JPH05140741A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
- Publication number
- JPH05140741A JPH05140741A JP30172091A JP30172091A JPH05140741A JP H05140741 A JPH05140741 A JP H05140741A JP 30172091 A JP30172091 A JP 30172091A JP 30172091 A JP30172091 A JP 30172091A JP H05140741 A JPH05140741 A JP H05140741A
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- Japan
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- sputtering
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- targets
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- magnetic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板に磁性膜を、磁性体の異物が付着しない
ように形成できるスパッタ装置の提供。 【構成】 磁性材料によってつくられ、かつスパッタ面
３，４が空間を隔てて対面するように平行に配置され
た、陰極となる１対のターゲット１，２と、両ターゲッ
ト１，２の間にスパッタ面にほぼ垂直な方向のスパッタ
磁界を発生する磁石１２とを有し、かつ前記スパッタ磁
界の外周部に同磁界の方向とほぼ平行に配置した基板１
０の成膜面に磁性膜を形成するスパッタ装置において、
前記ターゲット１，２の外周近傍であって、ターゲット
１，２に電気的に接触しない位置に磁石１３を配設した
もの。
ように形成できるスパッタ装置の提供。 【構成】 磁性材料によってつくられ、かつスパッタ面
３，４が空間を隔てて対面するように平行に配置され
た、陰極となる１対のターゲット１，２と、両ターゲッ
ト１，２の間にスパッタ面にほぼ垂直な方向のスパッタ
磁界を発生する磁石１２とを有し、かつ前記スパッタ磁
界の外周部に同磁界の方向とほぼ平行に配置した基板１
０の成膜面に磁性膜を形成するスパッタ装置において、
前記ターゲット１，２の外周近傍であって、ターゲット
１，２に電気的に接触しない位置に磁石１３を配設した
もの。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁性膜を歩留り良く
形成することができる対向ターゲット方式のスパッタ装
置に関するものである。
形成することができる対向ターゲット方式のスパッタ装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録分野において高密度記録
を達成するための様々な研究・開発がなされている。そ
の１つとして磁性薄膜の形成技術が注目されている。
を達成するための様々な研究・開発がなされている。そ
の１つとして磁性薄膜の形成技術が注目されている。
【０００３】従来、この磁性薄膜の作成には、特公昭６
１−６１１６４号公報に開示されているような２極スパ
ッタ装置が使われていたが、成膜速度が遅いため、量産
装置としては不向きであった。
１−６１１６４号公報に開示されているような２極スパ
ッタ装置が使われていたが、成膜速度が遅いため、量産
装置としては不向きであった。
【０００４】そこで、近年になって成膜速度の早いスパ
ッタ装置としてマグネトロン型スパッタ装置が開発さ
れ、半導体薄膜形成に良く用いられるようになった。こ
のマグネトロン型スパッタ装置は、ターゲット電極の裏
側に配置した磁石より発生する磁界によってターゲット
近傍に発生したプラズマの密度を上げることで高速成膜
を可能にしたものである。
ッタ装置としてマグネトロン型スパッタ装置が開発さ
れ、半導体薄膜形成に良く用いられるようになった。こ
のマグネトロン型スパッタ装置は、ターゲット電極の裏
側に配置した磁石より発生する磁界によってターゲット
近傍に発生したプラズマの密度を上げることで高速成膜
