JPH03246524A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
- Publication number
- JPH03246524A JPH03246524A JP2042611A JP4261190A JPH03246524A JP H03246524 A JPH03246524 A JP H03246524A JP 2042611 A JP2042611 A JP 2042611A JP 4261190 A JP4261190 A JP 4261190A JP H03246524 A JPH03246524 A JP H03246524A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- ito
- liquid crystal
- layer consisting
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 11
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 8
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018575 Al—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶表示素子に関し、特に表示電極としてＩＴ
Ｏと金属配線の積層構成を有する液晶表示素子に関する
ものである。
Ｏと金属配線の積層構成を有する液晶表示素子に関する
ものである。
［従来の技術］
従来、液晶表示素子の電極配線の低抵抗化を目的として
ＩＴＯ（インジウム チン オキサイド；Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）と金属配線の積層構造が用いら
れてきた。上記金属配線を形成する金属としては、 Ｉ
ＴＯとの選択エツチングが可能で、かつ通常のフォトリ
ソプロセスに耐えるＣｒ、 Ｍｏ、 Ｗ、 Ｎｉ等が用
いられてきた。しかし、近年、液晶表示素子の大面積・
高精細化への要求が増々高まり、電極配線の抵抗をさら
に小さくする必要が生じてきた。そのために、抵抗が低
（安価で微細加工が可能なＡＩ！が金属配線として用い
られるようになってきている。
ＩＴＯ（インジウム チン オキサイド；Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）と金属配線の積層構造が用いら
れてきた。上記金属配線を形成する金属としては、 Ｉ
ＴＯとの選択エツチングが可能で、かつ通常のフォトリ
ソプロセスに耐えるＣｒ、 Ｍｏ、 Ｗ、 Ｎｉ等が用
いられてきた。しかし、近年、液晶表示素子の大面積・
高精細化への要求が増々高まり、電極配線の抵抗をさら
に小さくする必要が生じてきた。そのために、抵抗が低
（安価で微細加工が可能なＡＩ！が金属配線として用い
られるようになってきている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、 ＩＴＯとＡＩｌから・なる電極配線の
積層構成を通常のフォトリソプロセスを用いて形成する
と、 ＩＴＯにピンホール状の欠陥が発生し易いという
欠点があった。その具体的な例を、図面に基づいて説明
する。第４図（ａ）〜（ｄ）は上記従来例の電極配線の
製造工程を示す工程図である。まず、ガラス基板１上に
ＩＴＯ２のパターンを形成する（第４図（ａ）参照）。
積層構成を通常のフォトリソプロセスを用いて形成する
と、 ＩＴＯにピンホール状の欠陥が発生し易いという
欠点があった。その具体的な例を、図面に基づいて説明
する。第４図（ａ）〜（ｄ）は上記従来例の電極配線の
製造工程を示す工程図である。まず、ガラス基板１上に
ＩＴＯ２のパターンを形成する（第４図（ａ）参照）。
次に、その上にＡＡ’４を３０００人の厚さに成膜し、
ポジ型のフォトレジスト５を塗布する（第４図（ｂ）参
照）。その後、通常のフォトリソプロセスでパターンを
形成するが、この際に有機アルカリを主成分とする現像
液に対してＡｌが溶解する。このときＡＩ！薄膜にわず
かなピンホール７があると、Ａｉｌが溶解するときに発
生する発生期の水素の作用により、現像プロセス中にＩ
ＴＯも溶解してしまう（第４図（Ｃ）参照）。次に、Ａ
ｌをエツチングして電極パターンを形成すると、 ＩＴ
Ｏの溶解した部分がピンホール状の欠陥８となって液晶
表示素子の表示品位を著しく悪化させる結果となる（第
４図（ｄＪ参照）。
ポジ型のフォトレジスト５を塗布する（第４図（ｂ）参
照）。その後、通常のフォトリソプロセスでパターンを
形成するが、この際に有機アルカリを主成分とする現像
液に対してＡｌが溶解する。このときＡＩ！薄膜にわず
かなピンホール７があると、Ａｉｌが溶解するときに発
生する発生期の水素の作用により、現像プロセス中にＩ
ＴＯも溶解してしまう（第４図（Ｃ）参照）。次に、Ａ
ｌをエツチングして電極パターンを形成すると、 ＩＴ
Ｏの溶解した部分がピンホール状の欠陥８となって液晶
表示素子の表示品位を著しく悪化させる結果となる（第
４図（ｄＪ参照）。
上記の第４図に示す様な従来例の欠点を補うために、
ＩＴＯとＡｌ薄膜の間に保護膜を設ける方法が提案され
ている。第５図（ａ）〜（ｄ）は、その方法の具体例を
示すものであり、第１層にＩＴＯ２、第２層にＣｒ９．
第３層にＡ４４を用いた構成の電極配線の製造工程を示
す工程図である。その製造工程は、第２層にＣｒ９を用
いた以外は、第４図の工程と同様であり、また現像プロ
セス中にＡｌが溶解することは同様であるが、ＡＩｌと
ｒＴＯの間にＣｒが存在するため、 ＩＴＯにピンホー
ルが発生することを防ぐことができる。しかしながら、
第５図（Ｃ）、（ｄ）で示した様に、Ａｌのエツチング
工程とＣｒのエツチング工程が必要となり、工程が複雑
になるという欠点が生ずる。
ＩＴＯとＡｌ薄膜の間に保護膜を設ける方法が提案され
ている。第５図（ａ）〜（ｄ）は、その方法の具体例を
示すものであり、第１層にＩＴＯ２、第２層にＣｒ９．
第３層にＡ４４を用いた構成の電極配線の製造工程を示
す工程図である。その製造工程は、第２層にＣｒ９を用
いた以外は、第４図の工程と同様であり、また現像プロ
セス中にＡｌが溶解することは同様であるが、ＡＩｌと
ｒＴＯの間にＣｒが存在するため、 ＩＴＯにピンホー
ルが発生することを防ぐことができる。しかしながら、
第５図（Ｃ）、（ｄ）で示した様に、Ａｌのエツチング
工程とＣｒのエツチング工程が必要となり、工程が複雑
になるという欠点が生ずる。
本発明は、この様な従来技術の欠点を改善するためにな
されたものであり、表示電極を、ＩＴＯとＡｌまたはＡ
Ｉ！合金からなる層の間にＭｏ又はＭｏ合金からなる層
を設けた構成にすることにより、製造プロセスを複雑に
することなく、またＩＴＯにピンホール状の欠陥を生じ
ることなく、ＡＩを用いた低抵抗配線を実現することが
できる液晶表示素子を提供することを目的とするもので
ある。
されたものであり、表示電極を、ＩＴＯとＡｌまたはＡ
Ｉ！合金からなる層の間にＭｏ又はＭｏ合金からなる層
を設けた構成にすることにより、製造プロセスを複雑に
することなく、またＩＴＯにピンホール状の欠陥を生じ
ることなく、ＡＩを用いた低抵抗配線を実現することが
できる液晶表示素子を提供することを目的とするもので
ある。
［課題を解決するための手段］
即ち、本発明は、ＩＴＯからなる第１層と、前記第１層
上に設けられたＭｏ又はＭｏ合金からなる第２層と、前
記第２層上に設けられたＡｌ又はＡｌ合金からなる第３
層とから構成された表示電極を有することを特徴とする
液晶表示素子である。
上に設けられたＭｏ又はＭｏ合金からなる第２層と、前
記第２層上に設けられたＡｌ又はＡｌ合金からなる第３
層とから構成された表示電極を有することを特徴とする
液晶表示素子である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の液晶表示素子は、 ＩＴＯからなる第１層と、
前記第１層上に設けられたＭｏ又はＭｏ合金からなる第
２層と、前記第２層上に設けられたＡｌ又はＡｉ＋合金
からなる第３層とから構成された表示電極を備えた基板
に配向処理を施し、該基板２枚を貼り合わせた後、液晶
を注入して構成される。
前記第１層上に設けられたＭｏ又はＭｏ合金からなる第
２層と、前記第２層上に設けられたＡｌ又はＡｉ＋合金
からなる第３層とから構成された表示電極を備えた基板
に配向処理を施し、該基板２枚を貼り合わせた後、液晶
を注入して構成される。
本発明において、基板上に表示電極を形成する方法は、
基板上にスパッタ法により ＩＴＯを成膜し、通常のフ
ォトリソ技術によりストライブ状のパターンを形成し、
次に、Ｍｏ又はＭｏ合金と、Ａｌ又はＡＩ！合金の積層
膜を順次ＩＴＯと同様にスパッタ法にて形成し、その上
にポジ型フォトレジストを塗布した後、露光、現像して
パターンを形成する。
基板上にスパッタ法により ＩＴＯを成膜し、通常のフ
ォトリソ技術によりストライブ状のパターンを形成し、
次に、Ｍｏ又はＭｏ合金と、Ａｌ又はＡＩ！合金の積層
膜を順次ＩＴＯと同様にスパッタ法にて形成し、その上
にポジ型フォトレジストを塗布した後、露光、現像して
パターンを形成する。
次に、リン酸に硝酸、酢酸および水を少量加えたエツチ
ング液でＡｌ又はＡｌ合金、 Ｍｏ又はＭｏ合金をエツ
チングした後、フォトレジストを剥離することにより形
成することができる。
ング液でＡｌ又はＡｌ合金、 Ｍｏ又はＭｏ合金をエツ
チングした後、フォトレジストを剥離することにより形
成することができる。
本発明において、第２層にはＭｏ又はＭｏ合金が用いら
れる。また、Ｍｏ合金には、例えばＭｏ−Ｔａ ＋Ｍｏ
−Ｔｉ 、 Ｍｏ−５Ｌ、 Ｍｏ−Ｃｒ、 Ｍｏ−Ｖ、
Ｍｏ−Ｎｂ、 Ｍｏ−Ｗ等の合金が好ましい。特に、
Ｍｏ合金を使用すると、エツチング速度をＴａ、 Ｔｉ
等の合金の配合成分の含有割合を調整することによりコ
ントロールすることが可能であることから好ましい（第
３図）。
れる。また、Ｍｏ合金には、例えばＭｏ−Ｔａ ＋Ｍｏ
−Ｔｉ 、 Ｍｏ−５Ｌ、 Ｍｏ−Ｃｒ、 Ｍｏ−Ｖ、
Ｍｏ−Ｎｂ、 Ｍｏ−Ｗ等の合金が好ましい。特に、
Ｍｏ合金を使用すると、エツチング速度をＴａ、 Ｔｉ
等の合金の配合成分の含有割合を調整することによりコ
ントロールすることが可能であることから好ましい（第
３図）。
Ｍｏ−Ｔａ合金またはＭｏ−Ｔｉ合金のＴａ又はＴｉの
含有率は３０ｗｔ％以下、好ましくは５〜１５ｗｔ％の
範囲が望ましい。
含有率は３０ｗｔ％以下、好ましくは５〜１５ｗｔ％の
範囲が望ましい。
また、Ｍｏ又はＭｏ合金からなる第２層の膜厚は５０〜
２０００人、好ましくは３００〜１０００人の範囲が望
ましい。
２０００人、好ましくは３００〜１０００人の範囲が望
ましい。
本発明の液晶表示素子は、特に液晶素子が強誘電性液晶
素子であることが好ましく、強誘電性液晶としては、特
に制限することはな（、広範囲のものを使用することが
できる。
素子であることが好ましく、強誘電性液晶としては、特
に制限することはな（、広範囲のものを使用することが
できる。
［実施例］
以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の液晶表示素子に用いら
れる基板の電極配線の製造工程の一実施例を示す工程図
である。同図において、１はガラス基板、２はＩＴＯか
らなる第１層、３はＭｏからなる第２層、４はＡＩ！か
らなる第３層、５はフォトレジストである。先ず、ガラ
ス基板ｌ上にスパッタ法により膜厚１０００人のＩＴＯ
２を形成し、通常のフォトリソ技術によりストライブ状
のパターンを形成した（第１図（ａ）参照）。
れる基板の電極配線の製造工程の一実施例を示す工程図
である。同図において、１はガラス基板、２はＩＴＯか
らなる第１層、３はＭｏからなる第２層、４はＡＩ！か
らなる第３層、５はフォトレジストである。先ず、ガラ
ス基板ｌ上にスパッタ法により膜厚１０００人のＩＴＯ
２を形成し、通常のフォトリソ技術によりストライブ状
のパターンを形成した（第１図（ａ）参照）。
次に、膜厚５００人のＭｏと、膜厚３０００人のＡｌの
積層膜をＩＴＯと同様にスパッタ法にて形成した。さら
に、ポジ型フォトレジスト５ （０ＦＰＲ−８００東京
応化■製）をロールコータ−を用いて約１ｐｍの厚さに
塗布した後（第１図（ｂ）参照）、露光し、有機アルカ
リを主成分とする現像液（ＮＭＤ−３東京応化■製）に
浸漬してパターンを形成した（第１図（Ｃ）参照）。こ
の工程において、Ａｌはアルカリ溶液に溶解するが、Ａ
ρと ＩＴＯの間にＭｏが存在するために、 ＩＴＯに
ピンホールが発生することを防ぐことができる。
積層膜をＩＴＯと同様にスパッタ法にて形成した。さら
に、ポジ型フォトレジスト５ （０ＦＰＲ−８００東京
応化■製）をロールコータ−を用いて約１ｐｍの厚さに
