CN114300513A - 一种oled显示面板和oled显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种OLED显示面板和OLED显示装置；该显示面板包括显示区和电子元件设置区，电子元件设置区包括透明非显示区和围绕该透明非显示区的透明显示区，该电子元件设置区包括衬底、设置于衬底一侧的驱动电路层，设置于该驱动电路层远离衬底一侧的有机光阻层以及设置于有机光阻层远离衬底一侧的发光层，该有机光阻层包括位于透明显示区的第一有机光阻层和位于透明非显示区的第二有机光阻层，第一有机光阻层图案化形成多个第一像素定义层，相邻第一像素定义层之间形成开口区，发光层填充在该开口区中。本申请通过集中设置透明非显示区，使得光线能够更加集中的射入到电子元件中，增强了电子元件获取图像的效果。

Description

一种OLED显示面板和OLED显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板和OLED显示装置。

背景技术

随着全面屏技术的发展，摄像头等电子元件放置在显示屏下的技术是发展趋势。现有的OLED显示面板中，通常包括依次层叠设置的多个透明膜层，摄像头等电子元件埋设在OLED显示面板的下方，外界的光线可以通过各透明膜层进入位于OLED显示面板下方的摄像头等电子元件，从而获取图像。

然而，在光线传输过程中，由于OLED显示面板中透明膜层的透光率较低或者走线等原因，容易发生光线衍射，甚至消光严重的情况，从而导致摄入屏下摄像头的光线不足，降低了图像显示效果。

因此，现有的OLED显示面板存在摄入屏下摄像头的光线不足，图像获取效果不佳的技术问题，需要改进。

发明内容

本申请实施例提供一种OLED显示面板和OELD显示装置，用以缓解摄入屏下摄像头的光线不足，图像获取效果不佳的技术问题。

本申请提供一种OLED显示面板，包括显示区、以及对应电子元件设置位置的电子元件设置区，所述电子元件设置区包括透明非显示区和围绕所述透明非显示区的透明显示区，所述电子元件设置区包括：

衬底；

驱动电路层，设置于所述衬底一侧；

有机光阻层，设置于所述驱动电路层远离所述衬底一侧，所述有机光阻层包括位于所述透明显示区的第一有机光阻层和位于所述透明非显示区的第二有机光阻层，所述第一有机光阻层图案化形成多个第一像素定义层，相邻第一像素定义层之间形成开口区；

发光层，设置于所述有机光阻层远离所述衬底一侧，且填充在所述开口区中。

在本申请的OLED显示面板中，所述第二有机光阻层设置有至少一个凹槽。

在本申请的OLED显示面板中，所述凹槽的深度等于所述有机光阻层的厚度。

在本申请的OLED显示面板中，所述电子元件设置区还包括封装层，所述封装层填充在所述凹槽中，且延伸覆盖所述有机光阻层。

在本申请的OLED显示面板中，所述封装层材料为透明材料，所述透明材料的折射率与氧化硅的折射率的差值满足预设阈值范围。

在本申请的OLED显示面板中，所述电子元件设置区还包括透光增强层，所述透光增强层设置于所述衬底远离所述驱动电路层一侧，所述透光增强层在所述衬底上的正投影覆盖所述凹槽在所述衬底上的正投影。

在本申请的OLED显示面板中，所述透光增强层材料的折射率与所述衬底材料的折射率的差值满足预设阈值范围。

在本申请的OLED显示面板中，所述透光增强层的形状为圆弧状。

在本申请的OLED显示面板中，所述电子元件设置区还包括像素电极层，所述第一有机光阻层包括第一平坦化层和第一像素定义层，所述第一平坦化层设置于所述驱动电路层远离所述衬底一侧，所述像素电极层设置于所述第一平坦化层远离所述驱动电路层一侧，所述第一像素定义层设置于所述像素电极层远离所述第一平坦化层一侧，所述像素电极层图案化形成像素电极，所述像素电极的材料包括氧化铟锡、氧化锌透明导电玻璃。