を可能にしたものである。
【０００５】ところが、この装置にあっては、ターゲッ
ト材料が磁性体であると、磁束がターゲット内を通り、
ターゲット近傍のもれ磁束が減少してしまうため、プラ
ズマ密度が上がらず、成膜速度も大きくならない欠点が
ある。
ト材料が磁性体であると、磁束がターゲット内を通り、
ターゲット近傍のもれ磁束が減少してしまうため、プラ
ズマ密度が上がらず、成膜速度も大きくならない欠点が
ある。
【０００６】以上の欠点を解決するスパッタ装置として
提案されたのが、対向ターゲット方式のものである。こ
の対向ターゲット方式のスパッタ装置は、例えば、「応
用物理」第４８巻（１９７９）第６号Ｐ５５８〜Ｐ５５
９にすでに開示されているもので、図４に示すように、
陰極となる一対のターゲット２１，２２をそれぞれのス
パッタ面２３，２４が空間Ｓを置いて対面するように設
けるとともに、両スパッタ面２３，２４に垂直な方向の
磁界Ｈを発生する手段２５，２６を設け、前記空間Ｓの
側方に配した基板ホールダ２７に取り付けた基板２８上
に膜形成をするようにした構成のものである。この装置
は、高速低温の膜形成ができる点で優れたものである。
提案されたのが、対向ターゲット方式のものである。こ
の対向ターゲット方式のスパッタ装置は、例えば、「応
用物理」第４８巻（１９７９）第６号Ｐ５５８〜Ｐ５５
９にすでに開示されているもので、図４に示すように、
陰極となる一対のターゲット２１，２２をそれぞれのス
パッタ面２３，２４が空間Ｓを置いて対面するように設
けるとともに、両スパッタ面２３，２４に垂直な方向の
磁界Ｈを発生する手段２５，２６を設け、前記空間Ｓの
側方に配した基板ホールダ２７に取り付けた基板２８上
に膜形成をするようにした構成のものである。この装置
は、高速低温の膜形成ができる点で優れたものである。
【０００７】すなわち、スパッタ面２３，２４に垂直な
方向に３００〜５００［Ｏｅ］の磁界Ｈを発生させれ
ば、対向ターゲット２１，２２間の空間Ｓ内に、スパッ
タ面２３，２４から放出された高エネルギーの電子を閉
じ込めることができる。
方向に３００〜５００［Ｏｅ］の磁界Ｈを発生させれ
ば、対向ターゲット２１，２２間の空間Ｓ内に、スパッ
タ面２３，２４から放出された高エネルギーの電子を閉
じ込めることができる。
【０００８】従って、この多数の電子が基板２８まで到
達しなくなるので、イオンを収束する電界が形成され
ず、スパッタガスのイオン化が促進されてスパッタ速度
が早くなる。また、基板２８への電子の衝突がほとんど
ないので基板温度はあまり上昇しない。なお、図中、２
９，３０，３１，３２はシールド板である。
達しなくなるので、イオンを収束する電界が形成され
ず、スパッタガスのイオン化が促進されてスパッタ速度
が早くなる。また、基板２８への電子の衝突がほとんど
ないので基板温度はあまり上昇しない。なお、図中、２
９，３０，３１，３２はシールド板である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、ターゲット２１，２２が磁性材料であると、
磁界Ｈによってターゲット２１，２２が磁化されて、い
わゆる磁石となるので、基板２８以外のシールド板２９
〜３２、基板ホールダ２７等に付着した磁性膜がはがれ
た場合、その膜片３３は磁性体であるため、スパッタ面
２３，２４に吸引されてしまう。そうすると、この膜片
３３によって、その近傍に電界の集中が起こり、膜片３
３がスパークしたり、急激に加熱されて飛散したりし
て、基板２８に異物もしくは大きな粒となって付着して
しまう欠点があった。このため、製品の歩留りが大幅に
低下してしまうという問題点があった。
来例では、ターゲット２１，２２が磁性材料であると、
磁界Ｈによってターゲット２１，２２が磁化されて、い
わゆる磁石となるので、基板２８以外のシールド板２９
〜３２、基板ホールダ２７等に付着した磁性膜がはがれ
た場合、その膜片３３は磁性体であるため、スパッタ面
２３，２４に吸引されてしまう。そうすると、この膜片
３３によって、その近傍に電界の集中が起こり、膜片３
３がスパークしたり、急激に加熱されて飛散したりし
て、基板２８に異物もしくは大きな粒となって付着して
しまう欠点があった。このため、製品の歩留りが大幅に
低下してしまうという問題点があった。
