JPH0430853Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、例えばフアクシミリ装置の小型化を
目指したもので実質上原稿と寸法的に１：１に対
応させた光電変換素子アレイを配置して成る密着
型イメージセンサなどの読取り装置に関するもの
である。

〔従来技術及びその問題点〕

近時、密着型イメージセンサの開発が活発化し
ており、この装置には原稿からの反射光を集束性
ロツド・レンズ・アレイを通して検知する型式や
このアレイを使わずに優れた光量伝達率、小型化
を達成する型式などが種々検討されている。

第３図は集束性ロツド・レンズ・アレイを用い
た密着型読取り系の構成を示す概略図であり、原
稿１と寸法的に実質上１：１に対応させた光検知
部２が集束性ロツド・レンズ・アレイ３を介して
原稿１に密着している。そして、発光ダイオード
４が原稿１を投光し、その反射光が集束性ロツ
ド・レンズ・アレイ３を通過して光検知部２で受
光するものである。

第４図は第３図における光検知部２の従来例を
示す。

即ち、この光検知部２によれば、ガラス等から
成る透光性基板５上に各素子の一方の電極を電気
的に接続した透光性共通電極６（例えばITOから
成る）、Al，Crなどの蒸着金属から成る遮光性金
属層７、アモルフアスシリコンなどから成る光導
電体８並びに各素子毎に設けられた個別電極９
（Al，Crなどの蒸着金属からなる）が順次形成さ
れており、そして、遮光性金属層７には原稿１か
らの反射光ｌが光導電体８に導入されるように光
通過孔１０が設けられている。また、透光性共通
電極６、遮光性金属層７、光導電体８及び個別電
極９を覆うように保護層１１が被覆されており、
この層１１にはシリコーン樹脂、エポキシ樹脂等
が用いられる。尚、１２はシフトレジスタ等の駆
動用ICチツプである。

この装置によれば、原稿１からの反射光ｌは透
光性基板５側から入射して各素子毎に対応して設
けられた光通過孔１０を通過して光導電体８で光
電変換し、透光性共通電極６及び個別電極９の間
で各素子に対して順次読取り信号が検出される。

しかし乍ら、この読取り装置によれば、この装
置自体に起因してノイズが発生したり、或いは外
部装置などからの外来のノイズが光電変換部や駆
動用ICチツプ１２に入つて正確な読取りができ
なくなるという問題がある。

また、この読取り装置からの出力信号は微弱で
あるために増幅する必要があり、そして、必要に
応じてアナログ信号よりデジタル信号へ変換する
こともあり、このような増幅回路やＡ／Ｄ変換回
路などの信号の補正のために、別個に信号処理回
路を付設しなくてはならない。この信号処理回路
を搭載した基板を、第２図に示した光検知部２の
上方、即ち、発光ダイオード４と反対側に設置し
た場合、センサーユニツトをコンパクトにできる
と共に前述したセンサーウエハーとの接続が容易
になるという点で望ましいが、その反面、信号処
理回路の信号がセンサーウエハーの出力信号に比
べて格段に大きいために信号処理回路で発生した
ノイズがセンサーウエハーに入り、これにより、
正確な出力信号が得られないという問題がある。

〔考案の目的〕

従つて本考案の目的は叙上の問題点を解決し、
Ｓ／Ｎ比を高めた高性能な読取り装置を提供する
ことにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本考案によれば、基板上に光電変換素子アレイ
を形成すると共に該素子アレイを作動させる駆動
用集積回路（駆動用IC）チツプを搭載し、該素
子アレイと対応する部位に光源を備え、この光源
が被検知体を投光し、その反射光を光電変換素子
アレイが受光し、この素子アレイから順次時系列
に読取り信号が得られるようにした読取り装置に
おいて、前記基板上に前記駆動用ICチツプを保
護する遮蔽カバーを介して信号処理回路搭載用基
板を形成したことを特徴とする読取り装置が提供
される。

以下、本考案を第１図及び第２図により詳細に
説明する。

第１図によれば、金属フレームで構成された長
尺状の基板支持体１３の上部に、例えは第４図に
示したような光検知部２が形成されており、図
中、矢印Ａ方向からみると第２図に示す通りとな
る。そして、この基板支持体１３の下部の凹部内
に発光ダイオード４及び集束性ロツド・レンズ・
アレイ３が形成され、更に基板支持体１３の最下
部には透光性基板１４が形成されてこの基板１４
に対向して原稿２が当接するような構成になつて
おり、これによつて第３図に示した読取り系とな
る。尚、第１図中光電変換部は省略しており、そ
して、第４図の光検知部と対応する箇所には同一
符号か付してある。

このような読取り装置において、駆動用ICチ
ツプ１２はシリコーン系又はエポキシ系の保護用
樹脂膜１５によつて被覆されており、このチツプ
１２を覆うように遮蔽カバー１６が基板支持体１
３の上に形成され、この遮蔽カバー１６はチツプ
１２のアレイすべてを遮蔽できるように長尺状の
構成をなし、更にその上に増幅回路やＡ／Ｄ変換
回路などの信号補正用回路を搭載した信号処理回
路搭載用基板１７が形成される。そして、遮蔽カ
バー１６、下方のセンサーウエハーと上記信号処
理回路はフレキケーブル１８を介して電気的に接
続されており、このフレキテーブル１８の一部は
基板５上に付設された圧接部材１９によつて固定
されている。

この読取り装置によれば、遮蔽カバー１６を導
電性材料、例えば金属材料によつて形成し、この
カバー１６を基板支持体１３と電気的に導通さ
せ、更にセンサ駆動電源（図示せず）と電気的に
導通させるとよい。

このような構成にすると前記信号処理回路から
上記センサーウエハーにノイズが入らなくなつて
駆動用ICチツプ１２からは正確な出力信号が得
られる。

〔発明の効果〕

以上の通り、本考案の読取り装置によれば、駆
動用ICチツプと信号処理回路が電気的に遮断さ
れており、これによつて相互に影響を及ぼさない
のでノイズ発生要因が取り除かれ、その結果、
Ｓ／Ｎ比を高めた高性能な読取り装置が提供され
る。尚、本考案は上記実施例に限られず、本考案
の要旨を逸脱しない範囲において他種の読取り装
置に採用したり、或いは種々の構成の遮蔽カバー
を取り付けることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の読取り装置の断面図、第２図
は第１図Ａ方向から見た図、第３図は密着型読取
り系の概略図、第４図は本考案の読取り装置の主
要部を示す説明図である。 １……原稿、２……光検知部、３……集束性ロ
ツド・レンズ・アレイ、１２……駆動用集積回路
チツプ、１３……基板支持体、１６……遮蔽カバ
ー、１７……信号処理回路搭載用基板。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 基板上に光電変換素子アレイを形成すると共に
   該素子アレイを作動させる駆動用集積回路チツプ
   を搭載し、該素子アレイと対応する部位に光源を
   備え、この光源が被検知体を投光し、その反射光
   を光電変換素子アレイが受光し、この素子アレイ
   から順次時系列に読取り信号が得られるようにし
   た読取り装置において、前記基板上に前記駆動用
   集積回路チツプを保護する遮蔽カバーを介して信
   号処理回路搭載用基板を形成したことを特徴とす
   る読取り装置。