本申请还提供一种OLED显示装置，包括上述任一项所述的OELD显示面板。

有益效果：本申请提供一种OLED显示面板和OLED显示装置；该OLED显示面板包括显示区、以及对应电子元件设置的电子元件设置区，该电子元件设置区包括透明非显示区和围绕该透明非显示区的透明显示区，该电子元件设置区包括衬底、设置于衬底一侧的驱动电路层，设置于驱动电路层远离衬底一侧的有机光阻层，以及设置于有机光阻层远离衬底一侧的发光层，其中，有机光阻层包括位于透明显示区的第一有机光阻层和位于透明非显示区的第二有机光阻层，第一有机光阻层图案化形成多个第一像素定义层，相邻第一像素定义层之间形成开口区，发光层填充在该开口区中。本申请通过集中设置透明非显示区，将发光层集中设置于位于透明显示区的第一有机光阻层的开口区中，在不影响屏幕显示的前提下，使得光线能够通过集中设置的透明非显示区更加集中的射入电子元件中，增强了电子元件获取图像的效果。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本申请实施例提供的OLED显示面板的平面结构示意图。

图2为本申请实施例提供的图1在A-A处的电子元件设置区的截面图。

图3为本申请实施例提供的电子元件设置区的像素排布示意图。

图4为本申请实施例提供的显示区的像素排布示意图。

图5A至图5K为本申请实施例提供的OLED显示面板的制备方法的各阶段示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

本申请实施例提供一种OLED显示面板和OLED显示装置，用以缓解摄入屏下摄像头的光线不足，图像获取效果不佳的技术问题。

如图1所示，图1为本申请实施例提供的OLED显示面板的平面结构示意图。OLED显示面板包括显示区4、以及对应电子元件设置位置的电子元件设置区1。其中，电子元件可以是屏下摄像头等，电子元件设置区1为圆形、矩形或多边形等。

如图2所示，图2为本申请实施例提供的图1在A-A处的电子元件设置区1的截面图。具体地，电子元件设置区1包括透明非显示区10和围绕该透明非显示区10的透明显示区11，该电子元件设置区1包括衬底100、驱动电路层110、有机光阻层119、发光层130。其中，驱动电路层110设置于衬底100一侧；有机光阻层119设置于驱动电路层110远离衬底100一侧，该有机光阻层119包括位于透明显示区11的第一有机光阻层和位于透明非显示区10的第二有机光阻层，第一有机光阻层图案化形成多个第一像素定义层1192，相邻第一像素定义层1192之间形成开口区12；发光层130设置于有机光阻层119远离衬底100一侧，且填充在开口区12中。

当OLED显示面板为刚性面板时，衬底100为刚性衬底，如玻璃、透明树脂等；当OLED显示面板为柔性面板时，衬底100为柔性衬底，如聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、多芳基化合物或玻璃纤维增强塑料等，先通过涂布的方式形成在一玻璃基板上，后续完成OLED显示面板的制备后，再将玻璃基板剥离，剥离的方法可采用激光剥离。

驱动电路层110设置在衬底100一侧，包括多个薄膜晶体管，多个薄膜晶体管形成多个像素驱动电路，每个像素驱动电路驱动一个子像素发光。以顶栅型薄膜晶体管为例，驱动电路层110包括叠层设置在衬底100上的遮光层111、缓冲层112、有源层113、栅极绝缘层114、栅极层115、层间介质层116、源漏极层117以及钝化层118。

遮光层111设置在衬底100一侧；优选的，遮光层111的材料包括常见金属材料如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等单层或多层组合，或合金材料如钼/铜叠层(Mo/Cu)、钼钛合金/铜叠层(MoTi/Cu)等。

缓冲层112设置在遮光层111远离衬底100一侧，缓冲层112的材料可为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)或氮化硅/氧化硅叠层(SiNx/SiOx)等无机材料，缓冲层112可以防止不期望的杂质或污染物(例如湿气、氧气等)从衬底100扩散至可能因这些杂质或污染物而受损的器件中，同时还可以提供平坦的顶表面。

有源层113设置在缓冲层112上，有源层113的材料为金属氧化物，例如铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)，但不以此为限，还可以是铝锌氧化物(AZO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、硼掺杂氧化锌(BZO)、镁掺杂氧化锌(MZO)中的一种或多种。此外，有源层还可以是多晶硅材料或其它材料。

栅极绝缘层114设置在有源层113上，栅极绝缘层114的材料包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或者氧化硅与氮化硅交替层叠设置形成的复合薄膜。

栅极层115设置在栅极绝缘层114上，栅极层115的材料可为钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等单层或多层组合，或合金材料如钼/铜叠层(Mo/Cu)、钼钛合金/铜叠层(MoTi/Cu)等，但不以此为限，还可以是铬、钨、钛、钽以及包含它们的合金等材料，在此不对其材料做特殊限定。栅极层115经过蚀刻工艺图案化形成栅极。

层间介质层116设置在栅极层115上，层间介质层116的材料可为氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)等无机材料。

源漏极层117设置在层间介质层116上，源漏极层117的材料可为钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等单层或多层组合，或合金材料如钼/铜叠层(Mo/Cu)、钼钛合金/铜叠层(MoTi/Cu)等，但不以此为限，还可以是铬、钨、钛、钽以及包含它们的合金等材料，经蚀刻工艺图案化形成漏极1171和源极1172，漏极1171和源极1172由过孔(图中未示出)与有源层113连接。

钝化层118设置在源漏极层117上，钝化层118的膜层材质可为氧化硅(SiOx)，氮化硅/氧化硅叠层(SiNx/SiOx)，或硅氧化物(SiOx)、氮氧化物(SiNx)与氧化铝(Al2O3)形成的叠层等。

需要说明的是，上述驱动电路层110中的各膜层在电子元件设置区1为透明材料，以使得屏下摄像头等电子元件埋设在OLED显示面板的电子元件设置区1的下方，在进行拍摄等操作时，根据透明材料的特性可以正常透光，使得感光元件等电子元件可以摄入充足的光线，保证图像获取效果，在不进行拍摄等操作时，可以作为正常显示屏幕内容；显示区4一般为非透明材料，也可以设置为透明材料，在此不做限定。

有机光阻层119设置于驱动电路层110远离衬底100一侧，有机光阻层119被透明非显示区10和透明显示区11分为第一有机电阻层和第二有机电阻层。具体地，位于透明显示区11的有机光阻层为第一有机光阻层，其包括第一平坦化层1191和第一像素定义层1192，相邻第一像素定义层1192之间形成开口区12；透明非显示区10的有机光阻层为第二有机光阻层，其包括第二平坦化层1193和第二像素定义层1194。

发光层130设置于有机光阻层119远离衬底100一侧，且填充在开口区12中。具体地，发光层130设置于第一有机光阻层的第一像素定义层1192的开口区12中。

如图3所示，图3是本申请实施例提供的电子元件设置区1的像素排布示意图。图中示出了透明非显示区10、以及透明显示区11发光层130中的第一红色像素1301、第一绿色像素1302以及第一蓝色像素1303，结合图2和图3可见，透明显示区11是围绕透明非显示区10设置的，通过将透明非显示区10进行集中分布，能让光线的射入更加集中，从而使得电子元件能够接收到充足的光纤，增强了电子元件获取图像的效果。

如图4所示，图4是本申请实施例提供的显示区4的像素排布示意图。图中示出了显示区4发光层430(图中未示出)中的第二红色像素4301、第二绿色像素4302以及第二蓝色像素4303，通过驱动电路驱动第二发光层430中的各子像素发光，从而显示图像。

结合图2、图3以及图4可知，本申请在对OLED显示面板中的像素分布时，进行了分区设计，整个OLED显示面板被分为对应电子元件设置位置的电子元件设置区1和显示区4，其中，显示区4的像素排布与电子元件设置区1的像素排布不同，电子元件设置区1中还被细分为透明非显示区10和透明显示区11，且透明显示区11围绕透明非显示区10设置，通过此种设计可以使得光线能够更加集中的射入到电子元件中，增强了电子元件获取图像的效果。

在一种实施例中，如图5J，对应于透明非显示区10设置的第二有机光阻层中设置有至少一个凹槽150。由于有机光阻层119材料的折射率较大，一般为2.5至3.4，因此其透光率较低，且由于其折射率与驱动电路层110中各无机材料膜层(如缓冲层112、栅极绝缘层114、层间介质层116以及钝化层118等)的折射率(一般在1.46左右)相差较大，会导致光线的漫反射增强，从而影响摄像头等电子元件的进光效果，通过在透明非显示区10设置凹槽150，减少了有机光阻层119对光线的折射及漫反射，从而增大了透光率，增强了电子元件获取图像的效果。