【００１０】この発明は、このような従来の問題点を解
決するためになされたもので、基板に磁性膜を歩留り良
く形成することができるスパッタ装置を提供することを
目的とする。
決するためになされたもので、基板に磁性膜を歩留り良
く形成することができるスパッタ装置を提供することを
目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明が提供するスパ
ッタ装置は、スパッタ面が一定の空間を置いて対面する
ように平行に配置された１対のターゲットと、両ターゲ
ットの間にスパッタ面と直交する方向のスパッタ磁界を
発生する第１の磁界発生手段と、前記一定の空間の外周
部にターゲットの軸心とほぼ平行に配置された基板ホル
ダとを有するスパッタ装置において、前記ターゲットの
外周部であって、ターゲットに電気的に接触しない位置
に、第２の磁界発生手段を配設したものである。
ッタ装置は、スパッタ面が一定の空間を置いて対面する
ように平行に配置された１対のターゲットと、両ターゲ
ットの間にスパッタ面と直交する方向のスパッタ磁界を
発生する第１の磁界発生手段と、前記一定の空間の外周
部にターゲットの軸心とほぼ平行に配置された基板ホル
ダとを有するスパッタ装置において、前記ターゲットの
外周部であって、ターゲットに電気的に接触しない位置
に、第２の磁界発生手段を配設したものである。
【００１２】
【作用】この発明のスパッタ装置においては、装置内の
各部からはがれた磁性体からなる膜片は、ターゲットの
スパッタ面に吸引されることなく、第２の磁性発生手段
に吸引，捕獲される。このため、基板に成膜される磁性
膜には、ターゲットから飛来する膜片の混入がなくな
り、歩留り良く、高速で磁性膜を形成することができ
る。
各部からはがれた磁性体からなる膜片は、ターゲットの
スパッタ面に吸引されることなく、第２の磁性発生手段
に吸引，捕獲される。このため、基板に成膜される磁性
膜には、ターゲットから飛来する膜片の混入がなくな
り、歩留り良く、高速で磁性膜を形成することができ
る。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の実施例を図によって説明す
る。
る。
【００１４】（実施例１）図１は実施例１の対向ターゲ
ット方式のスパッタ装置を模式的に示したものである。
図において、１，２は陰極となる円板状のターゲット
で、それぞれのスパッタ面３，４が一定の空間Ｓを置い
て対面するように平行に配設されている。両ターゲット
１，２は、磁性材料（例えば、センダスト，Ｃｏ−Ｃｒ
等の磁性合金）でできていて、ターゲット用ブロック
５，６に取り付けられている。７はスパッタ用直流電
源、７ａはカソード電極、８は真空チャンバー、９は真
空チャンバー８に設けたスパッタシールド板（材質はＳ
ｕＳ）で、ターゲット１，２の外周に配設されている。
１０は基板ホールダ１１に取り付けた基板、１２はスパ
ッタ面３，４にほぼ垂直な方向のスパッタ磁界Ｈ1 を発
生するための磁石、１３はスパッタシールド板９内であ
って、ターゲット１，２の外周近傍に、ターゲット１，
２と電気的に接触しないように設けられた環状の磁石
で、基板７以外の部分に付着した磁性膜がはがれて生ず
る膜片を捕獲するための磁界Ｈ2 を発生する。１４は真
空チャンバー８とターゲット用ブロック５，６の間をシ
ールするＯリングである。
ット方式のスパッタ装置を模式的に示したものである。
図において、１，２は陰極となる円板状のターゲット
で、それぞれのスパッタ面３，４が一定の空間Ｓを置い
て対面するように平行に配設されている。両ターゲット
１，２は、磁性材料（例えば、センダスト，Ｃｏ−Ｃｒ
等の磁性合金）でできていて、ターゲット用ブロック
５，６に取り付けられている。７はスパッタ用直流電
源、７ａはカソード電極、８は真空チャンバー、９は真
空チャンバー８に設けたスパッタシールド板（材質はＳ
ｕＳ）で、ターゲット１，２の外周に配設されている。
１０は基板ホールダ１１に取り付けた基板、１２はスパ
ッタ面３，４にほぼ垂直な方向のスパッタ磁界Ｈ1 を発
生するための磁石、１３はスパッタシールド板９内であ
って、ターゲット１，２の外周近傍に、ターゲット１，
２と電気的に接触しないように設けられた環状の磁石
で、基板７以外の部分に付着した磁性膜がはがれて生ず
る膜片を捕獲するための磁界Ｈ2 を発生する。１４は真
