JPH08763Y2 - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH08763Y2 JPH08763Y2 JP9461589U JP9461589U JPH08763Y2 JP H08763 Y2 JPH08763 Y2 JP H08763Y2 JP 9461589 U JP9461589 U JP 9461589U JP 9461589 U JP9461589 U JP 9461589U JP H08763 Y2 JPH08763 Y2 JP H08763Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- receiving element
- element chip
- image sensor
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本考案はファクシミリやスキャナなどの読取り装置と
して用いられる密着型イメージセンサに関するものであ
る。
して用いられる密着型イメージセンサに関するものであ
る。
(従来の技術) 密着型イメージセンサの読取りセンサ部は、例えば第
3図に示されるように基板2に受光素子チップ4がCOB
(チップ・オン・ボード)方式により実装されている。
実装基板2としては銅張積層板が用いられ、受光素子チ
ップ4が実装されている面とその反対側の面において銅
箔がパターン化されて配線6,8がそれぞれ形成されてい
る。基板2の受光素子チップ実装面とその反対側の面に
はレジストインク10が塗布されている。
3図に示されるように基板2に受光素子チップ4がCOB
(チップ・オン・ボード)方式により実装されている。
実装基板2としては銅張積層板が用いられ、受光素子チ
ップ4が実装されている面とその反対側の面において銅
箔がパターン化されて配線6,8がそれぞれ形成されてい
る。基板2の受光素子チップ実装面とその反対側の面に
はレジストインク10が塗布されている。
(考案が解決しようとする課題) 銅張積層板2に受光素子チップ4を実装した読取りセ
ンサ部では、受光素子チップ4が実装されている面はも
ちろんのこと、その反対側の面においても配線が形成さ
れて銅箔パターンのある部分とない部分が存在する。銅
張積層板の基材としては例えばガラスエポキシ板が用い
られるが、ガラスエポキシ板は光透過性である。レジス
トインク10も一般には光透過性である。そのため、銅箔
パターンのない部分を通って基板2の裏面(受光素子チ
ップ4の実装面と反対側の面)側から外乱光が入り込
み、受光素子チップ4のノイズ分となって信号に紛れ込
んでしまう。受光素子チップ4の光電変換素子の通常の
信号レベルは2V程度であり、これに対して銅張積層板2
の銅箔パターンのない部分から入り込む外乱光のノイズ
成分は100〜200mV程度であるので、S/N比が20dB程度に
まで下がってしまう。実装基板2からの外乱光の侵入が
ない場合には、S/N比32dB程度を維持することができ
る。一般にはS/N比30dB以上が必要である。
ンサ部では、受光素子チップ4が実装されている面はも
ちろんのこと、その反対側の面においても配線が形成さ
れて銅箔パターンのある部分とない部分が存在する。銅
張積層板の基材としては例えばガラスエポキシ板が用い
られるが、ガラスエポキシ板は光透過性である。レジス
トインク10も一般には光透過性である。そのため、銅箔
パターンのない部分を通って基板2の裏面(受光素子チ
ップ4の実装面と反対側の面)側から外乱光が入り込
み、受光素子チップ4のノイズ分となって信号に紛れ込
んでしまう。受光素子チップ4の光電変換素子の通常の
信号レベルは2V程度であり、これに対して銅張積層板2
の銅箔パターンのない部分から入り込む外乱光のノイズ
成分は100〜200mV程度であるので、S/N比が20dB程度に
まで下がってしまう。実装基板2からの外乱光の侵入が
ない場合には、S/N比32dB程度を維持することができ
る。一般にはS/N比30dB以上が必要である。
実装基板からの外乱光の侵入を防ぐために、実装基板
の表側と裏側の両面に光を透過しないレジストインクを
塗布することが提案されている(特開昭63-313958号公
報参照)。
の表側と裏側の両面に光を透過しないレジストインクを
塗布することが提案されている(特開昭63-313958号公
報参照)。
しかしながら、光を透過しないレジストインクといっ
ても十分に外乱光の侵入を防ぐことはできない。
ても十分に外乱光の侵入を防ぐことはできない。
そこで、本考案は密着型イメージセンサの読取りセン
サ部において、実装基板を通って受光素子チップに侵入
する外乱光を抑えてS/N比を高めることを目的とするも
のである。
サ部において、実装基板を通って受光素子チップに侵入
する外乱光を抑えてS/N比を高めることを目的とするも
のである。
(課題を解決するための手段) 本考案では受光素子チップの実装基板として銅張積層
