JP2007025557A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 デバイスとしての性能及び信頼性を向上することができ、しかも、製造歩留まりの良好な表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 各画素に配置された第１電極と、各画素の第１電極上に配置された光活性層と、光活性層上に配置された複数の画素に共通の第２電極と、を備えた表示素子４０と、第２電極とコンタクトする第１接続端子１２０と、表示素子４０を駆動するのに必要な信号を生成する外部機器とのコンタクトを可能とする第２接続端子１３０と、を備え、第１接続端子１２０と第２接続端子１３０とは、互いに異なる構造を有することを特徴とする。
【選択図】 図１
【解決手段】 各画素に配置された第１電極と、各画素の第１電極上に配置された光活性層と、光活性層上に配置された複数の画素に共通の第２電極と、を備えた表示素子４０と、第２電極とコンタクトする第１接続端子１２０と、表示素子４０を駆動するのに必要な信号を生成する外部機器とのコンタクトを可能とする第２接続端子１３０と、を備え、第１接続端子１２０と第２接続端子１３０とは、互いに異なる構造を有することを特徴とする。
【選択図】 図１
Description
この発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置及びその製造方法に関する。
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光性素子であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機ＥＬ表示装置は、基板上において陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持した有機ＥＬ素子をマトリックス状に配置することにより構成される。
有機ＥＬ素子が配置された基板上には、さらに、陰極とコンタクトする接続端子（第１接続端子）や、外部機器との間で信号のやり取りをするための接続端子（第２接続端子）などが作りこまれている。これらの接続端子は、通常、同一構造を有しているが、それぞれの接続端子は、本来目的の違った電極であり、なおかつ、表示エリア端に配置された第１接続端子と基板端に配置された第２接続端子とが同一構造であると、プロセス上、信頼性上、大きな課題がある。
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、デバイスとしての性能及び信頼性を向上することができ、しかも、製造歩留まりの良好な表示装置及びその製造方法を提供することにある。
この発明の第１の態様による表示装置は、
各画素に配置された第１電極と、各画素の前記第１電極上に配置された光活性層と、前記光活性層上に配置された複数の画素に共通の第２電極と、を備えた表示素子と、
前記第２電極とコンタクトする第１接続端子と、
前記表示素子を駆動するのに必要な信号を生成する外部機器とのコンタクトを可能とする第２接続端子と、を備え、
前記第１接続端子と前記第２接続端子とは、互いに異なる構造を有することを特徴とする。
各画素に配置された第１電極と、各画素の前記第１電極上に配置された光活性層と、前記光活性層上に配置された複数の画素に共通の第２電極と、を備えた表示素子と、
前記第２電極とコンタクトする第１接続端子と、
前記表示素子を駆動するのに必要な信号を生成する外部機器とのコンタクトを可能とする第２接続端子と、を備え、
前記第１接続端子と前記第２接続端子とは、互いに異なる構造を有することを特徴とする。
この発明の第２の態様による表示装置の製造方法は、
各画素に配置された第１電極と、各画素の前記第１電極上に配置された光活性層と、前記光活性層上に配置された複数の画素に共通の第２電極と、を備えた表示素子と、
前記第２電極とコンタクトする第１接続端子と、
前記表示素子を駆動するのに必要な信号を生成する外部機器とのコンタクトを可能とする第２接続端子と、を備えた表示装置の製造方法であって、
画素の行方向に沿った走査線、前記第１接続端子の第１導電層、及び、前記第２接続端子の第１導電層を形成する工程と、
画素の列方向に沿った信号線、前記第１接続端子の第１導電層上に積層した第２導電層、及び、前記第２接続端子の第１導電層上に積層した第２導電層を形成する工程と、
前記第１電極、及び、前記第２接続端子の第２導電層上に積層した第３導電層を形成する工程と、
前記第１接続端子の第２導電層にコンタクトした前記第２電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする。
各画素に配置された第１電極と、各画素の前記第１電極上に配置された光活性層と、前記光活性層上に配置された複数の画素に共通の第２電極と、を備えた表示素子と、
前記第２電極とコンタクトする第１接続端子と、
前記表示素子を駆動するのに必要な信号を生成する外部機器とのコンタクトを可能とする第２接続端子と、を備えた表示装置の製造方法であって、
画素の行方向に沿った走査線、前記第１接続端子の第１導電層、及び、前記第２接続端子の第１導電層を形成する工程と、
画素の列方向に沿った信号線、前記第１接続端子の第１導電層上に積層した第２導電層、及び、前記第２接続端子の第１導電層上に積層した第２導電層を形成する工程と、
前記第１電極、及び、前記第２接続端子の第２導電層上に積層した第３導電層を形成する工程と、
前記第１接続端子の第２導電層にコンタクトした前記第２電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする。
この発明の第３の態様による表示装置の製造方法は、
各画素に配置された第１電極と、各画素の前記第１電極上に配置された光活性層と、前記光活性層上に配置された複数の画素に共通の第２電極と、を備えた表示素子と、
前記第２電極とコンタクトする第１接続端子と、
前記表示素子を駆動するのに必要な信号を生成する外部機器とのコンタクトを可能とする第２接続端子と、を備えた表示装置の製造方法であって、
画素の行方向に沿った走査線、前記第１接続端子の第１導電層、及び、前記第２接続端子の第１導電層を形成する工程と、
画素の列方向に沿った信号線、前記第１接続端子の第１導電層上に積層した第２導電層、及び、前記第２接続端子の第１導電層上に積層した第２導電層をモリブデン／アルミニウム／モリブデンの積層体によって形成する工程と、
前記第１電極、及び、前記第２接続端子の第２導電層上に積層した第３導電層を形成する工程と、
前記第１接続端子の第２導電層の表面に配置されたモリブデンを除去する工程と、
前記第１接続端子の第２導電層にコンタクトした前記第２電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする。
各画素に配置された第１電極と、各画素の前記第１電極上に配置された光活性層と、前記光活性層上に配置された複数の画素に共通の第２電極と、を備えた表示素子と、
前記第２電極とコンタクトする第１接続端子と、
前記表示素子を駆動するのに必要な信号を生成する外部機器とのコンタクトを可能とする第２接続端子と、を備えた表示装置の製造方法であって、
画素の行方向に沿った走査線、前記第１接続端子の第１導電層、及び、前記第２接続端子の第１導電層を形成する工程と、
画素の列方向に沿った信号線、前記第１接続端子の第１導電層上に積層した第２導電層、及び、前記第２接続端子の第１導電層上に積層した第２導電層をモリブデン／アルミニウム／モリブデンの積層体によって形成する工程と、
前記第１電極、及び、前記第２接続端子の第２導電層上に積層した第３導電層を形成する工程と、
前記第１接続端子の第２導電層の表面に配置されたモリブデンを除去する工程と、
前記第１接続端子の第２導電層にコンタクトした前記第２電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする。
この発明の第４の態様によるアレイ基板は、
画素毎に配置された表示素子と、
画素の行方向に沿って配置された走査線と、
画素の列方向に沿って配置された信号線と、
前記信号線と同一材料によって形成された最上層を介して前記表示素子を構成する電極とコンタクトする接続端子と、
を備えたことを特徴とする。
画素毎に配置された表示素子と、
画素の行方向に沿って配置された走査線と、
画素の列方向に沿って配置された信号線と、
前記信号線と同一材料によって形成された最上層を介して前記表示素子を構成する電極とコンタクトする接続端子と、
を備えたことを特徴とする。
この発明によれば、デバイスとしての性能及び信頼性を向上することができ、しかも、製造歩留まりの良好な表示装置及びその製造方法を提供することができる。
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置及びその製造方法について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、画像を表示する表示エリア１０２を有するアレイ基板１００を備えている。表示エリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。
また、アレイ基板１００は、画素ＰＸの行方向（すなわち図１のＡ方向）に沿って配置された複数の走査線Ｙと、走査線Ｙと略直交する列方向（すなわち図１のＢ方向）に沿って配置された複数の信号線Ｘと、有機ＥＬ素子４０の第１電極６０側に電源を供給するための電源供給線Ｐと、を備えている。
各画素ＰＸは、画素回路及び画素回路によって駆動制御される表示素子を備えている。画素回路は、オン画素とオフ画素とを電気的に分離しかつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチ１０と、画素スイッチ１０を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ２０と、駆動トランジスタ２０のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子３０とを有している。これら画素スイッチ１０及び駆動トランジスタ２０は、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により構成され、ここでは、半導体層にポリシリコンを用いている。
表示素子は、自発光素子である有機ＥＬ素子４０によって構成されている。有機ＥＬ素子４０としては、赤色画素に配置され主に赤色波長に対応した光を出射する赤色有機ＥＬ素子、緑色画素に配置され主に緑色波長に対応した光を出射する緑色有機ＥＬ素子、青色画素に配置され主に青色波長に対応した光を出射する青色有機ＥＬ素子がある。
図２に示すように、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性の支持基板１１０上には、アンダーコート層１１２として、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮＸ）層と酸化シリコン（ＳｉＯＸ）層とが順次積層されている。アンダーコート層１１２上には、例えばチャネル及びソース・ドレインが形成されたポリシリコン層である半導体層１１３、例えばＴＥＯＳ（ＴｅｔｒａＥｔｈｙｌ ＯｒｔｈｏＳｉｌｉｃａｔｅ）などを用いて形成されるゲート絶縁膜１１４、及び例えばモリブデン・タングステン（ＭｏＷ）などからなるゲート電極１１５が順次積層されており、それらはトップゲート型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成している。また、ゲート絶縁膜１１４上には、ゲート電極１１５と同一工程で形成可能な走査線が配置されている。
ゲート絶縁膜１１４及びゲート電極１１５は、例えばプラズマＣＶＤ法などにより成膜された酸化シリコン（ＳｉＯＸ）などからなる層間絶縁膜１１７で被覆されている。層間絶縁膜１１７上にはソース・ドレイン電極が配置されており、それらは、例えば窒化シリコン（ＳｉＮＸ）などからなるパッシベーション膜１１８で被覆されている。ソース・ドレイン電極は、例えばモリブデン（Ｍｏ）／アルミニウム（Ａｌ）／モリブデン（Ｍｏ）の三層を積層した積層体によって構成されており、層間絶縁膜１１７に設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴのソース・ドレイン電極にそれぞれ電気的に接続されている。また、層間絶縁膜１１７上には、ソース・ドレイン電極と同一の工程で形成可能な信号線が配置されている。
パッシベーション膜１１８上には、有機ＥＬ素子４０が配置されている。この有機ＥＬ素子４０は、マトリクス状に配置され画素ＰＸ毎に独立島状に配置された第１電極４１と、第１電極４１に対向して配置され全画素ＰＸに共通に配置された第２電極４３と、これら第１電極４１と第２電極４３との間に保持された光活性層として機能する有機活性層４２と、によって構成されている。
有機ＥＬ素子４０を構成する第１電極４１は、パッシベーション膜１１８に設けた貫通孔を介して駆動トランジスタ２０のドレイン電極に接続されている。この第１電極４１は、例えば陽極として機能する。支持基板１１０側から光を取り出す下面発光方式を採用した構成では、この第１電極４１は、例えば、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＳｎＯ２（酸化錫）、Ｉｎ２Ｏ３（酸化インジウム）などの光透過性を有する導電材料によって形成され、特にＩＴＯ、ＩＺＯを用いて形成することが好ましい。
有機活性層４２は、少なくとも発光層を含んでいる。この有機活性層４２は、発光層以外の機能層を含むことができ、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などの機能層を含むことができる。この有機活性層４２は、複数の機能層を複合した単層で構成されても良いし、各機能層を積層した多層構造であっても良い。有機活性層４２においては、発光層が有機系材料であればよく、発光層以外の層は無機系材料でも有機系材料でも構わない。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有した有機化合物によって形成される。
第２電極４３は、各画素の有機活性層４２上に共通に配置される。この第２電極４３は、電子注入機能を有する金属材料によって形成され、陰極として機能する。下面発光方式を採用した構成では、この第２電極４３は、光反射性を有する導電材料を用いて形成され、例えば、カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の金属元素単体、または安定性を向上させるためにそれらを含む２成分あるいは３成分の合金系を用いて形成することが好ましい。合金系材料としては、例えばＡｇ・Ｍｇ（Ａｇ：１〜２０ａｔ％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．３〜１４ａｔ％）、Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０ａｔ％）、Ａｌ・Ｃａ（Ｃａ：５〜２０ａｔ％）等が好ましい。
また、アレイ基板１００は、表示エリア１０２におけるパッシベーション膜１１８上において、少なくとも隣接する画素ＰＸ間を分離する隔壁５０を備えている。この隔壁５０は、各第１電極４１の縁部に沿って重なる格子状またはストライプ状に形成されている。この隔壁５０は、例えば有機形材料によって形成されている。
このような構成のアレイ基板１００は、有機ＥＬ素子４０を備えた主面側が封止体２００によって気密に封止されている。
アレイ基板１００は、図１に示すように、表示エリア１０２の外周に沿った周辺エリア１０４において、第２電極４３とコンタクトする第１接続端子１２０を備えている。また、アレイ基板１００は、周辺エリア１０４の基板端において、有機ＥＬ素子４０を駆動するのに必要な信号を生成する外部機器（例えばフレキシブル配線基板、駆動ＩＣチップなど）とのコンタクトを可能とする複数の第２接続端子１３０を含む端子部１４０を備えている。第１接続端子１２０は、引出線１５０を介して端子部１４０におけるいずれかの第２接続端子１３０に接続されている。
この実施の形態においては、第１接続端子１２０と第２接続端子１３０とは、互いに異なる構造を有している。
すなわち、図３に示すように、第２接続端子１３０は、ゲート絶縁膜１１４上に配置された第１導電層１３１、層間絶縁膜１１７のコンタクトホール１１７Ａを介して第１導電層１３１上に積層された第２導電層１３２、及び、パッシベーション膜１１８のコンタクトホール１１８Ａを介して第２導電層１３２上に積層された第３導電層１３３によって構成されている。
第１導電層１３１は、走査線Ｙ、ゲート電極１１５などと同一材料によって形成されており、この実施の形態では、モリブデン・タングステンによって形成されている。第２導電層１３２は、信号線Ｘ、ソース・ドレイン電極などと同一材料によって形成されており、この実施の形態では、モリブデン／アルミニウム／モリブデンの積層体によって形成されている。第３導電層１３３は、第１電極４１などと同一材料によって形成されており、この実施の形態では、ＩＴＯによって形成されている。この第３導電層１３３は、異方性導電膜などを介して外部機器とコンタクトする最上層に相当する。
図４に示すように、第１接続端子１２０は、ゲート絶縁膜１１４上に配置された第１導電層１２１、及び、層間絶縁膜１１７のコンタクトホール１１７Ａを介して第１導電層１２１上に積層された第２導電層１２２によって構成されている。
第１導電層１２１は、走査線Ｙ、ゲート電極１１５などと同一材料によって形成されており、この実施の形態では、モリブデン・タングステンによって形成されている。第２導電層１２２は、信号線Ｘ、ソース・ドレイン電極などと同一材料によって形成されており、この実施の形態では、モリブデン／アルミニウム／モリブデンの積層体によって形成されている。この第２導電層１２２は、パッシベーション膜１１８のコンタクトホール１１８Ａを介して第２電極４３と直接コンタクトする最上層に相当する。
つまり、第１接続端子１２０と第２接続端子１３０とは、それぞれの目的に対応した電極構造をとるように構成されている。
第１接続端子１２０については、第２電極４３と直接コンタクトするため、第２電極４３を形成する金属材料との相性を重視する必要がある。第２電極４３を形成するための金属材料としてアルミニウムを適用した場合、第１接続端子１２０を図３に示した第２接続端子１３０と同一構造にすると、アルミニウムと第３導電層を形成するＩＴＯとが直接コンタクトすることになる。これらの金属材料間では酸化還元反応が進行しやすく、コンタクト不良を招くおそれがある。
このため、この実施の形態では、第１接続端子１２０は、モリブデン／アルミニウム／モリブデンの積層体からなる第２導電層１２２を最上層とし（厳密には積層体のうちのモリブデン層を最上層とし）、第２電極（アルミニウム）４３とコンタクトしている。モリブデンとアルミニウムとの間では化学反応が進行せず安定した状態を維持することができ、第１接続端子１２０と第２電極４３との間でのコンタクト不良を抑制することができ、信頼性を向上することが可能となるとともに製造歩留まりを改善することが可能となる。
第２接続端子１３０については、外部機器とコンタクトするため、外部機器との圧着工程や必要に応じて行われる外部機器のリペア工程に耐え得る性能が要求される。第２接続端子１３０を図４に示した第１接続端子１２０と同一構造にすると、外部機器と第２導電層とがコンタクトすることになる。モリブデン／アルミニウム／モリブデンの積層体からなる第２導電層は、十分な強度を有しておらず、外部機器を第２接続端子１３０に圧着した際に破損したり、また、先に圧着した外部機器を剥がしてリペアする際に第２接続端子１３０の一部も剥がれてしまったりするおそれがある。
このため、この実施の形態では、第２接続端子１３０は、ＩＴＯからなる第３導電層１３３を最上層とし、外部機器とコンタクトしている。ＩＴＯは十分な強度を有しており、外部機器との圧着工程や外部機器のリペア工程に耐え、デバイスとしての性能及び信頼性を向上することが可能となるとともに製造歩留まりを改善することが可能となる。
次に、上述したような構成の表示装置の製造方法について説明する。
まず、図５Ａに示すように、支持基板１１０上にアンダーコート層１１２、ＴＦＴの半導体層１１３、ゲート絶縁膜１１４を形成した後に、モリブデン・タングステンをパターン化する。これにより、走査線と一体のゲート電極１１５、第１接続端子１２０の第１導電層１２１、及び、第２接続端子１３０の第１導電層１３１を形成する。
続いて、図５Ｂに示すように、層間絶縁膜１１７を形成した後に、モリブデン、アルミニウム、モリブデンを順次積層して積層体を形成し、この積層体をパターン化する。これにより、層間絶縁膜１１７のコンタクトホール１１７Ａを介して、半導体層１１３にコンタクトし信号線と一体のソース電極Ｓ、半導体層１１３にコンタクトしたドレイン電極Ｄ、第１接続端子１２０の第１導電層１２１上に積層した第２導電層１２２、及び、第２接続端子１３０の第１導電層１３１上に積層した第２導電層１３２を形成する。
続いて、図５Ｃに示すように、パッシベーション膜１１８を形成した後に、ＩＴＯをパターン化する。これにより、パッシベーション膜１１８のコンタクトホール１１８Ａを介して、ドレイン電極Ｄにコンタクトした第１電極４１、及び、第２接続端子１３０の第２導電層１３２上に積層した第３導電層１３３を形成する。
続いて、図５Ｄに示すように、各画素を区画するように隔壁５０を形成し、第１電極４１上に有機活性層４２を形成した後に、アルミニウムをパターン化する。これにより、第１接続端子１２０の第２導電層１２２にコンタクトした全画素に共通の第２電極４３を形成する。
上述したような製造方法で製造した有機ＥＬ表示装置によれば、第２電極４３と第１接続端子１２０との間でのコンタクト不良を抑制することができ、また、十分な強度を有した第２接続端子１３０を構成することができた。
次に、上述した実施の形態の変形例について説明する。
第１接続端子１２０については、第２導電層１２２は、第２電極４３とコンタクトするまでの間、最上層として特にモリブデン層が露出している。モリブデンの酸化物は、水溶性であり、しかも、導電性を有している。このため、モリブデン層が露出している間の洗浄工程において、モリブデン酸化物が溶け出し、絶縁性を確保すべき箇所（異なる信号が供給される配線間や電極間など）に付着すると、ショートを発生するおそれがある。
そこで、この変形例においては、第２導電層１２２を形成した後に、最表面のモリブデン層を除去し、第２導電層１２２のアルミニウム層と第２電極４３とをコンタクトさせている。
すなわち、変形例に係る表示装置の製造方法については、先に図５Ａ乃至図５Ｃを参照して説明したのと同様に、モリブデン・タングステンをパターン化することにより、走査線Ｙ、ゲート電極１１５、第１接続端子１２０の第１導電層１２１、及び、第２接続端子１３０の第１導電層１３１を形成し、モリブデン／アルミニウム／モリブデンの積層体をパターン化することにより、信号線Ｘ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、第１接続端子１２０の第２導電層１２２、及び、第２接続端子１３０の第２導電層１３２を形成し、ＩＴＯをパターン化することにより、第１電極４１、及び、第２接続端子１３０の第３導電層１３３を形成する。
その後に、図６Ａに示すように、第１接続端子１２０の第２導電層１２２の表面に配置されたモリブデン層を除去する。すなわち、第２導電層１２２は、第１導電層１２１側からモリブデン層１２２Ａ、アルミニウム層１２２Ｂ、及び、モリブデン層１２２Ｃが順次積層されている。このような第２導電層１２２について、パッシベーション膜１１８をマスクとして反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などのドライエッチング処理を施し、コンタクトホール１１８Ａから露出したモリブデン層１２２Ｃを除去する。なお、このとき、第２接続端子１３０の第２導電層１３２は第３導電層１３３によって覆われており、また、信号線Ｘ、ＴＦＴのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、パッシベーション膜１１８によって覆われており、ドライエッチング処理の影響を受けない。
この実施の形態においては、最上層のモリブデン層１２２Ｃの膜厚は、５０ｎｍである。露出しているＩＴＯやパッシベーション膜１１８へのダメージを最小限に抑えるために、ここでは、ソースパワーを２５００Ｗ、バイアスパワーを１００Ｗ、圧力３０Ｐａ、ガス流量ＳＦ６：５５０ｓｃｃｍ、Ｏ２：２５０ｓｃｃｍの条件を採用した。これにより、最上層のモリブデン層１２２Ｃを選択的に除去することができた。
続いて、表示エリア１０２について有機活性層４２を形成した後、図６Ｂに示すように、第１接続端子１２０の第２導電層１２２にコンタクトした第２電極４３を形成する。すなわち、アルミニウムをパターン化することにより形成された第２電極４３は、第２導電層１２２のアルミニウム層１２２Ｂとコンタクトする。つまり、第1接続端子１２０は、第２電極４３の主成分を含む金属材料（ここではアルミニウム）によって形成された最上層（つまりアルミニウム層１２２Ｂ）を介して第２電極４３とコンタクトする。これにより、先に説明した実施の形態よりもさらにデバイスとしての信頼性を向上することが可能となった。
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
上述した実施の形態においては、信号線や第２導電層を形成する金属材料として、モリブデン／アルミニウム／モリブデンの積層体を採用した例について説明したが、チタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／チタン（Ｔｉ）の三層を積層した積層体を採用しても良いし、モリブデン層またはチタン層に挟持されるアルミニウムに代えて、ＡｌＮｄ合金などのアルミニウム系合金を用いても同等の性能が得られる。
１…有機ＥＬ表示装置、１０…画素スイッチ、２０…駆動トランジスタ、３０…蓄積容量素子、４０…有機ＥＬ素子、４１…第１電極、４２…有機活性層（光活性層）、４３…第２電極、５０…隔壁、１００…アレイ基板、１２０…第１接続端子、１２１…第１導電層、１２２…第２導電層、１３０…第２接続端子、１３１…第１導電層、１３２…第２導電層、１３３…第３導電層、ＰＸ…画素、２００…封止体
Claims (8)
- 各画素に配置された第１電極と、各画素の前記第１電極上に配置された光活性層と、前記光活性層上に配置された複数の画素に共通の第２電極と、を備えた表示素子と、
前記第２電極とコンタクトする第１接続端子と、
前記表示素子を駆動するのに必要な信号を生成する外部機器とのコンタクトを可能とする第２接続端子と、を備え、
前記第１接続端子と前記第２接続端子とは、互いに異なる構造を有することを特徴とする表示装置。 - さらに、画素の行方向に沿って配置された走査線と、画素の列方向に沿って配置された信号線と、を備え、
前記第１接続端子は、前記信号線と同一材料によって形成された最上層を介して前記第２電極とコンタクトすることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 前記第２接続端子は、前記第１電極と同一材料によって形成された最上層を介して外部機器とコンタクトすることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記第1接続端子は、前記第２電極の主成分を含む金属材料によって形成された最上層を介して前記第２電極とコンタクトすることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- さらに、画素の行方向に沿って配置された走査線と、画素の列方向に沿って配置されモリブデン／アルミニウム／モリブデンの積層体によって構成された信号線と、を備え、
前記第1接続端子は、前記信号線を構成するアルミニウムによって形成された最上層を介して前記第２電極とコンタクトすることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 各画素に配置された第１電極と、各画素の前記第１電極上に配置された光活性層と、前記光活性層上に配置された複数の画素に共通の第２電極と、を備えた表示素子と、
前記第２電極とコンタクトする第１接続端子と、
前記表示素子を駆動するのに必要な信号を生成する外部機器とのコンタクトを可能とする第２接続端子と、を備えた表示装置の製造方法であって、
画素の行方向に沿った走査線、前記第１接続端子の第１導電層、及び、前記第２接続端子の第１導電層を形成する工程と、
画素の列方向に沿った信号線、前記第１接続端子の第１導電層上に積層した第２導電層、及び、前記第２接続端子の第１導電層上に積層した第２導電層を形成する工程と、
前記第１電極、及び、前記第２接続端子の第２導電層上に積層した第３導電層を形成する工程と、
前記第１接続端子の第２導電層にコンタクトした前記第２電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 各画素に配置された第１電極と、各画素の前記第１電極上に配置された光活性層と、前記光活性層上に配置された複数の画素に共通の第２電極と、を備えた表示素子と、
前記第２電極とコンタクトする第１接続端子と、
前記表示素子を駆動するのに必要な信号を生成する外部機器とのコンタクトを可能とする第２接続端子と、を備えた表示装置の製造方法であって、
画素の行方向に沿った走査線、前記第１接続端子の第１導電層、及び、前記第２接続端子の第１導電層を形成する工程と、
画素の列方向に沿った信号線、前記第１接続端子の第１導電層上に積層した第２導電層、及び、前記第２接続端子の第１導電層上に積層した第２導電層をモリブデン／アルミニウム／モリブデンの積層体によって形成する工程と、
前記第１電極、及び、前記第２接続端子の第２導電層上に積層した第３導電層を形成する工程と、
前記第１接続端子の第２導電層の表面に配置されたモリブデンを除去する工程と、
前記第１接続端子の第２導電層にコンタクトした前記第２電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 画素毎に配置された表示素子と、
画素の行方向に沿って配置された走査線と、
画素の列方向に沿って配置された信号線と、
前記信号線と同一材料によって形成された最上層を介して前記表示素子を構成する電極とコンタクトする接続端子と、
を備えたことを特徴とするアレイ基板。
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