空チャンバー８とターゲット用ブロック５，６の間をシ
ールするＯリングである。
【００１５】上記磁石１２と磁石１３にはＳｍ−Ｃｏ系
磁石が用いられ、対向する両磁石間の中心磁界Ｈ1 ，Ｈ
2 は、それぞれ図２のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれる範囲に
なるように設定されている。なお、図２中、破線は磁石
１３がない場合の磁界を示す。
磁石が用いられ、対向する両磁石間の中心磁界Ｈ1 ，Ｈ
2 は、それぞれ図２のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれる範囲に
なるように設定されている。なお、図２中、破線は磁石
１３がない場合の磁界を示す。
【００１６】また上記ターゲット１，２にはセンダスト
合金製で、φ５インチ×１０ｔのものが用いられ、ター
ゲット１，２間距離は１３０mmである。なお、１５はＡ
ｒガス導入口、１６は真空排気口である。
合金製で、φ５インチ×１０ｔのものが用いられ、ター
ゲット１，２間距離は１３０mmである。なお、１５はＡ
ｒガス導入口、１６は真空排気口である。
【００１７】次に、上記スパッタ装置を用いてセンダス
ト合金膜を成膜した場合の例を説明する。真空チャンバ
ー８内を真空排気ポンプによって２×１０-6Ｔｏｒｒ程
度まで減圧し、そこにＡｒガスをマスフローにより５×
１０-3Ｔｏｒｒの圧力になるように導入した。その後、
ターゲット１，２にそれぞれ１０００Ｖの直流電圧を印
加し、ターゲット１，２間に直流グロー放電を発生させ
た。この時のターゲット１，２に流れるイオン電流は、
それぞれ２Ａになるように、定電流制御を行った。その
際の基板１０に成膜されるセンダスト合金膜の成膜速度
は５００オングストローム／ｍｉｎであった。なお、タ
ーゲット１，２の中心軸から基板１０までの距離は１２
０mmとした。このようにして４０分間成膜を行ったとこ
ろ、厚さ２０μｍのセンダスト合金膜を得た。そして、
以上述べた要領で、同様に５０バッチ成膜を繰り返し
た。
ト合金膜を成膜した場合の例を説明する。真空チャンバ
ー８内を真空排気ポンプによって２×１０-6Ｔｏｒｒ程
度まで減圧し、そこにＡｒガスをマスフローにより５×
１０-3Ｔｏｒｒの圧力になるように導入した。その後、
ターゲット１，２にそれぞれ１０００Ｖの直流電圧を印
加し、ターゲット１，２間に直流グロー放電を発生させ
た。この時のターゲット１，２に流れるイオン電流は、
それぞれ２Ａになるように、定電流制御を行った。その
際の基板１０に成膜されるセンダスト合金膜の成膜速度
は５００オングストローム／ｍｉｎであった。なお、タ
ーゲット１，２の中心軸から基板１０までの距離は１２
０mmとした。このようにして４０分間成膜を行ったとこ
ろ、厚さ２０μｍのセンダスト合金膜を得た。そして、
以上述べた要領で、同様に５０バッチ成膜を繰り返し
た。
【００１８】このようにして得られたセンダスト合金膜
の外観を光学顕微鏡を用いて全数検査をしたところ、膜
片の付着及び粒大は観察されなかった。しかし、膜片捕
獲用の磁石１３には、多数の膜片が吸引されているのが
観察された。
の外観を光学顕微鏡を用いて全数検査をしたところ、膜
片の付着及び粒大は観察されなかった。しかし、膜片捕
獲用の磁石１３には、多数の膜片が吸引されているのが
観察された。
【００１９】（実施例２）実施例１において、さらに成
膜速度を上げるためにターゲットへの投入電力を上げる
場合、あるいはさらに厚い磁性膜を得るために長時間ス
パッタを行わなければならない場合には、プラズマ中の
電子イオンの入射によって膜片捕獲用の磁石１３が加熱
され、そのキューリー点を越えてしまう危険性がある。
もし、キューリー点を越えてしまうと、磁石としての性
質が消失し、膜片を捕獲できなくなってしまう。
膜速度を上げるためにターゲットへの投入電力を上げる
場合、あるいはさらに厚い磁性膜を得るために長時間ス
パッタを行わなければならない場合には、プラズマ中の
電子イオンの入射によって膜片捕獲用の磁石１３が加熱
され、そのキューリー点を越えてしまう危険性がある。
もし、キューリー点を越えてしまうと、磁石としての性
質が消失し、膜片を捕獲できなくなってしまう。
【００２０】実施例２のスパッタ装置は、このようなこ
