CN1516988A - 一种有机电致发光显示器的制造方法 - Google Patents
一种有机电致发光显示器的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1516988A CN1516988A CNA028120833A CN02812083A CN1516988A CN 1516988 A CN1516988 A CN 1516988A CN A028120833 A CNA028120833 A CN A028120833A CN 02812083 A CN02812083 A CN 02812083A CN 1516988 A CN1516988 A CN 1516988A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- display
- organic electroluminescence
- manufacture method
- passivation layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 36
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 13
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 6
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 3
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 3
- -1 polypropylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 claims description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920005669 high impact polystyrene Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004797 high-impact polystyrene Substances 0.000 claims description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910004304 SiNy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229920001893 acrylonitrile styrene Polymers 0.000 claims 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 claims 1
- SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N prop-2-enenitrile;styrene Chemical compound C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 2
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 14
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 10
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 5
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JFHCOHUFCVQXKA-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)N(C1=CC=CC2=CC=CC=C12)C1=CC=CC=C1.C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)N(C1=CC=CC=C1)C1=C(C=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)N(C1=CC=CC2=CC=CC=C12)C1=CC=CC=C1.C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)N(C1=CC=CC=C1)C1=C(C=CC=C1)C1=CC=CC=C1 JFHCOHUFCVQXKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQMOXTJVIYEOQL-UHFFFAOYSA-N Cumarin Natural products CC(C)=CCC1=C(O)C(C(=O)C(C)CC)=C(O)C2=C1OC(=O)C=C2CCC PQMOXTJVIYEOQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N Ethynylbenzene Chemical group C#CC1=CC=CC=C1 UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSOGIJPGPZWNGO-UHFFFAOYSA-N Meomammein Natural products CCC(C)C(=O)C1=C(O)C(CC=C(C)C)=C(O)C2=C1OC(=O)C=C2CCC FSOGIJPGPZWNGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005439 Perspex® Polymers 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Natural products CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N [N].[Si] Chemical compound [N].[Si] UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 235000003642 hunger Nutrition 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004194 lidocaine Drugs 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N metformin Chemical compound CN(C)C(=N)NC(N)=N XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004702 methyl esters Chemical class 0.000 description 1
- YQVDNJJYNQAOER-UHFFFAOYSA-N n-[4-(4-aminophenyl)phenyl]-4-methylaniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1NC1=CC=C(C=2C=CC(N)=CC=2)C=C1 YQVDNJJYNQAOER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940110728 nitrogen / oxygen Drugs 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- NHDHVHZZCFYRSB-UHFFFAOYSA-N pyriproxyfen Chemical compound C=1C=CC=NC=1OC(C)COC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=CC=C1 NHDHVHZZCFYRSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000037351 starvation Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开一种有机电致发光显示器的制造方法，它能够通过在钝化层上进行局部地激光退火而实现提高设备的特性和可靠性的目的。本发明包括依序形成在一透明基板上的一阳极层、一有机电致发光层以及一阴极层，在包括该阴极层的透明基板上形成一钝化层，而且在钝化层上进行局部的热处理。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光显示器(organic electroluminescentdisplay)的制造方法(以下简称OELD)，在不影响一设备的其它部分的情况下通过对该设备的一钝化层(passivation layer)施以激光退火(1aser annealing)，而能增进设备的特性及可靠性。
背景技术
由于信息通信技术的大幅进步，对电子显示装置的需求随着信息社会的多元化大大地增加，从而对各种显示器的需求也一样不断地增加。为了满足信息社会对电子显示设备高分辨率、大尺寸、低成本、高性能、薄小化、以及小型化等的特性的要求，新型的平板显示器(flatpanel display；FPD)已被开发来替代传统的阴极射线管显示器(CRT)。
在目前己开发或使用中的平板显示器中，有液晶显示器(LCD)、发光二极管显示器(LED)、等离子平板显示器(Plasma Display Panel；PDP)、真空荧光显示器(Vacuum Fluorescence Display；VFD)、电致发光显示器(ELD)等等。
与光接收装置相比较，于例如为液晶显示器之类的，电致发光显示器作为比诸如液晶显示器之类的非发射性装置具有诸如较快反应速度之类的特性的平面显示器吸引了人们注意，由于其自行发光的特性使得电致发光显示器具有绝佳的亮度，由于其结构简单而易于制造，而且设计上亦是既轻且薄。电致发光显示器被应用到新一代的平板显示器(flat panel display；FPD)作为下一代的替代品。由于用于场发光层(field luminescent layers)的材料的不同，电致发光显示器通常可划分为两类，即有机电致发光显示器(后面简称OELD)，以及无机电致发光杂显示器(inorganic electroluminescent display；后面简称IELD。
在上述的有机电致发光显示器中，一透明导电阳极层、一空穴注入层、一空穴输送层，以及一有机电致发光层、一电子输送层以及一阴极层依序堆叠在由玻璃或石英等形成的一透明基板上。在这种情况下，所构成该有机电致发光层的有机材料很容易受氧化或湿气或由于杂质的污染所影响，从而需要一气密的钝化层(passivation layer)。具体地来说，该阴极层由一具有低逸出功(work function)的金属所形成，用以降低驱动电压并达到有效的电子注入(electron injection)。这样的金属对于外界的氧气及湿气非常敏感。也就是说，会由于构成该阴极层的金属被氧化而使得有机电致发光显示器的发光特性，例如发光亮度及发光均匀性等特性严重劣化，进而缩短有机电致发光显示器的寿命。
另外，当阴极层的金属表面存在有缺陷：例如微孔等时，氧气、湿气等会经这些微孔渗透进该有机电致发光层，使该有机电致发光层劣化，因此使设备特性急速地劣化。为了确保有机电致发光显示器的可靠性，该有机电致发光层以及该阴电极层中的微孔应该与外界空气隔绝，以避免劣化。
用于使有机电致发光显示器的该有机电致发光层与外界环境隔离的方法之一，是使用一金属盖。
图1图示出根据现有技术的使用一金属盖的OELD的横截面图。
参照图1，一种使用金属盖20的有机电致发光显示器10是以这样的一种方式制成的，由透明导电材料所形成的一阳电极层12堆叠在一透明基板11上。并且，在该阳电极层12上依序堆叠一空穴注入层13、一空穴输送层14、一有机电致发光层15、一电子输送层17以及一阴电极层18。堆叠于该透明基板11上的该阳电极层12、空穴注入层13、空穴输送层14、有机电致发光层15、电子输送层17以及阴电极层18用一金属盖20密封，其中该金属盖20有一干燥剂19于中央内侧。
在具有上述结构的金属盖20的有机电致发光显示器10中，当在该阳电极层12与该阴电极层18之间施加一电压时，空穴会经过该空穴注入层13以及该空穴输送层14注入该有机电致发光层15中，而电子则经过该电子输送层17注入到该有机电致发光层15。因此，当这些空穴以及电子彼此结合时，该有机电致发光层15发光。在这种情况下，该空穴注入层13、该空穴输送层14以及电子输送层17对增加该有机电致发光显示器10的发光效率方面起着辅助性的作用。
不幸的是，在现有技术中，该具有干燥剂的金属盖与该阴电极表面并未接触。当钝化层无法保证通过金属盖100％密封时，该有机电致发光层以及该阴电极层即会与氧气及湿气接触，从而导致劣化发生。因此，单靠部分存在的该干燥剂，很难对该设备达到完全的保护。而且，将该干燥剂以及该金属盖附着到该有机电致发光设备的步骤亦非常复杂。
发明内容
据此，本发明提出一种有机电致发光显示器的制造方法，以克服由于现有技术的限制与不利之处所产生的一个或多个问题。
本发明的目的是提供一种有机电致发光显示器的制造方法(以下简称OELD)，通过避免有机电致发光层及阴电极层与氧气及湿气等相接触，而能增进设备特性以及可靠性。
本发明的其它特征及优点，将在接下来的说明中进行阐明，其中部分会在说明中显而易见，或在本发明的实例中可被获悉。而本发明的目的及其它优点将由本发明的文字说明及其权利要求书以及附图所特别指出的结构来实现和达到。
为了达到这些及其它优点并与所体现及概括说明的本发明的目的一致，根据本发明的一种有机电致发光显示器的制造方法的实施例包括下列步骤：依序形成一阳电极层、一有机电致发光层以及一阴电极层在一透明基板上；形成一钝化层在包括有该阴电极层的该透明基板上；以及在该钝化层上局部地实施一热处理。
将要明白的是，上述的总体说明以及接下来的详细说明皆是示范与解释且是用以对所要求保护的发明做进一步的解释。
附图说明
所包括的附图是为了提供对本发明的进一步的理解，其被结合于说明书中并形成该说明书中的一部分。这些附图图示出本发明的实施例，且与文字描述一起用于解释本发明的原理。所述附图包括：
图1图示出根据现有技术的使用一金属盖的OELD的截面图。
图2图示出根据本发明的一种有机电致发光显示器的截面图。
图3A-3C图示出制作根据本发明的一种有机电致发光显示器的截面图。
图4A和图4B图示出用于氮化硅层的化学键图。
具体实施方式
本发明的较佳实施例将以附图中的实例加以详细说明作为参考。整个说明书中相同的设备可能会以同样的标号来标示说明。
图2示出根据本发明的一种有机电致发光显示器的截面图。
参照图2，根据本发明的具有薄钝化层的一有机电致发光显示器100是由下述方式制作的，一阳极层112、一空穴注入层113、一空穴输送层114、一有机电致发光层115、一电子输送层117，以及一阴极层118依序堆叠在一透明基板111上。并且根据本发明的该有机电致发光显示器100还包括一堆叠在该阴极层118上的薄钝化层130，该薄钝化层由硅基绝缘材料所组成，用以隔绝氧气、湿气等。
图3A-3C图示出制作根据本发明的一种有机电致发光显示器的截面图。
参考图3A，将多个阳极层112形成于一透明基板111上。在本这种情况下，该透明基板111可由玻璃、石英玻璃、透明塑胶等的材料之一构成。
优选地，该阳极层112可通过化学气相沉积法、溅射法、真空沉积法、及电子束法中之一沉积而成，并且利用一照相平板印刷技术(photolithorgaphy)加以图案化。而且，该阳极层的厚度可在100至10,000埃，并且最好100至3000埃厚。该阳极层112对可见光的透射率最好接近100％。且透射率的至少30％是可接收的。
优选地，该阳极层112由金属、合金、导电化合物及它们的混合物中之一所形成，其逸出功(work function)至少为4.0eV。例如，该阳极层112可为氧化铟锡(ITO)、掺杂铟的氧化锌(indium-dopedzinc oxide，IXO)、氧化锡(TO)、锡、金、铂、钯及它们的混合物中之一所构成的单层或双层结构。
在该阳极层112上，依序堆叠一些有机材料层：一空穴注入层113、一空穴输送层114、一有机电致发光层115、以及一电子输送层117。
当该有机材料层由小分子有机材料时，该空穴注入层113、该空穴输送层114、该有机电致发光层115及该电子输送层117的厚度分别为200～600埃、200～600埃、400～500埃、以及约600埃。
该空穴注入层113由具有星爆发型(star-burst type)分子的有机材料所形成，例如，金属酞菁(metal-lophthalocyanine)、非金属酞菁(non-metal-phthalocyanine)、4，4’，4”-三(二对甲基苯氨基)三苯胺(4，4’，4”-tris(di-p-methylphenylamino)triphenylamine)或类似物。当施加一外加电场时，该空穴注入层113将阳极层112的空穴注入到该空穴输送层114中。
该空穴输送层114则是由诸如N’，N’-二苯基-N’，N’-(4-甲基苯基)-1，1’-联苯基4，4’-二胺(N’，N’-diphenyl-N’，N’-(4-methylphenyl)-1，1’-biphenyl4，4’-diamine)，以及4，4’-二[N-(1-萘基)-N-苯氨基]-联苯(4，4’-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl)其中的一种有机材料所形成。并且该空穴输送层114通过该电场，将所注入的空穴传输到该有机电致发光层115。
该有机电致发光层115则是由诸如三(8-羟基喹啉)铝(tris(8-hydroxyquinoline)aluminum)、三(4-甲基-8-羟基喹啉)(tris(4-methyl-8-hydroxquinoline)aluminum)、3-(2’-苯并噻唑基)-7--N，N-二乙氨基香豆素(3-(2’-benzthiazolyl)-7-N，N-diethylaminocoumarine)、9，18-二羟基苯并[h]苯并[8]喹啉并[2，3-b]acrydyne-7，16-二酮(9，18-dihydroxybenzo[h]benzo[8]quino[2，3-b]acrydyne-7，16-dione)、4、4’-二(2，2’-二苯基-乙烯-4-基)-联苯(4、4’-bis(2，2’-diphenyl-ethene-4-yl)-diphenyl)、亚苯(phenylene)之类的有机材料所形成。该有机电致发光层115由于在来自于该空穴输送层114的空穴与来自于该电子输送层117的电子的重新结合产生光发射。
该电子输送层117是由诸如三(8-羟基喹啉)铝(tris(8-hydroxyquinoline)aluminum)、三(8-羟基喹啉)镓(tris(8-hydroxyquinoline)gallium)、1，3-二(5-(对叔buphyl苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基)-苯(1，3-bis[5-(p-tertiary-buphylphenyl)-1，3，4-oxadiasole-2-yl]benzen)之类的有机材料所形成。并且，当施加一外加电场时，该电子输送层117将从该阴极层118所注入的电子传送到该有机电致发光层115。
至此，说明了重量轻的分子有机材料。
