CN102779832A - 有机发光像素的结构、制作方法以及驱动电路 - Google Patents

Abstract

一种有机发光像素的结构、制作方法及驱动电路。结构包括一扫描线、一数据线、一电源线、一定电压线、一第一晶体管、一第二晶体管、一像素电极、一有机发光单元、一第一电容电极以及一第二电容电极。第一电容电极电性连接至第二晶体管与第一晶体管。第二电容电极电性连接至定电压线。第二电容电极与第一电容电极彼此重叠，且第二电容电极夹于第一电容电极与像素电极之间，使得第一电容电极与第二电容电极构成一第一电容而第二电容电极与像素电极构成一第二电容，其中第一电容大于第二电容。

Description

有机发光像素的结构、制作方法以及驱动电路

技术领域

本发明是有关于一种像素的结构、制作方法及电路，且特别是有关于一种有机发光像素的结构、制作方法及电路。

背景技术

随着资讯科技的发达，各式各样如电脑、移动电话、个人数字助理（PDA）及数码相机等资讯设备，均不断地推陈出新。在这些资讯设备中，显示器始终扮演着举足轻重的地位，而平面显示器(Flat Panel Display)由于具有薄型化、轻量化及省电的特性，乃逐渐地受到欢迎。在各种平面显示器中，有机发光显示器(Organic Light Emitting Display，简称OLED)因具有视角广、色彩对比效果好、响应速度快及成本低等优点，可望成为下一代的平面显示器的主流。

主动式驱动的有机发光显示器中的有机发光材料是电流驱动的属性，因而驱动电路中任何元件的变异都将直接影响有基发光显示器的显示效果。所以，有机发光显示器中的电路元件设计往往是这项技术十分着重的要点之一。

发明内容

本发明提供一种有机发光像素结构，在像素结构中构成两个连接在一起的电容以增加整体电容值。

本发明提供一种有机发光像素结构的制作方法，无须额外的掩膜即可在像素中形成两个连接在一起的电容。

本发明提供一种有机发光像素电路，具有两个电容以改善画面串音(crosstalk)现象。

本发明提出一种有机发光像素结构，包括一扫描线、一数据线、一电源线、一定电压线、一第一晶体管、一第二晶体管、一像素电极、一有机发光单元、一第一电容电极以及一第二电容电极。数据线以及电源线皆与扫描线相交。定电压线与数据线相交。第一晶体管电性连接至扫描线以及数据线。第二晶体管电性连接至电源线以及第一晶体管。像素电极电性连接至该第二晶体管。有机发光单元配置于像素电极上。第一电容电极电性连接电性连接至第二晶体管与第一晶体管。第一电容电极与像素电极彼此重叠。第二电容电极电性连接至定电压线。第二电容电极与第一电容电极彼此重叠，且第二电容电极夹于第一电容电极与像素电极之间，使得第一电容电极与第二电容电极构成一第一电容而第二电容电极与像素电极构成一第二电容，其中第一电容大于第二电容。

根据本发明的一实施例，上述第一电容电极的材质包括半导体材料。

根据本发明的一实施例，上述第一电容电极包括一掺杂部以及一未掺杂部，未掺杂部实质上被第二电容电极遮蔽而掺杂部实质上位于未掺杂部周边并连接于第二晶体管与第一晶体管。

根据本发明的一实施例，上述扫描线、定电压线以及第二电容电极由相同膜层构成。

根据本发明的一实施例，上述第一电容电极的材质相同于第一晶体管的一通道区以及第二晶体管的一通道区。

根据本发明的一实施例，上述第一晶体管具有一第一电极、一第二电极与一第三电极，第一电极电性连接数据线，第二电极电性连接扫描线。

根据本发明的一实施例，上述第二晶体管具有一第一电极、一第二电极与一第三电极，第一电极电性连接电源线，第二电极电性连接第一晶体管的第三电极以及第一电容电极，并且第三电极电性连接像素电极。

