KR980010563A - 테이퍼 에칭된 Cr 막을 갖는 TFT 액정표시소자 - Google Patents

Abstract

본 발명은 테이퍼(taper) 에칭된 Cr 막을 갖는 TFT(thin film transister) 액정표시소자(LCD)에 판한 것으로서, 더 상세하게는 게이트 전극, 소오스 전극, 드레인 전극 및 활성층을 형성하는 Cr 막을 경계로 하여 ITO 막이 오픈(open)되는 것을 방지할 수 있도록 Cr 막을 테이퍼 에칭하여 스텝 커버리지(step coverage)를 향상시킨 테이퍼 에칭된 Cr 막을 갖는 TFT 액정표시소자에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은, Cr 막을 게이트 전극이나 소오스 전극 또는 드레인 전극으로 이용하는 TFT LCD에 있어서, 상기 Cr 막의 양단부가 테이퍼(taper) 에칭되어 형성된 것을 특징으로 한다. 이로써, 본 발명에 따른 테이퍼 에칭된 Cr 막을 갖는 TFT LCD는, 게이트 전극, 소오스 전극, 또는 드레인 전극 및 활성층을 이루는 Cr 막의 양단부를 테이퍼 에칭 가공함으로써 ITO 전극의 오픈 현상을 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명은 제품의 신뢰성 및 제반특성을 향상시키는 이점을 제공한다.

Description

테이퍼 에칭된 Cr 막을 갖는 TFT 액정표시소자

본 발명은 테이퍼(taper) 에칭된 Cr 막을 갖는 TFT(thin film transister) 액정표시소자(LCD)에 관한 것으로서, 더 상세하게는 게이트 전극, 소오스 전극, 드레인 전극 및 활성층을 형성하는 Cr 막을 경계로 하여 ITO 막이 오픈(open)되는 것을 방지할 수 있도록 Cr 막을 테이퍼 에칭하여 스텝 커버리지(step coverage)를 향상시킨 테이퍼 에칭된 Cr 막을 갖는 TFT 액정표시소자에 관한 것이다.

일반적으로, TFT 액정표시소자(이하, "LCD"라 약칭한다)의 제조공정에서 화소전극(또는, ITO 전극)이 상부에 위치하는 경우, 게이트 전극, 소오스 전극, 드레인 전극 및 활성층(active layer)등을 형성하는 Cr막의 스텝 커버리지 불량으로 상기 Cr 막을 경계로 하여 상기 ITO 막이 오픈 되는 경우가 발생한다. 이와 같이 ITO 전극과 Cr 막 사이에서 오픈이 발생되는 종래의 구조를 도 1에 나타내 보였다. 도 1을 참조하면, TFT LCD에서 ITO 전극(10)이 상부에 위치하는 구조에서, 기판(20)상에 형성되어 게이트 전극이나 소오스 전극 또는 드레인 전극을 이루는 Cr 막(30)과 ITO 전극(10)이 통상 SiNx로 이루어지는 보호막(40)를 사이에 두고 접속되는데, 이러한 구조는 Cr 막(30), 즉 전극막 위에 화소전극인 ITO 패턴을 크로스(Cross)시키는 공정을 통해 형성된다.

그런데, 상기와 같은 경우, Cr 막(30)의 스텝부(35)에 오픈이 발생하여 TFT LCD에서 하이 픽셀(high Pixel) 불량을 유발시키는 문제점이 있었다. 또한, Cr 막(30)의 스텝 커버리지와 포토 레지스트(PR)의 접착(adhesion) 불량으로 ITO 에칭 공정에서 ITO 전극(10)의 하부층을 따라서 ITO 패턴의 오픈이 발생하는 문제점이 있다. 여기서, 상기 ITO 패턴이 오픈되는 근본원인이 ITO 막 자체에 있다고 알려져 있지만, 다른 원인으로서 스텝부(35)의 경사(slop)가 양호하지 않은 경우에도 발생된다고 알려지고 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 게이트 전극이나 소오스 전극 또는 드레인 전극등을 형성하는 Cr 막의 양단부 스텝의 경사를 양호하게 하여 Cr 막 경계면에서 발생되는 ITO 막의 오픈을 방지하는 테이퍼 에칭된 Cr 막을 갖는 TFT LCD를 제공함에 그 목적이 있다.

도 1 (가), (나)는 종래의 TFT 액정표시소자의 전극구조를 개략적으로 도시한 구성도.

도 2 (가), (나)는 본 발명에 따른 테이퍼 에칭된 Cr 막을 갖는 TFT 액정소자의 전극 구조를 개략적으로 도시한 구성도.

도 3 (가) 내지 (마)는 본 발명의 Cr 막을 테이퍼 가공하는 과정을 보여주는 공정도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

100 : ITO 전극(또는,ITO 막) 200 : 기판

300 : Cr 막 31 : 포토레지스트

350 : 테이퍼부 400 : 보호막

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 테이퍼 에칭된 Cr 막을 갖는 TFT LCD는,Cr 막을 게이트 전극이나 소오스 전극 또는 드레인 전극으로 이용하는 TFT LCD에 있어서, 상기 Cr 막의 양단부가 테이퍼(taper) 에칭되어 형성된 점에 그 특징이 있다.

본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 테이퍼 에칭은 건식(dry) 에칭과 습식(wet) 에칭이 병행되어 이루어지며, 그 에칭 순서는 건식 에칭이 먼저 수행되고 건식 에칭후에 습식 에칭이 수행된다.

이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 테이퍼 에칭된 Cr 막을 갖는 TFT LCD의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.

본 발명에 따른 테이퍼 에칭된 Cr 막을 갖는 TFT LCD는 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 Cr 막의 양단부를 테이퍼 에칭함으로써 상기 TFT LCD의 ITO 전극의 오픈 현상을 방지하는 것으로서, 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 Cr 막(300)과, 상기 Cr 막(300)을 그 위에 형성되게 하는 기판(200)과, 화소전극인 ITO 막(100)과 상기 Cr 막(300)과 ITO 막(100)사이에 개재되어 이들을 접속시키는 SiNx로 된 보호막(400)를 포함하여 이루어져 있다. 여기서, 상기 게이트 전극이나 소오스 전극 또는 드레인 전극을 형성하는 Cr 막(300)의 양단부에는 본 발명의 주요한 특징인 테이퍼부(350)가 형성되어 있는데, 이는 도 3 (가) 내지 (마)에 도시되어 있는 바와 같이 Cr 증착공정, 사진공정, 건식 에칭공정, 습식 에칭공정 및 포토레지스트 제거공정을 통해 용이하게 형성된다.

도 3를 참조하면서 본 발명의 주요한 특징인 Cr 막(300)의 양단부에 테이퍼부(350)를 형성하는 공정을 보다 상세하게 살펴보면 다음과 같다.

먼저, 도 3 (가)와 같이 유리와 같은 재질로 된 기판(200)상에 Cr 막(300)를 증착한다. 기판(200)상에 Cr막(300)이 증착되었으면, 도 3 (나)와 같이 Cr 막(300)의 양단부상에 포토레지스트(310)를 입힌다. 그 다음, 도 3 (다), (라)에 도시되어 있는 바와 같이 건식 에칭과 습식 에칭을 순차적으로 행하여 Cr 막(300)에 테이퍼부(350)를 형성시킨다. Cr 막(300)에 테이퍼부(350)가 형성되었으면, 도 3 (마)와 같이 포토레지스트(310)를 제거하면 본 발명의 주요한 특징인 테이퍼부가 형성된다.

상술한 바와 같은 공정을 통해 도 2에 도시되어 있는 바와 같이 Cr 막(300)의 양단부에 에칭된 테이퍼부(350)를 형성시키면, 스텝 커버리지가 향상되고 보호막(400)의 오버행(overhang)도 향상되어 Cr 막을 경계로 하여 ITO 전극상에서 발생되는 오픈 현상이 방지된다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 테이퍼 에칭된 Cr 막을 갖는 TFT LCD는, 게이트 전극, 소오스 전극, 또는 드레인 전극 및 활성층을 이루는 Cr 막의 양단부를 테이퍼 에칭 가공함으로써 ITO 전극의 오픈현상을 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명은 제품의 신뢰성 및 제반특성을 향상시키는 이점을 제공한다.

Claims (3)

1. Cr 막을 게이트 전극이나 소오스 전극 또는 드레인 전극으로 이용하는 TFT LCD에 있어서, 상기 Cr 막의 양단부가 테이퍼(taper) 에칭되어 형성된 것을 특징으로 하는 테이퍼 에칭된 Cr 막을 갖는 TFT LCD.
2. 제1항에 있어서, 상기 테이퍼 에칭은 건식(dry) 에칭과 습식(wet) 에칭이 병행되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 테이퍼 에칭된 Cr 막을 갖는 TFT LCD.
3. 제2항에 있어서, 상기 건식 에칭이 먼저 수행되고 그 후에 습식 에칭이 수행되는 것을 특징으로 하는 테이퍼 에칭된 Cr 막을 갖는 TFT LCD.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.