在利用聚合物(高分子)材料的电致发光设备，所堆叠的有机材料层结构中具有一缓冲层(buffer layer)例如PEDOT、PSS或类似物，以及一发光层，例如聚苯乙烯基(poly(phenylvinylene))的衍生物、PPV或类似物，其可利用旋涂法(spin-coating)、浸渍法(dipping)或沉积法等来形成。在此情况下，该缓冲层以及该有机电致发光层被形成的厚度分别为200～900埃以及200～900埃。
该阴极层118由逸出功低于4.0eV的金属所形成，例如由镁、铝、铟、锂、钠、钠、银，构成单层或双层结构，或为二者的混合层。并且该阴极层118被形成为100至10,000埃，较佳厚度为100至3,000埃，可利用溅镀法、真空沉积法、电子束法或化学气相沉积(CVD)法形成。
为了增加电子注入效率，在该阴极层118以及该电子输送层117之间可形成一厚度为1至100埃的氟化锂、氟化铯、氧化锂(Li2O)或锂铝合金或类似物。
参考图3B，一钝化层130堆叠于包括有该阴极层118的该透明基板111上。该钝化层130由选用SiO2、SiOxNy、Si3N4、以及SiNx中之一的至少一层所构成，其厚度d1为100至50,000埃，较佳厚度为100至3000埃。因此，该钝化层130由一硅基绝缘材料所形成，用以防止该有机电致发光层以及该阴极层被氧气、湿气等渗透而劣化。该钝化层130可通过化学气相沉积法(CVD)、溅镀法、真空沉积法或电子束法来形成。
当该钝化层130由利用化学气相沉积法所形成的硅基绝缘材料所形成时，其形成温度为25 to 300℃，使用惰性气体做为载体气体，且SiNx是使用SiH4、NH3以及氮气作为反应气体，SiNO是使用SiH4、N2O、NH3以及氮气作为反应气体，SiO2是使用SiH4和氧气作为反应气体。
当该钝化层130利用溅镀法由硅基绝缘材料形成时，其形成温度为25 to 300℃，使用惰性气体做为载体气体，并且SiNx、SiNO和SiO2分别使用SiNx、SiNO和SiO2的靶材。
另外，一硅基绝缘无机材料、一树脂层以及一硅基无机材料层依序沉积，以形成该钝化层130。可选地，该钝化层130由一树脂层、一硅基绝缘无机材料以及一树脂层依序堆叠而形成。
参考图3C，热处理因钝化层130的缺陷而被实施。由于该钝化层130并非以热成长方式长成，而是由化学气相沉积或溅镀法堆叠而成，所以在硅原子和氧/氮原子之间有多个不完整(incomplete)的结合产生。这样的原子间不完整的键产生多个松散的键及孔洞，因而造成该钝化层130的缺陷。换句话说，这种在钝化层处的缺陷提供了氧气及湿气所通过的路径。因此，这种缺陷应通过结晶化而加以消除。
用以去除硅基化学合成物的所沉积钝化层130的缺陷的热处理温度为700到1100℃。这样的温度己足以对包括有机电致发光层的有机电致发光显示器的其它元件造成致命的影响。因此，本发明乃利用准分子激光(excimer laser)来进行局部的热处理。
在此种情况下，是利用一种氩(Ar2)、氪(Kr2)、氙(Xe2)、氟化氩(ArF)、氟化氪(KrF)、氯化氙(XeCl)、或氟(F2)的准分子激光来进行热处理。表一说明各准分子激光的放电波长，其中准分子激光的退火功率为10～2000mJ/cm2，环境温度为25～300℃，且该退火时间为数分钟。而且，对该钝化层130进行退火的瞬间温度为一能实现晶格化(去除缺陷)的温度。该退火至少实施一次。
因此，对钝化层130的表面退火使得形成一厚度d2介于10至10000埃之间的高密度均匀层131，优选地为100至2000埃。该高密度均匀层131具有由构成该钝化层130的硅基绝缘退火处理后的硅有氧(或氮)的网状结构，从而该高密度均匀层131中的氢含量减少从而减少了其多孔性。因此，该网状结构以及减少了的氢含量使该有机电致发光层115以及该阴极层118免除因外部环境中氧气及湿气的渗透所造成的劣化现象。
对钝化层130的表面进行退火处理所用的准分子激光的种类及波长如表一中所示，其中该退火处理可至少被实施一次。
表一
| 准分子激光 | 放电波长 |
| Ar2 | 126nm |
| Kr2 | 146nm |
| Xe2 | 172nm |
| ArF | 190nm |
| XeF | 193nm |
| KrF | 250nm |
| XeCl | 350nm |
另外，为了避免由设备内部产生的材料释放出气体所造成的劣化，可在该阴极层118与该钝化层130之间插入干燥性及吸附性优良的一金属氧化物层(未示出)，例如氧化钙、氧化钇、氧化镁或类似物，以做为一干燥剂层。该金属氧化物层的厚度为100～50,000埃，较佳厚度为200～10,000埃。
然后，利用玻璃、AS树酯、ABS树酯、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(HIPS)、聚甲基丙烯甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、金属等以组装/密封方式在该透明基板111上可形成一外部钝化盖，用以强化该钝化层130的机械强度。
图4A和图4B图示出用于硅氮层的化学键图。
如图4A所示，由硅基绝缘材料形成的钝化层130并非以热成长方式长成，而是利用化学气相沉积(CVD)法或是溅镀法或真空沉积法堆叠形成。因此，硅及氮原子无法完成它们的化学键合，从而产生多个未彼此键结的键140。因此，该钝化层130的性质130变得具有多孔性。而且，该键140会与氢原子开始形成化学键结使得该钝化层130中的氢含量增加。钝化层的裸露的键140和孔隙造成氧气及湿气的渗透。
参考图4B，利用准分子激光对该钝化层130进行退火。该钝化层130急剧地结晶，使得该裸露的键与氢原子之间断开化学键，并且在硅原子与氮原子间产生新的化学键141。因此，该裸露的键140的去除减少了该钝化层130的多孔性也降低了氢含量。因此，该均匀的钝化层130能够达到限制氧气及水氧的渗透的目的。
据此，提供有网状结构及减少了的氢含量的本发明通过对硅与氮/氧形成的钝化层的局部地进行退火处理，能防止有机电致发光层以及阴极层因外部湿气与氧气渗透所造成的劣化现象，而不会影响到其它的元件。
另外，考虑到现有技术利用化学气相沉积至少需2到5小时才能形成一能够隔绝外部氧气及湿气的层。本发明利用激光退火处理仅需要短短数分钟，从而能够大幅减少处理时间。
前述实施例仅用以举例说明而非用以限制本发明的范围，而所启示的内容亦可运用在其它形式的装置上，熟习该项技术者在不脱离本发明的精神下会做出许多替换、修改与变更；故凡依本发明权利要求书所作的对等变化与变更，皆为本发明保护范围所涵盖。
Claims (14)
1、一种有机电致发光显示器的制造方法，包含下列步骤：
依序形成一阳极层、一有机电致发光层以及一阴极层于一透明基板上；
形成一钝化层于包括有该阴极层的该透明基板上；
在钝化层上进行局部的热处理。
