JPH03192213A - 電極及びその作成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明は透明電極に関するものである。特に低抵抗補助
電極をストライプ状透明電極に隣接して設けた電極及び
その作成方法に関するものである。

〔発明の技術分野の背景及び従来技術〕液晶デイスプレ
ーはその軽さ、消費電力の小ささからパーソナルコンピ
ューター、ワードプロセッサーなどのデイスプレーに用
いられ急速に伸びつつある。一方これらの用途がすすむ
につれて大サイズ高精細化の要求が高まってきている。

液晶表示素子は二枚の透明電極基板の間に液晶が封入さ
れるが、上下二枚の透明電極は細いストライプ状に形成
され、上下でマトリックス状に配置し、その交点に電圧
が印加され表示を行うのが一般的である。

液晶表示素子の大サイズ化、高精細化の要求がすすむに
つれて、そのストライプ電極の長さをなか（すると同時
にストライブ巾を狭くし、電極本数を増加させていくこ
とにより、それに対応していく必要がある。

電極が細くかつ長くなれば電極の抵抗は必然的に大きく
なる。このため液晶作動特電圧降下が生じ表示特性を低
下させ、更には表示不能になってくることさえある。

これを解決するため透明電極上に１０μ〜２゜μ巾で０
．１μから０．２厚さの低抵抗の補助電極をつける方法
が提案されている。例えば第３図にその例を示す。第３
図（ａ）は平面図であり、第３図（ｂ）は断面図である
。ガラス基板（１）の上に透明電極（２）を設けその上
に更に補助電極（３）を設けることにより、抵抗の上昇
を防ごうとするものである。

一方液晶表示素子において、スパートウステイツトネマ
ティック（ＳＴＮ）法による素子や、強誘電性液晶を使
用した素子においては二枚の透明電極基板のギャップ精
度が非常にきびしい。ギャップの変化により色むらを発
生したり、液晶の配向変化をひきおこし表示品質を低下
させる。補助電極の厚さにより生ずる段差は表示素子の
品買上大きな問題になってくる。

また特開昭６２−２８０７２１によればストライプ状に
形成した電極基板上に全面に低抵抗性物質としてＣｒ、
Ａｆなどを蒸着し、更にこれに感光性高分子として感光
性ポリイミドを塗布する。

次いでパターニング露光現像を行い不要なＣｒ、ＡＩ等
をエツチングし帯状のＣｒ、ＡＡ等の上に感光性ポリイ
ミドがのった補助電極を形成している。この感光性ポリ
イミドを剥離せず低抵抗層にポリイミド層がのったもの
をそのままセルギャップを制御するスペーサーとして使
用する方法が提供されている。

しかしこの方法では低抵抗層とポリイミド層の重なった
ものが連続してセル中に多数存在し、他方の基板に接し
ているため液晶を均一に注入することが非常に難しくな
る。特に配向の難しい強誘電性液晶では困難である。

〔発明の効果〕

本発明は透明電極に低抵抗の補助電極を設置するさい、
段差を生じない方法を提供するものである。これにより
ＳＴＮあるいは強誘電性液晶による高精細でかつ大サイ
ズの表示を行うさいの品質の低下を防ぐものである。

即ちストライプ状透明電極の上側でなく、透明電極に隣
接した両サイド又はいずれか一方のサイドに低抵抗の補
助電極を設置することにより、殆んど段差がな（、かつ
電圧降下の小さな電極基板を作ることにある。

〔発明の方法〕

本発明は無電解めっきにより補助電極をつけることによ
り達成させることができる。更に詳しく言えば本発明は
フォトレジストの剥離前に電極隣接部に無電解メッキに
より金属膜を形成しその後フォトレジストを剥離するこ
とにより目的を達成することができる。第１図に本発明
により低抵抗補助電極を設けた透明電極基板の例を図示
する。

第１図（ａ）は平面図であり、第１図（ｂ）は断面図で
ある。

本発明の１つ方法を第２図に示しながら詳細に説明する
。ガラス基板上にインジュウム・スズの酸化物等よりな
る透明電極基板上に設け（第２図（ａ））　、この上に
フォトレジストを塗布しく第２図（ｂ））、続いてスト
ライプ状にパターニングする（第２図（Ｃ））。

このさい、フォトレジストを剥離せずに、そのままパラ
ジュウムを含む活性液中で電解処理を行いパラジュウム
を電極の両サイドに付着させる（第２図（ｄ））。これ
を無電解めっき液に浸漬し、金属被膜を形成する（第２
図（ｅ））。このあとフォトレジストを剥離し目的とす
る段差の殆んどない補助電極付き透明電極を得る（第２
図（ｆ））。

透明導電膜中にパラジュウムなどを少（とも触媒能のあ
る金属を一種含有させることにより電解処理工程をのぞ
（こともできる。又透明電極膜を活性化処理のちパラジ
ュウム等の液で処理し、無電解メッキを実施してもよい
。

本発明に使用する基板はガラス、ポリカーボネート、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート
などのポリエステル、ポリスルホンなどプラスチックフ
ィルムが使用できる。

透明導電極膜としては先に述べたインジュウム・スズの
酸化物、スズ・アンチモン酸化物などを用いることがで
き、その中には若干の他の金属を添加することも可能で
ある。

補助電極の素材としては、ニッケル、アルミニュウム、
コバルト、銀などの金属が使用出来る。

なお、無電解めっきに関しては神戸徳蔵著「無電解めっ
きＪ　（槙書店；　１９８４年）にくわしく記述されて
いる。

液晶表示用セル作成のためには補助電極付透明電極上に
５ｉｎ２などの絶縁層を設け、更にポリイミド等の配向
膜を設はラビングを行い、スペーサーを用いて二枚の基
板を貼合せて行う。

以下に実施例を記述する。

実施例 研磨したガラス基板に０．１５μｍのインジュウム・ス
ズ酸化物（ＩＴＯ）よりなる透明電極層を設けた。この
表面抵抗率は、５０Ωであった。

この層に東京応化源のホトレジスト０ＦＰＰ−２を１．
　５μ厚さに塗布した。常法の方法で露光・現像を行い
、その後電極巾１００μ、電極間隙２５μになるように
塩酸でＩＴＯのエツチングを行った。

水洗後、塩化パラジュウムを主成分とする活性液（カニ
ゼン社製レッドシューマ）中で透明電極を陽極に電解処
理した。

処理条件 電解電圧　　　　２．５Ｖ 温　　度　　　　　　２３℃ 時　　間　　　　　１５０秒 陰　　極　　　　カーボン 次いで水洗後、無電解ニッケルメッキ液（カニゼン社製
　Ｓ−６８０）に５０℃で７分間浸漬し、メッキを行っ
た。

その後、溶剤処理してホトレジストを剥離し、２００℃
で３０分間熱処理行った 顕微鏡で観察した結果、透明電極の両サイドに良好なメ
ッキ被膜が形成されている事がわかった。

また表面抵抗率も５Ωまで下がっており、段差も殆んど
認められなかった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の補助電極付透明電極の１部分を示しく
ａ）はその平面図、（ｂ）は断面図を示す。 第２図は本発明のプロセスの一例を示す。 第３図は従来の補助電極付透明電極の１部分を示しくａ
）はその平面図、（ｂ）は断面図を示す。 図中、 ｌはガラス基板 ２はストライプ状透明電極 ３は低抵抗補助電極をあられす 第１図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ストライプ状透明電極の両サイド又はいずれか一
   方のサイドに隣接して低抵抗補助電極を設けるにさいし
   、透明電極上にフォトレジストを塗布する工程、フォト
   レジストをトストライプ状に露光・現像し除去する工程
   、透明電極をエッチングし、ストライプ状透明電極を得
   る工程、無電解メッキする工程及び透明電極上に残存す
   るフォトレジストを剥離する工程を含む電極の作成方法
   。
2. （２）ストライプ状の透明電極と、これより低抵抗の補
   助電極とが同一基板の同一平面上に相接して設けられた
   構造を有する液晶表示素子用電極。