JP2016174143A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (11)

1. トランジスタを有し、
   前記トランジスタは、チャネルの上方にあるゲート電極と、前記ゲート電極の側面を被覆するゲート絶縁層と、を有する半導体装置。
2. トランジスタと、溝部が設けられた絶縁層と、を有し、
   前記トランジスタは、前記溝部の内壁に沿って形成されたゲート絶縁層と、前記溝部の内側において前記ゲート絶縁層に接するゲート電極と、をチャネルの上方に有する半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記トランジスタは、金属、合金又は金属化合物を含む、ソース電極及びドレイン電極を有し、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に前記トランジスタのチャネルが形成される半導体装置。
4. トランジスタを有し、
   前記トランジスタは、半導体層と、前記半導体層の上方にあるゲート電極と、ソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート電極に沿って前記ソース電極及び前記ドレイン電極よりも上側に延伸しているゲート絶縁層と、を有する半導体装置。
5. 請求項４において、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、金属、合金又は金属化合物を含み、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に前記トランジスタのチャネルが形成される半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記トランジスタのチャネル長方向の断面視において、
   前記ゲート電極の側面は、変曲点を少なくとも一つ以上有する半導体装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、
   前記トランジスタのチャネル長方向の断面視において、
   前記ゲート電極の側面は、２つ以上のテーパー角を有する半導体装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか一項において、
   前記ゲート電極の上面は研磨面である半導体装置。
9. 請求項１乃至８のいずれか一項において、
   前記ゲート電極は、第１の層と第２の層とを有し、
   前記第２の層の底面及び側面は、前記第１の層に被覆されている半導体装置。
10. 請求項１乃至９のいずれか一項において、
    前記ゲート電極は、ＴｉＮを含む層とＷを含む層とを有し、
    前記Ｗを含む層の底面及び側面は、前記ＴｉＮを含む層に被覆されている半導体装置。
11. 請求項１乃至１０のいずれ一項において、
    前記トランジスタは、チャネルに酸化物半導体を有する半導体装置。