2、如权利要求1所述的有机电致发光显示器的制造方法，其中所述阳极层与所述有机电致发光层之间还插入有一空穴注入层以及一空穴输送层。
3、如权利要求1所述的有机电致发光显示器的制造方法，其中所述有机电致发光层与所述阴极层之间还插入有一电子输送层。
4、如权利要求1所述的有机电致发光显示器的制造方法，其中所述阴极层与所述钝化层之间还插入有一干燥剂层。
5、如权利要求4所述的有机电致发光显示器的制造方法，其中所述干燥剂层是选用氧化钙、氧化钇及氧化镁中之一形成的。
6、如权利要求1所述的有机电致发光显示器的制造方法，其中该钝化层由一种硅基绝缘层所构成。
7、如权利要求1所述的有机电致发光显示器的制造方法，其中所述钝化层是选用SiOx、SiNO以及SiNy中之一所形成的单一层，或选用SiOx、SiNO以及SiNy中的至少两个所形成的至少双层。
8、如权利要求1所述的有机电致发光显示器的制造方法，其中所述热处理是利用一准分子激光来实施。
9、如权利要求8所述的有机电致发光显示器的制造方法，其中所述准分子激光的退火功率为10～2000mJ/cm2，环境温度为25～300℃，并且所述热处理实施数分钟。
10、如权利要求8所述的有机电致发光显示器的制造方法，其中所述准分子激光是使用Ar2、Kr2、Xe2、ArF、KrF、XeCl或F2的激光中之一。
11、如权利要求1所述的有机电致发光显示器的制造方法，其中所述钝化层是由一第一硅基无机材料层、一树脂层以及一第二硅基无机材料层堆叠而成。
12、如权利要求1所述的有机电致发光显示器的制造方法，其中所述钝化层是由一第一树脂层、一硅基无机材料层以及一第二树脂层堆叠而成。
13、如权利要求1所述的有机电致发光显示器的制造方法，其中在该钝化层上以组装/密封方式还形成有一外部钝化盖。
14、如权利要求13所述的有机电致发光显示器的制造方法，其中所述外部钝化盖是用玻璃、丙烯腈苯乙烯共聚(AS)树脂、丙烯腈丁二烯苯乙烯共聚(ABS)树脂、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(HIPS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯以及金属中之一形成。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20010034193 | 2001-06-16 | ||
| KR34193/2001 | 2001-06-16 | ||
| KR20010049414 | 2001-08-16 | ||
| KR49414/2001 | 2001-08-16 | ||
| KR10-2001-0057741A KR100483165B1 (ko) | 2001-06-16 | 2001-09-18 | 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법 |
| KR57741/2001 | 2001-09-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1516988A true CN1516988A (zh) | 2004-07-28 |
| CN100499202C CN100499202C (zh) | 2009-06-10 |
Family
ID=36821476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB028120833A Expired - Fee Related CN100499202C (zh) | 2001-06-16 | 2002-06-14 | 一种有机电致发光显示器的制造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6692326B2 (zh) |
| EP (1) | EP1410692B1 (zh) |
| JP (1) | JP4401051B2 (zh) |
| CN (1) | CN100499202C (zh) |
| TW (1) | TWI237514B (zh) |
| WO (1) | WO2002104077A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102324463A (zh) * | 2011-09-09 | 2012-01-18 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 有机电致发光器件的制备方法 |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10211268B1 (en) | 2012-09-28 | 2019-02-19 | Imaging Systems Technology, Inc. | Large area OLED display |
| KR100563675B1 (ko) * | 2002-04-09 | 2006-03-28 | 캐논 가부시끼가이샤 | 유기 발광소자 및 유기 발광소자 패키지 |
| JP4640690B2 (ja) * | 2002-07-24 | 2011-03-02 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| KR100699963B1 (ko) * | 2002-10-17 | 2007-03-28 | 샤프 가부시키가이샤 | 표시 장치 및 표시 장치 탑재 기기 |
| US7086918B2 (en) * | 2002-12-11 | 2006-08-08 | Applied Materials, Inc. | Low temperature process for passivation applications |
| JP2004362912A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Toyota Industries Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| KR101315080B1 (ko) | 2003-07-11 | 2013-10-08 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 디스플레이 디바이스를 위한 캡슐과 그 제조 방법 |
| US20050238816A1 (en) * | 2004-04-23 | 2005-10-27 | Li Hou | Method and apparatus of depositing low temperature inorganic films on plastic substrates |
| US8129906B1 (en) | 2004-04-26 | 2012-03-06 | Imaging Systems Technology, Inc. | Lumino-shells |
| WO2006099380A2 (en) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | E.I. Dupont De Nemours And Company | Photoimageable, thermosettable fluorinated resists |
| TWI323826B (en) * | 2006-11-15 | 2010-04-21 | Ether Precision Inc | The manufacturing process of the combine of optical lens and chip |
| JP4900876B2 (ja) * | 2007-09-14 | 2012-03-21 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| US8016631B2 (en) * | 2007-11-16 | 2011-09-13 | Global Oled Technology Llc | Desiccant sealing arrangement for OLED devices |
| US7851246B2 (en) | 2007-12-27 | 2010-12-14 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device with optical sensor and method of forming interconnect structure on front and backside of the device |
| US8906670B2 (en) * | 2009-09-11 | 2014-12-09 | Pacific Bioscience Of California, Inc. | Zero-mode waveguides with non-reflecting walls |
| KR101084271B1 (ko) | 2010-02-09 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101034144B1 (ko) * | 2010-04-28 | 2011-05-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 |
| US20130130430A1 (en) * | 2011-05-20 | 2013-05-23 | Solexel, Inc. | Spatially selective laser annealing applications in high-efficiency solar cells |
| CN102810641B (zh) * | 2011-05-30 | 2016-04-13 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种聚合物太阳能电池及其制备方法 |
| CN103582559B (zh) | 2011-09-08 | 2015-09-09 | 琳得科株式会社 | 改性聚硅氮烷膜及隔气膜的制造方法 |
| TWI515936B (zh) * | 2011-12-15 | 2016-01-01 | 友達光電股份有限公司 | 發光裝置及其製作方法 |
| US9698370B2 (en) | 2012-01-20 | 2017-07-04 | Lintec Corporation | Gas barrier film and gas barrier film production method |
| KR101303382B1 (ko) | 2012-02-15 | 2013-09-03 | 최도현 | 박막봉지를 이용한 유기전계발광표시소자의 제조방법 |
| WO2013125352A1 (ja) * | 2012-02-21 | 2013-08-29 | リンテック株式会社 | 有機電子素子および有機電子素子の製造方法 |
| US9024526B1 (en) | 2012-06-11 | 2015-05-05 | Imaging Systems Technology, Inc. | Detector element with antenna |
| US9780334B2 (en) * | 2014-03-12 | 2017-10-03 | Panasonic Corporation | Organic EL device having a hygroscopic layer |
| JP6254046B2 (ja) * | 2014-05-26 | 2017-12-27 | 住友化学株式会社 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
| CN107079544B (zh) | 2014-10-15 | 2018-10-09 | 夏普株式会社 | 电致发光装置及制造方法 |
| KR20190010052A (ko) * | 2017-07-20 | 2019-01-30 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 디바이스 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3072000B2 (ja) * | 1994-06-23 | 2000-07-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US5684365A (en) * | 1994-12-14 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | TFT-el display panel using organic electroluminescent media |
| US5771562A (en) | 1995-05-02 | 1998-06-30 | Motorola, Inc. | Passivation of organic devices |
| JPH0917572A (ja) * | 1995-06-26 | 1997-01-17 | Hewlett Packard Co <Hp> | 薄膜エレクトロルミネセンス素子のシール形成方法及びエレクトロルミネセンス素子 |
| US5811177A (en) | 1995-11-30 | 1998-09-22 | Motorola, Inc. | Passivation of electroluminescent organic devices |
| US5686360A (en) | 1995-11-30 | 1997-11-11 | Motorola | Passivation of organic devices |
| US5734225A (en) * | 1996-07-10 | 1998-03-31 | International Business Machines Corporation | Encapsulation of organic light emitting devices using siloxane or siloxane derivatives |
| JP3957760B2 (ja) | 1996-07-10 | 2007-08-15 | 統寶光電股▲ふん▼有限公司 | 有機発光素子用のカプセル封入材としてのシロキサンおよびシロキサン誘導体 |
| JP2815004B2 (ja) * | 1996-10-30 | 1998-10-27 | 日本電気株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
| US5821692A (en) | 1996-11-26 | 1998-10-13 | Motorola, Inc. | Organic electroluminescent device hermetic encapsulation package |
| JP3297619B2 (ja) * | 1996-12-18 | 2002-07-02 | ティーディーケイ株式会社 | 有機ｅｌカラーディスプレイ |
| US5952778A (en) * | 1997-03-18 | 1999-09-14 | International Business Machines Corporation | Encapsulated organic light emitting device |
| JP3290375B2 (ja) * | 1997-05-12 | 2002-06-10 | 松下電器産業株式会社 | 有機電界発光素子 |
| JPH11121166A (ja) * | 1997-10-20 | 1999-04-30 | Mitsubishi Chemical Corp | 有機電界発光素子の封止材硬化用露光装置 |
| US6144157A (en) | 1998-05-18 | 2000-11-07 | Motorola, Inc. | Organic EL device with fluorocarbon liquid and UV epoxy layers and method |
| JP3820752B2 (ja) * | 1998-06-26 | 2006-09-13 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子 |
| US6111357A (en) * | 1998-07-09 | 2000-08-29 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent display panel having a cover with radiation-cured perimeter seal |
| US6075317A (en) * | 1998-07-30 | 2000-06-13 | Alliedsignal Inc. | Electroluminescent device having increased brightness and resolution and method of fabrication |
| US6146225A (en) | 1998-07-30 | 2000-11-14 | Agilent Technologies, Inc. | Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices |
| US6080031A (en) | 1998-09-02 | 2000-06-27 | Motorola, Inc. | Methods of encapsulating electroluminescent apparatus |
| US6103541A (en) | 1998-10-29 | 2000-08-15 | Industrial Technology Research Institute | Encapsulation method of an organic electroluminescent device |
| WO2000036665A1 (en) * | 1998-12-16 | 2000-06-22 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
| JP2000208252A (ja) * | 1999-01-14 | 2000-07-28 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| EP1083776A4 (en) * | 1999-02-15 | 2003-10-15 | Idemitsu Kosan Co | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD |
| US6524877B1 (en) * | 1999-10-26 | 2003-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and method of fabricating the same |
| US6226890B1 (en) * | 2000-04-07 | 2001-05-08 | Eastman Kodak Company | Desiccation of moisture-sensitive electronic devices |
-
2001