塗布した後（第１図（ｂ）参照）、露光し、有機アルカ
リを主成分とする現像液（ＮＭＤ−３東京応化■製）に
浸漬してパターンを形成した（第１図（Ｃ）参照）。こ
の工程において、Ａｌはアルカリ溶液に溶解するが、Ａ
ρと ＩＴＯの間にＭｏが存在するために、 ＩＴＯに
ピンホールが発生することを防ぐことができる。
次に、リン酸に硝酸、酢酸および水を少量加えた１６：
１：２：１の容量比のエツチング液でＡｉ’。
１：２：１の容量比のエツチング液でＡｉ’。
Ｍｏをエツチングした後、フォトレジストを剥離して金
属電極を形成した（第１図（ｄ）参照）。このとき、上
記エツチング液に対するエツチング速度は、通常ＡＩ！
よりＭｏの方が大きいため、ＡＩ！電極のオーバーハン
グが形成される。第１図（ｅ）は第１図（ｄ）のＡの部
分を示す部分拡大図であり、Ａρ電極のオーバーハング
の状態を示す。
属電極を形成した（第１図（ｄ）参照）。このとき、上
記エツチング液に対するエツチング速度は、通常ＡＩ！
よりＭｏの方が大きいため、ＡＩ！電極のオーバーハン
グが形成される。第１図（ｅ）は第１図（ｄ）のＡの部
分を示す部分拡大図であり、Ａρ電極のオーバーハング
の状態を示す。
この基板に配向処理を施し、該基板２枚を貼り合わせた
後に強誘電性液晶（商品名： Ｃ５−１０１４チツソ■
社製）を封入して液晶表示装置を得た。その結果、電極
のオーバーハング部分の近くに液晶の配向欠陥が発生し
たが、欠陥が微小であるため実用上問題はない。
後に強誘電性液晶（商品名： Ｃ５−１０１４チツソ■
社製）を封入して液晶表示装置を得た。その結果、電極
のオーバーハング部分の近くに液晶の配向欠陥が発生し
たが、欠陥が微小であるため実用上問題はない。
実施例２
第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の液晶表示素子に用いら
れる基板の電極配線の製造工程の他の実施例を示す工程
図である。同図において、１はガラス基板、２はＩＴＯ
からなる第１層、６はＭｏ−Ｔａ合金からなる第２層、
４はＡｊ？からなる第３層、５はフォトレジストである
。本実施例は、実施例１で示した電極構成に対して、第
２層としてＭｏ−Ｔａ合金を用いたことに特徴がある。
れる基板の電極配線の製造工程の他の実施例を示す工程
図である。同図において、１はガラス基板、２はＩＴＯ
からなる第１層、６はＭｏ−Ｔａ合金からなる第２層、
４はＡｊ？からなる第３層、５はフォトレジストである
。本実施例は、実施例１で示した電極構成に対して、第
２層としてＭｏ−Ｔａ合金を用いたことに特徴がある。
まず、ガラス基板１上にＩＴＯ２のパターンを形成後（
第２図（ａ）参照） 、ＭｏとＴａの合金（Ｍｏ ９２
．５ ｗｔ％、 Ｔａ ７．５ ｗｔ％）６の薄膜を膜
厚５００人に、続いてＡＩ！薄膜を膜厚３０００人に成
膜し、実施例１と同様のプロセスにより金属電極パター
ンを形成した。（第２図（ｂ）〜（ｄ） ？照）。上記
Ｍｏ−Ｔａ合金のエツチング速度は第３図に示した通り
であり、 Ｔａの含有割合によってコントロールするこ
とが可能である。本実施例では、Ａｌのエツチング速度
とＭｏ−Ｔａ合金のエツチング速度をほぼ同じに合わせ
るために、Ｔａ ７．５ｗｔ％のＭｏ−Ｔａ合金を用い
た。この結果、ＡＩ！電極のオーバーハングがない、理
想的な電極パターンを形成することが可能となった。ま
た、Ｍｏ−Ｔａ合金により ＩＴＯのピンホール状欠陥
を防止することができた。第２図（ｅ）は第２図（ｄ）
のＢの部分を示す部分拡大図であり、ＡＩ！電極のオー
バーハングのない状態を示す。実施例１と同様に液晶表
示素子を形成したところ、電極近くの配向欠陥もなく良
好な表示を得ることができた。
第２図（ａ）参照） 、ＭｏとＴａの合金（Ｍｏ ９２
．５ ｗｔ％、 Ｔａ ７．５ ｗｔ％）６の薄膜を膜
厚５００人に、続いてＡＩ！薄膜を膜厚３０００人に成
膜し、実施例１と同様のプロセスにより金属電極パター
ンを形成した。（第２図（ｂ）〜（ｄ） ？照）。上記
Ｍｏ−Ｔａ合金のエツチング速度は第３図に示した通り
であり、 Ｔａの含有割合によってコントロールするこ
とが可能である。本実施例では、Ａｌのエツチング速度
とＭｏ−Ｔａ合金のエツチング速度をほぼ同じに合わせ
るために、Ｔａ ７．５ｗｔ％のＭｏ−Ｔａ合金を用い
た。この結果、ＡＩ！電極のオーバーハングがない、理
想的な電極パターンを形成することが可能となった。ま
た、Ｍｏ−Ｔａ合金により ＩＴＯのピンホール状欠陥
を防止することができた。第２図（ｅ）は第２図（ｄ）
のＢの部分を示す部分拡大図であり、ＡＩ！電極のオー
バーハングのない状態を示す。実施例１と同様に液晶表
示素子を形成したところ、電極近くの配向欠陥もなく良
好な表示を得ることができた。
以上、実施例１，２では金属配線としてＡｌを用いる場
合について述べたが、エレクトロマイグレーションや耐
触性の観点から、Ａｉ’−Ｓｉ、 Ａｊ’−３Ｌ−Ｃｕ
、 Ａｌ−Ｔｉ等のＡｌ合金を金属配線に使う場合にも
、Ｍｏ−Ｔａ合金のＴａ含有率又はＭｏ−Ｔｉ合金のＴ
ｉ含有率を調製することにより、上記Ａｌ合金とＭｏ−
Ｔａ合金又はＭｏ−Ｔｉ合金のエツチング速度を同じ（
することが可能であり、同様の効果を得ることができる
。これらの効果は、 ＳＴＮ 、アクティブマトリクス
、強誘電性液晶を含むすべての液晶表示素子について適
用することができる。
合について述べたが、エレクトロマイグレーションや耐
触性の観点から、Ａｉ’−Ｓｉ、 Ａｊ’−３Ｌ−Ｃｕ
、 Ａｌ−Ｔｉ等のＡｌ合金を金属配線に使う場合にも
、Ｍｏ−Ｔａ合金のＴａ含有率又はＭｏ−Ｔｉ合金のＴ
ｉ含有率を調製することにより、上記Ａｌ合金とＭｏ−
Ｔａ合金又はＭｏ−Ｔｉ合金のエツチング速度を同じ（
することが可能であり、同様の効果を得ることができる
。これらの効果は、 ＳＴＮ 、アクティブマトリクス
、強誘電性液晶を含むすべての液晶表示素子について適
用することができる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、表示電極を、
ＩＴＯからなる第１層とＡｌまたはＡｌ合金からなる第
３層の間に、ＭＯまたはＭＯ合金からなる第２層を設け
た構成にすることにより、製造プロセスを複雑にするこ
となく、またＩＴＯにピンホール状の欠陥を生じること
な（、ＡＮを用いた低抵抗配線を実現することができる
液晶表示素子を得ることができる。
ＩＴＯからなる第１層とＡｌまたはＡｌ合金からなる第
