

【０００３】上述した従来の透明電極（ＩＴＯ膜）は抵
抗率が大きいため、最近のように表示面積の大型化、高
精細化に伴って印加される電圧波形の遅延が問題になっ
てきた。特に、強誘電性液晶を用いた液晶素子では基板
ギャップがより狭いため、電圧波形の遅延が顕著であっ
た。また、透明電極の膜厚を厚く形成することも考えら
れるが、膜厚を厚くするとガラス基板への密着性が悪く
なって成膜にも長時間を要し、且つコストも高くなる等
の問題点があった。

【０００４】このため、このような問題点を解決するた
めに、膜厚の薄い透明電極の下に低抵抗率の金属配線を
併設する構成の液晶素子が提案されている（例えば、特
開平２−６３０１９号公報、特開平６−３４７８１０号
公報等）。

【０００５】そして、このような低抵抗率の金属配線
を、透明電極を形成する下地のガラス基板に形成して配
線基板を作成する場合、従来、例えば図７乃至図１１に
示すような製造方法によって行われていた。

【０００６】先ず、平滑基板１００の表面上に、ＵＶ硬
化樹脂１０１をディスペンサー等の定量液化治具１０２
で所定量滴下する（図７参照）。次に、ＵＶ硬化樹脂１
０１が滴下された平滑基板１００上に、予め１μｍ程度
の膜厚からなる金属配線１０３が施されたガラス基板１
０４を、金属配線１０３を平滑基板１００に向けてＵＶ
硬化樹脂１０１を挟むように接触させる（図８（ａ），
（ｂ）参照）。

【０００７】次に、平滑基板１００とガラス基板１０４
とでＵＶ硬化樹脂１０１を挟んだ一体物をプレス機等の
上・下基板１０５ａ，１０５ｂ内に入れ、プレス圧力に
より平滑基板１００とガラス基板１０４とを密着させる
（図９（ａ），（ｂ）参照）。この時、後の工程でＩＴ
Ｏ膜等の透明電極と金属配線１０３が接触し導通性を保
つようにしなければならないため、ＵＶ硬化樹脂１０１
を金属配線１０３の表面上から排除するか、又は極薄く
樹脂が残る程度になるように、平滑基板１００とガラス
基板１０４とを強く、しかも基板全面に均一に密着させ
る必要がある。次に、このＵＶ硬化樹脂１０１を硬化さ
せるために、一旦プレス圧を解除して、平滑基板１００
とガラス基板１０４の一体物を上・下基板１０５ａ，１
０５ｂ内から取り出し、ガラス基板１０４側からＵＶ光
１０６を照射してＵＶ硬化樹脂１０１を硬化させる（図
１０参照）。

【０００８】次に、離型治具（図示省略）により平滑基
板１００からガラス基板１０４とＵＶ硬化樹脂１０１の
一体物を剥離して埋め込み配線基板１０７を得ていた
（図１１（ａ），（ｂ）参照）。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した配
線基板の製造方法では、金属配線１０３はＵＶ硬化樹脂
１０１に直接接触することにより、ＵＶ硬化樹脂１０１
中の様々な溶剤、及びＵＶ硬化樹脂１０１から発生する
気体成分に晒されることになる。

【００１０】この時、金属配線１０３がアルミニウムの
ように強固な不動態化層を形成する金属の場合では大き
な問題にならなかったが、上述した従来例のように、表
示面積の大型化、高精細化に伴う電圧波形の遅延などの
問題を避けるため、金属配線１０３にアルミニウムより
さらに電気抵抗率の小さい銅の使用を検討したところ、
表面に強固な不動態膜が形成されない銅では、ＵＶ硬化
樹脂１０１中の様々な溶剤、及びＵＶ硬化樹脂１０１か
ら発生する気体成分に晒され、酸化等の腐食が発生する
という問題点があった。

【００１１】そこで、本発明は、金属配線に電気抵抗率
のより小さい銅などを使用した場合でも、酸化等の腐食
が生じることがないようにした配線基板、その製造方法
及び該配線基板を備えた液晶素子を提供することを目的
とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みなされたものであって、表面に金属配線を配線パター
ンし、前記金属配線間に硬化樹脂が充填された配線基板
において、前記金属配線の表面を、前記金属配線と異な
る金属からなる保護膜で被覆したこを特徴としている。

【００１３】また、前記金属配線が銅薄膜からなり、前
記保護膜が化学的に安定な金属からなる膜厚２０〜１０
０ｎｍのニッケル、又は亜鉛、又はこれらの合金からな
り、前記硬化樹脂がＵＶ硬化樹脂であることを特徴とし
ている。

【００１４】また、前記金属配線をモリブデン薄膜など
の下地層を介して配線パターンしてもよい。

【００１５】また、表面に金属配線を配線パターンし、
前記金属配線間に硬化樹脂を充填して硬化する配線基板
の製造方法において、配線パターンされた前記金属配線
の表面を、前記金属配線と異なる金属からなる保護膜で
被覆することを特徴としている。

【００１６】また、互いに対向するように配置され透明
電極を設けた一対の基板と、前記基板間に挟持した液晶
と、少なくとも一方の前記基板に前記透明電極の下面と
電気的に接するように形成した金属配線と、前記基板上
の前記金属配線間に充填して硬化した絶縁膜とを有する
液晶素子において、前記金属配線の表面を、前記金属配
線と異なる金属からなる保護膜で被覆したことを特徴と
している。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態について説明する。

【００１８】図１は、本発明の実施の形態に係る配線基
板を示す概略断面図である。図１に示す本発明の配線基
板１において、２はガラス基板、３は所定のパターンで
形成された電気抵抗率の小さい銅からなる金属配線、４
は金属配線３を被覆して保護する導電性（例えば、化学
的に安定なニッケルや亜鉛、或はその合金等）の保護
膜、５はガラス基板２と金属配線３間に形成したモリブ
デン薄膜等の下地層、６はＵＶ硬化樹脂である。

【００１９】このように、本発明では、化学的安定性が
悪い銅からなる金属配線３を化学的安定性のよい金属
（例えば、化学的に安定なニッケルや亜鉛、或はその合
金等）の保護膜４で覆うことにより、ＵＶ硬化樹脂６中
の様々な溶剤、及びＵＶ硬化樹脂６から発生する気体成
分に晒されても金属配線３に酸化等の腐食が発生するこ
とが防止され、高品質で安定した配線抵抗の小さい配線
基板１を得ることができる。

【００２０】

【実施例】次に、実施例を挙げて上述した配線基板１に
ついて具体的に説明する。

【００２１】（実施例１）図１に示した配線基板１にお
いて、厚さ１ｍｍのガラス基板２上には、銅からなる膜
厚２μｍ程度の金属配線３が配線パターンされる部分に
対応して、ガラス基板２との密着性を高めるために膜厚
２００ｎｍ程度のモリブデン薄膜からなる下地層５が形
成され、その上に金属配線３が形成されている。下地層
５、金属配線３の表面は、膜厚５０ｎｍ程度のニッケル
薄膜からなる保護膜４で被覆されており、保護膜４で被
覆された金属配線３は、ＵＶ硬化樹脂６内に埋め込まれ
ている。

【００２２】次に、上述した配線基板１の製造方法を、
図２乃至図４を参照して説明する。先ず、ガラス基板２
上の全面にスパッタリング法により膜厚２００ｎｍのモ
リブデン薄膜１０を形成し、更にその上にスパッタリン
グ法により膜厚２μｍの銅薄膜１１を形成する（図２
（ａ）参照）。