根据本发明的一实施例，上述第一晶体管以及第二晶体管为P型晶体管时，定电压线所传递的一固定电压为负偏压。

根据本发明的一实施例，上述第一晶体管以及第二晶体管为N型晶体管时，定电压线所传递的一固定电压为正偏压。

本发明另提出一种有机发光像素结构的制作方法。首先，于一基板上形成一图案化半导体层，其中图案化半导体层包括一第一半导体图案区块、一第二半导体图案区块以及一第三半导体图案区块。接着，于基板上形成一第一绝缘层覆盖图案化半导体层。然后，于第一绝缘层上形成一第一图案化导体层，其中第一图案化导体层包括一第一栅极、一第二栅极以及一第二电容电极，其中第一栅极、第二栅极以及第二电容电极分别位于第一半导体图案区块、第二半导体图案区块以及第三半导体图案区块上方。之后，以第一图案化导体层为掩膜对图案化半导体层未被遮蔽的部分进行一掺杂工艺，使第一半导体图案区块具有一第一通道区、一第一源极区以及一第一漏极区，使第二半导体图案区块具有一第二通道区、一第二源极区以及一第二漏极区，且使第三半导体图案区块具有一掺杂区以及一未掺杂区，其中该第三半导体图案区块作为一第一电容电极。再者，形成一第二绝缘层于第一图案化导体层上。随之，在第一绝缘层以及第二绝缘层上分别形成多个第一接触窗以及多个第二接触窗，其中第一接触窗连通于部分第二接触窗而构成暴露出第一源极区、第一漏极区、第二源极区、第二漏极区以及掺杂区的多个接触开口。此外，于第二绝缘层上形成一第二图案化导体层，其中第二图案化导体层包括一像素电极以及分别连接于第一源极区、第一漏极区、第二源极区以及第二漏极区的一第一源极导体、一第一漏极导体、一第二源极导体以及一第二漏极导体，且像素电极连接于第二漏极导体。形成一有机发光单元于像素电极上。

根据本发明的一实施例，上述未连通于第一接触窗的其中一个第二接触窗暴露出第二栅极，且形成第二图案化导体层的步骤更使第一漏极导体连接于第一电容电极的掺杂区以及第二栅极。

根据本发明的一实施例，上述有机发光像素结构的制作方法更包括于第二图案化导体层上形成一第三绝缘层，且第三绝缘层具有暴露出像素电极的一开口使有机发光单元配置于开口中。

本发明又提出一种有机发光像素驱动电路，包括一扫描线、一数据线、一电源线、一第一晶体管、一第二晶体管、一有机光二极体、一定电压线、一第一电容以及一第二电容。第一晶体管包括一第一端、一第二端及一第三端，其中第一端电性连接数据线用以接收一数据信号，第二端电性连接扫描线用以接收一开关信号。第二晶体管包括一第一端、一第二端以及一第三端，其中第一端电性连接电源线用以接收一第一电压，第二端耦接至第一晶体管的第三端。有机发光二极体包括一第一端以及一第二端，其中第一端耦接至第二晶体管的第三端，而第二端用以接收一第二电压。定电压线用以提供一固定电压。第一电容包括一第一端以及一第二端，其中第一端耦接至第一晶体管的第三端，而第二端电性连接定电压线用以接收固定电压。第二电容包括一第一端以及一第二端，其中第一端耦接至第二晶体管的第三端与有机发光二极体的第一端之间，而第二端电性连接定电压线用以接收固定电压，且第一电容大于第二电容。

