JPH0764111A - 液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置とその製造方法Info
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- JPH0764111A JPH0764111A JP21408793A JP21408793A JPH0764111A JP H0764111 A JPH0764111 A JP H0764111A JP 21408793 A JP21408793 A JP 21408793A JP 21408793 A JP21408793 A JP 21408793A JP H0764111 A JPH0764111 A JP H0764111A
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- Japan
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- light
- shielding film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 遮光膜をＴＦＴ基板側に形成したアクティブ
マトリクス型の液晶表示装置において、遮光膜のエッジ
部をテーパー状にすることにより、極端な段差をなく
し、断線や段切れを防止して、歩留まりを向上する。 【構成】 遮光膜として、Ｃｒ（１１）上にＣｒＮXの
（２１）を形成した２層膜とし、ＣｒＮX／Ｃｒのエッ
チングレート比が２以上のウエットエッチングで、開口
部を除去することにより、エッジ部をテーパー加工して
上記目的を達成する。
マトリクス型の液晶表示装置において、遮光膜のエッジ
部をテーパー状にすることにより、極端な段差をなく
し、断線や段切れを防止して、歩留まりを向上する。 【構成】 遮光膜として、Ｃｒ（１１）上にＣｒＮXの
（２１）を形成した２層膜とし、ＣｒＮX／Ｃｒのエッ
チングレート比が２以上のウエットエッチングで、開口
部を除去することにより、エッジ部をテーパー加工して
上記目的を達成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、歩留まりの向上と特性
の安定化を達成した液晶表示装置とその製造方法に関す
る。
の安定化を達成した液晶表示装置とその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は小型、薄型、低消費電力
などの利点があり、ＯＡ機器、ＡＶ機器などの分野で実
用化が進んでいる。特に、スイッチング素子として、正
スタガー型の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略す）
を用いたアクティブマトリクス型は、構造が簡単である
ので大画面の動画表示に適し、ディスプレイに使用され
ている。アクティブマトリクス型液晶表示装置は、ＴＦ
Ｔを有する表示電極がマトリクス状に配置されたＴＦＴ
基板と、共通電極を有する対向基板を、液晶層を挟んで
貼り合わすことにより構成される。更に、ＴＦＴ部及び
表示電極間を覆う遮光膜を形成することにより、ａ−Ｓ
ｉ層への光入射を防止してＯＦＦ電流を低減するととも
に、画素間の光漏れを防止してコントラスト比を向上す
ることができる。遮光膜は、ＴＦＴ基板側に形成するこ
とにより配線パターンとの距離が近付くため遮光効果が
高まり、また、貼り合わせの際のずれを考慮する必要が
なくなるので、マージンを縮小して開口率を上昇させる
ことができる。
などの利点があり、ＯＡ機器、ＡＶ機器などの分野で実
用化が進んでいる。特に、スイッチング素子として、正
スタガー型の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略す）
を用いたアクティブマトリクス型は、構造が簡単である
ので大画面の動画表示に適し、ディスプレイに使用され
ている。アクティブマトリクス型液晶表示装置は、ＴＦ
Ｔを有する表示電極がマトリクス状に配置されたＴＦＴ
基板と、共通電極を有する対向基板を、液晶層を挟んで
貼り合わすことにより構成される。更に、ＴＦＴ部及び
