JPS62130560A - 密着型イメ−ジセンサの構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は密着型イメージセンサの画像読み取り機能が連
行の影響を受けるのを排除することを目的としたもので
光電変換素子の保護膜に、素子保護機能と、迷光排除機
能とを持たせるようにして目的の達成を図っている。

〔産業上の利用分野〕

本発明は画像読み取り用密着型イメージセンサの改良に
関するものである。

画像読み取り用イメージセンサには集光用レンズを用い
た形式のものがある。このイメージセンサを用いる場合
、集光レンズは原稿とイメージセンサの間に配置されて
おり、光源から放射されて原稿で反射する光は、この集
光用レンズによりイメージセンサの光電変換素子上に集
光されるようになっている。

しかし、この形式の場合、原稿とイメージセンサの間の
距離は、集光用レンズを介在させる関係上大きくなり、
センサユニットが大型になるという欠点を有している。

この欠点を解決するものとして、密着型イメージセンサ
が広（使用されており、これは集光用レンズを必要とし
ないため、原稿とイメージセンサの間の距離は小さく、
センサユニソ１−を小型化することができる。

〔従来の技術〕

この種の従来の密着型イメージセンサを第３図に示す。

図中、ｌはセラミック、ガラス等の基板、２は光電変換
素子、３は透光性保護膜である。光電変換素子２は、基
板１上に図の紙面と垂直方向にアレイ上に形成され、基
板１上に形成された取り出し用電極４に接続している。

保護膜３は光電変換素子２を覆って形成されている。図
示しない光源より放射されて原稿で反射する光は、保護
膜３を通って光電変換素子２にあたり読み取られ、電気
信号に変換される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが、このような従来の構造では、光電変換素子に
より反射光を読み取る際に迷光の影響を受けやすく、か
つ電極や基板表面での散乱光の影響も大きいため、原稿
を正確に読み取りにくいという欠点があった。

［問題点を解決するための手段〕 本発明は上述の問題点を解決することのできる密着型イ
メージセンサの構造を提供するもので、そのための手段
として、第１図に例示したように、光電変換素子が形成
された基板上に、それぞれ屈折率が異なる２層の透光性
保護膜を形成してなる構成を採用している。

上側の前記保護膜は全面的に形成されている。

下側の前記保護膜は、パターニング可能な材料で形成さ
れ、かつ前記光電変換素子上に屈折率の大きい保護膜が
のるようにパターニングされている。

〔作用〕

上述の構成の採用により、下側の保護膜を上側より屈折
率の小さいものとした場合は、下側の保護膜は第１図に
示すように光電変換素子上を除いて形成されるようにパ
ターニングされ、下側の保護ｌりを上側より屈折率の大
きいものとした場合は、下側の保護膜は第２図に示すよ
うに光電変換素子上にのみ形成されるようにパターニン
グされる。

従って、光ファイバの場合と同様の原理により、光電変
換素子に対する迷光の影響を排除することができ、正確
な読み取りが可能になる。

〔実施例〕

以下、第１図および第２図に関連して本発明の詳細な説
明する。

第１図に第１の実施例を示す。

第１図は本発明に係る密着型イメージセンサの構造を示
す断面図で、図中、１１はセラミック。

ガラス等の基板、１２は光電変換素子、１３は取り出し
用電極、１４および１５は基板１１上に形成された下側
保護膜および上側保護膜である。

各保護膜１４．１５は透光性材料で形成され、下側像８
！膜１４は、パターニング可能でしかも上側保護膜１５
より屈折率の小さい材料で形成されている。各保護膜形
成材料の一例をあげると、屈折率の小さい下側保護膜１
４はポリイミド樹脂（１）、これより屈折率の大きい上
側保護膜１５には別のポリイミド樹脂（ｎ）を用いる。

ポリイミド樹脂は屈折率の範囲が広いので、このような
使い分けが可能である。

下側保護膜１４は、光電変換素子１２形成部分を除いて
形成されるようにパターニングされ、上側保護膜１５は
光電変換素子１２形成部分を含んで全面的に形成されて
いる。これらの各保護膜の形成は、下側保護膜形成材料
を全面に塗布してこれをフォトリソグラフィ等により上
記のようにパターニングした後硬化させ、次にその上に
上側保護膜形成材料をセンサ全体に塗布して硬化させる
ことにより行われる。

各保護膜１４．１５を上記のような構成とすることによ
って、光電変換素子１２の上は高屈折率部が低屈折率部
ではさまれた構造となり、光ファイバの場合と同様の原
理により、迷光や周囲電極。

基板での散乱光が光電変換素子１２の上に侵入するのを
防止することができる。すなわち、光電変換素子１２に
対する迷光、散乱光の影響を排除することができ、原稿
の正確な読み取りが可能になる。

第２図に第２の実施例を示す。図中、２１は基板、２２
は光電変換素子、２３は電極、２４は下側保護膜、２５
は上側保護膜である。

各保護膜２４．２５は透光性材料で形成され、下側保護
膜２４は、バターニング可能でしかも上側保護膜２５よ
り屈折率の大きい材料で形成されている。下側保護膜は
前例と同様にポリイミド樹脂（１）を用い、上側保護膜
には下側保護膜２５より屈折率の小さい別のポリイミド
樹脂（■）。

あるいはシリコン樹脂、エポキシ樹脂を使用する。

下側保護膜２４は、光電変換素子２２形成部分にのみパ
ターニングにより形成され、上側保護膜２５はセンサ全
面に形成されている。これらの各保護膜形成要領は前例
と同様である。

本例の場合も、光電変換素子２２の上は高屈折率部が低
屈折率部ではさまれた構造となり、前例と同様の効果が
得られる。なお、本例の場合は、充電変換素子２２の上
の保護膜が２層となるため、素子の信頼性がより一層向
上する。

〔発明の効果〕

以上述べたように、本発明によれば、光電変換素子に対
する迷光等の影響を排除できるので、原稿の正確な読み
取りが可能となり、さらに信頼性の向上を図ることもで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の密着型イメージセンサ
ーの構造を示す断面図、 第２図は本発明の第２の実施例の密着型イメージセンサ
の構造を示す断面図、 第３図は従来の密着型イメージセンサの構造の構造を示
す断面図で、 図中、 １１、．２１は基板、 １２．２２は光電変換素子、 １４．２４は下側保護膜、 １５．２５は上側保護膜である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板と、前記基板上にアレイ状に形成された光電変換素
   子とからなるイメージセンサにおいて、前記基板上に、
   それぞれ屈折率が異なる２層の透光性保護膜を形成して
   なり、 上側の前記保護膜は全面的に形成され、 下側の前記保護膜は、パターニング可能な材料で形成さ
   れかつ前記光電変換素子上に屈折率の大きい保護膜がの
   るようにパターニングされたことを特徴とする密着型イ
   メージセンサの構造。