WO2019053784A1 - 表示装置 - Google Patents

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貴翁 斉藤
昌彦 三輪
雅貴 山中
誠二 金子
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Abstract

表示領域の周囲に規定された額縁領域の一部には、表示領域の縁と交差する方向に延びるようにスリット（２１ａ）が表面に形成された絶縁膜（２１）が設けられ、表示領域の発光素子に接続された額縁配線（２２ａ）は、絶縁膜（２１）上にスリット（２１ａ）を跨ぐように屈曲して設けられている。

Description

表示装置
　本発明は、表示装置に関するものである。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置では、可撓性を有する樹脂基板上に有機ＥＬ素子や種々のフィルム等が積層されたフレキシブルな有機ＥＬ表示装置が提案されている。ここで、有機ＥＬ表示装置では、画像表示を行う表示領域と、その表示領域の周囲に額縁領域とが設けられ、額縁領域を縮小させることが要望されている。そして、フレキシブルな有機ＥＬ表示装置では、例えば、端子側の額縁領域を折り曲げることにより、額縁領域を縮小させると、その額縁領域に配置された配線が破断するおそれがある。
　例えば、特許文献１には、表示領域において、矩形波状に屈曲した信号配線を備えたアクティブマトリクス基板が開示されている。
国際公開第２００６／０２２２５９号パンフレット
　ところで、端子側の額縁領域において、例えば、波状に屈曲した配線を配置すると、折り曲げに対して配線が破断することが少なくなるものの、配線の捩れにより破断するおそれがあるので、改善の余地がある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、配線の捩れを抑制して、配線の破断を抑制することにある。
　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、画像表示を行う表示領域、及び該表示領域の周囲に額縁領域が規定された樹脂基板と、上記樹脂基板の上記表示領域に設けられた発光素子と、上記樹脂基板の上記表示領域の縁に沿う上記額縁領域の一部に設けられ、上記発光素子に接続された額縁配線とを備えた表示装置であって、上記額縁領域の一部には、上記表示領域の縁と交差する方向に延びるようにスリットが表面に形成された絶縁膜が設けられ、上記額縁配線は、上記絶縁膜上に上記スリットを跨ぐように屈曲して設けられていることを特徴とする。
　本発明によれば、額縁配線が絶縁膜上にスリットを跨ぐように屈曲して設けられているので、配線の捩れを抑制して、配線の破断を抑制することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面図である。 図２は、図１中のII－II線に沿った有機ＥＬ表示装置の断面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層を示す断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する額縁配線を示す平面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する額縁配線を示す斜視図である。 図６は、図４中のVI－VI線に沿った有機ＥＬ表示装置の折り曲げ部の断面図である。 図７は、図４中のVII－VII線に沿った有機ＥＬ表示装置の折り曲げ部の断面図である。 図８は、図４中のVIII－VIII線に沿った有機ＥＬ表示装置の折り曲げ部の断面図である。 図９は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第１の変形例における折り曲げ部の断面図であり、図６に相当する図である。 図１０は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第２の変形例における折り曲げ部の断面図であり、図６に相当する図である。 図１１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第３の変形例における折り曲げ部の断面図であり、図６に相当する図である。 図１２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第４の変形例における折り曲げ部の断面図であり、図６に相当する図である。 図１３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第５の変形例における折り曲げ部の断面図であり、図６に相当する図である。 図１４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第６の変形例における折り曲げ部の断面図であり、図６に相当する図である。 図１５は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の折り曲げ部の断面図であり、図６に相当する図である。 図１６は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の折り曲げ部の断面図であり、図７に相当する図である。 図１７は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の折り曲げ部の断面図であり、図８に相当する図である。 図１８は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の折り曲げ部の断面図であり、図６に相当する図である。 図１９は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の折り曲げ部の断面図であり、図８に相当する図である。 図２０は、本発明のその他の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する額縁配線を示す平面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《第１の実施形態》
　図１～図１４は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａの平面図である。また、図２は、図１中のII－II線に沿った有機ＥＬ表示装置３０ａの断面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置３０ａを構成する有機ＥＬ層１６を示す断面図である。また、図４及び図５は、有機ＥＬ表示装置３０ａを構成する額縁配線２２ａを示す平面図及び斜視図である。また、図６、図７及び図８は、図４中のVI－VI線、VII－VII線及びVIII－VIIIに沿った有機ＥＬ表示装置３０ａの折り曲げ部Ｂの断面図である。また、図９～図１４は、有機ＥＬ表示装置３０ａの第１～図６の変形例における折り曲げ部Ｂの断面図であり、図６に相当する図である。
　有機ＥＬ表示装置３０ａは、図１に示すように、画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に規定された額縁領域Ｆとを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置３０ａの表示領域Ｄには、図２に示すように、有機ＥＬ素子１９が設けられていると共に、複数の画素がマトリクス状に配列されている。なお、表示領域Ｄの各画素では、例えば、赤色の階調表示を行うためのサブ画素、緑色の階調表示を行うためのサブ画素、及び青色の階調表示を行うためのサブ画素が互いに隣り合うように配列されている。また、額縁領域Ｆの図中上端部には、図１に示すように、端子部Ｔが設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄ及び端子部Ｔの間には、図１に示すように、図中横方向を折り曲げの軸として１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げられる折り曲げ部Ｂが表示領域Ｄの縁の一辺（図中上辺）に沿うように設けられている。また、本実施形態では、矩形状に規定された表示領域Ｄを例示したが、表示領域Ｄは、楕円形状や切り欠きが形成された形状等のその他の形状であってもよい。
　有機ＥＬ表示装置３０ａは、図２に示すように、表示領域Ｄにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０の表面に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１の表面に設けられた有機ＥＬ素子１９と、有機ＥＬ素子１９の表面に設けられた表面支持基材２５ａと、樹脂基板層１０の裏面に設けられた裏面支持基材２５ｂとを備えている。
　樹脂基板層１０は、例えば、厚さ１０μｍ～２０μｍ程度のポリイミド樹脂等により構成され、樹脂基板として設けられている。
　ベースコート膜１１は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　有機ＥＬ素子１９は、図２に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた複数のＴＦＴ１２、層間絶縁膜１３、複数の第１電極１４、エッジカバー１５、複数の有機ＥＬ層１６、第２電極１７及び封止膜１８を備えている。
　複数のＴＦＴ１２は、複数のサブ画素に対応するように、ベースコート膜１１上に設けられている。ここで、ＴＦＴ１２は、例えば、ベースコート膜１１上に島状に設けられた半導体層と、半導体層を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に半導体層の一部と重なるように設けられたゲート電極と、ゲート電極を覆うように設けられた層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に設けられ、互いに離間するように配置されたソース電極及びドレイン電極とを備えている。なお、本実施形態では、トップゲート型のＴＦＴ１２を例示したが、ＴＦＴ１２は、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。
　平坦化膜１３は、図２に示すように、各ＴＦＴ１２のドレイン電極の一部以外を覆うように設けられている。ここで、平坦化膜１３は、例えば、アクリル樹脂等の無色透明な有機樹脂材料により構成されている。
　複数の第１電極１４は、図２に示すように、複数のサブ画素に対応するように、平坦化膜１３上にマトリクス状に設けられている。ここで、第１電極１４は、図２に示すように、平坦化膜１３に形成されたコンタクトホールを介して、各ＴＦＴ１２のドレイン電極に接続されている。また、第１電極１４は、有機ＥＬ層１６にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極１４は、有機ＥＬ層１６への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極１４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極１４を構成する材料は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極１４を構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極１４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
　エッジカバー１５は、図２に示すように、各第１電極１４の周縁部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー１５を構成する材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＮＯ）等の無機膜、又はポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。
　複数の有機ＥＬ層１６は、図２に示すように、各第１電極１４上に配置され、複数のサブ画素に対応するように、マトリクス状に設けられている。ここで、各有機ＥＬ層１６は、図３に示すように、第１電極１４上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極１４と有機ＥＬ層１６とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極１４から有機ＥＬ層１６への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
　正孔輸送層２は、第１電極１４から有機ＥＬ層１６への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　発光層３は、第１電極１４及び第２電極１７による電圧印加の際に、第１電極１４及び第２電極１７から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層５は、第２電極１７と有機ＥＬ層１６とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極１７から有機ＥＬ層１６へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子１９の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
　第２電極１７は、図２に示すように、各有機ＥＬ層１６及びエッジカバー１５を覆うように設けられている。また、第２電極１７は、有機ＥＬ層１６に電子を注入する機能を有している。また、第２電極１７は、有機ＥＬ層１６への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極１７を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極１７は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極１７は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極１７は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　封止膜１８は、図２に示すように、第２電極１７を覆うように設けられ、有機ＥＬ層１６を水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、封止膜１８を構成する材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機材料が挙げられる。
　表面支持基材２５ａ及び裏面支持基材２５ｂは、例えば、厚さ１００μｍ程度のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂フィルム等により構成されている。
　有機ＥＬ表示装置３０ａは、図４～図８に示すように、額縁領域Ｆにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０の表面に設けられた絶縁膜２１と、絶縁膜２１の表面に設けられた額縁配線２２ａと、額縁配線２２ａを覆うように設けられた表面支持基材２５ａとを備えている。ここで、表示領域Ｄに配置された裏面支持基材２５ｂは、額縁領域Ｆの大部分にも設けられているが、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂには、設けられていない。なお、図４及び図５の平面図及び斜視図では、額縁配線２２ａ上の表面支持基材２５ａが省略されている。
　絶縁膜２１は、例えば、厚さ２μｍ程度のポリイミド樹脂等の有機絶縁膜により構成されている。また、絶縁膜２１の表面には、表示領域Ｄの縁の一辺（図１中の上辺）と交差（例えば、直交）する方向に延びるようにスリット２１ａが形成されている。なお、本実施形態では、有機絶縁膜により構成された絶縁膜２１を例示したが、絶縁膜２１は、無機絶縁膜により構成されていてもよい。
　額縁配線２２ａは、表示領域Ｄの有機ＥＬ素子１９の信号配線（ゲート線、ソース線、電源線等）に接続されている。また、額縁配線２２ａは、例えば、チタン膜（厚さ１００ｎｍ程度）／アルミニウム膜（厚さ５００ｎｍ程度）／チタン膜（厚さ５０ｎｍ程度）等の金属積層膜により構成されている。なお、本実施形態では、金属積層膜により構成された額縁配線２２ａを例示したが、額縁配線２２ａは、金属単層膜により構成されていてもよい。また、額縁配線２２ａは、図４～図８に示すように、絶縁膜２１上にスリット２１ａを跨ぐように屈曲して平面視で波状に設けられている。また、額縁配線２２ａは、図４～図６及び図８に示すように、絶縁膜２１のスリット２１ａの側壁に設けられた側壁導電層２２ｗを備えている。ここで、側壁導電層２２ｗは、額縁配線２２ａを形成するための金属積層膜により構成されている。
　なお、本実施形態では、額縁領域Ｆだけに設けられた絶縁膜２１にスリット２１ａが形成された構成を例示したが、図９～図１４に示すように、他の絶縁膜にスリットＳが形成された構成であってもよい。
　具体的には、図９の第１の変形例では、ＴＦＴ１２を構成するＴＦＴ層が、額縁領域Ｆにおいて、無機絶縁膜からなるゲート絶縁膜１２ｂ、第１層間絶縁膜１２ｄ及び第２層間絶縁膜１２ｅと、有機絶縁膜からなる第３層間絶縁膜１２ｆとを備えている。ここで、第３層間絶縁膜１２ｆには、図９に示すように、表示領域Ｄの縁の一辺（図１中の上辺）と交差（例えば、直交）する方向に延びるようにスリットＳが形成されている。そして、第３層間絶縁膜１２ｆ上には、図９に示すように、ＴＦＴ１２のソース電極と同一層に同一材料に形成された額縁配線１２ｇがスリットＳを跨ぐように屈曲して平面視で波状に設けられている。また、額縁配線１２ｇは、図９に示すように、スリットＳの側壁に設けられた側壁導電層１２ｇｗを備え、平坦化膜１３ａに覆われている。また、側壁導電層１２ｇｗは、図９に示すように、第３層間絶縁膜１２ｆと、第２層間絶縁膜１２ｅとに接している。
　また、図１０の第２の変形例では、ＴＦＴ１２を構成するＴＦＴ層が、額縁領域Ｆにおいて、無機絶縁膜からなるゲート絶縁膜１２ｂａ、第１層間絶縁膜１２ｄａ及び第２層間絶縁膜１２ｅａを備えている。ここで、ベースコート膜１１ａ、ゲート絶縁膜１２ｂａ、第１層間絶縁膜１２ｄａ及び第２層間絶縁膜１２ｅａの積層膜には、図１０に示すように、表示領域Ｄの縁の一辺（図１中の上辺）と交差（例えば、直交）する方向に延びるようにスリットＳが形成されている。そして、第２層間絶縁膜１２ｅａ上には、図１０に示すように、額縁配線１２ｇがスリットＳを跨ぐように屈曲して平面視で波状に設けられている。また、額縁配線１２ｇは、図１０に示すように、スリットＳの側壁に設けられた側壁導電層１２ｇｗを備え、平坦化膜１３ｂに覆われている。また、側壁導電層１２ｇｗは、図１０に示すように、ベースコート膜１１ａ、ゲート絶縁膜１２ｂａ、第１層間絶縁膜１２ｄａ及び第２層間絶縁膜１２ｅａの積層膜と、樹脂基板層１０とに接している。
　また、図１１の第３の変形例では、ＴＦＴ１２を構成するＴＦＴ層が、額縁領域Ｆにおいて、無機絶縁膜からなるゲート絶縁膜１２ｂ、第１層間絶縁膜１２ｄａ及び第２層間絶縁膜１２ｅａを備えている。なお、ゲート絶縁膜１２ｂ及び第１層間絶縁膜１２ｄａの間には、ＴＦＴ１２のゲートと同一層に同一材料に形成されて、スリットＳを形成する際にエッチストッパとして機能する金属層１２ｃａが設けられている。ここで、第１層間絶縁膜１２ｄａ及び第２層間絶縁膜１２ｅａの積層膜には、図１１に示すように、表示領域Ｄの縁の一辺（図１中の上辺）と交差（例えば、直交）する方向に延びるようにスリットＳが形成されている。そして、第２層間絶縁膜１２ｅａ上には、図１１に示すように、額縁配線１２ｇがスリットＳを跨ぐように屈曲して平面視で波状に設けられている。また、額縁配線１２ｇは、図１１に示すように、スリットＳの側壁に設けられた側壁導電層１２ｇｗを備え、平坦化膜１３ｃに覆われている。また、側壁導電層１２ｇｗは、図１１に示すように、第１層間絶縁膜１２ｄａ及び第２層間絶縁膜１２ｅａの積層膜と、金属層１２ｃａとに接している。
　また、図１２の第４の変形例では、ＴＦＴ１２を構成するＴＦＴ層が、額縁領域Ｆにおいて、無機絶縁膜からなるゲート絶縁膜１２ｂａ、第１層間絶縁膜１２ｄａ及び第２層間絶縁膜１２ｅａを備えている。なお、ベースコート膜１１及びゲート絶縁膜１２ｂａの間には、ＴＦＴ１２の半導体層と同一層に同一材料に形成されて、スリットＳを形成する際にエッチストッパとして機能する他の半導体層１２ａａが設けられている。ここで、ゲート絶縁膜１２ｂａ、第１層間絶縁膜１２ｄａ及び第２層間絶縁膜１２ｅａの積層膜には、図１２に示すように、表示領域Ｄの縁の一辺（図１中の上辺）と交差（例えば、直交）する方向に延びるようにスリットＳが形成されている。そして、第２層間絶縁膜１２ｅａ上には、図１２に示すように、額縁配線１２ｇがスリットＳを跨ぐように屈曲して平面視で波状に設けられている。また、額縁配線１２ｇは、図１２に示すように、スリットＳの側壁に設けられた側壁導電層１２ｇｗを備え、平坦化膜１３ｄに覆われている。また、側壁導電層１２ｇｗは、図１２に示すように、ゲート絶縁膜１２ｂａ、第１層間絶縁膜１２ｄａ及び第２層間絶縁膜１２ｅａの積層膜と、半導体層１２ａａとに接している。
　また、図１３の第５の変形例では、ＴＦＴ１２（ボトムゲート型）を構成するＴＦＴ層が、額縁領域Ｆにおいて、無機絶縁膜からなるゲート絶縁膜１２ｂａ、第１層間絶縁膜１２ｄａ及び第２層間絶縁膜１２ｅａを備えている。なお、ベースコート膜１１及びゲート絶縁膜１２ｂａの間には、ＴＦＴ１２のゲート電極と同一層に同一材料に形成されて、スリットＳを形成する際にエッチストッパとして機能する金属層１２ａｂが設けられている。ここで、ゲート絶縁膜１２ｂａ、第１層間絶縁膜１２ｄａ及び第２層間絶縁膜１２ｅａの積層膜には、図１３に示すように、表示領域Ｄの縁の一辺（図１中の上辺）と交差（例えば、直交）する方向に延びるようにスリットＳが形成されている。そして、第２層間絶縁膜１２ｅａ上には、図１３に示すように、額縁配線１２ｇがスリットＳを跨ぐように屈曲して平面視で波状に設けられている。また、額縁配線１２ｇは、図１３に示すように、スリットＳの側壁に設けられた側壁導電層１２ｇｗを備え、平坦化膜１３ｅに覆われている。また、側壁導電層１２ｇｗは、図１３に示すように、ゲート絶縁膜１２ｂａ、第１層間絶縁膜１２ｄａ及び第２層間絶縁膜１２ｅａの積層膜と、金属層１２ａｂとに接している。
　また、図１４の第６の変形例では、ＴＦＴ１２（ボトムゲート型）を構成するＴＦＴ層が、額縁領域Ｆにおいて、無機絶縁膜からなるゲート絶縁膜１２ｂ、第１層間絶縁膜１２ｄａ及び第２層間絶縁膜１２ｅａを備えている。なお、ゲート絶縁膜１２ｂ及び第１層間絶縁膜１２ｄａの間には、ＴＦＴ１２の半導体層と同一層に同一材料に形成されて、スリットＳを形成する際にエッチストッパとして機能する他の半導体層１２ｃｂが設けられている。ここで、第１層間絶縁膜１２ｄａ及び第２層間絶縁膜１２ｅａの積層膜には、図１４に示すように、表示領域Ｄの縁の一辺（図１中の上辺）と交差（例えば、直交）する方向に延びるようにスリットＳが形成されている。そして、第２層間絶縁膜１２ｅａ上には、図１４に示すように、額縁配線１２ｇがスリットＳを跨ぐように屈曲して平面視で波状に設けられている。また、額縁配線１２ｇは、図１４に示すように、スリットＳの側壁に設けられた側壁導電層１２ｇｗを備え、平坦化膜１３ｆに覆われている。また、側壁導電層１２ｇｗは、図１４に示すように、第１層間絶縁膜１２ｄａ及び第２層間絶縁膜１２ｅａの積層膜と、半導体層１２ｃｂとに接している。
　上述した有機ＥＬ表示装置３０ａは、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２を介して有機ＥＬ層１６の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａは、以下のようにして製造することができる。
　例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１及び有機ＥＬ素子１９を形成し、有機ＥＬ素子１９上に接着層を介して表面支持基材２５ａを貼り付けた後に、ガラス基板を剥離させた樹脂基板層１０の裏面に接着層を介して裏面支持基材２５ｂを貼り付けることにより、製造することができる。ここで、額縁領域Ｆの額縁配線２２ａは、有機ＥＬ素子１９を構成するＴＦＴ１２のソース電極及びドレイン電極を形成する際に形成される。また、額縁領域Ｆの絶縁膜２１は、有機ＥＬ素子１９を構成するＴＦＴ１２のソース電極及びドレイン電極を形成する前に、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜を成膜及びパターニングすることにより形成される。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａによれば、額縁配線２２ａが絶縁膜２１に形成されたスリット２１ａを跨ぐように波状に屈曲して設けられている。そのため、額縁配線２２ａは、絶縁膜２１の表面に形成された部分と、スリット２１ａの側面に形成された部分（側壁導電層２２ｗ）と、スリット２１ａの底面に形成された部分とを備えた３次元的な配線パターンになるので、捩れ難くなる。これにより、有機ＥＬ表示装置３０ａが額縁領域Ｆの端子部Ｔで折り曲げられても、額縁配線２２ａの捩れが抑制されているので、配線の捩れを抑制して、配線の破断を抑制することができる。
　《第２の実施形態》
　図１５～図１７は、本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図１５、図１６及び図１７は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂの折り曲げ部Ｂの断面図であり、図６、図７及び図８に相当する図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図１４と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記第１の実施形態では、額縁領域Ｆにベースコート膜１１が設けられていない有機ＥＬ表示装置３０ａを例示したが、本実施形態では、額縁領域Ｆにもベースコート膜１１が設けられた有機ＥＬ表示装置３０ｂを例示する。
　有機ＥＬ表示装置３０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａと同様に、画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に規定された額縁領域Ｆとを備えている。
　有機ＥＬ表示装置３０ｂの表示領域Ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａと同様な構成になっている。
　有機ＥＬ表示装置３０ｂは、図１５～図１７に示すように、額縁領域Ｆにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０の表面に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１の表面に設けられた絶縁膜２１と、絶縁膜２１の表面に設けられた額縁配線２２ａと、額縁配線２２ａを覆うように設けられた表面支持基材２５ａとを備えている。
　上述した有機ＥＬ表示装置３０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２を介して有機ＥＬ層１６の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａの製造方法において、ベースコート膜１１の形状を変更することにより、製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂによれば、額縁配線２２ａが絶縁膜２１に形成されたスリット２１ａを跨ぐように波状に屈曲して設けられている。そのため、額縁配線２２ａは、絶縁膜２１の表面に形成された部分と、スリット２１ａの側面に形成された部分（側壁導電層２２ｗ）と、スリット２１ａの底面に形成された部分とを備えた３次元的な配線パターンになるので、捩れ難くなる。これにより、有機ＥＬ表示装置３０ｂが額縁領域Ｆの端子部Ｔで折り曲げられても、額縁配線２２ａの捩れが抑制されているので、配線の捩れを抑制して、配線の破断を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂによれば、額縁領域Ｆにもベースコート膜１１が設けられているので、額縁領域Ｆにおいて、樹脂基板層１０の防湿性を向上させることができる。
　《第３の実施形態》
　図１８及び図１９は、本発明に係る表示装置の第３の実施形態を示している。ここで、図１８及び図１９は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｃの折り曲げ部Ｂの断面図であり、図６及び図８に相当する図である。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｃの端子部Ｔの図７に相当する断面図は、図１０と実質的に同じである。
　上記第２の実施形態では、額縁領域Ｆにもベースコート膜１１が設けられた有機ＥＬ表示装置３０ｂを例示したが、本実施形態では、額縁領域Ｆにパターニングされたベースコート膜１１ｃが設けられた有機ＥＬ表示装置３０ｃを例示する。
　有機ＥＬ表示装置３０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａと同様に、画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に規定された額縁領域Ｆとを備えている。
　有機ＥＬ表示装置３０ｃの表示領域Ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａと同様な構成になっている。
　有機ＥＬ表示装置３０ｃは、図１８及び図１９に示すように、額縁領域Ｆにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０の表面に設けられたベースコート膜１１ｃと、ベースコート膜１１ｃの表面に設けられた絶縁膜２１と、絶縁膜２１の表面に設けられた額縁配線２２ａと、額縁配線２２ａを覆うように設けられた表面支持基材２５ａとを備えている。
　ベースコート膜１１ｃは、図１８及び図１９に示すように、絶縁膜２１から露出する部分が除去されている。ここで、ベースコート膜１１ｃは、表示領域Ｄに設けられたベースコート膜１１と同一材料により同一層に形成されている。
　上述した有機ＥＬ表示装置３０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２を介して有機ＥＬ層１６の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａの製造方法において、ベースコート膜１１の形状を変更することにより、製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｃによれば、額縁配線２２ａが絶縁膜２１に形成されたスリット２１ａを跨ぐように波状に屈曲して設けられている。そのため、額縁配線２２ａは、絶縁膜２１の表面に形成された部分と、スリット２１ａの側面に形成された部分（側壁導電層２２ｗ）と、スリット２１ａの底面に形成された部分とを備えた３次元的な配線パターンになるので、捩れ難くなる。これにより、有機ＥＬ表示装置３０ｃが額縁領域Ｆの端子部Ｔで折り曲げられても、額縁配線２２ａの捩れが抑制されるので、配線の捩れを抑制して、配線の破断を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｃによれば、額縁領域Ｆにもベースコート膜１１ｃが設けられ、ベースコート膜１１ｃが絶縁膜２１から露出する部分で除去されているので、ベースコート膜１１ｃが剛性の高い材料であっても、折り曲げ部Ｂでの折り曲げを容易にすることができる。
　《その他の実施形態》
　上記各実施形態では、有機ＥＬ表示装置３０ａ～３０ｃにおいて、額縁配線２２ａが波状に設けられていたが、額縁配線は、図２０に示すような額縁配線２２ｂであってもよい。ここで、図２０は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置を構成する額縁配線２２ｂを示す平面図である。具体的には、額縁配線２２ｂは、表示領域Ｄの有機ＥＬ素子１９の配線に接続されている。また、額縁配線２２ｂは、例えば、チタン膜（厚さ１００ｎｍ程度）／アルミニウム膜（厚さ５００ｎｍ程度）／チタン膜（厚さ５０ｎｍ程度）等の金属積層膜により構成されている。また、額縁配線２２ｂは、図２０に示すように、絶縁膜２１上にスリット２１ａを跨ぐように屈曲して平面視で鎖状に設けられている。また、額縁配線２２ｂは、図２０に示すように、絶縁膜２１のスリット２１ａの側壁に設けられた側壁導電層２２ｗを備えている。ここで、側壁導電層２２ｗは、額縁配線２２ｂを形成するための金属積層膜により構成されている。
　なお、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置、例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
　また、上記各実施形態では、単線の額縁配線２２ａ及び２２ｂを例示したが、額縁配線２２ａ及び２２ｂは、互いに並行に延びる複線により冗長化されていてもよい。
　また、上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、フレキシブルな有機ＥＬ表示装置について有用である。
Ｄ　　　　表示領域
Ｆ　　　　額縁領域
Ｔ　　　　端子部
１０　　　樹脂基板層（樹脂基板）
１１，１１ｃ　　　　ベースコート膜
１９　　　発光素子
２１ａ　　スリット
２１　　　絶縁膜
２２ａ，２２ｂ　　　額縁配線
２２ｗ　　側壁導電層
３０ａ～３０ｃ　　　表示装置

Claims (12)

  1. 　画像表示を行う表示領域、及び該表示領域の周囲に額縁領域が規定された樹脂基板と、
    　上記樹脂基板の上記表示領域に設けられた発光素子と、
    　上記樹脂基板の上記表示領域の縁に沿う上記額縁領域の一部に設けられ、上記発光素子に接続された額縁配線とを備えた表示装置であって、
    　上記額縁領域の一部には、上記表示領域の縁と交差する方向に延びるようにスリットが表面に形成された絶縁膜が設けられ、
    　上記額縁配線は、上記絶縁膜上に上記スリットを跨ぐように屈曲して設けられていることを特徴とする表示装置。
  2. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記額縁配線は、上記スリットの側壁に設けられた側壁導電層を備えていることを特徴とする表示装置。
  3. 　請求項１又は２に記載された表示装置において、
    　上記額縁配線は、波状に設けられていることを特徴とする表示装置。
  4. 　請求項１又は２に記載された表示装置において、
    　上記額縁配線は、鎖状に設けられていることを特徴とする表示装置。
  5. 　請求項１～４の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記樹脂基板と上記絶縁膜との間には、ベースコート膜が設けられていることを特徴とする表示装置。
  6. 　請求項５に記載された表示装置において、
    　上記スリットは、上記絶縁膜を貫通するように形成され、
    　上記ベースコート膜は、上記絶縁膜から露出する部分で除去されていることを特徴とする表示装置。
  7. 　請求項１～６の何れか１つに記載の表示装置において、
    　上記額縁領域の端部には、端子部が設けられ、
    　上記スリットは、上記表示領域及び端子部の間に形成されていることを特徴とする表示装置。
  8. 　請求項２に記載された表示装置において、
    　上記樹脂基板及び発光素子の間には、該樹脂基板側から無機絶縁膜及び有機絶縁膜が順に設けられ、
    　上記スリットは、上記有機絶縁膜に形成され、
    　上記側壁導電層は、上記有機絶縁膜及び無機絶縁膜に接していることを特徴とする表示装置。
  9. 　請求項２に記載された表示装置において、
    　上記樹脂基板及び発光素子の間には、無機絶縁膜が設けられ、
    　上記スリットは、上記無機絶縁膜に形成され、
    　上記側壁導電層は、上記無機絶縁膜及び樹脂基板に接していることを特徴とする表示装置。
  10. 　請求項２に記載された表示装置において、
    　上記樹脂基板及び発光素子の間には、該樹脂基板側から金属層及び無機絶縁膜が順に設けられ、
    　上記スリットは、上記無機絶縁膜に形成され、
    　上記側壁導電層は、上記無機絶縁膜及び金属層に接していることを特徴とする表示装置。
  11. 　請求項２に記載された表示装置において、
    　上記樹脂基板及び発光素子の間には、該樹脂基板側から半導体層及び無機絶縁膜が順に設けられ、
    　上記スリットは、上記無機絶縁膜に形成され、
    　上記側壁導電層は、上記無機絶縁膜及び半導体層に接していることを特徴とする表示装置。
  12. 　請求項１～１１の何れか１つに記載の表示装置において、
    　上記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする表示装置。
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