とが生じないように、図３に示すように、膜片捕獲用の
磁石１３を水冷ジャケット１７で被覆して水冷できるよ
うにし、その水冷ジャケット１７がターゲットシールド
板の役割をも同時に果たすように構成したものである。
ここで用いた水冷ジャケット１７にはＳｕＳを用いた。
その他の構成は実施例１と同じである。
とが生じないように、図３に示すように、膜片捕獲用の
磁石１３を水冷ジャケット１７で被覆して水冷できるよ
うにし、その水冷ジャケット１７がターゲットシールド
板の役割をも同時に果たすように構成したものである。
ここで用いた水冷ジャケット１７にはＳｕＳを用いた。
その他の構成は実施例１と同じである。
【００２１】このような構成によれば、磁石１７の温度
上昇を抑えることができるので、膜片の捕獲も確実にな
る。また、水冷ジャケット、すなわちターゲットシール
ド板１７からの輻射がなくなるので基板の輻射熱による
温度上昇を防ぐことができ、したがって、熱ダメージの
ない磁性膜を得ることができる。
上昇を抑えることができるので、膜片の捕獲も確実にな
る。また、水冷ジャケット、すなわちターゲットシール
ド板１７からの輻射がなくなるので基板の輻射熱による
温度上昇を防ぐことができ、したがって、熱ダメージの
ない磁性膜を得ることができる。
【００２２】なお、実施例１，２では、ターゲット１，
２の材料としてセンダスト合金を用いたが、他の磁性合
金であっても、その効果は同様に得られることは言うま
でもない。また、膜片捕獲用の磁石としてＳｍ−Ｃｏ系
磁石を用いたが、他のフェライト，アルニコ磁石であっ
ても、磁界Ｈ2 を発生できれば、同様に使用することが
できる。
２の材料としてセンダスト合金を用いたが、他の磁性合
金であっても、その効果は同様に得られることは言うま
でもない。また、膜片捕獲用の磁石としてＳｍ−Ｃｏ系
磁石を用いたが、他のフェライト，アルニコ磁石であっ
ても、磁界Ｈ2 を発生できれば、同様に使用することが
できる。
【００２３】さらに、いずれの実施例においても、ター
ゲット１，２間の距離よりも膜片捕獲用の磁石１３間の
距離を大きく取りすぎると、膜片の捕獲能力は減少して
しまうので、スパッタ粒子の基板１０への入射を極端に
さまたげることがない限りにおいて、ターゲット１，２
間の距離よりも近づけて配置するようにすると、膜片の
捕獲能力は向上する。
ゲット１，２間の距離よりも膜片捕獲用の磁石１３間の
距離を大きく取りすぎると、膜片の捕獲能力は減少して
しまうので、スパッタ粒子の基板１０への入射を極端に
さまたげることがない限りにおいて、ターゲット１，２
間の距離よりも近づけて配置するようにすると、膜片の
捕獲能力は向上する。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、互に向き合うターゲット間に磁界を発生させる第１
の磁界発生手段とは別に、ターゲット外周近傍であっ
て、ターゲットに電気的に接触しない位置に膜片を捕獲
するための磁界を発生する第２の磁界発生手段を設けた
ので、装置内の各部からはがれた磁性体からなる膜片
は、ターゲットのスパッタ面に吸引されず、第２の磁界
発生手段に捕獲される。このため、基板に成膜される磁
性膜には、上記膜片の混入がなくなり、歩留り良く磁性
膜を形成することができる。
ば、互に向き合うターゲット間に磁界を発生させる第１
の磁界発生手段とは別に、ターゲット外周近傍であっ
て、ターゲットに電気的に接触しない位置に膜片を捕獲
するための磁界を発生する第２の磁界発生手段を設けた
ので、装置内の各部からはがれた磁性体からなる膜片
は、ターゲットのスパッタ面に吸引されず、第２の磁界
発生手段に捕獲される。このため、基板に成膜される磁
性膜には、上記膜片の混入がなくなり、歩留り良く磁性
膜を形成することができる。
【００２５】なお、対向ターゲット方式のスパッタ装置
では、ターゲットの中心部分のプラズマ密度が高くな
り、ターゲットの中心部分が選択的にけずられる傾向が
ある。しかし、この発明では、ターゲットの外周近傍に
第２の磁界発生手段を配置したので、ターゲット周辺部
の磁界が強くなり、プラズマ密度がターゲットの中心部
分で高くなるのが緩和され、ターゲットのけずられ方が
均一になる。このため、ターゲットの利用効率が増す利
点もある。
では、ターゲットの中心部分のプラズマ密度が高くな
