JP5262069B2 - 電気素子デバイス及び電気素子デバイスの製造方法 - Google Patents
電気素子デバイス及び電気素子デバイスの製造方法 Download PDFInfo
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本発明の課題は、保護絶縁膜の欠陥による不良品を減らし、歩留まりを向上させることができる撮像装置及び撮像装置の製造方法を提供することである。
以上のように構成されたダブルゲートトランジスタ3は、半導体膜23を受光部とした光電変換素子である。
第2の保護絶縁膜5は、透光性を有した透明絶縁体であり、例えば透明な感光性樹脂フィルムをパターニングすることにより形成することができる。透明な感光性樹脂フィルムの例としては、アクリルフィルム等が挙げられる。アクリルフィルムをフィルムラミネートし、露光、現像、焼成することで第2の保護絶縁膜5が形成される。
なお、第1の保護絶縁膜4の欠陥を確実に塞ぐために、第2の保護絶縁膜5の厚さは4μm以上であることが好ましい。一方、第2の保護絶縁膜5が厚すぎると画像がぼけ、撮像性能が低下するため、10μm以下であることが好ましい。
まず、スパッタ、蒸着といったPVD法又はCVD法により導電体層を透明基板2上に成膜する成膜工程の後、フォトリソグラフィー法といったマスク工程を行い、エッチング法等により導電体層を形状加工する形状加工工程を行うことによって、それぞれのダブルゲートトランジスタ3のボトムゲート電極21並びにボトムゲートライン41,41,・・・をパターニングする。
次いで、第1の保護絶縁膜4の全面に感光性樹脂からなるフィルムを貼りつけ、パターニングすることにより、ダブルゲートトランジスタ3のセンサエリアAを覆う位置に透明な第2の保護絶縁膜5を形成する(図3(b))。尚、第2の保護絶縁膜5は端子部領域には設けられない。
次いで、各第二中間層47に重なった箇所においてコンタクトホール51,52,53を層間絶縁膜29に形成するとともに、各トップゲートライン44の先端に重なった箇所においてコンタクトホール54を第1の保護絶縁膜4に形成する(図3(c))。
第2の保護絶縁膜5の厚さとスクリーニング不良率との関係を調べるために、第2の保護絶縁膜5の厚さを変えて、図5に示すスクリーニング装置100を用いてスクリーニングを行った。
第2の保護絶縁膜5の厚さを2μm、4μm、6μm、10μmとしてダブルゲートトランジスタ3ごとに第2の保護絶縁膜5を形成した段階((図3(b))で、基板の端部において第1の保護絶縁膜を除去し、トップゲート電極30と電気的に接続されるトップゲートライン44を露出させた。次に、図5のスクリーニング装置100を用いてスクリーニングを行った。電解液112としては、ホウ酸アンモニウム液を用いた。印加電圧は20V、処理時間は6時間とし、トップゲート電極に腐食を生じさせ欠陥が視認できたものを不良フォトセンサとした。
例えば、検査対象のデバイスとしては、液晶表示パネル、有機EL表示パネル、CCDイメージセンサ、CMOSイメージセンサ等が挙げられる。
4 第1の保護絶縁膜
104 保護絶縁膜
5 第2の保護絶縁膜
10,110 固体撮像デバイス
6,106 静電保護電極
Claims (4)
- 基板に形成された複数の電気素子と、前記複数の電気素子を覆う第1の保護絶縁膜と、を備える電気素子デバイスにおいて、
前記電気素子に重なる領域を覆うように、且つ、隣接する2つの電気素子間の少なくとも一部の領域の前記第1の保護絶縁膜を露出させるように、前記第1の保護絶縁膜の表面に第2の保護絶縁膜が設けられ、
前記第2の保護絶縁膜の表面に静電保護電極が形成されていることを特徴とする電気素子デバイス。 - 前記第2の保護絶縁膜は透明であることを特徴とする請求項1に記載の電気素子デバイス。
- 前記電気素子は受光素子であることを特徴とする請求項1または2に記載の電気素子デバイス。
- 基板に複数の電気素子を形成し、
前記複数の電気素子を覆う第1の保護絶縁膜を成膜し、
前記第1の保護絶縁膜の表面に第2の保護絶縁膜を貼着し、
前記電気素子に重なる領域の前記第2の保護絶縁膜が残存するように、且つ、隣接する2つの電気素子間の少なくとも一部の領域の前記第1の保護絶縁膜が露出するように、前記第2の保護絶縁膜をパターニングし、
前記パターニングした第2の保護絶縁膜の表面に静電保護電極を形成することを特徴とする電気素子デバイスの製造方法。
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