３層の間に、ＭＯまたはＭＯ合金からなる第２層を設け
た構成にすることにより、製造プロセスを複雑にするこ
となく、またＩＴＯにピンホール状の欠陥を生じること
な（、ＡＮを用いた低抵抗配線を実現することができる
液晶表示素子を得ることができる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の液晶表示素子に用いら
れる基板の電極配線の製造工程の一実施例を示す工程図
、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の液晶表示素子に用い
られる基板の電極配線の製造工程の他の実施例を示す工
程図、第３図はＭｏ−Ｔａ合金のＴａの含有率とエツチ
ング速度との関係を示すグラフ、第４図（ａ） 〜（ｄ
）および第５図（ａ） 〜（ｅ）は各々従来例の電極配
線の製造工程を示す工程図である。 ｌ・・・ガラス基板 ２・・・ＩＴＯ３・・・Ｍ
ｏ ４・・・Ａｉ５・・
・フォトレジスト ６・・・Ｍｏ−Ｔａ７・・・Ａｐ
ルピンホー ル・・・ＩＴＯのピンホール状の欠陥 ９・・・Ｃｒ 合金
れる基板の電極配線の製造工程の一実施例を示す工程図
、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の液晶表示素子に用い
られる基板の電極配線の製造工程の他の実施例を示す工
程図、第３図はＭｏ−Ｔａ合金のＴａの含有率とエツチ
ング速度との関係を示すグラフ、第４図（ａ） 〜（ｄ
）および第５図（ａ） 〜（ｅ）は各々従来例の電極配
線の製造工程を示す工程図である。 ｌ・・・ガラス基板 ２・・・ＩＴＯ３・・・Ｍ
ｏ ４・・・Ａｉ５・・
・フォトレジスト ６・・・Ｍｏ−Ｔａ７・・・Ａｐ
ルピンホー ル・・・ＩＴＯのピンホール状の欠陥 ９・・・Ｃｒ 合金
Claims (5)
- （１）ＩＴＯからなる第１層と、前記第１層上に設けら
れたＭｏ又はＭｏ合金からなる第２層と、前記第２層上
に設けられたＡｌ又はＡｌ合金からなる第３層とから構
成された表示電極を有することを特徴とする液晶表示素
子。 - （２）第２層に用いられるＭｏ合金がＭｏ−Ｔａ合金ま
たはＭｏ−Ｔｉ合金である請求項１記載の液晶表示素子
。 - （３）Ｍｏ−Ｔａ合金またはＭｏ−Ｔｉ合金のＴａ又は
Ｔｉの含有率が３０ｗｔ％以下である請求項２記載の液
晶表示素子。 - （４）Ｍｏ又はＭｏ合金からなる第２層の膜厚が５０〜
２０００Åである請求項１乃至３のいずれかの項記載の
液晶表示素子。 - （５）液晶素子が強誘電性液晶素子である請求項１乃至
４のいずれかの項記載の液晶表示素子。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2042611A JP2673460B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 液晶表示素子 |
| US07/658,501 US5150233A (en) | 1990-02-26 | 1991-02-21 | Liquid crystal device and display apparatus with a three-layered electrode of ito, molybdenum, and aluminum |
| EP91102767A EP0444580B1 (en) | 1990-02-26 | 1991-02-25 | Liquid crystal device and display apparatus |
| DE69119928T DE69119928T2 (de) | 1990-02-26 | 1991-02-25 | Flüssigkristallanzeigevorrichtung |
| AT91102767T ATE139041T1 (de) | 1990-02-26 | 1991-02-25 | Flüssigkristallanzeigevorrichtung |
| ES91102767T ES2089042T3 (es) | 1990-02-26 | 1991-02-25 | Dispositivo de cristal liquido y aparato visualizador. |
| US08/386,177 US5543946A (en) | 1990-02-26 | 1995-02-09 | Liquid crystal device and display apparatus with multilayer electrodes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2042611A JP2673460B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03246524A true JPH03246524A (ja) | 1991-11-01 |
| JP2673460B2 JP2673460B2 (ja) | 1997-11-05 |
Family
ID=12640827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2042611A Expired - Fee Related JP2673460B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 液晶表示素子 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5150233A (ja) |
| EP (1) | EP0444580B1 (ja) |
| JP (1) | JP2673460B2 (ja) |
| AT (1) | ATE139041T1 (ja) |
| DE (1) | DE69119928T2 (ja) |
| ES (1) | ES2089042T3 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184960B1 (en) | 1998-01-30 | 2001-02-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of making a reflective type LCD including providing a protective metal film over a connecting electrode during at least one portion of the manufacturing process |
| KR100315648B1 (ko) * | 2000-01-21 | 2001-11-29 | 정지완 | 액정표시장치의 게이트 전극용 식각액 |
| KR100476050B1 (ko) * | 2001-09-01 | 2005-03-10 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 반사형 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR100590916B1 (ko) * | 1999-06-23 | 2006-06-19 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2652072B2 (ja) * | 1990-02-26 | 1997-09-10 | キヤノン株式会社 | 遮光層の形成方法 |
| JP2673460B2 (ja) * | 1990-02-26 | 1997-11-05 | キヤノン株式会社 | 液晶表示素子 |
| US5243202A (en) * | 1990-04-25 | 1993-09-07 | Casio Computer Co., Ltd. | Thin-film transistor and a liquid crystal matrix display device using thin-film transistors of this type |
| US5367179A (en) * | 1990-04-25 | 1994-11-22 | Casio Computer Co., Ltd. | Thin-film transistor having electrodes made of aluminum, and an active matrix panel using same |
| JP2808480B2 (ja) * | 1990-07-18 | 1998-10-08 | キヤノン株式会社 | 液晶カラー表示素子用基板の製造方法 |
| JP2808483B2 (ja) * | 1990-08-30 | 1998-10-08 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
| US5282068A (en) * | 1990-11-08 | 1994-01-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display with opaque insulating layer and metal layer at and wider than inter-electrode gap and method of manufacturing |
| JP2952075B2 (ja) * | 1991-06-12 | 1999-09-20 | キヤノン株式会社 | 液晶素子の製造法 |
| US5285300A (en) * | 1991-10-07 | 1994-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| JP2974520B2 (ja) * | 1991-10-25 | 1999-11-10 | キヤノン株式会社 | 電極基板及び液晶素子 |
| JPH05341315A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタ基板、液晶表示パネルおよび液晶表示装置 |
| US5821622A (en) * | 1993-03-12 | 1998-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device |
| JP3106786B2 (ja) * | 1993-08-26 | 2000-11-06 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| GB2283123B (en) * | 1993-10-23 | 1997-10-22 | Samsung Display Devices Co Ltd | A method of forming an electrode for a liquid crystal display |
| US5644415A (en) * | 1993-12-20 | 1997-07-01 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal display device having wide field angle |
| DE69500415T2 (de) * | 1994-02-22 | 1998-02-05 | Philips Electronics Nv | Laserätzverfahren |
| DE69621396T2 (de) * | 1995-10-12 | 2002-11-14 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Flüssigkristallvorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| KR0161462B1 (ko) * | 1995-11-23 | 1999-01-15 | 김광호 | 액정 디스플레이에서의 게이트 패드 형성방법 |
| US6320639B1 (en) | 1996-03-11 | 2001-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device and process for production thereof |
| US6208400B1 (en) | 1996-03-15 | 2001-03-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrode plate having metal electrodes of aluminum or nickel and copper or silver disposed thereon |