在一种实施例中，凹槽150的深度等于有机光阻层119的厚度。在上述过程中，通过设置与有机光阻层119厚度相同的凹槽，可以进一步有效改善因有机光阻层119对光线的折射及漫反射造成的透光率较小的问题。

在一种实施例中，结合图5J和图5K可见，电子元件设置区1还包括封装层140，封装层140填充在凹槽150中，且延伸覆盖有机光阻层119。通过设置封装层140防止外界污染。

在一种实施例中，封装层140材料为透明材料，该透明材料的折射率与氧化硅的折射率的差值满足预设阈值范围。具体地，封装层140采用化学气相沉积(CVD)封装，要求其材料的折射率与氧化硅的折射率的差值满足预设阈值范围，一般即封装层140材料的折射率比较接近氧化硅(SiO)的折射率，其材料包括生长氧化硅、环氧树脂等。通过将与氧化硅折射率相近的封装层填充于凹槽中，可以在为各膜层提供保护的基础上，减小与驱动电路层中各无机膜层折射率的差值，改善因有机光阻层119对光线的折射及漫反射造成的透光率较小的问题。

在一种实施例中，如图2所示，电子元件设置区1还包括透光增强层230，透光增强层230设置于衬底100远离驱动电路层110一侧，透光增强层230在衬底100上的正投影覆盖凹槽150在衬底100上的正投影。通过在与凹槽150对应的区域设置透光增强层230，提高了光线汇聚的效果。

在一种实施例中，透光增强层230材料的折射率与衬底100材料的折射率的差值满足预设阈值范围。具体地，即透光增强层230材料的折射率与衬底100材料的折射率相差较小，一般可以选择环氧树脂-透明物体材料，由于当前OLED显示面板中由于走线或者低透光率的膜层会致使光线发生衍射，因此通过设置与衬底100材料折射率相近的透光增强层230，进一步的改善了光线衍射的问题，加强了光线汇聚效果。

在一种实施例中，透光增强层230的形状为圆弧状。具体地，通过制造圆弧状的透光增强层，是为了一个类似于凸透镜的结构，此结构相当于一个增透膜的作用，可以聚光，抵消光线的折射和衍射，增强进光的效果，使得从外界进来的光可以更好的到达摄像头等电子元件下面。

在一种实施例中，电子元件设置区1还包括像素电极层120，第一有机光阻层包括第一平坦化层1191和第一像素定义层1192，第一平坦化层1191设置于驱动电路层110远离所述衬底100一侧，像素电极层120设置于第一平坦化层1191远离驱动电路层110一侧，第一像素定义层1192设置于像素电极层120远离第一平坦化层1191一侧，像素电极层120图案化形成像素电极，像素电极120的材料包括氧化铟锡、氧化锌透明导电玻璃。通过在电子元件设置区1中的透明显示区11设置有透明的电极，使得光线可以正常射入电子元件中，从而做到不拍照的时候电子显示区正常显示内容，拍照的时候能够使得外界光线正常射入电子元件中。

由图2可以看出，本申请通过集中设置透明非显示区10和围绕透明非显示区10的透明显示区11，并且在透明非显示区10中设置凹槽150和设置于衬底100远离驱动电路层110一侧的透光增强层230，并将发光层130集中设置于位于透明显示区11的第一有机光阻层的开口区12中，在不影响屏幕显示的前提下，减轻了外界光线射入时的反射及衍射，改善了消光严重等的问题，使得光线能够通过集中设置的透明非显示区10更加集中的射入电子元件中，增强了电子元件获取图像的效果。

同时，本申请还提供一种OLED显示面板制备方法，具体步骤包括：

S1：提供衬底；

S2：在衬底一侧制备驱动电路层；

S3：在驱动电路层远离所述衬底一侧制备有机光阻层，有机光阻层包括位于透明显示区的第一有机光阻层和位于透明非显示区的第二有机光阻层，第一有机光阻层图案化形成多个第一像素定义层，相邻第一像素定义层之间形成开口区；

S4：在有机光阻层远离所述衬底一侧制备发光层，且填充在开口区中。

下面结合图5A至图5K对该方法进行具体说明，图5A至图5K为本申请实施例提供的OLED显示面板的制备方法的各阶段示意图。

在S1中，提供衬底100。

在S2中，如图5A至图5G，在衬底100一侧制备驱动电路层。

用物理沉积镀膜的方式沉积一层金属层，作为遮光层111，再分别进行光阻涂布、曝光、显影、刻蚀、剥膜，做出如图5A结构的图形层；在上述基础上用化学沉积镀膜方式，沉积一层缓冲层112，其成分可以是氧化硅(SiOx)或者氮化硅(SiNx)或者两者的膜层组合，做出如图5B结构的图形层；在上述基础上用半导体材料如铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)等等单层或多层组合或合金材料，用物理沉积镀膜的方式沉积一层有源层113，再分别进行光阻涂布、曝光、显影、刻蚀、剥膜，做出如图5C结构的图形层；在上述基础上用化学沉积镀膜方式，沉积一层绝缘层，其成分可以是氧化硅(SiOx)或者氮化硅(SiNx)或者两者的膜层组合作为栅极绝缘层114，再分别进行光阻涂布、曝光、显影、刻蚀、剥膜，做出如图5D结构的图形层；紧跟着用常见的金属材料如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等单层或多层组合或合金材料，利用物理沉积镀膜的方式沉积一层导电层，作为栅极层115，再分别进行光阻涂布、曝光、显影、刻蚀、剥膜，做出如图5E结构的图形层，需要特别指出的是刻蚀步骤是先用湿刻工艺刻蚀出栅极层的图形层，再用干刻工艺刻蚀出栅极绝缘层114的图形，并用氦(He)气进行诱导导体化，做出如图5E的图形层；在上述基础上用化学沉积镀膜方式，沉积一层半导体绝缘层，作为层间介质层116，其成分可以是氧化硅(SiOx)或者氮化硅(SiNx)或者两者的膜层组合，并通过光祖涂布、曝光、显影、刻蚀、剥膜等方式，做出图5F图形层，值得一提的是层间介质层116的这层的掩模版采用干刻的方式同步刻蚀完层间介质层116及缓冲层112膜层；在上述基础上用常见的金属材料如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等单层或多层组合或合金材料，用物理沉积镀膜的方式沉积一层金属，作为源漏极层117，再分别进行光阻涂布、曝光、显影、刻蚀、剥膜，做出图5G的图形层；在上述基础上用化学沉积镀膜方式，沉积一层绝缘层，作为钝化层118，其成分可以是氧化硅(SiOx)或者氮化硅(SiNx)或者两者的膜层组合。

在S3中，如图5H至图5J所示，在驱动电路层远离所述衬底一侧制备有机光阻层，有机光阻层包括位于透明显示区11的第一有机光阻层和位于透明非显示区10的第二有机光阻层，第一有机光阻层图案化形成多个第一像素定义层，相邻第一像素定义层之间形成开口区12。

在上述基础上用镀膜机(Coater)涂布一层平坦化层，随后分别进行曝光、显影以及烘烤，做出图5H的图形层；接着用物理沉积镀膜的方式连续沉积ITO/Ag/ITO作为像素电极层120，另外也可以是IZO/Ag/IZO或者其它透明导电层与Ag的双层三明治夹层结构；最后分别进行光阻涂布像素定义层，经过曝光、显影、刻蚀、剥膜，做出图5I的图形层。需要说明的是，有机光阻层包括平坦化层和像素定义层。

在S4中，如图5J至图5K所示，在有机光阻层远离所述衬底一侧制备发光层，且填充在开口区中。

在上述基础上可用曝光的方式对透明非显示区10进行的有机光阻层119行开孔，直到钝化层118的顶端，得到凹槽150，其结构如图5J的所示；接着完成OLED显示面板的蒸镀打印及封装(目前OLED发光器件的制作方法最普遍的是采用真空蒸镀的方法进行制作，有机发光材料在坩埚中受热，由固态变成气态，然后通过精细金属掩模板的开孔，沉积在阵列基板上对应的像素定义层开口中，精细金属掩模板具有跟R/G/B子像素一一对应的开口区12，蒸镀某种颜色时，便采用对应颜色的精细金属掩模板)，随后进行时间比较长的薄膜封装，在膜层之上设置封装层140，有机光阻层119的凹槽150在化学气相沉积(CVD)的封装之下，封装层140将会填满整个凹槽150及上表面，结构如图5K所示；在透明非显示区域10的衬底100远离驱动电路层110一侧进行环氧树脂的喷涂，形成透光增强层230，其中环氧树脂的折射率要求跟衬底100的折射率接近，透光增强层230的图形则使用压印技术制作出圆弧状的形状，制造形状是为了制造一个凸透镜的作用，抵消光线的折射和衍射，增强进光的效果，其结构如图2所示。

经过上述过程，形成如图2所示的OLED显示面板结构，该结构中各个膜层已在上文中进行描述，在此不再赘述。

本申请还提供一种OLED显示装置，显示装置包括OLED显示面板和驱动芯片，驱动芯片用于给OLED显示面板提供驱动信号使其发光显示，OLED显示面板为上述任一实施例所述的OLED显示面板。本申请的OLED显示装置，通过集中设置透明非显示区，将发光层集中设置于位于透明显示区的第一有机光阻层的开口区中，在不影响屏幕显示的前提下，使得光线能够通过集中设置的透明非显示区更加集中的射入电子元件中，增强了电子元件获取图像的效果。

根据以上实施例可知：

本申请提供一种OLED显示面板和OLED显示装置；该OLED显示面板包括显示区、以及对应电子元件设置的电子元件设置区，该电子元件设置区包括透明非显示区和围绕该透明非显示区的透明显示区，该电子元件设置区包括衬底、设置于衬底一侧的驱动电路层，设置于驱动电路层远离衬底一侧的有机光阻层，以及设置于有机光阻层远离衬底一侧的发光层，其中，有机光阻层包括位于透明显示区的第一有机光阻层和位于透明非显示区的第二有机光阻层，第一有机光阻层图案化形成多个第一像素定义层，相邻第一像素定义层之间形成开口区，发光层填充在该开口区中。本申请通过集中设置透明非显示区，将发光区集中设置于位于透明显示区的第一有机光阻层的开口区中，在不影响屏幕显示的前提下，使得光线能够通过集中设置的透明非显示区更加集中的摄入电子元件中，增强了电子元件获取图像的效果。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的一种OLED显示面板和OLED显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括显示区、以及对应电子元件设置位置的电子元件设置区，所述电子元件设置区包括透明非显示区和围绕所述透明非显示区的透明显示区，所述电子元件设置区包括：

衬底；

驱动电路层，设置于所述衬底一侧；

有机光阻层，设置于所述驱动电路层远离所述衬底一侧，所述有机光阻层包括位于所述透明显示区的第一有机光阻层和位于所述透明非显示区的第二有机光阻层，所述第一有机光阻层图案化形成多个第一像素定义层，相邻第一像素定义层之间形成开口区；

发光层，设置于所述有机光阻层远离所述衬底一侧，且填充在所述开口区中。

2.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第二有机光阻层设置有至少一个凹槽。

3.根据权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述凹槽的深度等于所述有机光阻层的厚度。

4.根据权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述电子元件设置区还包括封装层，所述封装层填充在所述凹槽中，且延伸覆盖所述有机光阻层。

5.根据权利要求4所述的OLED显示面板，其特征在于，所述封装层材料为透明材料，所述透明材料的折射率与氧化硅的折射率的差值满足预设阈值范围。

6.根据权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述电子元件设置区还包括透光增强层，所述透光增强层设置于所述衬底远离所述驱动电路层一侧，所述透光增强层在所述衬底上的正投影覆盖所述凹槽在所述衬底上的正投影。

7.根据权利要求6所述的OLED显示面板，其特征在于，所述透光增强层材料的折射率与所述衬底材料的折射率的差值满足预设阈值范围。

8.根据权利要求6所述的OLED显示面板，其特征在于，所述透光增强层的形状为圆弧状。

9.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述电子元件设置区还包括像素电极层，所述第一有机光阻层包括第一平坦化层和第一像素定义层，所述第一平坦化层设置于所述驱动电路层远离所述衬底一侧，所述像素电极层设置于所述第一平坦化层远离所述驱动电路层一侧，所述第一像素定义层设置于所述像素电极层远离所述第一平坦化层一侧，所述像素电极层图案化形成像素电极，所述像素电极的材料包括氧化铟锡、氧化锌透明导电玻璃。

10.一种OLED显示装置，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的OLED显示面板。

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