WO2021176506A1

WO2021176506A1 - 表示装置およびその製造方法

Info

Publication number: WO2021176506A1
Application number: PCT/JP2020/008652
Authority: WO
Inventors: 達岡部; 遼佑郡司; 信介齋田; 市川　伸治
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2020-03-02
Filing date: 2020-03-02
Publication date: 2021-09-10
Also published as: CN115210793A; US20230112543A1; CN115210793B

Abstract

表示領域（Ｄ）は、第１表示領域（Ｄ１）の内側でカメラ（３）に利用される光を透過する第２表示領域（Ｄ２）を有する。第１表示領域の第１電極（５１）は、第１下側透明導電層（６１）と第１反射導電層（６２）と第１上側透明導電層（６５）とが順に積層された構造を有する。第２表示領域の第１電極は、第２下側透明導電層（７１）と第２反射導電層（７２）と第２上側透明導電層（７５）とが順に積層された構造を有する。第２反射導電層は、エッジカバー（５２）の開口（６８）の内側において、第１反射導電層よりも薄い。

Description

表示装置およびその製造方法

　本開示の技術は、表示装置およびその製造方法に関する。

　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence、以下「ＥＬ」と称する）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。

　有機ＥＬ素子は、第１電極と、第１電極上に設けられた有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層上に設けられた第２電極とを備える。有機ＥＬ素子としては、光の取り出し効率に優れたトップエミッション型の有機ＥＬ素子が好適に採用される。トップエミッション型の有機ＥＬ素子において、第１電極は、有機ＥＬ層で発した光を第２電極側に反射する反射導電材料によって形成された反射導電層を含む。

　有機ＥＬ表示装置は、スマートフォンやタブレット端末といった情報端末のディスプレイとして利用される場合、またはテレビ電話やテレビ会議といった双方向通信のコミュニケーションを行うためのディスプレイとして利用される場合に、画面の正面側を撮影するカメラ（いわゆるインカメラ）と組み合わせられる。そうしたインカメラ付きの有機ＥＬ表示装置においては、表示領域と重なる背面側の位置にカメラを配置させることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１８－１２４４５７号公報

　トップエミッション型の有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置では、第１電極を構成する反射導電層により外光が反射されるため、表示領域における光の透過率が著しく低い。そのことから、表示領域を透過した光を利用するカメラなどの電子部品を有機ＥＬ表示装置の背面側において表示領域と重なる位置に配置させる場合には、表示領域のうち電子部品に利用される光を透過する領域での光の透過率を高めることが要望される。

　本開示の技術は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、表示装置の表示領域のうち電子部品に利用される光を透過する領域での光の透過率を高めることにある。

　本開示の技術は、基板と、基板上に設けられ、複数の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下「ＴＦＴ」と称する）を含むＴＦＴ層と、ＴＦＴ層上に設けられ、複数の発光素子を含む発光素子層とを備え、ＴＦＴの動作で制御される発光素子の発光により画像を表示する表示領域が設けられ、基板に対して表示領域の背面側に、発光素子層、ＴＦＴ層および基板を透過した光を利用する電子部品が配置される表示装置を対象とする。

　発光素子層は、発光素子ごとに設けられた第１電極と、第１電極の周縁部を覆い、第１電極を露出させる開口が形成されたエッジカバーと、エッジカバーの開口内で第１電極上に設けられた発光機能層と、発光機能層上に設けられた第２電極とを有する。表示領域は、第１表示領域と、第１表示領域の内側に位置し、電子部品に利用される光を透過する第２表示領域とを有する。複数の発光素子は、各々第１電極、発光機能層および第２電極を備えた、第１表示領域に位置する第１発光素子と、第２表示領域に位置する第２発光素子とを含む。第１発光素子の第１電極は、光透過性を有する第１下側透明導電層と、第１下側透明導電層上に設けられた、光反射性を有する第１反射導電層と、第１反射導電層上に設けられた、光透過性を有する第１上側透明導電層とを備える。

　第２発光素子の第１電極は、第１下側透明導電層と同一層に同一材料によって形成された、光透過性を有する第２下側透明導電層と、第２下側透明導電層上に第１反射導電層と同一層に同一材料によって形成された、光反射性を有する第２反射導電層と、第２反射導電層上に第１上側透明導電層と同一層に同一材料によって形成された、光透過性を有する第２上側透明導電層とを備える。第２反射導電層は、エッジカバーの開口の内側において、部分的に設けられている、または少なくとも一部で第１反射導電層よりも薄い。

　本発明の技術に係る表示装置によれば、第２反射導電層が、エッジカバーの開口の内側において、部分的に設けられている、または少なくとも一部で第１反射導電層よりも薄いので、第２有機ＥＬ素子の第１電極をエッジカバーの開口の内側で透過する光の量が、当該第２反射導電層が設けられていないかまたは第１反射導電層よりも薄い部分で増大する。これにより、表示領域のうち電子部品に利用される光を透過する第２表示領域での光の透過率を高めることができる。

図１は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。図２は、図１のII－II線に沿う箇所における有機ＥＬ表示装置の断面図である。図３は、図３は、有機ＥＬ表示装置の表示領域を構成する画素と各種の表示用配線とを示す平面図である。図４は、図３のIV－IV線に沿う箇所における有機ＥＬ表示装置の断面図である。図５は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素回路を示す等価回路図である。図６は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第１表示領域における要部を示す断面図である。図７は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第２表示領域における要部を示す断面図である。図８は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層の積層構造を示す断面図である。図９は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第１表示領域および第２表示領域における各第１電極の積層構造を示す断面図である。図１０は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第１表示領域および第２表示領域における各発光領域およびその周辺の構成を示す平面図である。図１１は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示すフロー図である。図１２は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における発光素子層形成工程を概略的に示すフロー図である。図１３は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第１成膜工程で成膜を行った基板の要部を示す断面図である。図１４は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第１パターニング工程でレジスト層を形成した基板の要部を示す断面図である。図１５は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第１パターニング工程でパターニングを行った基板の要部を示す断面図である。図１６は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２成膜工程で成膜を行った基板の要部を示す断面図である。図１７は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２パターニング工程でレジスト層を形成した基板の要部を示す断面図である。図１８は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２パターニング工程でパターニングを行った基板の要部を示す断面図である。図１９は、第１実施形態の変形例１に係る有機ＥＬ表示装置の第２表示領域における要部を示す断面図である。図２０は、第１実施形態の変形例２に係る有機ＥＬ表示装置の第１表示領域および第２表示領域における各発光領域およびその周辺の構成を示す平面図である。図２１は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第１表示領域における要部を示す断面図である。図２２は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第２表示領域における要部を示す断面図である。図２３は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第１表示領域および第２表示領域における各第１電極の積層構造を示す断面図である。図２４は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第１表示領域および第２表示領域における各発光領域およびその周辺の構成を示す平面図である。図２５は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第１成膜工程で成膜を行った基板の要部を示す断面図である。図２６は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第１パターニング工程でレジスト層を形成した基板の要部を示す断面図である。図２７は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第１パターニング工程でパターニングを行った基板の要部を示す断面図である。図２８は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２成膜工程で成膜を行った基板の要部を示す断面図である。図２９は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２パターニング工程でレジスト層を形成した基板の要部を示す断面図である。図３０は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２パターニング工程でパターニングを行った基板の要部を示す断面図である。図３１は、第２実施形態の変形例１に係る有機ＥＬ表示装置の第２表示領域における要部を示す断面図である。図３２は、第２実施形態の変形例２に係る有機ＥＬ表示装置の第１表示領域および第２表示領域における各発光領域およびその周辺の構成を示す平面図である。図３３は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第２表示領域における要部を示す断面図である。図３４は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第１表示領域および第２表示領域における各第１電極の積層構造を示す断面図である。図３５は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第１表示領域および第２表示領域における各発光領域およびその周辺の構成を示す平面図である。図３６は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第１パターニング工程でレジスト層を形成した基板の要部を示す断面図である。図３７は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第１パターニング工程でパターニングを行った基板の要部を示す断面図である。図３８は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２成膜工程で成膜を行った基板の要部を示す断面図である。図３９は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２パターニング工程でレジスト層を形成した基板の要部を示す断面図である。図４０は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２パターニング工程でパターニングを行った基板の要部を示す断面図である。図４１は、第３実施形態の変形例に係る有機ＥＬ表示装置の第１表示領域および第２表示領域における各発光領域およびその周辺の構成を示す平面図である。

　以下、例示的な実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の実施形態では、本開示の技術に係る表示装置として、有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。

　なお、以下の実施形態において、或る膜や層、素子などの構成要素の上にその他の膜や層、素子などの構成要素が設けられている、または形成されているとする記載は、或る構成要素の直上にその他の構成要素が存在する場合のみを意味するのではなく、それら両方の構成要素の間に、それら以外の膜や層、素子などの構成要素が介在されている場合も含む。

　また、以下の実施形態において、或る膜や層、素子などの構成要素がその他の膜や層、素子などの構成要素に接続されているとする記載は、特に断らない限り電気的に接続されていることを意味する。当該記載は、本開示の技術の趣旨を逸脱しない範囲において、直接的な接続を意味する場合のみならず、それら以外の膜や層、素子などの構成要素を介した間接的な接続を意味する場合も含む。当該記載は、或る構成要素に他の構成要素が一体化されている、つまり或る構成要素の一部が他の構成要素を構成している場合も含む。

　また、以下の実施形態において、或る膜や層、素子などの構成要素がその他の膜や層、素子などの構成要素と同層であるという記載は、或る構成要素がその他の構成要素と同一プロセスによって形成されていることを意味する。或る膜や層、素子などの構成要素がその他の膜や層、素子などの構成要素の下層であるという記載は、或る構成要素がその他の構成要素よりも先のプロセスによって形成されていることを意味する。或る膜や層、素子などの構成要素がその他の膜や層、素子などの構成要素の上層であるという記載は、或る構成要素がその他の構成要素よりも後のプロセスによって形成されていることを意味する。

　また、以下の実施形態において、或る膜や層、素子などの構成要素がその他の膜や層、素子などの構成要素と同一である、または同等であるとする記載は、或る構成要素とその他の構成要素とが完全に同一である状態、または完全に同等である状態のみを意味するのではなく、或る構成要素とその他の構成要素とが製造ばらつきや公差の範囲内で変動しているといった実質的に同一である状態、または実質的に同等である状態についても含む。

　また、以下の実施形態において、「第１」、「第２」、「第３」…という記載は、これらの記載が付与された語句を区別するために用いられ、その語句の数や何らかの順序までも限定するものではない。

　《第１実施形態》
　図１～図４は、本開示の技術に係る有機ＥＬ表示装置１の一例を示す。図１は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の概略構成を示す平面図である。図２は、図１のII－II線に沿う箇所における有機ＥＬ表示装置１の断面図である。図３は、有機ＥＬ表示装置１の表示領域Ｄを構成する画素Ｐｘと各種の表示用配線とを示す平面図である。図４は、図３のIV－IV線に沿う箇所における有機ＥＬ表示装置１の断面図である。

　－有機ＥＬ表示装置の構成－
　図１および図２に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、画面の正面側を撮影するカメラ３と組み合わせられるインカメラ付きの表示装置を構成する。有機ＥＬ表示装置１には、画像を表示する表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとが設けられている。カメラ３は、有機ＥＬ表示装置１の樹脂基板層１０に対して表示領域Ｄの背面側に配置され、平面視で表示領域Ｄと重なる位置に設けられる。

　カメラ３は、有機ＥＬ表示装置１における表示領域Ｄの正面側から後述する発光素子層５０、ＴＦＴ層２０および樹脂基板層１０を透過した光を撮影に利用する電子部品である。カメラ３は、例えば、（Charge Coupled Device）やＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）などのイメージセンサを有している。カメラ３は、有機ＥＬ表示装置１を収容する図示しない筐体の内部に設置される。

　表示領域Ｄは、画面を構成する矩形状の領域である。本実施形態では、矩形状の表示領域Ｄを例示するが、表示領域Ｄは、辺が円弧状になった形状、角部が円弧状になった形状、辺の一部に切り欠きがある形状などの略矩形状であってもよい。図３に示すように、表示領域Ｄは、複数の画素Ｐｘによって構成される。

　複数の画素Ｐｘは、マトリクス状に配列されている。各画素Ｐｘは、３つのサブ画素Ｓｐによって構成される。３つのサブ画素Ｓｐは、赤色に発光する発光領域Ｅを有するサブ画素Ｓｐｒと、緑色に発光する発光領域Ｅを有するサブ画素Ｓｐｇと、青色に発光する発光領域Ｅを有するサブ画素Ｓｐｂとである。これら３つのサブ画素Ｓｐｒ，ＳＰｇ、Ｓｐｇは、例えばストライプ状に配列されている。

　図１および図２に示すように、表示領域Ｄは、第１表示領域Ｄ１と、第２表示領域Ｄ２とを有している。第１表示領域Ｄ１は、表示領域Ｄの大部分を占める領域である。第２表示領域Ｄ２は、第１表示領域Ｄ１の内側に位置している。第２表示領域Ｄ２は、表示領域Ｄのうちカメラ３の撮影に利用される光を透過する部分を含む領域である。第２表示領域Ｄ２は、例えば表示領域Ｄの上側に矩形島状に設けられ、第１表示領域Ｄ１に囲まれている。第２表示領域Ｄ２は、上述したような略矩形状であってもよく、円形や楕円形など、その他の形状であってもよい。

　額縁領域Ｆは、画面以外の非表示部分を構成する矩形枠状の領域である。額縁領域Ｆの一辺を構成する部分には、外部回路と接続するための端子部Ｔが設けられている。額縁領域Ｆにおける表示領域Ｄと端子部Ｔとの間には、図１中で横方向である第１方向Ｘを折り曲げの軸として折り曲げ可能な折り曲げ部Ｂが設けられている。

　端子部Ｔは、額縁領域Ｆが折り曲げ部Ｂで例えば１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げられることにより、有機ＥＬ表示装置１の背面側に配置される。端子部Ｔは、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの配線基板Ｃｂと接続される。額縁領域Ｆには、表示領域Ｄから端子部Ｔに引き出された複数の引き出し配線Ｌｌが設けられている。複数の引き出し配線Ｌｌは、端子部Ｔで配線基板Ｃｂを介して表示制御回路（不図示）に接続される。

　額縁領域Ｆにおいて、後述する平坦化膜２９には、トレンチＧが表示領域Ｄを囲むように設けられている。トレンチＧは、平面視で略Ｃ状をなすように延びて、端子部Ｔ側を開口する。トレンチＧは、平坦化膜２９を貫通し、平坦化膜２９を額縁領域Ｆの内側と外側とに区切るように分断している。トレンチＧは、表示領域Ｄへの水分などの浸入を防止する役割を果たす。トレンチＧは、表示領域Ｄの全周に亘って設けられてもよい。

　額縁領域Ｆにおいて、端子部Ｔが設けられた辺と隣り合う辺（図１で左右の各辺）を構成する部分には、ゲートドライバＧｄおよびエミッションドライバＥｄを含む駆動回路Ｄｃがモノリシックに設けられる。ゲートドライバＧｄは、トレンチＧよりも表示領域Ｄ側に配置される。エミッションドライバＥｄは、トレンチＧよりも額縁領域Ｆの外周側に配置される。トレンチＧに対するゲートドライバＧｄとエミッションドライバＥｄとの配置は逆であってもよい。

　額縁領域Ｆには、第１額縁配線Ｌａ（図１で左上りの斜線ハッチングを付す）と、第２額縁配線Ｌｂ（図１で右上りの斜線ハッチングを付す）とが設けられている。第１額縁配線Ｌａは、トレンチＧおよび駆動回路Ｄｃよりも表示領域Ｄ側に枠状に設けられている。第１額縁配線Ｌａは、額縁領域ＦにおけるトレンチＧの開口した部分を通じて端子部Ｔに延びている。第１額縁配線Ｌａには、端子部Ｔで配線基板Ｃｂを介してハイレベル電源電圧（ＥＬＶＤＤ）が入力される。第２額縁配線Ｌｂは、トレンチＧおよび駆動回路Ｄｃよりも額縁領域Ｆの外周側に略Ｃ状に設けられている。第２額縁配線Ｌｂの両端部は、第１額縁配線Ｌａに沿って端子部Ｔに延びている。第２額縁配線Ｌｂには、端子部Ｔで配線基板Ｃｂを介してローレベル電源電圧（ＥＬＶＳＳ）が入力される。

　額縁領域Ｆには、第１堰き止め壁Ｗａと、第２堰き止め壁Ｗｂとが設けられている。第１堰き止め壁Ｗａは、トレンチＧの外側に枠状に設けられている。第２堰き止め壁Ｗｂは、第１堰き止め壁Ｗａの外周に枠状に設けられている。第１堰き止め壁Ｗａおよび第２堰き止め壁Ｗｂは、有機ＥＬ表示装置１の製造過程において、封止膜８０を構成する有機封止層８２を形成する有機材料の塗布時に、当該有機材料の額縁領域Ｆの外側への広がりを堰き止める役割を果たす。第１堰き止め壁Ｗａおよび第２堰き止め壁Ｗｂはそれぞれ、図示しないが、例えば、第１壁層と、第１壁層上に設けられた第２壁層とによって構成されている。

　有機ＥＬ表示装置１は、個々のサブ画素Ｓｐでの発光をＴＦＴ３０により制御し、ＴＦＴ３０の動作により画像表示を行うアクティブマトリクス駆動方式を採用している。図２および図４に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層２０と、ＴＦＴ層２０上に設けられた発光素子層５０と、発光素子層５０を覆うように設けられた封止膜８０とを備えている。

　〈樹脂基板層〉
　樹脂基板層１０は、ベースとなる基板の一例である。樹脂基板層１０は、ポリイミド樹脂やポリアミド樹脂、エポキシ樹脂などの有機材料によって形成されている。樹脂基板層は、可撓性を有している。樹脂基板層１０は、酸化シリコンや窒化シリコン、酸窒化シリコンなどの無機材料からなる無機絶縁層と上記有機材料からなる樹脂層との積層膜によって構成されてもよい。樹脂基板層１０の裏面には、裏面保護フィルム１１が貼り付けられている。

　〈ＴＦＴ層〉
　ＴＦＴ層２０は、樹脂基板層１０上に順に設けられた、ベースコート膜２１と、半導体層２２と、ゲート絶縁膜２３と、第１導電層２４と、第１層間絶縁膜２５と、第２導電層２６と、第２層間絶縁膜２７と、第３導電層２８と、平坦化膜２９および第１壁層とを備えている。

　〈第１～第３導電層〉
　第１導電層２４、第２導電層２６および第３導電層２８には、各種の配線や電極が含まれている。

　第１導電層２４は、ゲート絶縁膜２３上に設けられている。第１導電層２４は、複数のゲート配線２４ｇｌ、複数のゲート電極２４ｇｅ、複数のエミッション制御配線２４ｅｌ、複数の第１容量電極２４ｃｅおよび複数の第１引き出し配線を含んでいる。ゲート配線２４ｇｌ、ゲート電極２４ｇｅ、エミッション制御配線２４ｅｌ、第１容量電極２４ｃｅおよび第１引き出し配線は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）などからなる金属層の単層膜または積層膜により構成され、同一層に同一材料によって形成されている。

　第２導電層２６は、第１層間絶縁膜２５上に設けられている。第２導電層２６は、複数の初期化電源配線２６ｉｌ、複数の第１電源配線２６ｐｌおよび複数の第２容量電極２６ｃｅを含んでいる。初期化電源配線２６ｉｌ、第１電源配線２６ｐｌおよび第２容量電極２６ｃｅは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）などからなる金属層の単層膜または積層膜により構成され、同一層に同一材料によって形成されている。

　第３導電層２８は、第２層間絶縁膜２７上に設けられている。第３導電層２８は、複数のソース配線２８ｓｌ、複数のソース電極２８ｓｅ、複数のドレイン電極２８ｄｅ、複数の接続導電部２８ｃｐ、複数の第２電源配線２８ｐｌ、複数の第２引き出し配線、第１額縁配線Ｌａおよび第２額縁配線Ｌｂを含んでいる。ソース配線２８ｓｌ、ソース電極２８ｓｅ、ドレイン電極２８ｄｅ、第２電源配線２８ｐｌ、第２引き出し配線、第１額縁配線Ｌａおよび第２額縁配線Ｌｂは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）などからなる金属層の単層膜または積層膜により構成され、同一層に同一材料によって形成されている。

　〈各種配線〉
　図３に示すように、複数のゲート配線２４ｇｌは、表示領域Ｄに設けられ、第１方向Ｘに互いに平行に延びている。ゲート配線２４ｇｌは、ゲート信号を伝達する表示用配線であって、サブ画素Ｓｐの行ごとに設けられている。各ゲート配線２４ｇｌは、ゲートドライバＧｄに接続され、所定のタイミングで選択されて活性状態となる。

　複数のエミッション制御配線２４ｅｌは、表示領域Ｄに設けられ、第１方向Ｘに互いに平行に延びている。エミッション制御配線２４ｅｌは、エミッション制御信号を伝達する表示用配線であって、サブ画素Ｓｐの行ごとに設けられている。各エミッション制御配線２４ｅｌは、エミッションドライバＥｄに接続され、所定のタイミングで順に選択されて非活性状態となる。

　複数の第１引き出し配線は、額縁領域Ｆに設けられ、第１方向Ｘと直交する図１中で縦方向である第２方向Ｙに互いに平行に延びている。各第１引き出し配線は、ソース配線２８ｓｌなどの表示用配線と端子部Ｔとを接続する接続配線であって、引き出し配線Ｌｌの一部を構成している。

　複数の初期化電源配線２６ｉｌは、表示領域Ｄに設けられ、第１方向Ｘに互いに平行に延びている。初期化電源配線２６ｉｌは、初期化電位を付与する表示用配線であって、サブ画素Ｓｐの行ごとに設けられている。

　複数の第１電源配線２６ｐｌは、表示領域Ｄに設けられ、第１方向Ｘに互いに平行に延びている。第１電源配線２６ｐｌは、所定のハイレベル電位を付与する表示用配線であって、サブ画素Ｓｐの行ごとに設けられている。各第１電源配線２６ｐｌは、第２層間絶縁膜２７に形成されたコンタクトホールを介して第１額縁配線Ｌａに接続されている。

　複数のソース配線２８ｓｌは、表示領域Ｄに設けられ、第２方向Ｙに互いに平行に延びている。ソース配線２８ｓｌは、ソース信号を伝達する表示用配線であって、サブ画素Ｓｐの列ごとに設けられている。各ソース配線２８ｓｌは、引き出し配線Ｌｌに接続され、引き出し配線Ｌｌおよび端子部Ｔを介して表示制御回路に接続される。

　複数の第２電源配線２８ｐｌは、表示領域Ｄに設けられ、第２方向Ｙに互いに平行に延びている。第２電源配線２８ｐｌは、所定のハイレベル電位を付与する表示用配線であって、サブ画素Ｓｐの列ごとに設けられている。各第２電源配線２８ｐｌは、第１額縁配線Ｌａに接続され、各第１電源配線２６ｐｌと交差している。各第２電源配線２８ｐｌは、第２層間絶縁膜２７に形成されたコンタクトホール（不図示）を介して第１電源配線２６ｐｌと交差箇所で接続されている。これら複数の第２電源配線２８ｐｌは、複数の第１電源配線２６ｐｌと共にハイレベル電源配線Ｐｌを構成している。

　複数の第２引き出し配線は、額縁領域Ｆに設けられ、第２方向Ｙに互いに平行に延びている。各第２引き出し配線は、第１層間絶縁膜２５および第２層間絶縁膜２７に形成されたコンタクトホールを介して第１引き出し配線と接続されている。各第２引き出し配線は、ソース配線２８ｓｌなどの表示用配線と端子部Ｔとを接続する接続配線であって、第１引き出し配線と共に引き出し配線Ｌｌを構成している。

　〈各種電極〉
　ゲート電極２４ｇｅ、ソース電極２８ｓｅおよびドレイン電極２８ｄｅはそれぞれ、サブ画素Ｓｐごとに複数設けられ、ゲート絶縁膜２３、第１層間絶縁膜２５および第２層間絶縁膜２７と共にＴＦＴ３０を構成している。第１容量電極２４ｃｅおよび第２容量電極２６ｃｅはそれぞれ、サブ画素Ｓｐごとに少なくとも１つずつ設けられ、第１層間絶縁膜２５と共にキャパシタ３２を構成している。

　〈ＴＦＴ〉
　ＴＦＴ３０は、サブ画素Ｓｐごとに複数設けられている。すなわち、ＴＦＴ層２０は、複数のＴＦＴ３０を含んでいる。複数のＴＦＴ３０はいずれも、トップゲート型のＴＦＴである。各ＴＦＴ３０は、半導体層２２と、ゲート絶縁膜２３と、ゲート電極２４ｇｅと、第１層間絶縁膜２５および第２層間絶縁膜２７と、ソース電極２８ｓｅおよびドレイン電極２８ｄｅとによって構成されている。

　半導体層２２は、島状に設けられている。半導体層２２は、例えば、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Low Temperature Polycrystalline Silicon）やインジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系）などの酸化物半導体によって形成されている。

　ゲート絶縁膜２３は、半導体層２２を覆うように設けられている。ゲート絶縁膜２３は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンなどからなる無機絶縁層の単層膜または積層膜によって構成されている。ゲート電極２４ｇｅは、ゲート絶縁膜２３を介して半導体層２２の一部（チャネル領域）と重なる位置に設けられている。

　第１層間絶縁膜２５は、ゲート配線２４ｇｌ、ゲート電極２４ｇｅ、エミッション制御配線２４ｅｌ、第１容量電極２４ｃｅを覆うように設けられている。第２層間絶縁膜２７は、第１層間絶縁膜２５上で初期化電源配線２６ｉｌ、第１電源配線２６ｐｌおよび第２容量電極２６ｃｅを覆うように設けられている。これら第１層間絶縁膜２５および第２層間絶縁膜２７はそれぞれ、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンなどからなる無機絶縁層の単層膜または積層膜によって構成されている。

　ソース電極２８ｓｅとドレイン電極２８ｄｅとは、互いに離間している。これらソース電極２８ｓｅとドレイン電極２８ｄｅとは、ゲート絶縁膜２３、第１層間絶縁膜２５および第２層間絶縁膜２７に形成されたコンタクトホール３１を介して、半導体層２２におけるゲート電極２４ｇｅと重なる領域を挟んだ位置で異なる部分（ソース領域、ドレイン領域）にそれぞれ接続されている。

　〈キャパシタ〉
　キャパシタ３２は、サブ画素Ｓｐごとに少なくとも１つ設けられている。すなわち、ＴＦＴ層２０は、複数のキャパシタ３２を含んでいる。複数のキャパシタ３２それぞれは、第１容量電極２４ｃｅと、第１層間絶縁膜２５と、第２容量電極２６ｃｅとによって構成されている。

　第１容量電極２４ｃｅは、サブ画素Ｓｐごとに設けられた複数のＴＦＴ３０のうち３つのＴＦＴ３０（第１ＴＦＴ３０ａ、第２ＴＦＴ３０ｂおよび第４ＴＦＴ３０ｄ）と接続されている。第２容量電極２６ｃｅは、第１層間絶縁膜２５を介して第１容量電極２４ｃｅと重なる位置に設けられている。第２容量電極２６ｃｅは、ハイレベル電源配線Ｐｌに接続されている。

　〈画素回路〉
　図５は、画素回路４０を示す等価回路図である。

　サブ画素Ｓｐごとに設けられた複数のＴＦＴ３０とキャパシタ３２とは、図５に示すように画素回路４０を構成している。画素回路４０は、ゲート配線２４ｇｌから供給されるゲート信号と、エミッション制御配線２４ｅｌから供給されるエミッション信号と、ソース配線２８ｓｌから供給されるソース信号と、初期化電源配線２６ｉｌから供給される初期化電位と、ハイレベル電源配線Ｐｌから供給されるハイレベル電位とに基づいて、対応するサブ画素Ｓｐの発光領域Ｅでの発光を制御する。

　図５に示す画素回路４０は、ｍ行目ｎ列目（ｍ，ｎは正の整数）のサブ画素Ｓｐの画素回路４０である。図５において、参照符号に（ｍ）を付加したソース配線２８ｓｌは、ｍ行目のサブ画素Ｓｐに対応するソース配線２８ｓｌである。参照符号に（ｎ）を付加したゲート配線２４ｇｌおよびエミッション制御配線２４ｅｌは、ｎ列目のサブ画素Ｓｐに対応するゲート配線２４ｇｌおよびエミッション制御配線２４ｅｌである。また、参照符号に（ｎ－１）を付加したゲート配線２４ｇｌは、ｎ列目のゲート配線２４ｇｌの１つ前に走査されるゲート配線２４ｇｌである。

　画素回路４０を構成する複数のＴＦＴ３０は、第１ＴＦＴ３０ａ、第２ＴＦＴ３０ｂ、第３ＴＦＴ３０ｃ、第４ＴＦＴ３０ｄ、第５ＴＦＴ３０ｅ、第６ＴＦＴ３０ｆおよび第７ＴＦＴ３０ｇを含んでいる。これら第１～第７ＴＦＴ３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ，３０ｅ，３０ｆ，３０ｇはいずれも、例えばＰチャネル型のＴＦＴである。第１～第７ＴＦＴ３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ，３０ｅ，３０ｆ，３０ｇにおいて、ゲート電極２４ｇｅは制御端子に相当し、ソース電極２８ｓｅおよびドレイン電極２８ｄｅのうち一方の電極は第１導通端子Ｎａに相当し、他方の電極は第２導通端子Ｎｂに相当する。

　第１ＴＦＴ３０ａは、ゲート配線２４ｇｌ（ｎ－１）と初期化電源配線２６ｉｌとキャパシタ３２との間に設けられた第１初期化用のＴＦＴである。第１ＴＦＴ３０ａの制御端子は、ゲート配線２４ｇｌ（ｎ－１）に接続されている。第１ＴＦＴ３０ａの第１導通端子Ｎａは、初期化電源配線２６ｉｌに接続されている。第１ＴＦＴ３０ａの第２導通端子Ｎｂは、キャパシタ３２の第１容量電極２４ｃｅに接続されている。この第１ＴＦＴ３０ａは、ゲート配線２４ｇｌ（ｎ－１）の選択に応じて、初期化電源配線２６ｉｌの電圧をキャパシタ３２に印加することにより、第４ＴＦＴ３０ｄの制御端子にかかる電圧を初期化する。

　第２ＴＦＴ３０ｂは、ゲート配線２４ｇｌ（ｎ）と第４ＴＦＴ３０ｄとの間に設けられた閾値電圧補償用のＴＦＴである。第２ＴＦＴ３０ｂの制御端子は、ゲート配線２４ｇｌに接続されている。第２ＴＦＴ３０ｂの第１導通端子Ｎａは、第４ＴＦＴ３０ｄの第２導通端子Ｎｂに接続されている。第２ＴＦＴ３０ｂの第２導通端子Ｎｂは、第４ＴＦＴ３０ｄの制御端子に接続されている。この第２ＴＦＴ３０ｂは、ゲート配線２４ｇｌ（ｎ）の選択に応じて、第４ＴＦＴ３０ｄをダイオード接続状態にし、第４ＴＦＴ３０ｄの閾値電圧を補償する。

　第３ＴＦＴ３０ｃは、ゲート配線２４ｇｌ（ｎ）とソース配線２８ｓｌ（ｍ）と第４ＴＦＴ３０ｄとの間に設けられた書き込み制御用のＴＦＴである。第３ＴＦＴ３０ｃの制御端子は、ゲート配線２４ｇｌ（ｎ）に接続されている。第３ＴＦＴ３０ｃの第１導通端子Ｎａは、ソース配線２８ｓｌ（ｍ）に接続されている。第３ＴＦＴ３０ｃの第２導通端子Ｎｂは、第４ＴＦＴ３０ｄの第１導通端子Ｎａに接続されている。この第３ＴＦＴ３０ｃは、ゲート配線２４ｇｌの選択に応じて、ソース配線２８ｓｌ（ｍ）の電圧を第４ＴＦＴ３０ｄの第１導通端子Ｎａに印加する。

　第４ＴＦＴ３０ｄは、第１ＴＦＴ３０ａと第２ＴＦＴ３０ｂとキャパシタ３２と第３ＴＦＴ３０ｃと第５ＴＦＴ３０ｅと第６ＴＦＴ３０ｆとの間に設けられた駆動用のＴＦＴである。第４ＴＦＴ３０ｄの制御端子は、第２ＴＦＴ３０ｂの第２導通端子Ｎｂと、第１ＴＦＴ３０ａの第２導通端子Ｎｂとに接続されている。第４ＴＦＴ３０ｄの第１導通端子Ｎａは、第３ＴＦＴ３０ｃの第２導通端子Ｎｂと、第５ＴＦＴ３０ｅの第２導通端子Ｎｂとに接続されている。第４ＴＦＴ３０ｄの第２導通端子Ｎｂは、第２ＴＦＴ３０ｂの第１導通端子Ｎａと、第６ＴＦＴ３０ｆの第１導通端子Ｎａとに接続されている。この第４ＴＦＴ３０ｄは、自素子の制御端子と第１導通端子Ｎａとの間にかかる電圧に応じた駆動電流を第６ＴＦＴ３０ｆの第１導通端子Ｎａに印加する。

　第５ＴＦＴ３０ｅは、エミッション制御配線２４ｅｌ（ｎ）とハイレベル電源配線Ｐｌと第４ＴＦＴ３０ｄとの間に設けられた電源供給用のＴＦＴである。第５ＴＦＴ３０ｅの制御端子は、エミッション制御配線２４ｅｌ（ｎ）に接続されている。第５ＴＦＴ３０ｅの第１導通端子Ｎａは、ハイレベル電源配線Ｐｌに接続されている。第５ＴＦＴ３０ｅの第２導通端子Ｎｂは、第４ＴＦＴ３０ｄの第１導通端子Ｎａに接続されている。この第５ＴＦＴ３０ｅは、エミッション制御配線２４ｅｌの選択に応じてハイレベル電源配線Ｐｌの電位を第４ＴＦＴ３０ｄの第１導通端子Ｎａに印加する。

　第６ＴＦＴ３０ｆは、エミッション制御配線２４ｅｌ（ｎ）と第２ＴＦＴ３０ｂと第４ＴＦＴ３０ｄと有機ＥＬ素子６０との間に設けられた発光制御用のＴＦＴである。第６ＴＦＴ３０ｆの制御端子は、エミッション制御配線２４ｅｌ（ｎ）に接続されている。第６ＴＦＴ３０ｆの第１導通端子Ｎａは、第４ＴＦＴ３０ｄの第２導通端子Ｎｂに接続されている。第６ＴＦＴ３０ｆの第２導通端子Ｎｂは、有機ＥＬ素子６０の第１電極５１に接続されている。この第６ＴＦＴ３０ｆは、エミッション制御配線２４ｅｌ（ｎ）の選択に応じて駆動電流を有機ＥＬ素子６０に印加する。

　第７ＴＦＴ３０ｇは、ゲート配線２４ｇｌ（ｎ）と初期化電源配線２６ｉｌと有機ＥＬ素子６０との間に設けられた第２初期化用のＴＦＴである。第７ＴＦＴ３０ｇの制御端子は、ゲート配線２４ｇｌ（ｎ）に接続されている。第７ＴＦＴ３０ｇの第２導通端子Ｎｂは、初期化電源配線２６ｉｌに接続されている。第７ＴＦＴ３０ｇの第１導通端子Ｎａは、有機ＥＬ素子６０の第１電極５１に接続されている。この第７ＴＦＴ３０ｇは、ゲート配線２４ｇｌの選択に応じて有機ＥＬ素子６０の第１電極５１に蓄積した電荷をリセットする。

　キャパシタ３２は、ハイレベル電源配線Ｐｌと第１ＴＦＴ３０ａと第４ＴＦＴ３０ｄとの間に設けられたデータ保持用の素子である。キャパシタ３２の第１容量電極２４ｃｅは、第４ＴＦＴ３０ｄの制御端子と、第１ＴＦＴ３０ａの第２導通端子Ｎｂと、第２ＴＦＴ３０ｂの第２導通端子Ｎｂとに接続されている。キャパシタ３２の第２容量電極２６ｃｅは、ハイレベル電源配線Ｐｌに接続されている。キャパシタ３２は、ゲート配線２４ｇｌが選択状態にあるときに、ソース配線２８ｓｌの電圧で蓄電される。キャパシタ３２は、蓄電により書き込まれた電圧を保持することにより、ゲート配線２４ｇｌが非選択状態にあるときに、第４ＴＦＴ３０ｄの制御端子にかかる電圧を維持する。

　〈平坦化膜〉
　平坦化膜２９は、表示領域Ｄにおいて、第６ＴＦＴ３０ｆのドレイン電極２８ｄｅの一部以外の第３導電層２８（ソース配線２８ｓｌ、第２電源配線２８ｐｌ、ソース電極２８ｓｅ、ドレイン電極２８ｄｅ）を覆うことにより、ＴＦＴ層２０の表面を、第１ＴＦＴ３０ａ、第２ＴＦＴ３０ｂ、第３ＴＦＴ３０ｃ、第４ＴＦＴ３０ｄ、第５ＴＦＴ３０ｅ、第６ＴＦＴ３０ｆ、第７ＴＦＴ３０ｇの表面形状による段差を低減するように平坦化している。平坦化膜２９は、例えばポリイミド樹脂などの有機材料によって形成されている。平坦化膜２９には、第１電極５１を第６ＴＦＴ３０ｆのドレイン電極２８ｄｅに接続するためのコンタクトホール３３が、有機ＥＬ素子６０ごとに形成されている。

　〈第１壁層〉
　第１壁層は、額縁領域Ｆにおいて、平坦化膜２９の外周に２つ設けられている。各第１壁層は、平坦化膜２９の周囲全周に亘って延びる矩形枠状に形成されている。これら２つの第１壁層は、互いに相似形とされ、額縁領域Ｆの幅方向に互いに間隔をあけて配置されている。各第１壁層は、平坦化膜２９と同一層に同一材料によって形成されている。

　〈発光素子層〉
　図６は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の第１表示領域Ｄ１における要部を示す断面図である。図７は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の第２表示領域Ｄ２における要部を示す断面図である。図８は、有機ＥＬ表示装置１を構成する有機ＥＬ層５３の積層構造を示す断面図である。図９は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の第１表示領域Ｄ１および第２表示領域Ｄ２における各第１電極５１の積層構造を示す断面図である。図１０は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の第１表示領域Ｄ１および第２表示領域Ｄ２における各発光領域Ｅおよびその周辺の構成を示す平面図である。

　図４、図６および図７に示すように、発光素子層５０は、平坦化膜２９上に順に設けられた、第１電極５１と、エッジカバー５２および第２壁層（不図示）と、有機ＥＬ層５３と、第２電極５４とを備えている。

　第１電極５１、有機ＥＬ層５３および第２電極５４は、有機ＥＬ素子６０を構成している。有機ＥＬ素子６０は、発光素子の一例である。有機ＥＬ素子６０は、トップエミッション型の構造を採用している。有機ＥＬ素子６０は、サブ画素Ｓｐごとに設けられている。すなわち、発光素子層５０は、複数の有機ＥＬ素子６０を含んでいる。

　複数の有機ＥＬ素子６０には、第１表示領域Ｄ１に位置する複数の第１有機ＥＬ素子６０Ａ（図６参照）と、第２表示領域Ｄ２に位置する複数の第２有機ＥＬ素子６０Ｂ（図７参照）とが含まれている。第１有機ＥＬ素子６０Ａおよび第２有機ＥＬ素子６０Ｂはそれぞれ、第１電極５１、有機ＥＬ層５３および第２電極５４を備えている。

　〈第１電極〉
　第１電極５１は、有機ＥＬ素子６０ごと（サブ画素Ｓｐごと）に設けられている。第１電極５１は、対応するサブ画素Ｓｐにおける第６ＴＦＴ３０ｆのドレイン電極２８ｄｅに対し、平坦化膜２９に形成されたコンタクトホール３３を介して接続されている。第１電極５１は、有機ＥＬ層５３に正孔（ホール）を注入する陽極として機能する。第１電極５１は、有機ＥＬ層５３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのが好ましい。

　第１電極５１は、第１有機ＥＬ素子６０Ａと第２有機ＥＬ素子６０Ｂとで光の透過率が異なるように作り分けられている。第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１と、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１とは、それぞれ複数の導電層が積層された構造を有し、互いの層構成が異なっている。図９に示すように、平面視において、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１と、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１とは、互いに同一形状で同等な面積である。

　〈第１有機ＥＬ素子の第１電極〉
　図６および図８に示すように、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１は、平坦化膜２９上に順に設けられた、第１下側透明導電層６１、第１反射導電層６２および第１上側透明導電層６５を備えている。

　第１下側透明導電層６１は、第１反射導電層６２の腐食を抑制すると共に、平坦化膜２９に対する第１電極５１の密着性を向上させるための層である。第１下側透明導電層６１は、光を透過する光透過性を有している。第１下側透明導電層６１は、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）およびインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）から選択される少なくとも１つの透明導電酸化物によって形成されている。第１下側透明導電層６１の厚さｔ１１は、例えば１０ｎｍ～２０ｎｍ程度である。

　第１反射導電層６２は、第１下側透明導電層６１上に設けられている。第１反射導電層６２は、第１下側反射導電層６３と、第１下側反射導電層６３上に設けられた第１上側反射導電層６４とを有している。第１下側反射導電層６３および第１上側反射導電層６４はいずれも、光を反射する光反射性を有している。これら第１下側反射導電層６３および第１上側反射導電層６４はそれぞれ、銀（Ａｇ）、銀合金、アルミニウム（Ａｌ）およびアルミニウム合金から選択される少なくとも１つの金属材料によって形成されている。第１上側反射導電層６４は、第１下側反射導電層６３よりも薄い（ｔ１４＜ｔ１３）。第１下側反射導電層６３の厚さｔ１３は、例えば７０ｎｍ～９０ｎｍ程度である。第１上側反射導電層６４の厚さｔ１４は、例えば１０ｎｍ～５０ｎｍ程度である。第１反射導電層６２は、表示領域Ｄの正面側から入射する光（図６に破線矢印で概念的に示す）を全反射するか、または殆ど全て反射する。

　第１上側透明導電層６５は、第１反射導電層６２上に設けられている。第１上側透明導電層６５は、第１反射導電層６２の腐食を抑制するための層である。第１上側透明導電層６５は、光を透過する光透過性を有している。第１上側透明導電層６５は、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）およびインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）から選択される少なくとも１つの透明導電酸化物によって形成されている。第１上側透明導電層６５の厚さｔ１５は、例えば１０ｎｍ～２０ｎｍ程度である。

　平面視において、第１下側透明導電層６１と、第１下側反射導電層６３と、第１上側反射導電層６４と、第１上側透明導電層６５とは、互いに同一形状で同等な面積である。第１下側透明導電層６１、第１下側反射導電層６３、第１上側反射導電層６４および第１上側透明導電層６５の周端面同士は、当該第１下側透明導電層６１、第１下側反射導電層６３、第１上側反射導電層６４および第１上側透明導電層６５の積層方向（第１電極５１の厚さ方向）において揃っている。第１反射導電層６２は、エッジカバー５２の開口６８の内側全体に亘って、第１下側反射導電層６３と第１上側反射導電層６４とにより構成されている。

　第１下側透明導電層６１、第１上側反射導電層６４および第１上側透明導電層６５は、同一のパターニング工程でウェットエッチングを用いて形成される。第１下側反射導電層６３は、第１下側透明導電層６１、第１上側反射導電層６４および第１上側透明導電層６５などとは別のパターニング工程でウェットエッチングを用いて形成される。第１下側透明導電層６１の厚さｔ１１と第１上側透明導電層６５の厚さｔ１５とは、ウェットエッチングによる第１電極５１の形状制御性を安定させる観点から、互いに同等であることが好ましい。

　〈第２有機ＥＬ素子の第１電極〉
　図７および図８に示すように、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１は、平坦化膜２９上に順に設けられた、第２下側透明導電層７１、第２反射導電層７２および第２上側透明導電層７５を備えている。

　第２下側透明導電層７１は、第２反射導電層７２の腐食を抑制すると共に、平坦化膜２９に対する第１電極５１の密着性を向上させるための層である。第２下側透明導電層７１は、光を透過する光透過性を有している。第２下側透明導電層７１は、第１下側透明導電層６１と同一層に同一材料、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）およびインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）から選択される少なくとも１つの透明導電酸化物によって形成されている。第２下側透明導電層７１の厚さｔ２１は、例えば１０ｎｍ～２０ｎｍ程度である。

　第２反射導電層７２は、第２下側透明導電層７１上に設けられている。第２反射導電層７２は、光を反射する光反射性を有している。第２反射導電層７２は、第１上側反射導電層６４と同一層に同一材料、例えば、銀（Ａｇ）、銀合金、アルミニウム（Ａｌ）およびアルミニウム合金から選択される少なくとも１つの金属材料によって形成されている。第２反射導電層７２は、第１反射導電層６２よりも薄い（ｔ２２＜ｔ１２）。そのことで、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１は、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１よりも薄い（ｔ２＜ｔ１）。第２反射導電層７２の厚さｔ２２は、例えば１０ｎｍ～５０ｎｍ程度である。第２反射導電層７２は、表示領域Ｄの正面側から入射する光（図７に破線矢印で概念的に示す）を一部透過させ、一部反射する。

　第２上側透明導電層７５は、第２反射導電層７２上に設けられている。第２上側透明導電層７５は、第２反射導電層７２の腐食を抑制するための層である。第２上側透明導電層７５は、光を透過する光透過性を有している。第２上側透明導電層７５は、第１上側透明導電層６５と同一層に同一材料、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）およびインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）から選択される少なくとも１つの透明導電酸化物によって形成されている。第２上側透明導電層７５の厚さｔ２５は、例えば１０ｎｍ～２０ｎｍ程度である。

　平面視において、第２下側透明導電層７１と、第２反射導電層７２と、第２上側透明導電層７５とは、互いに同一形状で同等な面積である。第２下側透明導電層７１、第２反射導電層７２および第２上側透明導電層７５の周端面同士は、当該第２下側透明導電層７１、第２反射導電層７２および第２上側透明導電層７５の積層方向（第１電極５１の厚さ方向）において揃っている。第２反射導電層７２は、エッジカバー５２の開口６８の内側全体に亘って第１反射導電層６２よりも薄く設けられている。

　第２下側透明導電層７１、第２反射導電層７２および第２上側透明導電層７５は、第１下側透明導電層６１、第１上側反射導電層６４および第１上側透明導電層６５と同一のパターニング工程でウェットエッチングを用いて形成される。第２下側透明導電層７１の厚さｔ２１と第２上側透明導電層７５の厚さｔ２５とは、ウェットエッチングによる第１電極５１の形状制御性を安定させる観点から、互いに同等であることが好ましい。

　〈エッジカバー〉
　エッジカバー５２は、第１表示領域Ｄ１と第２表示領域Ｄ２とで共通している。図４に示すように、エッジカバー５２は、隣り合うサブ画素Ｓｐの第１電極５１を区画している。エッジカバー５２は全体として格子状に形成され、各第１電極５１の周縁部を覆っている。エッジカバー５２の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂などの有機材料が挙げられる。エッジカバー５２の表面の一部は、上方に突出して、フォトスペーサ６９を構成している。

　平面視でエッジカバー５２と重なる箇所には、第１ＴＦＴ３０ａ、第２ＴＦＴ３０ｂ、第３ＴＦＴ３０ｃ、第４ＴＦＴ３０ｄ、第５ＴＦＴ３０ｅ、第６ＴＦＴ３０ｆおよび第７ＴＦＴ３０ｇのうちいくつかのＴＦＴ３０、例えば第６ＴＦＴ３０ｆを含む複数のＴＦＴ３０が位置している。エッジカバー５２には、第１電極５１を露出させる開口６８が有機ＥＬ素子６０ごとに形成されている。有機ＥＬ素子６０は、エッジカバー５２の開口６８に対応する領域に、第１電極５１と第２電極５４とが有機ＥＬ層５３を介して互いに対向する構造を有し、同領域で発光する。

　サブ画素Ｓｐのうちエッジカバー５２の開口６８に対応する領域は、有機ＥＬ素子６０が発光する発光領域Ｅを構成している。図９に示すように、平面視において、エッジカバー５２における第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１を露出させる開口６８と、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１を露出させる開口６８とは、互いに同一形状で同等な面積である。すなわち、第１表示領域Ｄ１の各サブ画素Ｓｐにおける発光領域Ｅと、第２表示領域Ｄ２の各サブ画素Ｓｐにおける発光領域Ｅとは、互いに同一形状で同等な面積である。

　〈第２壁層〉
　第２壁層は、２つの第１壁層それぞれの上に積層されている。すなわち、各第２壁層は、平坦化膜２９の周囲全周に亘って延びる矩形枠状に形成されている。これら２つの第２壁層は、互いに相似形とされ、額縁領域Ｆの幅方向に互いに間隔をあけて配置されている。各第２壁層は、エッジカバー５２と同一層に同一材料によって形成されている。

　〈有機ＥＬ層〉
　有機ＥＬ層５３は、第１表示領域Ｄ１と第２表示領域Ｄ２とで同じ構成である。有機ＥＬ層５３は、発光機能層の一例である。図７および図８に示すように、有機ＥＬ層５３は、エッジカバー５２の各開口６８内で第１電極５１上に設けられている。図９に示すように、平面視において、第１有機ＥＬ素子６０Ａの有機ＥＬ層５３と、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの有機ＥＬ層５３とは、互いに同一形状で同等な面積である。

　図１０に示すように、有機ＥＬ層５３は、第１電極５１上に順に設けられた、正孔注入層５３ａ、正孔輸送層５３ｂ、発光層５３ｃ、電子輸送層５３ｄおよび電子注入層５３ｅを有している。正孔注入層５３ａ、正孔輸送層５３ｂ、電子輸送層５３ｄおよび電子注入層５３ｅのうちいくつかの層は、複数のサブ画素Ｓｐにおいて一続きとして共通に設けられていてもよい。

　正孔注入層５３ａは、陽極バッファ層とも呼ばれる。正孔注入層５３ａは、第１電極５１と有機ＥＬ層５３とのエネルギーレベルを近づけて、第１電極５１から有機ＥＬ層５３へ正孔が注入される効率を改善する。正孔注入層５３ａの材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体などが挙げられる。

　正孔輸送層５３ｂは、正孔を発光層５３ｃまで効率よく移動させる機能を有している。正孔輸送層５３ｂの材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛などが挙げられる。

　発光層５３ｃは、第１電極５１および第２電極５４によって電圧が印加されたときに、第１電極５１から注入された正孔と第２電極５４から注入された電子とを再結合させて発光する。発光層５３ｃは、例えば、個々のサブ画素Ｓｐにおける有機ＥＬ素子６０の発光色（赤色、緑色または青色）に合わせて異なる材料により形成される。

　発光層５３ｃの材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシランなどが挙げられる。

　電子輸送層５３ｄは、電子を発光層５３ｃまで効率よく移動させる。電子輸送層５３ｄの材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物などが挙げられる。

　電子注入層５３ｅは、陰極バッファ層とも呼ばれる。電子注入層５３ｅは、第２電極５４と有機ＥＬ層５３とのエネルギーレベルを近づけて、第２電極５４から有機ＥＬ層５３へ電子が注入される効率を改善する機能を有している。電子注入層５３ｅの材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）などが挙げられる。

　〈第２電極〉
　第２電極５４は、第１表示領域Ｄ１と第２表示領域Ｄ２とで同じ構成である。第２電極５４は、複数のサブ画素Ｓｐに共通して設けられている。第２電極５４は、有機ＥＬ層５３およびエッジカバー５２を覆い、有機ＥＬ層５３を介して第１電極５１に重なっている。第２電極５４は、有機ＥＬ層５３に電子を注入する陰極として機能する。第２電極５４は、光を透過する光透過性を有している。

　第２電極５４の材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）などが挙げられる。

　第２電極５４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）などの合金により形成されていてもよい。

　第２電極５４は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの導電性酸化物により形成されていてもよい。第２電極５４は、有機ＥＬ層５３への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で形成するのが好ましい。第２電極５４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。

　〈封止膜〉
　図４に示すように、封止膜８０は、複数の有機ＥＬ素子６０を覆うように設けられている。封止膜８０は、各有機ＥＬ素子６０の有機ＥＬ層５３を水分や酸素などから保護する。封止膜８０は、第２電極５４を覆うように設けられた第１無機封止層８１と、第１無機封止層８１上に設けられた有機封止層８２と、有機封止層８２上に設けられた第２無機封止層８３とを備えている。

　第１無機封止層８１および第２無機封止層８３は、例えば、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜などの無機絶縁膜により構成されている。有機封止層８２は、例えば、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリ尿素樹脂、パリレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂などの有機材料により形成されている。封止膜８０は、有機ＥＬ表示装置１の表面側に貼り付けられた、図示しない表面保護フィルムにより覆われている。

　－有機ＥＬ表示装置の動作－
　上記構成の有機ＥＬ表示装置１では、各サブ画素Ｓｐにおいて、まず、対応するエミッション制御配線２４ｅｌが選択されて非活性状態となると、有機ＥＬ素子６０が非発光状態となる。そして、非発光状態の有機ＥＬ素子６０に対応するゲート配線２４ｇｌの１つ前に走査されるゲート配線２４ｇｌが選択されると、そのゲート配線２４ｇｌを介してゲート信号が第１ＴＦＴ３０ａに入力されて、第１ＴＦＴ３０ａおよび第４ＴＦＴ３０ｄがオン状態となり、初期化電源配線２６ｉｌの電圧がキャパシタ３２に印加される。それによって、キャパシタ３２の電荷が放電されて、第４ＴＦＴ３０ｄのゲート電極２４ｇｅにかかる電圧が初期化される。

　次に、非発光状態の有機ＥＬ素子６０に対応するゲート配線２４ｇｌが選択されて活性状態となると、第２ＴＦＴ３０ｂおよび第３ＴＦＴ３０ｃがオン状態となり、ソース配線２８ｓｌを介して伝達されるソース信号に対応する所定の電圧がダイオード接続状態の第４ＴＦＴ３０ｄを介してキャパシタ３２に書き込まれる。さらに、第７ＴＦＴ３０ｇがオン状態となり、初期化電源配線２６ｉｌの電圧が有機ＥＬ素子６０の第１電極５１に印加されて、第１電極５１に蓄積された電荷がリセットされる。

　その後、非発光状態の有機ＥＬ素子６０に対応するエミッション制御配線２４ｅｌが非選択とされて活性状態となると、第５ＴＦＴ３０ｅおよび第６ＴＦＴ３０ｆがオン状態となり、第４ＴＦＴ３０ｄのゲート電極２４ｇｅにかかる電圧に応じた駆動電流がハイレベル電源配線Ｐｌから有機ＥＬ素子６０に供給される。このようにして、各有機ＥＬ素子６０は、駆動電流に応じた輝度で発光する。それにより、有機ＥＬ表示装置１では表示領域Ｄに画像が表示される。

　－有機ＥＬ表示装置の製造方法－
　第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１を製造する方法を以下に説明する。図１１は、有機ＥＬ表示装置１の製造方法を概略的に示すフロー図である。図１２は、発光素子層形成工程ＳＴ２を概略的に示すフロー図である。

　図１１に示すように、有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、ＴＦＴ層形成工程ＳＴ１と、発光素子層形成工程ＳＴ２と、封止膜形成工程ＳＴ３と、フレキシブル化工程ＳＴ４と、実装工程ＳＴ５とを含む。

　〈ＴＦＴ層形成工程〉
　ＴＦＴ層形成工程ＳＴ１では、まず、ガラス基板１００上に、樹脂材料を塗布するなどして樹脂基板層１０を形成する。その後、樹脂基板層１０が形成された基板上に、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法およびスパッタリング法などの周知の成膜技術やフォトリソグラフィなどのパターニング技術を用いて、ベースコート膜２１、半導体層２２、ゲート絶縁膜２３、第１導電層２４（ゲート配線２４ｇｌ、ゲート電極２４ｇｅ、エミッション制御配線２４ｅｌ、第１容量電極２４ｃｅおよび第１引き出し配線）、第１層間絶縁膜２５、第２導電層２６（初期化電源配線２６ｉｌ、第１電源配線２６ｐｌおよび第２容量電極２６ｃｅ）、第２層間絶縁膜２７、第３導電層２８（ソース配線２８ｓｌ、ソース電極２８ｓｅ、ドレイン電極２８ｄｅ、第２電源配線２８ｐｌ、第２引き出し配線、第１額縁配線Ｌａおよび第２額縁配線Ｌｂ）および平坦化膜２９を順に形成する。

　このようにして、ＴＦＴ層形成工程ＳＴ１では、樹脂基板層１０上に、複数のＴＦＴ３０を含むＴＦＴ層２０を形成する。

　〈発光素子層形成工程〉
　発光素子層形成工程ＳＴ２は、ＴＦＴ層形成工程ＳＴ１の後に行われる。図１２に示すように、発光素子層形成工程ＳＴ２は、第１電極形成工程ＳＴ２ａと、エッジカバー形成工程ＳＴ２ｂと、有機ＥＬ層形成工程ＳＴ２ｃと、第２電極形成工程ＳＴ２ｄとを含む。

　〈第１電極形成工程〉
　第１電極形成工程ＳＴ２ａでは、有機ＥＬ素子６０ごとに第１電極５１を形成する。第１電極形成工程ＳＴ２ａは、第１成膜工程ＳＴ２ａ－１と、第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２と、第２成膜工程ＳＴ２ａ－３と、第２パターニング工程ＳＴ２ａ－４とを含む。

　〈第１成膜工程〉
　図１３は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法における第１成膜工程ＳＴ２ａ－１で成膜を行った基板の要部を示す断面図である。

　図１３に示すように、第１成膜工程ＳＴ２ａ－１では、ＴＦＴ層２０が形成された基板上に、例えばスパッタリング法により、第１透明導電膜１０１および第１反射導電膜１０２をそれぞれ単層でまたは複数積層するように順に成膜する。ここで成膜する第１透明導電膜１０１の厚さは、例えば１０ｎｍ～２０ｎｍ程度とする。第１反射導電膜１０２の厚さは、例えば７０ｎｍ～９０ｎｍ程度とする。

　〈第１パターニング工程〉
　図１４は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法における第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２でレジスト層１０３を形成した基板の要部を示す断面図である。図１５は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法における第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２でパターニングを行った基板の要部を示す断面図である。

　第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２は、第１成膜工程ＳＴ２ａ－１の後に行われる。第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２では、第１反射導電膜１０２をフォトリソグラフィによりパターニングして、表示領域Ｄのうち第１表示領域Ｄ１に、当該第１反射導電膜１０２から複数の第１下側反射導電層６３を所定のパターンで形成する。

　まず、第１透明導電膜１０１および第１反射導電膜１０２が形成された基板上に、例えばスピンコート法などの公知の塗布法により、感光性樹脂材料を塗布する。続いて、その感光性樹脂材料の塗布膜に対し、プリベーク、露光、現像およびポストベークを行って、当該塗布膜をパターニングすることにより、図１４に示すように、第１表示領域Ｄ１の第１電極５１を形成する各領域に島状のレジスト層１０３を形成する。

　次に、レジスト層１０３をマスクとして第１反射導電膜１０２をエッチング液に晒すことにより、第１反射導電膜１０２にウェットエッチングを施す。このときのエッチング液には、第１透明導電膜１０１の材料に対する第１反射導電膜１０２の材料の選択比が比較的高い種のエッチング液が用いられる。そのようなエッチング液を用いたウェットエッチングにより、第１反射導電膜１０２を選択的に腐食溶解させてパターニングする。その後、レジスト層１０３をアッシングにより除去する。こうして、図１５に示すように、第１表示領域Ｄ１に、当該第１反射導電膜１０２から各第１下側反射導電層６３を形成する。

　〈第２成膜工程〉
　図１６は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法における第２成膜工程ＳＴ２ａ－３で成膜を行った基板の要部を示す断面図である。

　第２成膜工程ＳＴ２ａ－３は、第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２の後に行われる。第２成膜工程ＳＴ２ａ－３では、第１下側反射導電層６３が形成された基板上に、例えばスパッタリング法により、第２反射導電膜１０４および第２透明導電膜１０５をそれぞれ単層でまたは複数積層するように順に成膜する。ここで成膜する第２反射導電膜１０４の厚さは、例えば１０ｎｍ～５０ｎｍ程度とする。第２透明導電膜１０５の厚さは、第１透明導電膜１０１の厚さと同等（例えば１０ｎｍ～２０ｎｍ程度）とする。

　〈第２パターニング工程〉
　図１７は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法における第２パターニング工程ＳＴ２ａ－４でレジスト層１０６を形成した基板の要部を示す断面図である。図１８は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法における第２パターニング工程ＳＴ２ａ－４でパターニングを行った基板の要部を示す断面図である。

　第２パターニング工程ＳＴ２ａ－４は、第２成膜工程ＳＴ２ａ－３の後に行われる。第２パターニング工程ＳＴ２ａ－４では、第１透明導電膜１０１、第２反射導電膜１０４および第２透明導電膜１０５をフォトリソグラフィによりパターニングして、第１表示領域Ｄ１および第２表示領域Ｄ２それぞれに複数の第１電極５１を所定のパターンで形成する。

　まず、第２反射導電膜１０４および第２透明導電膜１０５が形成された基板上に、例えばスピンコート法などの公知の塗布法により、感光性樹脂材料を塗布する。続いて、その感光性樹脂材料の塗布膜に対し、プリベーク、露光、現像およびポストベークを行って、当該塗布膜をパターニングすることにより、図１７に示すように、第１表示領域Ｄ１および第２表示領域Ｄ２の第１電極５１を形成する各領域に島状のレジスト層１０６を形成する。

　次に、レジスト層１０６をマスクとして第１透明導電膜１０１、第２反射導電膜１０４および第２透明導電膜１０５をエッチング液に晒すことにより、それら第１透明導電膜１０１、第２反射導電膜１０４および第２透明導電膜１０５にウェットエッチングを施す。このときのエッチング液には、第１透明導電膜１０１および第２透明導電膜１０５の材料と第２反射導電膜１０４の材料との選択比が比較的低い種のエッチング液が用いられる。そのようなエッチング液を用いたウェットエッチングにより、第１透明導電膜１０１、第２反射導電膜１０４および第２透明導電膜１０５を一括に腐食溶解させてパターニングする。その後、レジスト層１０６をアッシングにより除去する。

　それら第１透明導電膜１０１、第２反射導電膜１０４および第２透明導電膜１０５をパターニングすることで、図１８に示すように、第１表示領域Ｄ１に、各々第１下側反射導電層６３と重なり合うように、第１透明導電膜１０１から第１下側透明導電層６１を形成し、第２反射導電膜１０４から第１上側反射導電層６４を形成し、第２透明導電膜１０５から第１上側透明導電層６５を形成する。また、それら第１下側透明導電層６１などの形成と共に、第２表示領域Ｄ２に、互いに重なり合うように、第１透明導電膜１０１から第２下側透明導電層７１を形成し、第２反射導電膜１０４から第２反射導電層７２を形成し、第２透明導電膜１０５から第２上側透明導電層７５を形成する。

　このとき、第１透明導電膜１０１の厚さと第２透明導電膜１０５の厚さとが異なる場合には、第１透明導電膜１０１のエッチングレートと第２透明導電膜１０５のエッチングレートとに差異が生じるため、第１下側透明導電層６１および第２下側透明導電層７１の外周部分の内方へのシフト量と、第１上側透明導電層６５および第２上側透明導電層７５の外周部分の内方へのシフト量とが相違する。その結果、第１下側透明導電層６１と第１上側透明導電層６５との形状、第２下側透明導電層７１と第２上側透明導電層７５との形状がそれぞれ一致しないおそれがある。これに対し、本実施形態においては、第１透明導電膜１０１の厚さと第２透明導電膜１０５の厚さとが同等であるので、第１透明導電膜１０１のエッチングレートと第２透明導電膜１０５のエッチングレートとが揃う。そのため、第１下側透明導電層６１と第１上側透明導電層６５との形状、第２下側透明導電層７１と第２上側透明導電層７５との形状をそれぞれ一致させやすい。

　このようにして、第１表示領域Ｄ１に、第１下側透明導電層６１、第１下側反射導電層６３、第１上側反射導電層６４および第１上側透明導電層６５が積層されてなる第１電極５１を複数形成する。また、第２表示領域Ｄ２に、第２下側透明導電層７１、第２反射導電層７２および第２上側透明導電層７５が積層されてなる第１電極５１を複数形成する。

　〈エッジカバー形成工程〉
　エッジカバー形成工程ＳＴ２ｂは、第１電極形成工程ＳＴ２ａの後に行われる。エッジカバー形成工程ＳＴ２ｂでは、第１電極５１が形成された基板上に、例えばスピンコート法などの公知の塗布法により、感光性樹脂材料を塗布する。続いて、その感光性樹脂材料の塗布膜に対し、プリベーク、露光処理、現像処理およびポストベークを行って、当該塗布膜をパターニングすることにより、エッジカバー５２および第２壁層を形成する。

　〈有機ＥＬ層形成工程〉
　有機ＥＬ層形成工程ＳＴ２ｃは、エッジカバー形成工程ＳＴ２ｂの後に行われる。有機ＥＬ層形成工程ＳＴ２ｃでは、エッジカバー５２が形成された基板上に、サブ画素単位でパターニング可能なＦＭＭ（Fine Metal Mask）と呼ばれる成膜用マスクを用いて、例えば真空蒸着法により、正孔注入層５３ａ、正孔輸送層５３ｂ、発光層５３ｃ、電子輸送層５３ｄおよび電子注入層５３ｅを順に成膜して、個々の第１電極５１上に有機ＥＬ層５３を形成する。なお、正孔注入層５３ａ、正孔輸送層５３ｂ、電子輸送層５３ｄおよび電子注入層５３ｅのうちいくつかの層は、表示パネル単位でパターニング可能なＣＭＭ（Common Metal Mask）やオープンマスクと呼ばれる成膜用マスクを用いて成膜してもよい。

　〈第２電極形成工程〉
　第２電極形成工程ＳＴ２ｄは、有機ＥＬ層形成工程ＳＴ２ｃの後に行われる。第２電極形成工程ＳＴ２ｄでは、有機ＥＬ層５３が形成された基板上に、例えば成膜用マスクとしてＣＭＭ（オープンマスク）を用いる真空蒸着法により、金属膜を単層でまたは複数積層するように成膜することで、第２電極５４を形成する。

　このようにして、発光素子層形成工程ＳＴ２では、ＴＦＴ層２０上に、複数の有機ＥＬ素子６０を含む発光素子層５０を形成する。

　〈封止膜形成工程〉
　封止膜形成工程ＳＴ３は、発光素子層形成工程ＳＴ２の後に行われる。封止膜形成工程ＳＴ３では、まず、発光素子層５０が形成された基板上に、例えば成膜用マスクとしてＣＭＭ（オープンマスク）を用いるプラズマＣＶＤ法により、無機絶縁膜を単層でまたは複数積層するように成膜することで、第１無機封止層８１を形成する。

　次に、第１無機封止層８１が形成された基板上に、例えばインクジェット法により有機材料を塗布することで、有機封止層８２を形成する。

　次に、有機封止層８２が形成された基板上に、例えば成膜用マスクとしてＣＭＭ（オープンマスク）を用いるプラズマＣＶＤ法により、無機絶縁膜を単層でまたは複数積層するように成膜して、第２無機封止層８３を形成する。

　このようにして、封止膜形成工程ＳＴ３では、第１無機封止層８１、有機封止層８２および第２無機封止層８３が積層されてなる封止膜８０を形成する。

　〈フレキシブル化工程〉
　フレキシブル化工程ＳＴ４は、封止膜形成工程ＳＴ３の後に行われる。フレキシブル化工程ＳＴ４では、樹脂基板層１０の下面にガラス基板１００側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層１０の下面からガラス基板１００を剥離する。そして、ガラス基板１００を剥離した樹脂基板層１０の下面に裏面保護フィルム１１を貼り付ける。また、封止膜８０が形成された基板の表面に表面保護フィルムを貼り付ける。

　〈実装工程〉
　実装工程ＳＴ５は、フレキシブル化工程ＳＴ４の後に行われる。実装工程ＳＴ５では、ガラス基板１００を剥離した基板の端子部Ｔに、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）やＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste）などの導電材を用いて配線基板Ｃｂを接続することにより、配線基板Ｃｂと端子部Ｔとの導通をとって当該配線基板Ｃｂと共に表示制御回路などの外部回路を実装する。

　しかる後、有機ＥＬ表示装置１をカメラ３と共に筐体内に収容し、有機ＥＬ表示装置１の背面側において、平面視で第２表示領域Ｄ２と重なる位置にカメラ３を設置する。

　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１を製造できる。

　－第１実施形態の特徴と効果－
　第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（１）は、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１が、第１下側透明導電層６１と、第１下側透明導電層６１上に設けられた第１反射導電層６２と、第１反射導電層６２上に設けられた第１上側透明導電層６５とを備え、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１が、第１下側透明導電層６１と同一層に同一材料によって形成された第２下側透明導電層７１と、第２下側透明導電層７１上に第１反射導電層６２（厳密には第１上側反射導電層６４）と同一層に同一材料によって形成された第２反射導電層７２と、第２反射導電層７２上に第１上側透明導電層６５と同一層に同一材料によって形成された第２上側透明導電層７５とを備え、第２反射導電層７２が、エッジカバー５２の開口６８の内側において、第１反射導電層６２よりも薄いことである。

　第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（１）によれば、第２反射導電層７２がエッジカバー５２の開口６８の内側において第１反射導電層６２よりも薄いので、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１をエッジカバー５２の開口６８の内側で透過する光の量が、第２反射導電層７２の厚さｔ２２が第１反射導電層６２の厚さｔ１２と同じ場合に比べて増大する。これにより、表示領域Ｄのうちカメラ３に利用される光を透過する第２表示領域Ｄ２での光の透過率を高めることができる。

　第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（２）は、第２反射導電層７２が、エッジカバー５２の開口６８の内側全体に亘って第１反射導電層６２よりも薄く設けられていることである。

　第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（２）によれば、第２反射導電層７２が、エッジカバー５２の開口６８の内側全体に亘って第１反射導電層６２よりも薄いので、エッジカバー５２の開口６８の内側で第１電極５１を透過する光の量を好適に増大させることができる。

　第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（３）は、第１反射導電層６２が、エッジカバー５２の開口６８の内側全体に亘って、第１下側反射導電層６３と、第１下側反射導電層６３上に設けられた第１上側反射導電層６４とにより構成され、第２反射導電層７２が、第１上側反射導電層６４と同一層に同一材料によって形成されていることである。

　第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（３）によれば、第２反射導電層７２が第１反射導電層６２を構成する２つの導電層のうちの１層である第１上側反射導電層６４と同一層に同一材料によって形成されているので、有機ＥＬ表示装置１の製造上、第２反射導電層７２を第１反射導電層６２よりも容易に薄くできる。それにより、当該第２反射導電層７２を有する第２有機ＥＬ素子６０Ｂを比較的簡単な製造フローで実現できる。

　第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（４）は、第１反射導電層６２および第２反射導電層７２がそれぞれ、銀（Ａｇ）、銀合金、アルミニウム（Ａｌ）およびアルミニウム合金から選択される少なくとも１つの金属材料によって形成されていることである。

　第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（４）によれば、第１反射導電層６２および第２反射導電層７２がそれぞれ、可視光の反射率が比較的高い金属材料によって形成されているので、各々トップエミッション型である第１有機ＥＬ素子６０Ａおよび第２有機ＥＬ素子６０Ｂの光の取り出し効率を高めるのに有利である。

　第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（５）は、第１下側透明導電層６１および第２下側透明導電層７１と、第１上側透明導電層６５および第２上側透明導電層７５とがそれぞれ、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）およびインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）から選択される少なくとも１つの透明導電酸化物によって形成されていることである。

　第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（５）によれば、第１下側透明導電層６１および第２下側透明導電層７１と、第１上側透明導電層６５および第２上側透明導電層７５とがそれぞれ、可視光の透過率が比較的高い透明導電酸化物によって形成されているので、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１を透過する光の量を好適に増大させることができる。このことは、第２表示領域Ｄ２での光の透過率を高めるのに有利である。

　第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（６）は、平面視において、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１の面積と、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１の面積とが、互いに同等であることである。

　第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（７）は、平面視において、エッジカバー５２における第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１を露出させる開口６８の面積と、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１を露出させる開口６８の面積とが、互いに同等であることである。

　第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（８）は、平面視において、第１有機ＥＬ素子６０Ａの有機ＥＬ層５３の面積と、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの有機ＥＬ層５３の面積とが、互いに同等であることである。

　第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（６）～（８）によれば、第１有機ＥＬ素子６０Ａと第２有機ＥＬ素子６０Ｂとで、第１電極５１の面積と、エッジカバー５２における第１電極５１を露出させる開口６８の面積と、有機ＥＬ層５３の面積とが、それぞれ互いに同等であるので、第１表示領域Ｄ１と第２表示領域Ｄ２とにおいて、各サブ画素Ｓｐの発光領域Ｅの面積を揃え、画面の解像度を統一できる。

　また、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（８）によれば、平面視で互いの面積が同等である第１表示領域Ｄ１の各有機ＥＬ層５３と第２表示領域Ｄ２の各有機ＥＬ層５３とを、蒸着法により成膜用マスクを変更することなく併せて形成できる。このことは、有機ＥＬ表示装置１を効率よく安価に製造するのに寄与する。

　また、蒸着法で用いられる成膜用マスクは、一般的に比較的薄く、適度な張力により引っ張って固定した状態で使用される。このため、成膜用マスクの使用時においては、同マスクの成膜材料を通す開口の形状にひずみが生じる。この開口形状のひずみがばらつくと、当該開口の位置ずれを生じる。これに対し、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（８）によれば、成膜用マスクの開口の形状およびサイズを統一できるので、成膜用マスクの使用時において、開口形状のひずみがばらつくことを抑制し、当該開口の位置ずれを低減できる。

　第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法の特徴は、第１電極形成工程ＳＴ２ａが、ＴＦＴ層２０が形成された基板上に、第１透明導電膜１０１および第１反射導電膜１０２を順に成膜する第１成膜工程ＳＴ２ａ－１と、第１反射導電膜１０２をパターニングして、第１表示領域Ｄ１に、当該第１反射導電膜１０２から第１下側反射導電層６３を形成する第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２と、第１下側反射導電層６３が形成された基板上に、第２反射導電膜１０４および第２透明導電膜１０５を順に成膜する第２成膜工程ＳＴ２ａ－３と、第１透明導電膜１０１、第２反射導電膜１０４および第２透明導電膜１０５をパターニングして、第１表示領域Ｄ１に、各々第１下側反射導電層６３と重なり合うように、第１透明導電膜１０１から第１下側透明導電層６１を形成し、第２反射導電膜１０４から第１上側反射導電層６４を形成し、第２透明導電膜１０５から第１上側透明導電層６５を形成すると共に、第２表示領域Ｄ２に、互いに重なり合うように、第１透明導電膜１０１から第２下側透明導電層７１を形成し、第２反射導電膜１０４から第２反射導電層７２を形成し、第２透明導電膜１０５から第２上側透明導電層７５を形成する第２パターニング工程ＳＴ２ａ－４とを含むことである。

　第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法の特徴によれば、第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２で第１下側反射導電層６３を形成し、第２パターニング工程ＳＴ２ａ－４で第１下側透明導電層６１、第１上側反射導電層６４および第１上側透明導電層６５を形成すると共に第２下側透明導電層７１、第２反射導電層７２および第２上側透明導電層７５を形成するので、互いに層構成の異なる第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１と第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１とを併せて形成できる。このことは、有機ＥＬ表示装置１を効率よく安価に製造するのに寄与する。

　第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法の特徴によれば、第２成膜工程ＳＴ２ａ－３で第２反射導電膜１０４および第２透明導電膜１０５を順に成膜した後に、第２パターニング工程ＳＴ２ａ－４でそれら第２反射導電膜１０４および第２透明導電膜１０５をパターニングするので、第１反射導電層６２において有機ＥＬ層５３からの光を反射する表面と、第２反射導電層７２において有機ＥＬ層５３からの光を反射する表面とはいずれも、第２反射導電膜１０４を成膜してからパターニングするまで第２透明導電膜１０５により覆われて大気に晒されずに済む。

　第１反射導電層６２の表面と第２反射導電層７２の表面とは、透明導電膜などで覆われることなく大気に晒されると、大気中の酸素と反応するなどして酸化したり荒れたりする事象を生じる。こうした事象は、第１反射導電層６２および第２反射導電層７２による有機ＥＬ層５３からの光の反射率を低下させる。その結果、第１有機ＥＬ素子６０Ａおよび第２有機ＥＬ素子６０Ｂの光の取り出し効率を低下させる事態を招く。

　これに対し、本実施形態においては、第１上側反射導電層６４の表面と第２反射導電層７２の表面とが、第２反射導電膜１０４を成膜してからパターニングするまで第２透明導電膜１０５により覆われて大気に晒されずに済むので、それら第１上側反射導電層６４および第２反射導電層７２の表面が大気中の酸素と反応するなどして酸化したり荒れたりするのを抑制できる。それによって、第１有機ＥＬ素子６０Ａおよび第２有機ＥＬ素子６０Ｂの光の取り出し効率を高めることができる。

　《第１実施形態の変形例１》
　図１９は、第１実施形態の変形例１に係る有機ＥＬ表示装置１の第２表示領域Ｄ２における要部を示す断面図である。

　第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、平面視において、第１下側透明導電層６１の面積と、第１下側反射導電層６３の面積と、第１上側反射導電層６４の面積と、第１上側透明導電層６５の面積とは、互いに同等であるとしたが、図１９に示すように、本変形例に係る有機ＥＬ表示装置１では、平面視において、第１下側反射導電層６３の面積は、第１下側透明導電層６１の面積、第１上側反射導電層６４の面積および第１上側透明導電層６５の面積よりも小さい。

　第１下側反射導電層６３の周端面は、第１上側反射導電層６４によって覆われている。平面視において、第１下側透明導電層６１の面積と、第１上側反射導電層６４の面積と、第１上側透明導電層６５の面積とは、互いに同等である。第１下側透明導電層６１、第１上側反射導電層６４および第１上側透明導電層６５の周端面同士は、当該第１下側透明導電層６１、第１上側反射導電層６４および第１上側透明導電層６５の積層方向（第１電極５１の厚さ方向）において揃っている。

　－第１実施形態の変形例１の特徴と効果－
　この変形例１に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴は、第１下側反射導電層６３の周端面が、第１上側反射導電層６４によって覆われ、第１下側透明導電層６１、第１上側反射導電層６４および第１上側透明導電層６５の周端面同士が、当該第１下側透明導電層６１、第１上側反射導電層６４および第１上側透明導電層６５の積層方向において揃っていることである。

　この変形例１に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴によれば、第１下側反射導電層６３の周端面が、第１上側反射導電層６４によって覆われているので、有機ＥＬ表示装置１の製造において、第２パターニング工程ＳＴ２ａ－４で第１下側透明導電層６１、第１上側反射導電層６４および第１上側透明導電層６５を形成するときに、第１反射導電層６２については第１上側反射導電膜１０４のみの比較的薄い膜をエッチングすることで済むので、エッチングによるサイドシフトを抑制できると共に、エッチング時間を短くすることができる。

　《第１実施形態の変形例２》
　図２０は、第１実施形態の変形例２に係る有機ＥＬ表示装置１の第１表示領域Ｄ１および第２表示領域Ｄ２における各発光領域Ｅおよびその周辺の構成を示す平面図である。

　第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、平面視において、第１表示領域Ｄ１におけるサブ画素Ｓｐの発光領域Ｅの面積と、第２表示領域Ｄ２におけるサブ画素Ｓｐの発光領域Ｅの面積とが、互いに同等であるとしたが、図２０に示すように、本変形例に係る有機ＥＬ表示装置１では、平面視において、第１表示領域Ｄ１におけるサブ画素Ｓｐの発光領域Ｅの面積と、第２表示領域Ｄ２におけるサブ画素Ｓｐの発光領域Ｅの面積とが、互いに異なっている。

　平面視において、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１と、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１とは、互いに同一形状であり、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１の面積は、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１の面積よりも小さい。平面視において、第１有機ＥＬ素子６０Ａの有機ＥＬ層５３と、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの有機ＥＬ層５３とは、互いに同一形状であり、第１有機ＥＬ素子６０Ａの有機ＥＬ層５３の面積と、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの有機ＥＬ層５３の面積とは、互いに同等である。ここでいう「有機ＥＬ層５３の面積」とは、有機ＥＬ層５３における個別の発光層７２が設けられた領域の平面視での面積を意味する。

　平面視において、エッジカバー５２における第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１を露出させる開口６８の面積は、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１を露出させる開口６８の面積よりも大きい。これら両開口６８は、平面視で互いに同一形状である。平面視において、第１表示領域Ｄ１におけるサブ画素Ｓｐの発光領域Ｅの面積は、第２表示領域Ｄ２におけるサブ画素Ｓｐの発光領域Ｅの面積よりも大きい。

　－第１実施形態の変形例２の特徴と効果－
　この変形例２に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（１）は、平面視において、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１の面積が、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１の面積よりも小さいことである。

　この変形例２に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（１）によれば、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１の面積が第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１の面積よりも小さいので、第２表示領域Ｄ２において正面側からの光が第１電極５１により遮られる領域を減らし、正面側から背面側に向けてサブ画素Ｓｐを透過する光を多くことができる。このことは、カメラ３の撮影に利用できる光を増加させ、有機ＥＬ表示装置１と組み合わせられるインカメラ３の撮影性能を向上させるのに寄与する。

　この変形例２に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（２）は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（８）と同じであり、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（８）と同様な効果を得ることができる。

　この変形例２に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（３）は、エッジカバー５２において、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１を露出させる開口６８の面積が、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１を露出させる開口６８の面積よりも大きいことである。

　この変形例２に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（３）によれば、第１表示領域Ｄ１におけるサブ画素Ｓｐの発光領域Ｅの面積が、第２表示領域Ｄ２におけるサブ画素Ｓｐの発光領域Ｅの面積よりも大きくなるので、第１表示領域Ｄ１におけるサブ画素Ｓｐでの輝度を第２表示領域Ｄ２におけるサブ画素Ｓｐよりも高めることができる。これにより、第１表示領域Ｄ１での画像表示の明るさを確保できる。

　《第２実施形態》
　第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１は、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１の構成と第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１の構成とが第１実施形態と異なる。なお、本実施形態では、第１有機ＥＬ素子６０Ａおよび第２有機ＥＬ素子６０Ｂの各第１電極５１の構成が第１実施形態と異なる他は、有機ＥＬ表示装置１について第１実施形態と同様に構成されているので、同一の構成箇所は第１実施形態の説明に譲ることにして、その詳細な説明を省略する。

　－有機ＥＬ表示装置の構成－
　図２１は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の第１表示領域Ｄ１における要部を示す断面図である。図２２は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の第２表示領域Ｄ２における要部を示す断面図である。図２３は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の第１表示領域Ｄ１および第２表示領域Ｄ２における各第１電極５１の積層構造を示す断面図である。図２４は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の第１表示領域Ｄ１および第２表示領域Ｄ２における各発光領域Ｅおよびその周辺の構成を示す平面図である。

　〈第１有機ＥＬ素子の第１電極〉
　図２１および図２３に示すように、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１において、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１は、平坦化膜２９上に順に設けられた、第１下側透明導電層６１、第１反射導電層６２および第１上側透明導電層６５を備えている。第１下側透明導電層６１および第１上側透明導電層６５の各構成は、第１実施形態と同様である。第１反射導電層６２の構成は、第１実施形態とは異なる。

　第１反射導電層６２は、第１下側透明導電層６１上に設けられている。第１反射導電層６２は、例えば、銀（Ａｇ）、銀合金、アルミニウム（Ａｌ）およびアルミニウム合金から選択される少なくとも１つの金属材料によって形成されている。第１反射導電層６２の厚さｔ１２は、例えば８０ｎｍ～１００ｎｍ程度である。第１反射導電層６２は、表示領域Ｄの正面側から入射する光（図２１に破線矢印で概念的に示す）を全反射するか、または殆ど全て反射する。第１反射導電層６２は、第１下側透明導電層６１と第１上側透明導電層６５との間に封止されている。

　図２４に示すように、平面視において、第１反射導電層６２（図中で右上りの斜線ハッチングを付す）の面積は、第１下側透明導電層６１の面積および第１上側透明導電層６５の面積よりも小さい。図２１に示すように、第１反射導電層６２の周端面は、第１上側透明導電層６５によって覆われている。第１下側透明導電層６１と第１上側透明導電層６５とは、第１反射導電層６２の外周で互いに接している。第１下側透明導電層６１および第１上側透明導電層６５の周端面同士は、当該第１下側透明導電層６１および第１上側透明導電層６５の積層方向（第１電極５１の厚さ方向）において揃っている。

　〈第２有機ＥＬ素子の第１電極〉
　図２２および図２３に示すように、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１において、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１は、平坦化膜２９上に順に設けられた、第２下側透明導電層７１、第２反射導電層７２および第２上側透明導電層７５を備えている。第２下側透明導電層７１および第２上側透明導電層７５の各構成は、第１実施形態と同様である。第２反射導電層７２の構成は、第１実施形態と異なっている。

　第２反射導電層７２は、第２下側透明導電層７１上に設けられている。第２反射導電層７２は、エッジカバー５２の開口６８の内側において島状に複数設けられている。第２反射導電層７２は、エッジカバー５２と重なる位置には設けられていない。第２反射導電層７２は、第１反射導電層６２と同一層に同一材料、例えば銀（Ａｇ）、銀合金、アルミニウム（Ａｌ）およびアルミニウム合金から選択される少なくとも１つの金属材料によって形成されている。第２反射導電層７２の厚さｔ２２は、エッジカバー５２の開口６８の内側での第１反射導電層６２の厚さｔ１２と同等であり、例えば８０ｎｍ～１００ｎｍ程度である。

　図２４に示すように、エッジカバー５２の開口６８の内側において、複数の第２反射導電層７２（図中で右上りの斜線ハッチングを付す）は、マトリクス状に配置されている。これら複数の第２反射導電層７２は、一列に整列していてもよく、その他の配列で設けられていてもよい。隣り合う第２反射導電層７２の間には、所定の隙間が設けられている。図２２に示すように、第２反射導電層７２の周端面は、第２上側透明導電層７５によって覆われている。第２下側透明導電層７１と第２上側透明導電層７５とは、エッジカバー５２の開口６８の内側において、隣り合う第２反射導電層７２の隙間で互いに接している。

　第２反射導電層７２は、第２下側透明導電層７１と第２上側透明導電層７５との間に封止されている。第２下側透明導電層７１と第２上側透明導電層７５とは、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１のうち平面視でエッジカバー５と重なる部分を構成し、エッジカバー５２の開口６８の周縁部と重なる箇所で互いに接している。第２下側透明導電層７１および第２上側透明導電層７５の周端面同士は、当該第２下側透明導電層７１および第２上側透明導電層７５の積層方向（第１電極５１の厚さ方向）において揃っている。

　第２反射導電層７２は、エッジカバー５２の開口６８の内側において部分的に設けられている。第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１は、エッジカバー５２の開口６８の内側において、第２反射導電層７２が設けられていない部分を有している。そのことで、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１は、エッジカバー５２の開口６８の内側において、薄層部分５１ａと、薄層部分５１ａよりも厚い複数の厚層部分５１ｂ（ｔｂ＞ｔａ）とを有している。

　第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１における薄層部分５１ａは、第２反射導電層７２が設けられていない部分であり、第２下側透明導電層７１および第２上側透明導電層７５によって構成されている。当該薄層部分５１ａは、エッジカバー５２の開口６８の内側において、隣り合う第２反射導電層７２の間を格子状に延びている。また、当該薄層部分５１ａは、第１電極５１のうちエッジカバー５２と重なる部分を構成し、コンタクトホール３３内を含む領域にも設けられている。第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１は、当該薄層部分５１ａにおいて、表示領域Ｄの正面側から入射する光（図２２に破線矢印で概念的に示す）を殆ど透過する。

　第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１における厚層部分５１ｂは、第２反射導電層７２が設けられた部分であって、マトリクス状に配置されている。当該厚層部分５１ｂの厚さｔｂは、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１のうちエッジカバー５２の開口６８の内側に位置する部分の厚さｔ１と同等である。第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１は、当該厚層部分５１ｂにおいて、表示領域Ｄの正面側から入射する光（図２２に破線矢印で概念的に示す）を全反射するか、または殆ど全て反射する。

　－有機ＥＬ表示装置の製造方法－
　第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１を製造する方法を以下に説明する。

　第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、ＴＦＴ層形成工程ＳＴ１と、発光素子層形成工程ＳＴ２と、封止膜形成工程ＳＴ３と、フレキシブル化工程ＳＴ４と、実装工程ＳＴ５とを含む。これらのうちＴＦＴ層形成工程ＳＴ１、封止膜形成工程ＳＴ３、フレキシブル化工程ＳＴ４および実装工程ＳＴ５は、第１実施形態と同様である。

　発光素子層形成工程ＳＴ２は、第１電極形成工程ＳＴ２ａと、エッジカバー形成工程ＳＴ２ｂと、有機ＥＬ層形成工程ＳＴ２ｃと、第２電極形成工程ＳＴ２ｄとを含む。これらのうちエッジカバー形成工程ＳＴ２ｂ、有機ＥＬ層形成工程ＳＴ２ｃおよび第２電極形成工程ＳＴ２ｄは、第１実施形態と同様である。

　第１電極形成工程ＳＴ２ａは、第１成膜工程ＳＴ２ａ－１と、第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２と、第２成膜工程ＳＴ２ａ－３と、第２パターニング工程ＳＴ２ａ－４とを含む。

　〈第１成膜工程〉
　図２５は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法における第１成膜工程ＳＴ２ａ－１で成膜を行った基板の要部を示す断面図である。

　図２５に示すように、第１成膜工程ＳＴ２ａ－１では、ＴＦＴ層２０が形成された基板上に、例えばスパッタリング法により、第１透明導電膜１０１および第１反射導電膜１０２をそれぞれ単層でまたは複数積層するように順に成膜する。ここで成膜する第１透明導電膜１０１の厚さは、例えば１０ｎｍ～２０ｎｍ程度とする。第１反射導電膜１０２の厚さは、例えば８０ｎｍ～１００ｎｍ程度とする。

　〈第１パターニング工程〉
　図２６は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法における第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２でレジスト層１０３を形成した基板の要部を示す断面図である。図２７は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法における第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２でパターニングを行った基板の要部を示す断面図である。

　第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２は、第１成膜工程ＳＴ２ａ－１の後に行われる。第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２では、第１反射導電膜１０２をフォトリソグラフィによりパターニングして、表示領域Ｄのうち第１表示領域Ｄ１に、当該第１反射導電膜１０２から複数の第１反射導電層６２を所定のパターンで形成し、表示領域Ｄのうち第２表示領域Ｄ２に、当該第１反射導電膜１０２から複数の第２反射導電層７２を所定のパターンで形成する。

　まず、第１透明導電膜１０１および第１反射導電膜１０２が形成された基板上に、例えばスピンコート法などの公知の塗布法により、感光性樹脂材料を塗布する。続いて、その感光性樹脂材料の塗布膜に対し、プリベーク、露光、現像およびポストベークを行って、当該塗布膜をパターニングすることにより、図２６に示すように、第１表示領域Ｄ１の第１反射導電層６２を形成する各領域と、第２表示領域Ｄ２の第２反射導電層７２を形成する各領域とに島状のレジスト層１０３を形成する。

　次に、レジスト層１０３をマスクとして第１反射導電膜１０２をエッチング液に晒すことにより、第１反射導電膜１０２にウェットエッチングを施す。このときのエッチング液には、第１透明導電膜１０１の材料に対する第１反射導電膜１０２の材料の選択比が比較的高い種のエッチング液が用いられる。そのようなエッチング液を用いたウェットエッチングにより、第１反射導電膜１０２を選択的に腐食溶解させてパターニングする。その後、レジスト層１０３をアッシングにより除去する。こうして、図２７に示すように、第１表示領域Ｄ１に、当該第１反射導電膜１０２から各第１反射導電層６２を形成すると共に、第２表示領域Ｄ２に、当該第１反射導電膜１０２から各第２反射導電層７２を形成する。

　〈第２成膜工程〉
　図２８は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法における第２成膜工程ＳＴ２ａ－３で成膜を行った基板の要部を示す断面図である。

　第２成膜工程ＳＴ２ａ－３は、第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２の後に行われる。図２８に示すように、第２成膜工程ＳＴ２ａ－３では、第１反射導電層６２および第２反射導電層７２が形成された基板上に、例えばスパッタリング法により、第２透明導電膜１０５を単層でまたは複数積層するように成膜する。ここで成膜する第２透明導電膜１０５の厚さは、第１透明導電膜１０１の厚さと同等（例えば１０ｎｍ～２０ｎｍ程度）とする。

　〈第２パターニング工程〉
　図２９は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法における第２パターニング工程ＳＴ２ａ－４でレジスト層１０６を形成した基板の要部を示す断面図である。図３０は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法における第２パターニング工程ＳＴ２ａ－４でパターニングを行った基板の要部を示す断面図である。

　第２パターニング工程ＳＴ２ａ－４は、第２成膜工程ＳＴ２ａ－３の後に行われる。第２パターニング工程ＳＴ２ａ－４では、第１透明導電膜１０１および第２透明導電膜１０５をフォトリソグラフィによりパターニングして、第１表示領域Ｄ１および第２表示領域Ｄ２それぞれに複数の第１電極５１を所定のパターンで形成する。

　まず、第２透明導電膜１０５が形成された基板上に、例えばスピンコート法などの公知の塗布法により、感光性樹脂材料を塗布する。続いて、その感光性樹脂材料の塗布膜に対し、プリベーク、露光、現像およびポストベークを行って、当該塗布膜をパターニングすることにより、図２９に示すように、第１表示領域Ｄ１および第２表示領域Ｄ２の第１電極５１を形成する各領域に島状のレジスト層１０６を形成する。

　次に、レジスト層１０６をマスクとして第１透明導電膜１０１および第２透明導電膜１０５をエッチング液に晒すことにより、それら第１透明導電膜１０１および第２透明導電膜１０５にウェットエッチングを施す。このときのエッチング液には、第１透明導電膜１０１の材料と第２透明導電膜１０５の材料との選択比が比較的低い種のエッチング液が用いられる。そのようなエッチング液を用いたウェットエッチングにより、第１透明導電膜１０１および第２透明導電膜１０５を一括に腐食溶解させてパターニングする。その後、レジスト層１０６をアッシングにより除去する。

　それら第１透明導電膜１０１および第２透明導電膜１０５をパターニングすることで、図３０に示すように、第１表示領域Ｄ１に、各々第１反射導電層６２と重なり合うように、第１透明導電膜１０１から第１下側透明導電層６１を形成し、第２透明導電膜１０５から第１上側透明導電層６５を形成する。また、それら第１下側透明導電層６１などの形成と共に、第２表示領域Ｄ２に、各々第２反射導電層７２と重なり合うように、第１透明導電膜１０１から第２下側透明導電層７１を形成し、第２透明導電膜１０５から第２上側透明導電層７５を形成する。

　このようにして、第１表示領域Ｄ１に、第１下側透明導電層６１、第１反射導電層６２および第１上側透明導電層６５が積層されてなる第１電極５１を複数形成する。また、第２表示領域Ｄ２に、第２下側透明導電層７１、第２反射導電層７２および第２上側透明導電層７５が積層されてなる第１電極５１を複数形成する。

　－第２実施形態の特徴と効果－
　第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（１）は、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１が、第１下側透明導電層６１と、第１下側透明導電層６１上に設けられた第１反射導電層６２と、第１反射導電層６２上に設けられた第１上側透明導電層６５とを備え、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１が、第１下側透明導電層６１と同一層に同一材料によって形成された第２下側透明導電層７１と、第２下側透明導電層７１上に第１反射導電層６２と同一層に同一材料によって形成された第２反射導電層７２と、第２反射導電層７２上に第１上側透明導電層６５と同一層に同一材料によって形成された第２上側透明導電層７５とを備え、第２反射導電層７２が、エッジカバー５２の開口６８の内側において、部分的に設けられていることである。

　第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（１）によれば、第２反射導電層７２がエッジカバー５２の開口６８の内側において部分的に設けられているので、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１のうちエッジカバー５２の開口６８の内側で第２反射導電層７２が設けられていない部分を光が透過し、エッジカバー５２の開口６８の内側で当該第１電極５１を透過する光の量が増大する。これにより、表示領域Ｄのうちカメラ３に利用される光を透過する第２表示領域Ｄ２での光の透過率を高めることができる。

　第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（２）は、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１が、エッジカバー５２の開口６８の内側において、第２反射導電層７２が設けられていない薄層部分５１ａと、第２反射導電層７２が設けられた、薄層部分５１ａよりも厚い厚層部分５１ｂとを有し、厚層部分５１ｂの厚さｔｂが、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１のうちエッジカバー５２の開口６８の内側に位置する部分の厚さｔ１と同等であることである。

　第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（２）によれば、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１のうちエッジカバー５２の開口６８の内側に位置する厚層部分５１ｂの厚さｔｂが、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１のうちエッジカバー５２の開口６８の内側に位置する部分の厚さｔ１と同等であるので、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１のうち薄層部分５１ａで第２表示領域Ｄ２での光の透過率を高めつつ、有機ＥＬ層５３からの光を厚層部分５１ｂで第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１と同様に反射させて、第２表示領域Ｄ２での輝度の低下を抑制できる。

　第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（３）は、エッジカバー５２の開口６８の内側での第２反射導電層７２の厚さｔ２２が、エッジカバー５２の開口６８の内側での第１反射導電層６２の厚さｔ１２と同等であり、第２下側透明導電層７１と第２上側透明導電層７５とが、エッジカバー５２の開口６８の内側で互いに接していることである。

　第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（３）によれば、エッジカバー５２の開口６８の内側での第１反射導電層６２の厚さｔ１２と第２反射導電層７２の厚さｔ２２とが互いに同等であるので、これら第１反射導電層６２および第２反射導電層７２を同一膜からフォトリソグラフィにより併せて形成できる。また、第２下側透明導電層７１と第２上側透明導電層７５とがエッジカバー５２の開口６８の内側で互いに接しているので、第２反射導電層７２が設けられていない。そのことで、第２下側透明導電層７１と第２上側透明導電層７５とが接している箇所は、透明性に優れ、光透過率が比較的高い。これにより、カメラ３の撮影時の感度を高めることができる。また、有機ＥＬ表示装置１の製造において、第２透明導電膜１０５を成膜した後は、第２反射導電層７２の外周端面の剥き出しになる領域を無くすことができるので、第１電極形成工程ＳＴ２ａやその後の上層工程でのエッチング液の滞留によって第２反射導電層７２に酸化や硫化などの腐食が発生するのを防止できる。

　第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（４）は、第１反射導電層６２の周端面が、第１上側透明導電層６５によって覆われ、第１下側透明導電層６１と第１上側透明導電層６５とが、第１反射導電層６２の外周で互いに接していることである。

　第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（４）によれば、第１反射導電層６２が第１下側透明導電層６１と第１上側透明導電層６５とによって封止されているので、第１反射導電層６２の腐食を好適に抑制できる。また、有機ＥＬ表示装置１の製造において、第１下側透明導電層６１と第１上側透明導電層６５を形成するときに、第１反射導電層６２の周端面が、現像処理に用いる現像液やウェットエッチングに用いるエッチング液に晒されて、内方へシフトするのを防止できる。

　第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（５）は、第２反射導電層７２が、エッジカバー５２の開口６８の内側において島状に複数設けられていることである。

　第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（５）によれば、第２反射導電層７２がエッジカバー５２の開口６８の内側において島状に複数設けられているので、第２反射導電層７２がエッジカバー５２の開口６８の内側全体に亘って形成されている場合に比べて、第２表示領域Ｄ２において正面側からの光が第１電極５１で遮られる領域を減らすことができる。このことは、有機ＥＬ表示装置１と組み合わせられるインカメラ３の撮影性能を向上させるのに寄与する。

　第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（６）は、第２下側透明導電層７１と第２上側透明導電層７５とが、エッジカバー５２の開口６８の周縁部と重なる箇所で互いに接していることである。

　第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（６）によれば、第２反射導電層７２が第１電極５１のうちエッジカバー５２で覆われる部分に設けられていないので、エッジカバー５２で第１電極５１の周縁部を覆いやすくなる。また、第２下側透明導電層７１と第２上側透明導電層７５とが接している箇所は、透明性に優れ、光透過率が比較的高い。これにより、カメラ３の撮影時の感度を高めることができる。そして、第２反射導電層７２のサイズが小さいほど、カメラ３の撮影時における第２反射導電層７２の映り込みの影響が減るので、フォトリソグラフィによる第２反射導電層７２の高精細パターン化が有効になる。

　第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法の特徴は、第１電極形成工程ＳＴ２ａが、ＴＦＴ層２０が形成された基板上に、第１透明導電膜１０１および第１反射導電膜１０２を順に成膜する第１成膜工程ＳＴ２ａ－１と、第１反射導電膜１０２をパターニングして、第１表示領域Ｄ１に、エッジカバー５２の開口６８の内側全体に亘るように当該第１反射導電膜１０２から第１反射導電層６２を形成すると共に、第２表示領域Ｄ２に、エッジカバー５２の開口６８の内側における一部で第１透明導電膜１０１を露出させるように当該第１反射導電膜１０２から第２反射導電層７２を形成する第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２と、第１反射導電層６２および第２反射導電層７２が形成された基板上に、第２透明導電膜１０５を成膜する第２成膜工程ＳＴ２ａ－３と、第１透明導電膜１０１および第２透明導電膜１０５をパターニングして、第１表示領域Ｄ１に、各々第１反射導電層６２と重なり合うように、第１透明導電膜１０１から第１下側透明導電層６１を形成し、第２透明導電膜１０５から第１上側透明導電層６５を形成すると共に、第２表示領域Ｄ２に、各々第２反射導電層７２と重なり合うように、第１透明導電膜１０１から第２下側透明導電層７１を形成し、第２透明導電膜１０５から第２上側透明導電層７５を形成する第２パターニング工程ＳＴ２ａ－４とを含むことである。

　第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法の特徴によれば、第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２で第１反射導電層６２および第２反射導電層７２を形成し、第２パターニング工程ＳＴ２ａ－４で第１下側透明導電層６１および第１上側透明導電層６５を形成すると共に第２下側透明導電層７１および第２上側透明導電層７５を形成するので、互いに層構成の異なる第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１と第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１とを併せて形成できる。このことは、有機ＥＬ表示装置１を効率よく安価に製造するのに寄与する。

　《第２実施形態の変形例１》
　図３１は、第２実施形態の変形例１に係る有機ＥＬ表示装置１の第２表示領域Ｄ２における要部を示す断面図である。

　第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１のうちエッジカバー５２と重なる部分は、第２反射導電層７２が設けられていない、第２下側透明導電層７１および第２上側透明導電層７５からなる薄層部分５１ａであるとしたが、図３１に示すように、本変形例に係る有機ＥＬ表示装置１では、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１のうちエッジカバー５２と重なる部分は、第２反射導電層７２が設けられていない薄層部分５１ａと、第２反射導電層７２が設けられた厚層部分５１ｂとを有している。

　第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１のうち厚層部分５１ｂは、平坦化膜２９のコンタクトホール３３内とそのコンタクトホール３３の開口周辺を覆うように形成されている。当該厚層部分５１ｂは、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１において、第６ＴＦＴ３０ｆのドレイン電極２８ｄｅと接続される部分を構成している。当該厚層部分５１ｂは、第２下側透明導電層７１、第２反射導電層７２および第２上側透明導電層７５によって構成されている。すなわち、第２反射導電層７２は、平坦化膜２９のコンタクトホール３３内を含む領域に設けられている。当該厚層部分５１ｂの厚さｔｂは、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１のうちエッジカバー５２の開口６８の内側に位置する部分の厚さｔ１（図２３参照）と同等である。

　本変形例に係る有機ＥＬ表示装置１を製造するには、第２実施形態で説明した第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２において、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１を形成する領域のうちコンタクトホール３３内およびその開口周辺に、第１反射導電膜１０２から第２反射導電層７２を形成すればよい。

　－第２実施形態の変形例１の特徴と効果－
　この変形例１に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴は、第２反射導電層７２が、第１電極５１と第６ＴＦＴ３０ｆとを接続するための、平坦化膜２９に形成されたコンタクトホール３３内を含む領域に設けられていることである。

　この変形例１に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴によれば、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１において第６ＴＦＴ３０ｆのドレイン電極２８ｄｅと接続される部分が、第２反射導電層７２が設けられた厚層部分５１ｂであるので、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１と第６ＴＦＴ３０ｆのドレイン電極２８ｄｅとのコンタクト抵抗を低減できる。

　《第２実施形態の変形例２》
　図３２は、第２実施形態の変形例２に係る有機ＥＬ表示装置１の第１表示領域Ｄ１および第２表示領域Ｄ２における各発光領域Ｅおよびその周辺の構成を示す平面図である。

　第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１における第２反射導電層７２が、エッジカバー５２の開口６８の内側で島状に複数設けられているとしたが、図３２に示すように、本変形例に係る有機ＥＬ表示装置１では、第２反射導電層７２がエッジカバー５２の開口６８の内側で格子状に設けられている。第２反射導電層７２は、エッジカバー５２の開口６８の周縁部とその開口６８の全周に亘って重なっている。

　第２反射導電層７２のうちエッジカバー５２の開口６８の内側に位置する部分には、矩形状の開口７６が複数形成されている。複数の開口７６は、例えばマトリクス状に配置されている。複数の開口７６は、一列に整列していてもよく、千鳥状などのその他の配列で設けられていてもよい。当該開口７６は、円形状や楕円形状、スリット形状など、その他の形状であってもよい。第２反射導電層７２は、エッジカバー５２の開口６８の周縁部とその開口６８の全周に亘って重なっている。

　－第２実施形態の変形例２の特徴と効果－
　この変形例２に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴は、第２反射導電層７２が、エッジカバー５２の開口６８の周縁部とその開口６８の全周に亘って重なっていることである。

　この変形例２に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴によれば、エッジカバー５２の周縁部およびその付近で有機ＥＬ層５３が発した光を第２反射導電層７２により表示領域Ｄの正面側に反射できる。有機ＥＬ層５３の発光強度は、エッジカバー５２の周縁部およびその付近で比較的高い。よって、エッジカバー５２の内側において、第１電極５１の一部に第２反射導電層７２を設けないことに起因して第２有機ＥＬ素子６０Ｂの光の取り出し効率が低下するのを抑制できる。

　《第３実施形態》
　第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１は、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１の構成と第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１の構成とが第１実施形態と異なる。なお、本実施形態では、第１有機ＥＬ素子６０Ａおよび第２有機ＥＬ素子６０Ｂの各第１電極５１の構成が第１実施形態と異なる他は、有機ＥＬ表示装置１について第１実施形態と同様に構成されているので、同一の構成箇所は第１実施形態の説明に譲ることにして、その詳細な説明を省略する。

　－有機ＥＬ表示装置の構成－
　図３３は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の第２表示領域Ｄ２における要部を示す断面図である。図３４は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の第１表示領域Ｄ１および第２表示領域Ｄ２における各第１電極５１の積層構造を示す断面図である。図３５は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の第１表示領域Ｄ１および第２表示領域Ｄ２における各発光領域Ｅおよびその周辺の構成を示す平面図である。

　〈第１有機ＥＬ素子の第１電極〉
　第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１において、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１は、図３４に示すように、平坦化膜２９上に順に設けられた、第１下側透明導電層６１、第１反射導電層６２および第２上側透明導電層７５を備えている。第１下側透明導電層６１および第１上側透明導電層６５の各構成は、第１実施形態と同様である。第１反射導電層６２の構成については、第１実施形態の変形例１と同様である。

　第１反射導電層６２は、第１下側透明導電層６１上に設けられた第１下側反射導電層６３と、第１下側反射導電層６３上に設けられた第１上側反射導電層６４とを有している。図３５に示すように、第１下側反射導電層６３（図中でドットハッチングを付す）は、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１の外周部分を除く略全体に亘って設けられている。第１上側反射導電層６４（図中で右上りの斜線ハッチングを付す）は、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１全体に亘って設けられている。

　〈第２有機ＥＬ素子の第１電極〉
　図３３および図３４に示すように、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１は、平坦化膜２９上に順に設けられた、第２下側透明導電層７１、第２反射導電層７２および第２上側透明導電層７５を備えている。第２下側透明導電層７１および第２上側透明導電層７５の各構成は、第１実施形態と同様である。第２反射導電層７２の構成は、第１実施形態と異なっている。

　第２反射導電層７２は、第２下側透明導電層７１上に設けられた第２下側反射導電層７３と、第２下側反射導電層７３上に設けられた第２上側反射導電層７４とを備えている。第２下側反射導電層７３および第２上側反射導電層７４はそれぞれ、光を反射する光反射性を有している。

　第２下側反射導電層７３は、エッジカバー５２の開口６８の内側において島状に複数設けられている。第２下側反射導電層７３は、平面視でエッジカバー５２と重なる位置には設けられていない。第２下側反射導電層７３は、第１下側反射導電層６３と同一層に同一材料、例えば銀（Ａｇ）、銀合金、アルミニウム（Ａｌ）およびアルミニウム合金から選択される少なくとも１つの金属材料によって形成されている。第２下側反射導電層７３の厚さｔ２３は、エッジカバー５２の開口６８の内側での第１下側反射導電層６３の厚さｔ１３と同等であり、例えば７０ｎｍ～９０ｎｍ程度である。

　図３５に示すように、エッジカバー５２の開口６８の内側において、複数の第２下側反射導電層７３（図中でドットハッチングを付す）は、マトリクス状に配置されている。これら複数の第２下側反射導電層７３は、一列に整列していてもよく、千鳥状などのその他の配列で設けられていてもよい。隣り合う第２下側反射導電層７３の間には、所定の隙間が設けられている。図３３に示すように、第２下側反射導電層７３の周端面は、第２上側反射導電層７４によって覆われている。第２下側透明導電層と第２上側反射導電層とは、エッジカバー５２の開口６８の内側において、隣り合う第２反射導電層７２の隙間で互いに接している。

　第２下側反射導電層７３は、第２下側透明導電層７１と第２上側反射導電層７４との間に封止されている。第２下側透明導電層７１と第２上側反射導電層７４とは、エッジカバー５２の開口６８の周縁部と重なる箇所で互いに接している。第２下側透明導電層７１、第２上側反射導電層７４および第２上側透明導電層７５は、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１のうち平面視でエッジカバー５２と重なる部分を構成している。第２下側透明導電層７１、第２上側反射導電層７４および第２上側透明導電層７５の周端面同士は、当該第２下側透明導電層７１、第２上側反射導電層７４および第２上側透明導電層７５の積層方向（第１電極５１の厚さ方向）において揃っている。

　第２下側反射導電層７３は、エッジカバー５２の開口６８の内側において部分的に設けられている。第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１は、エッジカバー５２の開口６８の内側において、第２下側反射導電層７３が設けられていない部分を有している。そのことで、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１は、エッジカバー５２の開口６８の内側において、薄層部分５１ａと、薄層部分５１ａよりも厚い複数の厚層部分５１ｂ（ｔｂ＞ｔａ）とを有している。

　第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１における薄層部分５１ａは、第２下側反射導電層７３が設けられていない部分であって、第２下側透明導電層７１、第２上側反射導電層７４および第２上側透明導電層７５によって構成されている。すなわち、当該薄層部分５１ａの第２反射導電層７２は、第２上側反射導電層７４によって構成されている。当該薄層部分５１ａは、エッジカバー５２の開口６８の内側において、隣り合う第２下側反射導電層７３の間を格子状に延びている。また、当該薄層部分５１ａは、第１電極５１のうちエッジカバー５２と重なる部分を構成し、コンタクトホール３３内を含む領域にも設けられている。第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１は、当該薄層部分５１ａにおいて、表示領域Ｄの正面側から入射する光（図３３に破線矢印で概念的に示す）を一部反射し、一部透過する。

　第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１における厚層部分５１ｂは、第２下側反射導電層７３が設けられた部分であって、マトリクス状に配置されている。当該厚層部分５１ｂの第２反射導電層７２は、第２下側反射導電層７３および第２上側反射導電層７４によって構成されている。当該厚層部分５１ｂの厚さｔｂは、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１のうちエッジカバー５２の開口６８の内側に位置する部分の厚さｔ１と同等である。第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１は、当該厚層部分５１ｂにおいて、第２反射導電層７２により、表示領域Ｄの正面側から入射する光（図３３に破線矢印で概念的に示す）を全反射するか、または殆ど全て反射する。

　－有機ＥＬ表示装置の製造方法－
　第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１を製造する方法を以下に説明する。

　第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、ＴＦＴ層形成工程ＳＴ１と、発光素子層形成工程ＳＴ２と、封止膜形成工程ＳＴ３と、フレキシブル化工程ＳＴ４と、実装工程ＳＴ５とを含む。これらのうちＴＦＴ層形成工程ＳＴ１、封止膜形成工程ＳＴ３、フレキシブル化工程ＳＴ４および実装工程ＳＴ５は、第１実施形態と同様である。

　〈第１成膜工程〉
　第１成膜工程ＳＴ２ａ－１は、第１実施形態と同様である。すなわち、図１３に示すように、第１成膜工程ＳＴ２ａ－１では、ＴＦＴ層２０が形成された基板上に、例えばスパッタリング法により、第１透明導電膜１０１および第１反射導電膜１０２をそれぞれ単層でまたは複数積層するように順に成膜する。ここで成膜する第１透明導電膜１０１の厚さは、例えば１０ｎｍ～２０ｎｍ程度とする。第１反射導電膜１０２の厚さは、例えば７０ｎｍ～９０ｎｍ程度とする。

　〈第１パターニング工程〉
　図３６は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法における第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２でレジスト層１０３を形成した基板の要部を示す断面図である。図３７は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法における第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２でパターニングを行った基板の要部を示す断面図である。

　第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２は、第１成膜工程ＳＴ２ａ－１の後に行われる。第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２では、第１反射導電膜１０２をフォトリソグラフィによりパターニングして、表示領域Ｄのうち第１表示領域Ｄ１に、当該第１反射導電膜１０２から複数の第１下側反射導電層６３を所定のパターンで形成し、表示領域Ｄのうち第２表示領域Ｄ２に、当該第１反射導電膜１０２から複数の第２下側反射導電層７３を所定のパターンで形成する。

　まず、第１透明導電膜１０１および第１反射導電膜１０２が形成された基板上に、例えばスピンコート法などの公知の塗布法により、感光性樹脂材料を塗布する。続いて、その感光性樹脂材料の塗布膜に対し、プリベーク、露光、現像およびポストベークを行って、当該塗布膜をパターニングすることにより、図３６に示すように、第１表示領域Ｄ１の第１下側反射導電層６３を形成する各領域と、第２表示領域Ｄ２の第２下側反射導電層７３を形成する各領域とに島状のレジスト層１０３を形成する。

　次に、レジスト層１０３をマスクとして第１反射導電膜１０２をエッチング液に晒すことにより、第１反射導電膜１０２にウェットエッチングを施す。このときのエッチング液には、第１透明導電膜１０１の材料に対する第１反射導電膜１０２の材料の選択比が比較的高い種のエッチング液が用いられる。そのようなエッチング液を用いたウェットエッチングにより、第１反射導電膜１０２を選択的に腐食溶解させてパターニングする。その後、レジスト層１０３をアッシングにより除去する。こうして、図３７に示すように、第１表示領域Ｄ１に、当該第１反射導電膜１０２から各第１下側反射導電層６３を形成すると共に、当該第１反射導電膜１０２から各第２下側反射導電層７３を形成する。

　図３８は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法における第２成膜工程ＳＴ２ａ－３で成膜を行った基板の要部を示す断面図である。

　第２成膜工程ＳＴ２ａ－３は、第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２の後に行われる。図３９に示すように、第２成膜工程ＳＴ２ａ－３では、第１下側反射導電層６３および第２下側反射導電層７３が形成された基板上に、例えばスパッタリング法により、第２反射導電膜１０４および第２透明導電膜１０５をそれぞれ単層でまたは複数積層するように順に成膜する。ここで成膜する第２反射導電膜１０４の厚さは、例えば１０ｎｍ～５０ｎｍ程度とする。第２透明導電膜１０５の厚さは、第１透明導電膜１０１の厚さと同等（例えば１０ｎｍ～２０ｎｍ程度）とする。

　〈第２パターニング工程〉
　図３９は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法における第２パターニング工程ＳＴ２ａ－４でレジスト層１０６を形成した基板の要部を示す断面図である。図４０は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法における第２パターニング工程ＳＴ２ａ－４でパターニングを行った基板の要部を示す断面図である。

　まず、第２反射導電膜１０４および第２透明導電膜１０５が形成された基板上に、例えばスピンコート法などの公知の塗布法により、感光性樹脂材料を塗布する。続いて、その感光性樹脂材料の塗布膜に対し、プリベーク、露光、現像およびポストベークを行って、当該塗布膜をパターニングすることにより、図３９に示すように、第１表示領域Ｄ１および第２表示領域Ｄ２の第１電極５１を形成する各領域に島状のレジスト層１０６を形成する。

　次に、レジスト層１０６をマスクとして第１透明導電膜１０１、第２反射導電膜１０４および第２透明導電膜１０５をエッチング液に晒すことにより、それら第１透明導電膜１０１、第２反射導電膜１０４および第２透明導電膜１０５にウェットエッチングを施す。このときのエッチング液には、第２反射導電膜の材料と第１透明導電膜１０１および第２透明導電膜１０５の材料との選択比が比較的低い種のエッチング液が用いられる。そのようなエッチング液を用いたウェットエッチングにより、第１透明導電膜１０１、第２反射導電膜１０４および第２透明導電膜１０５を一括に腐食溶解させてパターニングする。その後、レジスト層１０６をアッシングにより除去する。

　それら第１透明導電膜１０１、第２反射導電膜１０４および第２透明導電膜１０５をパターニングすることで、図４０に示すように、第１表示領域Ｄ１に、各々第１下側反射導電層６３と重なり合うように、第１透明導電膜１０１から第１下側透明導電層６１を形成し、第２反射導電膜１０４から第１上側反射導電層６４を形成し、第２透明導電膜１０５から第１上側透明導電層６５を形成する。また、それら第１下側透明導電層６１などの形成と共に、第２表示領域Ｄ２に、各々第２下側反射導電層７３と重なり合うように、第１透明導電膜１０１から第２下側透明導電層７１を形成し、第２反射導電膜１０４から第２上側反射導電層７４を形成し、第２透明導電膜１０５から第２上側透明導電層７５を形成する。

　このようにして、第１表示領域Ｄ１に、第１下側透明導電層６１、第１下側反射導電層６３、第１上側反射導電層６４および第１上側透明導電層６５が積層されてなる第１電極５１を複数形成する。また、第２表示領域Ｄ２に、第２下側透明導電層７１、第２下側反射導電層７３、第２上側反射導電層７４および第２上側透明導電層７５が積層されてなる第１電極５１を複数形成する。

　－第３実施形態の特徴と効果－
　第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（１）は、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１が、第１下側透明導電層６１と、第１下側透明導電層６１上に設けられた第１反射導電層６２と、第１反射導電層６２上に設けられた第１上側透明導電層６５とを備え、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１が、第１下側透明導電層６１と同一層に同一材料によって形成された第２下側透明導電層７１と、第２下側透明導電層７１上に第１反射導電層６２と同一層に同一材料によって形成された第２反射導電層７２と、第２反射導電層７２上に第１上側透明導電層６５と同一層に同一材料によって形成された第２上側透明導電層７５とを備え、第２反射導電層７２が、エッジカバー５２の開口６８の内側において、一部で第１反射導電層６２よりも薄いことである。

　第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（１）によれば、第２反射導電層７２がエッジカバー５２の開口６８の内側において一部で第１反射導電層６２よりも薄いので、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１のうちエッジカバー５２の開口６８の内側で第２反射導電層７２が第１反射導電層６２よりも薄い部分を光が透過し、エッジカバー５２の開口６８の内側で当該第１電極５１を透過する光の量が増大する。これにより、表示領域Ｄのうちカメラ３に利用される光を透過する第２表示領域Ｄ２での光の透過率を高めることができる。

　第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（２）は、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１が、エッジカバー５２の開口６８の内側において、第２反射導電層７２が第１反射導電層６２よりも薄く設けられた薄層部分５１ａと、第２反射導電層７２が第１反射導電層６２と同等の厚さで設けられた、薄層部分５１ａよりも厚い厚層部分５１ｂとを有し、厚層部分５１ｂの厚さｔｂが、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１のうちエッジカバー５２の開口６８の内側に位置する部分の厚さｔ１と同等であることである。

　第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（２）によれば、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１のうち厚層部分５１ｂの厚さｔｂが第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１のうちエッジカバー５２の開口６８の内側に位置する部分の厚さｔ１と同等であるので、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１のうち薄層部分５１ａで第２表示領域Ｄ２での光の透過率を高めつつ、有機ＥＬ層５３からの光を厚層部分５１ｂで第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１と同様に反射させ、第２表示領域Ｄ２での輝度の低下を抑制できる。

　第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（３）は、第１反射導電層６２が、エッジカバー５２の開口６８の内側全体に亘って、第１下側反射導電層６３と、第１下側反射導電層６３上に設けられた第１上側反射導電層６４とにより構成され、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１のうち厚層部分５１ｂの第２反射導電層７２が、第１下側反射導電層６３と同一層に同一材料によって形成された第２下側反射導電層７３と、第２下側反射導電層７３上に第１上側反射導電層６４と同一層に同一材料によって形成された第２上側反射導電層７４とにより構成され、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１のうち薄層部分５１ａの第２反射導電層７２が、第２上側反射導電層７４と同一層に同一材料によって形成された第２上側反射導電層７４により構成されていることである。

　第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（３）によれば、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１のうち厚層部分５１ｂの第２反射導電層７２が第１反射導電層６２を構成する２つの導電層と同一層に同一材料によって形成され、薄層部分５１ａの第２反射導電層７２が第１反射導電層６２を構成する２つの導電層のうちの１層と同一層に同一材料によって形成されているので、有機ＥＬ表示装置１の製造上、第２反射導電層７２に第１反射導電層６２よりも薄い薄層部分５１ａを設けることが容易である。それにより、第２有機ＥＬ素子６０Ｂを比較的簡単な製造フローで実現できる。

　第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（４）は、第２下側反射導電層７３が、エッジカバー５２の開口６８の内側において島状に複数設けられていることである。

　第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（４）によれば、第２下側反射導電層７３がエッジカバー５２の開口６８の内側において島状に複数設けられているので、第２下側反射導電層７３がエッジカバー５２の開口６８の内側全体に亘って形成されている場合に比べて、第２表示領域Ｄ２において正面側からの光が第２下側反射導電層７３で遮られる領域を減らすことができる。このことは、有機ＥＬ表示装置１と組み合わせられるインカメラ３の撮影性能を向上させるのに寄与する。

　第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（５）は、第２下側透明導電層７１と第２上側反射導電層７４とが、エッジカバー５２の開口６８の周縁部と重なる箇所で互いに接していることである。

　第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴（５）によれば、第２反射導電層７２が第１電極５１のうちエッジカバー５２で覆われる部分に設けられていないので、エッジカバー５２で第１電極５１の周縁部を覆いやすくなる。また、第２下側透明導電層７１と第２上側透明導電層７５とが接している箇所は、透明性に優れ、光透過率が比較的高い。これにより、カメラ３の撮影時の感度を高めることができる。そして、第２反射導電層７２のサイズが小さいほど、カメラ３の撮影時における第２反射導電層７２の映り込みの影響が減るので、フォトリソグラフィによる第２反射導電層７２の高精細パターン化が有効になる。

　第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法の特徴は、第１電極形成工程ＳＴ２ａが、ＴＦＴ層２０が形成された基板上に、第１透明導電膜１０１および第１反射導電膜１０２を順に成膜する第１成膜工程ＳＴ２ａ－１と、第１反射導電膜１０２をパターニングして、表示領域Ｄのうち第１表示領域Ｄ１に、エッジカバー５２の開口６８の内側全体に亘るように当該第１反射導電膜１０２から第１下側反射導電層６３を形成すると共に、表示領域Ｄのうち第２表示領域Ｄ２に、エッジカバー５２の開口６８の内側における一部で第１透明導電膜１０１を露出させるように当該第１反射導電膜１０２から第２下側反射導電層７３を形成する第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２と、第１下側反射導電層６３および第２下側反射導電層７３が形成された基板上に、第２反射導電膜１０４および第２透明導電膜１０５を成膜する第２成膜工程ＳＴ２ａ－３と、第１透明導電膜１０１、第２反射導電膜１０４および第２透明導電膜１０５をパターニングして、第１表示領域Ｄ１に、各々第１下側反射導電層６３と重なり合うように、第１透明導電膜１０１から第１下側透明導電層６１を形成し、第２反射導電膜１０４から第１上側反射導電層６４を形成し、第２透明導電膜１０５から第１上側透明導電層６５を形成すると共に、第２表示領域Ｄ２に、各々第２下側反射導電層７３と重なり合うように、第１透明導電膜１０１から第２下側透明導電層７１を形成し、第２反射導電膜１０４から第２上側反射導電層７４を形成し、第２透明導電膜１０５から第２上側透明導電層７５を形成する第２パターニング工程ＳＴ２ａ－４とを含むことである。

　第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法の特徴によれば、第１パターニング工程ＳＴ２ａ－２で第１下側反射導電層６３および第２下側反射導電層７３を形成し、第２パターニング工程ＳＴ２ａ－４で第１下側透明導電層６１、第１上側反射導電層６４および第１上側透明導電層６５を形成すると共に第２下側透明導電層７１、第２上側反射導電層７４および第２上側透明導電層７５を形成するので、互いに層構成の異なる第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１と第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１とを併せて形成できる。このことは、有機ＥＬ表示装置１を効率よく安価に製造するのに寄与する。

　また、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法の特徴によれば、第２成膜工程ＳＴ２ａ－３で第２反射導電膜１０４および第２透明導電膜１０５を順に成膜した後に、第２パターニング工程ＳＴ２ａ－４でそれら第２反射導電膜１０４および第２透明導電膜１０５をパターニングするので、第１反射導電層６２において有機ＥＬ層５３からの光を反射する表面と、第２反射導電層７２において有機ＥＬ層５３からの光を反射する表面とはいずれも、第２反射導電膜１０４を成膜してからパターニングするまで第２透明導電膜１０５により覆われて大気に晒されずに済む。これにより、第１上側反射導電層６４および第２反射導電層７２の表面が大気中の酸素と反応するなどして酸化したり荒れたりするのを抑制できる。その結果、第１有機ＥＬ素子６０Ａおよび第２有機ＥＬ素子６０Ｂの光の取り出し効率を高めることができる。

　《第３実施形態の変形例》
　図４１は、第３実施形態の変形例に係る有機ＥＬ表示装置１の第１表示領域Ｄ１および第２表示領域Ｄ２における各発光領域Ｅおよびその周辺の構成を示す平面図である。

　第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１における第２下側反射導電層７３が、エッジカバー５２の開口６８の内側で島状に複数設けられているとしたが、図４１に示すように、本変形例に係る有機ＥＬ表示装置１では、第２下側反射導電層７３がエッジカバー５２の開口６８の内側で格子状に設けられている。

　第２下側反射導電層７３のうちエッジカバー５２の開口６８の内側に位置する部分には、矩形状の開口７８が複数形成されている。複数の開口７８は、例えばマトリクス状に配置されている。複数の開口７８は、一列に整列していてもよく、千鳥状などのその他の配列で設けられていてもよい。当該開口７８は、円形状や楕円形状、スリット形状など、矩形状以外の形状であってもよい。第２下側反射導電層７３は、エッジカバー５２の周縁部とその開口６８の全周に亘って重なっている。

　－第３実施形態の変形例の特徴と効果－
　この変形例に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴は、第２下側反射導電層７３が、エッジカバー５２の開口６８の周縁部とその開口６８の全周に亘って重なっていることである。

　この変形例に係る有機ＥＬ表示装置１の特徴によれば、エッジカバー５２の周縁部およびその付近で有機ＥＬ層５３が発した光を、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１のうち第２下側反射導電層７３が設けられた厚層部分５１ｂにより表示領域Ｄの正面側に反射できる。有機ＥＬ層５３の発光強度は、エッジカバー５２の周縁部およびその付近で比較的高い。よって、エッジカバー５２の内側において、第１電極５１の一部に第２下側反射導電層７３を設けないことに起因して第２有機ＥＬ素子６０Ｂの光の取り出し効率が低下するのを抑制できる。

　以上のように、本開示の技術の例示として、好ましい実施形態について説明した。しかし、本開示の技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。また、上記実施形態で説明した各構成要素を組み合わせて新たな実施の形態とすることも可能である。また、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須でない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることを以て、直ちにそれらの必須でない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。

　例えば、上記実施形態およびその変形例について、以下のような構成としてもよい。

　第１実施形態では、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１に含まれる第２反射導電層７２が、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１に含まれる第１上側反射導電層６４と同一層に同一材料によって形成されているとしたが、例えば、第２反射導電層７２は、第１有機ＥＬ素子６０Ａの第１電極５１に含まれる第１下側反射導電層６３と同一層に同一材料によって形成されていてもよい。この場合、第１下側反射導電層６３および第２反射導電層７２は同一膜から相対的に薄く形成され、第１上側反射導電層６４は相対的に厚く形成される。

　第３実施形態では、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの第１電極５１に含まれる第２反射導電層７２において、第２下側反射導電層７３がエッジカバー５２の開口６８の内側で島状に複数設けられ、第２上側反射導電層７４がそれら複数の第２下側反射導電層７３を覆っているとしたが、第２下側反射導電層７３がエッジカバー５２の開口６８の内側全体に亘って設けられ、第２上側反射導電層７４がエッジカバー５２の開口６８の内側で島状に複数設けられていてもよい。すなわち、第２下側反射導電層７３と第２上側反射導電層７４との態様は逆であってもよい。このことは、第３実施形態の変形例についても同じである。

　平坦化膜２９の材料としては、ポリイミド樹脂を例示したが、本開示の技術はこれに限られない。平坦化膜２９は、例えばポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）などのアクリル樹脂によって形成されていてもよい。アクリル樹脂は、第２表示領域Ｄ２における光の透過率を高める観点から平坦化膜２９の材料として好ましい。

　第１有機ＥＬ素子６０Ａの有機ＥＬ層５３の面積と、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの有機ＥＬ層５３の面積とは、互いに同等であるとしたが、本開示の技術はこれに限らない。第１有機ＥＬ素子６０Ａの有機ＥＬ層５３の面積と、第２有機ＥＬ素子６０Ｂの有機ＥＬ層５３の面積とは、互いに同等であることが好ましいが、互いに異なっていてもよい。

　有機ＥＬ層５３は、各サブ画素Ｓｐに個別に設けられるとしたが、本開示の技術はこれに限らない。有機ＥＬ層５３は、発光層５３ｃを含めて複数のサブ画素Ｓｐにおいて一続きとして共通に設けられてもよい。この場合、有機ＥＬ表示装置１は、カラーフィルタを備えるなどして、各サブ画素Ｓｐでの色調表現を行ってもよい。

　各画素Ｐｘが３色のサブ画素Ｓｐによって構成されるとしたが、本開示の技術はこれに限らない。各画素Ｐｘを構成するサブ画素Ｓｐは３色に限らず、４色以上であってもよい。また、各画素Ｐｘを構成する３色のサブ画素Ｓｐは、ストライプ配列で設けられるとしたが、本開示の技術はこれに限らない。各画素Ｐｘを構成する複数のサブ画素Ｓｐの配列は、ペンタイル配列など、他の配列であってもよい。

　第１ＴＦＴ３０ａ、第２ＴＦＴ３０ｂ、第３ＴＦＴ３０ｃ、第４ＴＦＴ３０ｄ、第５ＴＦＴ３０ｅ、第６ＴＦＴ３０ｆおよび第７ＴＦＴ３０ｇはいずれも、トップゲート型であるとしたが、本開示の技術はこれに限らない。これら第１ＴＦＴ３０ａ、第２ＴＦＴ３０ｂ、第３ＴＦＴ３０ｃ、第４ＴＦＴ３０ｄ、第５ＴＦＴ３０ｅ、第６ＴＦＴ３０ｆおよび第７ＴＦＴ３０ｇは、ボトムゲート型であってもよい。また、サブ画素Ｐｘに設けられるＴＦＴ３０は、６つ以下であってもよく、８つ以上であってもよい。

　第１電極５１は陽極であり、第２電極５４は陰極であるとしたが、本開示の技術はこれに限らない。第１電極５１が陰極であり、第２電極５４が陽極であってもよい。この場合、例えば、有機ＥＬ層５３は反転した積層構造とされる。

　有機ＥＬ層５３は、正孔注入層５３ａ、正孔輸送層５３ｂ、発光層５３ｃ、電子輸送層５３ｄおよび電子注入層５３ｅからなる５層積層構造であるとしたが、本開示の技術はこれに限らない。有機ＥＬ層５３は、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層５３ｃおよび電子輸送層兼電子注入層からなる３層積層構造であってもよく、任意の構造を採用することが可能である。

　有機ＥＬ表示装置１に組み合わせられる電子部品としてはカメラ３を例示としたが、本開示の技術はこれに限らない。当該電子部品は、有機ＥＬ表示装置１の背面において平面視で表示領域Ｄと重なる位置に配置され、発光素子層５０、ＴＦＴ層２０および樹脂基板層１０を透過した光を利用するものであれば、指紋センサや顔認証センサなど、その他の電子部品であってもよい。

　表示装置として有機ＥＬ表示装置１を例示したが、本開示の技術はこれに限らない。本開示の技術は、電流によって駆動される複数の発光素子を備える表示装置に適用することが可能である。例えば、本開示の技術は、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot Light Emitting Diode）を備える表示装置にも適用することが可能である。

　　　　　Ｄ　　表示領域
　　　　Ｄ１　　第１表示領域
　　　　Ｄ２　　第２表示領域
　　　　ｔｂ　　厚層部分の厚さ
　　　　ｔ１　　第１有機ＥＬ素子の第１電極の厚さ
　　　ｔ１２　　第１反射導電層の厚さ
　　　ｔ２２　　第２反射導電層の厚さ
　　　　　１　　有機ＥＬ表示装置（表示装置）
　　　　　３　　カメラ（電子部品）
　　　　１０　　樹脂基板層（基板）
　　　　２０　　ＴＦＴ層（薄膜トランジスタ層）
　　　　３０　　ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
　　　　３３　　コンタクトホール
　　　　５０　　発光素子層
　　　　５１　　第１電極
　　　５１ａ　　薄層部分
　　　５１ｂ　　厚層部分
　　　　５２　　エッジカバー
　　　　５３　　有機ＥＬ層（発光機能層）
　　　　５４　　第２電極
　　　　６０　　有機ＥＬ素子（発光素子）
　　　６０Ａ　　第１有機ＥＬ素子（第１発光素子）
　　　６０Ｂ　　第２有機ＥＬ素子（第２発光素子）
　　　　６１　　第１下側透明導電層
　　　　６２　　第１反射導電層
　　　　６３　　第１下側反射導電層
　　　　６４　　第１上側反射導電層
　　　　６５　　第１上側透明導電層
　　　　７１　　第２下側透明導電層
　　　　７２　　第２反射導電層
　　　　７３　　第２下側反射導電層
　　　　７４　　第２上側反射導電層
　　　　７５　　第２上側透明導電層
　　　１０１　　第１透明導電膜
　　　１０２　　第１反射導電膜
　　　１０４　　第２反射導電膜
　　　１０５　　第２透明導電膜

Claims

　基板と、
　前記基板上に設けられ、複数の薄膜トランジスタを含む薄膜トランジスタ層と、
　前記薄膜トランジスタ層上に設けられ、複数の発光素子を含む発光素子層とを備え、
　前記薄膜トランジスタの動作で制御される前記発光素子の発光により画像を表示する表示領域が設けられ、
　前記基板に対して前記表示領域の背面側に、前記発光素子層、前記薄膜トランジスタ層および前記基板を透過した光を利用する電子部品が配置される表示装置であって、
　前記発光素子層は、前記発光素子ごとに設けられた第１電極と、該第１電極の周縁部を覆い、前記第１電極を露出させる開口が形成されたエッジカバーと、該エッジカバーの開口内で前記第１電極上に設けられた発光機能層と、該発光機能層上に設けられた第２電極とを含み、
　前記表示領域は、第１表示領域と、該第１表示領域の内側に位置し、前記電子部品に利用される光を透過する第２表示領域とを有し、
　前記複数の発光素子には、各々前記第１電極、前記発光機能層および前記第２電極を備えた、前記第１表示領域に位置する第１発光素子と、前記第２表示領域に位置する第２発光素子とが含まれ、
　前記第１発光素子の前記第１電極は、光透過性を有する第１下側透明導電層と、該第１下側透明導電層上に設けられた、光反射性を有する第１反射導電層と、該第１反射導電層上に設けられた、光透過性を有する第１上側透明導電層とを備え、
　前記第２発光素子の前記第１電極は、前記第１下側透明導電層と同一層に同一材料によって形成された、光透過性を有する第２下側透明導電層と、該第２下側透明導電層上に前記第１反射導電層と同一層に同一材料によって形成された、光反射性を有する第２反射導電層と、該第２反射導電層上に前記第１上側透明導電層と同一層に同一材料によって形成された、光透過性を有する第２上側透明導電層とを備え、
　前記第２反射導電層は、前記エッジカバーの開口の内側において、部分的に設けられている、または少なくとも一部で前記第１反射導電層よりも薄い
ことを特徴とする表示装置。
　請求項１に記載された表示装置において、
　前記第２反射導電層は、前記エッジカバーの開口の内側全体に亘って前記第１反射導電層よりも薄く設けられている
ことを特徴とする表示装置。
　請求項２に記載された表示装置において、
　前記第１反射導電層は、前記エッジカバーの開口の内側全体に亘って、第１下側反射導電層と、該第１下側反射導電層上に設けられた第１上側反射導電層とにより構成され、
　前記第２反射導電層は、前記第１上側反射導電層と同一層に同一材料によって形成されている
ことを特徴とする表示装置。
　請求項１に記載された表示装置において、
　前記第２発光素子の前記第１電極は、前記エッジカバーの開口の内側において、前記第２反射導電層が設けられていない薄層部分と、前記第２反射導電層が設けられた、前記薄層部分よりも厚い厚層部分とを有し、
　前記厚層部分の厚さは、前記第１発光素子の前記第１電極のうち前記エッジカバーの開口の内側に位置する部分の厚さと同等である
ことを特徴とする表示装置。
　請求項４に記載された表示装置において、
　前記エッジカバーの開口の内側での前記第２反射導電層の厚さは、前記エッジカバーの開口の内側での前記第１反射導電層の厚さと同等であり、
　前記第２下側透明導電層と前記第２上側透明導電層とは、前記エッジカバーの開口の内側で互いに接している
ことを特徴とする表示装置。
　請求項４または５に記載された表示装置において、
　前記第１反射導電層の周端面は、前記第１上側透明導電層によって覆われ、
　前記第１下側透明導電層と前記第１上側透明導電層とは、前記第１反射導電層の外周で互いに接している
ことを特徴とする表示装置。
　請求項４～６のいずれか１項に記載された表示装置において、
　前記薄膜トランジスタ層は、複数の前記薄膜トランジスタを覆うように設けられた平坦化膜を含み、
　前記平坦化膜には、前記第１電極と前記薄膜トランジスタとを電気的に接続するためのコンタクトホールが形成され、
　前記第２反射導電層は、前記コンタクトホール内を含む領域に設けられている
ことを特徴とする表示装置。
　請求項４～７のいずれか１項に記載された表示装置において、
　前記第２反射導電層は、前記エッジカバーの開口の内側において島状に複数設けられている
ことを特徴とする表示装置。
　請求項４～８のいずれか１項に記載された表示装置において、
　前記第２下側透明導電層と前記第２上側透明導電層とは、前記エッジカバーの開口の周縁部と重なる箇所で互いに接している
ことを特徴とする表示装置。
　請求項４～８のいずれか１項に記載された表示装置において、
　前記第２反射導電層は、前記エッジカバーの開口の周縁部と該開口の全周に亘って重なっている
ことを特徴とする表示装置。
　請求項１に記載された表示装置において、
　前記第２発光素子の前記第１電極は、前記エッジカバーの開口の内側において、前記第２反射導電層が前記第１反射導電層よりも薄く設けられた薄層部分と、前記第２反射導電層が前記第１反射導電層と同等の厚さで設けられた、前記薄層部分よりも厚い厚層部分とを有し、
　前記厚層部分の厚さは、前記第１発光素子の前記第１電極のうち前記エッジカバーの開口の内側に位置する部分の厚さと同等である
ことを特徴とする表示装置。
　請求項１１に記載された表示装置において、
　前記第１反射導電層は、前記エッジカバーの開口の内側全体に亘って、第１下側反射導電層と、該第１下側反射導電層上に設けられた第１上側反射導電層とにより構成され、
　前記厚層部分の前記第２反射導電層は、前記第１下側反射導電層と同一層に同一材料によって形成された第２下側反射導電層と、該第２下側反射導電層上に前記第１上側反射導電層と同一層に同一材料によって形成された第２上側反射導電層とにより構成され、
　前記薄層部分の前記第２反射導電層は、前記第２上側反射導電層と同一層に同一材料によって形成された第２上側反射導電層により構成されている
ことを特徴とする表示装置。
　請求項１２に記載された表示装置において、
　前記第２下側反射導電層は、前記エッジカバーの開口の内側において島状に複数設けられている
ことを特徴とする表示装置。
　請求項１２または１３に記載された表示装置において、
　前記第２下側透明導電層と前記第２上側反射導電層とは、前記エッジカバーの開口の周縁部と重なる箇所で互いに接している
ことを特徴とする表示装置。
　請求項１２または１３に記載された表示装置において、
　前記第２下側反射導電層は、前記エッジカバーの開口の周縁部と該開口の全周に亘って重なっている
ことを特徴とする表示装置。
　請求項３、１２～１５のいずれか１項に記載された表示装置において、
　前記第１下側反射導電層の周端面は、前記第１上側反射導電層によって覆われ、
　前記第１下側透明導電層、前記第１上側反射導電層および前記第１上側透明導電層の周端面同士は、当該第１下側透明導電層、第１上側反射導電層および第１上側透明導電層の積層方向において揃っている
ことを特徴とする表示装置。
　請求項１～１６のいずれか１項に記載された表示装置において、
　前記第１反射導電層および前記第２反射導電層はそれぞれ、銀、銀合金、アルミニウムおよびアルミニウム合金から選択される少なくとも１つの金属材料によって形成されている
ことを特徴とする表示装置。
　請求項１～１７のいずれか１項に記載された表示装置において、
　前記第１下側透明導電層および前記第２下側透明導電層と、前記第１上側透明導電層および前記第２上側透明導電層とはそれぞれ、インジウムスズ酸化物およびインジウム亜鉛酸化物から選択される少なくとも１つの透明導電酸化物によって形成されている
ことを特徴とする表示装置。
　請求項１～１８のいずれか１項に記載された表示装置において、
　平面視において、前記第１発光素子の前記第１電極の面積と、前記第２発光素子の前記第１電極の面積とは、互いに同等である
ことを特徴とする表示装置。
　請求項１～１９のいずれか１項に記載された表示装置において、
　平面視において、前記エッジカバーにおける前記第１発光素子の前記第１電極を露出させる開口の面積と、前記第２発光素子の前記第１電極を露出させる開口の面積とは、互いに同等である
ことを特徴とする表示装置。
　請求項１～１９のいずれか１項に記載された表示装置において、
　平面視において、前記エッジカバーにおける前記第１発光素子の前記第１電極を露出させる開口の面積は、前記第２発光素子の前記第１電極を露出させる開口の面積よりも大きい
ことを特徴とする表示装置。
　請求項１～２１のいずれか１項に記載された表示装置において、
　平面視において、前記第１発光素子の前記発光機能層の面積と、前記第２発光素子の前記発光機能層の面積とは、互いに同等である
ことを特徴とする表示装置。
　基板と、
　前記基板上に設けられ、複数の薄膜トランジスタを含む薄膜トランジスタ層と、
　前記薄膜トランジスタ層上に設けられ、複数の発光素子を含む発光素子層とを備え、
　前記薄膜トランジスタの動作で制御される前記発光素子の発光により画像を表示する表示領域が設けられ、
　前記基板に対して前記表示領域の背面側に、前記発光素子層、前記薄膜トランジスタ層および前記基板を透過した光を利用する電子部品が配置される表示装置を製造する方法であって、
　前記基板上に前記薄膜トランジスタ層を形成する薄膜トランジスタ層形成工程と、
　前記薄膜トランジスタ層上に前記発光素子層を形成する発光素子層形成工程とを含み、
　前記発光素子層形成工程は、
　　前記発光素子ごとに第１電極を形成する第１電極形成工程と、
　　前記第１電極の周縁部を覆い、前記第１電極を露出させる開口が形成されたエッジカバーを形成するエッジカバー形成工程と、
　　前記エッジカバーの開口内で前記第１電極上に発光機能層を形成する発光機能層形成工程と、
　　前記発光機能層上に第２電極を形成する第２電極形成工程とを含み、
　前記第１電極形成工程は、
　　前記薄膜トランジスタ層が形成された前記基板上に、第１透明導電膜および第１反射導電膜を順に成膜する第１成膜工程と、
　　前記第１反射導電膜をパターニングして、前記表示領域のうち第１表示領域に、当該第１反射導電膜から第１下側反射導電層を形成する第１パターニング工程と、
　　前記第１下側反射導電層が形成された前記基板上に、第２反射導電膜および第２透明導電膜を順に成膜する第２成膜工程と、
　　前記第１透明導電膜、前記第２反射導電膜および前記第２透明導電膜をパターニングして、前記表示領域のうち前記第１表示領域に、各々前記第１下側反射導電層と重なり合うように、前記第１透明導電膜から第１下側透明導電層を形成し、前記第２反射導電膜から第１上側反射導電層を形成し、前記第２透明導電膜から第１上側透明導電層を形成すると共に、前記表示領域のうち前記第１表示領域の内側に位置し、前記電子部品に利用される光を透過する第２表示領域に、互いに重なり合うように、前記第１透明導電膜から第２下側透明導電層を形成し、前記第２反射導電膜から第２反射導電層を形成し、前記第２透明導電膜から第２上側透明導電層を形成する第２パターニング工程とを含む
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
　基板と、
　前記基板上に設けられ、複数の薄膜トランジスタを含む薄膜トランジスタ層と、
　前記薄膜トランジスタ層上に設けられ、複数の発光素子を含む発光素子層とを備え、
　前記薄膜トランジスタの動作で制御される前記発光素子の発光により画像を表示する表示領域が設けられ、
　前記基板に対して前記表示領域の背面側に、前記発光素子層、前記薄膜トランジスタ層および前記基板を透過した光を利用する電子部品が配置される表示装置を製造する方法であって、
　前記基板上に前記薄膜トランジスタ層を形成する薄膜トランジスタ層形成工程と、
　前記薄膜トランジスタ層上に前記発光素子層を形成する発光素子層形成工程とを含み、
　前記発光素子層形成工程は、
　　前記発光素子ごとに第１電極を形成する第１電極形成工程と、
　　前記第１電極の周縁部を覆い、前記第１電極を露出させる開口が形成されたエッジカバーを形成するエッジカバー形成工程と、
　　前記エッジカバーの開口内で前記第１電極上に発光機能層を形成する発光機能層形成工程と、
　　前記発光機能層上に第２電極を形成する第２電極形成工程とを含み、
　前記第１電極形成工程は、
　　前記薄膜トランジスタ層が形成された前記基板上に、第１透明導電膜および第１反射導電膜を順に成膜する第１成膜工程と、
　　前記第１反射導電膜をパターニングして、前記表示領域のうち第１表示領域に、前記エッジカバーの開口の内側全体に亘るように当該第１反射導電膜から第１反射導電層を形成すると共に、前記表示領域のうち前記第１表示領域の内側に位置し、前記電子部品に利用される光を透過する第２表示領域に、前記エッジカバーの開口の内側における一部で前記第１透明導電膜を露出させるように当該第１反射導電膜から第２反射導電層を形成する第１パターニング工程と、
　　前記第１反射導電層および前記第２反射導電層が形成された前記基板上に、第２透明導電膜を成膜する第２成膜工程と、
　　前記第１透明導電膜および前記第２透明導電膜をパターニングして、前記第１表示領域に、各々前記第１反射導電層と重なり合うように、前記第１透明導電膜から第１下側透明導電層を形成し、前記第２透明導電膜から第１上側透明導電層を形成すると共に、前記第２表示領域に、各々前記第２反射導電層と重なり合うように、前記第１透明導電膜から第２下側透明導電層を形成し、前記第２透明導電膜から第２上側透明導電層を形成する第２パターニング工程とを含む
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
　基板と、
　前記基板上に設けられ、複数の薄膜トランジスタを含む薄膜トランジスタ層と、
　前記薄膜トランジスタ層上に設けられ、複数の発光素子を含む発光素子層とを備え、
　前記薄膜トランジスタの動作で制御される前記発光素子の発光により画像を表示する表示領域が設けられ、
　前記基板に対して前記表示領域の背面側に、前記発光素子層、前記薄膜トランジスタ層および前記基板を透過した光を利用する電子部品が配置される表示装置を製造する方法であって、
　前記基板上に前記薄膜トランジスタ層を形成する薄膜トランジスタ層形成工程と、
　前記薄膜トランジスタ層上に前記発光素子層を形成する発光素子層形成工程とを含み、
　前記発光素子層形成工程は、
　　前記発光素子ごとに第１電極を形成する第１電極形成工程と、
　　前記第１電極の周縁部を覆い、前記第１電極を露出させる開口が形成されたエッジカバーを形成するエッジカバー形成工程と、
　　前記エッジカバーの開口内で前記第１電極上に発光機能層を形成する発光機能層形成工程と、
　　前記発光機能層上に第２電極を形成する第２電極形成工程とを含み、
　前記第１電極形成工程は、
　　前記薄膜トランジスタ層が形成された前記基板上に、第１透明導電膜および第１反射導電膜を順に成膜する第１成膜工程と、
　　前記第１反射導電膜をパターニングして、前記表示領域のうち第１表示領域に、前記エッジカバーの開口の内側全体に亘るように当該第１反射導電膜から第１下側反射導電層を形成すると共に、前記表示領域のうち前記第１表示領域の内側に位置し、前記電子部品に利用される光を透過する第２表示領域に、前記エッジカバーの開口の内側における一部で前記第１透明導電膜を露出させるように当該第１反射導電膜から第２下側反射導電層を形成する第１パターニング工程と、
　　前記第１下側反射導電層および前記第２下側反射導電層が形成された前記基板上に、第２反射導電膜および第２透明導電膜を順に成膜する第２成膜工程と、
　　前記第１透明導電膜、前記第２反射導電膜および前記第２透明導電膜をパターニングして、前記第１表示領域に、各々前記第１下側反射導電層と重なり合うように、前記第１透明導電膜から第１下側透明導電層を形成し、前記第２反射導電膜から第１上側反射導電層を形成し、前記第２透明導電膜から第１上側透明導電層を形成すると共に、前記第２表示領域に、各々前記第２下側反射導電層と重なり合うように、前記第１透明導電膜から第２下側透明導電層を形成し、前記第２反射導電膜から第２上側反射導電層を形成し、前記第２透明導電膜から第２上側透明導電層を形成する第２パターニング工程とを含む
ことを特徴とする表示装置の製造方法。