| GB2313226A (en) * | 1996-05-17 | 1997-11-19 | Sharp Kk | Addressable matrix arrays |
| US6106907A (en) * | 1996-06-25 | 2000-08-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrode plate, liquid crystal device and production thereof |
| US6445004B1 (en) | 1998-02-26 | 2002-09-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for a wiring, a wiring using the composition, manufacturing method thereof, a display using the wiring and a manufacturing method thereof |
| US6337520B1 (en) | 1997-02-26 | 2002-01-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for a wiring, a wiring using the composition, manufacturing method thereof, a display using the wiring and manufacturing method thereof |
| US6532053B2 (en) * | 1996-12-18 | 2003-03-11 | Hitachi, Ltd. | Transverse electric field system liquid crystal display device suitable for improving aperture ratio |
| US6128053A (en) * | 1997-10-22 | 2000-10-03 | Mannesmann Vdo Ag | Liquid crystal display with heater |
| US6346175B1 (en) * | 1997-11-20 | 2002-02-12 | International Business Machines Corporation | Modification of in-plate refractory metal texture by use of refractory metal/nitride layer |
| US6233033B1 (en) * | 1999-03-29 | 2001-05-15 | National Semiconductor Corp. | Pixel array for LC silicon light valve featuring pixels with overlapping edges |
| US6356327B1 (en) | 1999-03-29 | 2002-03-12 | National Semiconductor Corporation | Pixel array for silicon LC light valve featuring reflective metal surface underlying inter-pixel regions |
| US6577362B1 (en) | 1999-05-24 | 2003-06-10 | National Semiconductor Corporation | Pixel cell for silicon LC light valve having enhanced storage capacitance |
| US6373543B1 (en) | 1999-07-16 | 2002-04-16 | National Semiconductor Corporation | Process for forming silicon LC pixel cell having planar alignment layers of uniform thickness |
| KR100312328B1 (ko) * | 1999-08-06 | 2001-11-03 | 구본준, 론 위라하디락사 | 반사투과형 액정 표시장치 |
| JP3670577B2 (ja) * | 2000-01-26 | 2005-07-13 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP3617458B2 (ja) * | 2000-02-18 | 2005-02-02 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置用基板、液晶装置及び電子機器 |
| GB0029315D0 (en) * | 2000-12-01 | 2001-01-17 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of increasing the conductivity of a transparent conductive layer |
| CN100350570C (zh) * | 2001-10-22 | 2007-11-21 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 铝/钼层叠膜的蚀刻方法 |
| US20030122987A1 (en) * | 2001-12-28 | 2003-07-03 | Myung-Joon Kim | Array substrate for a liquid crystal display device having multi-layered metal line and fabricating method thereof |
| JP4271915B2 (ja) * | 2002-04-11 | 2009-06-03 | オプトレックス株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス表示素子、有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
