TWI299585B - Organic el device and electronic apparatus - Google Patents

Description

1299585 (υ · 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於有機電激發光裝置及電子機器之構成 【先前技術】 作爲新一代的顯示裝置，則期待有機電激發光裝 (有機EL裝置），圖9係爲以往之有機EL裝置的說明圖 φ 圖9(a)係爲平面圖，圖9(b)係針對在圖9(a)之Β-Β線的 面剖面圖，另，如圖9(a)所示，一般的有機EL裝置係 配設複數有機EL元件爲矩陣狀所構成，具體來說係如 9(b)所示，於玻璃基板2的表面，形成有驅動電路部5 並於其驅動電路部5的表面，形成有有機EL元件3 另，有有機EL元件3係由依序層積成爲陽極之畫素電 23與，有機機能層（電洞注入層或發光層60，電子輸送 等）與，陰極50所構成，並且，根據經由畫素電極23 φ 陰極50，供給電流於有機機能層之情況，呈使發光層 進行發光。 對於驅動電路部5係設置有從基板2的周緣部對於 素電極23供給電流之電源線8，然而，如圖9(a)所示 因配設有複數有機EL元件3爲矩陣狀，故在基板中央 之有機EL元件3之中，根據電源線8的配線電阻之電 下降則成爲顯著，而爲了控制根據此配線電阻之電壓 降，電源線8係被配設爲格子狀，並且，成爲根據縱橫 電源線8，呈對於各有機EL元件3來供給電流。 置 側 由 圖 極 層 及 60 畫 部 壓 下 之 -4- ，(2) · 1299585 [申請專利文獻1]日本特開2001-230086號公報 【發明內容】 [欲解決發明之課題] 如圖9(b)所示，電源線8係被配設於有機EL元件3 的周圍，另外，有機E L元件3的陰極5 0係形成在基板2 的全面，另，有機EL元件3係爲電流控制型元件，並因 • 爲了得到充分的亮度而對於陰極係流動大的電流，故有著 於由箭頭5 5所示之電源線8與陰極5 0之間產生短路之 虞’另，當一旦產生短路時，對於其部分流動大的電流， 不只使驅動電路燒損，而作爲鄰接的部份將成爲連續性的 短路，並且，如圖9(a)所示，因電源線8形成爲格子狀， 故沿著電源線8之短路的連鎖則有著擴大於基板全面之問 題。 然而，在以往的有機EL裝置中，爲了降低根據陰極 φ 的面電阻之電壓下降，而有將陰極作爲低電阻化之傾向 (例如，參照專利文獻1 )，但，在此構成中，係因流動於 陰極之電流增加，故容易產生與電源線的短路。 本發明係爲作爲爲了解決上述課題之構成’其目的爲 提供可控制沿著電源線之短路的連鎖情況之有機EL裝 置，另外，將提供性賴信優越之電子機器作爲目的。 [爲解決課題之手段] 爲了達成上述目的，本發明之有機EL裝置的特徵係 -5- • (3) 1299585 具有第1電極與，驅動前述第1電極1之配線與，具有較. 其他部分電性電阻高之高阻抗部，且呈與前述配線平面上 重疊地，配置有前述高阻抗部之至少一部份之第2電極 與，經由前述第1電極及前述第2電極而挾持之發光層 者，然而，[平面上]係指，對於電極等之形成面，從成爲 垂直的方向來看之情況，如根據此構成，即使於配線與第 2電極之間產生短路而流動有大的電流，因也不會對於高 φ 阻抗部流動大的電流，故可控制沿著配線短路的連鎖，另 外，因於第2電極的一部分形成有高阻抗部，故不會使有 機EL裝置的發光性能降低之情況。 另外，前述配線係亦可配設爲格子狀，而即使在此情 況亦可控制沿著配線短路的連鎖平面性地擴散情況。 另外，期望配列形成有複數前述發光層之同時’前述 第2電極係具備複數前述高阻抗部，並前述複數高阻抗部 係與前述複數發光層的間距同時配置於前述發光層之周圍 φ 之情況，如根據此構成，將可控制連鎖短路至最小限度情 況。 