表示電極間を覆う遮光膜を形成することにより、ａ−Ｓ
ｉ層への光入射を防止してＯＦＦ電流を低減するととも
に、画素間の光漏れを防止してコントラスト比を向上す
ることができる。遮光膜は、ＴＦＴ基板側に形成するこ
とにより配線パターンとの距離が近付くため遮光効果が
高まり、また、貼り合わせの際のずれを考慮する必要が
なくなるので、マージンを縮小して開口率を上昇させる
ことができる。
【０００３】以下で従来例を図２を参照しながら説明す
る。まずガラス基板（１０）上の、非開口部となる予定
の領域に遮光膜として、Ｃｒ（１１）が形成されてお
り、Ｃｒ（１１）を被って全面には、ＳｉＮXなどの第
１の絶縁膜（１２）が設けられている。開口部に対応す
る第１の絶縁膜（１２）上には表示電極（１３）が、表
示電極（１３）の列間にはドレインライン（１４）が、
いずれもＩＴＯにより形成されている。ドレインライン
（１４）と後出のゲートライン（１９）との交差部にお
いて、表示電極（１３）とドレインライン（１４）は一
部が延在されて互いに近接し、それぞれソース電極（１
５）及びドレイン電極（１６）となっている。更に、ソ
ース電極（１５）及びドレイン電極（１６）を被ってａ
−Ｓｉ層（１７）が設けられており、ａ−Ｓｉ層（１
７）上にはＳｉＮXなどの第２の絶縁膜（１８）が積層
されている。更に、表示電極（１３）の行間には、Ａｌ
などのゲートライン（１９）が設けられており、第２の
絶縁膜（１８）を介してａ−Ｓｉ層（１７）上には、ゲ
ートライン（１９）と一体のゲート電極（２０）が設け
られている。
る。まずガラス基板（１０）上の、非開口部となる予定
の領域に遮光膜として、Ｃｒ（１１）が形成されてお
り、Ｃｒ（１１）を被って全面には、ＳｉＮXなどの第
１の絶縁膜（１２）が設けられている。開口部に対応す
る第１の絶縁膜（１２）上には表示電極（１３）が、表
示電極（１３）の列間にはドレインライン（１４）が、
いずれもＩＴＯにより形成されている。ドレインライン
（１４）と後出のゲートライン（１９）との交差部にお
いて、表示電極（１３）とドレインライン（１４）は一
部が延在されて互いに近接し、それぞれソース電極（１
５）及びドレイン電極（１６）となっている。更に、ソ
ース電極（１５）及びドレイン電極（１６）を被ってａ
−Ｓｉ層（１７）が設けられており、ａ−Ｓｉ層（１
７）上にはＳｉＮXなどの第２の絶縁膜（１８）が積層
されている。更に、表示電極（１３）の行間には、Ａｌ
などのゲートライン（１９）が設けられており、第２の
絶縁膜（１８）を介してａ−Ｓｉ層（１７）上には、ゲ
ートライン（１９）と一体のゲート電極（２０）が設け
られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記遮光膜はスパッタ
リングなどにより形成されたＣｒ（１１）膜を、開口部
となる予定の領域をフォトエッチにより除去することに
より形成される。特に、コストや信頼性の面から、液体
のエッチャントを用いたウエットエッチングが主流とな
っているが、この方法ではエッジ部に生ずる段差が、そ
の上の絶縁膜（１２）表面にも及ぶ。このため、絶縁膜
（１２）上に設けられたＩＴＯ膜が、段切れや抵抗増大
などを起こして、歩留まり低下、ＴＦＴ特性の不安定化
などの問題を招いていた。
リングなどにより形成されたＣｒ（１１）膜を、開口部
となる予定の領域をフォトエッチにより除去することに
より形成される。特に、コストや信頼性の面から、液体
のエッチャントを用いたウエットエッチングが主流とな
っているが、この方法ではエッジ部に生ずる段差が、そ
の上の絶縁膜（１２）表面にも及ぶ。このため、絶縁膜
（１２）上に設けられたＩＴＯ膜が、段切れや抵抗増大
などを起こして、歩留まり低下、ＴＦＴ特性の不安定化
などの問題を招いていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題に
鑑みて成され、透明な絶縁性基板上のマトリクス状の開
口部以外の領域に設けられた遮光膜と、該遮光膜を被覆
する絶縁膜と、該絶縁膜上の前記開口部に対応する領域
に設けられた表示電極と、該表示電極の行間に設けられ
たゲートラインと、列間に設けられたドレインライン
と、前記ゲートラインと前記ドレインラインの交差部に