| JP4761425B2 (ja) * | 2004-05-12 | 2011-08-31 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| US7642711B2 (en) * | 2004-07-06 | 2010-01-05 | Fujifilm Corporation | Functional layer having wiring connected to electrode and barrier metal between electrode and wiring |
| KR101061850B1 (ko) * | 2004-09-08 | 2011-09-02 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법 |
| AT11941U1 (de) * | 2010-02-12 | 2011-07-15 | Plansee Metall Gmbh | Berührungssensoranordnung |
| JP6332019B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2018-05-30 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、電子機器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02132833A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜配線 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57161882A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Hitachi Ltd | Display body panel |
| JPS62263676A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-16 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| US4853296A (en) * | 1986-10-22 | 1989-08-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Electrode plate for color display device |
| US4859036A (en) * | 1987-05-15 | 1989-08-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Device plate having conductive films selected to prevent pin-holes |
| JPS63289533A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 液晶ディスプレイ装置 |
| US5000545A (en) * | 1987-05-28 | 1991-03-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device with metal electrode partially overlying transparent electrode |
| JP2698357B2 (ja) * | 1987-08-17 | 1998-01-19 | キヤノン株式会社 | 電極間の短絡部分離法及び液晶パネルの製造法 |
| JPH01179915A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-18 | Canon Inc | 液晶素子 |
| US5187601A (en) * | 1988-03-07 | 1993-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for making a high contrast liquid crystal display including laser scribing opaque and transparent conductive strips simultaneously |
| JPH02228629A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-11 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP2673460B2 (ja) * | 1990-02-26 | 1997-11-05 | キヤノン株式会社 | 液晶表示素子 |
| JPH04116620A (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-17 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP2952075B2 (ja) * | 1991-06-12 | 1999-09-20 | キヤノン株式会社 | 液晶素子の製造法 |
-
1990
- 1990-02-26 JP JP2042611A patent/JP2673460B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-02-21 US US07/658,501 patent/US5150233A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-25 AT AT91102767T patent/ATE139041T1/de not_active IP Right Cessation
