CN1832225A - 有机el装置及电子机器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种有机EL装置,能够抑制沿电源线的短路的连锁。该有机EL装置,在像素区域(26)上,至少具有夹着发光层的阳极和阴极、以及向该阳极供给电流的电源线(8),在所述阴极的一部分上,设置有电阻比阴极的其他部分大的高电阻部(80),该高电阻部(80),被同步于像素区域(26)的间距地配置在像素区域(26)的周围,并且与配置为格子状的电源线(8)在俯视的情况下重叠。
Description
技术领域
本发明涉及有机EL装置及电子机器。
背景技术
作为下一代的显示装置,有机电致发光装置(有机EL装置)越来越受到期待。
图9是以往的有机EL装置的说明图,图9(a)是平面图,图9(b)是图9(a)的B-B线上的侧面截面图。如图9(a)所示,一般的有机EL装置,将多个有机EL元件3配设为矩阵状而构成。具体来说,如图9(b)所示,在玻璃基板2的表面上形成驱动电路部5,在该驱动电路部5的表面上形成有有机EL元件3。有机EL元件3,依次叠层作为阳极的像素电极23、有机功能层(空穴注入层或发光层60、电子输送层等)、和阴极50而构成。而且,通过由像素电极23及阴极50向有机功能层供给电流,来使发光层60发光。
在驱动电路部5中,配设有从基板2的周边部向像素电极23供给电流的电源线8。另外如图9(a)所示,由于多个有机EL元件3被配设为矩阵状,因此,在基板中央部的有机EL元件3中,电源线8的布线电阻导致的压降十分显著。为了抑制该布线电阻导致的压降,电源线8被配设为格子状。而且,通过纵横的电源线8,向各有机EL元件3供给电流。
【专利文献1】特开2001-230086号公报
如图9(b)所示,电源线8配设在有机EL元件3的周围。另外,有机EL元件3的阴极50形成在基板2的整个面上。由于有机EL元件是电流控制型元件,为了获得充分的亮度需要阴极50上流过较大的电流,因此,箭头55所示的电源线8和阴极50之间可能会发生短路。一旦发生短路,该部分上会流过较大的电流,不仅烧坏驱动电路,而且邻接的部分会接连发生短路。而且,如图9(a)所示,由于电源线8形成为格子状,因此存在的问题是,沿电源线8的短路的连锁扩大到基板整个面上。
另外,在以往的有机EL装置中,为了降低阴极的面电阻导致的压降,倾向于降低阴极的电阻(例如,参照专利文献1)。然而,在该结构中,由于流过阴极的电流增大,因此容易发生与电源线的短路。
发明内容
本发明正是为了解决上述课题而提出的,其目的在于:提供能够抑制短路的连锁的有机EL装置。
另外,其目的在于:提供一种可靠性出色的电子机器。
为了达到上述目的,本发明的有机EL装置,其特征在于,具有:第1电极;驱动所述第1电极的布线;第2电极,具有电阻比其他部分高的高电阻部,且所述高电阻部的至少一部分被配置为与所述布线在平面上重叠;以及,被所述第1电极及所述第2电极夹持的发光层。
另外,所谓“在平面上”,是指从与电极等的形成面垂直的方向上观察的情况。
通过该结构,由于即使在布线和第2电极之间发生短路并有大的电流流过,在高电阻部中也不流过大的电流,因此,能够抑制沿布线的短路的连锁。另外,由于在第2电极的一部分上形成有高电阻部,因此不会降低有机EL装置的发光性能。
另外,所述布线也可以配设为格子状。
在这种情况下,也能够抑制沿布线的短路的连锁在平面上扩大。
另外,优选多个所述发光层被排列形成,同时所述第2电极具有多个所述高电阻部,所述多个高电阻部,被同步于所述多个发光层的间距,配置在所述发光层的周围。
通过该结构,能够将短路的连锁抑制在最小限度内。
另外,所述高电阻部,优选被配置为与配设为格子状的所述布线的交叉部在平面上重叠。
在布线的交叉部中,布线被叠层而与第2电极之间的距离变短,短路容易发生。因而,通过上述结构,能够有效抑制短路的连锁。
另外,所述高电阻部,优选通过将所述第2电极开口来形成。
通过该结构,与将第2电极薄化来形成高电阻部的情况相比,能够简化制造工序。在这种情况下,由于高电阻部也配置在发光层的周围,因此,不会降低有机EL装置的发光性能。
另外,优选多个所述发光层被排列形成,同时所述第2电极具有多个所述高电阻部,所述多个高电阻部,被配置为与所述多个发光层的间距不同步。
通过该结构,由于不需要严格对准高电阻部和发光层的位置,因此能够简化制造工序。
另外,优选所述多个高电阻部,被排列配置在与所述多个发光层的排列方向交叉的方向上。
通过该结构,由于高电阻部和布线在俯视的情况下重叠的机会变多,因此能够将短路的连锁抑制在最小限度内。
另外,优选在所述第2电极中,至少所述高电阻部以外的部分,包含具有正的温度系数的材料而构成。
通过该结构,即使布线和第2电极之间发生短路,伴随其周围的温度上升可以使电阻增大,从而,能够有效地抑制短路的连锁。
另一方面,本发明的电子机器,其特征在于,具有上述的有机EL装置。
通过该结构,由于具有能够抑制短路的连锁的有机EL装置,因此能够提供可靠性优越的电子机器。
附图说明
图1是一般的有机EL装置的侧面剖视图。
图2是像素电路的电路图。
图3是电源线的布线图。
图4是第1实施方式的有机EL装置的俯视图。
图5是第1实施方式的有机EL装置的侧面剖视图。
图6是第2实施方式的有机EL装置的俯视图。
图7是遮盖高电阻部的硬膜的俯视图。
图8是薄型大画面电视的立体结构图。
图9是以往的有机EL装置的说明图。
图中:8-电源线,26-像素区域,80-高电阻部。
具体实施方式
下面,参照附图,对本发明的实施方式进行说明。还有,在以下参照的各附图中,为了便于理解,适当变更各构成要素的尺寸等来显示。还有,所谓“俯视”,指的是从垂直于基板面的方向上观察。
(第1实施方式)
首先,使用图1至图3,对本发明的第1实施方式的有机EL装置进行说明。
图1是一般的有机EL装置的侧面剖视图。有机EL装置,以元件基板2、配设在元件基板2的表面上的驱动电路部5、配设在驱动电路部5的表面的像素区域26上的有机EL元件3、和密封有机EL元件3的密封基板30为主构成。该有机EL元件3,在俯视的情况下形成为矩形状或圆形状、椭圆形状等,并以矩阵状排列配置在元件基板2上。在本实施方式中,以从元件基板2侧取出有机EL元件3发出的光的底部发光型有机EL装置为例进行说明。
(有机EL装置)
在底部发光型有机EL装置中,由于将发光层60发出的光从元件基板2侧取出,因此,作为元件基板2采用透明或半透明的基板。例如,可以使用玻璃或石英、树脂(塑料、塑料膜)等,尤其适宜使用玻璃基板。
在元件基板2上,形成有包含有机EL元件3的驱动用TFT4(驱动元件4)等的驱动电路部5。另外,还可以将具有驱动电路的半导体元件安装在元件基板2上来构成有机EL装置。
图2是像素电路的电路图。在像素区域26中,形成有像素电路400。像素电路400,具有:2个薄膜晶体管(Thin Film Transistor,以下简称为“TFT”)4、402;电容元件410;以及,有机EL元件3。其中,p通道型的TFT4的源极S在像素连接点Q处连接在电源线Lr2上,其漏极D连接在有机EL元件3的阳极上。另外,在TFT4的源极S、和栅极G之间,设置有电容元件410。另一方面,TFT402的栅极连接在扫描线101上,其源极连接在数据线103上,其漏极连接在TFT4的栅极上。
在这样的结构中,扫描信号Yi变为高电平后,由于n通道型TFT402成为导通状态,因此,连接点Z的电压变为与电压Vdata相等。此时,在电容元件410中,存储相当于Vddr-Vdata的电荷。接着,扫描信号Yi变为低电平后,TFT402变为关断状态。另外,由于TFT4的栅极中的输入阻抗极高,因此,电容元件410中的电荷的存储状态不变化。即,TFT4的栅极·源极之间的电压,保持为施加电压Vdata时的电压(Vddr-Vdata)。而且,由于流过有机EL元件3的电流Ioled,由TFT4的栅极·源极之间的电压确定,因此,在有机EL元件3中流过对应电压Vdata的电流Ioled。
这样,由于电流Ioled的大小,由TFT4的栅极·源极之间的电压(Vddr-Vdata)确定,因此,为了在各有机EL元件3中得到均匀的亮度,向各像素电路400供给相同的电压Vddr至关重要。因而,在本实施方式中,将电源线配设为格子状,并降低布线电阻引起的压降。
图3是电源线的布线图。电源线,包含:配置在元件基板的周边部的主电源线LR、LG、LB;第1副电源线Lr1、Lg1、Lb1;以及,第2副电源线Lr2、Lg2、Lb2。主电源线LR、LG、LB,对应有机EL元件的发光色来设置。之所以对各发光色设置主电源线LR、LG、LB,是为了通过向因发光色不同发光效率各异的有机EL元件分别供给适当的电流,来得到均匀的亮度。
第1副电源线Lr1、Lg1、Lb1,是在行方向上平行的布线,其一端与主电源线LR、LG、LB的一边连接,另一端在像素区域26上延伸。另一方面,第2副电源线Lr2、Lg2、Lb2,是在列方向上平行的布线,其一端与主电源线LR、LG、LB连接,另一端在像素区域26上延伸。第1副电源线Lr1、Lg1、Lb1、和第2副电源线Lr2、Lg2、Lb2,在像素区域内交叉,连接在同一主电源线上的第1副电源线和第2副电源线,彼此被副电源连接点P(图中的黑点)连接在一起。另外,第2副电源线Lr2、Lg2、Lb2、和各像素电路400,在像素连接点Q(图中的白点)上连接在一起。还有,像素连接点Q,设置在第1副电源线Lr1、Lg1、Lb1或第2副电源线Lr2、Lg2、Lb2中的至少一方上即可。
这样,通过将电源线配设为格子状,能够大幅度降低布线电阻。其结果,能够将主电源线LR、LG、LB中的电源电压Vddr、Vddg、Vddb均匀地提供给各像素电路400,能够大幅度改善亮斑及色斑。
返回图1,对TFT4的周边的具体结构进行说明。在元件基板2的表面上,形成有由绝缘材料构成的基底保护层281,其上形成有半导体材料即硅层241。在该硅层241的表面上,形成有以SiO2及/或SiN为主体的栅极绝缘层282。在该栅极绝缘层282的表面上,形成有栅极242。该栅极242,由未图示的扫描线的一部分构成。还有,在所述硅层241中,夹着栅极绝缘层282,与栅极242对置的区域被作为沟道区域241a。另一方面,在栅极242及栅极绝缘层282的表面上,形成有以SiO2为主体的第一层间绝缘层283。
另外,在硅层241中,在沟道区域241a的一侧上,设置有低浓度源极区域241b及高浓度源极区域241S,并在沟道区域241a的另一侧上,设置有低浓度漏极区域241c及高浓度漏极区域241D。这样,所谓的LDD(Light Doped Drain)结构的TFT4被形成出来。
然后,高浓度源极区域241S,经贯穿栅极绝缘层282及第1层间绝缘层283的接触孔243a,与源极243连接。该源极243,由上述的电源线的一部分构成。另一方面,高浓度漏极区域241D,经贯穿栅极绝缘层282及第1层间绝缘层283的接触孔244a,连接在与源极243配置在同层的漏极244上。
在上述的源极243及漏极244、以及第一层间绝缘层283的上层上,形成有以丙稀类或聚酰亚胺类等耐热性绝缘性树脂材料等为主体的平坦化膜284。该平坦化膜284,为了消除TFT4或源极243、漏极244等引起的表面的凹凸而形成。
而且,在平坦化膜284的表面上,形成有多个像素电极23。该像素电极23,以矩阵状配置在平坦化膜284的表面上。像素电极23,经设置在该平坦化膜284上的接触孔23a,与漏极244连接。即,像素电极23经漏极244,与硅层241的高浓度漏极区域241D连接。
另外,在平坦化膜284的表面上的像素电极23的周围,形成有由SiO2等无机绝缘材料构成的无机隔板25。而且,在无机隔板25的表面上,形成有由聚酰亚胺等有机绝缘材料构成的有机隔板221。还有,在配置于有机EL元件3的形成区域中的像素电极23的上方,配置有无机隔板25的侧面25a及有机隔板221的侧面221a。
而且,在无机隔板25的侧面25a及有机隔板221的侧面221a的内侧,叠层有多个有机功能层,来构成有有机EL元件3。有机EL元件3,叠层作为阳极发挥功能的像素电极(第1电极)23、将来自该像素电极23的空穴注入/输送的空穴注入层70、由有机EL物质构成的发光层60、以及阴极(第2电极)50而构成。
在底部发光型的有机EL装置的情况下,作为阳极发挥功能的像素电极23,由ITO(铟锡氧化物)等透明导电材料形成。
作为空穴注入层70的形成材料,尤其适宜使用3,4-聚亚乙基二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)的分散液,即,使3,4-聚亚乙基二氧基噻吩分散在作为分散介质的聚苯乙烯磺酸中,进而将其分散在水中的分散液。
还有,作为空穴注入层70的形成材料,不限于上述材料,可以使用各种材料。例如可以使用,将聚苯乙烯、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔或其衍生物等分散在适宜的分散介质、例如所述聚苯乙烯磺酸中得到的材料等。
作为用于形成发光层60的材料,使用可以发出荧光或磷光的公知的发光材料。具体来说,适宜使用(聚)芴衍生物(PF)、(聚)对苯撑乙烯衍生物(PPV)、聚苯衍生物(PP)、聚对苯衍生物(PPP)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚噻吩衍生物、聚甲基苯基硅烷(PMPS)等聚硅烷类等。另外,也可以向这些高分子材料中,掺杂紫苏烯类色素、香豆素类色素、若丹明类色素等高分子类材料,或者红荧烯、紫苏烯、9,10-二苯蒽、四苯丁二烯、尼罗红、香豆素6、喹吖酮等低分子材料来使用。
阴极50,叠层主阴极及辅助阴极来构成。作为主阴极,优选采用功函数为3.0eV以下的Ca或Mg、LiF等材料。由此,由于使主阴极具有作为电子注入层的功能,因此,能够使发光层以低电压发光。另外,辅助阴极提高整个阴极的导电性的同时,具有保护主阴极免受氧或水分等影响的功能。因而,作为辅助阴极,优选采用导电性优越的Al或Au、Ag等金属材料。
另一方面,在阴极50的上方,形成有由SiO2等构成的无机密封膜51。在该无机密封膜51的上方,隔着粘结层40贴附有密封基板30。另外,也可以将覆盖整个阴极50的密封罩粘合在元件基板2的周边部上,在该密封罩的内侧配置用于吸收水分或氧等的吸气剂。
在上述的有机EL装置中,图像信号被经TFT4以规定的定时施加给像素电极23。然后,从该像素电极23注入的空穴、和从阴极50注入的电子,在发光层60重新结合并放出规定波长的光。该发出的光,穿过由透明材料构成的像素电极23、驱动电路部5及元件基板2后,被取出到外部。由此,在元件基板2侧实施图像显示。另外,由于无机隔板25由绝缘材料构成,因此,电流只在无机隔板25的侧面25a的内侧流过并使发光层60发光。因而,无机隔板25的侧面25a的内侧,成为有机EL元件3的像素区域26。
(高电阻部)