板を用い、この銅張積層板の面で受光素子チップが実装
されていない面には銅箔を全面に残しておく。
板を用い、この銅張積層板の面で受光素子チップが実装
されていない面には銅箔を全面に残しておく。
(作用) 銅張積層板の銅箔のある部分では光は透過しない。受
光素子チップが実装されていない面に全面に銅箔を残す
ことにより、その実装基板を通って外乱光が受光素子チ
ップに侵入することを防止する。
光素子チップが実装されていない面に全面に銅箔を残す
ことにより、その実装基板を通って外乱光が受光素子チ
ップに侵入することを防止する。
(実施例) 第1図は一実施例における読取りセンサ部であり、第
2図はその読取りセンサ部を用いた一実施例の密着型イ
メージセンサを表わしたものである。
2図はその読取りセンサ部を用いた一実施例の密着型イ
メージセンサを表わしたものである。
まず、第2図における密着型イメージセンサについて
説明する。
説明する。
12はフレームであり、フレーム12の上部には光源とし
てのLEDアレイチップ14が複数個取りつけられている。
フレーム12の上面には原稿16が密着して移動する透明ガ
ラス板18が取りつけられており、LEDアレイチップ14か
らの光がガラス板18を通って原稿16に照射される。原稿
16からの反射光でガラス板18を経た光を読取りセンサ部
の受光素子チップ20に導くためにロッドレンズアレイ22
が取りつけられている。受光素子チップ20は基板24に複
数個実装されており、基板24はフレーム12の下面に取り
つけられている。複数個のLEDアレイチップ14のLED素子
が図で紙面垂直方向の一直線上に配列されるように、そ
の複数個のLEDアレイチップ14は図で紙面垂直方向の一
直線上に配置されている。受光素子チップ20についても
同様であり、複数個の受光素子チップ20の光電変換素子
が図で紙面垂直方向の一直線上に配列されるように、そ
の複数個の受光素子チップ20は図で紙面垂直方向の一直
線上に配置されている。ロッドレンズアレイ22も紙面垂
直方向の一直線上の反射光を受光素子チップ20の紙面垂
直方向の一直線上の光電変換素子に導くように、紙面垂
直方向に配置されている。
てのLEDアレイチップ14が複数個取りつけられている。
フレーム12の上面には原稿16が密着して移動する透明ガ
ラス板18が取りつけられており、LEDアレイチップ14か
らの光がガラス板18を通って原稿16に照射される。原稿
16からの反射光でガラス板18を経た光を読取りセンサ部
の受光素子チップ20に導くためにロッドレンズアレイ22
が取りつけられている。受光素子チップ20は基板24に複
数個実装されており、基板24はフレーム12の下面に取り
つけられている。複数個のLEDアレイチップ14のLED素子
が図で紙面垂直方向の一直線上に配列されるように、そ
の複数個のLEDアレイチップ14は図で紙面垂直方向の一
直線上に配置されている。受光素子チップ20についても
同様であり、複数個の受光素子チップ20の光電変換素子
が図で紙面垂直方向の一直線上に配列されるように、そ
の複数個の受光素子チップ20は図で紙面垂直方向の一直
線上に配置されている。ロッドレンズアレイ22も紙面垂
直方向の一直線上の反射光を受光素子チップ20の紙面垂
直方向の一直線上の光電変換素子に導くように、紙面垂
直方向に配置されている。
第1図は読取りセンサ部を示したものである。
実装基板24としては両面銅張積層板を用い、受光素子
チップ20が実装される実装面の銅箔はパターン化されて
配線26が形成されている。受光素子チップ20が実装され
る実装面と反対側の面の銅箔28はパターン化されておら
ず、全面に存在している。
チップ20が実装される実装面の銅箔はパターン化されて
配線26が形成されている。受光素子チップ20が実装され
る実装面と反対側の面の銅箔28はパターン化されておら
ず、全面に存在している。
実装基板24の実装面には受光素子チップ20が実装され
ており、受光素子チップ20と配線26の間はワイヤ30によ
るワイヤボンディング法によって接続されている。実装
面側と裏面側の銅箔上にはボンディング部分を除いてレ
ジストインク32が塗布されている。34は受光素子チップ
20を封止するためのガラスキャップである。
ており、受光素子チップ20と配線26の間はワイヤ30によ
るワイヤボンディング法によって接続されている。実装
面側と裏面側の銅箔上にはボンディング部分を除いてレ
ジストインク32が塗布されている。34は受光素子チップ
20を封止するためのガラスキャップである。
実装基板24の実装面側の銅箔パターン26は受光素子チ
ップ20の検出信号を取出すための配設などとして用いら
れる。これに対し裏面側の銅箔28はパターン化されてお
らず、例えばGND用の信号線として用いることができ
る。
ップ20の検出信号を取出すための配設などとして用いら
れる。これに対し裏面側の銅箔28はパターン化されてお
