JPH0862591A - フィルム液晶パネルとその製造に使用するベース基板とアクティブマトリックス基板およびフィルム液晶パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 従来のガラス基板で確立されている能動素子
の製造プロセス技術および設備をそのまま使用してフィ
ルム液晶パネルを製造することができる製造方法を提供
する。 【構成】 ベース基板１２の透明電気絶縁層１４上にア
クティブマトリックス層１３を形成することにより、ア
クティブマトリックス層形成プロセスでベース基板が高
温（２００〜３５０℃程度）に保持されても、ベース基
板が備える耐熱支持基板によって透明電気絶縁層の変形
を防止し、アクティブマトリックス層を形成した後、透
明基材上にアクティブマトリックス層、透明電気絶縁層
および金属メッキ層を転写し不要となった耐熱支持基板
を剥離除去し、透明電気絶縁層上に液晶層を介して透明
導電膜および透明基板を積層してフィルム液晶パネル１
１とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶パネルに係り、特に
フィルム状の液晶パネルとその製造に使用するベース基
板およびアクティブマトリックス基板とフィルム液晶パ
ネルの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、省電力、薄型の情報表示装置とし
て、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）は広範囲な用途に利用
されている。一般的に用いられている液晶ディスプレイ
は、２枚の基板の間に液晶を充填し、両基板間に画素単
位で電圧を印加して、液晶の光学特性を制御することに
より動作する。

【０００３】このような液晶ディスプレイは、その表示
形態によってセグメント形表示、マトリックス形表示に
大別される。セグメント形表示はバーグラフ表示とセグ
メント数字・記号表示に分けられるが、どちらも表示量
が少ない場合にはスタティック駆動し、表示量が多い場
合にはマルチプレックス駆動する。また、マトリックス
形表示は単純マトリックス形表示とアクティブマトリッ
クス形表示に分けられ、どちらもマルチプレックス駆動
とするのが一般的である。

【０００４】上記のセグメント形表示、単純マトリック
ス形表示の液晶ディスプレイは、液晶ディスプレイを構
成する２枚の基板に表示情報に則したパターン形状ある
いはストライプ形状を有する透明電極を設けるのみで画
素を構成できるため、アクティブマトリックス形表示に
比べて安価に製造でき、表示情報量が少ない電卓、時
計、電子手帳、ポケットベル等の小型情報機器、計測機
器、電子ゲーム、バーグラフ表示等に広く用いられてい
る。特に小型情報機器向けのセグメント形表示あるいは
単純マトリックス形表示の液晶ディスプレイでは、携帯
性の向上、落下や外押圧ストレスに対する耐衝撃性の向
上のため、基板としてプラスチック基板が用いられてい
る。

【０００５】一方、アクティブマトリックス形表示の液
晶ディスプレイでは、表示特性を向上させるため、液晶
ディスプレイを構成する２枚の基板のうち一方の基板と
してアクティブマトリックス基板が用いられており、こ
のようなアクティブマトリックス形表示の液晶ディスプ
レイは、近年、表示情報量の多い液晶ディスプレイで主
流となりつつある。上記のアクティブマトリックス基板
は、基板上に複数の画素電極が縦横に配列されており、
しかも個々の画素電極には、それぞれトランジスタ素子
やダイオード素子といった能動素子（アクティブ素子）
が接続されていて、個々の能動素子をオン・オフまたは
中間制御することにより、各画素ごとの液晶の光学特性
を制御できるようになっている。

【０００６】また、上述のような液晶ディスプレイは、
使用する液晶の種類によって、ツイストネマティック型
の液晶ディスプレイと高分子分散型の液晶ディスプレイ
に大別される。

【０００７】ツイストネマティック型の液晶ディスプレ
イの表示方法は、ツイストネマティック液晶を挟んでそ
の両側に、それぞれ偏光板が配置された上部電極基板と
下部電極基板を配置し、電圧印加により液晶の配向を変
化させ、偏光板を通る光を透過または遮断するようにし
たものである。

【０００８】一方、消費電力低減化向上、薄型化の向上
の目的でバックライトを必要としない反射型液晶ディス
プレイが提案されている。この表示装置は、高分子の３
次元ネットワーク中に液晶組成物を充満させた液晶層を
使用するものであり、液晶組成物を充満された高分子層
の両側に上部電極基板と下部電極基板を配置し、この電
極間に電圧を印加しない状態では液晶の配向がランダム
のため光が透過せず、電圧を印加すると液晶の配向が揃
って光透過性となるものである。この高分子分散型液晶
ディスプレイは、ツイストネマティック型の液晶ディス
プレイの表示方法を反射型表示装置に適用するのと比
べ、液晶を基板上に印刷等によりコーティングでき、偏
光板を使用する必要がなく光反射層を基板上に設けるこ
とができ、なおかつ、金属膜を電極と反射層に兼用する
ことができるので製造プロセス上簡略化を図ることがで
きる。

【０００９】また、異なった観点より、論理演算素子や
メモリ素子といった一般的な半導体装置においては、シ
リコン基板内に種々の構造が形成される。これに対して
液晶ディスプレイ等を駆動するための半導体装置におい
ては、基板上に種々の構造が形成される。これは、ディ
スプレイとしての機能上の要請から、透明な基板を使用
する必要があり、シリコン基板を使用することができな
いためである。例えば、アクティブマトリックス型液晶
を駆動するための半導体装置（アクティブマトリックス
基板）のアクティブマトリックスのトランジスタ素子や
ダイオード素子といった能動素子（アクティブ素子）
は、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、半導体層
等、すべての構成要素が基板上に形成されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上述のアクティブマト
リックス形表示の液晶ディスプレイは、使用するアクテ
ィブマトリックス基板の能動素子の性能、品質が良好で
あることが要求されるが、性能や品質の良好な能動素子
を備えたアクティブマトリックス基板を製造するには、
その製造プロセスにおいて基板を２００〜３５０℃まで
の温度に加熱し保つ必要がある。このため、アクティブ
マトリックス基板には、耐熱性、寸法安定性の観点から
ガラス基板が使用されており、したがって、現状のアク
ティブマトリックス形表示の液晶ディスプレイは、薄型
軽量化を求めてガラス基板を薄くすると割れやすくなる
という問題を抱えている。

