JPH0430853Y2 - - Google Patents

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JPH0430853Y2
JPH0430853Y2 JP18487986U JP18487986U JPH0430853Y2 JP H0430853 Y2 JPH0430853 Y2 JP H0430853Y2 JP 18487986 U JP18487986 U JP 18487986U JP 18487986 U JP18487986 U JP 18487986U JP H0430853 Y2 JPH0430853 Y2 JP H0430853Y2
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light
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、例えばフアクシミリ装置の小型化を
目指したもので実質上原稿と寸法的に1:1に対
応させた光電変換素子アレイを配置して成る密着
型イメージセンサなどの読取り装置に関するもの
である。
〔従来技術及びその問題点〕
近時、密着型イメージセンサの開発が活発化し
ており、この装置には原稿からの反射光を集束性
ロツド・レンズ・アレイを通して検知する型式や
このアレイを使わずに優れた光量伝達率、小型化
を達成する型式などが種々検討されている。
第3図は集束性ロツド・レンズ・アレイを用い
た密着型読取り系の構成を示す概略図であり、原
稿1と寸法的に実質上1:1に対応させた光検知
部2が集束性ロツド・レンズ・アレイ3を介して
原稿1に密着している。そして、発光ダイオード
4が原稿1を投光し、その反射光が集束性ロツ
ド・レンズ・アレイ3を通過して光検知部2で受
光するものである。
第4図は第3図における光検知部2の従来例を
示す。
即ち、この光検知部2によれば、ガラス等から
成る透光性基板5上に各素子の一方の電極を電気
的に接続した透光性共通電極6(例えばITOから
成る)、Al,Crなどの蒸着金属から成る遮光性金
属層7、アモルフアスシリコンなどから成る光導
電体8並びに各素子毎に設けられた個別電極9
(Al,Crなどの蒸着金属からなる)が順次形成さ
れており、そして、遮光性金属層7には原稿1か
らの反射光lが光導電体8に導入されるように光
通過孔10が設けられている。また、透光性共通
電極6、遮光性金属層7、光導電体8及び個別電
極9を覆うように保護層11が被覆されており、
この層11にはシリコーン樹脂、エポキシ樹脂等
が用いられる。尚、12はシフトレジスタ等の駆
動用ICチツプである。
この装置によれば、原稿1からの反射光lは透
光性基板5側から入射して各素子毎に対応して設
けられた光通過孔10を通過して光導電体8で光
電変換し、透光性共通電極6及び個別電極9の間
で各素子に対して順次読取り信号が検出される。
しかし乍ら、この読取り装置によれば、この装
置自体に起因してノイズが発生したり、或いは外
部装置などからの外来のノイズが光電変換部や駆
動用ICチツプ12に入つて正確な読取りができ
なくなるという問題がある。
また、この読取り装置からの出力信号は微弱で
あるために増幅する必要があり、そして、必要に
応じてアナログ信号よりデジタル信号へ変換する
こともあり、このような増幅回路やA/D変換回
路などの信号の補正のために、別個に信号処理回
路を付設しなくてはならない。この信号処理回路
を搭載した基板を、第2図に示した光検知部2の
上方、即ち、発光ダイオード4と反対側に設置し
た場合、センサーユニツトをコンパクトにできる
と共に前述したセンサーウエハーとの接続が容易
になるという点で望ましいが、その反面、信号処
理回路の信号がセンサーウエハーの出力信号に比
べて格段に大きいために信号処理回路で発生した
ノイズがセンサーウエハーに入り、これにより、
正確な出力信号が得られないという問題がある。
〔考案の目的〕
従つて本考案の目的は叙上の問題点を解決し、
S/N比を高めた高性能な読取り装置を提供する
ことにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本考案によれば、基板上に光電変換素子アレイ
を形成すると共に該素子アレイを作動させる駆動
用集積回路(駆動用IC)チツプを搭載し、該素
子アレイと対応する部位に光源を備え、この光源
が被検知体を投光し、その反射光を光電変換素子
アレイが受光し、この素子アレイから順次時系列
に読取り信号が得られるようにした読取り装置に
おいて、前記基板上に前記駆動用ICチツプを保
護する遮蔽カバーを介して信号処理回路搭載用基
板を形成したことを特徴とする読取り装置が提供
される。
以下、本考案を第1図及び第2図により詳細に
説明する。
第1図によれば、金属フレームで構成された長
尺状の基板支持体13の上部に、例えは第4図に
示したような光検知部2が形成されており、図
中、矢印A方向からみると第2図に示す通りとな
る。そして、この基板支持体13の下部の凹部内
に発光ダイオード4及び集束性ロツド・レンズ・
アレイ3が形成され、更に基板支持体13の最下
部には透光性基板14が形成されてこの基板14
に対向して原稿2が当接するような構成になつて
おり、これによつて第3図に示した読取り系とな
る。尚、第1図中光電変換部は省略しており、そ
して、第4図の光検知部と対応する箇所には同一
符号か付してある。
このような読取り装置において、駆動用ICチ
ツプ12はシリコーン系又はエポキシ系の保護用
樹脂膜15によつて被覆されており、このチツプ
12を覆うように遮蔽カバー16が基板支持体1
3の上に形成され、この遮蔽カバー16はチツプ
12のアレイすべてを遮蔽できるように長尺状の
構成をなし、更にその上に増幅回路やA/D変換
回路などの信号補正用回路を搭載した信号処理回
路搭載用基板17が形成される。そして、遮蔽カ
バー16、下方のセンサーウエハーと上記信号処
理回路はフレキケーブル18を介して電気的に接
続されており、このフレキテーブル18の一部は
基板5上に付設された圧接部材19によつて固定
されている。
この読取り装置によれば、遮蔽カバー16を導
電性材料、例えば金属材料によつて形成し、この
カバー16を基板支持体13と電気的に導通さ
せ、更にセンサ駆動電源(図示せず)と電気的に
導通させるとよい。
このような構成にすると前記信号処理回路から
上記センサーウエハーにノイズが入らなくなつて
駆動用ICチツプ12からは正確な出力信号が得
られる。
〔発明の効果〕
以上の通り、本考案の読取り装置によれば、駆
動用ICチツプと信号処理回路が電気的に遮断さ
れており、これによつて相互に影響を及ぼさない
のでノイズ発生要因が取り除かれ、その結果、
S/N比を高めた高性能な読取り装置が提供され
る。尚、本考案は上記実施例に限られず、本考案
の要旨を逸脱しない範囲において他種の読取り装
置に採用したり、或いは種々の構成の遮蔽カバー
を取り付けることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の読取り装置の断面図、第2図
は第1図A方向から見た図、第3図は密着型読取
り系の概略図、第4図は本考案の読取り装置の主
要部を示す説明図である。 1……原稿、2……光検知部、3……集束性ロ
ツド・レンズ・アレイ、12……駆動用集積回路
チツプ、13……基板支持体、16……遮蔽カバ
ー、17……信号処理回路搭載用基板。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 基板上に光電変換素子アレイを形成すると共に
    該素子アレイを作動させる駆動用集積回路チツプ
    を搭載し、該素子アレイと対応する部位に光源を
    備え、この光源が被検知体を投光し、その反射光
    を光電変換素子アレイが受光し、この素子アレイ
    から順次時系列に読取り信号が得られるようにし
    た読取り装置において、前記基板上に前記駆動用
    集積回路チツプを保護する遮蔽カバーを介して信
    号処理回路搭載用基板を形成したことを特徴とす
    る読取り装置。
JP18487986U 1986-11-29 1986-11-29 Expired JPH0430853Y2 (ja)

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JP18487986U JPH0430853Y2 (ja) 1986-11-29 1986-11-29

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Publication Number Publication Date
JPS6390363U JPS6390363U (ja) 1988-06-11
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