另外，前述高阻抗部係期望爲針對在平面視’成與配 設爲格子狀之前述配線的交叉部重疊地加以配置情況’而 在配線的交叉部係成爲層積配線而與第2電極的距離變 短，容易產生短路，因此’根據作爲上述的構成情況’將 可有效地控制連鎖短路之情況° 另外，前述高阻抗部係期望將前述第2電極作爲開口 而形成之情況，如根據此構成，比較於將第2電極薄形化 -6 - (4)' 1299585 來行程高阻抗部之情況，將可簡化製造處裡，而在此情 況，高阻抗部係亦配置在發光層之周圍，故不會使有機 EL裝置之發光性能降低。 r * 另外，期望配列形成有複數前述發光層之同時，前述 第2電極係具備複數前述高阻抗部，並前述複數高阻抗部 係呈與前述複數發光層的間距同時地配置情況，如根據此 構成，將無需嚴密地進行高阻抗部與發光層的位置配合， 故可簡化製造處裡。 另外，前述複數高阻抗部係期望整列配置在與前述複 數發光層的配列方向交叉的方向，而如根據此構成，因針 對在平面視，高阻抗部與配線重疊的機會變多，故將可控 制連鎖短路至最小限度情況。 另外，針對在前述第2電極，至少前述高阻抗部以外 部分係期望由含有具有正的溫度係數材料所構成，如根 據此構成，即使產生配線與第2電極的短路，伴隨其周圍 的溫度上升，成爲亦可使電性電阻提升，並可有效地控制 連鎖短路之情況。 另一方面，本發明之電子機器之特徵係具備上述之有 機EL裝置情況，如根據此構成，因具備有可抑制連鎖短 路情況之有機EL裝置，故可提供性賴性優越之電子機 器。 【實施方式】 [爲了實施發明之最佳型態] -7- .(5) · 1299585 以下，關於本發明之實施型態，參照圖面進行說明， 然而’針對在以下所參照的各圖面，爲了容易理解，表示 有適當變更各構成要素的尺寸，然而，[平面視]係指，對 於基板面，從成垂直之方向來看的情況。 (第1實施型態） 首先，就有關本發明之第1實施型態的有機EL裝 • 置，利用圖1乃至圖3進行說明，而圖1係爲一般有機 EL裝置的側面剖面圖，另，有機EL裝置係以元件基板2 與’配設在元件基板2表面之驅動電路部5與，配設於驅 動電路部5表面之畫素範圍26之有機EL元件3與，密 封有機EL元件3之密封基板30爲主所構成，另，有機 EL元件3係針對在平面視，形成爲矩形狀或圓形狀，長 圓狀等，並整列配置成矩陣狀於基板元件2上，而在本實 施型態之中，將從元件基板2從取出針對在有機EL元件 • 3的發光光線之底部放射型有機EL裝置爲例而進行說 明。 (有機EL裝置） 在底部放射型有機EL裝置之中，係因從元件基板2 側取出針對在發光層6 0的發光光線，故作爲元件基板2 係採用透明或半透明之構成，例如，可利用玻璃或石英’ 數之（塑料，塑料薄膜）等情況，而特別理想採用玻璃基 板。 -8- .(6) 1299585 對於元件基板2上係形成有包含有有機EL元件3之 驅動用TFT4(驅動元件4)等之驅動電路部5，然而，亦可 爲安裝具備驅動電路之半導體元件於元件基板2而構成有 機EL裝置之情況。 圖2係爲畫素電路之電路圖，而對於晝素範圍26係 形成有畫素電路400，另，畫素電路400係具備有2個薄 膜電晶體（Thin Film Transistor，以下略記爲[TFT] )4，402 φ 與，容量元件410與，有機EL元件3，其中，p通道型 之TFT4之源極電極S係針對在畫素連接點Q，連接於電 源線Lr2，並其汲極電極D係連接於有機EL元件3之陽 極，另外，對於TFT4之源極電極S與閘道電極G之間係 設置有容量元件410，另一方面，TFT402之閘道電極係 連接於掃描線1 〇 1，並其源極電極係連接於資料線1 03， 而其汲極電極係連接於TFT4之閘道電極。 針對在如此構成，當掃描信號Yi成高位準時，因η φ 通道型TFT402則成爲開啓狀態，故連接點Ζ之電壓則與 電壓Vdata相等，此時，對於容量元件410係儲存有相當 於Vddr-Vdata之電荷，接著，當掃描信號Yi成低位準 時，TFT402則成爲關閉狀態，然而，針對在TFT4之閘 道電極的輸入阻抗係因極高，故針對在容量元件410之電 荷的儲存狀態係無變化，即，TFT4之閘道·源極間電壓 係維持爲施加電壓Vdata時之電壓（Vddr-Vdata)，並且， 流動於有機EL元件3之電流I 〇led係因根據TFT4之閘 道·源極間電壓而訂定，故對於有機EL元件3係流動因 .(7) · .(7) ·1299585 應電壓Vdata之電流I oled。 如此，電流I oled的到小係因根據TFT4之閘道·源 極間電壓（Vddr-Vdata)而訂定，故對於爲了針對在各有機 EL元件3得到均一的亮度係對於各畫素電路400，供給 相同之電壓Vddr之情況則成爲重要，因此，在本實施型 態之中，係將電源線配設成格子狀來降低因配線電阻引起 之電壓下降，圖3係爲電源線之配線圖，而電源線係含有 配置在元件基板周緣部之主電源線LR，LG，LB與，第1 副電源線Lrl，Lgl，Lbl與，第2副電源線Lr2，Lg2， Lb2，另，主電源線LR，LG，LB係對應有機EL元件之 發光色而設置，而對於每個發光色設置主電源線LR， LG，LB之情況，係爲爲了對於每個發光色發光效率不同 之有機EL元件，根據各自供給適當電流之情況而得到均 一的亮度。 第1副電源線Lrl，Lgl，Lbl係爲平行於行方向之配 線，而其一端則與主電源線LR，LG，LB的一邊連接，另 一端則延長至畫素範圍26，另一方面，第2副電源線 Lr2，Lg2，Lb2係爲平行於列方向之配線，而其一端則連 接於主電源線LR，LG，LB，另一端則延長至畫素範圍 2 6，另，第1副電源線L r 1，L g 1，L b 1與第2副電源線 Lr2，Lg2，Lb2係在畫素範圍內作爲交叉，並在副電源連 接點P(圖中的黑圈）連接同爲連接於同一主電源線之構 成，另外，第2副電源線Lr2，Lg2，Lb2與各畫素電路 400則連接在畫素連接點Q(圖中的白圈），然而，畫素連 -10- .(8) * 1299585 接點Q係如設置在第1副電源線Lrl，Lgl，Lbl或第2 副電源線Lr2，Lg2，Lb2之中至少一方即可。 如此，根據將電源線配設成格子狀之情況，將成爲可 大幅降低配線電阻，其結果，將成爲可將針對在主電源線 LR，LG，LB之電源電壓Vddr，Vddg，Vddb均一地供給 於各畫素電路400情況，並可大幅改善亮度不勻及顏色不 勻之情況。 φ 返回至圖1，就關於TFT4之週邊的具體構成進行說 明，對於元件基板2之表面係形成有由絕緣材料而成之基 底保護層281，並於其上方形成有爲半導體材料之矽層 241，另，對於矽層241表面係形成有將Si02及/或SiN 作爲主體之閘道絕緣層282，另，對於其閘道絕緣層282 表面係形成有閘道電極242，而此閘道電極242係根據無 圖視之掃描線的一部分所構成，然而，前述矽層2 4 1之 中，夾住閘道絕緣層282而與閘道電極242對向之範圍則 φ 作爲通道範圍241a，另一方面，對於閘道電極242及閘 道絕緣層2 82之表面，係形成有將Si02作爲主體之第1 層間絕緣層2 8 3。 另外，矽層241之中，對於通道範圍241a係設置有 低濃度源極範圍241b及高濃度源極範圍241S，而對於通 道範圍241a之另一方側係設置有低濃度汲極範圍241c及 高濃度汲極範圍 241D，如此，形成所謂 LDD(Light Doped Drain)構造之TFT4，並且，源極範圍241S係藉由 貫通閘道絕緣層282及第1絕緣層2 8 3之接觸孔243 a， -11 - 1299585 •⑼· 連接於源極電極2 4 3，而此源極電極2 4 3係根據上述之電 源線的一邰分所構成，另一方面，高濃度汲極範圍2 4 1 D 係藉由貫通閘道絕緣層282及第1絕緣層283之接觸孔 244a，連接於配置在與源極電極243同層之汲極電極2 44。 對於上述之源極電極243及汲極電極244，以及第1 絕緣層283之上層，係形成有江丙烯基系或聚醯亞胺系等 耐熱性數之材料等作爲主體之平坦化膜284，而此平坦化 φ 膜284係爲爲了消除根據TFT4或源極電極243，汲極電 極244等之表面凹凸所形成之構成。 並且’對於平坦化膜284表面係形成有複數之畫素電 極23，此畫素電極23係配設成矩陣狀於平坦化膜284表 面，另，畫素電極23係藉由設置在該平坦化膜284之接 觸孔23a，連接於汲極電極244，即，畫素電極23係藉由 汲極電極 244，連接於矽層 241之高濃度汲極範圍 241D。 • 另外，對於針對在平坦化膜284表面之畫素電極23 的周圍，係形成有由Si02等之無機絕緣材料而成之無機 間隔壁25，更加地，對於無機間隔壁25表面係形成有由 聚醯亞胺等之有機絕緣材料而成之有機間隔壁22 1，並 且，對於配置在有機EL元件3之形成範圍的畫素電極23 上方，係配置有無機間隔壁25之側面25a及有機間隔壁 22 1之側面22 1 a ° 並且，於無機間隔壁25之側面25a及有機間隔壁 221之側面221a的內側，層積有複數有機機能層而構成 -12- * (10) · 1299585 有機EL元件3，另，有機EL元件3係由層積作爲陽極發 揮機能之畫素電極（第1電極）23與，注入/輸送從此畫素 電極23的電洞之電洞注入層70與，由有機EL物質而成 之發光層60與，陰極（第2電極）50所構成。 底部放射型的有機EL裝置之情況，作爲陽極發揮機 能之畫素電極23係根據ITO(銦錫氧化物）等之透明導電 材料所形成，而作爲電洞注入層7 0之材料係特別適合採 φ 用3，4-聚乙烯二羥基噻吩/聚苯乙烯磺酸（？£00丁/?88)之 分散液，即，於作爲分散劑之聚苯乙烯磺酸，分散3，4-聚乙儲一經基嚷吩’並更加地使其分散於水之分散液，然 而，作爲電洞注入層70之材料，並不限定於前數之構 成，而可使用各種構成，例如，可使用使聚苯乙烯，聚吡 咯，聚苯胺，聚乙炔或其衍生物分散於適當之分散劑，例 如前述之聚苯乙燃磺酸之構成等情況。 作爲形成發光層6 0之材料係可採用可將螢光或燐光 • 進行發光之眾知的發光材料情況，而具體來說係適合採用 聚芴誘導體（PF)，（聚）對苯乙烯撐誘導體（PPV)，聚對苯誘 導體（PP)，聚對苯乙烯撐誘導體（PPP)，聚乙烯咔唑 (PVK)，聚噻吩誘導體，聚甲基苯基矽烷（PMPS)等之聚砂 烷系等，另外，亦可對於這些高分子材料摻雜茈系色素， 香豆素色素，若丹明色素等之高分子系材料或，紅熒烯， 菲，9，10-二苯基蒽，四苯基丁二烯，尼夢紅，香豆素 6，喹吖酮等之低分子材料而使用之情況。 陰極5 0係由層積主陰極及補助陰極所構成，而作爲 -13- (11) (11) 1299585 主陰極，期望則採用功函數爲3.0eV以下之Ca或Mg， LiF等之材料，由此，因對於主陰極賦予作爲電子注入層 之機能，故可以低電壓使發光層發光，另外，輔助陰極係 可提升陰極主體之導電性的同時，具有從氧或水分保護主 陰極之機能，因此，作爲補助陰極，則期望採用導電性優 越之A1或Au，Ag等金屬材料的情況。 另一方面，對於陰極50的上方，係形成有由Si02等 而成之無機密封膜5 1，並於其無機密封膜5 1上方，藉由 接著層40貼合密封基板30，然而，亦可固定被覆陰極50 的全體之密封間隔於元件基板2的周緣部，並於其密封間 隔內側配置吸收水分或氧等知吸氣劑。 在上述之有機EL裝置中，藉由TFT4，以規定的時間 施加畫像信號於畫素電極23，並且，從其畫素電極23所 注入之電洞與，從陰極5 0所注入之電子則在發光層進行 再結合而釋放規定波長的光線，另，其發光光線係透過由 透明材料而成之畫素電極23，驅動電路部5及元件基板2 而取出於外部，由此，成爲爲針對在元件基板2進行畫像 顯不，然而，無機間隔壁2 5係因由絕緣材料所構成，故 只有對於無機間隔壁25之側面25a的內側流動有電流而 發光層60則產生發光，因此，無機間隔壁25之側面25a 的內側則成爲有機EL元件3之發光範圍26。 (高阻抗部） 圖4係爲有關第〗實施型態之有機EL裝置的平面 -14- .(12) 1299585 圖，而在有關第1實施型態之有機EL裝置之中，係於上 述之陰極設置有高阻抗部8 0，而高阻抗部8 0係爲較陰極 之其他部分電性電阻高之部分’另’高阻抗部80係針對 在平面視，型成爲矩形狀，並針對在平面視呈與埋設在驅 動電路部之電源線8重疊地配置著’然而，電源線8係爲 了防止針對在底部放射型之有機EL裝置的開口率下降， 而配設成格子狀於配置爲矩陣狀之畫素範圍26的周圍， φ 因此，高阻抗部80係與複數的畫素範圍26的間距同時配 置在畫素範圍2 6的周圍’即’於鄰接在縱方向或橫方向 之畫素範圍26之間，各自形成有高阻抗部80。 圖5 (a)係爲針對在圖4之A-A線的側面剖面圖，而 如圖5(a)所示，陰極50之高阻抗部80的厚度係形成爲較 陰極之50其他部分（以下稱爲[低阻抗部])之厚度薄，具體 來說，對於低電阻佈的厚度爲3 00〜400nm程度之情況， 问阻抗部8 0之厚度係形成爲50〜100nm程度，由此，可 • 將高阻抗部之電性電阻作爲較低阻抗部高，然而，構成陰 極5 0之主陰極及補助陰極之中，期望係至少使補助陰極 的厚度作爲變化而構成高阻抗部及低阻抗部情況，另，因 根據使導電性優越之補助陰極厚度作爲變化之情況，可將 高阻抗部8 0之電性電阻作爲較低阻抗部高之情況。 另外，補助陰極係期望爲由含有具有正的溫度係數之 β 材料所構成之情況，而具有正的溫度係數之材料係指，伴 隨溫度的上升，電性電阻上升之材料，具體來說，係金屬 Nl等則符合，此情況，即使產生電源線8與陰極的短 -15- *(13) 1299585 路，亦可伴隨溫度的上升而使電性電阻上升，隨之，將可 有效抑制連鎖短路之情況。 (有機EL裝置之製造方法） 接著，就關於有關第1實施型態之有機EL裝置的製 造方法，利用圖5(a)進行說明，首先，於元件基板的表面 形成驅動電路部（無圖示），另，於其驅動電路部的表面， 形成畫素店極23爲矩陣狀’另’於其畫素電極23的周 圍，形成無機間隔壁2 5及有機間隔壁22 1，而於無機間 隔壁25及有機間隔壁221的開口部，.形成電洞注入層70 或發光層60等之有機機能層，並對於有機機能層的形成 係期望採用噴墨法等之液相處理及減壓乾燥情況，其情 況，於有機機能層的形成前，期望預先於畫素電極23的 表面施以親液處理的同時，於有機間隔壁22 1之側面及上 面施以撥液處理之情況。 φ 接著，根據蒸鍍法或濺射法等而形成陰極5 0，具體 來說，首先，於元件基板之表面全體形成主陰極，接著， 於主陰極的表面全體形成下層補助陰極，另，此下層補助 陰極的厚度係作爲根據被層積之主陰極及下層補助陰極， 構成高阻抗部8 0而得到之厚度，接著，根據採用遮蔽高 阻抗部8 0之硬式掩罩來進行蒸鍍處理之情況，於下層補 助陰極的表面，形成上層補助陰極，而此上層補助陰極的 厚度係作爲根據被層積之主陰極’下層補助陰極及上層補 助陰極構成低阻抗部而得到之厚度’然而，關於遮蔽高阻 -16- .(14) · 1299585 抗部80之硬式掩罩，係在第2實施型態進行詳述，而根 據以上，形成具備高阻抗部8 0及低阻抗部之陰極5 0，之 後，於陰極5 0的表面，形成無機密封膜5 1。 圖5(b)係爲有關第1實施型態之有機EL裝置之變形 例的側面剖面圖，而在此變形例之中，係使陰極5 0開口 而形成高阻抗部8 0，對於其陰極5 0的開口，係塡充由 S i〇2等電性絕緣性材料而成之無機密封膜5 1，另，對於 形成此高阻抗部8 0，係如採用遮蔽高阻抗部8 0之硬式掩 罩，於元件基板的表面，依序形成主陰極及補助陰極即 可，如根據此構成，因可降低蒸鍍處理的次數情況，故成 爲可簡化製造處理，而即使爲此情況，因高阻抗部8 0係 亦配置在畫素範圍的周圍，故不會使有機EL元件之發光 性能下降。 接著，關於有關第1實施型態之有機EL裝置之作用 來進行說明，而有機EL元件係爲電流控制型元件，並因 爲了得到充分的亮度而流動大的電流於陰極，故有於圖 9 Cb)以箭頭55所示之電源線8與陰極50之間產生短路之 虞，而一旦產生短路時，於其一部分流入大的電流，不只 使驅動電路燒損，而鄰接的範圍則成爲產生連鎖性短路情 況，並且，如圖9(a)所示，因電源線8型成爲格子狀，故 有著沿著電源線8之連鎖短路擴大至基板全面之虞。 對此，在圖4所示之本實施型態的有機EL裝置之 中，係於陰極的一部分設置有高阻抗部8 0，並其高阻抗 部8 〇係針對在平面視，呈與配置呈格子狀之電源線8重 -17- (15) · 1299585 疊地配置著，如根據此構成，即使於電源線8與陰極5 Ο 之間產、生短路而流動有大的電流，因對於高阻抗部80係 亦不會流入大電流，故可控制沿著電源線8之連鎖短路情 況，並且，複數之高阻抗部80則因與畫素範圍26的間距 同時設置在畫素範圍2 6的周圍，故可控制連鎖短路於最 小限度，由此，可防止伴隨短路之異常發熱而使有機EL 裝置的信賴性Ρ升。 φ 然而，在第1實施型態之中，係各自配置高阻抗部 80於鄰接在縱方向或橫方向之畫素範圍26之間，此情 況，成爲針對在平面視，呈與延設於縱方向或橫方向任合 一方向之電源線8重疊地，配設有高阻抗部 8 0，對此， 亦可針對在平面視，成與配設成格子狀之電源線8之交叉 部9重疊地，配設高阻抗部，而在電源線8之交叉部9， 係成爲層積電源線8，與陰極的距離變短，而容易產生短 路，因此，根據針對在平面視，於與此交叉部9重疊的部 φ 份配置高阻抗部之情況，將可有效控制連鎖短路之情況。 (第2實施型態） 接著，就關於有關第2實施型態之有機EL裝置，利 用圖6及圖7進行說明，圖6係爲有關第2實施型態之有 機EL裝置的平面圖，而有關第2實施型態之有機EL裝 置係以不與畫素範圍26的間距同時配置複數高阻抗部80 之情況，與第1實施型態不同，然而，關於成爲與第〗實 施型態相同之構成的部分，係省略其詳細之說明。 -18- ' (16) ' 1299585 對於有關第2實施型態之有機EL裝置之陰極，液設 置有複數高阻抗部80，而此高阻抗部80係作爲較畫素範 圍26面積大之矩形狀，並整列配置於與畫素範圍26的配 列方向交叉的方向，即，在第2實施型態之中，係無與畫 素範圍26的間距同時配置複數高阻抗部80，然而，與第 1實施型態相同地，於畫素範圍26的周邊，配設電源線8 爲格子狀，由此，高阻抗部8 0係其至少一部分，針對在 φ 平面視，呈與埋設於驅動電路部之電源線8重疊地配設 著，如此，因根據整列配設複數之高阻抗部80於與畫素 範圍26的配列方向交叉之方向情況，針對在平面視，高 阻抗部8 0與電源線8重疊的機會變多，故可將連鎖短路 控制至最小限度情況。 然而，在第2實施型態中，針對在平面視，亦多有重 疊有高阻抗部8 0與電源線8之部分，但，對於形成爲島 狀之高阻抗部之周圍係因形成有低阻抗部爲網紋狀，故對 φ 於各高阻抗部，可對於畫素範圍之驅動供給必要的電流， 隨之，不會有使有機EL裝置之發光性能下降之情況。 與第1實施型態相同地，陰極之高阻抗部80的厚度 係形成爲較陰極之低阻抗部的厚度薄，而對於形成如此之 陰極，係首先於元件基板的表面全體形成主陰極，接著， 於主陰極之表面全體形成下層補助陰極，另，下層補助陰 極的厚度係作爲根據被層積之主陰極及下層補助陰極而構 成高阻抗部8 0得到之厚度，接著，採用遮蔽高阻抗部8 0 之硬式掩罩，於下層補助陰極的表面形成上層補助陰極， -19- (17) · 1299585 另，此上層補助陰極的厚度係作爲根據被層積之主陰極， 下層補助陰極及上層補助陰極而構成低阻抗部得到之厚 度。 圖7係爲遮蔽高阻抗部之硬式掩罩的平面圖，針對在 陰極，因高阻抗部80係形成爲島狀，故針對在硬式掩罩 8 1之高阻抗部的遮蔽部82係成爲游離之情況，因此，由 細的連結構件84來連結複數之遮蔽部82構成硬式掩罩 φ 81，並且，將此硬式掩罩81配置在元件基板的表面，然 而，在第2實施型態中，因無與畫素範圍的間距同步地形 成高阻抗部，故對於元件基板，無須嚴密地將硬式掩罩 8 1作位置配合，接著，根據蒸鍍法或濺射法等形成上層 補助陰極，此情況，蒸鍍粒子係被遮蔽於遮蔽部82無附 著在高阻抗部的形成範圍，而只附著於低阻抗部的形成範 圍，然而，對於低阻抗部的形成範圍係配置有連結構件 84，但，根據從元件基板的表面稍微拉開距離來配置硬式 φ 掩罩8 1之情況，蒸鍍粒子則圍繞細的連結構件84附著， 另外，針對在連結構件84之位置，即使若干將低阻抗部 的厚度形成爲薄形，亦不會使有機EL裝置之發光性能下 降，更加地，即使沒有鮮明地形成高阻抗部之輪廓，亦不 會對有機EL裝置之發光性能有影響，由此，形成具備圖 6所示之高阻抗部8 0及低阻抗部之陰極。 在圖6所示之第2實施型態的有機EL裝置中，高阻 抗部之至少一部分則針對在平面視，呈與電源線8重疊地 所配設著，如根據此構成，即使於電源線8與陰極之間產 -20- (18) * (18) *1299585 生短路而流動有大的電流’亦因不會對於高阻抗部8 0流 動有大的電流，故可抑制沿著電源線8之連鎖短路情況， 並且，在第2實施型態之中，係因無與畫素的間距同時地 配設高阻抗部，故對於元件基板無須嚴密地將硬式掩罩作 位置配合，隨之，可簡化製造處理情況。 (電子機器） 圖8係爲有關本發明之電子機器一構成例之薄型大畫 面電視之斜視圖，而圖8所示之薄型大畫面電視1 200係 將由上述實施型態之有機EL裝置而成之顯示部1201 與，框體1202與，揚聲器等之聲音輸出部1203作爲主體 而構成。 在如此之大畫面電視1 200之中，因配設多數之有機 EL元件爲矩陣狀，故在中央部之有機EL元件之中，根據 電源線的配線電阻之電壓下降則成爲顯著，另，爲了控制 根據此配線電阻之電壓下降，在大畫面電視1 200之中， 係配設電源線爲格子狀，隨之，根據將上述實施型態之有 機EL裝置採用在顯示部丨20丨之情況，將可抑制連鎖短 路擴大至畫面全體之情況，由此，將可提供信賴性優越之 大畫面電視。 然而’本發明之有機EL裝置係不只配設電源線爲格 子狀之情況，而亦可適用於配設電源線爲條紋狀之情況， 另外’對於本發明所稱之配線係不只電源線，而亦包含掃 描線或資料線等之控制線，因此，本發明之有機EL裝置 -21 - • (19) · • (19) ·1299585 係亦可適用於抑制控制線與陰極之連鎖短路情況。 隨之，作爲具備本發明之有機EL裝置的電子機器， 並不限於大畫面電視，而例如亦可舉出數位相機或PC電 腦，小型電視，行動電視，取景型，螢幕直視型錄影機， PDA，行動遊戲機，呼叫機，電子手帳，電子計算機，時 鐘，文字處理機，工作站，電視電話，POS終端，具備觸 碰面板之機器等，另外，作爲具備針對本發明之有機EL 裝置的電子機器，亦可舉出車載用音響機器或汽車用儀 表，汽車導航裝置等之車載用顯示器，列表用的光寫入頭 等。 然而，本發明之技術範圍，並不限於上述之各實施型 態的構成，在不脫離本發明之主旨範圍，包含對於上述之 各實施型態加上各種變更之構成，即，在各實施型態所舉 出之具體的材料或構成等係只不過爲一例，而可做適當的 變更，例如，在上述實施型態之中，係將底部放射型的有 機EL裝置爲例做過說明，但，亦可將本發明適用在前放 射型之有機EL裝置情況。 【圖式簡單說明】 [圖1 ]爲一般之有機E L裝置之側面剖面圖。 [圖2]爲畫素電路之電路圖。 [圖3 ]爲電源線之配線圖。 [圖4]爲有關第1實施型態之有機EL裝置的平面 圖。 -22- • (20) * 1299585 [圖5 ]爲有關第1實施型態之有機EL裝置的側面剖 面圖。 [圖6]爲有關第2實施型態之有機EL裝置的平面 圖。 [圖7]爲遮蔽高阻抗部之硬式掩罩的平面圖。 [圖8]爲薄型大畫面電視的斜視構成圖。 [圖9]爲以往之有機EL裝置的說明圖 【主要元件符號說明】 2 :元件基板 3 :有機EL元件 4，402 :薄膜電晶體（TFT) 5 :驅動電路部 8 :電源線 9 :交叉部 φ 2 3 :畫素電極 25 :無機間隔壁 25a :無機間隔壁之側面 26 :畫素範圍 3 0 :密封基板 4 0 :接著層 50 :陰極 5 1 :無機密封膜 60 :發光層 -23- (21)' (21)'1299585 7 Ο :電洞注入層 8 0 :高阻抗部 8 1 :硬式掩罩 82 :遮蔽部 84 :連結構件 1 〇 1 :掃描線 1 0 3 :資料線 221 :有機間隔壁 221a :有機間隔壁之側面 2 4 1 :矽層 241a :通道範圍 24 1b :低濃度源極範圍 241c :低濃度汲極範圍 24 1D :高濃度汲極範圍 241S :高濃度源極範圍 242 :閘道電極 2 4 3 :源極電極 2 4 3 a ·接觸孔 244a :接觸孔 2 4 4 :汲極電極 281 :基底保護層 2 8 2 :閘道絕緣層 2 8 3 :第1層間絕緣層 284 :平坦化膜 -24 .(22)· .(22)·1299585 4 Ο Ο :畫素電路 4 1 Ο :容量元件 LR，LG，LB :主電源線

Lrl，Lgl，Lbl :第1副電源線

Lr2，Lg2，Lb2 :第2副電源線 1 2 0 0 :大畫面電視 1201 :顯示部 1 2 0 2 :框體 1 203 :聲音輸出部 Q :畫素連接點 5 :源極電極 G :閘道電極

-25-

Claims (1)

1. 的年♦月丨7日修(更)正本 1299585 十、申請專利範圍 第95 1 07957號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國97年4月17日修正 1· 一種有機電激發光裝置，其特徵乃具有第1之電 極、 和驅動前述第1之電極的配線、

   和具有較其他之部分，電阻爲高的高阻抗部，前述高 阻抗部之至少一部分乃與前述配線，平面性重疊地加以配 置的第2之電極， 和經由前述第1之電極及前述第2之電極所挾持的發 光層。 2 ·如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置，其 中，前述配線乃配設呈格子狀。 3 ·如申請專利範圍第1項或第2項之有機電激發光 裝置，其中，伴隨排列形成複數之前述發光層，前述第2 之電極乃具備複數之前述高阻抗部， 前述複數之高阻抗部乃與前述複數之發光層的間隔同 步，配置於前述發光層之周圍。 4·如申請專利範圍第3項之有機電激發光裝置，其 中，前述高阻抗部乃與配設呈格子狀之前述配線的交叉 部，平面性重疊地加以配置。 5 ·如申請專利範圍第3項之有機電激發光裝置，其 中，前述高阻抗部乃使前述第2之電極開口而形成。 1299585 6·如申請專利範圍第1項或第2項之有機電激發光 裝置’其中’伴隨排列形成複數之前述發光層，前述第2 之電極乃具備複數之前述高阻抗部， 前述複數之高阻抗部乃不與前述複數之發光層的間隔 同步而配置。

   7 ·如申請專利範圍第6項之有機電激發光裝置，其 中，前述複數之高阻抗部乃整齊排列配置於與前述複數之 發光層的排列方向交叉之方向。 8 ·如申請專利範圍第1項或第2項之有機電激發光 裝置，其中，前述第2之電極中，至少前述高阻抗部以外 的部分乃包含具有正之溫度係數材料而構成。 9. 一種電子機器，其特徵乃具備如申請專利範圍第 1項至第8項所記載之有機電激發光裝置。