- 2001-11-01 US US09/985,142 patent/US6692326B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-13 JP JP2001379441A patent/JP4401051B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-06-13 TW TW091112914A patent/TWI237514B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-06-14 WO PCT/KR2002/001127 patent/WO2002104077A1/en active Application Filing
- 2002-06-14 EP EP02738918A patent/EP1410692B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-14 CN CNB028120833A patent/CN100499202C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102324463A (zh) * | 2011-09-09 | 2012-01-18 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 有机电致发光器件的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030003225A1 (en) | 2003-01-02 |
| EP1410692A4 (en) | 2009-04-29 |
| EP1410692A1 (en) | 2004-04-21 |
| JP2003007454A (ja) | 2003-01-10 |
| TWI237514B (en) | 2005-08-01 |
| WO2002104077A1 (en) | 2002-12-27 |
| US6692326B2 (en) | 2004-02-17 |
| JP4401051B2 (ja) | 2010-01-20 |
| EP1410692B1 (en) | 2012-05-23 |
| CN100499202C (zh) | 2009-06-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1516988A (zh) | 一种有机电致发光显示器的制造方法 | |
| CN1189784C (zh) | 电光装置、其制造方法以及电子设备 | |
| JP4040850B2 (ja) | 発光素子 | |
| US8643030B2 (en) | Light-emitting device | |
| US7061176B2 (en) | Electroluminescent device having a thin-film layer, and electronic device having the electroluminescent device | |
| CN100416884C (zh) | 发光装置和其制造方法 | |
| US20090115329A1 (en) | Organic el device | |
| US7494396B2 (en) | Organic electroluminescent device including transparent conductive layer and fabricating method thereof | |
| KR20020025918A (ko) | 습식 공정으로 제작된 유기 반도체 디바이스 및 유기전계발광 소자 | |
| CN1617641A (zh) | 超薄有机发光显示器及其制造方法 | |
| KR20040086219A (ko) | 발광장치 및 전자 기기, 및 제조 장치 | |
| TW200306132A (en) | Light emitting apparatus and method of fabricating the same | |
| CN1741697A (zh) | 发光元件以及利用此的发光器件 | |
| CN101034735A (zh) | 有机电致发光器件及制造其方法 | |
| CN1784102A (zh) | 有机电致发光显示器装置和制备该装置的方法 | |
| WO2015065074A1 (ko) | 유기 발광 소자, 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 조명 | |
| CN1668154A (zh) | 有机电激发光元件、平面显示器及可携带式电子装置 | |
| CN1446033A (zh) | 电致发光显示装置及其制造方法 | |
| JP2009076528A (ja) | 有機ｅｌ装置及び電子機器 | |
| JP2008071608A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| KR100483165B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법 | |
| CN101281955A (zh) | 有机发光二极管元件及光通信用模块 | |
| JP2001230071A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法 | |
| CN1498047A (zh) | 有机电致发光器件及其制造方法以及有机电致发光显示装置 | |
| CN1444425A (zh) | 光学元件及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: CORPORATION DAEWOO ELECTRON SERVICE Free format text: FORMER OWNER: CLD INC. Effective date: 20040806 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20040806 Address after: Seoul Applicant after: CLD Inc. Address before: Seoul Applicant before: CLD Inc. |
|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090610 Termination date: 20170614 |