【００２３】次に、この銅薄膜１１上にフォトレジスト
１２をスピンコート法により２μｍの膜厚で塗布し、配
線パターンが描かれているフォトマスク１３を通して露
光し、その後、このフォトレジスト１２を現像して、ガ
ラス基板２上にフォトレジストパターン１４を形成する
（図２（ｂ），（ｃ）参照）。

【００２４】次に、フォトレジストパターン１４が形成
されたガラス基板２をリン酸・硝酸・水の混合液からな
るエッチング液に浸して、フォトレジストパターン１４
に覆われていない部分のモリブデン薄膜１０、銅薄膜１
１をエッチングし、その後フォトレジストパターン１４
を剥離してガラス基板２上に下地層（モリブデン薄膜）
５、金属配線（銅薄膜）３を形成する（図２（ｄ）参
照）。

【００２５】次に、下地層５、金属配線３が形成された
ガラス基板２をケロシン・界面活性剤・水よりなる混合
液中で洗浄（エマルション洗浄）した後、このガラス基
板２の金属配線３にカソード基板用ジグ１５を接続して
電解液１６が入っている電解槽１７内に浸す（図３参
照）。電解槽１７内には、ガラス基板２と向かい合うよ
うにアノード電極１８とその間にハートリングセル１９
が配置されており、カソード基板用ジグ１５とアノード
電極１８間にはパルス発振器２０を備えた電源２１が接
続されている。ハートリングセル１９は、金属配線３側
のカソード面を見かけ上絞り、カソード面全体の電流分
布を均一にする。

【００２６】そして、電源２１よりカソード基板用ジグ
１５とアノード電極１８間に矩形波パルスを印加して、
金属配線３の表面のみに金属の保護膜（本実施例ではニ
ッケル薄膜）４をメッキする（図４参照）。

【００２７】この時の保護膜（ニッケル薄膜）４のメッ
キ条件は以下の通りである。

【００２８】電解溶液 NiSO₄ （１mol ）・H₃BO₃
（０．５mol ）＋H₂O の混合液 液温 ２５℃ 電圧 ２．５ｖ（high側）・−１ｖ（low 側），
０．１ｍｓ毎に反転 メッキ時間 ５min 膜厚 ５０ｎｍ そして、保護膜（ニッケル薄膜）４でメッキされた金属
配線３を有するガラス基板２に対し、図７乃至図１１で
示した従来例と同様に、金属配線３が形成されたガラス
基板２をＵＶ硬化樹脂を滴下した平滑基板に接触するよ
うに配置して、プレス機等の上・下基板で挟んでプレス
した後、ガラス基板２の金属配線３と反対側の面からＵ
Ｖ光を照射し、ＵＶ硬化樹脂を硬化して平滑基板を剥離
することによって、図１に示したような、保護膜４で被
覆された金属配線３がＵＶ硬化樹脂６内に埋め込まれた
配線基板１を作製した。

【００２９】そして、この配線基板１の信頼性を確認す
るために、図５に示すように、作製した配線基板１の各
金属配線３上にＩＴＯ膜からなる透明電極２２を形成
し、各透明電極２２を配線２３で直列に連結して、その
両端に接続した直流電源２４により通電して流れる電流
を電流計２５で測定した。

【００３０】この時の透明電極２２の形成条件、及び透
明電極２２のパターニング条件は、以下の通りである。

【００３１】（形成条件） 成膜方法 ロードロック通過型ＲＦスパッタリン
グ法 ターゲット In₂O₃ −SnO₂（密度：８５％、焼結
体：８２％In１８％Sn） 成膜圧力 ３Ｅ−３torr ガス流量 １００sccm，Ar＋O₂（２％） 成膜温度 ２００℃ ＲＦパワー密度 １．５w/cm² （パターニング条件） レジスト ネガレジスト（ＯＭＲ−８５（東京応
化工業（株）社製）、膜厚：２μｍ） エッチング方法 ＲＦ平行平板電極型プラズマエッチン
グ法 エッチング圧力 ５Ｅ−３torr ガス流量 １００sccm，Ar＋O₂（５％） この測定の結果、金属配線３の電気抵抗値の変化、及び
金属配線３の腐食等は保護膜４によって全く生じなかっ
た。

【００３２】このように、銅薄膜からなる金属配線３を
ニッケル薄膜からなる保護膜４で被覆したことにより、
ＵＶ硬化樹脂６中の様々な溶剤、及びＵＶ硬化樹脂６か
ら発生する気体成分に金属配線３が晒されることを防止
することができる。

【００３３】また、保護膜４と金属配線３との密着性を
粘着テープによって剥離テストした結果、保護膜４の剥
離はなく、保護膜４と金属配線３は良好に密着してい
た。尚、保護膜４の膜厚は、あまり厚くすると電気抵抗
値が大きくなるため、金属配線３がＵＶ硬化樹脂６によ
って腐食されない範囲で薄いことが望ましい（保護膜４
の膜厚は、２０〜１００ｎｍ、好ましくは４０〜６０ｎ
ｍ程度にする。）。そのため、高い制御性が得られるよ
うに成膜速度を比較的小さくして、均一性が得られるよ
うにする。

【００３４】また、金属配線３をモリブデン薄膜からな
る下地層５を介してガラス基板２に形成したことによ
り、直接ガラス基板２上に金属配線３する場合に比べて
密着性がよくなり、金属配線３の剥離を防止することが
できる。

【００３５】更に、図３に示した保護膜４の金属配線３
へのメッキ工程において、１回の工程で複数枚のガラス
基板２の金属配線３をメッキ処理することができるの
で、製造効率の向上と製造コストの低減を図ることがで
きる。

【００３６】（実施例２）本実施例では、図１に示した
実施例１の配線基板１の金属配線３を保護する保護膜４
を、ニッケルの代わりにニッケルと同様化学的に安定な
亜鉛を用いて金属配線３の表面にメッキした構成であ
る。他の構成は実施例１と同様である。

【００３７】この亜鉛からなる保護膜４を金属配線３の
表面にメッキする場合、実施例１と同様、図３に示した
電解槽１７を用いた。この時の保護膜（亜鉛薄膜）４の
メッキ条件は以下の通りである。

【００３８】電解溶液 ZnSO₄ （１mol ）・H₃BO₃
（０．５mol ）＋H₂O の混合液 液温 ２５℃ 電圧 ２．５ｖ（high側）・−１ｖ（low 側），
０．１ｍｓ毎に反転 メッキ時間 ５min 膜厚 ５０ｎｍ そして、実施例１と同様、亜鉛薄膜からなる保護膜４で
保護された金属配線３をＵＶ硬化樹脂６で埋め込んで、
図１に示した配線基板１を作製した。

【００３９】このように本実施例においても、銅薄膜か
らなる金属配線３を亜鉛薄膜からなる保護膜４で被覆し
たことにより、ＵＶ硬化樹脂６中の様々な溶剤、及びＵ
Ｖ硬化樹脂６から発生する気体成分に金属配線３が晒さ
れることを防止することができるので、実施例１と同
様、金属配線３の電気抵抗値の変化、及び金属配線３の
腐食等は全く生じなかった。

【００４０】（実施例３）本実施例では、図１に示した
実施例１の配線基板１の金属配線３を保護する保護膜４
を、ニッケルの代わりにニッケルと同様化学的に安定な
亜鉛−ニッケル合金を用いて金属配線３の表面にメッキ
した構成である。他の構成は実施例１と同様である。

【００４１】この亜鉛−ニッケル合金からなる保護膜４
を金属配線３の表面にメッキする場合、実施例１と同
様、図３に示した電解槽１７を用いた。この時の保護膜
（約１０％ニッケルを含む亜鉛−ニッケル合金薄膜）４
のメッキ条件は以下の通りである。

【００４２】電解溶液 NiSO₄ （１mol ）＋ZnSO₄
（０．５mol ）＋H₃BO₃ （０．３mol）＋NH₄Cl （０．
２５mol ）＋H₂O の混合液 液温 ３０℃ 電流密度 陰極３A /dm²（バレル１．０），陽極２A
/dm² メッキ時間 ５min 膜厚 ５０ｎｍ そして、実施例１と同様、亜鉛−ニッケル合金薄膜から
なる保護膜４で保護された金属配線３をＵＶ硬化樹脂６
で埋め込んで、図１に示した配線基板１を作製した。

【００４３】このように本実施例においても、銅薄膜か
らなる金属配線３を亜鉛−ニッケル合金薄膜からなる保
護膜４で被覆したことにより、ＵＶ硬化樹脂６中の様々
な溶剤、及びＵＶ硬化樹脂６から発生する気体成分に金
属配線３が晒されることを防止することができるので、
実施例１と同様、金属配線３の電気抵抗値の変化、及び
金属配線３の腐食等は全く生じなかった。

【００４４】また、上述した各実施例では、金属配線３
をニッケル、亜鉛、或はその合金からなる保護膜４で被
覆したが、これ以外にもＵＶ硬化樹脂６との化学的性質
の関係から金属配線３の表面に、保護膜４としてクロ
ム、アルミ、白金等をメッキしてもよい。

【００４５】更に、上述した各実施例では、保護膜４は
単層であったが、多層構造で形成してもよい。

【００４６】図６は、上述した配線基板を備えた本発明
に係る液晶素子を示す概略断面図である。

【００４７】この液晶素子３０は、偏光板３１ａ，３１
ｂの間に対向して配置された一対の電極基板１ａ，１ｂ
を備えており、電極基板１ａ，１ｂ間には液晶（例え
ば、強誘電性液晶）３２が充填されている。液晶３２が
充填されている電極基板１ａ，１ｂ間には、この基板ギ
ャップを保持するために球状のスペーサ３３が配置され
ている。

【００４８】電極基板１ａ，１ｂは、図１に示した配線
基板１と同様に構成されており、ガラス基板２ａ，２ｂ
上には低抵抗の膜厚２μｍ程度の銅からなる金属配線
（図１に示した配線基板１の銅薄膜からなる金属配線３
に相当）３ａ，３ｂがそれぞれ配線パターンされ、絶縁
膜（図１に示した配線基板１のＵＶ硬化樹脂６に相当）
６ａ，６ｂ内にそれぞれ埋め込まれている。

【００４９】各金属配線３ａ，３ｂとガラス基板２ａ，
２ｂ間には、上述したモリブデン薄膜からなる下地層
（図示省略）がそれぞれ形成され、金属配線３ａ，３ｂ
の表面にはニッケル薄膜などからなる膜厚５０ｎｍ程度
の保護膜（図１に示した配線基板１の保護膜４に相当）
４ａ，４ｂがそれぞれ形成されている。

【００５０】絶縁膜６ａ，６ｂ上には、保護膜４ａ，４
ｂを介して金属配線３ａ，３ｂと電気的に接するＩＴＯ
膜からなる透明電極３４ａ，３４ｂと、配向膜３５ａ，
３５ｂがそれぞれ形成されている。

【００５１】透明電極３４ａ，３４ｂはストライブ状に
それぞれ形成され、互いに９０°の角度で交差したマト
リクス電極となっている。

【００５２】このように、本発明に係る液晶素子３０
は、上述した配線基板１と同様の構成を有する電極基板
１ａ，１ｂを備えているので、透明電極３４ａ，３４ｂ
の下に併設される低抵抗率の金属配線３ａ，３ｂは保護
膜４ａ，４ｂで保護されることにより、絶縁膜６ａ，６
ｂ中の様々な溶剤、及び絶縁膜６ａ，６ｂから発生する
気体成分に金属配線３ａ，３ｂが晒されることはなく、
金属配線３ａ，３ｂの電気抵抗値の変化、及び金属配線
３ａ，３ｂの腐食等を防止することができる。よって、
電圧波形の遅延を抑制して安定した駆動電圧を液晶３２
に印加することができるので、表示品位の向上を図るこ
とができる。

【００５３】また、金属配線３ａ，３ｂの表面にメッキ
して形成される各保護膜４ａ，４ｂは膜厚が薄いので、
その電気抵抗値はほとんど無視することができ、更に、
金属配線３ａ，３ｂと透明電極３４ａ，３４ｂ間の平坦
性も良好に保持することができる。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る配線
基板では、硬化樹脂内に埋め込まれる金属配線を、この
金属配線と異なる金属からなる保護膜で被覆したことに
よって、硬化樹脂中の様々な溶剤、及び樹脂から発生す
る気体成分に金属配線が晒されることが防止されるの
で、金属配線の腐食と、金属配線の電気抵抗値の変化を
防止することができる。

【００５５】また、本発明に係る配線基板を備えた液晶
素子では、透明電極の下面に電気的に接続される絶縁膜
内に埋め込まれる金属配線を、この金属配線と異なる金
属からなる保護膜で被覆したことによって、絶縁膜中の
様々な溶剤、及び絶縁膜から発生する気体成分に金属配
線が晒されることが防止されることにより、金属配線の
腐食と、金属配線の電気抵抗値の変化を防止して液晶に
安定した駆動電圧を印加することができるので、表示品
位の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る配線基板を示す概略
断面図。

【図２】本発明の実施例に係る配線基板の製造方法を説
明するための図で、（ａ）はモリブデン薄膜と銅薄膜の
形成工程を示す図、（ｂ）はフォトレジストへの露光工
程を示す図、（ｃ）は金属配線のフォトレジストパター
ンの形成工程を示す図、（ｄ）は金属配線の形成工程を
示す図。

【図３】メッキ法により金属配線の表面に保護膜を形成
する工程を示す図。

【図４】金属配線の表面に保護膜が形成された状態を示
す図。

【図５】本発明に係る配線基板の金属配線の耐久性試験
を示す図。

【図６】本発明に係る配線基板を備えた液晶素子を示す
概略断面図。

【図７】従来例に係る配線基板の製造工程におけるＵＶ
硬化樹脂の滴下を示す図。

【図８】従来例に係る配線基板の製造工程を示す図で、
（ａ）は金属配線が形成されたガラス基板に、ＵＶ硬化
樹脂を挟む前の状態を示す図、（ｂ）は金属配線が形成
されたガラス基板に、ＵＶ硬化樹脂を挟んでいる状態を
示す図。

【図９】従来例に係る配線基板の製造工程を示す図で、
（ａ）は金属配線が形成されたガラス基板に、ＵＶ硬化
樹脂を埋め込む前の状態を示す図、（ｂ）は金属配線が
形成されたガラス基板に、ＵＶ硬化樹脂を埋め込んでい
る状態を示す図。

【図１０】従来例に係る配線基板の製造工程におけるＵ
Ｖ硬化樹脂にＵＶ光を照射している状態を示す図。

【図１１】従来例に係る配線基板の製造工程を示す図
で、（ａ）は金属配線が形成されたガラス基板を平滑基
板から剥がしている状態を示す図、（ｂ）は金属配線が
形成されたガラス基板を平滑基板から剥がした状態を示
す図。

【符号の説明】

１ 配線基板 １ａ，１ｂ 電極基板 ２、２ａ，２ｂ ガラス基板（基板） ３、３ａ，３ｂ 金属配線 ４、４ａ，４ｂ 保護膜 ５ 下地層 ６ ＵＶ硬化樹脂（硬化樹脂） ６ａ，６ｂ 絶縁膜 １７ 電解槽 ２２、３４ａ，３４ｂ 透明電極 ３０ 液晶素子 ３２ 液晶

Claims (25)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面に金属配線を配線パターンし、前記
   金属配線間に硬化樹脂が充填された配線基板において、 前記金属配線の表面を、前記金属配線と異なる金属から
   なる保護膜で被覆した、 ことを特徴とする配線基板。
2. 【請求項２】 前記金属配線は銅薄膜である、 請求項１記載の配線基板。
3. 【請求項３】 前記保護膜は化学的に安定な金属からな
   る、 請求項１記載の配線基板。
4. 【請求項４】 前記保護膜はニッケル、又は亜鉛、又は
   これらの合金からなり、膜厚は２０〜１００ｎｍであ
   る、 請求項１又は３記載の配線基板。
5. 【請求項５】 前記硬化樹脂はＵＶ硬化樹脂である、 請求項１記載の配線基板。
6. 【請求項６】 前記金属配線は下地層を介して配線パタ
   ーンされる、 請求項１又は２記載の配線基板。
7. 【請求項７】 前記下地層はモリブデン薄膜からなる、 請求項６項記載の配線基板。
8. 【請求項８】 表面に金属配線を配線パターンし、前記
   金属配線間に硬化樹脂を充填して硬化する配線基板の製
   造方法において、 配線パターンされた前記金属配線の表面を、前記金属配
   線と異なる金属からなる保護膜で被覆する、 ことを特徴とする配線基板の製造方法。
9. 【請求項９】 前記保護膜は化学的に安定な金属からな
   る、 請求項８記載の配線基板の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記保護膜はニッケル、又は亜鉛、又
    はこれらの合金からなり、膜厚は２０〜１００ｎｍであ
    る、 請求項８又は９記載の配線基板の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記保護膜はメッキ法により成膜され
    る、 請求項８乃至１０のいずれか１項記載の配線基板の製造
    方法。
12. 【請求項１２】 前記金属配線は銅薄膜である、 請求項８記載の配線基板の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記金属配線はスパッタリング法によ
    り成膜される、 請求項８又は１２記載の配線基板の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記金属配線は下地層を介して配線パ
    ターンされる、 請求項８、１２、又は１３のいずれか１項記載の配線基
    板の製造方法。
15. 【請求項１５】 前記下地層はモリブデン薄膜からな
    る、 請求項８項記載の配線基板の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記硬化樹脂はＵＶ硬化樹脂である、 請求項８記載の配線基板の製造方法。
17. 【請求項１７】 互いに対向するように配置され透明電
    極を設けた一対の基板と、前記基板間に挟持した液晶
    と、少なくとも一方の前記基板に前記透明電極の下面と
    電気的に接するように形成した金属配線と、前記基板上
    の前記金属配線間に充填して硬化した絶縁膜とを有する
    液晶素子において、 前記金属配線の表面を、前記金属配線と異なる金属から
    なる保護膜で被覆した、 ことを特徴とする液晶素子。
18. 【請求項１８】 前記透明電極はＩＴＯ膜である、 請求項１７記載の液晶素子。
19. 【請求項１９】 前記金属配線は銅薄膜である、 請求項１７記載の液晶素子。
20. 【請求項２０】 前記保護膜は化学的に安定な金属から
    なる、 請求項１７記載の液晶素子。
21. 【請求項２１】 前記保護膜はニッケル、又は亜鉛、又
    はこれらの合金からなり、膜厚は２０〜１００ｎｍであ
    る、 請求項１７又は２０記載の液晶素子。
22. 【請求項２２】 前記絶縁膜はＵＶ硬化樹脂である、 請求項１７記載の液晶素子。
23. 【請求項２３】 前記金属配線は下地層を介して前記基
    板上に配線パターンされる、 請求項１７又は１９記載の液晶素子。
24. 【請求項２４】 前記下地層はモリブデン薄膜からな
    る、 請求項１７記載の液晶素子。
25. 【請求項２５】 前記液晶は強誘電性液晶である、 請求項１７記載の液晶素子。