- 1991-02-25 EP EP91102767A patent/EP0444580B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-25 DE DE69119928T patent/DE69119928T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-02-25 ES ES91102767T patent/ES2089042T3/es not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-02-09 US US08/386,177 patent/US5543946A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02132833A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜配線 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184960B1 (en) | 1998-01-30 | 2001-02-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of making a reflective type LCD including providing a protective metal film over a connecting electrode during at least one portion of the manufacturing process |
| KR100590916B1 (ko) * | 1999-06-23 | 2006-06-19 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 |
| KR100315648B1 (ko) * | 2000-01-21 | 2001-11-29 | 정지완 | 액정표시장치의 게이트 전극용 식각액 |
| KR100476050B1 (ko) * | 2001-09-01 | 2005-03-10 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 반사형 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES2089042T3 (es) | 1996-10-01 |
| EP0444580A2 (en) | 1991-09-04 |
| US5543946A (en) | 1996-08-06 |
| EP0444580A3 (en) | 1992-03-11 |
| EP0444580B1 (en) | 1996-06-05 |
| US5150233A (en) | 1992-09-22 |
| DE69119928D1 (de) | 1996-07-11 |
| DE69119928T2 (de) | 1996-11-28 |
| JP2673460B2 (ja) | 1997-11-05 |
| ATE139041T1 (de) | 1996-06-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03246524A (ja) | 液晶素子 | |
| JPH03232274A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3488681B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2002162646A (ja) | 反射型液晶表示装置 | |
| JPH04365012A (ja) | 液晶素子の製造法 | |
| US7335538B2 (en) | Method for manufacturing bottom substrate of liquid crystal display device | |
| JP2001255543A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPS63289533A (ja) | 液晶ディスプレイ装置 | |
| JP2759207B2 (ja) | 画素電極と薄膜トランジスタの形成方法 | |
| JPH0478826A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2778746B2 (ja) | 液晶表示装置及び電極基板の製造方法 | |
| JPH05224220A (ja) | 液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法 | |
| JPS62240930A (ja) | 液晶表示パネルの製造法 | |
| JP2003059939A (ja) | 薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法 | |
| JP3097852B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH09185074A (ja) | 液晶素子及びその製造方法 | |
| WO2024011665A1 (zh) | 一种显示面板及其制备方法 | |
| JPH02132831A (ja) | 配線形成基板面の平坦化方法 | |
| JP2007248697A (ja) | タンタルパターンの形成方法、電気光学装置の製造方法、および電気光学装置 | |
| JPH0764111A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
| JPH0822030A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| KR101146385B1 (ko) | 식각용액, 이를 이용한 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| JPH04293021A (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示素子の製造方法 | |
| JPH0345933A (ja) | Ｍｉｍ型非線形スイッチング素子の製造方法 | |
| JPH03167525A (ja) | 電極基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080718 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080718 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090718 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |