WO2020202349A1

WO2020202349A1 - 表示装置およびその製造方法

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Publication number: WO2020202349A1
Application number: PCT/JP2019/014256
Authority: WO
Inventors: 貴翁斉藤; 昌彦三輪; 雅貴山中; 屹孫; 庸輔神崎
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2019-03-29
Filing date: 2019-03-29
Publication date: 2020-10-08
Also published as: US20220173202A1; CN113615319A; CN113615319B

Abstract

樹脂基板層（１５）上に設けられたＴＦＴ層（１７）は、第１の無機絶縁膜（２４）と、第１の無機絶縁膜上に設けられた第２の無機絶縁膜（３６）と、第２の無機絶縁膜上に設けられた引き出し配線（７）とを有し、額縁領域（Ｆ）の折り曲げ部（Ｂ）において、ＴＦＴ層に設けられたスリット（８１）は、第１の無機絶縁膜に形成された第１のスリット（８３）と、第１のスリットよりも広い幅で第２の無機絶縁膜に形成された第２のスリット（６５）とで構成され、第２のスリットの内側で第１のスリットの幅方向における両側に設けられた段部（９１）には、島状の凸部（９３）が設けられ、引き出し配線は、凸部の周端面を覆い、且つ凸部の上面を露出させる開口（９７）を有している。

Description

表示装置およびその製造方法

　本開示の技術は、表示装置およびその製造方法に関する。

　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence、以下「ＥＬ」と称する）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置としては、可撓性を有する樹脂基板上に薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」と称する）や有機ＥＬ素子が設けられたフレキシブルな有機ＥＬ表示装置が提案されている。

　有機ＥＬ表示装置には、画像表示を行う表示領域と、その表示領域の周囲に位置する額縁領域とが設けられている。そして、有機ＥＬ表示装置においては、額縁領域を縮小することが要望されている。フレキシブルな有機ＥＬ表示装置では、平面視における額縁領域の占有面積を小さくするために、端子部側の額縁領域を折り曲げることがなされている。

　このような有機ＥＬ表示装置では、額縁領域の折り曲げ部に生じる曲げ応力を緩和するために、その折り曲げ部における無機絶縁層が除去されていることがある。例えば、特許文献１に開示の有機ＥＬ表示装置では、折り曲げ部にて無機絶縁層を除去してなるスリット内において、折り曲げ部の厚さを複数の段差を介して段階的に減少させることで、配線の断線を生じにくくしている。

特開２０１８－７８０５７号公報

　特許文献１に開示された有機ＥＬ表示装置では、引き出し配線が表示領域側から折り曲げ部で複数の段差を経て端子部にまで引き出されている。このため、引き出し配線は、隣り合う段差の間にある段部において、一方の段差と他方の段差に形成された配線部分に生じる応力により両側に引っ張られ、それに起因して引き出し配線の特定部位に応力が集中することで断線を生じたり剥がれたりするおそれがある。

　本開示の技術は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、表示装置の折り曲げ部において、引き出し配線に断線および剥がれが生じるのを抑制することにある。

　本開示の技術は、可撓性を有する樹脂基板と、樹脂基板上に設けられたＴＦＴ層とを備える表示装置を対象とする。

　ＴＦＴ層は、複数のＴＦＴを含む。このＴＦＴ層は、無機絶縁層を含む第１の無機絶縁膜と、第１の無機絶縁膜上に設けられた無機絶縁層を含む第２の無機絶縁膜と、第２の無機絶縁膜上に設けられた引き出し配線とを有している。

　表示装置には、ＴＦＴの動作により画像表示を行う表示領域と、表示領域の周囲に位置する額縁領域とが設けられている。額縁領域は、第１の方向に延びる折り曲げ軸周りに折り曲げられる折り曲げ部を有している。この折り曲げ部において、ＴＦＴ層には、第１の方向に延びるスリットが設けられている。

　スリットは、第１の無機絶縁膜に形成された第１のスリットと、第１のスリットよりも広い幅で第２の無機絶縁膜に形成された第２のスリットとによって構成されている。第１の無機絶縁膜のうち第１のスリットの幅方向における両側の部分は、第２のスリットの内側で第２の無機絶縁膜から露出する段部を構成している。スリット内の段部には、島状の凸部が設けられている。

　引き出し配線は、ＴＦＴに電気的に接続されている。この引き出し配線は、折り曲げ軸が延びる第１の方向と交差する第２の方向におけるスリットの一方側から他方側にかけて段部を経て延びている。そして、当該引き出し配線は、スリット内の段部に設けられた凸部の周端面を覆い、且つ当該凸部の上面を露出させる開口を有している。

　上記表示装置によれば、折り曲げ部に設けたスリット内の段部に凸部を設け、スリットを横断する引き出し配線を、凸部の周端面を覆い且つ凸部の上面を露出させる開口を有する態様で設けるようにしたので、段部における引き出し配線の密着性を向上させることができると共に、引き出し配線が一方の段差と他方の段差に形成された当該配線部分に生じる応力により両側に引っ張られても、引き出し配線の特定部位に応力が集中するのを緩和できる。それにより、表示装置の折り曲げ部において、引き出し配線に断線および剥がれが生じるのを抑制することができる。

図１は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。図２は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の表示領域の構成を示す平面図である。図３は、図２のIII－III線における有機ＥＬ表示装置の断面図である。図４は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置を構成するＴＦＴ層の一部の等価回路図である。図５は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層の積層構造を示す断面図である。図６は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の折り曲げ部およびその周辺の構成を示す平面図である。図７は、図６のVII－VII線における有機ＥＬ表示装置の折り曲げ部およびその周辺の断面図である。図８は、図６のVIII－VIII線における有機ＥＬ表示装置の折り曲げ部およびその周辺の断面図である。図９は、図６のIX－IX線における有機ＥＬ表示装置の折り曲げ部の要部を示す断面図である。図１０は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法の概略的なフロー図である。図１１は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造においてゲート導電層を形成した状態を示す図８に相当する箇所の断面図である。図１２は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造において第２の層間絶縁層を形成した状態を示す図８に相当する箇所の断面図である。図１３は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造において溝状凹部を形成するときの様子を示す図８に相当する箇所の断面図である。図１４は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造において溝状凹部を形成した状態を示す図８に相当する箇所の断面図である。図１５は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造においてスリットを形成するときの様子を示す図８に相当する箇所の断面図である。図１６は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造においてスリットを形成した状態を示す図８に相当する箇所の断面図である。図１７は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造においてソース導電層を形成した状態を示す図８に相当する箇所の断面図である。図１８は、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の折り曲げ部およびその周辺の構成を示す平面図である。図１９は、図１８のXIX－XIX線における有機ＥＬ表示装置の折り曲げ部およびその周辺の断面図である。図２０は、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法の概略的なフロー図である。図２１は、変形例１の有機ＥＬ表示装置の図９に相当する箇所の断面図である。図２２は、変形例２の有機ＥＬ表示装置の図９に相当する箇所の断面図である。図２３は、変形例３の有機ＥＬ表示装置の図９に相当する箇所の断面図である。

　以下、例示的な実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。

　なお、以下の実施形態では、或る膜や層、素子などの構成要素の上にその他の膜や層、素子などの構成要素が設けられている、または形成されているとする記載は、或る構成要素の直上にその他の構成要素が存在する場合のみを意味するのではなく、それら両構成要素の間に、それら以外の膜や層、素子などの構成要素が介在されている場合をも含む。

　また、以下の実施形態では、或る膜や層、素子などの構成要素がその他の膜や層、素子などの構成要素に接続されているとする記載は、特に断らない限り電気的に接続されていることを意味し、本開示の技術の趣旨を逸脱しない範囲において、直接的な接続を意味する場合のみならず、それら以外の膜や層、素子などの構成要素を介した間接的な接続を意味する場合をも含み、或る構成要素に他の構成要素が一体化されている、つまり在る構成要素の一部が他の構成要素を構成している場合をも含み得る。

　また、以下の実施形態では、「同層」との記載は、比較対象の膜や層と同一プロセスにて形成されていることを意味し、「下層」との記載は、比較対象の膜や層、素子よりも先のプロセスにて形成されていることを意味し、「上層」との記載は、比較対象の膜や層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。

　《第１の実施形態》
　　〈有機ＥＬ表示装置の構成〉
　図１は、この第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の概略構成を示す平面図である。図２は、この第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の表示領域Ｄの構成を示す平面図である。図３は、図２のIII－III線における有機ＥＬ表示装置１の断面図である。図４は、この第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１を構成するＴＦＴ層１７の一部の等価回路図である。

　　－有機ＥＬ表示装置の概略構成－
　有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に位置する額縁領域Ｆとを備えている。

　表示領域Ｄは、画面を構成する矩形状の領域であって、図２に示すように、複数の画素３によって構成されている。これら複数の画素３は、例えばマトリクス状に配列されている。各画素３は、例えば、赤色の発光を行うサブ画素５ｒ、緑色の発光を行うサブ画素５ｇ、青色の発光を行うサブ画素５ｂからなる３色のサブ画素５を含んで構成されている。これら３色のサブ画素５ｒ，５ｇ，５ｂは、例えばストライプ状に配置されている。

　ここで、この第１の実施形態では、矩形状の表示領域Ｄを例示したが、ここでいう「矩形状」には、例えば、矩形の辺が円弧状になった形状、矩形の角部が円弧状になった形状、矩形の辺の一部に切欠きがある形状などの略矩形状も含まれる。

　額縁領域Ｆは、画面以外の非表示部分を構成する矩形枠状の領域である。額縁領域Ｆの一辺を構成する部分には、外部回路と接続するための端子部Ｔが設けられている。額縁領域Ｆは、表示領域Ｄと端子部Ｔとの間に、図１中で横方向である第１の方向Ｘに延びる折り曲げ軸Ａ周りに折り曲げられる折り曲げ部Ｂを有している。

　端子部Ｔは、額縁領域Ｆが折り曲げ部Ｂで例えば１８０°（Ｕ字状）に折り曲げられることにより、有機ＥＬ表示装置１の裏側に配置される。端子部Ｔは、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの配線基板と接続される。額縁領域Ｆには、表示領域Ｄから端子部Ｔに引き出された複数の引き出し配線７が設けられている。

　額縁領域Ｆにおいて、端子部Ｔが設けられた辺と隣り合う辺（図１で左右の各辺）を構成する部分には、図示しないが、ゲートドライバやエミッションドライバなどを含む駆動回路がモノリシックに設けられている。この駆動回路からも端子部Ｔに向けて引き出し配線７が引き出されている。また、額縁領域Ｆには、表示領域Ｄを囲むように図示しないローレベル電源配線が設けられている。ローレベル電源配線も、端子部Ｔに向けて引き出されて、引き出し配線７を構成している。

　端子部Ｔには、額縁領域Ｆに設けられた引き出し配線７との導通をとるための複数の配線端子１３が所定のパターンで設けられている。有機ＥＬ表示装置１は、これら複数の配線端子１３により配線基板を介してハイレベル電圧電源（ＥＬＶＤＤ）やローレベル電圧電源（ＥＬＶＳＳ）、表示制御回路に接続されている。

　有機ＥＬ表示装置１は、個々のサブ画素５での発光をＴＦＴ６９により制御し、ＴＦＴ６９の動作により画像表示を行うアクティブマトリクス駆動方式を採用している。この有機ＥＬ表示装置１は、図３に示すように、樹脂基板層１５と、樹脂基板層１５上に設けられたＴＦＴ層１７と、ＴＦＴ層１７上に設けられた発光素子層１９と、発光素子層１９上に設けられた封止膜２１とを備えている。

　　－樹脂基板層の構成－
　樹脂基板層１５は、例えば、厚さ１０μｍ～２０μｍ程度の樹脂基板であって、可撓性を有している。この樹脂基板層１５は、例えば、ポリイミド樹脂やポリアミド樹脂、エポキシ樹脂などの有機材料によって形成されている。当該樹脂基板層１５は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）や窒化シリコン（ＳｉＮｙ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ、ｙは正数、以下同じ）などの無機材料からなる無機絶縁層と上記樹脂層との積層膜により構成されていてもよい。

　　－ＴＦＴ層の構成－
　ＴＦＴ層１７は、樹脂基板層１５上に順に設けられた、ベースコート層２３と、半導体層２５と、ゲート絶縁層２７と、ゲート導電層２９と、第１の層間絶縁層３１と、中間導電層３３と、第２の層間絶縁層３５と、ソース導電層３７と、平坦化層３９とを備えている。ベースコート層２３は、第１の無機絶縁膜２４を構成している。ゲート絶縁層２７、第１の層間絶縁層３１および第２の層間絶縁層３５は、第２の無機絶縁膜３６を構成している。

　ベースコート層２３は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｙ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）などからなる無機絶縁層の単層膜または積層膜によって構成されている。ベースコート層２３の厚さは、例えば１μｍ程度である。

　半導体層２５は、島状に設けられている。半導体層２５は、例えば、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Low Temperature Polycrystalline Silicon）やＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系などの酸化物半導体などによって形成されている。半導体層２５の厚さは、例えば４０ｎｍ程度である。

　ゲート絶縁層２７は、半導体層２５を覆うように設けられている。ゲート絶縁層２７は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｙ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）などからなる無機絶縁層の単層膜または積層膜によって構成されている。

　ゲート導電層２９は、複数のゲート配線４３、複数のゲート電極４５、複数のエミッション制御配線４７、複数の第１の容量電極４９および複数の第１の引き出し配線７ａを含んでいる。すなわち、これらゲート配線４３、ゲート電極４５、エミッション制御配線４７、第１の容量電極４９、第１の引き出し配線７ａは、同一層に同一材料によって形成されている。ゲート配線４３、ゲート電極４５、エミッション制御配線４７、第１の容量電極４９および第１の引き出し配線７ａの厚さは、例えば２００ｎｍ～３００ｎｍ程度である。

　ゲート配線４３、ゲート電極４５、エミッション制御配線４７、第１の容量電極４９および第１の引き出し配線７ａは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）などからなる金属層の単層膜または積層膜によって構成されている。ゲート配線４３、エミッション制御配線４７および第１の引き出し配線７ａは、第１の配線の一例である。

　第１の層間絶縁層３１は、ゲート配線４３、ゲート電極４５、エミッション制御配線４７および第１の容量電極４９を覆うように設けられている。第１の層間絶縁層３１は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｙ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）などからなる無機絶縁膜の単層膜または積層膜によって構成されている。第１の層間絶縁層３１の厚さは、例えば１００ｎｍ程度である。

　中間導電層３３は、複数の初期化電源配線５３および複数の第２の容量電極５５を含んでいる。これら初期化電源配線５３および第２の容量電極５５は、同一層に同一材料によって形成されている。初期化電源配線５３および第２の容量電極５５は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）などからなる金属層の単層膜または積層膜によって構成されている。初期化電源配線５３は、第２の配線の一例である。

　第２の層間絶縁層３５は、第１の層間絶縁層３１上で初期化電源配線５３および第２の容量電極５５を覆うように設けられている。第２の層間絶縁層３５は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｙ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）などからなる無機絶縁膜の単層膜または積層膜によって構成されている。第２の層間絶縁層３５の厚さは、例えば５００ｎｍ程度である。

　ソース導電層３７は、複数のソース配線５９、複数のソース電極６１、複数のドレイン電極６３、複数のハイレベル電源配線６５、ローレベル電源配線、複数の第２の引き出し配線７ｂを含んでいる。これらソース配線５９、ソース電極６１、ドレイン電極６３、ハイレベル電源配線６５、ローレベル電源配線および第２の引き出し配線７ｂは、同一層に同一材料によって形成されている。ソース配線５９、ソース電極６１、ドレイン電極６３、ハイレベル電源配線６５、ローレベル電源配線および第２の引き出し配線７ｂの厚さは、例えば６００ｎｍ～７００ｎｍ程度である。

　ソース配線５９、ソース電極６１、ドレイン電極６３、ハイレベル電源配線６５、ローレベル電源配線および第２の引き出し配線７ｂは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）などからなる金属層の単層膜または積層膜によって構成されている。ソース配線５９、ハイレベル電源配線６５、ローレベル電源配線および第２の引き出し配線７ｂは、第３の配線の一例である。

　　－表示用配線の構成－
　複数のゲート配線４３は、表示領域Ｄに設けられ、第１の方向Ｘに互いに平行に延びている。ゲート配線４３は、ゲート信号を伝達する配線であって、サブ画素５の行毎に設けられている。各ゲート配線４３は、駆動回路に含まれるゲートドライバに接続され、所定のタイミングで順に選択されて活性状態となる。

　複数のエミッション制御配線４７は、表示領域Ｄに設けられ、第１の方向Ｘに互いに平行に延びている。エミッション制御配線４７は、エミッション制御信号を伝達する配線であって、サブ画素５の行毎に設けられている。各エミッション制御配線４７は、駆動回路に含まれるエミッションドライバに接続され、所定のタイミングで順に選択されて非活性状態となる。

　複数の初期化電源配線５３は、表示領域Ｄに設けられ、第１の方向Ｘに互いに平行に延びている。初期化電源配線５３は、初期化電位を付与する配線であって、サブ画素５の行毎に設けられている。各初期化電源配線５３は、引き出し配線７として表示領域Ｄから端子部Ｔにまで引き出され、端子部Ｔにて配線基板を介して初期化電圧電源と接続されている。

　複数のソース配線５９は、表示領域Ｄに設けられ、第１の方向Ｘと直交する図１中で縦方向である第２の方向Ｙに互いに平行に延びている。ソース配線５９は、ソース信号を伝達する配線であって、サブ画素５の列毎に設けられている。各ソース配線５９は、引き出し配線７として表示領域Ｄから端子部Ｔにまで引き出され、端子部Ｔにて配線基板を介して表示制御回路に接続される。

　複数のハイレベル電源配線６５は、表示領域Ｄに設けられ、第２の方向Ｙに互いに平行に延びている。ハイレベル電源配線６５は、所定のハイレベル電位を付与する配線であって、サブ画素５の列毎に設けられている。各ハイレベル電源配線６５は、引き出し配線７として表示領域Ｄから端子部Ｔにまで引き出され、端子部Ｔにて配線基板を介してハイレベル電圧電源（ＥＬＤＶＶ）に接続されている。ハイレベル電源配線６５には、第１の電源電圧であるハイレベル電源電圧がハイレベル電圧電源（ＥＬＤＶＶ）から端子部Ｔを通じて供給される。

　各ハイレベル電源配線６５は、第１の方向Ｘに延びる第１のハイレベル電源配線と、第２の方向に延びる第２のハイレベル電源配線とを組み合わせて構成されていてもよい。この場合、第１のハイレベル電源配線は、中間導電層３３に含まれ、第２の配線を構成する。また、第２のハイレベル電源配線は、ソース導電層３７に含まれ、第３の配線を構成する。これら第１のハイレベル電源配線と第２のハイレベル電源配線とは、第２の層間絶縁層３５に形成されたコンタクトホールを介して接続される。

　ローレベル電源配線は、表示領域Ｄを端子部Ｔ側の一辺を除いて囲むように額縁領域Ｆを延びている。ローレベル電源配線は、所定のローレベル電位を付与する配線であって、複数のサブ画素５に対して共通に設けられている。ローレベル電源配線は、端子部Ｔにまで引き出され、端子部Ｔにて配線基板を介してローレベル電圧電源（ＥＬＶＳＳ）に接続されている。ローレベル電源配線には、ハイレベル電源電圧とは異なるローレベル電源電圧が端子部Ｔを通じて供給される。

　第１の引き出し配線７ａおよび第２の引き出し配線７ｂは、互いに接続されて引き出し配線７を構成している（図６および図８参照）。引き出し配線７は、初期化電源配線５３やソース配線５９、ハイレベル電源配線６５、ローレベル電源配線、駆動回路の配線のうち額縁領域Ｆを端子部Ｔに引き出される配線部分を構成している。

　　－サブ画素の素子および回路－
　半導体層２５、ゲート絶縁層２７、ゲート電極４５、第１の層間絶縁層３１、第２の層間絶縁層３５、ソース電極６１およびドレイン電極６３は、ＴＦＴ６９を構成している。

　ゲート電極４５は、ゲート絶縁層２７を介して半導体層２５の一部（チャネル領域）と重なるように設けられている。ソース電極６１とドレイン電極６３とは互いに離間している。これらソース電極６１とドレイン電極６３とは、ゲート絶縁層２７、第１の層間絶縁層３１および第２の層間絶縁層３５に形成されたコンタクトホール７１を介して半導体層２５におけるゲート電極４５と重なる領域を挟んだ位置で異なる部分（ソース領域、ドレイン領域）にそれぞれ接続されている。

　ＴＦＴ６９は、サブ画素５毎に複数設けられている。すなわち、ＴＦＴ層１７は、複数のＴＦＴ６９を含んでいる。

　サブ画素５毎に設けられた複数のＴＦＴ６９は、第１のＴＦＴ６９ａ、第２のＴＦＴ６９ｂ、第３のＴＦＴ６９ｃ、第４のＴＦＴ６９ｄ、第５のＴＦＴ６９ｅ、第６のＴＦＴ６９ｆおよび第７のＴＦＴ６９ｇを含んでいる。これら第１～第７のＴＦＴ６９ａ，６９ｂ，６９ｃ，６９ｄ，６９ｅ，６９ｆ，６９ｇはいずれも、上述のトップゲート構造を採用しており、例えばＰチャネル型のＴＦＴである。

　第１の容量電極４９、第１の層間絶縁層３１および第２の容量電極５５は、キャパシタ７３を構成している。キャパシタ７３は、サブ画素５毎に少なくとも１つ設けられている。

　第１の容量電極４９は、サブ画素５に設けられた第１のＴＦＴ６９ａ、第２のＴＦＴ６９ｂおよび第４のＴＦＴ６９ｄと接続されている。第２の容量電極５５は、第１の層間絶縁層３１を介して第１の容量電極４９と対向するように設けられている。第２の容量電極５５は、第２の層間絶縁層３５に形成されたコンタクトホール７５を介してハイレベル電源配線６５と接続されている。

　第１のＴＦＴ６９ａ、第２のＴＦＴ６９ｂ、第３のＴＦＴ６９ｃ、第４のＴＦＴ６９ｄ、第５のＴＦＴ６９ｅ、第６のＴＦＴ６９ｆおよび第７のＴＦＴ６９ｇとキャパシタ７３とは、図４に示す画素回路７７を構成している。第１～第７のＴＦＴ６９ａ，６９ｂ，６９ｃ，６９ｄ，６９ｅ，６９ｆ，６９ｇにおいて、ゲート電極４５は制御端子に相当し、ソース電極６１およびドレイン電極６３のうち一方の電極は第１の導通端子Ｎａに相当し、他方の電極は第２の導通端子Ｎｂに相当する。

　なお、図４に示す画素回路７７は、ｍ行目ｎ列目（ｍ，ｎは正の整数）の画素回路７７である。図４において、参照符号に（ｍ）を付加したソース配線５９およびハイレベル電源配線６５は、ｍ行目のサブ画素５に対応するソース配線５９およびハイレベル電源配線６５である。また、参照符号に（ｎ）を付加したゲート配線４３、エミッション制御配線４７および初期化電源配線５３は、それぞれｎ列目のサブ画素５に対応するゲート配線４３、エミッション制御配線４７および初期化電源配線５３であり、参照符号に（ｎ－１）を付加したゲート配線４３は、ｎ列目のサブ画素５に対応するゲート配線の１つ前に走査されるゲート配線４３である。

　第１のＴＦＴ６９ａは、ゲート配線４３と、初期化電源配線５３と、キャパシタ７３との間に設けられた第１の初期化用ＴＦＴである。第１のＴＦＴ６９ａにおいて、ゲート配線４３に接続され、第１の導通端子Ｎａは初期化電源配線５３に接続され、第２の導通端子Ｎｂはキャパシタ７３の第１の容量電極４９に接続されている。第１のＴＦＴ６９ａの制御端子が接続されるゲート配線４３は、対応するサブ画素５のゲート配線４３よりも１つ前に走査されるゲート配線４３である。第１のＴＦＴ６９ａは、ゲート配線４３の選択に応じて、初期化電源配線５３の電圧をキャパシタ７３に印加することにより、第４のＴＦＴ６９ｄの制御端子にかかる電圧を初期化するようになっている。

　第２のＴＦＴ６９ｂは、ゲート配線４３と、第４のＴＦＴ６９ｄとの間に設けられた閾値補償用ＴＦＴである。第２のＴＦＴ６９ｂにおいて、制御端子はゲート配線４３に接続され、第１の導通端子Ｎａは第４のＴＦＴ６９ｄの第２の導通端子Ｎｂに接続され、第２の導通端子Ｎｂは第４のＴＦＴ６９ｄの制御端子に接続されている。この第２のＴＦＴ６９ｂは、ゲート配線４３の選択に応じて第４のＴＦＴ６９ｄをダイオード接続状態にして、第４のＴＦＴ６９ｄの閾値電圧を補償するようになっている。

　第３のＴＦＴ６９ｃは、ゲート配線４３と、ソース配線５９と、第４のＴＦＴ６９ｄとの間に設けられた書き込み用ＴＦＴである。第３のＴＦＴ６９ｃにおいて、制御端子はゲート配線４３に接続され、第１の導通端子Ｎａはソース配線５９に接続され、第２の導通端子Ｎｂは第４のＴＦＴ６９ｄの第１の導通端子Ｎａに接続されている。この第３のＴＦＴ６９ｃは、ゲート配線４３の選択に応じてソース配線５９の電圧を第４のＴＦＴ６９ｄの第１の導通端子Ｎａに印加するようになっている。

　第４のＴＦＴ６９ｄは、第１のＴＦＴ６９ａと、第２のＴＦＴ６９ｂと、キャパシタ７３と、第３のＴＦＴ６９ｃと、第５のＴＦＴ６９ｅと、第６のＴＦＴ６９ｆとの間に設けられた駆動用ＴＦＴである。第４のＴＦＴ６９ｄの制御端子は、第２のＴＦＴ６９ｂの第２の導通端子Ｎｂに接続されていると共に、キャパシタ７３の第１の容量電極４９に接続されている。第４のＴＦＴ６９ｄの第１の導通端子Ｎａは、第３のＴＦＴ６９ｃの第２の導通端子Ｎｂに接続されていると共に、第５のＴＦＴ６９ｅの第２の導通端子Ｎｂに接続されている。第４のＴＦＴ６９ｄの第２の導通端子Ｎｂは、第２のＴＦＴ６９ｂの第１の導通端子Ｎａに接続されていると共に、第６のＴＦＴ６９ｆの第１の導通端子Ｎａに接続されている。第４のＴＦＴ６９ｄは、制御端子と第１の導通端子Ｎａとの間にかかる電圧に応じた駆動電流を第６のＴＦＴ６９ｆの第１の導通端子Ｎａに印加するようになっている。

　第５のＴＦＴ６９ｅは、エミッション制御配線４７と、ハイレベル電源配線６５と、第４のＴＦＴ６９ｄとの間に設けられた電源供給用ＴＦＴである。第５のＴＦＴ６９ｅにおいて、制御端子はエミッション制御配線４７に接続され、第１の導通端子Ｎａはハイレベル電源配線６５に接続され、第２の導通端子Ｎｂは第４のＴＦＴ６９ｄの第１の導通端子Ｎａに接続されている。第５のＴＦＴ６９ｅは、エミッション制御配線４７の選択に応じてハイレベル電源配線６５の電圧（ハイレベル電源電圧）を第４のＴＦＴ６９ｄの第１の導通端子Ｎａに印加するようになっている。

　第６のＴＦＴ６９ｆは、エミッション制御配線４７と、第２のＴＦＴ６９ｂと、第４のＴＦＴ６９ｄと、有機ＥＬ素子１０５との間に設けられた発光制御用ＴＦＴである。第６のＴＦＴ６９ｆにおいて、制御端子はエミッション制御配線４７に接続され、第１の導通端子Ｎａは第４のＴＦＴ６９ｄの第２の導通端子Ｎｂに接続され、第２の導通端子Ｎｂは有機ＥＬ素子１０５の第１の電極１０１に接続されている。第６のＴＦＴ６９ｆは、エミッション制御配線４７の選択に応じて駆動電流を有機ＥＬ素子１０５に印加するようになっている。

　第７のＴＦＴ６９ｇは、ゲート配線４３と、初期化電源配線５３と、有機ＥＬ素子１０５との間に設けられた第２の初期化用ＴＦＴである。第７のＴＦＴ６９ｇにおいて、制御端子はゲート配線４３に接続され、第１の導通端子Ｎａは初期化電源配線５３に接続され、第２の導通端子Ｎｂは有機ＥＬ素子１０５の第１の電極１０１に接続されている。第７のＴＦＴ６９ｇは、ゲート配線４３の選択に応じて有機ＥＬ素子１０５の第１の電極１０１に蓄積した電荷をリセットするようになっている。

　キャパシタ７３は、ハイレベル電源配線６５と、第１のＴＦＴ６９ａと、第４のＴＦＴ６９ｄとの間に設けられたデータ保持用素子である。キャパシタ７３の第１の容量電極４９は、第４のＴＦＴ６９ｄの制御端子に接続され、且つ、第１のＴＦＴ６９ａの第２の導通端子Ｎｂと第２のＴＦＴ６９ｂの第２の導通端子Ｎｂとに接続されている。キャパシタ７３の第２の容量電極５５は、ハイレベル電源配線６５に接続されている。キャパシタ７３は、ゲート配線４３が選択状態にあるときに、ソース配線５９の電圧で蓄電され、この蓄電により書き込まれた電圧を保持することを以て、ゲート配線４３が非選択状態にあるときには、第４のＴＦＴ６９ｄの制御端子にかかる電圧を維持するようになっている。

　平坦化層３９は、表示領域Ｄにおいて、第６のＴＦＴ６９ｆのドレイン電極６３の一部以外（ソース配線５９、ソース電極６１、その他のドレイン電極６３、ハイレベル電源配線６５など）を覆うことにより、ＴＦＴ層１７の表面を、第１のＴＦＴ６９ａ、第２のＴＦＴ６９ｂ、第３のＴＦＴ６９ｃ、第４のＴＦＴ６９ｄ、第５のＴＦＴ６９ｅ、第６のＴＦＴ６９ｆおよび第７のＴＦＴ６９ｇの表面形状による段差を低減するように平坦化している。平坦化層３９は、例えばポリイミド樹脂などの有機材料によって形成されている。

　　－発光素子層の構成－
　発光素子層１９は、図３に示すように、平坦化層３９上に設けられている。発光素子層１９は、平坦化層３９上に順に設けられた、第１の電極１０１と、エッジカバー１０２と、有機ＥＬ層１０３と、第２の電極１０４とを備えている。

　第１の電極１０１、有機ＥＬ層１０３および第２の電極１０４は、有機ＥＬ素子１０５を構成している。有機ＥＬ素子１０５は、サブ画素５毎に設けられている。すなわち、発光素子層１９は、複数の有機ＥＬ素子１０５を含んでいる。有機ＥＬ素子１０５は、発光素子の一例である。有機ＥＬ素子１０５は、例えばトップエミッション型の構造を採用している。

　第１の電極１０１は、各サブ画素５に設けられている。第１の電極１０１は、対応するサブ画素５における第６のＴＦＴ６９ｆのドレイン電極６３に対し、平坦化層３９に形成されたコンタクトホール１０７を介して接続されている。これら第１の電極１０１は、有機ＥＬ層１０３に正孔（ホール）を注入する陽極として機能し、光反射性を有している。

　第１の電極１０１の材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、スズ（Ｓｎ）等の金属材料が挙げられる。

　また、第１の電極１０１の材料は、例えば、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ_２）等の合金であっても構わない。さらに、第１の電極１０１の材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。

　第１の電極１０１は、有機ＥＬ層１０３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。また、第１の電極１０１は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。

　エッジカバー１０２は、隣り合うサブ画素５の第１の電極１０１を区画している。エッジカバー１０２は、全体として格子状に形成され、各第１の電極１０１の外周端部を覆っている。エッジカバー１０２の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂などの有機材料が挙げられる。エッジカバー１０２の表面の一部は、上方に突出して、フォトスペーサを構成している。

　有機ＥＬ層１０３は、個々の第１の電極１０１上に設けられている。有機ＥＬ層１０３は、発光機能層の一例である。この有機ＥＬ層１０３は、図５に示すように、第１の電極１０１上に順に設けられた、正孔注入層１０９、正孔輸送層１１１、発光層１１３、電子輸送層１１５および電子注入層１１７を有している。

　正孔注入層１０９は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１の電極１０１と有機ＥＬ層１０３とのエネルギーレベルを近づけて、第１の電極１０１から有機ＥＬ層１０３へ正孔が注入される効率を改善する機能を有している。正孔注入層１０９の材料としては、例えば、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体などが挙げられる。

　正孔輸送層１１１は、正孔を発光層１１３まで効率よく移動させる機能を有している。正孔輸送層１１１の材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛などが挙げられる。

　発光層１１３は、第１の電極１０１および第２の電極１０４によって電圧が印加された際に、第１の電極１０１から注入された正孔と第２の電極１０４から注入された電子を再結合させて発光する機能を有している。発光層１１３は、例えば、個々のサブ画素５における有機ＥＬ素子１０５の発光色（例えば赤色、緑色または青色）に合わせて異なる材料により形成されている。

　発光層１１３の材料としては、例えば、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシランなどが挙げられる。

　電子輸送層１１５は、電子を発光層１１３まで効率よく移動させる機能を有している。電子輸送層１１５の材料としては、例えば、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物などが挙げられる。

　電子注入層１１７は、陰極バッファ層とも呼ばれ、第２の電極１０４と有機ＥＬ層１０３とのエネルギーレベルを近づけて、第２の電極１０４から有機ＥＬ層１０３への電子注入効率を向上させる機能を有している。電子注入層１１７の材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ_２）、フッ化バリウム（ＢａＦ_２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）などが挙げられる。

　第２の電極１０４は、複数のサブ画素５に共通して設けられている。第２の電極１０４は、有機ＥＬ層１０３およびエッジカバー１０２を覆っており、有機ＥＬ層１０３を介して第１の電極１０１に重なっている。第２の電極１０４は、有機ＥＬ層１０３に電子を注入する陰極として機能し、光透過性を有している。

　第２の電極１０４の材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）などが挙げられる。

　また、第２の電極１０４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）などの合金により形成されていてもよい。

　また、第２の電極１０４は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの導電性酸化物により形成されていてもよい。第２の電極１０４は、有機ＥＬ層１０３への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で形成するのがより好ましい。また、第２の電極１０４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。

　　－封止膜の構成－
　封止膜２１は、各有機ＥＬ素子１０５を覆うように設けられ、各有機ＥＬ素子１０５の有機ＥＬ層１０３を水分や酸素などから保護する機能を有している。封止膜２１は、第２の電極１０４を覆うように設けられた第１の無機層１２５と、第１の無機層１２５上に設けられた有機層１２７と、有機層１２７上に設けられた第２の無機層１２９とを備えている。

　第１の無機層１２５および第２の無機層１２９は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）や酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）などの無機材料により形成されている。また、有機層１２７は、例えば、アクリル樹脂、ポリ尿素樹脂、パリレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂などの有機材料により形成されている。

　　－折り曲げ部の構成－
　図６は、この第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の折り曲げ部Ｂおよびその周辺の構成を示す平面図である。図７は、図６のVII－VII線における有機ＥＬ表示装置１の折り曲げ部Ｂおよびその周辺の断面図である。図８は、図６のVIII－VIII線における有機ＥＬ表示装置１の折り曲げ部Ｂおよびその周辺の断面図である。図９は、図６のIX－IX線における有機ＥＬ表示装置１の折り曲げ部Ｂの要部を示す断面図である。

　折り曲げ部Ｂにおいて、ＴＦＴ層１７には、図６～図８に示すように、第１の方向Ｘに延びるスリット８１が設けられている。このスリット８１は、ベースコート層２３（第１の無機絶縁膜２４）に形成された第１のスリット８３と、第１のスリット８３よりも広い幅でゲート絶縁層２７、第１の層間絶縁層３１および第２の層間絶縁層３５（第２の無機絶縁膜３６）に形成された第２のスリット８５とによって構成されている。第１のスリット８３は、第２のスリット８５の幅方向における中程に形成され、ベースコート層２３から樹脂基板層１５の表面を露出させている。

　スリット８１は、折り曲げ部Ｂにおいて、ベースコート層２３の表面と樹脂基板層１５の表面との間に第１の段差８７を形成し、第２の層間絶縁層３５の表面とベースコート層２３の表面との間に第２の段差８９を形成している。そして、ベースコート層２３のうち第１のスリット８３の幅方向における両側の部分は、第２のスリット８５の内側でゲート絶縁層２７、第１の層間絶縁層３１および第２の層間絶縁層３５から露出する段部９１を構成している。段部９１は、スリット８１内において第１の段差８７と第２の段差８９との間に位置している。

　折り曲げ部Ｂおよびその周辺における樹脂基板層１５上の積層構造の厚さは、スリット８１の外側と、スリット８１内の段部９１と、両段部９１の間の樹脂基板層１５が露出した部分とで３段階に変えられており、スリット８１の幅方向における外側から内側に向けて段階的に減少している。このように、第２の層間絶縁層３５の表面と樹脂基板層１５の表面との間の高低差が２つの段差８７，８９に分けられ、各段差８７，８９が小さくなることで、スリット８１の形成によりできる段差で引き出し配線７（第１の引き出し配線７ａ）の断線を生じにくくなっている。

　図８および図９に示すように、スリット８１内の段部９１には、矩形島状の凸部９３が設けられている。凸部９３は、スリット８１内の段部９１における引き出し配線７が延びる箇所に複数（図示する例では３つずつ）設けられており、第２の方向Ｙに整列している。複数の凸部９３は、スリット８１内の段部９１において、互いに間隔をあけて全体としてマトリクス状に配置されている。

　この凸部９３は、ベースコート層２３の表面に設けられた凸状の基部９４と、基部９４上に設けられた絶縁層９５と、絶縁層９５上に設けられた導電層９６とによって構成されている。絶縁層９５は、ゲート絶縁層２７と同一層に同一材料によって形成されている。導電層９６は、ゲート配線４３およびエミッション制御配線４７と同一層に同一材料によって形成されている。この導電層９６は、ゲート導電層２９に含まれる。

　引き出し配線７は、ゲート絶縁層２７上に設けられた第１の引き出し配線７ａと、第２の層間絶縁層３５上に設けられた第２の引き出し配線７ｂとを含んで構成されている。

　第１の引き出し配線７ａは、スリット８１の幅方向における表示領域Ｄ側と端子部Ｔ側との両側にそれぞれ設けられている。この第１の引き出し配線７ａは、第１の層間絶縁層３１および第２の層間絶縁層３５によって覆われている。すなわち、第１の引き出し配線７ａは、ゲート絶縁層２７と第１の層間絶縁層３１との間に設けられている。

　第２の引き出し配線７ｂは、第２の方向Ｙにおけるスリット８１の一方側から他方側にかけて第１の段差８７、段部９１および第２の段差８９を経て延び、スリット８１を横断している。この第２の引き出し配線７ｂは、平坦化層３９によって覆われている。この第２の引き出し配線７ｂは、スリット８１の幅方向における両側で第１の層間絶縁層３１および第２の層間絶縁層３５に形成されたコンタクトホール７２を介して第１の引き出し配線７ａにそれぞれ接続されている。

　そして、この第２の引き出し配線７ａは、スリット８１内の段部９１において、第２の方向Ｙに整列した複数の凸部９３の周端面をそれぞれ覆い、且つそれら各凸部９３の上面を露出させる開口９７を有している。当該第２の引き出し配線７ｂは、凸部９３を構成する導電層９６と接触している。また、第２の引き出し配線７ｂは、第１のスリット８３の内側において、樹脂基板層１５の表面を延び、樹脂基板層１５と接している。この第２の引き出し配線７ｂは、樹脂基板層１５を露出させる開口９８を複数（図示する例では５つ）有している。このように、第２の引き出し配線７ｂは、複数のリング状物を数珠繋ぎにしたような鎖状に形成されている。

　＜有機ＥＬ表示装置の製造方法＞
　上記構成の有機ＥＬ表示装置１を製造する方法を、以下に、図１０～図１７を参照しながら説明する。

　図１０は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法の概略的なフロー図である。図１１は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造においてゲート導電層２９を形成した状態を示す図８に相当する箇所の断面図である。図１２は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造において第２の層間絶縁層３５を形成した状態を示す図８に相当する箇所の断面図である。図１３は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造において溝状凹部９９を形成するときの様子を示す図８に相当する箇所の断面図である。

　図１４は、この第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造において溝状凹部９９を形成した状態を示す図８に相当する箇所の断面図である。図１５は、この第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造においてスリット８１を形成するときの様子を示す図８に相当する箇所の断面図である。図１６は、この第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造においてスリット８１を形成した状態を示す図８に相当する箇所の断面図である。図１７は、この第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造においてソース導電層３７を形成した状態を示す図８に相当する箇所の断面図である。

　有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、図１０に示すように、ＴＦＴ層形成工程Ｓ００１と、発光素子層形成工程Ｓ００２と、封止膜形成工程Ｓ００３と、フレキシブル化工程Ｓ００４と、実装工程Ｓ００５とを含む。

　　－ＴＦＴ層形成工程－
　ＴＦＴ層形成工程Ｓ００１は、ベースコート層形成工程Ｓ１０１と、半導体層形成工程Ｓ１０２と、ゲート絶縁層形成工程Ｓ１０３と、ゲート導電層形成工程Ｓ１０４と、第１の層間絶縁層形成工程Ｓ１０５と、中間導電層形成工程Ｓ１０６と、第２の層間絶縁層形成工程Ｓ１０７と、溝状凹部形成工程Ｓ１０８と、スリット形成工程Ｓ１０９と、ソース導電層形成工程Ｓ１１１と、平坦化層形成工程Ｓ１１２とを含む。

　このＴＦＴ層形成工程Ｓ００１において、ベースコート層形成工程Ｓ１０１、ゲート絶縁層形成工程Ｓ１０３、第１の層間絶縁層形成工程Ｓ１０５および第２の層間絶縁層形成工程Ｓ１０７は、無機絶縁膜形成工程に相当する。ゲート導電層形成工程Ｓ１０４は、第１の配線形成工程に相当する。中間層形成工程Ｓ１０６は、第２の配線形成工程に相当する。ソース導電層形成工程Ｓ１１１は、第３の配線形成工程および引き出し配線形成工程に相当する。

　ＴＦＴ層形成工程Ｓ００１では、まず、樹脂基板層１５がガラス基板２０１上に形成された基板を準備する。ベースコート層形成工程Ｓ１０１では、準備した基板の樹脂基板層１５上に、例えば、ＣＶＤ（Chemical vapor Deposition）法により、無機絶縁膜を単層でまたは積層するように成膜して、ベースコート層２３を形成する。

　次に行う半導体層形成工程Ｓ１０２では、ベースコート層２３が形成された基板上に、例えばＣＶＤ法により半導体膜を成膜し、その半導体膜に対し、必要に応じて結晶化処理や低抵抗化処理を施した後に、当該半導体膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、半導体層２５を形成する。

　次に行うゲート絶縁層形成工程Ｓ１０３では、半導体層２５が形成された基板上に、例えば、ＣＶＤ（Chemical vapor Deposition）法により、無機絶縁膜を単層でまたは積層するように成膜して、ゲート絶縁層２７を形成する。

　次に行うゲート導電層形成工程Ｓ１０４では、ゲート絶縁層２７が形成された基板上に、例えばスパッタリング法により、金属膜を単層でまたは積層するように成膜して、導電膜を形成する。続いて、その導電膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、図１１に示すように、ゲート導電層２９（ゲート配線４３、ゲート電極４５、エミッション制御配線４７、第１の容量電極４９、第１の引き出し配線７ａおよび導電層９６）を形成する。

　次に行う第１の層間絶縁層形成工程Ｓ１０５では、ゲート導電層２９が形成された基板上に、例えばＣＶＤ法により、無機絶縁膜を単層でまたは積層するように成膜して、第１の層間絶縁層３１を形成する。

　次に行う中間導電層形成工程Ｓ１０６では、第１の層間絶縁層３１が形成された基板上に、例えばスパッタリング法により、金属膜を単層でまたは積層するように成膜して、導電膜を形成する。続いて、その導電膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、中間導電層３３（初期化電源配線５３および第２の容量電極５５）を形成する。

　次に行う第２の層間絶縁層形成工程Ｓ１０７では、中間導電層３３が形成された基板上に、例えばＣＶＤ法により、無機絶縁膜を単層でまたは積層するように成膜して、図１２に示すように、第２の層間絶縁層３５を形成する。

　次に行う溝状凹部形成工程Ｓ１０８では、第２の層間絶縁層３５が形成された基板上に、例えばスピンコート法などの公知の塗布法により、感光性樹脂材料を塗布する。続いて、その感光性樹脂材料の塗布膜に対し、プリベーク、露光、現像およびポストベークを行って、当該塗布膜をパターニングすることにより、図１３に示すように、第１のスリット８３の形成を予定している箇所に開口２０３を有する第１のレジスト層２０５を形成する。

　そして、第１のレジスト層２０５をマスクとして、ベースコート層２３、ゲート絶縁層２７、第１の層間絶縁層３１および第２の層間絶縁層３５をエッチングすることにより、図１４に示すように、ゲート絶縁層２７、第１の層間絶縁層３１および第２の層間絶縁層３５を貫通してベースコート層２３に凹部をなす溝状凹部９９を形成する。その後、第１のレジスト層２０５を第２の層間絶縁層３５上からアッシングによって除去する。

　次に行うスリット形成工程Ｓ１０９では、第１のレジスト層２０５が除去された基板上に、例えばスピンコート法などの公知の塗布法により、感光性樹脂材料を塗布する。続いて、その感光性樹脂材料の塗布膜に対し、プリベーク、露光、現像およびポストベークを行って、当該塗布膜をパターニングすることにより、図１５に示すように、コンタクトホール７１，７２および第２のスリット８５の形成を予定している各箇所に開口２０７を有する第２のレジスト層２０９を形成する。

　そして、第２のレジスト層２０９をマスクとして、ベースコート層２３、ゲート絶縁層２７、第１の層間絶縁層３１および第２の層間絶縁層３５をエッチングすることにより、図１６に示すように、第２のスリット８５を形成すると共に、ベースコート層２３のうち溝状凹部９９の底をなす部分を除去して第１のスリット８３を形成する。これにより、折り曲げ部Ｂにおいて第１の方向Ｘに延び且つ第２のスリット８５の内側で第１のスリット８３の両側に段部９１を有するスリット８１を構成する。このとき、スリット８１内の段部９１で導電層９６をマスクとして、ゲート絶縁層２７とベースコート層２３の一部とをエッチングすることにより、絶縁層９５および基部９４を形成して、島状の凸部９３を形成する。その後、第２のレジスト層２０９を第２の層間絶縁層３５上からアッシングによって除去する。

　次に行うソース導電層形成工程Ｓ１１１では、スリット８１が形成された基板上に、例えばスパッタリング法により金属膜を単層でまたは積層するように成膜して、導電膜を形成する。続いて、その導電膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、図１７に示すように、ソース導電層３７（ソース配線５９、ソース電極６１、ドレイン電極６３、ハイレベル電源配線６５、ローレベル電源配線および第２の引き出し配線７ｂ）を形成する。このとき、第２の引き出し配線７ｂを、第２の方向Ｙにおけるスリット８１の一方側から他方側にかけて段部９１を経て延びる態様で、凸部９３の周端面を覆い、且つ凸部９３の上面を露出させる複数の開口９７と第１のスリット８３内で樹脂基板層１５の表面を露出させる複数の開口９８とを有する鎖状に形成する。

　次に行う平坦化層形成工程Ｓ１１２では、ソース導電層３７が形成された基板上に、例えばスピンコート法などの公知の塗布法により、感光性樹脂材料を塗布する。続いて、その感光性樹脂材料の塗布膜に対し、プリベーク、露光、現像およびポストベークを行って、当該塗布膜をパターニングすることにより、平坦化層３９を形成する。

　このようにして、ＴＦＴ層形成工程Ｓ００１では、樹脂基板層１５上にＴＦＴ層１７を形成する。

　　－発光素子層形成工程－
　発光素子層形成工程Ｓ００２は、第１の電極形成工程Ｓ２０１と、エッジカバー形成工程Ｓ２０２と、有機ＥＬ層形成工程Ｓ２０３と、第２の電極形成工程Ｓ２０４とを含む。

　第１の電極形成工程Ｓ２０１では、ＴＦＴ層１７が形成された基板上に、例えばスパッタリング法により、導電性酸化物膜や金属膜を成膜して、導電膜を形成する。続いて、その導電膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、第１の電極１０１を形成する。

　次に行うエッジカバー形成工程Ｓ２０２では、第１の電極１０１が形成された基板上に、例えばスピンコート法などの公知の塗布法により、感光性樹脂材料を塗布する。続いて、その感光性樹脂材料の塗布膜に対し、プリベーク、露光、現像およびポストベークを行って、当該塗布膜をパターニングすることにより、エッジカバー１０２を形成する。

　次に行う有機ＥＬ層形成工程Ｓ２０３では、エッジカバー１０２が形成された基板上に、サブ画素単位でパターニング可能なＦＭＭ（Fine Metal Mask）と呼ばれる成膜用マスクを用いて、例えば真空蒸着法により、正孔注入層１０９、正孔輸送層１１１、発光層１１３、電子輸送層１１５および電子注入層１１７の順に成膜して、個々の第１の電極１０１上に有機ＥＬ層１０３を形成する。

　なお、有機ＥＬ層形成工程Ｓ２０３では、正孔注入層１０９、正孔輸送層１１１、発光層１１３、電子輸送層１１５および電子注入層１１７のうちいくつかの層は、表示パネル単位でパターニング可能なＣＭＭ（Common Metal Mask）と呼ばれる成膜用マスクを用いて成膜してもよい。

　次に行う第２の電極形成工程Ｓ２０４では、有機ＥＬ層１０３が形成された基板上に、ＣＭＭの成膜用マスクを用いて、例えば真空蒸着法により金属膜を単層でまたは積層するように成膜することにより、第２の電極１０４を形成する。

　このようにして、発光素子層形成工程Ｓ００２では、ＴＦＴ層１７上に複数の有機ＥＬ素子１０５を含む発光素子層１９を形成する。

　　－封止膜形成工程－
　封止膜形成工程Ｓ００３では、発光素子層１９が形成された基板上に、ＣＭＭの成膜用マスクを用いて、例えばＣＶＤ法により、無機絶縁膜を単層でまたは積層するように成膜して、第１の無機層１２５を形成する。

　続いて、第１の無機層１２５が形成された基板上に、例えばインクジェット法により有機材料を塗布して、有機層１２７を形成する。

　そして、有機層１２７が形成された基板上に、ＣＭＭの成膜用マスクを用いて、例えばＣＶＤ法により、無機絶縁層を単層でまたは積層するように成膜して、第２の無機層１２９を形成する。

　このようにして、封止膜形成工程Ｓ００３では、第１の無機層１２５、有機層１２７および第２の無機層１２９が積層されてなる封止膜２１を形成する。

　　－フレキシブル化工程－
　フレキシブル化工程Ｓ００４では、まず、封止膜２１が形成された基板の表面に表面保護フィルムを貼り付ける。次いで、樹脂基板層１５の下面にガラス基板２０１側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層１５の下面からガラス基板２０１を剥離する。そして、ガラス基板２０１を剥離した樹脂基板層１５の下面に裏面保護フィルムを貼り付ける。

　　－実装工程－
　実装工程Ｓ００５では、ガラス基板２０１を樹脂基板層１５から剥離した基板の端子部Ｔに、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）やＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste）などの導電材を用いて配線基板を接続することにより、配線基板と配線端子７との導通をとって当該配線基板と共に表示制御回路などを実装する。

　以上のようにして、この第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。

　この第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１によれば、折り曲げ部Ｂに設けたスリット８１内の段部９１に凸部９３を設け、スリット８１を横断する引き出し配線７を、凸部９３の周端面を覆い且つ凸部９３の上面を露出させる開口９７を有する態様で設けるようにしたので、段部９１における引き出し配線７の密着性を向上させることができると共に、引き出し配線７が第１の段差８７と第２の段差８９に形成された当該配線部分に生じる応力により両側に引っ張られても、引き出し配線７の特定部位に応力が集中するのを緩和できる。それにより、有機ＥＬ表示装置１の折り曲げ部Ｂにおいて、引き出し配線７に断線および剥がれが生じるのを抑制することができる。

　《第２の実施形態》
　この第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１は、折り曲げ部Ｂの構成が上記第１の実施形態と異なる。なお、この第２の実施形態では、折り曲げ部Ｂの構成が上記実施形態１と異なる他は有機ＥＬ表示装置１について上記第１の実施形態と同様に構成されているので、構成の異なる折り曲げ部Ｂについてのみ説明し、同一の構成箇所は図１～図１７に基づく上記第１の実施形態の説明に譲ることにして、その詳細な説明を省略する。

　図１８は、この第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の折り曲げ部Ｂおよびその周辺の構成を示す平面図である。図１９は、図１８のXIX－XIX線における有機ＥＬ表示装置１の折り曲げ部Ｂおよびその周辺の断面図である。この第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、図１８および図１９に示すように、折り曲げ部Ｂのスリット８１に、第１のスリット８３を埋め立てる埋め立て層１３１（図１８では斜線を付した部分）が設けられている。この埋め立て層１３１は、感光性ポリイミド樹脂などの有機材料によって形成されている。

　そして、引き出し配線７を構成する第２の引き出し配線７ｂは、スリット８１内において、第２の方向Ｙにおける第１のスリット８３の一方側から他方側にかけて埋め立て層１３１の表面を延びている。この第２の引き出し配線７ｂは、第１のスリット８３に対応する箇所、つまり埋め立て層１３１の表面を延びている部分で埋め立て層１３１を露出させる複数（図示する例では５つ）の開口１３３を有しており、上記第１の実施形態と同様に、複数のリング状物を数珠繋ぎにしたような鎖状に形成されている。

　図２０は、この第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法の概略的なフロー図である。上記構成の有機ＥＬ表示装置１を製造する方法は、図２０に示すように、ＴＦＴ層形成工程Ｓ００１と、発光素子層形成工程Ｓ００２と、封止膜形成工程Ｓ００３と、フレキシブル化工程Ｓ００４と、実装工程Ｓ００５とを含む。発光素子層形成工程Ｓ００２、封止膜形成工程Ｓ００３、フレキシブル化工程Ｓ００４および実装工程Ｓ００５については、上記第１の実施形態と同様である。

　ＴＦＴ層形成工程Ｓ００１は、ベースコート層形成工程Ｓ１０１と、半導体層形成工程Ｓ１０２と、ゲート絶縁層形成工程Ｓ１０３と、ゲート導電層形成工程Ｓ１０４と、第１の層間絶縁層形成工程Ｓ１０５と、中間導電層形成工程Ｓ１０６と、第２の層間絶縁層形成工程Ｓ１０７と、溝状凹部形成工程Ｓ１０８と、スリット形成工程Ｓ１０９と、埋め立て層形成工程Ｓ１１０と、ソース導電層形成工程Ｓ１１１と、平坦化層形成工程Ｓ１１２とを含む。

　ＴＦＴ層形成工程Ｓ００１において埋め立て層形成工程Ｓ１１０以外の工程（ベースコート層形成工程Ｓ１０１、半導体層形成工程Ｓ１０２、ゲート絶縁層形成工程Ｓ１０３、ゲート導電層形成工程Ｓ１０４、第１の層間絶縁層形成工程Ｓ１０５、中間導電層形成工程Ｓ１０６、第２の層間絶縁層形成工程Ｓ１０７、溝状凹部形成工程Ｓ１０８、スリット形成工程Ｓ１０９、ソース導電層形成工程Ｓ１１１および平坦化層形成工程Ｓ１１２）については、上記第１の実施形態と同様である。

　スリット形成工程Ｓ１０９の後に行われる埋め立て層形成工程Ｓ１１０では、ＴＦＴ層１７にスリット８１が形成された基板上に、例えばスピンコート法などの公知の塗布法により、感光性樹脂材料を塗布する。続いて、その感光性樹脂材料の塗布膜に対し、プリベーク、露光、現像およびポストベークを行って、当該塗布膜をパターニングすることにより、埋め立て層１３１を形成する。その後、ソース導電層形成工程Ｓ１１１および平坦化層形成工程Ｓ１１２を順に行う。

　以上のようにして、この第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。

　《変形例１》
　図２１は、この変形例１に係る有機ＥＬ表示装置１の図９に相当する箇所の断面図である。この変形例１に係る有機ＥＬ表示装置１では、折り曲げ部Ｂにおけるスリット８１内の段部９１に設けられた凸部９３の構成が上記第１の実施形態および上記第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１と異なる。

　この変形例１に係る有機ＥＬ表示装置１では、図２１に示すように、当該凸部９３は、ベースコート層２３の表面に設けられた凸状の基部９４と、基部９４上に設けられた導電層１３５とによって構成されている。導電層１３５は、半導体層２５と同一層に同一材料によって形成されており、半導体層が導体化された層である。引き出し配線７を構成する第２の引き出し配線７ｂは、そのような凸部９３を構成する導電層１３５の周端面を覆い、導電層１３５と接触している。

　この変形例１に係る有機ＥＬ表示装置１を製造するには、上記第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法と同様な方法を採用し、ゲート導電層形成工程Ｓ１０４で凸部９３をなす導電層９６を形成するのに代えて、半導体層形成工程Ｓ１０２において、凸部９３を形成する予定の箇所に半導体層を形成し、その半導体層を公知の処理により導体化する。例えば、半導体層が酸化物半導体からなる場合には、当該半導体層に紫外線を照射したり還元性ガスでプラズマ処理を施したりすることで、半導体層を導体化することができる。このようにして導電層１３５を形成する。

　そして、スリット形成工程Ｓ１０９において、ベースコート層２３に第１のスリット８３を形成すると共に、ゲート絶縁層２７、第１の層間絶縁層３１および第２の層間絶縁層３５に第２のスリット８５を形成するときに、導電層１３５をマスクとして、ベースコート層２３の一部をエッチングすることにより、基部９４を形成して、島状の凸部９３を形成すればよい。

　《変形例２》
　図２２は、この変形例２に係る有機ＥＬ表示装置１の図９に相当する箇所の断面図である。この変形例２に係る有機ＥＬ表示装置１では、折り曲げ部Ｂにおけるスリット８１内の段部９１に設けられた凸部９３の構成が上記第１の実施形態および上記第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１と異なる。

　この変形例２に係る有機ＥＬ表示装置１では、図２２に示すように、当該凸部９３は、ベースコート層２３の表面に設けられた凸状の基部９４と、基部９４上に設けられた第１の絶縁層１３７と、第１の絶縁層１３７上に設けられた第２の絶縁層１３９と、第２の絶縁層１３９上に設けられた導電層１４１とによって構成されている。

　第１の絶縁層１３７は、ゲート絶縁層２７と同一層に同一材料によって形成されている。第２の絶縁層１３９は、第１の層間絶縁層３１と同一層に同一材料によって形成されている。導電層１４１は、初期化電源配線５３および第２の容量電極５５と同一層に同一材料によって形成されている。この導電層１４１は、中間導電層３３に含まれる。引き出し配線７を構成する第２の引き出し配線７ｂは、そのような凸部９３を構成する導電層１４１の周端面を覆い、導電層１４１と接触している。

　この変形例２に係る有機ＥＬ表示装置１を製造するには、上記第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法と同様な方法を採用し、ゲート導電層形成工程Ｓ１０４で凸部９３をなす導電層９６を形成するのに代えて、中間導電層形成工程Ｓ１０６において、凸部９３を形成する予定の箇所に導電層１４１を形成する。

　そして、スリット形成工程Ｓ１０９において、ベースコート層２３に第１のスリット８３を形成すると共に、ゲート絶縁層２７、第１の層間絶縁層３１および第２の層間絶縁層３５に第２のスリット８５を形成するときに、導電層１４１をマスクとして、第１の層間絶縁層３１、ゲート絶縁層２７およびベースコート層２３の一部をエッチングすることにより、第２の絶縁層１３９、第１の絶縁層１３７および基部９４を形成して、島状の凸部９３を形成すればよい。

　《変形例３》
　図２３は、この変形例３に係る有機ＥＬ表示装置１の図９に相当する箇所の断面図である。この変形例３に係る有機ＥＬ表示装置１では、折り曲げ部Ｂにおけるスリット８１内の段部９１に設けられた凸部９３の構成が上記第１の実施形態および上記第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１と異なる。

　この変形例２に係る有機ＥＬ表示装置１では、図２３に示すように、当該凸部９３は、ベースコート層２３の表面に設けられた凸状の基部９４と、基部９４上に設けられた第１の導電層１４３と、第１の導電層１４３上に設けられた第１の絶縁層１４５と、第１の絶縁層１４５上に設けられた第２の導電層１４７と、第２の導電層１４７上に設けられた第２の絶縁層１４９と、第２の絶縁層１４９上に設けられた第３の導電層１５１とによって構成されている。

　第１の導電層１４３は、半導体層２５と同一層に同一材料によって形成されており、半導体層が導体化された層である。第１の絶縁層１４５は、ゲート絶縁層２７と同一層に同一材料によって形成されている。第２の導電層１４７は、ゲート配線４３およびゲート電極４５と同一層に同一材料によって形成されている。この第１の導電層１４３は、ゲート導電層２９に含まれる。

　第２の絶縁層１４９は、第１の層間絶縁層３１と同一層に同一材料によって形成されている。第３の導電層１５１は、初期化電源配線５３および第２の容量電極５５と同一層に同一材料によって形成されている。この第２の導電層１４７は、中間導電層３３に含まれる。引き出し配線７を構成する第２の引き出し配線７ｂは、そのような凸部９３を構成する第１の導電層１４３、第２の導電層１４７および第３の導電層１５１の周端面を覆い、第１の導電層１４３、第２の導電層１４７および第３の導電層１５１に接触している。

　この変形例３に係る有機ＥＬ表示装置１を製造するには、上記第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法と同様な方法を採用し、半導体層形成工程Ｓ１０２において、凸部９３を形成する予定の箇所に半導体層を形成し、その半導体層を公知の処理により導体化することによって、第１の導電層１４３を形成する。さらに、ゲート導電層形成工程Ｓ１０４において、第１の導電層１４３とゲート絶縁層２７を介して重なるように第２の導電層１４７を形成し、中間導電層形成工程Ｓ１０６において、第２の導電層１４７と第１の層間絶縁層３１を介して重なるように第３の導電層１５１を形成する。

　そして、スリット形成工程Ｓ１０９において、ベースコート層２３に第１のスリット８３を形成すると共に、ゲート絶縁層２７、第１の層間絶縁層３１および第２の層間絶縁層３５に第２のスリット８５を形成するときに、第３の導電層１５１をマスクとして、第１の層間絶縁層３１、ゲート絶縁層２７およびベースコート層２３の一部をエッチングすることにより、第２の絶縁層１４９、第１の絶縁層１４５および基部９４を形成して、島状の凸部９３を形成すればよい。

　この変形例３では、凸部９３が第１の導電層１４３、第２の導電層１４７および第３の導電層１５１を含むとしたが、凸部９３は、これら第１～第３の導電層１４３，１４７，１５１のうち２つの導電層を含む構造であってもよい。この場合、引き出し配線７を構成する第２の引き出し配線７ｂは、当該凸部９３を構成する２つの導電層の周端面を覆い、それら２つの導電層に電気的に接続されていてもよい。

　以上のように、本開示の技術の例示として、好ましい実施形態について説明した。しかし、本開示の技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。また、上記実施形態で説明した各構成要素を組み合わせて新たな実施の形態とすることも可能である。また、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須でない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることを以て、直ちにそれらの必須でない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。

　例えば、上記実施形態について、以下のような構成としてもよい。

　上記第１の実施形態および上記第２の実施形態では、第１の無機絶縁膜２４がベースコート層２３によって構成され、第２の無機絶縁膜３６がゲート絶縁層２７、第１の層間絶縁層３１および第２の層間絶縁層３５によって構成されているとしたが、本開示の技術はこれに限らない。第１の無機絶縁膜２４および第２の無機絶縁膜３６はいずれも、少なくとも１つの無機絶縁層を含んでいればよい。

　上記第１の実施形態および上記第２の実施形態では、有機ＥＬ表示装置１を製造するのに、ベースコート層２３、ゲート絶縁層２７、第１の層間絶縁層３１および第２の層間絶縁層３５に溝状凹部９９を形成した後に第１のスリット８３および第２のスリット８５を形成するとしたが、本開示の技術はこれに限らない。有機ＥＬ表示装置１を製造においては、ＴＦＴ層１７に溝状凹部９９を形成することなく第１のスリット８３を形成した後に第２のスリット８５を形成してもよいし、第２のスリット８５を形成した後に第１のスリット８３を形成しても構わない。

　上記変形例１では、凸部９３が半導体層を導体化してなる導電層１３５を含む構成を例示したが、本開示の技術はこれに限らない。当該凸部９３は、導電層１３５に代えて導体化されていない半導体層を含んで構成されていてもよい。

　有機ＥＬ表示装置１について、第１の電極１０１を陽極とし、第２の電極１０４を陰極とした場合を例に挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限らない。本開示の技術は、例えば、有機ＥＬ層１０３の積層構造を反転させて、第１の電極１０１を陰極とし、第２の電極１０４を陽極とした有機ＥＬ表示装置１にも適用することが可能である。

　有機ＥＬ層１０３は、各サブ画素５に個別に設けられているとしたが、本開示の技術はこれに限らない。有機ＥＬ層１０３は、複数のサブ画素５に共通して設けられていてもよい。この場合、有機ＥＬ表示装置１は、カラーフィルタを備えるなどして、各サブ画素５の色調表現を行っていてもよい。

　各画素３を構成する３色のサブ画素５は、ストライプ配列で設けられている態様を例示したが、本開示の技術はこれに限らない。各画素３を構成するサブ画素５は３色に限らず、４色以上であってもよい。また、各画素３を構成する複数のサブ画素５の配列は、ペンタイル配列など、他の配列であっても構わない。

　第１～第７のＴＦＴ６９ａ，６９ｂ，６９ｃ，６９ｄ，６９ｅ，６９ｆ，６９ｇは、トップゲート構造を採用しているとしたが、本開示の技術はこれに限らない。第１のＴＦＴ～第７のＴＦＴ６９ａ，６９ｂ，６９ｃ，６９ｄ，６９ｅ，６９ｆ，６９ｇは、ボトムゲート構造を採用していてもよい。また、サブ画素５毎に設けられるＴＦＴ６９は、８つ以上であってもよいし、６つ以下であってもよい。

　有機ＥＬ層１０３として、正孔注入層１０９、正孔輸送層１１１、発光層１１３、電子輸送層１１５および電子注入層１１７からなる５層積層構造の有機ＥＬ層１０３を例示したが、本開示の技術はこれに限らない。有機ＥＬ層１０３には、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層および電子輸送層兼電子注入層からなる３層積層構造を採用していてもよく、任意の構造を採用することが可能である。

　表示装置として有機ＥＬ表示装置１を例示したが、本開示の技術はこれに限らない。本開示の技術は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することが可能であり、例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot Light Emitting Diode）を備えた表示装置にも適用することが可能である。

　　　Ａ　　折り曲げ軸
　　　Ｂ　　折り曲げ部
　　　Ｄ　　表示領域
　　　Ｆ　　額縁領域
　　　Ｔ　　端子部
　　　Ｘ　　第１の方向
　　　Ｙ　　第２の方向
　　　１　　有機ＥＬ表示装置
　　　３　　画素
　　　５　　サブ画素
　　　５ｂ　サブ画素
　　　５ｇ　サブ画素
　　　５ｒ　サブ画素
　　　７　　引き出し配線
　　１３　　配線端子
　　１５　　樹脂基板層（ベース基板）
　　１７　　ＴＦＴ層
　　１９　　発光素子層
　　２１　　封止膜
　　２３　　ベースコート層
　　２４　　第１の無機絶縁膜
　　２５　　半導体層
　　２７　　ゲート絶縁層
　　２９　　ゲート導電層
　　３１　　第１の層間絶縁層
　　３３　　中間導電層
　　３５　　第２の層間絶縁層
　　３６　　第２の無機絶縁膜
　　３７　　ソース導電層
　　３９　　平坦化層
　　４３　　ゲート配線（第１の配線）
　　４５　　ゲート電極
　　４７　　エミッション制御配線（第１の配線）
　　４９　　第１の容量電極
　　５３　　初期化電源配線（第２の配線）
　　５５　　第２の容量電極
　　５９　　ソース配線（第３の配線）
　　６１　　ソース電極
　　６３　　ドレイン電極
　　６５　　ハイレベル電源配線（第３の配線）
　　６９　　ＴＦＴ
　　６９ａ　第１のＴＦＴ
　　６９ｂ　第２のＴＦＴ
　　６９ｃ　第３のＴＦＴ
　　６９ｄ　第４のＴＦＴ
　　６９ｅ　第５のＴＦＴ
　　６９ｆ　第６のＴＦＴ
　　６９ｇ　第７のＴＦＴ
　　７１　　コンタクトホール
　　７２　　コンタクトホール
　　７３　　キャパシタ
　　７５　　コンタクトホール
　　７７　　画素回路
　　８１　　スリット
　　８３　　第１のスリット
　　８５　　第２のスリット
　　８７　　第１の段差
　　８９　　第２の段差
　　９１　　段部
　　９３　　凸部
　　９４　　基部
　　９５　　絶縁層
　　９６　　導電層
　　９７　　開口
　　９８　　開口
　　９９　　溝状凹部
　１０１　　第１の電極
　１０２　　エッジカバー
　１０３　　有機ＥＬ層（発光機能層）
　１０４　　第２の電極
　１０５　　有機ＥＬ素子（発光素子）
　１０７　　コンタクトホール
　１０９　　正孔注入層
　１１１　　正孔輸送層
　１１３　　発光層
　１１５　　電子輸送層
　１１７　　電子注入層
　１２５　　第１の無機層
　１２７　　有機層
　１２９　　第２の無機層
　１３１　　埋め立て層
　１３３　　開口
　１３５　　導電層（半導体層）
　１３７　　第１の絶縁層
　１３９　　第２の絶縁層
　１４１　　導電層
　１４３　　第１の導電層
　１４５　　第１の絶縁層
　１４７　　第２の導電層
　１４９　　第２の絶縁層
　１５１　　第３の導電層
　２０１　　ガラス基板
　２０３　　開口
　２０５　　第１のレジスト層
　２０７　　開口
　２０９　　第２のレジスト層

Claims

　可撓性を有する樹脂基板と、
　前記樹脂基板上に設けられた、複数の薄膜トランジスタを含む薄膜トランジスタ層と、を備え、
　前記薄膜トランジスタ層は、無機絶縁層を含む第１の無機絶縁膜と、該第１の無機絶縁膜上に設けられた無機絶縁層を含む第２の無機絶縁膜と、該第２の無機絶縁膜上に設けられた引き出し配線と、を有し、
　前記薄膜トランジスタの動作により画像表示を行う表示領域と、該表示領域の周囲に位置する額縁領域とが設けられ、
　前記額縁領域は、第１の方向に延びる折り曲げ軸周りに折り曲げられる折り曲げ部を有し、
　前記折り曲げ部において、前記薄膜トランジスタ層には、前記第１の方向に延びるスリットが設けられ、
　前記スリットは、前記第１の無機絶縁膜に形成された第１のスリットと、該第１のスリットよりも広い幅で前記第２の無機絶縁膜に形成された第２のスリットとによって構成され、
　前記第１の無機絶縁膜のうち前記第１のスリットの幅方向における両側の部分は、前記第２のスリットの内側で前記第２の無機絶縁膜から露出する段部を構成し、
　前記引き出し配線は、前記薄膜トランジスタに電気的に接続され、且つ、前記第１の方向と交差する第２の方向における前記スリットの一方側から他方側にかけて前記段部を経て延びる表示装置であって、
　前記段部には、島状の凸部が設けられ、
　前記引き出し配線は、前記凸部の周端面を覆い、且つ前記凸部の上面を露出させる開口を有している
ことを特徴とする表示装置。
　請求項１に記載された表示装置において、
　前記引き出し配線は、前記第１のスリットの内側で前記樹脂基板と接している
ことを特徴とする表示装置。
　請求項２に記載された表示装置において、
　前記引き出し配線は、前記第１のスリットの内側で前記樹脂基板を露出させる開口を有している
ことを特徴とする表示装置。
　請求項１～３のいずれか１項に記載された表示装置において、
　前記スリットには、前記第１のスリットを埋め立てる埋め立て層が設けられ、
　前記引き出し配線は、前記埋め立て層と接している
ことを特徴とする表示装置。
　請求項４に記載された表示装置において、
　前記引き出し配線は、前記第１のスリットに対応する箇所で前記埋め立て層を露出させる開口を有している
ことを特徴とする表示装置。
　請求項１～５のいずれか１項に記載された表示装置において、
　前記凸部は、個々の前記引き出し配線毎に複数設けられ、前記第２の方向に整列し、
　前記引き出し配線は、対応する複数の前記凸部の周端面をそれぞれ覆い、且つ対応する前記凸部毎に当該凸部の上面を露出させる開口を有している
ことを特徴とする表示装置。
　請求項１～６のいずれか１項に記載された表示装置において、
　前記樹脂基板上に、ベースコート層、半導体層、ゲート絶縁層、第１の配線、第１の層間絶縁層、第２の配線、第２の層間絶縁層および第３の配線がこの順で設けられ、
　前記第１の無機絶縁膜は、前記無機絶縁層として前記ベースコート層を含み、
　前記第２の無機絶縁膜は、前記無機絶縁層として、前記ゲート絶縁層、第１の層間絶縁層および第２の層間絶縁層を含み、
　前記引き出し配線は、前記第３の配線に含まれる
ことを特徴とする表示装置。
　請求項７に記載された表示装置において、
　前記凸部は、前記第１の配線と同一層に同一材料によって形成された導電層を含む
ことを特徴とする表示装置。
　請求項７に記載された表示装置において、
　前記凸部は、前記第２の配線と同一層に同一材料によって形成された導電層を含む
ことを特徴とする表示装置。
　請求項７に記載された表示装置において、
　前記凸部は、前記半導体層と同一層に同一材料によって形成された導電層を含み、
　前記導電層は、半導体層が導体化された層である
ことを特徴とする表示装置。
　請求項７に記載された表示装置において、
　前記凸部は、前記半導体層と同一層に同一材料によって形成された導電層と、前記第１の配線と同一層に同一材料によって形成された導電層と、前記第２の配線と同一層に同一材料によって形成された導電層とのうち少なくとも２つの導電層を含む
ことを特徴とする表示装置。
　請求項８～１１のいずれか１項に記載された表示装置において、
　前記引き出し配線は、前記導電層と接触している
ことを特徴とする表示装置。
　請求項１～１２のいずれか１項に記載された表示装置において、
　前記薄膜トランジスタ層上に設けられた、複数の発光素子を含む発光素子層をさらに備えている
ことを特徴とする表示装置。
　請求項１３に記載された表示装置において、
　前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子である
ことを特徴とする表示装置。
　可撓性を有する樹脂基板と、
　前記樹脂基板上に設けられた、複数の薄膜トランジスタを有する薄膜トランジスタ層と、を備え、
　前記薄膜トランジスタの動作により画像表示を行う表示領域と、該表示領域の周囲に位置する額縁領域とが設けられ、該額縁領域が、第１の方向に延びる折り曲げ軸周りに折り曲げられる折り曲げ部を有する表示装置を製造する方法であって、
　前記樹脂基板上に前記薄膜トランジスタ層を形成する薄膜トランジスタ層形成工程を含み、
　前記薄膜トランジスタ層形成工程は、
　　前記樹脂基板上に無機絶縁層を含む第１の無機絶縁膜を形成し、該第１の無機絶縁膜上に無機絶縁層を含む第２の無機絶縁膜を形成する無機絶縁膜形成工程と、
　　前記第２の無機絶縁膜上に、前記薄膜トランジスタに電気的に接続される引き出し配線を形成する引き出し配線形成工程と、を含み、
　前記無機絶縁膜形成工程では、前記第１の無機絶縁膜に第１のスリットを、前記第２の無機絶縁膜に前記第１のスリットよりも広い幅の第２のスリットをそれぞれ形成して、前記第１のスリットおよび前記第２のスリットにより、前記折り曲げ部において前記第１の方向に延びるスリットを構成し、且つ、前記第１の無機絶縁膜のうち前記第１のスリットの幅方向における両側の部分に前記第２のスリットの内側で前記第２の無機絶縁膜から露出する段部を構成すると共に、前記段部に島状の凸部を形成し、
　前記引き出し配線形成工程では、前記引き出し配線を、前記第１の方向と交差する第２の方向における前記スリットの一方側から他方側にかけて前記段部を経て延びる態様で、前記凸部の周端面を覆い且つ前記凸部の上面を露出させる開口を有する形状に形成する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
　請求項１５に記載された表示装置の製造方法において、
　前記無機絶縁膜形成工程は、
　　前記樹脂基板上に前記第１の無機絶縁膜の前記無機絶縁層であるベースコート層を形成するベースコート層形成工程と、
　　前記ベースコート層上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、
　　前記半導体層を覆うように前記第２の無機絶縁膜の前記無機絶縁層であるゲート絶縁層を形成するゲート絶縁層形成工程と、
　　前記ゲート絶縁層上に第１の配線を形成する第１の配線形成工程と、
　　前記第１の配線を覆うように前記第２の無機絶縁膜の前記無機絶縁層である第１の層間絶縁層を形成する第１の層間絶縁層形成工程と、
　　前記第１の層間絶縁層上に第２の配線を形成する第２の配線形成工程と、
　　前記第２の配線を覆うように前記第２の無機絶縁膜の前記無機絶縁層である第２の層間絶縁層を形成する第２の層間絶縁層形成工程と、
　前記引き出し配線形成工程としての第３の配線形成工程では、前記第２の層間絶縁層上に前記引き出し配線を含む第３の配線を形成し、
　前記第２の層間絶縁層形成工程の後で前記第３の配線形成工程の前に、前記第１のスリット、前記第２のスリットおよび前記凸部を形成する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
　請求項１６に記載された表示装置の製造方法において、
　前記第２の層間絶縁層上に、前記第１のスリットの形成を予定している箇所に開口を有する第１のレジスト層を形成し、該第１のレジスト層をマスクとして、前記ベースコート層、前記ゲート絶縁層、前記第１の層間絶縁層および前記第２の層間絶縁層をエッチングすることにより、前記ゲート絶縁層、前記第１の層間絶縁層および前記第２の層間絶縁層を貫通して前記ベースコート層に凹部をなす溝状凹部を形成する溝状凹部形成工程をさらに含み、
　前記第１のレジスト層を除去した後、前記第２の層間絶縁層上に、前記第２のスリットの形成を予定している箇所に開口を有する第２のレジスト層を形成し、該第２のレジスト層をマスクとして、前記ベースコート層、前記ゲート絶縁層、前記第１の層間絶縁層および前記第２の層間絶縁層をエッチングすることにより、前記第２のスリットを形成すると共に、前記ベースコート層のうち前記溝状凹部の底をなす部分を除去して前記第１のスリットを形成する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
　請求項１６または１７に記載された表示装置の製造方法において、
　前記第１のスリット、前記第２のスリットおよび前記凸部を形成した後で前記第３の配線形成工程の前に、前記第１のスリットを埋め立てる埋め立て層を形成する埋め立て層形成工程をさらに含み、
　前記第３の配線形成工程では、前記引き出し配線を、前記埋め立て層と接する態様で形成する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。