CN1286891A - 场致发光元件 - Google Patents

场致发光元件 Download PDF

Info

Publication number
CN1286891A
CN1286891A CN99801674A CN99801674A CN1286891A CN 1286891 A CN1286891 A CN 1286891A CN 99801674 A CN99801674 A CN 99801674A CN 99801674 A CN99801674 A CN 99801674A CN 1286891 A CN1286891 A CN 1286891A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
electroluminescent cell
luminescent layer
layer
anode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN99801674A
Other languages
English (en)
Inventor
小林英和
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN1286891A publication Critical patent/CN1286891A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • H10K50/171Electron injection layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/351Thickness
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种其结构为在阳极(2)与阴极(6)之间至少夹持由有机高分子构成的发光层(4)的场致发光元件,其特征在于,在发光层(4)与阴极(6)之间,具有抑制无助于发光的,不需要的电流的薄膜层(5)。

Description

场致发光元件
技术领域
本发明涉及在信息装置终端的显示器等中使用的场致发光元件的结构。
背景技术
近年来,人们积极地开发置换CRT及液晶显示装置的下一代发光显示器,积极地进行PDP、FED、有机EL等的研究开发。在有机EL中,关于发蓝、绿、橙光的有机高分子材料,开发了作为初期特性能够实用化的材料(纤维学会讨论会预稿集,1998年,3A11等)。如Japanese Journal of Applied Physics Vol.30,No.11B,November,1991,PP.L1941~L1943中所示,作为发蓝色光的高分子材料,聚氟烯烃生物是周知的。此外,如美国专利5247190中所示,作为波长比绿色长的发光材料,聚对亚苯基亚乙烯基衍生物是周知的。
另一方面,在Appl.Phys.Lett.,70.152(1997)中报告了,在使用了低分子系列的发光材料的场致发光元件中,通过设置阴极表面层提高了电子注入效率的情况。
但是,关于发蓝色光的有机高分子材料,存在着虽然能够满足初期特性,可是随着通电时间的推移发光颜色向波长长的一侧移动的问题。
此外,关于把有机高分子材料作为发光材料来使用的场致发光元件,存在着因有机高分子的精制难度而引起混有杂质,无助于发光的电流通过该杂质而流动,得不到足够的效率的问题。
进而,在制造场致发光元件时,作为发光层的形成方法使用了印刷法,特别是在使用了喷墨法的情况下,可能发生印刷缺陷,但是,还可能存在着通过该缺陷而发生电短路,使得不能显示的问题。
发明的公开
本发明是鉴于上述问题而进行的,其课题在于,在作为发光材料使用了有机高分子材料,特别理想的是使用了发蓝色光的有机高分子材料的场致发光元件中,提供可抑制因通电而引起发光颜色的变化,能提高可靠性的元件结构,此外,通过抑制不需要的电流,提供可得到足够效率的元件结构,即使在使用了所显示的波长的绿色波长的发光颜色的有机高分子材料的场致发光元件中,也提供可得到足够效率的元件结构。此外,课题还在于,在使用印刷法,特别是使用喷墨法来制造显示装置的方法中,有效地防止在因状况而发生的印刷缺陷部中的电短路。
按照本发明,可提供下述的场致发光元件。
1.其结构为在阳极与阴极之间至少夹持由有机高分子构成的发光层的场致发光元件,其特征在于,在该发光层与该阳极及该阴极的至少一方之间,具有抑制无助于发光的,不需要的电流的薄膜层。
按照这样的场致发光元件,可有效地抑制通电时发光颜色的时效变化,能显著地提高可靠性。同时,由于有效地阻止了上述绝缘性薄膜因在有机高分子中存在着杂质而引起的电流,故提高了发光效率。
进而,利用本发明,作为较为理想的形态,可提供下述的结构。
2.上述1的场致发光元件,其特征在于,上述有机高分子的发光范围为,波长400nm~600nm。
按照这样的结构,特别是在发蓝色附近的光中,可得到提高上述的发光效率的效果。
3.上述1或2的场致发光元件,其特征在于,把上述薄膜层设置在上述阴极与上述发光层之间。
按照这样的结构,可避免因在阴极与由有机高分子构成的发光层的表面处的接合而引起的,不需要的电子陷阱能级的形成。
4.上述1至3的任一项的场致发光元件,其特征在于,上述薄膜层由从下述组中选择的至少一种材料构成,该组由碱金属的氟化物或氧化物、碱土金属的氟化物或氧化物、以及周期表第3族元素的氟化物或氧化物构成。
在这样的结构中,利用蒸镀法可容易地形成薄膜层,而且,由于其材料特性,可有效地抑制特别是发光颜色的时效变化,可抑制不需要的电流,能使发光效率提高。
5.上述1或2的场致发光元件,其特征在于,把上述薄膜层设置在上述阳极与上述发光层之间。
在这样的结构中,可避免因阳极与由有机高分子材料构成的发光层的接合而引起的空穴陷阱能级的形成。
6.上述1或2的场致发光元件,其特征在于,把空穴注入层或具有导电性的缓冲层以厚度为100nm以上设置在上述发光层与上述阳极之间。
在这样的结构中,更有效地减少了因通电而引起的发光颜色的时效变化。
7.上述1或2的场致发光元件,其特征在于,上述有机高分子为聚氟烯烃或其衍生物。
按照这样的结构,特别是在发蓝色光中,可最大限度地发挥上述薄膜层的效果,可更有效地减少发光颜色的时效变化。
8.上述1或2的场效发光元件,其特征在于,上述有机高分子为聚对亚苯基亚乙烯基或其衍生物。
按照这样的结构,在发绿色光中能显著地提高元件的发光效率。
9.上述1或2的场致发光元件,其特征在于,上述有机高分子的聚合度为2以上。
在这样的结构中,提高了发光层的制膜性,进一步提高了设置上述薄膜层所产生的可靠性及特性。
10.上述1或2的场致发光元件,其特征在于,上述发光层由多层发光材料层层叠而成。
按照这样的结构,可阶段展宽发光颜色的调整范围,同时,能实现发光效率的提高及可靠性的提高。
11.上述1或2的场致发光元件,其特征在于,利用印刷法来形成由上述有机高分子构成的发光层。
按照这样的结构,可利用极简便的制模法、即印刷法来进行元件的制造,此外,通过设置薄膜层,即使有印刷缺陷也很少发生电短路,可得到显示缺陷极少的显示装置。
12.上述11的场致发光元件,其特征在于,上述印刷法为喷墨法。
按照这样的结构,即使有喷墨法中的印刷缺陷也很少发生电短路,可做成显示缺陷极少的显示装置。
进而,按照本发明,作为特别理想的形态,可提供其结构为在阳极与阴极之间至少夹持由有机高分子构成的发光层的场致发光元件,其特征在于,把由碱金属、碱土金属、或周期表第3族元素的氟化物构成的层设置在该发光层与该阳极及阴极的至少一方之间。在这样的文件中,特别理想的是,使用氟化锂作为氟化物。
附图的简单说明
图1为示出与本发明的实施例1有关的场致发光元件的结构的剖面图;
图2为示出与本发明的实施例1有关的场致发光元件的发光光谱的图;
图3为示出比较例1的场致发光元件的发光光谱的图;
图4为示出与本发明的实施例2有关的场致发光元件的发光光谱的图;
图5为示出与本发明的实施例4有关的场致发光元件的色度的图;以及
图6为示出与本实施例7有关的场致发光元件的结构的剖面图。
实施发明用的最佳形态
下面,按照实施例详细地说明关于用于实施本发明的较为理想的形态。
(实施例1)
在本实施例中,示出了下述例子,在透明的2个电极(阳极及阴极)的间隙内夹持有机高分子材料的结构的场致发光元件中,作为上述有机高分子在波长400nm-600nm之间发光,而且,在上述有机高分子与阴极之间具有薄膜层。
图1中示出本发明的场致发光元件的剖面结构。首先,作为透明电极(阳极)在透明的玻璃基板1上进行ITO制膜及构图。其次,作为成为薄膜层3的空穴注入层(迁移层),涂布Beyer公司制的Bytron,进行干燥,作成膜厚100nm。其次,作为发光层4,涂布聚(二辛基)氟烯烃的1%二甲苯溶液,作成膜厚50nm。其次,作为薄膜层5,涂布PMMA的酯酸乙基溶液,进行干燥,作成膜厚5nm。其次,作为阴极6,蒸镀钙,使膜厚为100nm,接着,蒸镀铝,使膜厚为300nm。其后,作为保护层,使用由紫外线硬化材料(紫外线硬化型环氧树脂)构成的密封剂及保护基板进行密封。
这样作成的发光元件(发蓝色光的元件)的发光光谱示于图2中。发光效率为0.11m/w。
在本实施例中,作为发光层4使用了聚氟烯烃衍生物,但是,只要是发蓝色光的有机高分子材料,就同样具有效果。
再者,通过在对ITO进行制膜、构图后,形成阴极分离用的隔壁,进行上层的形成,不需要在阴极材料制膜后,特别进行构图。此外,也可以不形成这样的隔壁,在阴极蒸镀时使用物理掩模进行构图,来形成阴极图形。
如果在玻璃基板(1)上预先形成TFT等有源元件,就能容易地进行大容量显示。
在本实施例中,作为薄膜层5使用了PMMA,但是,只要是具有绝缘性的有机高分子,例如聚乙烯等,就同样可以使用。此外,即使是具有绝缘性的无机材料,例如二氧化硅等,也同样可以使用。关于制膜法并不限于涂布法,蒸镀法等也同样可以使用。
在本实施例中,作为透明电极(阳极)使用了ITO,但是,由出光有限公司出售的IDIXO或透明导电膜等,只要是透明的导电材料就同样可以使用。
在本实施例中,使用了玻璃基板,但是,只要是透明的基板,即使是塑料等也同样可以使用。
在本实施例中,作为成为薄膜层3的空穴注入层(迁移层)使用了Bytron,但是,聚苯胺或酞菁染料化合物等具有导电性的材料,或者,具有空穴注入性能的绝缘材料、例如星形分子或苯胺衍生物也同样可以使用。
在本实施例中,作为阴极使用了钙,但是,锂、镁、铝及它们的合金等、只要是功函数小的物质,就同样可以使用。此外,与透明电极相比,即使是功函数较大的材料,通过调整驱动电压也可以使用。
在本实施例中,作为密封剂使用了由紫外线硬化型材料(紫外线硬化型环氧树脂)构成的密封材料,但是,只要是隔气性、防潮性良好的材料,即使是由热硬化型树脂构成的密封材料,也同样可以使用。
(比较例1)
通过在实施例1中不设图1结构的薄膜层5(发光层与阴极间的薄膜层),制作了场致发光元件。将其发光光谱示于图3中。发光效率为0.061m/w。
(实施例2)
在本实施例中,示出了下述例子,图1中的薄膜层5(发光层与阴极间的薄膜层)是碱金属的氟化物或氧化物,或者碱土金属的氟化物或氧化物,或者周期表第3族元素的氟化物或氧化物。
薄膜层以外的形成方法与实施例1相同。作为薄膜层5,蒸镀氟化钙使膜厚为2nm而使用。把这样作成的发光元件(发蓝色光的元件)的发光光谱示于图4中。发光效率为0.171m/w。
在此,作为薄膜层蒸镀氟化钙而使用,但是,氟化锂也同样可以使用。此外,锂、钠、钾等碱金属的氟化物或氧化物,铍、镁、钙、钪等碱土金属的氟化物或氧化物,硼、铝、钾等周期表第3族元素的氟化物或氧化物也同样可以使用。其它,只要是具有适度的绝缘性、制膜容易、可抑制无助于发光的不需要的电流的材料,就同样也可以使用。
(实施例3)
在本实施例中,示出了作为发光层的有机高分子是聚对亚苯基亚乙烯基或其衍生物的例子。有机高分子层(发光层)以外的结构与实施例1的发光元件的结构相同。
作为图1中的发光层4(由有机高分子构成的层),涂布聚对亚苯基亚乙烯基的前驱体,进行烧固,作成膜厚100nn。
这样制作的场致发光元件的发光效率为1.161m/w。
(比较例2)
在比较例1中,作为发光层(由有机高分子构成的层),与实施例3同样对聚对亚苯基亚乙烯基进行制膜而使用,发光效率为0.41m/w。
(实施例4)
在本实施例中,示出了下述例子,在图1中示出的结构(实施例1)的发光元件中,使作为在发光层4与阳极2之间的薄膜层3设置的空穴注入层或具有导电性的缓冲层的厚度发生变化而进行制膜。
在实施例1中,使空穴注入层的厚度从25nm变化到220nm而作成场致发光元件,测定这些场致发光元件的通电5分钟后的色度,示于图5中。显然,缓冲层越厚(特别是,在100nm以上)色度越靠近蓝色一侧。
(实施例5)
在本实施例中,示出了在图1中示出的结构(实施例1)的发光元件中,使有机高分子的聚合度发生变化时的例子。在使聚合度变化到1、2、1000时,在使用了聚合度为1的有机高分子时,制膜性极差,聚合度越高制膜性就越好,插入薄膜层的效果就越大。即使聚合度为2,也可看到设置薄膜层的效果。
(实施例6)
在实施例中,示出在发光层的形成中使用了喷墨法的例子。
发光层的形成以外,利用实施例2。发光层的形成,利用喷墨法。在由于某种原因不能涂布发光层的像素中,成为这样的层叠结构:ITO/空穴注入层(迁移层)(在此,为Beyer公司制的Bytron)/薄膜层(在此,为LiF2nm)/Ca/Al。在该结构中,如果测定电流密度,则为1mA/cm2以下,在进行了发光层制膜时,电流密度为几十mA/cm2。显然,可抑制未形成发光层时的电流。
再者,在本实施例中,示出了关于喷墨法的情况,但是,也同样可应用于其它印刷法中。
(实施例7)
在本实施例中,示出了发光层由2层构成的例子。图6中,示出本实施例的场致发光元件的结构。
首先,在基板51上形成阳极组52,接着,形成隔壁53、空穴注入层(迁移层)(在此,为Beyer公司制的Bytron,膜厚为20nm)54。其次,对于发红光的像素,作为第一发光层(55)利用喷墨法涂布掺杂了1%碱性蕊香红101的聚对亚苯基亚乙烯基(RPPV)前驱体溶液,在150℃的氮中进行4个小时烧固,作成膜厚40nm。其次,对于发绿光的像素,作为第二发光层(55’)利用喷墨法涂布聚对亚苯基亚乙烯基(PPV)前驱体溶液。在150℃的氮中进行4个小时的烧固,作成膜厚30nm。对于发蓝光的像素,不用喷墨法进行涂布。其次,在全色像素范围内,作为第三发光层(56)涂布聚二辛基芴的二甲苯溶液,作成膜厚45nm。其次,作为薄膜层57在整个基板表面上蒸镀氟化锂使膜厚为2nm,接着,作为阴极58蒸镀钙100nm、进而蒸镀铝200nm。在其上利用保护基板及密封材料作成保护层59。进而,从取出电极部连接到控制电路上,进行显示。
这样作成的场致发光元件的发红光像素的效率为0.151m/w,发绿光像素的效率为0.121m/w,发蓝光像素的效率为0.181m/w。
此外,制作了预先在基板(51)上的每个像素中以埋入方式制成TFT元件的显示面板(像素数为320×240,尺寸为2英寸)。在利用有源矩阵驱动进行动图像显示的情况下,功耗约为1.6w,显示亮度为30cd/m2
在本实施例中,各层的膜厚不限于在此示出的值。此外,发光材料也不限于在此示出的材料。此外,如果在所使用的基板上的预先形成了TFT阵列,则可进行显示。另一方面,如果把阳极及阴极作为条状电极组预先形成为互相正交的结构,则可进行简单的矩阵驱动。
如上面所详述的那样,按照本发明,通过在由有机高分子构成的发光层与阴极之间的设置可抑制无助于发光的、不需要的电流的薄膜层,可抑制发光颜色的长波长化,此外,可显著地提高发光效率。此外,即使发生了印刷法等的发光层形成过程中的发光层缺陷,也能有效地避免电短路,由此,可简便地作成并提供发光效率高、色再现性高的有机EL显示器,会加速其到信息显示装置中的应用。
工业上利用的可能性
本发明的场致发光元件可优选地用于具备下述装置的电子装置中:要求高清晰度图像显示的膝上型个人计算机(PC)、电视机、录像器型或监视器直视型磁带录像机、车辆导航装置、电子记事本、台式电子计算器、文字处理器、工作站(EWS)、携带电话机、电视电话机、POS终端、寻呼机及触摸屏等。

Claims (14)

1.一种场致发光元件,其结构为在阳极与阴极间至少夹持由有机高分子构成的发光层,其特征在于,
在该发光层与该阳极及该阴极的至少一方之间,具有抑制无助于发光的不需要的电流的薄膜层。
2.根据权利要求1中所述的场致发光元件,其特征在于,
上述有机高分子的发光范围为波长400nm~600nm。
3.根据权利要求1或2中所述的场致发光元件,其特征在于,
把上述薄膜层放置在上述阴极与上述发光层之间。
4.根据权利要求1至3的任一项所述的场致发光元件,其特征在于,
上述薄膜层由从下述组中选择的至少一种材料构成,该组由碱金属的氟化物或氧化物、碱土金属的氟化物或氧化物、以及周期表第3族元素的氟化物或氧化物构成。
5.权利要求1或2所述的场致发光元件,其特征在于,
把上述薄膜层放置在上述阳极与上述发光层之间。
6.根据权利要求1或2中所述的场致发光元件,其特征在于,
把空穴注入层或具有导电性的缓冲层以厚度为100nm以上设置在上述发光层与上述阳极之间。
7.根据权利要求1或2中所述的场致发光元件,其特征在于,
上述有机高分子为聚氟烯烃或其衍生物。
8.根据权利要求1或2中所述的场致发光元件,其特征在于,
上述有机高分子为聚对亚苯基亚乙烯基或其衍生物。
9.根据权利要求1或2中所述的场致发光元件,其特征在于,
上述有机高分子的聚合度为2以上。
10.根据权利要求1或2中所述的场致发光元件,其特征在于,
上述发光层由多层发光材料层层叠而成。
11.根据权利要求1或2中所述的场致发光元件,其特征在于,
利用印刷法来形成由上述有机高分子构成的发光层。
12.根据权利要求11中所述的场致发光元件,其特征在于,
上述印刷法为喷墨法。
13.一种场致发光元件,其结构为在阳极与阴极之间至少夹持由有机高分子构成的发光层,其特征在于,
把由碱金属、碱土金属、或周期表第3族元素的氟化物构成的层放置在该发光层与该阳极及该阴极的至少一方之间。
14.根据权利要求13中所述的场致发光元件,其特征在于,
上述氟化物为氟化锂。
CN99801674A 1998-07-24 1999-07-23 场致发光元件 Pending CN1286891A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21001298 1998-07-24
JP210012/1998 1998-07-24
JP20363299A JP3692844B2 (ja) 1998-07-24 1999-07-16 電界発光素子、及び電子機器
JP203632/1999 1999-07-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1286891A true CN1286891A (zh) 2001-03-07

Family

ID=26514029

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN99801674A Pending CN1286891A (zh) 1998-07-24 1999-07-23 场致发光元件

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7026757B1 (zh)
EP (2) EP1895815A1 (zh)
JP (1) JP3692844B2 (zh)
KR (1) KR100572234B1 (zh)
CN (1) CN1286891A (zh)
DE (1) DE69937668T2 (zh)
WO (1) WO2000005929A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100521838C (zh) * 2004-12-06 2009-07-29 株式会社半导体能源研究所 电子设备以及发光器件
CN1901243B (zh) * 2006-07-25 2010-08-11 清华大学 一种有机电致发光器件
CN102265422A (zh) * 2008-12-26 2011-11-30 先锋株式会社 有机电致发光器件
CN102569662A (zh) * 2005-05-20 2012-07-11 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光器件和电子设备
CN102751440A (zh) * 2011-04-19 2012-10-24 海洋王照明科技股份有限公司 柔性有机电致发光器件及其制备方法

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9903251D0 (en) 1999-02-12 1999-04-07 Cambridge Display Tech Ltd Opto-electric devices
WO2001017319A1 (en) * 1999-09-01 2001-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Organic electroluminescent device and production method
KR100692598B1 (ko) * 1999-09-22 2007-04-13 한국전자통신연구원 이중 절연층을 갖는 유기전기발광소자의 구조 및 제조방법
US6867539B1 (en) * 2000-07-12 2005-03-15 3M Innovative Properties Company Encapsulated organic electronic devices and method for making same
US6605826B2 (en) 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
JP2004105948A (ja) * 2000-11-21 2004-04-08 Seiko Epson Corp 材料の吐出方法、及び吐出装置、カラーフィルタの製造方法及び製造装置、液晶装置の製造方法及び製造装置、el装置の製造方法及び製造装置、並びに電子機器
US7301279B2 (en) * 2001-03-19 2007-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting apparatus and method of manufacturing the same
JP3895938B2 (ja) * 2001-03-22 2007-03-22 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
TW558743B (en) 2001-08-22 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
US7488986B2 (en) * 2001-10-26 2009-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
CN1602650A (zh) * 2001-12-12 2005-03-30 皇家飞利浦电子股份有限公司 对比度提高的电致发光装置
US6809481B2 (en) * 2002-02-28 2004-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electric device using the same
JP2003332560A (ja) * 2002-05-13 2003-11-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びマイクロプロセッサ
JP3729262B2 (ja) 2002-08-29 2005-12-21 セイコーエプソン株式会社 エレクトロルミネセンス装置及び電子機器
JP4373063B2 (ja) 2002-09-02 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 電子回路装置
JP4094386B2 (ja) 2002-09-02 2008-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 電子回路装置
JP4701580B2 (ja) * 2002-09-30 2011-06-15 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置およびその製造方法、電子機器
US20060154550A1 (en) * 2002-10-16 2006-07-13 Nellissen Antonius J M Method for manufacturing a light emitting display
JP3997888B2 (ja) 2002-10-25 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
US7698550B2 (en) 2002-11-27 2010-04-13 Microsoft Corporation Native wi-fi architecture for 802.11 networks
JP4378950B2 (ja) 2002-12-24 2009-12-09 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法
JP4574118B2 (ja) * 2003-02-12 2010-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
KR20040093608A (ko) * 2003-04-30 2004-11-06 삼성전자주식회사 계면쌍극자 조절을 통한 효율적인 유기발광소자
US20040232385A1 (en) 2003-05-21 2004-11-25 Kram Shari L. Blend of viscosity modifier and luminescent compound
JP4299059B2 (ja) * 2003-05-30 2009-07-22 株式会社 日立ディスプレイズ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
EP1653783A4 (en) * 2003-07-28 2009-04-22 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT WITH WHITE LIGHT
KR100712098B1 (ko) * 2004-01-13 2007-05-02 삼성에스디아이 주식회사 백색 발광 유기전계발광소자 및 그를 구비하는유기전계발광표시장치
US7426550B2 (en) * 2004-02-13 2008-09-16 Microsoft Corporation Extensible wireless framework
KR100721551B1 (ko) * 2004-03-17 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 백색 발광 유기전계발광소자 및 그를 구비하는유기전계발광표시장치
JP4707658B2 (ja) * 2004-06-17 2011-06-22 シャープ株式会社 塗液、膜の製造方法、機能素子の製造方法、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法、カラーフィルター基板の製造方法、液晶表示装置の製造方法、及び、配線基板の製造方法
ATE381117T1 (de) 2005-04-13 2007-12-15 Novaled Ag Anordnung für eine organische leuchtdiode vom pin-typ und verfahren zum herstellen
JP4736544B2 (ja) * 2005-06-01 2011-07-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4613700B2 (ja) * 2005-06-01 2011-01-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP5031238B2 (ja) * 2006-02-02 2012-09-19 キヤノン株式会社 フルオレン化合物及びそれを用いた有機発光素子
JP5087927B2 (ja) * 2007-01-09 2012-12-05 大日本印刷株式会社 有機発光素子、有機発光トランジスタ及び発光表示装置
US20090204725A1 (en) * 2008-02-13 2009-08-13 Microsoft Corporation Wimax communication through wi-fi emulation
JP5267246B2 (ja) 2008-03-26 2013-08-21 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置
TWI514050B (zh) * 2010-12-06 2015-12-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 背光膜片及其製造方法與成型設備
GB201200823D0 (en) * 2012-01-18 2012-02-29 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescence
JP2016072250A (ja) 2014-09-30 2016-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器、及び照明装置
CN105679945B (zh) 2014-11-18 2017-12-26 上海和辉光电有限公司 蓝光有机电致发光器件及包含该器件的显示器
KR101849360B1 (ko) * 2016-01-29 2018-04-16 한화테크윈 주식회사 그래핀 기반 적층체 및 이의 제조방법

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
JP2793383B2 (ja) 1991-06-24 1998-09-03 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2837558B2 (ja) * 1991-06-26 1998-12-16 パイオニア株式会社 エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US5294869A (en) 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
GB9215928D0 (en) * 1992-07-27 1992-09-09 Cambridge Display Tech Ltd Manufacture of electroluminescent devices
DE69529512T2 (de) * 1994-09-06 2003-11-13 Koninkl Philips Electronics Nv Elektrolumineszente Vorrichtung mit einer Poly-3,4-Ethylen-Dioxythiophen-Schicht
US5550066A (en) * 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
JP3401356B2 (ja) * 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
US5858561A (en) 1995-03-02 1999-01-12 The Ohio State University Bipolar electroluminescent device
JP3561549B2 (ja) 1995-04-07 2004-09-02 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3529543B2 (ja) * 1995-04-27 2004-05-24 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4142117B2 (ja) * 1995-10-06 2008-08-27 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法
KR970072513A (ko) * 1996-04-30 1997-11-07 양승택 얇은 절연층을 삽입한 전기 발광소자
GB9609282D0 (en) 1996-05-03 1996-07-10 Cambridge Display Tech Ltd Protective thin oxide layer
KR0176331B1 (ko) 1996-05-16 1999-04-01 박원훈 전계 발광 소자용 플로렌계 교대 공중합체 및 이를 발광재료로 사용한 전계 발광 소자
US5734225A (en) * 1996-07-10 1998-03-31 International Business Machines Corporation Encapsulation of organic light emitting devices using siloxane or siloxane derivatives
US5677572A (en) 1996-07-29 1997-10-14 Eastman Kodak Company Bilayer electrode on a n-type semiconductor
US5773931A (en) * 1996-09-06 1998-06-30 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device and method of making same
JP3899566B2 (ja) * 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機el表示装置の製造方法
JP2848371B2 (ja) * 1997-02-21 1999-01-20 日本電気株式会社 有機el表示装置及びその製造方法
US6121727A (en) * 1997-04-04 2000-09-19 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent device
JP3684826B2 (ja) 1997-04-04 2005-08-17 三菱化学株式会社 有機電界発光素子
JPH10289784A (ja) 1997-04-14 1998-10-27 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子
JP3520396B2 (ja) * 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
JPH1187068A (ja) * 1997-07-15 1999-03-30 Tdk Corp 有機el素子およびその製造方法
JP3580092B2 (ja) * 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
JP3861400B2 (ja) * 1997-09-01 2006-12-20 セイコーエプソン株式会社 電界発光素子およびその製造方法
JPH11102787A (ja) 1997-09-29 1999-04-13 Minolta Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子
JPH11191490A (ja) 1997-12-26 1999-07-13 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6111356A (en) * 1998-04-13 2000-08-29 Agilent Technologies, Inc. Method for fabricating pixelated polymer organic light emitting devices
JP2000040589A (ja) 1998-07-22 2000-02-08 Tdk Corp 有機el素子
US6312304B1 (en) * 1998-12-15 2001-11-06 E Ink Corporation Assembly of microencapsulated electronic displays
US6221563B1 (en) * 1999-08-12 2001-04-24 Eastman Kodak Company Method of making an organic electroluminescent device
US6597012B2 (en) * 2001-05-02 2003-07-22 Junji Kido Organic electroluminescent device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100521838C (zh) * 2004-12-06 2009-07-29 株式会社半导体能源研究所 电子设备以及发光器件
CN101577315B (zh) * 2004-12-06 2012-08-01 株式会社半导体能源研究所 电子设备以及发光器件
CN102569662A (zh) * 2005-05-20 2012-07-11 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光器件和电子设备
CN102569662B (zh) * 2005-05-20 2015-01-28 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光器件和电子设备
CN1901243B (zh) * 2006-07-25 2010-08-11 清华大学 一种有机电致发光器件
CN102265422A (zh) * 2008-12-26 2011-11-30 先锋株式会社 有机电致发光器件
CN102751440A (zh) * 2011-04-19 2012-10-24 海洋王照明科技股份有限公司 柔性有机电致发光器件及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1018857A1 (en) 2000-07-12
DE69937668D1 (de) 2008-01-17
WO2000005929A1 (fr) 2000-02-03
EP1018857A4 (en) 2004-12-29
KR20010015611A (ko) 2001-02-26
US7026757B1 (en) 2006-04-11
EP1018857B1 (en) 2007-12-05
US7061176B2 (en) 2006-06-13
JP2000100572A (ja) 2000-04-07
EP1895815A1 (en) 2008-03-05
KR100572234B1 (ko) 2006-04-19
DE69937668T2 (de) 2008-05-21
US20050048320A1 (en) 2005-03-03
JP3692844B2 (ja) 2005-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1286891A (zh) 场致发光元件
CN1208845C (zh) 电致发光器件及其制造方法
CN1112034C (zh) 自发光型图像显示装置
CN1628493A (zh) 使用湿法制造的有机半导体器件及有机电致发光器件
US7494396B2 (en) Organic electroluminescent device including transparent conductive layer and fabricating method thereof
CN1729726A (zh) 发光装置及其制作方法
CN1658726A (zh) 有机电致发光显示装置及其制造方法
CN1670570A (zh) 平面显示装置
CN1655210A (zh) 用于有源矩阵显示器的象素
CN1832225A (zh) 有机el装置及电子机器
CN1741697A (zh) 发光元件以及利用此的发光器件
CN1700828A (zh) 有机电致发光显示器及其制造方法
CN1671258A (zh) 有机电致发光装置以及电子仪器
CN1516988A (zh) 一种有机电致发光显示器的制造方法
CN1551083A (zh) 电光学装置以及电子设备
CN1668154A (zh) 有机电激发光元件、平面显示器及可携带式电子装置
CN1678146A (zh) 显示装置的制造方法
CN101047200A (zh) 有机电激发光显示元件及其制造方法
CN1492723A (zh) 发光装置
CN1897297A (zh) 减少布线数量的显示装置及其制造方法
CN1578551A (zh) 包括薄膜晶体管的场致发光装置及制造场致发光装置方法
CN101051674A (zh) 包含电致发光器件的图像显示系统及其制造方法
CN1753592A (zh) 有机电激发光元件及包含有机电激发光元件的显示装置
CN1630442A (zh) 有机电致发光装置及其制造方法、电子设备
CN1714604A (zh) 有机场致发光元件和有机场致发光显示器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: GR

Ref document number: 1080099

Country of ref document: HK

C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication