JPH0539571A - 高透磁率アモルフアス軟質磁性膜用薄膜の製造法 - Google Patents
高透磁率アモルフアス軟質磁性膜用薄膜の製造法Info
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- JPH0539571A JPH0539571A JP3192899A JP19289991A JPH0539571A JP H0539571 A JPH0539571 A JP H0539571A JP 3192899 A JP3192899 A JP 3192899A JP 19289991 A JP19289991 A JP 19289991A JP H0539571 A JPH0539571 A JP H0539571A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】軟質磁性膜の透磁率を従来に比べて向上させる
こと、及び、従来よりも高い温度で作成可能なアモルフ
ァス軟質磁性膜用の薄膜製造法を提供すること 【構成】真空室１内に設けた基板５と対向させて軟質磁
性材料のターゲット６を取付けたカソード９を設け、該
真空室内に導入したスパッタガスをマグネトロン放電さ
せて、該基板に高透磁率アモルファス軟質磁性膜用の薄
膜を形成する方法に於いて、第３電極１４を設けてこれ
で該基板とターゲットの間の空間の電位を制御して成膜
する 【効果】基板に形成される薄膜が荷電粒子等のダメージ
を受けて微結晶化することがなくなり、薄膜全体をアモ
ルファス軟質磁性膜に形成し得てその後の回転磁界中の
アニールで高透磁率のアモルファス軟質磁性膜を得るこ
とができ、例えば磁気ヘッドに好都合である
こと、及び、従来よりも高い温度で作成可能なアモルフ
ァス軟質磁性膜用の薄膜製造法を提供すること 【構成】真空室１内に設けた基板５と対向させて軟質磁
性材料のターゲット６を取付けたカソード９を設け、該
真空室内に導入したスパッタガスをマグネトロン放電さ
せて、該基板に高透磁率アモルファス軟質磁性膜用の薄
膜を形成する方法に於いて、第３電極１４を設けてこれ
で該基板とターゲットの間の空間の電位を制御して成膜
する 【効果】基板に形成される薄膜が荷電粒子等のダメージ
を受けて微結晶化することがなくなり、薄膜全体をアモ
ルファス軟質磁性膜に形成し得てその後の回転磁界中の
アニールで高透磁率のアモルファス軟質磁性膜を得るこ
とができ、例えば磁気ヘッドに好都合である
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッド等の磁気材
料として使用される高透磁率アモルファス軟質磁性膜用
薄膜の製造法に関する。
料として使用される高透磁率アモルファス軟質磁性膜用
薄膜の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、高透磁率アモルファス軟質磁性膜
を基板に成膜する方法として、マグネトロンスパッタに
より基板にアモルファス軟質磁性膜を形成しておき、そ
のあと該基板を回転磁界中でアニールし、該アモルファ
ス軟質磁性膜を高透磁性に改質する方法が知られてい
る。この方法に使用されるマグネトロンスパッタ装置を
示せば図１の如くであり、スパッタガス導入口ａと真空
排気口ｂを備えた真空室ｃ内に、基板ホルダーｄに支持
された基板ｅとカソードｆにバッキングプレートｇを介
して取付けたターゲットｈとを対向して設け、該カソー
ドｆの背後に磁石ｉが設けられる。該基板ホルダーｄと
カソードｆは水冷される。ｊはシャッター、ｌはアース
シールドである。該カソードｆにはDC電源或いはRF電源
ｋが接続され，スパッタガス導入口ａからは、Arガスの
他Ｎ2ガス等の反応ガスが導入される。
を基板に成膜する方法として、マグネトロンスパッタに
より基板にアモルファス軟質磁性膜を形成しておき、そ
のあと該基板を回転磁界中でアニールし、該アモルファ
ス軟質磁性膜を高透磁性に改質する方法が知られてい
る。この方法に使用されるマグネトロンスパッタ装置を
示せば図１の如くであり、スパッタガス導入口ａと真空
排気口ｂを備えた真空室ｃ内に、基板ホルダーｄに支持
された基板ｅとカソードｆにバッキングプレートｇを介
して取付けたターゲットｈとを対向して設け、該カソー
ドｆの背後に磁石ｉが設けられる。該基板ホルダーｄと
カソードｆは水冷される。ｊはシャッター、ｌはアース
シールドである。該カソードｆにはDC電源或いはRF電源
ｋが接続され，スパッタガス導入口ａからは、Arガスの
他Ｎ2ガス等の反応ガスが導入される。
【０００３】図示装置に於いて、カソードｆに電圧が印
加されると、真空室ｃ内に導入したスパッタガスが主と
して磁石ｉの磁界で囲まれた領域内でグロー放電し、正
イオン化したガス成分が負に帯電したターゲットｈに衝
突し、スパッタされた該ターゲットｈの材料が基板ｅに
薄膜状に析出する。高透磁率アモルファス軟質磁性膜を
形成する場合、ターゲットｈに例えばCo−Zr−Re合金が
使用され、その成分のアモルファス軟質磁性膜或いはこ
れにスパッタガスの成分が加わったアモルファス軟質磁
性膜が基板ｅに形成され、その後、該基板ｅを回転磁界
中でアニールして薄膜の歪みを除去すると、透磁率の比
較的良いアモルファス軟質磁性膜が得られる。
加されると、真空室ｃ内に導入したスパッタガスが主と
して磁石ｉの磁界で囲まれた領域内でグロー放電し、正
イオン化したガス成分が負に帯電したターゲットｈに衝
突し、スパッタされた該ターゲットｈの材料が基板ｅに
薄膜状に析出する。高透磁率アモルファス軟質磁性膜を
形成する場合、ターゲットｈに例えばCo−Zr−Re合金が
使用され、その成分のアモルファス軟質磁性膜或いはこ
れにスパッタガスの成分が加わったアモルファス軟質磁
性膜が基板ｅに形成され、その後、該基板ｅを回転磁界
中でアニールして薄膜の歪みを除去すると、透磁率の比
較的良いアモルファス軟質磁性膜が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の方法に
よりアモルファス軟質磁性膜を作成した場合、透磁率の
著しく良好なものが得られなかった。これは、マグネト
ロンスパッタにより基板に成膜するとき、カソードが作
り出すプラズマ、荷電粒子、電子が磁石ｉの拘束を振り
切って基板ｅに到達し、これらが形成される膜にダメー
ジを与えて膜を微結晶化してしまうようになること、そ
して、成膜時に基板ｅの温度がわずかに上昇しても膜を
微結晶化させてしまうことが原因であると考えられる。
膜が結晶化すると、磁性材料の持つ結晶磁気異方性が発
現し、これにより軟磁気特性が大幅に劣化してしまう
が、膜がアモルファスのままであれば、結晶磁気異方性
は現れない。
よりアモルファス軟質磁性膜を作成した場合、透磁率の
著しく良好なものが得られなかった。これは、マグネト
ロンスパッタにより基板に成膜するとき、カソードが作
り出すプラズマ、荷電粒子、電子が磁石ｉの拘束を振り
切って基板ｅに到達し、これらが形成される膜にダメー
ジを与えて膜を微結晶化してしまうようになること、そ
して、成膜時に基板ｅの温度がわずかに上昇しても膜を
微結晶化させてしまうことが原因であると考えられる。
膜が結晶化すると、磁性材料の持つ結晶磁気異方性が発
現し、これにより軟磁気特性が大幅に劣化してしまう
が、膜がアモルファスのままであれば、結晶磁気異方性
は現れない。
【０００５】本発明は、軟質磁性膜の透磁率を従来に比
べて向上させること、及び、従来よりも高い温度で作成
可能なアモルファス軟質磁性膜用の薄膜製造法を提供す
ることを目的とするものである。
べて向上させること、及び、従来よりも高い温度で作成
可能なアモルファス軟質磁性膜用の薄膜製造法を提供す
ることを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記の各目
的を達成するために、真空室内に設けた基板と対向させ
て軟質磁性材料のターゲットを取付けたカソードを設
け、該真空室内に導入したスパッタガスをマグネトロン
放電させて、該基板に高透磁率アモルファス軟質磁性膜
用の薄膜を形成する方法に於いて、第３電極を設けてこ
れで該基板とターゲットの間の空間の電位を制御して成
膜するようにした。該第３電極は例えば基板とターゲッ
トとの間に設けた電位が略０ボルトの金属メッシュが使
用される。
的を達成するために、真空室内に設けた基板と対向させ
て軟質磁性材料のターゲットを取付けたカソードを設
け、該真空室内に導入したスパッタガスをマグネトロン
放電させて、該基板に高透磁率アモルファス軟質磁性膜
用の薄膜を形成する方法に於いて、第３電極を設けてこ
れで該基板とターゲットの間の空間の電位を制御して成
膜するようにした。該第３電極は例えば基板とターゲッ
トとの間に設けた電位が略０ボルトの金属メッシュが使
用される。
【０００７】
【作用】真空室内でカソードに電位を与えてマグネトロ
ンスパッタを行なうと、基板にターゲットの軟質磁性材
料の成分を有する薄膜が形成されるが、該カソードが作
り出すマグネトロン放電のプラズマ、荷電粒子、電子
は、適当な電位に制御された第３電極によって基板に到
達することが阻止されるので、これらプラズマ等が基板
に形成されるアモルファスの薄膜にダメージを与えるこ
とがなくなり、薄膜が微結晶化することが防止される。
そのため、該薄膜を回転磁界中でアニールすると、透磁
率が従来のものよりも著しく高い軟質磁性膜が得られ
る。また、基板はプラズマ等のダメージを受けなくなる
ので、微結晶化しにくくなり、基板自体の温度が従来の
場合よりも高くてもアモルファス軟質磁性薄膜の成膜が
可能になる。
ンスパッタを行なうと、基板にターゲットの軟質磁性材
料の成分を有する薄膜が形成されるが、該カソードが作
り出すマグネトロン放電のプラズマ、荷電粒子、電子
は、適当な電位に制御された第３電極によって基板に到
達することが阻止されるので、これらプラズマ等が基板
に形成されるアモルファスの薄膜にダメージを与えるこ
とがなくなり、薄膜が微結晶化することが防止される。
そのため、該薄膜を回転磁界中でアニールすると、透磁
率が従来のものよりも著しく高い軟質磁性膜が得られ
る。また、基板はプラズマ等のダメージを受けなくなる
ので、微結晶化しにくくなり、基板自体の温度が従来の
場合よりも高くてもアモルファス軟質磁性薄膜の成膜が
可能になる。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例を図２に基づき説明すると、
同図の符号１はArガス等の不活性ガス、或いはこれに加
えてＮ2ガス等の反応性ガスを導入するスパッタガス導
入口２と真空ポンプに接続された真空排気口３を備えた
真空室を示し、該真空室１内には、アース電位の基板ホ
ルダ４に取付けられたコーニング７０５９ガラス等の基
板５と、Co91−Zr8 −Re3 、Co-Zr 、Co-Zr-Nb、Co-Fe-
Nb、Fe-Co-Si-B、Co-Fe-Zr-Re 、Co-Nb-Ru、Fe-Cr-B 等
の軟質磁性材料のターゲット６とを対向して設け、該タ
ーゲット６をDC或いはRF電源７に接続され且つ背後に磁
石８を備えたカソード９の前面に取付けした。該カソー
ド９は配管１０を循環する冷却水により冷却され、基板
ホルダ４も同様に冷却される。１１はシャッター、１２
はアースシールドである。
同図の符号１はArガス等の不活性ガス、或いはこれに加
えてＮ2ガス等の反応性ガスを導入するスパッタガス導
入口２と真空ポンプに接続された真空排気口３を備えた
真空室を示し、該真空室１内には、アース電位の基板ホ
ルダ４に取付けられたコーニング７０５９ガラス等の基
板５と、Co91−Zr8 −Re3 、Co-Zr 、Co-Zr-Nb、Co-Fe-
Nb、Fe-Co-Si-B、Co-Fe-Zr-Re 、Co-Nb-Ru、Fe-Cr-B 等
の軟質磁性材料のターゲット６とを対向して設け、該タ
ーゲット６をDC或いはRF電源７に接続され且つ背後に磁
石８を備えたカソード９の前面に取付けした。該カソー
ド９は配管１０を循環する冷却水により冷却され、基板
ホルダ４も同様に冷却される。１１はシャッター、１２
はアースシールドである。
【０００９】こうした構成に於いて、該カソード９に電
源７から電位を与えると、該カソード９の前方に磁石８
の磁界に拘束されたマグネトロン放電が発生し、ガス中
の正イオンが負電位のターゲット６に衝突してスパッタ
された材料が基板５に薄膜状に付着する。従来の場合、
マグネトロン放電により発生するプラズマ、荷電粒子、
電子が基板５に到達し、そのダメージのために基板５に
形成される薄膜が微結晶化してしまい、回転磁界中アニ
ールしても大きな結晶磁気異方性が生じてしまい、良好
な軟磁気特性が得られない欠点があったが、本発明の場
合は、該基板５とターゲット６の間の空間１３の電位を
第３電極１４で変化させ、カソード９の前方で発生する
マグネトロン放電のプラズマ、荷電粒子、電子が基板５
に到達しないように制御するもので、該第３電極１４は
プラス或いはマイナス或いはフローティングに制御さ
れ、これがプラスに制御された場合、プラズマ中の電子
が該第３電極に流れ込むのでプラズマ中から基板５へ到
達する電子の量が少なくなるとともに、Arイオンは押し
戻され、また、マイナスに制御された場合、Arイオンが
該第３電極１４に流れ込んで基板５へ到達するイオンの
量が少なくなるとともに電子は押し戻される。アース電
位に制御された場合も、これらの効果は認められる。そ
のため、基板５はプラズマ等から受けるダメージが少な
くなってそこに形成される薄膜の微結晶化が発生せず、
アモルファスの軟質磁性膜を形成できる。更に、第３電
極１４をフローティングとした場合、プラズマ中の荷電
粒子および電子の平均エネルギーに応じて自動的に第３
電極１４の電位が決まる。もしその電位がプラスならば
電子が流入し、その電位における電子・負イオンと正イ
オンの流入量が等しくなるような適当な値になるまで流
入が続き、この電位の効果により基板５に到達する電子
およびイオンの量を減少させ得て微結晶化のないアモル
ファスの軟質磁性膜が得られる。一般的にはフローティ
ングの場合、第３電極１４はマイナスになる。必要なら
ば基板ホルダ４にバイアス電圧を印加してもよい。１５
は可変のDC電源である。
源７から電位を与えると、該カソード９の前方に磁石８
の磁界に拘束されたマグネトロン放電が発生し、ガス中
の正イオンが負電位のターゲット６に衝突してスパッタ
された材料が基板５に薄膜状に付着する。従来の場合、
マグネトロン放電により発生するプラズマ、荷電粒子、
電子が基板５に到達し、そのダメージのために基板５に
形成される薄膜が微結晶化してしまい、回転磁界中アニ
ールしても大きな結晶磁気異方性が生じてしまい、良好
な軟磁気特性が得られない欠点があったが、本発明の場
合は、該基板５とターゲット６の間の空間１３の電位を
第３電極１４で変化させ、カソード９の前方で発生する
マグネトロン放電のプラズマ、荷電粒子、電子が基板５
に到達しないように制御するもので、該第３電極１４は
プラス或いはマイナス或いはフローティングに制御さ
れ、これがプラスに制御された場合、プラズマ中の電子
が該第３電極に流れ込むのでプラズマ中から基板５へ到
達する電子の量が少なくなるとともに、Arイオンは押し
戻され、また、マイナスに制御された場合、Arイオンが
該第３電極１４に流れ込んで基板５へ到達するイオンの
量が少なくなるとともに電子は押し戻される。アース電
位に制御された場合も、これらの効果は認められる。そ
のため、基板５はプラズマ等から受けるダメージが少な
くなってそこに形成される薄膜の微結晶化が発生せず、
アモルファスの軟質磁性膜を形成できる。更に、第３電
極１４をフローティングとした場合、プラズマ中の荷電
粒子および電子の平均エネルギーに応じて自動的に第３
電極１４の電位が決まる。もしその電位がプラスならば
電子が流入し、その電位における電子・負イオンと正イ
オンの流入量が等しくなるような適当な値になるまで流
入が続き、この電位の効果により基板５に到達する電子
およびイオンの量を減少させ得て微結晶化のないアモル
ファスの軟質磁性膜が得られる。一般的にはフローティ
ングの場合、第３電極１４はマイナスになる。必要なら
ば基板ホルダ４にバイアス電圧を印加してもよい。１５
は可変のDC電源である。
【００１０】こうして基板５に形成された薄膜を回転磁
界中でアニールすると、透磁率の極めて高いアモルファ
ス軟質磁性膜が得られ、例えば磁気ヘッドに好都合に適
用できる。図示の例では、該第３電極１４を金属メッシ
ュで構成し、基板５とターゲット６の中間に介在させた
が、金属メッシュの変りにパンチングメタル状、適当な
間隔で配列されたフィン又は棒その他の透孔を有する金
属材料で構成することも可能であり、また、その設置場
所をカソード又は基板を囲む位置とすることも可能であ
る。
界中でアニールすると、透磁率の極めて高いアモルファ
ス軟質磁性膜が得られ、例えば磁気ヘッドに好都合に適
用できる。図示の例では、該第３電極１４を金属メッシ
ュで構成し、基板５とターゲット６の中間に介在させた
が、金属メッシュの変りにパンチングメタル状、適当な
間隔で配列されたフィン又は棒その他の透孔を有する金
属材料で構成することも可能であり、また、その設置場
所をカソード又は基板を囲む位置とすることも可能であ
る。
【００１１】本発明の具体的実施例を述べれば次の通り
である。図２の装置構成に於いて、基板５としてコーニ
ング７０５９ガラス、ターゲット６としてCo91−Zr8 −
Re3 を設け、スパッタガス導入口２からArガスを導入
し、真空室１内を８×１０- 4Torrに制御した。そし
て、カソード９にDC３００Ｗを印加し、第３電極１４を
約０ボルトとしてマグネトロンスパッタを３０分行なっ
た。基板５の温度は４３℃以下であった。該基板５には
２μｍのCo−Zr−Reの薄膜が形成された。この薄膜をAr
雰囲気中で３０００ｅ、３５０℃、６０ｒｐｍ、６０ｍ
ｉｎの条件で回転磁界中アニールした。
である。図２の装置構成に於いて、基板５としてコーニ
ング７０５９ガラス、ターゲット６としてCo91−Zr8 −
Re3 を設け、スパッタガス導入口２からArガスを導入
し、真空室１内を８×１０- 4Torrに制御した。そし
て、カソード９にDC３００Ｗを印加し、第３電極１４を
約０ボルトとしてマグネトロンスパッタを３０分行なっ
た。基板５の温度は４３℃以下であった。該基板５には
２μｍのCo−Zr−Reの薄膜が形成された。この薄膜をAr
雰囲気中で３０００ｅ、３５０℃、６０ｒｐｍ、６０ｍ
ｉｎの条件で回転磁界中アニールした。
【００１２】アニール前の薄膜を透過電子線回折したと
ころ、図３に示すように周囲にリング状のハロー回折パ
ターン１６が見られるだけで、明らかにアモルファス状
態であることが確認された。一方、第３電極１４のない
従来の方法で作成したものは、図４に示すように周囲に
リング状の回折パターン１６は見られるが、リング中に
は微結晶化したことを示すスポット１７が観察された。
従って、本発明方法によれば微結晶化のないアモルファ
ス軟質磁性膜が形成できることがわかる。
ころ、図３に示すように周囲にリング状のハロー回折パ
ターン１６が見られるだけで、明らかにアモルファス状
態であることが確認された。一方、第３電極１４のない
従来の方法で作成したものは、図４に示すように周囲に
リング状の回折パターン１６は見られるが、リング中に
は微結晶化したことを示すスポット１７が観察された。
従って、本発明方法によれば微結晶化のないアモルファ
ス軟質磁性膜が形成できることがわかる。
【００１３】また、アニール後の薄膜の透磁率を調べた
ところ、図５に見られるように、１７０００にもなり、
この値は第３電極１４のない従来の方法で作成したアモ
ルファス軟質磁性膜の透磁率８０００（DCマグネトロ
ン）、６３００（RFマグネトロン）よりも著しく高い。
ところ、図５に見られるように、１７０００にもなり、
この値は第３電極１４のない従来の方法で作成したアモ
ルファス軟質磁性膜の透磁率８０００（DCマグネトロ
ン）、６３００（RFマグネトロン）よりも著しく高い。
【００１４】更に、基板５の成膜中の温度は、図６に見
られるように、２００℃以下であれば９０００〜１７０
００の透磁率が得られ、従来の方法では５０℃が限度で
あったことに比べれば成膜許容温度が広く、冷却が容易
になる。
られるように、２００℃以下であれば９０００〜１７０
００の透磁率が得られ、従来の方法では５０℃が限度で
あったことに比べれば成膜許容温度が広く、冷却が容易
になる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、マグネト
ロンスパッタにより基板に高透磁率アモルファス軟質磁
性膜用の薄膜を形成する方法に於いて、第３電極を設け
てこれで該基板とターゲットの間の空間の電位を制御し
て成膜するようにしたので、基板に形成される薄膜が荷
電粒子等のダメージを受けて微結晶化することがなくな
り、薄膜全体をアモルファス軟質磁性膜に形成し得てそ
の後の回転磁界中のアニールで高透磁率のアモルファス
軟質磁性膜を得ることができ、例えば磁気ヘッドに好都
合である等の効果がある。
ロンスパッタにより基板に高透磁率アモルファス軟質磁
性膜用の薄膜を形成する方法に於いて、第３電極を設け
てこれで該基板とターゲットの間の空間の電位を制御し
て成膜するようにしたので、基板に形成される薄膜が荷
電粒子等のダメージを受けて微結晶化することがなくな
り、薄膜全体をアモルファス軟質磁性膜に形成し得てそ
の後の回転磁界中のアニールで高透磁率のアモルファス
軟質磁性膜を得ることができ、例えば磁気ヘッドに好都
合である等の効果がある。
【図１】従来の製造法の説明図
【図２】本発明の高透磁率アモルファス軟質磁性膜用薄
膜の製造法の説明図
膜の製造法の説明図
【図３】本発明の製造法により作成されたアモルファス
軟質磁性膜の透過電子線回折像
軟質磁性膜の透過電子線回折像
【図４】従来の製造法により作成されたアモルファス軟
質磁性膜の透過電子線回折像
質磁性膜の透過電子線回折像
【図５】本発明の方法により作成されたアモルファス軟
質磁性膜の透磁率と従来の製造法により作成されたアモ
ルファス軟質磁性膜の透磁率の比較図
質磁性膜の透磁率と従来の製造法により作成されたアモ
ルファス軟質磁性膜の透磁率の比較図
【図６】本発明の方法により作成されたアモルファス軟
質磁性膜の透磁率と基板温度の関係の線図
質磁性膜の透磁率と基板温度の関係の線図
１ 真空室 ２ スパッタガス導
入口 ３ 真空排気口 ４ 基板ホルダ ５ 基板 ６ ターゲット ７ 電源 ８ 磁石 ９ カソード １３ 空間 １４ 第３電極 １５ DC電源
入口 ３ 真空排気口 ４ 基板ホルダ ５ 基板 ６ ターゲット ７ 電源 ８ 磁石 ９ カソード １３ 空間 １４ 第３電極 １５ DC電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 14/35 8414−4Ｋ (72)発明者 太田 賀文 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】真空室内に設けた基板と対向させて軟質磁
性材料のターゲットを取付けたカソードを設け、該真空
室内に導入したスパッタガスをマグネトロン放電させ
て、該基板に高透磁率アモルファス軟質磁性膜用の薄膜
を形成する方法に於いて、第３電極を設けてこれで該基
板とターゲットの間の空間の電位を制御して成膜するこ
とを特徴とする高透磁率アモルファス軟質磁性膜用薄膜
の製造法。 - 【請求項２】上記ターゲットを、Co−Zr−Re、Co−Zr−
Nb等の軟質磁性材料の合金とし、上記第３電極を、メッ
シュ状、パンチングメタル状、適当な間隔で配列された
フィン又は棒その他の透孔を有する金属材料で形成して
上記基板とカソードとの間の空間に介在させ、該第３電
極の電位をフローティング又は適当な電位に制御するこ
とを特徴とする請求項１に記載の高透磁率アモルファス
軟質磁性膜用薄膜の製造法。 - 【請求項３】上記第３電極に、カソード又は基板の周囲
を取囲む金属材料で形成したものを使用することを特徴
とする請求項１に記載の高透磁率アモルファス軟質磁性
膜用薄膜の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3192899A JPH0539571A (ja) | 1991-08-01 | 1991-08-01 | 高透磁率アモルフアス軟質磁性膜用薄膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3192899A JPH0539571A (ja) | 1991-08-01 | 1991-08-01 | 高透磁率アモルフアス軟質磁性膜用薄膜の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0539571A true JPH0539571A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=16298834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3192899A Pending JPH0539571A (ja) | 1991-08-01 | 1991-08-01 | 高透磁率アモルフアス軟質磁性膜用薄膜の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0539571A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009249655A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Fujifilm Corp | Ｚｎ含有複合酸化物膜の成膜方法 |
| JP2012229490A (ja) * | 2012-07-12 | 2012-11-22 | Fujifilm Corp | 成膜方法 |
| US10693013B2 (en) | 2015-04-13 | 2020-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
-
1991
- 1991-08-01 JP JP3192899A patent/JPH0539571A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009249655A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Fujifilm Corp | Ｚｎ含有複合酸化物膜の成膜方法 |
| JP2012229490A (ja) * | 2012-07-12 | 2012-11-22 | Fujifilm Corp | 成膜方法 |
| US10693013B2 (en) | 2015-04-13 | 2020-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| US11217703B2 (en) | 2015-04-13 | 2022-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
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