【００１１】これに対して、性能や品質が良好な能動素
子を１５０℃程度以下のプロセス温度で作製できるよう
になれば、ガラス基板の代わりにプラスチック基板（フ
ィルム）を使用することが可能となり、上記の薄型軽量
化による割れの問題は解消され、いわゆるフィルム液晶
ディスプレイが可能となる。しかし、１５０℃程度以下
のプロセス温度での能動素子の製造は現段階では基礎研
究の域を出ておらず実用的ではない。また、２５０℃程
度の温度に耐えるプラスチック基板（フィルム）も存在
するが、光透過性が不十分であるか高価格であり、やは
り、実用的ではない。

【００１２】また、プラスチック基板（フィルム）上に
能動素子を作製する際の問題点として、その作製プロセ
スにおいて形成される各種金属薄膜、無機薄膜の内部応
力やバイメタル効果により、プラスチック基板（フィル
ム）自身が変形し平面性が損なわれるため、必要なプロ
セス中の各種フォトリソグラフィーによるパターニング
が良好に行えないという問題がある。

【００１３】さらに、上述のような液晶ディスプレイ等
を駆動するための半導体装置においては、すべての構成
要素が基板上に形成される。したがって、トランジスタ
素子の形成領域においては、ゲート電極、ソース電極、
ドレイン電極等の構成要素が基板上に大きく盛る上がる
ことになり、素子形成領域とそれ以外の領域とに、大き
な高低差が生じることになる。このような高低差は、次
のような問題点をもたらし好ましいものではない。

【００１４】まず、第１の問題点は、この半導体装置と
カラーフィルタ基板との間に液晶を充填して用いる構造
にした場合、液晶充填部の間隔が部分的に不均一になる
ため、液晶ディスプレイとしてコントラストが悪くなる
という点である。

【００１５】また、第２の問題点として以下の問題があ
る。厳密に言うと、上述のようなツイストネマティック
液晶を表示させるためには、充填させた液晶分子をある
方向に並ばせるために配向膜を設け、なおかつ、その配
向膜を配向処理する必要がある。この配向処理には、ラ
ビング処理、斜め蒸着法、イオンビーム照射法等があ
り、ゴミの発生や静電気による能動素子の破壊等を防止
する観点から、斜め蒸着法やイオンビーム照射法が検討
されており、このような方法による配向処理を施すため
には、基板面に対して低角入射が求められる。しかし、
上述のように能動素子形成による大きな高低差が存在す
ると、低角入射の際に蔭となる部分が生じて配向処理さ
れない部分が発生してしまう。

【００１６】本発明は上述のような実情に鑑みてなされ
たものであり、薄型軽量で表示品質に優れたアクティブ
マトリックス形表示のフィルム液晶パネルと、このよう
なフィルム液晶パネルを製造するためのベース基板およ
びアクティブマトリックス基板と、従来のガラス基板で
確立されている能動素子の製造プロセス技術および設備
をそのまま使用して上記フィルム液晶パネルを製造する
ことができる製造方法を提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明のフィルム液晶パネルは、透明基材
と、該透明基材の一方の面に透明接着層を介して積層さ
れたアクティブマトリックス層と、液晶層を介して前記
アクティブマトリックス層と対向するように設けられた
透明導電膜と、該透明導電膜上に積層された透明基板と
からなるような構成、あるいは、透明基材と、該透明基
材の一方の面に透明接着層を介して順次積層されたアク
ティブマトリックス層および透明電気絶縁層と、液晶層
を介して前記透明電気絶縁層と対向するように設けられ
た透明導電膜と、該透明導電膜上に積層された透明基板
とからなるような構成とした。

【００１８】また、本発明のベース基板は、少なくとも
一方の表面が導電性である耐熱性支持基板と、該耐熱性
支持基板の表面に剥離可能に形成された金属メッキ層
と、該金属メッキ層上に設けられた透明電気絶縁層とを
有し、該透明電気絶縁層は前記金属メッキ層のエッチン
グに対して耐性をもつような構成とした。

【００１９】また、本発明のアクティブマトリックス基
板は、透明基材と、該透明基材の一方の面に透明接着層
を介して順次積層されたアクティブマトリックス層およ
び透明電気絶縁層とを有するような構成とした。

【００２０】さらに、本発明のフィルム液晶パネルの製
造方法は、上記のベース基板の透明電気絶縁層上にアク
ティブマトリックス層を形成した後、透明基材上に透明
接着層を介して前記アクティブマトリックス層を圧着
し、その後、前記ベース基板を構成する耐熱性支持基板
を前記金属メッキ層から剥離して前記透明基材上に前記
透明接着を介して前記アクティブマトリックス層、前記
透明電気絶縁層および前記金属メッキ層を転写した後、
前記金属メッキ層を除去して上記のアクティブマトリッ
クス基板とし、その後、透明基板上に透明導電膜を設け
た積層体を前記透明導電膜が所定の間隙を介して前記透
明電気絶縁層と対向するように配設し、その後、前記間
隙部に液晶層を形成するような構成とした。

【００２１】

【作用】耐熱性支持基板を備えたベース基板の透明電気
絶縁層上にアクティブマトリックス層を形成することに
より、アクティブマトリックス層形成プロセスでベース
基板が高温（２００〜３５０℃程度）に保持されても、
ベース基板が備える耐熱性支持基板によって透明電気絶
縁層の変形が防止され、アクティブマトリックス層形成
後、不要となった上記の耐熱性支持基板を剥離除去する
ように透明基材上に透明接着層を介してアクティブマト
リックス層、透明電気絶縁層および金属メッキ層を転写
し、さらに金属メッキ層を除去して得られるアクティブ
マトリックス基板は、最表面が平坦であり、このような
アクティブマトリックス基板を用いて性能や品質が良好
な能動素子を備え柔軟性のあるフィルム状の液晶パネル
が得られる。

【００２２】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。

【００２３】図１は、本発明のフィルム液晶パネルの一
実施例を用いたアクティブマトリックス形表示の液晶デ
ィスプレイ（ＬＣＤ）の一例を示す概略断面図である。
図１において、液晶ディスプレイ１はフィルム液晶パネ
ル１１と、このフィルム液晶パネル１１の両外側に配設
された偏光板２，３で構成されている。液晶ディスプレ
イ１を構成するフィルム液晶パネル１１は、透明基材１
２と、この透明基材１２上に透明接着層１９を介して形
成されたアクティブマトリックス層１３および透明電気
絶縁層１４と、液晶層１５を介してアクティブマトリッ
クス層１３と対向するように設けられた透明導電膜１６
と、この透明導電膜１６上に形成され各画素領域ごとに
所定の色のフィルタを配置したカラーフィルタ層１７
と、このカラーフィルタ層１７に積層された透明基板１
８とからなっている。

【００２４】上記の透明電気絶縁層１４と透明導電膜１
６はスペーサ（図中に想像線で示される）を介して所定
の間隔で対向しており、その間にツイストネマティック
（ＴＮ）液晶からなる厚さ約５〜１０μｍ程度の液晶層
１５が形成されている。尚、図示例では省略されている
が、液晶層１５に面した透明電気絶縁層１４上と透明導
電膜１６上には配向膜が設けられ配向処理が施されてい
る。

【００２５】上記のフィルム液晶パネル１１において、
透明基材１２は、ポリカーボネート、ポリアリレート、
ポリエーテルスルホン、変性アクリル、あるいはポリメ
タクリレート、エポキシ、ＡＰＯ（登録商標）、ＺＥＯ
ＮＥＸ（登録商標）、ＡＲＴＯＮ（登録商標）等の樹脂
を成形したフィルムであり、厚みは１００〜１０００μ
ｍ程度が好ましい。また、ガラス、セラミックス等の基
板を用いることもできる。従来の液晶パネルでは、アク
ティブマトリックス層を形成する透明基材として、高価
な低アルカリガラス、石英ガラス等が使用されていた。
これは、アクティブマトリックス層を形成する際の高温
プロセスにおいて、透明基材の組成分のアルカリ等が能
動素子に熱拡散され、能動素子の特性が劣化するのを防
止するためであった。しかし、本発明では、後述するよ
うに透明基材１２上に直接アクティブマトリックス層を
形成しないため、透明基材１２に対する制限を大幅に減
少することができた。

【００２６】また、透明接着層１９は、耐候性、透明
性、耐薬品性に優れたアクリル酸エステル樹脂を主成分
とした溶剤型感圧接着剤等により形成することができ
る。このような透明接着層１９の厚みは０．１〜２０μ
ｍ程度が好ましい。

【００２７】アクティブマトリックス層１３は、複数の
画素電極が縦横に配列されており、個々の画素電極に
は、それぞれアモルファスシリコンを用いた薄膜トラン
ジスタや薄膜ダイオード、あるいはタンタル、酸化チタ
ンを用いたＭＩＭ（金属／絶縁物／金属）素子といった
能動素子（アクティブ素子）が接続されている。このア
クティブマトリックス層１３は、スパッタリング法、真
空蒸着法、ＣＶＤ法等の成膜手段とフォトリソグラフィ
ー法によるパターニング手段の繰り返しによる公知の方
法で形成することができる。

【００２８】透明電気絶縁層１４は酸化ケイ素を主成分
とする有機ガラス、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ
法等で形成される窒化ケイ素や酸化ケイ素、透明耐熱性
高分子であるポリイミド、ポリアミドイミド等により形
成することができ、特に耐衝撃性の点から有機ガラスが
好ましい。このような透明電気絶縁層１４は、後述する
転写工程により能動素子を含むアクティブマトリックス
層１３の上になり、液晶層１５に接触するため、その厚
みはできるだけ薄いことが好ましく、０．１〜１０μｍ
程度が好ましい。

【００２９】また、透明導電膜１６は、例えば、スパッ
タリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の公知の方法によ
り、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＮＥＳ
Ａ）、酸化亜鉛等の透明導電性物質を成膜（厚さ２００
〜２０００Å）することにより形成される。

【００３０】カラーフィルタ層１７は、従来の液晶ディ
スプレイに使用されるようなカラーフィルタであってよ
く、特に制限はない。

【００３１】さらに、透明基板１８は、ポリカーボネー
ト、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、変性アク
リル、あるいはポリメタクリレート、エポキシ、ＡＰＯ
（登録商標）、ＺＥＯＮＥＸ（登録商標）、ＡＲＴＯＮ
（登録商標）等の樹脂を成形したフィルムであり、厚み
は１００〜１０００μｍ程度が好ましい。

【００３２】このようなフィルム液晶パネル１１の厚み
は０．５〜２．０ｍｍ程度が好ましい。

【００３３】次に、本発明のフィルム液晶パネルの製造
方法を図１のフィルム液晶パネル１１の製造を例にして
説明する。図２は本発明によるフィルム液晶パネル１１
の製造方法の一例を説明するための工程図である。ま
ず、耐熱性支持基板６上に金属メッキ層７を形成し、こ
の金属メッキ層７上に透明電気絶縁層１４を形成して３
層構造のベース基板４を作製する（図２（Ａ））。耐熱
性支持基板６は少なくとも表面（金属メッキ層７の形成
面側）が導電性であり、また３５０℃程度での加熱にお
いて形状および寸法が安定しているものであればよく、
例えばガラス基板上にチタン、クロム、ニッケル、タン
グステン、タンタル等の金属薄膜をスパッタリング等に
より形成したもの、ＳＵＳ基板、インバー合金（Ｎｉ／
Ｆｅ＝３６／６４）基板等を使用することができる。こ
の耐熱性支持基板６の厚みは１〜３ｍｍ程度が好まし
い。また、金属メッキ層７は上記の耐熱性支持基板６に
対して適度な接着性を示し、かつ、剥離可能なものであ
り、ニッケル、銅、クロム、亜鉛、スズ、鉄等、およ
び、これらの合金等、耐熱性支持基板６の表面材料との
関係から適宜選択することができる。このような金属メ
ッキ層６の厚みは１〜１００μｍ程度が好ましい。

【００３４】尚、上述のように金属メッキ層７は耐熱性
支持基板６に対して適度な接着性と剥離性を示す必要が
あるが、例えば、耐熱性支持基板６としてインバー合金
を使用し、これに金属メッキ層６としてニッケルメッキ
を施すと、両者は剥離できなくなる。この場合、予めイ
ンバー合金の表面を不動態化処理することによって剥離
可能とすることができる。インバー合金の不動態化処理
の一例としては、エコノミークリーナ（ムラタ（株）
製、燐酸ソーダ１２重量％、珪酸ソーダ４１重量％、炭
酸ソーダ４２．５重量％、アニオン活性剤４．５重量
％）の５０ｇ／ｌの水溶液中にインバー合金を浸漬し
て、１ｍＡ／ｃｍ² の電流密度で１０分間の処理を行う
ことが挙げられる。また、クエン酸水溶液による陽極酸
化でも不動態化処理が可能である。

【００３５】本発明のフィルム液晶パネルの製造方法
は、上記のようなベース基板４を作製した後、ベース基
板４の透明電気絶縁層１４上にアクティブマトリックス
層１３を形成する（図２（Ｂ））。このアクティブマト
リックス層形成プロセスでベース基板４が高温（２００
〜３５０℃程度）に保持されても、ベース基板４が備え
る耐熱性支持基板６によって透明電気絶縁層１４の変形
が防止される。したがって、アクティブマトリックス層
１３の形成は、従来のガラス基板で確立されている能動
素子の製造プロセス技術および設備をそのまま使用して
行うことができる。

【００３６】つぎに、透明接着層１９を形成した透明基
材１２上にアクティブマトリックス層１３が当接するよ
うにベース基板４を圧着し、機械的剥離方法により耐熱
性支持基板６と金属メッキ層７の界面で剥離して、アク
ティブマトリックス層１３、透明電気絶縁層１４および
金属メッキ層７を透明基材１２上に転写する（図２
（Ｃ））。透明接着層１９は、上述の例では透明基材１
２上に形成したが、アクティブマトリックス層１３上に
形成してもよい。この透明接着層１９の形成は、スピン
ナーコートあるいは印刷法等により行うことができる。

【００３７】これ以降の工程では高温加熱プロセスはな
いため、上記のように耐熱性支持基板６を除去しても支
障は生じない。その後、金属メッキ層７をエッチングに
より除去して、透明基材１２、透明接着層１９、アクテ
ィブマトリックス層１３および透明電気絶縁層１４から
なるアクティブマトリックス基板５を形成する（図２
（Ｄ））。上記の金属メッキ層７のエッチングによる除
去は、例えば、金属メッキ層７がニッケルであるなら
ば、塩化第２鉄水溶液を用いたウエットエッチングによ
り行うことができる。透明電気絶縁層１４は、上記のよ
うな金属メッキ層７の除去工程においてアクティブマト
リックス層１３の保護層としての作用をなすものであ
る。しかし、この透明電気絶縁層１４がアクティブマト
リックス層１３上に存在すると、電圧はこの透明電気絶
縁層１４を介して液晶層１５にかかるため効率が悪くな
る。これを改善する方法として、アクティブマトリック
ス層１３の画素電極に対応するように透明電気絶縁層１
４に孔部を形成してもよい。あるいは、金属メッキ層７
を除去した後、透明電気絶縁層１４を除去してもよい。

【００３８】一方、透明基板１８の一方の面にカラーフ
ィルタ層１７を介して透明導電膜１６を形成し、さら
に、この透明導電膜１６上に配向膜（図示せず）を形成
し配向処理を施した積層体を作製し、所定の大きさのス
ペーサ（図中に想像線で示す）を介して透明導電膜１６
が透明電気絶縁層１４と対向するように上記の積層体を
アクティブマトリックス基板５上に配設する。そして、
透明電気絶縁層１４と透明導電膜１６との間隙部に液晶
を注入しシール材２０で密封して液晶層１５を形成（図
２（Ｅ））することによりフィルム液晶パネル１１とす
る。

【００３９】図３は本発明のフィルム液晶パネルの他の
態様を示す概略断面図である。図３において、フィルム
液晶パネル２１は、透明基材２２と、この透明基材２２
上に透明接着層２９を介して形成されたアクティブマト
リックス層２３および透明電気絶縁層２４と、高分子分
散型液晶層２５を介して透明電気絶縁層２４と対向する
ように設けられた透明接着層２６、透明導電膜２７と、
この透明導電膜２７上に積層された透明基板２８とから
なっている。

【００４０】尚、高分子分散型液晶層２５は、ある程度
の接着能力を有しているため、透明接着層２６を介する
ことなく透明導電膜２７と透明基板２８を積層してもよ
い。また、上記のフィルム液晶パネル２１は、透明基材
２２と前記透明基板２８との間に、光反射層、光散乱層
および光吸収層のいずれかを備えたものであってもよ
い。すなわち、透明導電膜２７と透明基板２８との間に
光反射層、光散乱層および光吸収層のいずれかを設ける
ことができる。この場合、光反射層等が導電体であれ
ば、透明導電膜２７を省略することもできる。また、透
明基材２２と透明接着層２９との間、あるいは、透明接
着層２９とアクティブマトリックス層２３との間に光反
射層、光散乱層および光吸収層のいずれかを設けること
もできる。この場合、光反射層等は導電体である必要は
ない。さらに、アクティブマトリックス層２３と高分子
分散型液晶層２５との間に導電性の光反射層、光散乱層
および光吸収層のいずれかを設けることもできる。この
場合、光反射層等はアクティブマトリックス層２３の画
素電極と同じパターンで接触するように形成され、例え
ば、後述するアクティブマトリックス基板５の作製工程
において、金属メッキ層に所定の孔部を形成することに
よって光反射層等とすることができる。このようにアク
ティブマトリックス層２３と高分子分散型液晶層２５と
の間に導電性の光反射層を設けた場合は、透明電気絶縁
層２４は省略することができる。

【００４１】次に、本発明のフィルム液晶パネルの製造
方法の他の例を図３のフィルム液晶パネル２１の製造を
例にして説明する。図４は本発明によるフィルム液晶パ
ネル２１の製造方法の一例を説明するための工程図であ
る。まず、上述のフィルム液晶パネル１１の製造と同様
にして、透明基材２２、透明接着層２９、アクティブマ
トリックス層２３および透明電気絶縁層２４からなるア
クティブマトリックス基板５を作製する（図４
（Ａ））。この場合も、上述の実施例と同様に透明電気
絶縁層２４は、金属メッキ層の除去工程においてアクテ
ィブマトリックス層２３の保護層としての作用をなすも
のであり、アクティブマトリックス層２３の画素電極に
対応するように透明電気絶縁層２４に孔部を形成した
り、あるいは、金属メッキ層を除去した後、透明電気絶
縁層２４を除去してもよい。

【００４２】次に、高分子分散型液晶をアクティブマト
リックス基板５の透明電気絶縁層２４上にブレードコー
ト法等の手段により塗布・乾燥して高分子分散型液晶層
２５を形成する（図４（Ｂ））。この高分子分散型液晶
層２５の厚みは１〜１００μｍ程度が好ましい。

【００４３】一方、透明基板２８の一方の面に透明導電
膜２７を形成し、さらに、この透明導電膜２７上に、ス
ピンナーコートあるいは印刷法等によ透明接着層２６を
形成して積層体を作製する（図４（Ｃ））。

【００４４】次に、高分子分散型液晶層２５と透明接着
層２６とが当接するようにアクティブマトリックス基板
５と上記の積層体とを圧着固定して、アクティブマトリ
ックス形表示の高分子分散型フィルム液晶パネル２１と
する（図４（Ｄ））。

【００４５】図５は本発明のフィルム液晶パネルの他の
態様を示す概略断面図である。図５において、フィルム
液晶パネル３１は、透明基材３２と、この透明基材３２
上に設けられたカラーフィルタ層３８と、カラーフィル
タ層３８上に透明接着層３９を介して形成されたアクテ
ィブマトリックス層３３および透明電気絶縁層３４と、
液晶層３５を介して透明電気絶縁層３４と対向するよう
に設けられた透明導電膜３６と、この透明導電膜３６上
に積層された透明基板３７とからなっている。

【００４６】次に、本発明のフィルム液晶パネルの製造
方法の他の例を図５のフィルム液晶パネル３１の製造を
例にして説明する。図６は本発明によるフィルム液晶パ
ネル３１の製造方法の一例を説明するための工程図であ
る。まず、上述のフィルム液晶パネル１１の製造と同様
にしてベース基板４を作製した後、ベース基板４の透明
電気絶縁層３４上にアクティブマトリックス層３３を形
成する（図５（Ａ））。

【００４７】次に、カラーフィルタ層３８を形成した基
板３２上に、透明接着層３９を介してカラーフィルタ層
３８にアクティブマトリックス層３３が当接するように
ベース基板４を圧着し、機械的剥離方法により耐熱性支
持基板６と金属メッキ層７の界面で剥離する。これによ
り、アクティブマトリックス層３３、透明電気絶縁層３
４および金属メッキ層７をカラーフィルタ層３８を備え
る透明基材３２上に転写する（図６（Ｂ））。その後、
金属メッキ層７をエッチングにより除去して、透明基材
３２、カラーフィルタ層３８、透明接着層３９、アクテ
ィブマトリックス層３３および透明電気絶縁層３４から
なるアクティブマトリックス基板５を形成する（図６
（Ｃ））。この場合も、上述の実施例と同様に透明電気
絶縁層３４は、金属メッキ層７の除去工程においてアク
ティブマトリックス層３３の保護層としての作用をなす
ものであり、アクティブマトリックス層３３の画素電極
に対応するように透明電気絶縁層３４に孔部を形成した
り、あるいは、金属メッキ層７を除去した後、透明電気
絶縁層３４を除去してもよい。

【００４８】一方、透明基板３７の一方の面に透明導電
膜３６を形成し、さらに、この透明導電膜３６上に配向
膜（図示せず）を形成し配向処理を施した積層体を作製
し、所定の大きさのスペーサ（図中に想像線で示す）を
介して透明導電膜３６が透明電気絶縁層３４と対向する
ように上記の積層体をアクティブマトリックス基板５上
に配設する。そして、透明電気絶縁層３４と透明導電膜
３６との間隙部に液晶を注入しシール材４０で密封して
液晶層３５を形成（図６（Ｄ））することによりフィル
ム液晶パネル３１とする。

【００４９】次に、より具体的な実施例を示して本発明
を更に詳細に説明する。 （実施例１）厚さ１ｍｍのガラス基板に金属Ｔｉ層（厚
さ１μｍ）をスパッタリング法により形成して耐熱性支
持基板とした。この耐熱性支持基板の金属Ｔｉ層上に電
気メッキ法によりＮｉメッキ層（厚さ３μｍ）を形成
し、さらに、Ｎｉメッキ層上に常温ガラスコーティング
剤ＧＡ−１（ファイングラス・テクノロジー社製）を塗
布して透明電気絶縁層（厚さ１μｍ）を形成して、３層
構造のベース基板とした（図２（Ａ）に対応）。尚、透
明電気絶縁層として、ＣＶＤ法によりＳｉＮ_x 膜（厚み
２０００Å程度）を形成してもよい。

【００５０】次に、図７（Ａ）に示されるようにベース
基板の透明電気絶縁層１４上の所定の部分にＣｒを用い
てゲート電極およびＩＴＯ膜で画素電極を形成した。そ
の後、図７（Ｂ）に示されるようにゲート電極を覆うよ
うにＳｉＮ_x 層を形成してゲート絶縁層とし、ＳｉＮ_x
層を介してゲート電極上にアモルファスシリコン（ａ−
Ｓｉ）層を形成した。また、図７（Ｃ）に示されるよう
にａ−Ｓｉ層に一端に接続するようにＣｒソース電極を
形成し、ａ−Ｓｉ層の他端と画素電極に接続するように
Ｃｒドレイン電極を形成してＴＦＴアクティブマトリッ
クス層とした（図２（Ｂ）に対応）。尚、上記のａ−Ｓ
ｉ層とＣｒソース電極あるいはＣｒドレイン電極との導
通を向上させるため、ａ−Ｓｉ層とＣｒとの間にｎ⁺ ａ
−Ｓｉ：Ｈ層を介在させてもよい。

【００５１】このアクティブマトリックス層形成におい
て、ベース基板は２５０〜３５０℃に９０分間保持され
た。

【００５２】また、透明基材としてポリカーボネート
（帝人化学（株）製 厚さ４００μｍ）を準備し、この
透明基材上にスピンナー塗布（３０００ｒｐｍ、３０秒
間）によって下記の組成の透明接着剤を塗布して厚み約
２μｍの透明接着層を形成した。

【００５３】 透明接着剤の組成 ・接着剤（日本カーバイト工業（株）製ニッセツＰＥ−１２１） … １００重量部 ・架橋剤（ＣＫ−１０１） … ３重量部 ・トルエン … ３００重量部 この透明基材の透明接着層上に上記のアクティブマトリ
ックス層が当接するようにベース基板を圧着し、耐熱性
支持基板を剥離してアクティブマトリックス層、透明電
気絶縁層およびＮｉメッキ層を透明基材上に転写した
（図２（Ｃ）に対応）。その後、塩化第２鉄水溶液を用
いたウエットエッチングによりＮｉメッキ層を除去し
て、透明基材、透明接着層、アクティブマトリックス層
および透明電気絶縁層からなるアクティブマトリックス
基板を形成した（図２（Ｄ）に対応）。このとき、図７
（Ｄ）に示されるようにアクティブマトリックス層の画
素電極に対応するように透明電気絶縁層１４を除去して
もよい。

【００５４】一方、透明基板としてポリカーボネート
（帝人化学（株）製 厚さ４００μｍ）を用い、この透
明基板上に公知の顔料分散法や染色法、電着、印刷法等
によりＲ，Ｇ，Ｂの着色層（厚さ３μｍ）を上記の画素
電極に対応するように形成してカラーフィルタ層とし
た。さらに、定法に従って厚さ１０００Åの透明導電膜
（ＩＴＯ）を形成して積層体を作製した。

【００５５】次に、上記のアクティブマトリックス基板
の透明電気絶縁層上と、上記の積層体の透明導電膜上
に、それぞれ配向膜用塗布液（配向剤ＡＬ−３０４６
（日本合成ゴム（株）製）と希釈剤ＡＣＴ−６０８（日
本合成ゴム（株）製）とを５：３の割合で混合したも
の）をスピンナー塗布（３０００ｒｐｍ、３０秒間）に
よって塗布して厚み約８００Åの配向膜を形成し、その
後、ロール回転速度２００ｒｐｍ、ステージ速度１０ｍ
ｍ／秒の条件でラビング処理を行った。

【００５６】次に、上記の配向処理を施したアクティブ
マトリックス基板にシール剤でシール層を形成した。シ
ール層形成は、シール剤（四国化成（株）製ＤＳＫ−７
２１１−４）１ｇに対して平均粒径６μｍのスペーサ
（日本電気硝子（株）製ＰＦ−６０）２０ｍｇを混合さ
せたものを使用し、ディスペンサー装置により形成し
た。

【００５７】また、上記の配向処理を施した積層体に
は、スペーサ層を塗布形成した。このスペーサ層は、平
均粒径６μｍの粘着性スペーサ（ナトコ社製ＸＣ−６１
０）を希釈液（ＩＰＡ：水＝１：１）で希釈したスペー
サ希釈液（濃度０．２重量％）をスピンナー塗布（２０
００ｒｐｍ、３０秒間）して、粒子密度１５０〜２００
個／ｍｍ² となるように形成した。

【００５８】このようなアクティブマトリックス基板と
積層体を、従来のガラス基板で確立されているパネルセ
ル組み立て製造プロセスを使用して、透明電気絶縁層側
と透明導電膜側とが対向するように配設した。配設方法
としては、圧着治具を用いて圧着圧力４ｋｇ／ｃｍ² 、
熱処理１２０℃、１時間の条件で圧着、硬化を行った。
その後、透明電気絶縁層と透明導電膜との間隙部にツイ
ストネマティック液晶ＬＤＰ−５０３４ＬＡ（チッソ社
製）を注入し封止剤で密封して液晶層を形成してフィル
ム液晶パネルを作製した（図２（Ｅ）に対応）。このフ
ィルム液晶パネルの厚さは２ｍｍであった。

【００５９】このフィルム液晶パネルを用いて図１に示
されるようなパネル両面に偏光フィルムを貼りつけた透
過型アクティブマトリックス形表示のカラー液晶ディス
プレイ（厚さ２ｍｍ）を作製した。このカラー液晶ディ
スプレイに駆動回路を接続し表示を行ったところ、従来
のガラス基板を用いて作製したカラー液晶ディスプレイ
と同等の極めて表示品質の高い液晶表示装置であった。
また、メッキ層の剥離によるアクティブ素子の特性変化
や各種配線ラインの断線、短絡は認められなかった。 （実施例２）まず、実施例１と同様にして３層構造のベ
ース基板を作製した。

【００６０】次に、図８（Ａ）に示されるようにベース
基板の透明電気絶縁層２４上の所定の部分にＣｒを用い
てゲート電極およびＩＴＯ膜で画素電極を形成し、さら
に画素電極にＣｒドレイン電極を形成した。その後、図
８（Ｂ）に示されるようにｎ⁺ ａ−Ｓｉ：Ｈ層を介して
ａ−Ｓｉ層およびＳｉＮ_x 層を形成した。次に、図８
（Ｃ）に示されるようにＣｒゲート電極を形成してＴＦ
Ｔアクティブマトリックス層とした。その後、実施例１
と同様にしてアクティブマトリックス基板を作製した
（図４（Ａ）に対応）。尚、このとき、図８（Ｄ）に示
されるようにアクティブマトリックス層の画素電極に対
応するように透明電気絶縁層２４を除去してもよい。

【００６１】次に、ＫＰ−０６（日本合成化学工業
（株）製、重合度：約６００、けん化度：７１〜７５）
の５重量％水溶液に、Ｅ−４４（メルク社製）を超音波
分散した後、ＫＨ−１７（日本合成化学工業（株）製、
重合度：約１７００、けん化度：７８．５〜８１．５）
の１０重量％水溶液を添加して、最終的にＰＶＡ：液晶
＝２０：８０（重量比）となるように液晶のＰＶＡ分散
水溶液を作製して高分子分散型液晶とした。

【００６２】次に、上記の高分子分散型液晶をアクティ
ブマトリックス基板のアクティブマトリックス層上にブ
レードコータを用いて塗布し、４０℃、１時間の熱処理
を施して乾燥させ、膜厚１０μｍの高分子分散型液晶層
を形成した（図４（Ｂ）に対応）。

【００６３】一方、透明基板としてポリカーボネート
（帝人化学（株）製 厚さ４００μｍ）を用い、この透
明基板上に定法に従って厚さ１０００Åの透明導電膜
（ＩＴＯ）を形成した。さらに、この透明導電膜上に、
実施例１と同様の透明接着剤をスピンナー塗布（３００
０ｒｐｍ、３０秒間）によって塗布して厚み約２μｍの
透明接着層を形成して積層体を作製した（図４（Ｃ）に
対応）。

【００６４】このようなアクティブマトリックス基板と
積層体を、実施例１と同様にして高分子分散型液晶層側
と透明接着層側とが対向するように配設してアクティブ
マトリックス形表示の高分子分散型液晶ディスプレイ
（厚さ３ｍｍ）を作製した（図４（Ｄ）に対応）。配設
方法としては、圧着治具を用いて圧着圧力４ｋｇ／ｃｍ
² 、熱処理４０℃、１時間の条件で圧着、硬化を行っ
た。

【００６５】この液晶ディスプレイに駆動回路を接続し
表示を行ったところ、極めて表示品質の高い液晶表示装
置であった。また、転写することによるアクティブ素子
の特性変化や各種配線ラインの断線、短絡は認められな
かった。 （実施例３）まず、実施例１と同様にしてベース基板の
透明電気絶縁層上にアクティブマトリックス層を形成し
た。

【００６６】次に、厚さ１．１ｍｍの透明ガラス基板上
に公知の顔料分散法や染色法、電着、印刷法等により
Ｒ，Ｇ，Ｂの着色層（厚さ３μｍ）を上記の画素電極に
対応するように形成してカラーフィルタ層とした。さら
に、このカラーフィルタ層上に実施例１と同様の透明接
着剤をスピンナー塗布（３０００ｒｐｍ、３０秒間）に
よって塗布して厚み約２μｍの透明接着層を形成した。

【００６７】この透明ガラス基板の透明接着層上に上記
のアクティブマトリックス層が当接するようにベース基
板を圧着し、耐熱性支持基板を剥離してアクティブマト
リックス層、透明電気絶縁層およびＮｉメッキ層を透明
基材上に転写した（図６（Ｂ）に対応）。その後、塩化
第２鉄水溶液を用いたウエットエッチングによりＮｉメ
ッキ層を除去して、透明ガラス基板、カラーフィルタ
層、透明接着層、アクティブマトリックス層および透明
電気絶縁層からなるアクティブマトリックス基板を形成
した（図６（Ｃ）に対応）。

【００６８】一方、透明基板としてポリカーボネート
（帝人化学（株）製 厚さ４００μｍ）を用い、この透
明基板上に定法に従って厚さ１０００Åの透明導電膜
（ＩＴＯ）を形成して積層体を作製した。

【００６９】次に、上記のアクティブマトリックス基板
の透明電気絶縁層上と、上記の積層体の透明導電膜上
に、実施例１と同様にして、それぞれ配向膜を形成しラ
ビング処理を行った。

【００７０】次に、上記の配向処理を施したアクティブ
マトリックス基板にシール剤でシール層を形成した。シ
ール層形成は、シール剤（四国化成（株）製ＤＳＫ−７
２１１−４）１ｇに対して平均粒径６μｍのスペーサ
（日本電気硝子（株）製ＰＦ−６０）２０ｍｇを混合さ
せたものを使用し、ディスペンサー装置により形成し
た。

【００７１】また、上記の配向処理を施した積層体に
は、スペーサ層を塗布形成した。このスペーサ層は、平
均粒径６μｍの粘着性スペーサ（ナトコ社製ＸＣ−６１
０）を希釈液（ＩＰＡ：水＝１：１）で希釈したスペー
サ希釈液（濃度０．２重量％）をスピンナー塗布（２０
００ｒｐｍ、３０秒間）して、粒子密度１５０〜２００
個／ｍｍ² となるように形成した。

【００７２】このようなアクティブマトリックス基板と
積層体を、従来のガラス基板で確立されているパネルセ
ル組み立て製造プロセスを使用して、透明電気絶縁層側
と透明導電膜側とが対向するように配設した。配設方法
としては、圧着治具を用いて圧着圧力４ｋｇ／ｃｍ² 、
熱処理１２０℃、１時間の条件で圧着、硬化を行った。
その後、透明電気絶縁層と透明導電膜との間隙部にツイ
ストネマティック液晶ＬＤＰ−５０３４ＬＡ（チッソ社
製）を注入し封止剤で密封して液晶層を形成してフィル
ム液晶パネルを作製した（図６（Ｄ）に対応）。このフ
ィルム液晶パネルの厚さは２ｍｍであった。

【００７３】このフィルム液晶パネルを用いて透過型ア
クティブマトリックス形表示のカラー液晶ディスプレイ
（厚さ２ｍｍ）を作製した。このカラー液晶ディスプレ
イに駆動回路を接続し表示を行ったところ、極めて表示
品質の高い液晶表示装置であった。また、転写すること
によるアクティブ素子の特性変化や各種配線ラインの断
線、短絡は認められなかった。

【００７４】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によればベ
ース基板の透明電気絶縁層上にアクティブマトリックス
層を形成するプロセスでベース基板が高温（２００〜３
５０℃程度）に保持されても、ベース基板が備える耐熱
性支持基板によって透明電気絶縁層の変形が防止される
ので、従来のガラス基板で確立されている能動素子の製
造プロセス技術および設備をそのまま使用してアクティ
ブマトリックス層形成が行え、このアクティブマトリッ
クス層を形成した後、透明接着層を備えた透明基材上に
アクティブマトリックス層、透明電気絶縁層および金属
メッキ層を転写し不要となった耐熱性支持基板を剥離除
去し、金属メッキ層を除去して得られるアクティブマト
リックス基板は、能動素子形成領域とそれ意外の領域と
の高低差がほとんどなく、アクティブマトリックス層上
に液晶層を介して透明導電膜、透明基板を積層すること
によりフィルム状の液晶パネルが得られる。そして、得
られたフィルム液晶パネルは性能、品質が良好な能動素
子を備えているため表示品質に優れるとともに薄型軽量
化を可能とし、さらに、従来の薄型軽量の液晶ディスプ
レイとは異なりガラス基板を使用していないため薄型で
あっても割れないという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のフィルム液晶パネルを用いたアクティ
ブマトリックス形表示の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の
一例を示す概略断面図である。

【図２】本発明によるフィルム液晶パネルの製造方法の
一例を説明するための工程図である。

【図３】本発明のフィルム液晶パネルの他の態様を示す
概略断面図である。

【図４】本発明によるフィルム液晶パネルの製造方法の
他の例を説明するための工程図である。

【図５】本発明のフィルム液晶パネルの他の態様を示す
概略断面図である。

【図６】本発明によるフィルム液晶パネルの製造方法の
他の例を説明するための工程図である。

【図７】アクティブマトリックス層形成の一例を示す工
程図である。

【図８】アクティブマトリックス層形成の他の例を示す
工程図である。

【符号の説明】

１…液晶ディスプレイ １１，２１，３１…フィルム液晶パネル １２，２２，３２…透明基材 １３，２３，３３…アクティブマトリックス層 １４，２４，３４…透明電気絶縁層 １５，２５，３５…液晶層 １６，２７，３６…透明導電膜 １８，２８，３７…透明基板 １９，２９，３９…透明接着層

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成７年５月２５日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４３】 一方、透明基板２８の一方の面に透明導
電膜２７を形成し、さらに、この透明導電膜２７上に、
スピンナーコートあるいは印刷法等により透明接着層２
６を形成して積層体を作製する（図４（Ｃ））。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６０】 次に、図８（Ａ）に示されるようにベー
ス基板の透明電気絶縁層２４上の所定の部分にＣｒを用
いてソース電極およびＩＴＯ膜で画素電極を形成し、さ
らに画素電極にＣｒドレイン電極を形成した。その後、
図８（Ｂ）に示されるようにｎ^＋ａ−Ｓｉ：Ｈ層を介し
てａ−Ｓｉ層およびＳｉＮ_ｘ層を形成した。次に、図８
（Ｃ）に示されるようにＣｒゲート電極を形成してＴＦ
Ｔアクティブマトリックス層とした。その後、実施例１
と同様にしてアクティブマトリックス基板を作製した
（図４（Ａ）に対応）。尚、このとき、図８（Ｄ）に示
されるようにアクティブマトリックス層の画素電極に対
応するように透明電気絶縁層２４を除去してもよい。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００７４】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によればベ
ース基板の透明電気絶縁層上にアクティブマトリックス
層を形成するプロセスでベース基板が高温（２００〜３
５０℃程度）に保持されても、ベース基板が備える耐熱
性支持基板によって透明電気絶縁層の変形が防止される
ので、従来のガラス基板で確立されている能動素子の製
造プロセス技術および設備をそのまま使用してアクティ
ブマトリックス層形成が行え、このアクティブマトリッ
クス層を形成した後、透明接着層を備えた透明基材上に
アクティブマトリックス層、透明電気絶縁層および金属
メッキ層を転写し不要となった耐熱性支持基板を剥離除
去し、金属メッキ層を除去して得られるアクティブマト
リックス基板は、能動素子形成領域とそれ以外の領域と
の高低差がほとんどなく、アクティブマトリックス層上
に液晶層を介して透明導電膜、透明基板を積層すること
によりフィルム状の液晶パネルが得られる。そして、得
られたフィルム液晶パネルは性能、品質が良好な能動素
子を備えているため表示品質に優れるとともに薄型軽量
化を可能とし、さらに、従来の薄型軽量の液晶ディスプ
レイとは異なりガラス基板を使用していないため薄型で
あっても割れないという効果を奏する。

Claims (17)

【特許請求の範囲】 透明基板
1. 【請求項１】 透明基材と、該透明基材の一方の面に透
   明接着層を介して積層されたアクティブマトリックス層
   と、液晶層を介して前記アクティブマトリックス層と対
   向するように設けられた透明導電膜と、該透明導電膜上
   に積層された透明基板とからなることを特徴とするフィ
   ルム液晶パネル。
2. 【請求項２】 透明基材と、該透明基材の一方の面に透
   明接着層を介して順次積層されたアクティブマトリック
   ス層および透明電気絶縁層と、液晶層を介して前記透明
   電気絶縁層と対向するように設けられた透明導電膜と、
   該透明導電膜上に積層された透明基板とからなることを
   特徴とするフィルム液晶パネル。
3. 【請求項３】 前記透明電気絶縁層は、有機系ガラス層
   であることを特徴とする請求項２に記載のフィルム液晶
   パネル。
4. 【請求項４】 前記透明基材と前記透明接着層との間に
   カラーフィルタ層を有することを特徴とする請求項１乃
   至請求項３のいずれかに記載のフィルム液晶パネル。
5. 【請求項５】 前記透明導電膜と前記透明基板との間に
   カラーフィルタ層を有することを特徴とする請求項１乃
   至請求項３のいずれかに記載のフィルム液晶パネル。
6. 【請求項６】 前記液晶層は、高分子層中に液晶組成物
   を充満させた高分子分散型液晶層であることを特徴とす
   る請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のフィルム液
   晶パネル。
7. 【請求項７】 前記透明基材と前記透明基板との間に、
   光反射層、光散乱層および光吸収層のいずれかを有する
   ことを特徴とする請求項６に記載のフィルム液晶パネ
   ル。
8. 【請求項８】 前記透明基板は、透明フィルムであるこ
   とを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載
   のフィルム液晶パネル。
9. 【請求項９】 前記透明電気絶縁層は、前記アクティブ
   マトリックス層の画素電極に対応した孔部を備えること
   を特徴とする請求項２乃至請求項８のいずれかに記載の
   フィルム液晶パネル。
10. 【請求項１０】 少なくとも一方の表面が導電性である
    耐熱性支持基板と、該耐熱性支持基板の表面に剥離可能
    に形成された金属メッキ層と、該金属メッキ層上に設け
    られた透明電気絶縁層とを有し、該透明電気絶縁層は前
    記金属メッキ層のエッチングに対して耐性をもつことを
    特徴とするベース基板。
11. 【請求項１１】 前記透明電気絶縁層は、有機系ガラス
    層であることを特徴とする請求項１０に記載のベース基
    板。
12. 【請求項１２】 透明基材と、該透明基材の一方の面に
    透明接着層を介して順次積層されたアクティブマトリッ
    クス層および透明電気絶縁層とを有することを特徴とす
    るアクティブマトリックス基板。
13. 【請求項１３】 前記透明基材と前記透明接着層との間
    にカラーフィルタ層を有することを特徴とする請求項１
    ２に記載のアクティブマトリックス基板。
14. 【請求項１４】 請求項１０または請求項１１に記載の
    ベース基板の透明電気絶縁層上にアクティブマトリック
    ス層を形成した後、透明基材上に透明接着層を介して前
    記アクティブマトリックス層を圧着し、その後、前記ベ
    ース基板を構成する耐熱性支持基板を前記金属メッキ層
    から剥離して前記透明基材上に前記透明接着層を介して
    前記アクティブマトリックス層、前記透明電気絶縁層お
    よび前記金属メッキ層を転写した後、前記金属メッキ層
    を除去して請求項１２に記載のアクティブマトリックス
    基板とし、その後、透明基板上に透明導電膜を設けた積
    層体を前記透明導電膜が所定の間隙を介して前記透明電
    気絶縁層と対向するように配設し、その後、前記間隙部
    に液晶層を形成することを特徴とするフィルム液晶パネ
    ルの製造方法。
15. 【請求項１５】 前記アクティブマトリックス基板を形
    成した後、前記アクティブマトリックス基板から前記透
    明電気絶縁層を除去することを特徴とする請求項１４に
    記載のフィルム液晶パネルの製造方法。
16. 【請求項１６】 前記アクティブマトリックス基板を形
    成した後、前記アクティブマトリックス層の画素電極に
    対応する孔部を前記透明電気絶縁層に形成することを特
    徴とする請求項１４に記載のフィルム液晶パネルの製造
    方法。
17. 【請求項１７】 前記液晶層は、高分子層中に液晶組成
    物を充満させた高分子分散型液晶層であることを特徴と
    する請求項１４乃至性１６のいずれかに記載のフィルム
    液晶パネルの製造方法。