根据本发明的一实施例，上述第一晶体管以及第二晶体管为P型晶体管时，固定电压为负偏压。

根据本发明的一实施例，上述第一晶体管以及第二晶体管为N型晶体管时，固定电压为正偏压。

基于上述，本发明在有机发光像素中设置两个电容电极，其中一个电容电极连接至固定电压使两电容电极与像素电极共同构成两个连皆在一起的电容。通过两个连接在一起的电容提供足够的电容值使得有机发光像素具有理想的发光品质。因此，本发明实施例的有机发光像素的结构与电路有助于提供理想的显示效果。另外，本发明实施例制作两电容电极时不需使用额外的掩膜而不会造成制作成本的增加。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

图1A至图5A绘示为本发明一实施例的有机发光像素结构在各个制作步骤中的俯视示意图；

图1B至图5B绘示为图1A至图5A中剖线I-I’的剖面示意图；

图1C至图5C绘示为图1A至图5A中剖线II-II’的剖面示意图；

图6绘示本发明一实施例的有机发光像素的驱动电路；

图7A与图7B分别表示为有机发光像素500的第二电容电极240在浮置状态下以及接收定电压的状态下所呈现的显示效果。

其中，附图标记：

10：基板                   12、14、16：像素区

20：第一绝缘层             22：第一接触窗

30：第二绝缘层             32：第二接触窗

40：第三绝缘层             42：开口

100：图案化半导体层        110：第一半导体图案区块

112：第一通道区            114：第一源极区

116：第一漏极区            120：第二半导体图案区块

122：第二通道区            124：第二源极区

126：第二漏极区              130：第三半导体图案区块

132：掺杂区                  134：未掺杂区

136：第一电容电极            200：第一图案化导体层

210：扫描线                  220：第一栅极

230：第二栅极                240：第二电容电极

250：定电压线                260：电源延伸线

300：第二图案化导体层        310：像素电极

312：第二漏极导体            320：数据线

322：第一源极导体            330：电源线

332：第二源极导体            340：连接电极

342：第一漏极导体            344、346：部分

400：有机发光单元            C1：第一电容

C2：第二电容                 H：第一方向

I-I’、II-II’：剖线         T1：第一晶体管

T2：第二晶体管               V：第二方向

V1：第一电压                 V2：第二电压

V3：固定电压                 Vd：数据信号

Vs：开关信号                 W：接触开口

具体实施方式

一般来说，要构成一个有机发光显示面板，必须在基板上制作出多个有机发光像素，且这些有机发光像素呈现阵列排列。并且，为了实现多色彩化的显示效果，在基板上呈现阵列排列的多个有机发光像素可以依据所使用的有机发光材料的种类而区分为多种不同颜色的有机发光像素，其中这些颜色可以是三原色、三原色的互补色、或其他组合。基于有机发光材料的种类不同，不同颜色的有机发光像素可能需要不同的驱动能量。如此，为了让不同颜色的像素的显示效果相互匹配，在各元件的外型上，不同颜色的有机发光像素可以具有不同的图案设计。因此，以下所举实施例中，俯视图的部分将示例性地表示出三种像素中各元件的图案设计，但本领域中技术人员皆了解这三种像素中任一者的图案设计都符合本发明的精神，而且本发明不应以任何一种图案设计为限制。

图1A至图5A绘示为本发明一实施例的有机发光像素结构在各个制作步骤中的俯视示意图，图1B至图5B绘示为图1A至图5A中剖线I-I’的剖面示意图，而图1C至图5C绘示为图1A至图5A中剖线II-II’的剖面示意图。请先参照图1A、图1B与图1C，提供一基板10，并在基板上10划分出多个像素区12、14及16，其中各像素区12、14及16分别对应地设置有一个像素。为清楚表示本发明的设计，在此将以像素区12中的各构件来进行说明(如图1B与图1C所示)，而像素区14与像素区16中的各构件不另作详述。

以像素区12而言，本实施例的制作方法例如是于基板10上形成一图案化半导体层100，其中图案化半导体层100包括彼此分离的一第一半导体图案区块110、一第二半导体图案区块120以及一第三半导体图案区块130。在本实施例中，图案化半导体层100的制作方式包括了于基板10上先形成一半导体材料层(未绘示)，再使用一道掩膜进行光刻刻蚀工艺使得半导体材料层(未绘示)图案化出位于像素区12中的第一半导体图案区块110、第二半导体图案区块120以及第三半导体图案区块130。

应用于本实施例的半导体材料层可以是多晶硅半导体材料层。所以，半导体材料层的形成方法包括了于基板10上先形成非晶硅材料层再进行退火工艺使得非晶硅材料层转变为多晶硅半导体材料层。不过，本实施例不以此为限，在其他可施行的方式中，半导体材料层的材质可以是非晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料或是其他半导体材料，并不限于此。

接着，请参照图2A、图2B与图2C，于基板10上形成一第一绝缘层20并于第一绝缘层20上形成一第一图案化导体层200。再者，形成一第二绝缘层30于第一图案化导体层200上。此处第一绝缘层20与第二绝缘层30可以采用任何已知的膜层形成方式加以制作，诸如化学气相沉积法、物理气相沉积法等。另外，第一图案化导体层200的制作方法可以是先形成一导体材料层(未绘示)于第一绝缘层20上再使用一道掩膜进行光刻刻蚀工艺以将导体材料层(未绘示)图案化成第一图案化导体层200。

第一图案化导体层200包括一扫描线210、一第一栅极220、一第二栅极230、一第二电容电极240、一定电压线250以及一电源延伸线260。在此，第一栅极220、第二栅极230以及第二电容电极240分别位于第一半导体图案区块110、第二半导体图案区块120以及第三半导体图案区块130上方。另外，第一栅极220连接于扫描线210，而第二电容电极240连接于定电压线250。并且，扫描线210、定电压线250以及电源延伸线260主要沿着第一方向H延伸。

值得一提的是，由于图案化半导体层100与第一图案化导体层200用来提供不同的导电特性以实现所需要的电路，图案化半导体层100与第一图案化导体层200之间会通过第一绝缘层20分隔开来。另外，在本实施例中，第一栅极220、第二栅极230以及第二电容电极240分别部分地遮蔽住第一半导体图案区块110、第二半导体图案区块120以及第三半导体图案区块130。因此，第一半导体图案区块110、第二半导体图案区块120以及第三半导体图案区块130各自具有一部分的面积没有被第一栅极220、第二栅极230以及第二电容电极240所遮蔽。

本实施例进一步以第一图案化导体层200为掩膜对图案化半导体层100未被遮蔽的部分进行一掺杂工艺。在掺杂工艺执行之后，第一半导体图案区块110定义出一第一通道区112、一第一源极区114以及一第一漏极区116，第二半导体图案区块120定义出一第二通道区122、一第二源极区124以及一第二漏极区126，而第三半导体图案区块130定义出一掺杂区132以及一未掺杂区134。

第一通道区112位于第一源极区114与第一漏极区116之间，而第二通道区122则为于第二源极区124以及第二漏极区126之间。另外，掺杂区132例如位于未掺杂区134的周边以共同构成重叠于第二电容电极240的一第一电容电极136。为了方便描述，以下内容皆以第一电容电极136来描述具有掺杂区132以及未掺杂区134的第三半导体图案区块130。

随之，请参照图3A、图3B与图3C，在第一绝缘层20以及第二绝缘层30上分别形成多个第一接触窗22以及多个第二接触窗32。在此步骤中，使用一道掩膜，进行光刻刻蚀工艺以在第一绝缘层20以及第二绝缘层30上分别形成多个第一接触窗22以及多个第二接触窗32。值得一提的是，第一接触窗22连通于部分第二接触窗32因而构成暴露出第一源极区114、第一漏极区116、第二源极区124、第二漏极区126以及掺杂区132的多个接触开口W。另外，有一部分的第二接触窗32没有连通于第一接触窗22而暴露出第一图案化导体层200的第二栅极230以及电源延伸线260。也就是说，本实施例使用一道掩膜在第一绝缘层20与第二绝缘层30中形成的接触窗可以具有两种模式，其一为利用第一接触窗22与第二接触窗32连通而暴露出图案化半导体层100，其二为第二接触窗32独立地暴露出第一图案化导体层200。

此外，请参照图4A、图4B与图4C，于第二绝缘层30上形成一第二图案化导体层300。第二图案化导体层300的制作方法可以是先形成一导体材料层(未绘示)于第二绝缘层30上再使用一道掩膜进行光刻刻蚀工艺以将导体材料层(未绘示)图案化成第二图案化导体层300。第二图案化导体层300包括一像素电极310、数据线320、电源线330以及连接电极340。数据线320与电源线330皆沿着第二方向V延伸并且相交于扫描线210与定电压线250，其中第二方向V例如相交或是垂直于图2A所表示的第一方向H。

具体而言，数据线320重叠于第一半导体图案区块110所定义出来的第一源极区114，并且数据线320的一部分配置于暴露出第一源极区114的接触开口W中以定义出第一源极导体322。连接电极340重叠于第一半导体图案区块110所定义出来的第一漏极区116，并且连接电极340的一部分配置于暴露出第一漏极区116的接触开口W中以定义出第一漏极导体342。电源线330重叠于第二半导体图案区块120所定义出来的第二源极区124，并且电源线330的一部分配置于暴露出第二源极区124的接触开口W中以定义出第二源极导体332。像素电极310重叠于第二半导体图案区块120所定义出来的第二漏极区126，并且像素电极310的一部分配置于暴露出第二漏极区126的接触开口W中以定义出第二漏极导体312。此外，电源线330还可以通过第二绝缘层30中的第二接触窗口连接于电源延伸线260。如此，电源线330可以在两种方向上传递信号。

接着，请参照图5A、图5B以及图5C，于第二图案化导体层300上形成一第三绝缘层40，并且在第三绝缘层40上形成可容置有机发光单元400并暴露出像素电极310的开口42。如此一来，有机发光像素500的结构已大致完成。在本实施例中，形成开口42的方法是使用一道掩膜进行一光刻刻蚀工艺以将第三绝缘层40图案化。

整体而言，本实施例的像素结构的制作方法仅需要使用约五道掩膜分别进行半导体材料层的图案化、第一导体层的图案化、第一绝缘层20与第二绝缘层30的图案化、第二导体层的图案化以及第三绝缘层40的图案化。因此，相较于以往需要六至七道掩膜来制作有机发光像素的结构而言，本实施例所提供的方法因为掩膜使用数量的减少而有助于降低制作成本。

在本实施例中，有机发光单元400的结构虽未明确绘示出来，但在结构上有机发光单元400可以包括有两电极层以及夹于此两电极层之间的有机发光材料层。此时，有机发光单元400可以是一有机发光二极体。不过，本实施例不以此为限。在其他实施例中，有机发光单元400可以包括有一层电极层以及夹于此电极层与像素电极310之间的有机发光材料层。也就是说，像素电极310可以是有机发光二极体的其中一个电极。

整体来说，有机发光像素500的结构包括有扫描线210、数据线320、一电源线330、定电压线250、第一晶体管T1、一第二晶体管T2、一像素电极310、一有机发光单元400、第一电容电极136以及第二电容电极240。数据线320以及电源线330皆与扫描线210相交。定电压线250与数据线320相交。第一晶体管T1电性连接至扫描线210以及数据线320。第二晶体管T2电性连接至电源线330以及第一晶体管T1。像素电极310电性连接至第二晶体管T2。有机发光单元400配置于像素电极310上。第二电容电极240电性连接至定电压线250。

详言之，第一栅极220、接触于第一源极区114的第一源极导体322(此后简称为源极)、接触于第一漏极区116的第一漏极导体342(此后简称为漏极)以及位于第一源极区114与第一漏极区116之间的第一通道区112共同构成第一晶体管T1。第二栅极230、接触于第二源极区124的第二源极导体332(此后简称为源极)、接触于第二漏极区126的第二漏极导体312(此后简称为漏极)以及位于第二源极区124与第二漏极区126之间的第二通道区122共同构成第二晶体管T2。此外，连接电极340的一部分344重叠于第二栅极230并接触于第二栅极230，并且连接电极340的另一部分346重叠于第一电容电极136并接触于第一电容电极136的掺杂区132。

因此，第一晶体管T1的三个电极中，源极、栅极与漏极分别连接于数据线320、扫描线210以及第二晶体管T2。第二晶体管T2的三个电极中，源极、栅极与漏极分别连接于电源线330、第一晶体管T1以及像素电极310。并且，第一晶体管T1、第二晶体管T2以及第一电容电极136在结构上(图5A至图5C)通过连接电极340连接在一起。

图6绘示本发明一实施例的有机发光像素的驱动电路。请同时参照图5A与图6，有机发光像素500的驱动电路中，第一晶体管T1包括一第一端、一第二端及一第三端，其中第一端(源极)电性连接数据线320用以接收一数据信号Vd，第二端(栅极)电性连接扫描线210用以接收一开关信号Vs。第二晶体管T2包括一第一端、一第二端以及一第三端，其中第一端(源极)电性连接电源线330用以接收一第一电压V1，第二端(栅极)耦接至第一晶体管T1的第三端(漏极)。有机发光单元400(例如为有机发光二极体)包括一第一端以及一第二端，其中第一端耦接至第二晶体管T3的第三端(漏极)，而第二端用以接收一第二电压V2。定电压线250用以提供一固定电压V3。第一电容C1包括一第一端以及一第二端，其中第一端耦接至第一晶体管T1的第三端(漏极)，而第二端电性连接定电压线250用以接收固定电压V3。第二电容C2包括一第一端以及一第二端，其中第一端耦接至第二晶体管T2的第三端(漏极)与有机发光单元400(有机发光二极体)的第一端之间，而第二端电性连接定电压线250用以接收固定电压V3。

由结构设计(图2A、5B以及5C)可知，第二电容电极240位于第一电容电极136与像素电极310之间。此时，接收固定电压V3的第二电容电极240可使第一电容电极136吸引电荷。因此，第一电容电极136与第二电容电极240共同构成了第一电容C1，而第二电容电极240与像素电极310共同构成了第二电容C2。

值得一提的是，在本实施例中，定电压线250所传递的电压实质上可以依据第一晶体管T1与第二晶体管T2的类型而有所调整。在一实施例中，第一晶体管T1与第二晶体管T2为P型晶体管时，第一电容电极136因为P型掺质的掺杂而具有P型载子传输特性。所以，定电压线250所传递的固定电压可以为负偏压。在其他实施例中，第一晶体管T1与第二晶体管T2为N型晶体管(选用N型掺质掺杂半导体层)时，第一电容电极136因为N型掺质的掺杂而具有N型载子传输特性，因而定电压线250所传递的固定电压可选用正偏压。

另外，在本实施例中，第一电容C1大于第二电容C2。如此，第一电容C1与第二电容C2的设置有助于提升有机发光像素500的发光品质。值得一提的是，图7A与图7B分别表示为有机发光像素500的第二电容电极240在浮置状态下以及接收定电压的状态下所呈现的显示效果。由图6可以清楚理解，有机发光像素500的第二电容电极240在浮置状态下所呈现的显示效果表示出较明显的串音现象，而第二电容电极240接收一定电压时，串音现象获得显著的改善。

另外，根据图5B与图5C可知，第一电容C1与第二电容C2在厚度方向上皆重叠于像素电极310。所以，第一电容C1与第二电容C2并不占据额外的配置面积，这可以避免因为增设的电容结构占据配置面积而造成像素电极310的显示面积缩减。也就是说，有机发光像素500的结构设计虽具有两个电容仍具有足够的显示面积。

此外，制作有机发光像素500结构时，扫描线210、定电压线250以及第二电容电极240由相同膜层构成，所以这些构件可以通过使用同一道掩膜图案化而成。第一电容电极136的材质相同于第一晶体管T1的通道区以及第二晶体管T2的一通道区，所以制作第一晶体管T1的通道区以及第二晶体管T2的通道区时可以同时将第一电容电极136制作完成。如此一来，本实施例的定电压线250、第一、第二电容电极136、240的制作相容于原有构件的制作方法，因而本实施例仅需要约五道掩膜就可以制作出具有两个连接在一起的电容的有机发光像素500的结构。

综上所述，本发明的实施例在有机发光像素的结构中设置两个电容电极，这两个电容电极与像素电极在厚度方向上彼此重叠而构成两个连接在一起的电容。如此，有机发光像素在不缩减发光面积的前提下可以具有足够的电容以提供理想的发光亮度。两个连接在一起的电容各自具有一端连接于定电压线以接收固定电压。如此一来，有机发光像素的显示效果可以获得提升(例如串音现象可被改善)。另外，本发明实施例的有机发光像素中，第一电容电极、第二电容电极与定电压线的制作可以相容于其他既有结构的制作步骤中，因此本发明实施例的有机发光像素可以使用约五掩膜即制作完成，这有助于降低制作成本。

虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当以权利要求书为准。

Claims (15)

1.一种有机发光像素结构，其特征在于，包括：

一扫描线；

一数据线，与该扫描线相交；

一电源线，与该扫描线相交；

一定电压线，与该数据线相交；

一第一晶体管，电性连接至该扫描线以及该数据线；

一第二晶体管，电性连接至该电源线以及该第一晶体管；

一像素电极，电性连接至该第二晶体管；

一有机发光单元，配置于该像素电极上；

一第一电容电极，电性连接至该第二晶体管与该第一晶体管，该第一电容电极与该像素电极彼此重叠；以及

一第二电容电极，电性连接至该定电压线，该第二电容电极与该像素电极彼此重叠，且该第二电容电极夹于该第一电容电极与该像素电极之间，使得该第一电容电极与该第二电容电极构成一第一电容而该第二电容电极与该像素电极构成一第二电容，其中该第一电容大于该第二电容。

2.如权利要求1所述的有机发光像素结构，其特征在于，该第一电容电极的材质包括半导体材料。

3.如权利要求1所述的有机发光像素结构，其特征在于，该第一电容电极包括一掺杂部以及一未掺杂部，该未掺杂部实质上被该第二电容电极遮蔽而该掺杂部实质上位于该未掺杂部周边并连接于该第二晶体管与该第一晶体管。

4.如权利要求1所述的有机发光像素结构，其特征在于，该扫描线、该定电压线以及该第二电容电极由相同膜层构成。

5.如权利要求1所述的有机发光像素结构，其特征在于，该第一电容电极的材质相同于该第一晶体管的一通道区以及该第二晶体管的一通道区。

6.如权利要求1所述的有机发光像素结构，其特征在于，该第一晶体管具有一第一电极、一第二电极与一第三电极，该第一电极电性连接该数据线，该第二电极电性连接该扫描线。

7.如权利要求6所述的有机发光像素结构，其特征在于，该第二晶体管具有一第一电极、一第二电极与一第三电极，该第一电极电性连接该电源线，该第二电极电性连接该第一晶体管的该第三电极以及该第一电容电极，该第三电极电性连接该像素电极。

8.如权利要求1所述的有机发光像素结构，其特征在于，该第一晶体管以及该第二晶体管为P型晶体管时，该定电压线所传递的一固定电压为负偏压。

9.如权利要求1所述的有机发光像素结构，其特征在于，该第一晶体管以及该第二晶体管为N型晶体管时，该定电压线所传递的一固定电压为正偏压。

10.一种有机发光像素结构的制作方法，其特征在于，包括：

于一基板上形成一图案化半导体层，该图案化半导体层包括一第一半导体图案区块、一第二半导体图案区块以及一第三半导体图案区块；

于该基板上形成一第一绝缘层覆盖该图案化半导体层；

于该第一绝缘层上形成一第一图案化导体层，该第一图案化导体层包括一第一栅极、一第二栅极以及一第二电容电极，其中该第一栅极、该第二栅极以及该第二电容电极分别位于该第一半导体图案区块、该第二半导体图案区块以及该第三半导体图案区块上方；

以该第一图案化导体层为掩膜对该图案化半导体层未被遮蔽的部分进行一掺杂工艺，使该第一半导体图案区块具有一第一通道区、一第一源极区以及一第一漏极区，该第二半导体图案区块具有一第二通道区、一第二源极区以及一第二漏极区，且该第三半导体图案区块具有一掺杂区以及一未掺杂区，其中该第三半导体图案区块作为一第一电容电极；

形成一第二绝缘层于该第一图案化导体层上；

在该第一绝缘层以及该第二绝缘层上分别形成多个第一接触窗以及多个第二接触窗，其中该些第一接触窗连通于部分该些第二接触窗而构成暴露出该第一源极区、该第一漏极区、该第二源极区、该第二漏极区以及该掺杂区的多个接触开口；

于该第二绝缘层上形成一第二图案化导体层，该第二图案化导体层包括一像素电极以及分别连接于该第一源极区、该第一漏极区、该第二源极区以及该第二漏极区的一第一源极导体、一第一漏极导体、一第二源极导体以及一第二漏极导体，且该像素电极连接于该第二漏极导体；以及

形成一有机发光单元于该像素电极上。

11.如权利要求10所述的有机发光像素结构的制作方法，其特征在于，未连通于该些第一接触窗的其中一个第二接触窗暴露出该第二栅极，且形成该第二图案化导体层的步骤更使该第一漏极导体连接于该第一电容电极的该掺杂区以及该第二栅极。

12.如权利要求10所述的有机发光像素结构的制作方法，其特征在于，更包括于该第二图案化导体层上形成一第三绝缘层，且该第三绝缘层具有暴露出该像素电极的一开口使该有机发光单元配置于该开口中。

13.一种有机发光像素驱动电路，其特征在于，包括：

一扫描线、一数据线与一电源线；

一第一晶体管，包括一第一端、一第二端及一第三端，该第一端电性连接该数据线用以接收一数据信号，该第二端电性连接该扫描线用以接收一开关信号；

一第二晶体管，包括一第一端、一第二端以及一第三端，该第一端电性连接该电源线用以接收一第一电压，该第二端耦接至该第一晶体管的该第三端；

一有机发光二极体，包括一第一端以及一第二端，该第一端耦接至该第二晶体管的该第三端，而该第二端用以接收一第二电压；

一定电压线，用以提供一固定电压；

一第一电容，包括一第一端以及一第二端，该第一端耦接至该第一晶体管的该第三端，而该第二端电性连接该定电压线用以接收该固定电压；以及

一第二电容，包括一第一端以及一第二端，该第一端耦接至该第二晶体管的该第三端与该有机发光二极体的该第一端之间，而该第二端电性连接该定电压线用以接收该固定电压，且该第一电容大于该第二电容。

14.如权利要求13所述的有机发光像素驱动电路，其特征在于，该第一晶体管以及该第二晶体管为P型晶体管时，该固定电压为负偏压。

15.如权利要求13所述的有机发光像素驱动电路，其特征在于，其中该第一晶体管以及该第二晶体管为N型晶体管时，该固定电压为正偏压。

Images