り、ターゲットの中心部分が選択的にけずられる傾向が
ある。しかし、この発明では、ターゲットの外周近傍に
第２の磁界発生手段を配置したので、ターゲット周辺部
の磁界が強くなり、プラズマ密度がターゲットの中心部
分で高くなるのが緩和され、ターゲットのけずられ方が
均一になる。このため、ターゲットの利用効率が増す利
点もある。
【図１】 実施例１の対向ターゲット方式のスパッタ装
置の構成を模式的に示す断面図
置の構成を模式的に示す断面図
【図２】 図１のスパッタ装置における磁界を表すグラ
フ
フ
【図３】 実施例２の要部構成を模式的に示す断面図
【図４】 従来のスパッタ装置の構成を模式的に示す断
面図
面図
１，２ ターゲット ３，４ スパッタ面 ８ 真空チャンバー １０ 基板 １２ スパッタ磁界Ｈ1 を発生する磁石 １３ 磁界Ｈ2 を発生する磁石
Claims (2)
- 【請求項１】 スパッタ面が一定の空間を置いて対面す
るように平行に配置された１対のターゲットと、両ター
ゲットの間にスパッタ面と直交する方向のスパッタ磁界
を発生する第１の磁界発生手段と、前記一定の空間の外
周部にターゲットの軸心とほぼ平行に配置された基板ホ
ルダとを有するスパッタ装置において、前記ターゲット
の外周部であって、ターゲットに電気的に接触しない位
置に、第２の磁界発生手段を配設したことを特徴とする
スパッタ装置。 - 【請求項２】 第２の磁界発生手段が、ターゲットシー
ルド板を兼ねる水冷ジャケットで被覆されている請求項
１記載のスパッタ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30172091A JPH05140741A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | スパツタ装置 |
| US07/971,063 US5328583A (en) | 1991-11-05 | 1992-11-03 | Sputtering apparatus and process for forming lamination film employing the apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30172091A JPH05140741A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05140741A true JPH05140741A (ja) | 1993-06-08 |
Family
ID=17900353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30172091A Withdrawn JPH05140741A (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-18 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05140741A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014017681A1 (ko) * | 2012-07-26 | 2014-01-30 | 주식회사 아비즈알 | 이중 챔버 마그네트론 스퍼터링 장치 |
| WO2014017682A1 (ko) * | 2012-07-26 | 2014-01-30 | 주식회사 아비즈알 | 마그네트론 냉각부를 구비한 마그네트론 스퍼터링 장치 |
-
1991
- 1991-11-18 JP JP30172091A patent/JPH05140741A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014017681A1 (ko) * | 2012-07-26 | 2014-01-30 | 주식회사 아비즈알 | 이중 챔버 마그네트론 스퍼터링 장치 |
| WO2014017682A1 (ko) * | 2012-07-26 | 2014-01-30 | 주식회사 아비즈알 | 마그네트론 냉각부를 구비한 마그네트론 스퍼터링 장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |