TW201445733A - 有機發光顯示裝置 - Google Patents

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Jung-Mi Choi
Young-In Hwang
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

本發明提供一種有機發光顯示裝置。該裝置包含：一有機電致發光元件，其中依序堆疊一畫素電極、一包含一發光層之中間層、以及一陰極電極；一陰極觸點，包含一上部電極及一下部電極，該上部電極接觸該陰極電極，該下部電極係與該畫素電極設置於同一層上以接觸該上部電極；以及一線，與該下部電極設置於同一層上。至少三個陰極觸點設置於與該線交叉之一方向上，且該線設置於陰極觸點之間。

Description

有機發光顯示裝置
本發明之實例性實施例係關於顯示器，更具體而言，係關於一種有機發光顯示裝置及一種製造該有機發光顯示裝置之方法。
在有機發光顯示器中，一有機發光元件之一陰極係作為一共用電極。陰極電壓可自一外部電路施加並在陰極電極之陰極觸點處被接收，以被提供至有機發光顯示器之所有畫素。
一訊號線可藉由一層間介電層而與陰極電極及其陰極觸點絕緣。該層間介電層可接觸該陰極電極。然而，若對訊號線施加一外力，則陰極電極與該訊號線之間可能會發生短路。
根據本發明之一實例性實施例，一種有機發光顯示裝置包含一有機電致發光元件。在該有機電致發光元件中，依序堆疊一畫素電極、一包含一發光層之中間層、以及一陰極電極。至少三個陰極觸點分別包含一上部電極及一下部電極。該上部電極接觸該陰極電極。該下部電極係與該畫素電極設置於同一層上。該下部電極接觸該上部電極。一線與該下部電極設置於同一層上。該等陰極觸點設置於與該線交叉之一方向上。該線 設置於該等陰極觸點其中之二相鄰陰極觸點之間。
該下部電極可包含與該畫素電極設置於同一層上之一第一電極。一第二電極接觸該第一電極及該上部電極。
該畫素電極與該第一電極可分別包含一透明導電性金屬氧化物。該第二電極與該上部電極可分別包含銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、鎢化鉬(MoW)、銅(Cu)、及/或鑭(La)。
該有機發光顯示裝置可更包含一薄膜電晶體。該薄膜電晶體包含一主動層、一閘極、以及一源極及一汲極。該閘極包含一下部閘極及一上部閘極，該下部閘極係與該第一電極設置於同一層上，該上部閘極係與該第二電極設置於同一層上。該源極及該汲極係與該上部閘極設置於同一層上。該源極及該汲極接觸該主動層。
該有機發光顯示裝置可更包含一電容器。該電容器包含一下部電容器電極及一上部電容器電極，該下部電容器係與該主動層設置於同一層上，該上部電容器電極係與該第一電極設置於同一層上。
該有機發光顯示裝置可更包含一層間介電層及一畫素層。該層間介電層設置於該下部電極與該上部電極之間。該畫素層接觸該上部電極之一邊緣區域。該畫素層設置於該層間介電層上。
該線可包含一第一線及一第二線，該第一線係與該畫素電極設置於同一層上，該第二線設置於該第一線上。該第二線接觸該層間介電層。
該上部電極可經由該層間介電層中之一接觸孔接觸該下部電極。
該層間介電層可包含一無機絕緣材料。
該畫素層可包含一有機絕緣材料。
該等陰極觸點可設置於一非顯示區域中。
該等陰極觸點可在與該線交叉之一方向上彼此隔開一狹縫。
該線可包含一全局訊號線。
根據本發明之一實例性實施例，一種製造一有機發光顯示裝置之方法包含形成一第一電極圖案、至少三個第二電極圖案以及一第三電極圖案。該等第二電極圖案分別包含複數個下部電極。該第三電極圖案包含一線。該等第二電極圖案可形成於與該第三電極圖案交叉之一方向上。該第三電極圖案可設置於該等第二電極圖案其中之二相鄰第二電極圖案之間。形成一層間介電層。該層間介電層具有一開口及一接觸孔，該開口暴露出該第一電極圖案之一表面，該接觸孔暴露出各該第二電極圖案之一表面。該層間介電層覆蓋該線。由該第一電極圖案形成一畫素電極。形成一上部電極，該上部電極經由該接觸孔而接觸各該下部電極。形成一畫素層，該畫素層暴露出該畫素電極及暴露出該上部電極之一部分。於該畫素層上形成一陰極電極。該陰極電極接觸該上部電極。
該等下部電極可設置於該有機發光顯示裝置之一非顯示區域中。
該等下部電極可在與該線交叉之一方向上彼此隔開一狹縫。
該線可包含一全局訊號線。
該層間介電層可包含一無機絕緣材料。
該畫素層可包含一有機絕緣材料。
根據本發明之一實例性實施例，一種有機發光顯示裝置包含一有機電致發光元件。該有機電致發光元件包含一畫素電極、一發光層及一陰極電極。複數個陰極觸點分別包含一第一電極及一第二電極。該第一電極接觸該陰極電極。該第二電極與該畫素電極設置於同一層上。該第二電極接觸該第一電極。複數個訊號線與該第二電極設置於同一層上。該等陰極觸點在與該等訊號線交叉之一方向上彼此分離。各該訊號線係設置於該等陰極觸點其中之二相鄰陰極觸點之間。
1‧‧‧有機發光顯示裝置
20‧‧‧發光區域
21‧‧‧畫素電極
23‧‧‧中間層
25‧‧‧陰極電極
27‧‧‧第一電極圖案
30‧‧‧電晶體區域
31‧‧‧主動層
31c‧‧‧通道區域
31d‧‧‧汲極區域
31s‧‧‧源極區域
33‧‧‧下部閘極
34‧‧‧上部閘極
35‧‧‧閘極
37‧‧‧源極
39‧‧‧汲極
40‧‧‧儲存區域
41‧‧‧下部電容器電極
43‧‧‧上部電容器電極
47‧‧‧第四電極圖案
50‧‧‧第二電極圖案
51‧‧‧下部電極
53‧‧‧第一電極
54‧‧‧第二電極
55‧‧‧上部電極
70‧‧‧第三電極圖案
71‧‧‧第一線
72‧‧‧第二線
73‧‧‧線
100‧‧‧基板
101‧‧‧輔助層
102‧‧‧第一絕緣層
103‧‧‧第一導電層
104‧‧‧第二導電層
105‧‧‧第二絕緣層
106‧‧‧第三導電層
107‧‧‧第三絕緣層
110‧‧‧顯示區域
120‧‧‧非顯示區域
150‧‧‧陰極匯流排區域
CCNT‧‧‧陰極觸點
Cst‧‧‧電容器
F‧‧‧局部力
H1‧‧‧第一開口
H2‧‧‧第二開口
H3‧‧‧接觸孔
H4‧‧‧接觸孔
H5‧‧‧第五開口
H6‧‧‧接觸孔
H9‧‧‧第九開口
H10‧‧‧第十開口
TFT‧‧‧薄膜電晶體
Ⅱ-Ⅱ‧‧‧線
藉由結合圖式參照以下詳細說明，可更佳地理解本發明及其諸多伴隨態樣，因而可輕易獲得對本發明及其諸多伴隨優點更完整之理解，在圖式中：第1圖係為本發明一實例性實施例之一有機發光顯示裝置之一結構之平面圖；第2圖係為本發明之一實例性實施例，沿第1圖所示之線Ⅱ-Ⅱ截取之剖視圖；以及第3圖至第9圖係為本發明之一實例性實施例，描繪一種製造第2圖所示一有機發光顯示裝置之過程之剖視圖。
以下，將參照圖式更詳細地闡述本發明之實例性實施例。然而，本發明可以各種不同方式進行潤飾，而不應被視為僅限於本文中所述之實施例。
第1圖係為本發明一實例性實施例之一有機發光顯示裝置1之一結構之平面示意圖。
有機發光顯示裝置1包含：一顯示區域110，其中於一基板100上排列有複數個畫素；以及一非顯示區域120，界定於顯示區域110之一周邊區域中。
基板100可包含一低溫多晶矽(low temperature polysilicon；LTPS，晶態矽)基板、一玻璃基板、或一塑膠基板。
作為用於顯示一影像之基本單元之畫素在顯示區域110中排列成一矩陣形式。分別電性連接至該等畫素之複數條線設置於顯示區域110中。每一畫素可包含一畫素電路，該畫素電路包含至少一個薄膜電晶體TFT及電容器CST以及一有機電致發光元件EL。有機電致發光元件EL具有依序堆疊之一畫素電極、一發光層(emissive layer；EML)、以及一陰極電極，其中該畫素電極連接至一薄膜電晶體TFT。該陰極電極可用作畫素之一共用電極。一陰極電壓經由該陰極電極而供應至各該畫素。
非顯示區域120可包含一陰極匯流排區域150，在陰極匯流排區域150中，陰極觸點CCNT電性連接至顯示區域110之陰極電極。在陰極匯流排區域150中，一陰極電壓自一外部電路經由一陰極觸點CCNT而供應至各該畫素。至少一個陰極匯流排區域150可界定於非顯示區域120之至少一側處。至少一個陰極觸點CCNT可設置於陰極匯流排區域150中。
在本發明之一實例性實施例中，各陰極觸點CCNT係設置於非顯示區域120中，並將一陰極匯流排線電性連接至位於顯示區域110之一外部中之一陰極電極，藉此促進陰極電極與陰極匯流排線間之電性接觸。
一線73可穿過陰極匯流排區域150，且線73可連接至顯示區域110。一電流或電壓可經由線73而傳輸至設置於顯示區域110中之薄膜電晶體TFT或有機電致發光元件EL。線73可係為一全局訊號線。該全局訊號線可由與薄膜電晶體TFT之一閘極相同之材料形成，且該全局訊號線可實質上同時初始化所有畫素、補償一臨限電壓、並控制一同時發光畫素結構中之發光(主動電壓同時發光(simultaneous emission with active voltage；SEAV)、ASEAV、以及源自發發光(source spontaneous emission；SSE))。
基板100可藉由設置於非顯示區域120中之一密封構件而黏著至面向基板100之一封裝基板。設置於非顯示區域120中之吸氧劑(getter)可阻擋來自外界之濕氣。
第2圖係為本發明之一實例性實施例，沿第1圖所示之線Ⅱ-Ⅱ截取之剖視圖。
參照第2圖，有機發光顯示裝置1包含位於顯示區域110中之一發光區域20、一電晶體區域30及一儲存區域40，以及位於非顯示區域120中之陰極匯流排區域150。
有機電致發光元件EL設置於發光區域20中。有機電致發光元件EL包含：一畫素電極21，電性連接至薄膜電晶體TFT之源極37及汲極39其中之一；一陰極電極25，面對畫素電極21；以及一中間層23，設置於畫素電極21與陰極電極25之間。畫素電極21可由一透明導電性金屬氧化物 形成。畫素電極21可在與下部閘極33相同之層上由相同於薄膜電晶體TFT之下部閘極33之材料形成。
薄膜電晶體TFT設置於電晶體區域30中作為一驅動裝置。薄膜電晶體TFT包含一主動層31、一閘極35、以及一源極37及一汲極39。閘極35包含下部閘極33及設置於下部閘極33上之一上部閘極34。下部閘極33可由一透明導電性金屬氧化物形成。一第一絕緣層102係為一閘極絕緣層且設置於閘極35與主動層31之間，且第一絕緣層102使閘極35與主動層31絕緣。摻雜有高密度雜質之源極區域31s及汲極區域31d分別界定於主動層31之二個相對邊緣中。源極區域31s及汲極區域31d分別連接至源極37及汲極39。一通道區域31c設置於源極區域31s與汲極區域31d之間。
電容器Cst設置於儲存區域40中。電容器Cst包含一下部電容器電極41及一上部電容器電極43。第一絕緣層102設置於下部電容器電極41與上部電容器電極43之間。下部電容器電極41可與薄膜電晶體TFT之主動層31設置於同一層上。下部電容器電極41可由一半導體材料形成，且下部電容器電極41可摻雜有雜質以增強導電性。上部電容器電極43可與薄膜電晶體TFT之下部閘極33以及有機電致發光元件EL之畫素電極21設置於同一層上。
將下部電極51電性連接至陰極電極25之陰極觸點CCNT設置於陰極匯流排區域150中。上部電極55可直接接觸陰極電極25，因此，上部電極55可電性連接至陰極電極25。一第二電極54直接接觸第一電極53，但未直接接觸陰極電極25。第二電極54設置於第一電極53上。上部電極55直接接觸陰極電極25，但未直接接觸第一電極53。上部電極55設置於第二電極54上。第一電極53可與薄膜電晶體TFT之下部閘極33、有機電致發光元 件EL之畫素電極21、以及電容器Cst之上部電容器電極43設置於同一層上。第二電極54可與薄膜電晶體TFT之上部閘極34設置於同一層上。上部電極55可與薄膜電晶體TFT之源極37及汲極39設置於同一層上。
與陰極觸點CCNT絕緣之線73設置於陰極匯流排區域150中。線73可設置於陰極觸點CCNT之間。線73可包含：一第一線71，與畫素電極21或第一電極53設置於同一層上；以及一第二線72，設置於第一線71上。第二線72接觸第二絕緣層105。
至少三個陰極觸點CCNT可設置於與線73交叉之一方向上。線73可設置於陰極觸點CCNT之二個相鄰陰極觸點之間。陰極觸點CCNT可在與線73交叉之一方向上彼此隔開一狹縫。每一條線73可設置於二個相鄰陰極觸點CCNT之間。藉此，可導致陰極電極25與線73之間發生短路之一局部力F可得到分散。因此，可防止陰極電極25與線73之間發生短路，進而提高產品可靠性。
第3圖至第9圖係為本發明之一實例性實施例，描繪一種製造第2圖所示一有機發光顯示裝置1之過程之圖式。
如第3圖所示，可於一基板100上形成一輔助層101。基板100可由利用SiO2作為主要成分之透明玻璃形成。然而，本發明之實例性實施例並非僅限於此。舉例而言，基板100可由例如一透明塑膠或金屬等各種材料形成。
可於基板100上設置輔助層101，例如一障壁層、一阻擋層、及/或一緩衝層。輔助層101可防止雜質離子之擴散以及濕氣及外部氣體之滲透，且輔助層101可平坦化基板100之一表面。輔助層101可藉由以下各種沈 積方法由SiO2及/或SiNx形成，例如電漿增強化學氣相沈積(plasma enhanced chemical vapor deposition；PECVD)方法、常壓化學氣相沈積(atmospheric pressure CVD；APCVD)方法、以及低壓化學氣相沈積(low pressure CVD；APCVD)方法。
於輔助層101上形成薄膜電晶體TFT之一主動層31及一下部電容器電極41。可將多晶矽圖案化，以形成主動層31及下部電容器電極41。主動層31及下部電容器電極41皆可包含一半導體及所摻雜之雜質離子。主動層31及下部電容器電極41皆可由一氧化物半導體形成。儘管如第3圖所示，主動層31係與下部電容器電極41分別形成，但主動層31可與下部電容器電極41一體成型。
可於上面已形成有主動層31及下部電容器電極41之基板100之一整個表面上依序形成一第一絕緣層102、一第一導電層103、以及一第二導電層104。
可藉由利用一PECVD方法、一APCVD方法、或一LPCVD方法沈積包含例如SiNx或SiOx之一無機絕緣層而獲得第一絕緣層102。第一絕緣層102可設置於薄膜電晶體TFT之主動層31與閘極35之間，且第一絕緣層102可用作薄膜電晶體TFT之一閘極絕緣層。第一絕緣層102可設置於上部電容器電極43與下部電容器電極41之間，且第一絕緣層102可用作一介電層。
第一導電層103可包含一或多種透明材料，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、及/或氧化銦(In2O3)。第一導電層103此後可被圖案化，以形成畫素電極21、下部閘極33、上部電容器電極43、以及下部電極51之第一電極53。
第二導電層104可包含銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、鎢化鉬(MoW)、銅(Cu)、及/或鑭(La)。第二導電層104可具有一三層結構，例如Mo-Al-Mo或Mo-AlNiLa-Mo。第二導電層104此後可被圖案化，以形成上部閘極34、以及下部電極51之第二電極54。
然而，本發明之實例性實施例並非僅限於此。舉例而言，第一導電層103可包含一所具有之一耐蝕性(corrosion resistance)高於第二導電層104之耐蝕性之材料，且第二導電層104可包含一所具有之一電阻低於第一導電層103之電阻之材料。
如第4圖所示，可將第一導電層103及第二導電層104圖案化，以於基板100上形成閘極35、一第一電極圖案27、一第二電極圖案50、一第三電極圖案70、以及一第四電極圖案47。
閘極35可形成於電晶體區域30中之主動層31上，且閘極35包含下部閘極33以及上部閘極34，下部閘極33被形成為第一導電層103之一部分，上部閘極34被形成為第二導電層104之一部分。
閘極35可對應於主動層31之一中心。可利用閘極35作為一自對準遮罩，將N型雜質或p型雜質摻雜入主動層31中，因此，源極區域31s及汲極區域31d可分別形成於主動層31之與閘極35之二相對側相對應之二相對邊緣處。一通道區域31c形成於源極區域31s與汲極區域31d之間。雜質可包含硼(B)離子或磷(P)離子。
用於在此後形成一畫素電極之第一電極圖案27可形成於發 光區域20中，且用於在此後形成上部電容器電極43之一第四電極圖案47可形成於儲存區域40中之下部電容器電極41上。用於在此後形成第一電極53及第二電極54之至少三個第二電極圖案50可形成於陰極匯流排區域150中。用於形成一線73之一第三電極圖案70可形成於該等第二電極圖案50之間，線73包含一第一線71及一第二線72。
由第三電極圖案70形成之線73可係為一全局訊號線。該全局訊號線可實質上同時初始化所有畫素、補償一臨限電壓、並控制一同時發光畫素結構中之發光(SEAV、ASEAV、及SSE)。
用於形成下部電極51之至少三個第二電極圖案50可形成於與用於形成線73之第三電極圖案70交叉之一方向上。第三電極圖案70可設置於第二電極圖案50之間。第二電極圖案50可在與第二電極圖案50交叉之一方向上彼此隔開一狹縫，且每一第三電極圖案70可設置於二相鄰第二電極圖案50之間。因此，至少三個陰極觸點CCNT(例如，如第2圖所示)可形成於與線73交叉之一方向上。線73可設置於二相鄰陰極觸點CCNT(例如，如第2圖所示)之間。陰極觸點CCNT(例如，如第2圖所示)可在與線73交叉之方向上彼此隔開一狹縫，且每一條線73可設置於二相鄰陰極觸點CCNT(例如，如第2圖所示)之間。藉此，可導致陰極電極25與線73之間發生短路之一局部力F(例如，如第2圖所示)可得到分散。因此，可防止陰極電極25(參見第2圖)與線73之間發生短路，進而提高產品可靠性。
如第5圖所示，於上面已形成有閘極35之基板100之整個表面上沈積一第二絕緣層105。
第二絕緣層105可由相同於第一絕緣層102之一無機絕緣材料形成。第二絕緣層105可於薄膜電晶體TFT之閘極35與源極37及汲極39之 間用作一層間介電層。第二絕緣層105可與線73彼此絕緣。第二絕緣層105可由一無機絕緣材料及/或至少一有機絕緣材料(包含聚醯亞胺、聚醯胺、丙烯酸樹脂、苯並環丁烯、及/或酚系樹脂)形成。一有機絕緣材料層與一無機絕緣材料層可交替形成於一重複圖案中。
如第6圖所示，可將第二絕緣層105圖案化，以形成用於暴露出第一電極圖案27之開口H1及H2、用於暴露出第四電極圖案47之一開口H5、用於暴露出主動層31之源極區域31s及汲極區域31d之部分之接觸孔H3及H4、以及用於暴露出第二電極圖案50之一頂面之複數個接觸孔H6。
第一開口H1及第二開口H2可暴露出第二導電層104之至少構成第一電極圖案27之一上部之一部分。接觸孔H3及H4可分別暴露出源極區域31s及汲極區域31d之部分。第五開口H5可暴露出第二導電層104之至少構成第四電極圖案47之一上部之一部分。接觸孔H6可暴露出第二導電層104之至少構成第五電極圖案50之一上部之一部分。
如第7圖所示，可於基板100之整個表面上沈積第三導電層106，以覆蓋第二絕緣層105。
第三導電層106可由與第一導電層103或第二導電層104之導電材料相同之材料形成，但本發明之實例性實施例並非僅限於此。舉例而言，第三導電層106可由至少一種導電材料形成。第三導電層106可具有足以填充上述接觸孔H3、H4及H6、以及開口H1、H2及H5之一厚度。
如第8圖所示，可將第三導電層106圖案化，以形成源極37及汲極39、以及上部電極55。
源極37及汲極39可經由接觸孔H3及H4而電性連接至源極區 域31s及汲極區域31d中之主動層31。根據本發明一實例性實施例之源極37及汲極39其中之一(例如參考編號為39之汲極)可經由第二開口H2電性連接至畫素電極21，第二開口H2位於形成於畫素電極21上部上之第二導電層104之一邊緣區域上。
上部電極55可經由接觸孔H6而直接接觸下部電極51之第二電極54。
形成源極37及汲極39，並可同時形成畫素電極21及上部電容器電極43。然而，本發明之實例性實施例並非僅限於此。舉例而言，可形成源極37及汲極39，並可接著執行一額外之蝕刻製程來形成畫素電極21及上部電容器電極43。可移除經由第一電極圖案中之第一開口H1而暴露出之第二導電層104，以形成畫素電極21。可移除經由第二電極圖案中之第五開口H5而暴露出之第二導電層104，以形成上部電容器電極43。
因此，畫素電極21、下部閘極33、上部電容器電極43、以及下部電極51之第一電極53可由相同之材料形成於同一層上。上部閘極34及下部電極51之第二電極54可由相同之材料形成於同一層上。
根據本發明之一實例性實施例，n型雜質或p型雜質可經由暴露出上部電容器電極43之上部之開口而注入或摻雜入下部電容器電極41。注入或摻雜入下部電容器電極41之雜質可相同或不同於注入或摻雜入主動層31之雜質。
如第9圖所示，可於基板100上形成一第三絕緣層107。
第三絕緣層107可沈積於上面已形成有畫素電極21、源極37及汲極39、上部電容器電極43、下部電極51、及線73之基板100之一整個表 面上。第三絕緣層107可藉由一旋塗(spin-coating)方法由包含聚醯亞胺、聚醯胺、丙烯酸樹脂、苯並環丁烯、及/或酚系樹脂之至少一種有機絕緣材料形成。第三絕緣層107可包含一無機絕緣材料，例如SiO2、SiNx、Al2O3、CuOx、Tb4O7、Y2O3、Nb2O5、及/或Pr2O3。第三絕緣層107可具有一多層結構，在該多層結構中，一無機絕緣材料層與一有機絕緣材料層交替形成於一重複圖案中。可將第三絕緣層107圖案化，以形成用於暴露出畫素電極21之一部分之一第九開口H9及用於暴露出上部電極55之一部分之一第十開口H10。第三絕緣層107可用作用於界定畫素之一畫素層。第三絕緣層107可接觸畫素電極21及上部電極55之邊緣區域。
再次參照第2圖，可於用於暴露出畫素電極21之第九開口H9上設置包含一發光層(EML)之一中間層23及陰極電極25。
中間層23可具有一單層結構或一多層結構，在該單層或多層結構中，發光層(EML)與一電洞傳輸層(hole transporting layer；HTL)、一電洞注入層(hole injection layer；HIL)、一電子傳輸層(electron transporting layer；ETL)、及一電子注入層(electron injection layer；EIL)中之至少一個功能層彼此堆疊。發光層(EML)可由一相對低分子有機材料或一相對高分子有機材料形成。當發光層(EML)發出紅色光、綠色光、及藍色光時，發光層(EML)可被圖案化成一紅色發光層、一綠色發光層、及一藍色發光層。當有機發光層發出白色光時，發光層(EML)可具有一多層結構，該多層結構包含彼此堆疊之一紅色發光層、一綠色發光層、及一藍色發光層並發出白色光，抑或發光層(EML)可具有一單層(單一層)結構，該單層(單一層)結構包含一紅色發光材料、一綠色發光材料、及一藍色發光材料。
陰極電極25可沈積於基板100之一整個表面上，以形成一共用電極。陰極電極25可經由陰極觸點CCNT中之接觸孔H10而直接接觸上部電極55。
當有機發光顯示裝置1係為朝向基板100顯示一影像之一底部發光型有機發光顯示裝置時，畫素電極21可係為一透明電極，且陰極電極25可係為一反射電極。可藉由於基板100上沈積一薄金屬層而形成該反射電極，該薄金屬層包含具有低功函數之一金屬，例如銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、LiF/Ca或LiF/Al其中之一、或其一組合。
根據本發明之一實例性實施例，可防止陰極電極25與線73之間發生短路。
儘管已參照本發明之實施例實施例具體展示並闡述了本發明，但此項技術中具有通常知識者應理解，在不背離由下文申請專利範圍所界定之本發明之精神及範圍之條件下可對其作出各種形式及細節上之變化。
20‧‧‧發光區域
21‧‧‧畫素電極
23‧‧‧中間層
25‧‧‧陰極電極
30‧‧‧電晶體區域
31‧‧‧主動層
31c‧‧‧通道區域
31d‧‧‧汲極區域
31s‧‧‧源極區域
33‧‧‧下部閘極
34‧‧‧上部閘極
35‧‧‧閘極
37‧‧‧源極
39‧‧‧汲極
40‧‧‧儲存區域
41‧‧‧下部電容器電極
43‧‧‧上部電容器電極
51‧‧‧下部電極
53‧‧‧第一電極
54‧‧‧第二電極
55‧‧‧上部電極
71‧‧‧第一線
72‧‧‧第二線
73‧‧‧線
100‧‧‧基板
101‧‧‧輔助層
102‧‧‧第一絕緣層
105‧‧‧第二絕緣層
107‧‧‧第三絕緣層
110‧‧‧顯示區域
120‧‧‧非顯示區域
150‧‧‧陰極匯流排區域
CCNT‧‧‧陰極觸點
Cst‧‧‧電容器
F‧‧‧局部力
TFT‧‧‧薄膜電晶體

Claims (10)

  1. 一種有機發光顯示裝置，包含：一有機電致發光元件，包含一畫素電極、一發光層及一陰極電極；複數個陰極觸點，各該陰極觸點包含一第一電極及一第二電極，該第一電極接觸該陰極電極，該第二電極係與該畫素電極設置於同一層上且接觸該第一電極；以及複數個訊號線，與該第二電極設置於同一層上，其中該等陰極觸點在與該等訊號線交叉之一方向上彼此分離，且其中該等訊號線係設置於該等陰極觸點其中之二相鄰陰極觸點之間。
  2. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該第二電極包含一第三電極及一第四電極，該第三電極係與該畫素電極設置於同一層上，且該第四電極接觸該第三電極及該第一電極。
  3. 如請求項2所述之有機發光顯示裝置，更包含一薄膜電晶體，該薄膜電晶體包含一主動層、一閘極、以及一源極及一汲極，該閘極包含一下部閘極及一上部閘極，該下部閘極係與該第三電極設置於同一層上，該上部閘極係與該第四電極設置於同一層上，且該源極及該汲極係與該上部閘極設置於同一層上，其中該源極及該汲極接觸該主動層。
  4. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，更包含：一層間介電層，設置於該第二電極與該第一電極之 間；以及一畫素層，接觸該第一電極之一邊緣區域，該畫素層設置於該層間介電層上。
  5. 如請求項4所述之有機發光顯示裝置，其中該等訊號線包含一第一線及一第二線，該第一線係與該畫素電極設置於同一層上，該第二線設置於該第一線上，該第二線接觸該層間介電層。
  6. 如請求項4所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電極經由該層間介電層中之一接觸孔接觸該第二電極。
  7. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該等陰極觸點其中之至少三個陰極觸點設置於該有機發光顯示裝置之一非顯示區域中。
  8. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中至少三個該等陰極觸點係彼此隔開一狹縫。
  9. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該等訊號線包含一全局訊號線。
  10. 一種有機發光顯示裝置，包含：一有機電致發光元件，其中依序堆疊一畫素電極、一包含一發光層之中間層、以及一陰極電極；至少三個陰極觸點，各該至少三個陰極觸點包含一上部電極及一下部電極，該上部電極接觸該陰極電極，該下部電極係與該畫素電極設置於同一層上且接觸該 上部電極；以及一線，與該下部電極設置於同一層上；其中該至少三個陰極觸點設置於與該線交叉之一方向上，且其中該線設置於該至少三個陰極觸點其中之二相鄰陰極觸點之間。
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