設けられ、前記表示電極に信号を供給する薄膜トランジ
スタを有する液晶表示装置であって、前記遮光膜は、エ
ッジ部がテーパー形状であり、前記遮光膜の頂上面に前
記遮光膜よりもエッチングレートの早い材料で形成され
た被覆膜が設けられた構造である。
鑑みて成され、透明な絶縁性基板上のマトリクス状の開
口部以外の領域に設けられた遮光膜と、該遮光膜を被覆
する絶縁膜と、該絶縁膜上の前記開口部に対応する領域
に設けられた表示電極と、該表示電極の行間に設けられ
たゲートラインと、列間に設けられたドレインライン
と、前記ゲートラインと前記ドレインラインの交差部に
設けられ、前記表示電極に信号を供給する薄膜トランジ
スタを有する液晶表示装置であって、前記遮光膜は、エ
ッジ部がテーパー形状であり、前記遮光膜の頂上面に前
記遮光膜よりもエッチングレートの早い材料で形成され
た被覆膜が設けられた構造である。
【０００６】また、透明な絶縁性基板上に遮光膜を形成
する工程と、該遮光膜上に該遮光膜よりもエッチングレ
ートの早い材料の被覆膜を形成する工程と、前記遮光膜
及び被覆膜の開口部となる予定の領域をフォトエッチに
より除去する工程と、前記遮光膜及び被覆膜を覆う第１
の絶縁膜を形成する工程と、該第１の絶縁膜上に透明導
電材料により、前記開口部に対応する領域に表示電極、
該表示電極の列間にドレインライン、前記表示電極と一
体のソース電極、前記ドレインラインと一体のドレイン
電極を形成する工程と、これらの上に半導体層を形成す
る工程と、該半導体層上に第２の絶縁膜を形成する工程
と、該第２の絶縁膜上に導電層を形成する工程と、前記
導電層、前記第２の絶縁膜及び前記半導体層を同一のマ
スクでパターニングすることにより、前記ソース電極及
び前記ドレイン電極を覆う半導体層、前記第２の絶縁膜
を挟んで該半導体層に対向して配置されるゲート電極、
該ゲート電極と一体のゲートラインを形成する工程を有
する製造方法である。
する工程と、該遮光膜上に該遮光膜よりもエッチングレ
ートの早い材料の被覆膜を形成する工程と、前記遮光膜
及び被覆膜の開口部となる予定の領域をフォトエッチに
より除去する工程と、前記遮光膜及び被覆膜を覆う第１
の絶縁膜を形成する工程と、該第１の絶縁膜上に透明導
電材料により、前記開口部に対応する領域に表示電極、
該表示電極の列間にドレインライン、前記表示電極と一
体のソース電極、前記ドレインラインと一体のドレイン
電極を形成する工程と、これらの上に半導体層を形成す
る工程と、該半導体層上に第２の絶縁膜を形成する工程
と、該第２の絶縁膜上に導電層を形成する工程と、前記
導電層、前記第２の絶縁膜及び前記半導体層を同一のマ
スクでパターニングすることにより、前記ソース電極及
び前記ドレイン電極を覆う半導体層、前記第２の絶縁膜
を挟んで該半導体層に対向して配置されるゲート電極、
該ゲート電極と一体のゲートラインを形成する工程を有
する製造方法である。
【０００７】
【作用】同一のエッチャントでエッチングできる２層膜
において、上の膜が下の膜よりもエッチングレートが早
い場合、この２層膜の所定の部分をウエットエッチする
と、下の膜のエッジ部をテーパー形状にすることができ
る。このため、遮光膜上に、遮光膜よりもエッチングレ
ートの早い被覆膜を設けて、これらをパターニングする
ことで、エッジ部がテーパー状になった遮光膜が得られ
る。これにより、遮光膜の段差の、第１の絶縁膜（１
２）やＩＴＯ配線への影響が低減され、膜欠陥や断線に
よる歩留まりの低下やＴＦＴ特性の不安定化が防止され
る。
において、上の膜が下の膜よりもエッチングレートが早
い場合、この２層膜の所定の部分をウエットエッチする
と、下の膜のエッジ部をテーパー形状にすることができ
る。このため、遮光膜上に、遮光膜よりもエッチングレ
ートの早い被覆膜を設けて、これらをパターニングする
ことで、エッジ部がテーパー状になった遮光膜が得られ
る。これにより、遮光膜の段差の、第１の絶縁膜（１
２）やＩＴＯ配線への影響が低減され、膜欠陥や断線に
よる歩留まりの低下やＴＦＴ特性の不安定化が防止され
る。
【０００８】
【実施例】以下で、本発明の実施例を説明する。図１
は、本発明の１実施例に係るＴＦＴ部の断面図である。
ガラス基板（１０）上の所定の領域には、Ｃｒでなる遮
光膜（１１）が設けられているが、Ｃｒ（１１）膜の頂
上面にはＣｒＮX（２１）が成膜されており、Ｃｒ（１
１）はエッジ部がテーパー状の断面形状を有する膜に形
成されている。全面にはＳｉＮXなどの第１の絶縁膜
（１２）が積層されており、Ｃｒ（１１）が形成された
領域に対応する第１の絶縁膜（１２）上の所定の部分に
はＩＴＯのソース・ドレイン電極（１５，１６）、チャ
ンネル層であるａ−Ｓｉ（１７）、ＳｉＮXなどの第２
の絶縁膜（１８）、及び、Ａｌなどのゲート電極（２
０）が順次積層されてＴＦＴを構成している。Ｃｒ（１
１）はエッジ部がテーパー状に形成されているため、第
１の絶縁膜（１２）を介して段差が緩和され、その上に
形成されたＩＴＯ配線の段切れが防止される。
は、本発明の１実施例に係るＴＦＴ部の断面図である。
ガラス基板（１０）上の所定の領域には、Ｃｒでなる遮
光膜（１１）が設けられているが、Ｃｒ（１１）膜の頂
上面にはＣｒＮX（２１）が成膜されており、Ｃｒ（１
１）はエッジ部がテーパー状の断面形状を有する膜に形
成されている。全面にはＳｉＮXなどの第１の絶縁膜
（１２）が積層されており、Ｃｒ（１１）が形成された
領域に対応する第１の絶縁膜（１２）上の所定の部分に
はＩＴＯのソース・ドレイン電極（１５，１６）、チャ
ンネル層であるａ−Ｓｉ（１７）、ＳｉＮXなどの第２
の絶縁膜（１８）、及び、Ａｌなどのゲート電極（２
０）が順次積層されてＴＦＴを構成している。Ｃｒ（１
１）はエッジ部がテーパー状に形成されているため、第
１の絶縁膜（１２）を介して段差が緩和され、その上に
形成されたＩＴＯ配線の段切れが防止される。
【０００９】続いて、製造方法を説明する。ガラス基板
（１０）上に、Ａｒガスを用いた通常のスパッタリング
によりＣｒ（１１）を１０００〜２０００Åの膜厚に積
層し、引き続いて、Ｎ2雰囲気中で同様にＣｒのスパッ
タリングを行うことにより、Ｃｒ中にＮを含有したＣｒ
ＮX（２１）膜を１００〜３００Åの厚さに形成する。
次に、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合
液で、ＣｒＮX／Ｃｒのエッチングレート比を２以上に
調整したエッチャントを用いて、ＣｒＮX／Ｃｒ膜の開
口部となる予定の領域をエッチング除去することにより
遮光膜が形成される。続いて、第１の絶縁膜（１２）と
して２０００〜４０００ÅのＳｉＮX膜をＣＶＤにより
形成する。次に、ＩＴＯをスパッタリングにより１００
０Å程度の厚さに成膜しパターニングすることにより、
基板上にマトリクス状に設けられる表示電極（１３）、
表示電極（１３）の列間に設けられるドレインライン
（１４）、及び、表示電極（１３）と一体のソース電極
（１５）、ドレインライン（１４）と一体のドレイン電
極（１６）が形成される。続いて、ＣＶＤなどによりａ
−Ｓｉを５００〜１０００Å、ＳｉＮXを２０００〜４
０００Åの厚さに積層し、更に、ゲート配線材料とし
て、例えばＡｌをスパッタリングなどにより８０００Å
程度の厚さに積層する。そして、これらを同一のマスク
でパターニングすることにより、ソース電極（１５）及
びドレイン電極（１６）を被覆するａ−Ｓｉ層（１
７）、ＳｉＮXでなる第２の絶縁膜（１８）を介してａ
−Ｓｉ層（１７）に対向して配置されるゲート電極（２
０）、及び、ゲート電極（２０）と一体のゲートライン
（１９）が形成される。
（１０）上に、Ａｒガスを用いた通常のスパッタリング
によりＣｒ（１１）を１０００〜２０００Åの膜厚に積
層し、引き続いて、Ｎ2雰囲気中で同様にＣｒのスパッ
タリングを行うことにより、Ｃｒ中にＮを含有したＣｒ
ＮX（２１）膜を１００〜３００Åの厚さに形成する。
次に、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合
液で、ＣｒＮX／Ｃｒのエッチングレート比を２以上に
調整したエッチャントを用いて、ＣｒＮX／Ｃｒ膜の開
口部となる予定の領域をエッチング除去することにより
遮光膜が形成される。続いて、第１の絶縁膜（１２）と
して２０００〜４０００ÅのＳｉＮX膜をＣＶＤにより
形成する。次に、ＩＴＯをスパッタリングにより１００
０Å程度の厚さに成膜しパターニングすることにより、
基板上にマトリクス状に設けられる表示電極（１３）、
表示電極（１３）の列間に設けられるドレインライン
（１４）、及び、表示電極（１３）と一体のソース電極
（１５）、ドレインライン（１４）と一体のドレイン電
極（１６）が形成される。続いて、ＣＶＤなどによりａ
−Ｓｉを５００〜１０００Å、ＳｉＮXを２０００〜４
０００Åの厚さに積層し、更に、ゲート配線材料とし
て、例えばＡｌをスパッタリングなどにより８０００Å
程度の厚さに積層する。そして、これらを同一のマスク
でパターニングすることにより、ソース電極（１５）及
びドレイン電極（１６）を被覆するａ−Ｓｉ層（１
７）、ＳｉＮXでなる第２の絶縁膜（１８）を介してａ
−Ｓｉ層（１７）に対向して配置されるゲート電極（２
０）、及び、ゲート電極（２０）と一体のゲートライン
（１９）が形成される。
【００１０】本発明で、Ｃｒ（１１）上にＣｒＮX（２
１）を設けてＣｒＮX／Ｃｒの２層構造とし、エッチャ
ントとして硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の
混合液を用いることで、ＣｒＮX／Ｃｒのエッチングレ
ート比が２以上のウエットエッチが可能となる。これに
より、遮光膜のパターニングの際、エッジ部をテーパー
状に加工することができる。ＣｒＮX（２１）はテーパ
ー化のためのみに用いられるため、薄く、Ｃｒ（１１）
の１／３〜１／１０の膜厚に設けられる。また、ＣｒＮ
X／Ｃｒのパターニング後、別のエッチャントでＣｒＮX
（２１）を除去してもよい。
１）を設けてＣｒＮX／Ｃｒの２層構造とし、エッチャ
ントとして硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の
混合液を用いることで、ＣｒＮX／Ｃｒのエッチングレ
ート比が２以上のウエットエッチが可能となる。これに
より、遮光膜のパターニングの際、エッジ部をテーパー
状に加工することができる。ＣｒＮX（２１）はテーパ
ー化のためのみに用いられるため、薄く、Ｃｒ（１１）
の１／３〜１／１０の膜厚に設けられる。また、ＣｒＮ
X／Ｃｒのパターニング後、別のエッチャントでＣｒＮX
（２１）を除去してもよい。
【００１１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、遮光膜
をエッチングレートの異なる２層膜により形成し、ウエ
ットエッチの際にエッチングレートの違いによって、遮
光膜のエッジ部の断面をテーパー状に加工することによ
り、配線の下地面の極端な段差がなくなり、断線や段切
れの防止、歩留まりの向上、ＴＦＴ特性の安定化につな
がった。
をエッチングレートの異なる２層膜により形成し、ウエ
ットエッチの際にエッチングレートの違いによって、遮
光膜のエッジ部の断面をテーパー状に加工することによ
り、配線の下地面の極端な段差がなくなり、断線や段切
れの防止、歩留まりの向上、ＴＦＴ特性の安定化につな
がった。
【図１】本発明の実施例である液晶表示装置の断面図で
ある。
ある。
【図２】従来の液晶表示装置の断面図である。
１０ ガラス基板 １１ Ｃｒ １２ 第１の絶縁膜 １３ 表示電極 １４ ドレインライン １５ ソース電極 １６ ドレイン電極 １７ ａ−Ｓｉ １８ 第２の絶縁膜 １９ ゲートライン ２０ ゲート電極 ２１ ＣｒＮX
Claims (3)
- 【請求項１】 透明な絶縁性基板上に、マトリクス状の
開口部以外の領域に設けられた遮光膜と、該遮光膜を被
覆する絶縁膜と、該絶縁膜上の前記開口部に対応する領
域に設けられた表示電極と、該表示電極の行間に設けら
れたゲートラインと、該表示電極の列間に設けられたド
レインラインと、前記ゲートラインとドレインラインの
交差部に設けられ、前記表示電極に信号を供給する薄膜
トランジスタを有する液晶表示装置であって、 前記遮光膜は、エッジ部の断面がテーパー形状になって
いることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記遮光膜は、その頂上面に前記遮光膜
よりもエッチングレートの早い材料で形成された被覆膜
が設けられていることを特徴とする請求項１記載の液晶
表示装置。 - 【請求項３】 透明な絶縁性基板上に遮光膜を形成する
工程と、該遮光膜上に該遮光膜よりもエッチングレート
の早い材料の被覆膜を形成する工程と、前記遮光膜及び
被覆膜の開口部となる予定の領域をフォトエッチにより
除去する工程と、前記遮光膜及び被覆膜を覆う第１の絶
縁膜を形成する工程と、該第１の絶縁膜上に透明導電材
料により、前記開口部に対応する領域に表示電極、該表
示電極の列間にドレインライン、前記表示電極と一体の
ソース電極、前記ドレインラインと一体のドレイン電極
を形成する工程と、これらの上に半導体層を形成する工
程と、該半導体層上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
該第２の絶縁膜上に導電層を形成する工程と、前記導電
層、前記第２の絶縁膜及び前記半導体層を同一のマスク
でパターニングすることにより、前記ソース電極及び前
記ドレイン電極を覆う半導体層、前記第２の絶縁膜を挟
んで該半導体層に対向して配置されるゲート電極、該ゲ
ート電極と一体のゲートラインを形成する工程を有する
液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21408793A JPH0764111A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21408793A JPH0764111A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0764111A true JPH0764111A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16650020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21408793A Pending JPH0764111A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0764111A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR980010563A (ko) * | 1996-07-24 | 1998-04-30 | 김광호 | 테이퍼 에칭된 Cr 막을 갖는 TFT 액정표시소자 |
| US5783338A (en) * | 1996-02-09 | 1998-07-21 | Lc Electronics Inc. | Method for manufacturing black matrix of active matrix liquid crystal display |
| US6567136B1 (en) | 1998-12-14 | 2003-05-20 | Nec Corporation | Liquid crystal display device |
-
1993
- 1993-08-30 JP JP21408793A patent/JPH0764111A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5783338A (en) * | 1996-02-09 | 1998-07-21 | Lc Electronics Inc. | Method for manufacturing black matrix of active matrix liquid crystal display |
| KR980010563A (ko) * | 1996-07-24 | 1998-04-30 | 김광호 | 테이퍼 에칭된 Cr 막을 갖는 TFT 액정표시소자 |
| US6567136B1 (en) | 1998-12-14 | 2003-05-20 | Nec Corporation | Liquid crystal display device |
| KR100387165B1 (ko) * | 1998-12-14 | 2003-06-11 | 닛뽄덴끼 가부시끼가이샤 | 액정 디스플레이 장치 |
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