图4是第1实施方式的有机EL装置的俯视图。在第1实施方式的有机EL装置中,在上述的阴极上设置有高电阻部80。高电阻部80,是电阻比阴极的其他的部分高的部分。高电阻部80在俯视的情况下,形成为矩形状,配置为与埋设在驱动电路部中的电源线8在俯视的情况下重叠。还有,为了防止底部发光型有机EL装置的开口率下降,电源线8被以格子状配设在以矩阵状配置的像素区域26的周围。因而,高电阻部80,同步于多个像素区域26的间距配置于像素区域26的周围。即,在纵向或横向邻接的像素区域26之间,分别形成有高电阻部80。
图5(a)是图4的A-A线的侧面剖视图。如图5(a)所示,阴极50的高电阻部80的厚度,形成为比阴极50的其他的部分(以下称为“低电阻部”)的厚度薄。具体来说,低电阻部的厚度为300~400nm左右,而高电阻部80的厚度形成为50~100nm左右。由此,能够令高电阻部的电阻比低电阻部大。还有,优选在构成阴极50的主阴极及辅助阴极中,至少改变辅助阴极的厚度,来构成高电阻部及低电阻部。之所以如此,是因为通过改变导电性优越的辅助阴极的厚度,能够令高电阻部80的电阻比低电阻部大。
另外,优选辅助阴极,包含具有正的温度系数的材料而构成。所谓具有正的温度系数的材料,是指随着温度的上升电阻上升的材料,具体来说,相当于金属Ni等。在这种情况下,即使电源线8和阴极之间发生短路,也能够伴随其周围的温度上升使电阻上升。从而,能够有效抑制短路的连锁。
(有机EL装置的制造方法)
接着,使用图5(a),对第1实施方式的有机EL装置的制造方法进行说明。首先,在元件基板的表面上形成驱动电路部(未图示)。在该驱动电路部的表面上,将像素电极23形成为矩阵状。在该像素电极23的周围,形成无机隔板25及有机隔板221。在该无机隔板25及有机隔板221的开口部上,形成空穴注入层70或发光层60等有机功能层。有机功能层的形成中,优选采用喷墨法等液相处理及减压干燥。在这种情况下,优选在形成有机功能层之前,预先对像素电极23的表面实施亲液处理,同时,对有机隔板221的侧面及上面实施疏液处理。
接着,通过蒸镀法或溅射法等形成阴极50。具体来说,首先在元件基板的整个表面上形成主阴极。然后,在主阴极的整个表面上,形成下层辅助阴极。令该下层辅助阴极的厚度,为能够通过叠层的主阴极及下层辅助阴极构成高电阻部80的厚度。然后,通过使用遮盖高电阻部80的硬膜进行蒸镀处理,来在下层辅助阴极的表面上形成上层辅助阴极。令该上层辅助阴极的厚度,为能够通过叠层的主阴极、下层辅助阴极及上层辅助阴极构成低电阻部的厚度。另外,对于遮盖高电阻部80的硬膜而言,在第2实施方式中详细记述。经过上述步骤,形成具有高电阻部80及低电阻部的阴极50。之后,在阴极50的表面上,形成无机密封膜51。
图5(b)是第1实施方式的有机EL装置的变形例的侧面剖视图。在该变形例中,使阴极50开口来形成高电阻部80。在该阴极50的开口中,填充有由SiO2等电绝缘性材料构成的无机密封膜51。要想形成该高电阻部80,使用遮盖高电阻部80的硬膜,在元件基板的表面上依次形成主阴极及辅助阴极即可。由于通过该结构,能够减少蒸镀处理的次数,因此,能够简化制造工序。在这种情况下,由于高电阻部80也配置在像素区域的周围,因此不会降低有机EL元件3的发光性能。
接着,对第1实施方式的有机EL装置的作用进行说明。由于有机EL装置是电流控制型元件,为了得到充分的亮度要使较大的电流流过阴极,因此,在图9(b)中箭头55所示的电源线8和阴极50之间可能会发生短路。一旦发生短路,则在该部分有较大的电流流过,不仅烧坏驱动电路,邻接的区域会连锁发生短路。还有,如图9(a)所示,由于电源线8形成为格子状,因此沿电源线8的短路的连锁可能会在整个基板上扩大。
对此,在图4所示的本实施方式的有机EL装置中,在阴极的一部分上设置有高电阻部80,该高电阻部80被配置为在俯视的情况下与配置为格子状的电源线8重叠。通过该结构,即使在电源线8和阴极之间发生短路并有大的电流流过,在高电阻部80中也没有大的电流流过,因此,能够抑制沿电源线8的短路的连锁。而且,由于多个高电阻部80同步于像素区域26的间距设置在像素区域26的周围,因此,能够将短路的连锁抑制在最小限度内。由此,能够防止伴随短路的异常发热,从而提高有机EL装置的可靠性。
还有,在第1实施方式中,在纵向或横向邻接的像素区域26之间,分别配设有高电阻部80。在这种取情况下,高电阻部80被配设为与延伸设置在纵向或横向的任意一个方向上的电源线8在俯视的情况下重叠。与此相对,高电阻部也可以被配设为与配设为格子状的电源线8的交叉部9在俯视的情况下重叠。在电源线8的交叉部9中,电源线8被叠层后与阴极之间的距离变短,从而容易发生短路。因而,通过在俯视时与该交叉部9重叠的部分上配置高电阻部,能够有效抑制短路的连锁。
(第2实施方式)
接着,使用图6及图7,对本发明的第2实施方式的有机EL装置进行说明。
图6是第2实施方式的有机EL装置的俯视图。第2实施方式的有机EL装置与第1实施方式的不同点在于,多个高电阻部80配置为与像素区域26的间距不同步。还有,对与第1实施方式结构相同的部分,省略其详细的说明。
在第2实施方式的有机EL装置的阴极上,也设置有多个高电阻部80。该高电阻部80,为面积比像素区域26大的矩形状,且排列配置在与像素区域26的排列方向交叉的方向上。即,在第2实施方式中,多个高电阻部80被配置为与多个像素区域26的间距不同步。还有,与第1实施方式同样,电源线8以格子状配设在像素区域26的周边。由此,高电阻部80被配设为,其至少一部分在俯视的情况下与埋设在驱动电路部中的电源线8重叠。这样,通过在与像素区域26的排列方向交叉的方向上排列配置多个高电阻部80,高电阻部80和电源线8在俯视的情况下重叠的机会变多,因此,能够将短路的连锁抑制在最小限度内。
还有,在第2实施方式中,高电阻部80和像素区域26在俯视的情况下重叠的部分也较多。然而,由于在形成为岛状的高电阻部的周围,以网眼状形成有低电阻部,因此,能够对各高电阻部供给像素区域的驱动所需的电流。从而,不会降低有机EL装置的发光性能。
与第1实施方式同样,令阴极的高电阻部80的厚度,形成为比阴极的低电阻部的厚度薄。要想形成这样的阴极,首先在元件基板的整个表面上形成主阴极。接着,在主阴极的整个表面上形成下层辅助阴极。令该下层辅助阴极的厚度,为能够通过叠层的主阴极及下层辅助阴极构成高电阻部80的厚度。接着,使用遮盖高电阻部80的硬膜,在下层辅助阴极的表面上形成上层辅助阴极。令该上层辅助阴极的厚度,为能够通过叠层的主阴极、下层辅助阴极及上层辅助阴极构成低电阻部的厚度。
图7是遮盖高电阻部的硬膜的俯视图。由于在阴极上,高电阻部形成为岛状,因此,硬膜81中的高电阻部的遮盖部82处于游离状态。因此,用细的连结部件84连结多个遮盖部82来构成硬膜81。然后,将该硬膜81配置在元件基板的表面上。另外,由于在第2实施方式中,高电阻部被形成为与像素区域的间距不同步,因此,不需要将硬膜81与元件基板严格对准位置。接着,通过蒸镀法或溅射法等形成上层辅助阴极。在这种情况下,蒸镀粒子被遮盖部82遮住,不会附着在高电阻部的形成区域上,只附着在低电阻部的形成区域上。另外,虽然在低电阻部的形成区域上配置有连结部件84,但通过将硬膜81从元件基板的表面上稍微分离来配置,蒸镀粒子会绕过细的连结部件84进行附着。另外,即使在连结部件84的位置上,低电阻部的厚度被形成得略薄,也不会对有机EL装置的发光性能产生影响。
根据上述,形成具有图6所示的高电阻部80及低电阻部的阴极。
在图6所示的第2实施方式的有机EL装置中,高电阻部的至少一部分被配设为在俯视的情况下与电源线8重叠。通过该结构,由于即使在电源线8和阴极之间发生短路并有大的电流流过,高电阻部80中也没有大的电流流过,因此能够抑制沿电源线8的短路的连锁。而且,由于在第2实施方式中,高电阻部被配设为与像素区域的间距不同步,因此不需要将硬膜与元件基板严格对准位置。从而,能够简化制造工序。
(电子机器)
图8是本发明的电子机器的一个构成例即薄型大画面电视的立体构成图。图8所示的薄型大画面电视1200,以由上述实施方式的有机EL装置构成的显示部1201、机箱1202、以及扬声器等的声音输出部1203为主构成。
由于在这种大画面电视1200中,多个有机EL元件被配设为矩阵状,因此,在中央部的有机EL元件中,电源线的布线电阻导致的压降十分显著。为了抑制该布线电阻引起的压降,在大画面电视1200中,电源线被配置为格子状。从而,通过将上述实施方式的有机EL装置应用到显示部1201中,能够抑制短路的连锁在整个画面上扩大。由此,能够提供可靠性优越的大画面电视。
另外,本发明的有机EL装置,不仅可以应用于电源线被配设为格子状的情况,还可以应用于电源线被配设为条纹状的情况。另外,本发明所谓的布线不仅包含电源线,还包含扫描线或数据线等控制线。因而,本发明的有机EL装置,也可以应用于抑制控制线和阴极之间的短路的连锁的情况。
从而,作为具有本发明的有机EL装置的电子机器,不限于大画面电视,还例如有:数码相机或个人电脑、小型电视、便携式电视、取景器型·监视器直视型的磁带录像器、PDA、便携式游戏机、寻呼机、电子记事本、计算器、手表、文字处理器、工作站、可视电话、POS终端、以及具备触摸屏的机器等等。另外,作为具有本发明的有机EL装置的电子机器,还可以列举出车载用音频机器或汽车用计量仪器、车载导航装置等的车载用显示器、打印机用的光写入头等。
另外,本发明的技术范围不限于上述的各实施方式,还包含在不脱离本发明的主旨的范围内对上述的各实施方式进行各种变更所得到的方式。即,在各实施方式中,所列举的具体的材料或结构等不过是示例,可以适当变更。例如,虽然在上述实施方式中,以底部发光型的有机EL装置为例进行了说明,但也可以将本发明应用在顶部发光型的有机EL装置中。
Claims (9)
1.一种有机EL装置,具有:
第1电极;
驱动所述第1电极的布线;
第2电极,具有电阻比其他部分高的高电阻部,且所述高电阻部的至少一部分被配置为与所述布线在平面上重叠;以及,
被所述第1电极及所述第2电极夹持的发光层。
2.根据权利要求1所述的有机EL装置,其特征在于,
所述布线被配置为格子状。
3.根据权利要求1或2所述的有机EL装置,其特征在于,
多个所述发光层被排列形成,并且所述第2电极具有多个所述高电阻部,
所述多个高电阻部,与所述多个发光层的间距同步,配置在所述发光层的周围。
4.根据权利要求3所述的有机EL装置,其特征在于,
所述高电阻部,被配置为与配设为格子状的所述布线的交叉部在平面上重叠。
5.根据权利要求3或4所述的有机EL装置,其特征在于,
所述高电阻部,通过将所述第2电极开口来形成。
6.根据权利要求1或2所述的有机EL装置,其特征在于,
多个所述发光层被排列形成,并且所述第2电极具有多个所述高电阻部,
所述多个高电阻部,被配置为与所述多个发光层的间距不同步。
7.根据权利要求6所述的有机EL装置,其特征在于,
所述多个高电阻部,被排列配置在与所述多个发光层的排列方向交叉的方向上。
8.根据权利要求1~7的任一项所述的有机EL装置,其特征在于,
在所述第2电极中,至少所述高电阻部以外的部分,包含具有正的温度系数的材料而构成。
9.一种电子机器,具有:
根据权利要求1~8的任一项所述的有机EL装置。
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