らず、例えばGND用の信号線として用いることができ
る。
第1図の読取りセンサ部を第2図に示される密着型イ
メージセンサのフレーム12に取りつけると、実装基板24
の裏面側からの外乱光の侵入がなくなる。実装基板24の
裏面側の銅箔28がパターン化されている場合には外乱光
の侵入を防ぐために、第2図の密着型イメージセンサの
下側にさらに遮光カバーを設ける必要があるが、本実施
例ではそのような遮光カバーは不要である。
メージセンサのフレーム12に取りつけると、実装基板24
の裏面側からの外乱光の侵入がなくなる。実装基板24の
裏面側の銅箔28がパターン化されている場合には外乱光
の侵入を防ぐために、第2図の密着型イメージセンサの
下側にさらに遮光カバーを設ける必要があるが、本実施
例ではそのような遮光カバーは不要である。
(考案の効果) 本考案では読取りセンサ部の受光素子チップの実装基
板として銅張積層板を用い、この銅張積層板の面で受光
素子チップが実装されていない面には全面に銅箔を張り
つけておくようにしたので、遮光カバーを設けなくて
も、受光素子チップの実装基板を通して外乱光が侵入す
るのを防止することができ、受光素子チップによる読取
り信号のS/N比を30dB以上に維持することができるよう
になる。
板として銅張積層板を用い、この銅張積層板の面で受光
素子チップが実装されていない面には全面に銅箔を張り
つけておくようにしたので、遮光カバーを設けなくて
も、受光素子チップの実装基板を通して外乱光が侵入す
るのを防止することができ、受光素子チップによる読取
り信号のS/N比を30dB以上に維持することができるよう
になる。
第1図は一実施例における読取りセンサ部を示す断面
図、第2図は一実施例の密着型イメージセンサを示す断
面図、第3図は従来の読取りセンサ部を示す断面図であ
る。 14……LEDアレイ、20……受光素子チップ、22……ロッ
ドレンズアレイ、24……実装基板、28……パターン化さ
れていない銅箔。
図、第2図は一実施例の密着型イメージセンサを示す断
面図、第3図は従来の読取りセンサ部を示す断面図であ
る。 14……LEDアレイ、20……受光素子チップ、22……ロッ
ドレンズアレイ、24……実装基板、28……パターン化さ
れていない銅箔。
Claims (1)
- 【請求項1】光電変換素子が一直線上に配列された受光
素子チップが基板上に実装されており、原稿からの反射
光が前記受光素子チップに導かれて読み取られる密着型
イメージセンサにおいて、前記受光素子チップの実装基
板として銅張積層板が用いられ、この銅張積層板の面で
受光素子チップが実装されていない面には銅箔が全面に
張りつけられていることを特徴とする密着型イメージセ
ンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9461589U JPH08763Y2 (ja) | 1989-08-12 | 1989-08-12 | 密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9461589U JPH08763Y2 (ja) | 1989-08-12 | 1989-08-12 | 密着型イメージセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0334254U JPH0334254U (ja) | 1991-04-04 |
JPH08763Y2 true JPH08763Y2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=31643937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9461589U Expired - Lifetime JPH08763Y2 (ja) | 1989-08-12 | 1989-08-12 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08763Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001084287A1 (fr) * | 2000-05-02 | 2001-11-08 | Fujitsu Limited | Ensemble façade pour dispositif d'information |
JP5874417B2 (ja) * | 2012-01-31 | 2016-03-02 | ブラザー工業株式会社 | イメージセンサ |
-
1989
- 1989-08-12 JP JP9461589U patent/JPH08763Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0334254U (ja) | 1991-04-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |