DE102011076923B4 - Verfahren zur herstellung einer organischen lichtemittierenden diodenanzeige - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer organischen lichtemittierenden diodenanzeige Download PDF

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Abstract

Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Dioden(QLED)-Anzeige (101), aufweisend: Herstellung eines Substrathauptkörpers (111); nacheinander erfolgende Schichtung einer polykristallinen Siliziumschicht (1300) auf dem Substrathauptkörper (111), einer Gate-Isolierschicht (1400) unmittelbar auf der polykristallinen Siliziumschicht (1300) und einer ersten Metallschicht (1500) unmittelbar auf der Gate-Isolierschicht (1400); Ausbildung eines polykristallinen Siliziumschichtmusters (130, 230), eines Gate-Isolierschichtmusters (140, 240) und eines ersten leitenden Schichtmusters (150) durch Strukturieren der polykristallinen Siliziumschicht (1300), der Gate-Isolierschicht (1400) und der ersten Metallschicht (1500); Ausbildung eines Zwischenschicht-Isolierschichtmusters (160, 260) auf dem ersten leitenden Schichtmuster (150, 250); und Ausbildung eines zweiten leitenden Schichtmusters (170, 270) auf dem Zwischenschicht-Isolierschichtmuster (160, 260); wobei das polykristalline Siliziumschichtmuster (130, 230) in einem gemeinsamen Photolithographieverfahren mit dem Gate-Isolierschichtmuster (140) und dem ersten leitenden Schichtmuster (150, 250) ausgebildet wird, wobei das erste leitende Schichtmuster (150, 250) eine Datenleitung (151, 251) und eine Versorgungsleitung (152, 252) aufweist.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Dioden(OLED)-Anzeige.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Eine organische lichtemittierende Dioden(OLED)-Anzeige ist eine selbstemittierende Anzeigevorrichtung, die mittels einer organischen lichtemittierenden Diode, die Licht emittiert, ein Bild anzeigt. Licht wird durch Energie erzeugt, die erzeugt wird, wenn ein Exziton von einem angeregten Zustand fällt. Das Exziton wird durch das Kombinieren von Elektronen und Löchern in einer organischen Emissionsschicht erzeugt. Die organische lichtemittierende Dioden(OLED)-Anzeige zeigt mittels des erzeugten Lichts ein Bild an.
  • Allgemein wird die organische lichtemittierende Dioden(OLED)-Anzeige durch mehrere Photolithographie-Verfahren unter Verwendung von acht oder mehr Masken hergestellt. Da die organische lichtemittierende Dioden(OLED)-Anzeige allerdings schrittweise groß wird und die Anzahl der Masken steigt, besteht ein Problem darin, dass die Fertigungsproduktivität sinken kann. US 2009/0278131 A1 beschreibt exemplarisch ein solches Verfahren zur Herstellung einer OLED-Anzeige.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Gemäß der Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung der OLED-Anzeige nach Anspruch 1 bereitgestellt.
  • Zusätzliche Aspekte und/oder Vorteile der Erfindung werden in der Beschreibung und den Ansprüchen dargelegt.
  • KURZBESCHREIBUNG DER FIGUREN
  • Ein besseres Verständnis und eine umfassendere Würdigung dieser und/oder weiterer Aspekte und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung der Ausführungsformen in Verbindung mit den beigefügten Figuren, wobei:
  • 1 eine Darstellung einer organischen lichtemittierenden Dioden(OLED)-Anzeige gemäß einer Ausführungsform zeigt;
  • 2 eine Querschnittdarstellung zeigt, die entlang der Linie II-II in 1 verläuft;
  • 3 bis 12 Querschnittdarstellungen und Darstellungen zeigen, in denen nacheinander ein Verfahren zur Herstellung der organischen lichtemittierenden Dioden(OLED)-Anzeige, die in 1 und 2 dargestellt ist, gezeigt wird;
  • 13 eine Darstellung einer organischen lichtemittierenden Dioden(OLED)-Anzeige gemäß einer weiteren Ausführungsform zeigt;
  • 14 eine Querschnittdarstellung zeigt, die entlang der Linie XIV-XIV in 1 verläuft; und
  • 15 bis 21 Querschnittdarstellungen und Darstellungen zeigen, in denen nacheinander ein Verfahren zur Herstellung der organischen lichtemittierenden Dioden(OLED)-Anzeige, das in 13 und 14 dargestellt ist, gezeigt wird.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • Nachfolgend soll ausführlich auf die vorliegenden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung eingegangen werden, von der Beispiele in den beigefügten Figuren dargestellt sind, wobei sich gleiche Bezugszeichen immer auf gleiche Elemente beziehen. Die Ausführungsformen werden im Folgenden beschrieben, um die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf die Figuren zu erläutern.
  • Wird hier ein erstes Element, eine erste Einheit oder erste Schicht als „auf” oder „benachbart zu” einem zweiten Element, einer zweiten Einheit oder ersten Schicht angeordnet oder ausgebildet beschrieben, so können das erste Element, die erste Einheit oder erste Schicht mit dem zweiten Element, der zweiten Einheit oder zweiten Schicht unmittelbar in Kontakt stehen oder durch ein/e oder mehrere andere dazwischen angeordnete Elemente, Einheiten oder Schichten vom zweiten Element, der zweiten Einheit oder zweiten Schicht getrennt sein. Wird ein Element, eine Einheit oder eine Schicht dagegen als „unmittelbar auf” einem weiteren Element, einer weiteren Einheit oder weiteren Schicht angeordnet oder ausgebildet beschrieben, so gibt es keine dazwischen befindlichen Elemente, Einheiten oder Schichten.
  • Nachfolgend soll unter Bezugnahme auf 1 und 2 eine organische lichtemittierende Dioden(OLED)-Anzeige 101 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben werden. Wie in 1 und 2 gezeigt, weist die organische lichtemittierende Dioden(OLED)-Anzeige 101 Dünnfilmtransistoren 10 und 20, eine OLED 70 und einen Kondensator 90 auf, die auf jedem Pixel auf einem Substrathauptkörper 111 ausgebildet sind. Ein Pixel ist eine kleinste Einheit, mit der die OLED-Anzeige 101 ein Bild anzeigt.
  • Zudem weist die OLED-Anzeige 101 weiterhin eine Gate-Leitung 171, die entlang einer Richtung angeordnet ist, eine Datenleitung 151, die die Gate-Leitung 171 in einem Isolierzustand kreuzt, und eine gemeinsame Versorgungsleitung 152 auf. Dabei kann ein Pixel durch die Gate-Leitung 171, die Datenleitung 151 und die gemeinsame Versorgungsquellenleitung 152 als die Begrenzung des Pixels definiert sein. Aspekte der vorliegenden Erfindung sind jedoch nicht darauf beschränkt, und ein Pixel kann auf andere geeignete Weise definiert sein.
  • Die OLED 70 weist eine Pixelelektrode 710, eine organische Emissionsschicht 720, die auf der Pixelelektrode 710 ausgebildet ist, und eine gemeinsame Elektrode 730 auf, die auf der ersten organischen Emissionsschicht 720 ausgebildet ist. Löcher und Elektronen werden von der Pixelelektrode 710 und der gemeinsamen Elektrode 730 in die organische Emissionsschicht 720 injiziert. Wenn ein Exziton, in dem die injizierten Löcher mit einem Elektron zusammengebracht werden, vom angeregten Zustand in den Grundzustand zurück fällt, wird Licht emittiert.
  • Der Kondensator 90 weist eine erste Kondensatorelektrode 139 und eine zweite Kondensatorelektrode 159 auf, wobei ein Gate-Isolierschichtmuster 140 zwischen ihnen angeordnet ist. Dabei wird die Gate-Isolierschicht 140 ein dielektrisches Material. Eine Kapazität wird durch eine Ladung, die im Kondensator 90 gespeichert wird, und die Spannung zwischen der ersten und zweiten Kondensatorelektrode 139 und 159 bestimmt.
  • Die Dünnfilmtransistoren weisen den ersten Dünnfilmtransistor 10, der als Schalter fungiert, und den zweiten Dünnfilmtransistor 20, der die OLED 70 ansteuert, auf. Jeder der Dünnfilmtransistoren 10 und 20 weist eine Gate-Elektrode 153 und 154, eine Source-Elektrode 175 und 176 und Drain-Elektroden 177 und 178 auf. Der erste Dünnfilmtransistor 10 selektiert einen Pixel, der Licht emittieren wird. Die Gate-Elektrode 153 des ersten Dünnfilmtransistors 10 ist mit der Gate-Leitung 171 verbunden. Die Source-Elektrode 175 des ersten Dünnfilmtransistors 10 zur Datenleitung 151. Die Drain-Elektrode 177 ist mit einer der Kondensatorelektrode 159 des Kondensators 90 und der Source-Elektrode 157 des zweiten Dünnfilmtransistors 20 verbunden.
  • Der zweite Dünnfilmtransistor 20 legt ein Ansteuersignal der OLED 70 im selektierten Pixel an die Pixelelektrode 710 an. Die Source-Elektrode 176 des zweiten Dünnfilmtransistors 20 und die weitere Kondensatorelektrode 139 des Kondensators 90 sind mit der gemeinsamen Versorgungsleitung 152 verbunden. Die Drain-Elektrode 178 des zweiten Dünnfilmtransistors 20 ist mit der Pixelelektrode 710 der OLED 70 verbunden.
  • Durch die oben genannte Struktur wird der erste Dünnfilmtransistor 10 durch eine Gate-Spannung betrieben, die an die Gate-Leitung 171 angelegt wird, und überträgt die Datenspannung, die an die Datenleitung 151 angelegt wird, zum zweiten Dünnfilmtransistor 20. Eine Spannung, die einer Differenz zwischen der gemeinsamen Spannung, die von der gemeinsamen Versorgungsleitung 152 an den zweiten Dünnfilmtransistor 20 angelegt wird, und der Datenspannung, die vom ersten Dünnfilmtransistor 10 übertragen wird, entspricht, wird im Kondensator 90 gespeichert. Der Strom, der der Spannung entspricht, die im Kondensator 90 gespeichert wird, wird durch den zweiten Dünnfilmtransistor 20 zur organischen lichtemittierenden Diode 70 geliefert.
  • Nachfolgend soll unter Bezugnahme auf 2 eine OLED-Anzeige 101 gemäß der Ausführungsform von 1 entsprechend einer Schichtungsreihenfolge ausführlich beschrieben werden. Der Substrathauptkörper 111 ist aus einem transparenten Isoliermaterial ausgebildet, das aus Glas, Quarz, Keramik, Kunststoff oder anderen ähnlichen Materialien besteht. Aspekte der vorliegenden Erfindung sind jedoch nicht darauf beschränkt, und der Substrathauptkörper 111 kann aus einem Metallsubstrat ausgebildet sein, das aus rostfreiem Stahl oder anderen ähnlichen Materialien besteht. Falls der Substrathauptkörper 111 aus Kunststoff oder anderen ähnlichen Materialien besteht, kann er zudem aus einem flexiblen Substrat ausgebildet sein.
  • Eine Pufferschicht 120 ist auf dem Substrathauptkörper 111 ausgebildet und ist aus verschiedenen Isoliermaterialien wie Siliziumnitrid SiNx und Siliziumoxid SiO2 ausgebildet, die einem Durchschnittsfachmann bekannt sind. Die Pufferschicht 120 kann zum Beispiel in einem einzelnen Film aus Siliziumnitrid SiNx oder einer doppelten Filmstruktur, in der Siliziumnitrid SiNx und Siliziumoxid SiO2 geschichtet sind, ausgebildet sein. Die Pufferschicht 120 verhindert das Eindringen von Verunreinigungselementen, Fremdmaterialien oder unnötigen Komponenten, wie Feuchtigkeit oder Staub, und ebnet eine Oberfläche.
  • Aspekte der vorliegenden Erfindung sind jedoch nicht darauf beschränkt, und die Pufferschicht 120 kann entsprechend der Art des Substrathauptkörpers 111 und den Verfahrensbedingungen verwendet oder weggelassen werden.
  • Ein polykristallines Siliziumschichtmuster 130 ist auf der Pufferschicht 120 ausgebildet. Das polykristalline Siliziumschichtmuster 130 weist aktive polykristalline Schichten 133 und 134 und die erste Kondensatorelektrode 139 auf. Zudem weist das polykristalline Siliziumschichtmuster 130 weiterhin eine polykristalline Dummy-Schicht 131 auf, die unter der Datenleitung 151 und der gemeinsamen Versorgungsleitung 152 angeordnet ist (vgl. 1).
  • Das polykristalline Siliziumschichtmuster 130 wird durch Strukturieren der polykristallinen Siliziumschicht mittels eines Photolithographieverfahrens ausgebildet. Dabei wird das polykristalline Siliziumschichtmuster 130 durch ein selbes Photolithographieverfahren zusammen mit dem Gate-Isolierschichtmuster 140 und dem ersten leitenden Schichtmuster 150 strukturiert, wie weiter unten beschrieben werden soll. Zudem wird die polykristalline Siliziumschicht mittels eines Verfahrens zur Ausbildung und Kristallisierung einer amorphen Siliziumschicht ausgebildet.
  • Das Gate-Isolierschichtmuster 140 wird unter Verwendung eines gleichen Musters wie das polykristalline Siliziumschichtmuster 130 ausgebildet, das eine Vielzahl von Kontaktlöchern 645, 646, 647, 648 und 649 aufweist, die jeweilige Abschnitte des polykristallinen Siliziumschichtmusters 130 freilegen. Das heißt, dass in einem Bereich, in dem das polykristalline Siliziumschichtmuster 130 nicht ausgebildet ist, das Gate-Isolierschichtmuster 140 nicht ausgebildet ist. Das Gate-Isolierschichtmuster 140 wird ausgebildet, indem es ein oder mehrere verschiedene, dem Durchschnittsfachmann bekannte Isoliermaterialien aufweist, wie Tetraethoxysilan (Tetraethylorthosilicat, TEOS), Siliziumnitrid SiNx und Siliziumoxid SiO2 oder andere geeignete Materialien.
  • Ein erstes leitendes Schichtmuster 150 ist auf dem Gate-Isolierschichtmuster 140 ausgebildet. Das erste leitende Schichtmuster 150 weist die Gate-Elektroden 153 und 154 und die zweite Kondensatorelektrode 159 auf. Zudem weist das erste leitende Schichtmuster 150 weiterhin die Datenleitung 151 und die gemeinsame Versorgungsleitung 152 auf (vgl. 1). Aspekte der vorliegenden Erfindung sind jedoch nicht darauf beschränkt, und das erste leitende Schichtmuster 150 kann weiterhin die Gate-Leitung 171 anstelle der Datenleitung 151 und der gemeinsamen Versorgungsleitung 152 aufweisen.
  • Das erste leitende Schichtmuster 150 weist eine erste Metallschicht 1500 auf (vgl. 3). Das heißt, dass das erste leitende Schichtmuster 150 durch Strukturieren der ersten Metallschicht 1500 durch das oben genannte Photolithographieverfahren ausgebildet wird. Die erste Metallschicht 1500 wird ausgebildet, indem sie ein oder mehrere verschiedene Metallmaterialien, wie Molybdän (Mo), Chrom (Cr), Aluminium (Al), Silber (Ag), Titan (Ti), Tantal (Ta) und Wolfram (W) oder andere geeignete Metallmaterialien, aufweist. Der Kondensator 90 wird durch die erste Kondensatorelektrode 139, die zweite Kondensatorelektrode 159 und das Gate-Isolierschichtmuster 140, das zwischen der ersten Kondensatorelektrode 139 und der zweiten Kondensatorelektrode 159 angeordnet ist, ausgebildet.
  • Ein Zwischenschicht-Isolierschichtmuster 160 ist auf dem ersten leitenden Schichtmuster 150 ausgebildet. Das Zwischenschicht-Isolierschichtmuster 160 weist Kontaktlöcher 601, 603, 604 und 609 auf, die einen Abschnitt der Gate-Elektroden 153 und 154, der zweiten Kondensatorelektrode 159, der Datenleitung 151 und der gemeinsamen Versorgungsleitung 152 freilegen. Zudem weist das Zwischenschicht-Isolierschichtmuster 160 die Kontaktlöcher 645, 646, 647, 648 und 649 auf, die einen Abschnitt der aktiven polykristallinen Schicht 133 und 134 und der ersten Kondensatorelektrode 139 zusammen mit dem Gate-Isolierschichtmuster 140 freilegen.
  • Zudem weist das Zwischenschicht-Isolierschichtmuster 160 die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 1601 und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 1602 auf. Die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 1601 und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 1602 weisen unterschiedliche Brechungsindices auf. Aspekte der vorliegenden Erfindung sind jedoch nicht darauf beschränkt, und die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 1601 und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 1602 können einen gleichen Brechungsindex aufweisen. Wie oben beschrieben, weisen die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 1601 und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 1602 unterschiedliche Brechungsindices auf, weshalb die OLED-Anzeige 101 durch Licht, das an der Grenzfläche zwischen der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 1601 und der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 1602 reflektiert wird, einen Spiegeleffekt haben kann. Zum Beispiel sind die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 1601 und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 1602 aus Siliziumnitrid ausgebildet, das den relativ hohen Brechungsindex aufweist, während die andere davon aus Siliziumoxid ausgebildet ist, das den relativ niedrigen Brechungsindex aufweist. Aspekte der vorliegenden Erfindung sind jedoch nicht darauf beschränkt, und das Zwischenschicht-Isolierschichtmuster 160 weist verschiedene anorganische Filme und/oder organische Filme auf.
  • Ein zweites leitendes Schichtmuster 170 ist auf dem Zwischenschicht-Isolierschichtmuster 160 ausgebildet. Das zweite leitende Schichtmuster 170 weist die Source-Elektroden 175 und 176, die Drain-Elektroden 177 und 178 und die Pixelelektrode 710 auf. Zudem weist das zweite leitende Schichtmuster 170 die Gate-Leitung 171 (vgl. 1) und eine Verbindungsleitung 172 auf. Aspekte der vorliegenden Erfindung sind jedoch nicht darauf beschränkt, und das zweite leitende Schichtmuster 170 kann weiterhin die Datenleitung 151 und die gemeinsame Versorgungsleitung 152 anstelle der Gate-Leitung 171 aufweisen.
  • Die Source-Elektroden 175 und 176 und die Drain-Elektroden 177 und 178 sind über die Kontaktlöcher 645, 646, 647 und 648 mit den aktiven polykristallinen Schichten 133 und 134 verbunden. Die Pixelelektrode 710 erstreckt sich von der Drain-Elektrode 178 des zweiten Dünnfilmtransistors 20. Die Verbindungsleitung 172 verbindet die Gate-Elektrode 154, die zweite Kondensatorelektrode 159 und die Drain-Elektrode 177 über die Kontaktlöcher 604 und 609 miteinander. Zudem verbindet die Verbindungsleitung 172 die Source-Elektrode 175 über das Kontaktloch 601 mit der Datenleitung 151. Zudem kann die Verbindungsleitung 172 Strukturen miteinander verbinden, die nicht gezeigt sind.
  • Das zweite leitende Schichtmuster 170 weist die transparente leitende Schicht 1701 und die zweite Metallschicht 1702 auf, die auf einem Bereich eines Abschnitts der transparenten leitenden Schicht 1701 ausgebildet sind. Die Source-Elektroden 175 und 176, die Drain-Elektroden 177 und 178 und die Pixelelektrode 170 weisen die transparente leitende Schicht 1701 auf. Dementsprechend zeigt die OLED-Anzeige 101 ein Bild durch die Emission von Licht in eine Rückseitenrichtung, das heißt, zum Substrathauptkörper 111 hin, an. Zudem sind die Gate-Leitung 171 (vgl. 1) und die Verbindungsleitung 172 aus der transparenten leitenden Schicht 1701 und der zweiten Metallschicht 1702 ausgebildet. Aspekte der vorliegenden Erfindung sind jedoch nicht darauf beschränkt, und die Source-Elektroden 175 und 176 und die Drain-Elektroden 177 und 178 können aus der transparenten leitenden Schicht 1701 und der zweiten Metallschicht 1702 ausgebildet sein.
  • In einem Bereich eines Abschnitts der aktiven polykristallinen Schichten 133 und 134 kann sich eine Reihenfolge eines Verfahrens zur Dotierung mit einer n- oder p-Verunreinigung je nachdem, ob die Source-Elektroden 175 und 176 und die Drain-Elektroden 177 und 178 aus der transparenten leitenden Schicht 1701 ausgebildet sind oder sowohl aus der transparenten leitenden Schicht 1701 als auch der zweiten Metallschicht 1702 ausgebildet sind, ändern. Werden zum Beispiel die Source-Elektroden 175 und 176 und die Drain-Elektroden 177 und 178 aus der transparenten leitenden Schicht 1701 ausgebildet, nachdem das zweite leitende Schichtmuster 170 ausgebildet wurde, so wird ein Bereich eines Abschnitts der aktiven polykristallinen Schichten 133 und 134 mit der n- oder p-Verunreinigung dotiert. Werden die Source-Elektroden 175 und 176 und die Drain-Elektroden 177 und 178 dagegen aus der transparenten leitenden Schicht 1701 und der zweiten Metallschicht 1702 ausgebildet, bevor das zweite leitende Schichtmuster 170 ausgebildet wird, so wird ein Bereich eines Abschnitts der aktiven polykristallinen Schichten 133 und 134 mit der n- oder p-Verunreinigung dotiert.
  • Die transparente leitende Schicht 1701 weist eines oder mehrere von ITO (Indiumzinnoxid), IZO (Indiumzinkoxid), ZITO (Zink-Indium-Zinn-Oxid), GITO (Gallium-Indium-Zinn-Oxid), In2O3 (Indiumoxid), ZnO (Zinkoxid), GIZO (Gallium-Indium-Zink-Oxid), GZO (Gallium-Zink-Oxid), FTO (Fluor-Zinn-Oxid) und AZO (aluminiumdotiertes Zinnoxid) oder anderen geeigneten Materialien auf. Wie die erste Metallschicht 1500 (vgl. 3) wird auch die zweite Metallschicht 1702 aus verschiedenen dem Durchschnittsfachmann bekannten Metallmaterialien ausgebildet. Zudem wird das zweite leitende Schichtmuster 170 durch ein Photolithographieverfahren ausgebildet, das ein Doppelbelichtungs- oder Rasterbelichtungsverfahren aufweist. Die Gate-Elektroden 153 und 154, die aktiven polykristallinen Schichten 133 und 134, die Source-Elektroden 175 und 176 und die Drain-Elektroden 177 und 178 ergeben die Dünnfilmtransistoren 10 und 20.
  • Der Pixeldefinitionsfilm 180 ist auf dem zweiten leitenden Schichtmuster 170 ausgebildet. Der Pixeldefinitionsfilm 180 weist eine Öffnung 185 auf, die einen Abschnitt der Pixelelektrode 710 freilegt. Der Pixeldefinitionsfilm 180 wird aus verschiedenen dem Durchschnittsfachmann bekannten organischen oder anorganischen Materialien ausgebildet. Zum Beispiel kann der Pixeldefinitionsfilm 180 gehärtet und durch Wärme oder Licht ausgebildet werden, nachdem er mittels eines photoempfindlichen organischen Films strukturiert wurde.
  • Die organische Emissionsschicht 720 ist auf der Pixelelektrode 710 ausgebildet, während die gemeinsame Elektrode 730 auf der organischen Emissionsschicht 720 ausgebildet ist. Die Pixelelektrode 710, die organische Emissionsschicht 720 und die gemeinsame Elektrode 730 ergeben die OLED 70. Zudem weist ein Pixeldefinitionsfilm 180 die Pixelelektrode 710, die organische Emissionsschicht 720 und die gemeinsame Elektrode 730 auf, die nacheinander darauf geschichtet werden. Weiterhin weist der Pixeldefinitionsfilm 180 eine Öffnung 185 auf, die einen lichtemittierenden Bereich der OLED 70 ergibt. Gemäß der oben genannten Gestaltung kann die OLED-Anzeige 101 eine einfache Struktur aufweisen, so dass eine Anzahl von beim Herstellungsverfahren verwendeten Photolithographieverfahren minimal gehalten wird.
  • Im Einzelnen wird ein selbes Photolithographieverfahren zur Ausbildung des polykristallinen Siliziumschichtmusters 130 und des ersten leitenden Schichtmusters 150 verwendet. Das erste polykristalline Siliziumschichtmuster 130 weist die aktiven polykristallinen Schichten 133 und 134 und das Gate-Isolierschichtmuster 140 auf. Das erste leitende Schichtmuster 150 weist die Gate-Elektroden 153 und 154 auf. Zudem können die Drain-Elektrode 178 des zweiten Dünnfilmtransistors 20 und die Pixelelektrode 710 der organischen lichtemittierenden Diode 70 durch das selbe Photolithographieverfahren ausgebildet werden. Gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel kann die vergrößerte OLED-Anzeige 101 dadurch effizient eine hohe Produktivität hinsichtlich der Herstellungsergiebigkeit aufrechterhalten. Zudem kann die OLED-Anzeige 101 durch die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 1601 und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 1602, die unterschiedliche Brechungsindices aufweisen, einen Spieleffekt erzielen.
  • Nachfolgend soll unter Bezugnahme auf 3 bis 12 ein Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Dioden(OLED)-Anzeige 101 gemäß der Ausführungsform in 1 beschrieben werden. Wie in 3 gezeigt, werden zuerst nacheinander die Pufferschicht 120, eine polykristalline Siliziumschicht 1300, eine Gate-Isolierschicht 1400 und eine erste Metallschicht 1500 auf dem Substrathauptkörper 111 ausgebildet.
  • Die Pufferschicht 120 kann aus verschiedenen, dem Durchschnittsfachmann bekannten Isoliermaterialien, wie Siliziumnitrid SiNx und Siliziumoxid SiO2 oder anderen geeigneten Isoliermaterialien ausgebildet werden. Die polykristalline Siliziumschicht 1300 wird mittels eines Verfahrens zur Abscheidung und Kristallisation der amorphen Siliziumschicht auf der Pufferschicht 120 ausgebildet. Als Verfahren zur Kristallisation der amorphen Siliziumschicht können verschiedene dem Durchschnittsfachmann bekannte Verfahren, wie Verfahren zur Beaufschlagung mit Hitze, zum Einsatz eines Lasers oder zur Verwendung eines Metallkatalysators, oder andere geeignete Verfahren verwendet werden.
  • Wie in 4 gezeigt, werden dann ein polykristallines Siliziumschichtmuster 130 und ein Gate-Isolierschichtmuster 140 durch Ätzen durch ein erstes photoempfindliches Filmmuster 810 ausgebildet, so dass ein erstes leitendes Schichtzwischenprodukt 1550 ausgebildet wird. Dabei wird das erste photoempfindliche Filmmuster 810 durch ein Doppelbelichtungsverfahren oder ein Rasterbelichtungsverfahren ausgebildet. Das erste photoempfindliche Filmmuster 810 weist einen ersten Abschnitt 811 mit großer Dicke und einen ersten Abschnitt 812 mit geringer Dicke auf.
  • Dann wird in 5 und 6 gezeigt, dass der erste Abschnitt 812 mit geringer Dicke des ersten photoempfindlichen Filmmusters 810 entfernt ist, bzw., anders ausgedrückt, existiert in den in 5 und 6 gezeigten Ausführungsformen kein erster Abschnitt 812 mit geringer Dicke. Dabei kann eine Dicke des ersten Abschnitts 811 mit großer Dicke geringfügig verringert werden. Zudem wird das erste leitende Schichtmuster 150 durch Ätzen des ersten leitenden Zwischenschichtprodukts 1550 durch den ersten Abschnitt 812 mit geringer Dicke ausgebildet.
  • Wie oben beschrieben, werden durch ein einzelnes Photolithographieverfahren das polykristalline Siliziumschichtmuster 130, das Gate-Isolierschichtmuster 140 und das erste leitende Schichtzwischenprodukt 1550 ausgebildet. Das polykristalline Siliziumschichtmuster 130 weist aktive polykristalline Schichten 133 und 134 und die erste Kondensatorelektrode 139 auf. Das Gate-Isolierschichtmuster 140 wird mit einem gleichen Muster wie das polykristalline Schichtmuster 130 ausgebildet. Das erste leitende Schichtmuster 150 weist die Gate-Elektroden 153 und 154, die zweite Kondensatorelektrode 159, die Datenleitung 151 und die gemeinsame Versorgungsleitung 152 auf (vgl. 1). Zudem weist das polykristalline Siliziumschichtmuster 130 weiterhin eine polykristalline Dummy-Schicht 131 auf. Die polykristalline Dummy-Schicht 131 wird unter der Datenleitung 151 des ersten leitenden Schichtmusters 150 und der gemeinsamen Versorgungsleitung 152 angeordnet. Die polykristalline Dummy-Schicht 131 wird ebenfalls beim Verfahren zur Herstellung der OLED-Anzeige 101 gemäß der in 1 gezeigten Ausführungsform ausgebildet.
  • Wie in 7 werden nacheinander eine erste Zwischenschicht-Isolierschicht 1601 und eine zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 1602 auf dem ersten leitenden Schichtmuster 150 ausgebildet. Obwohl dies nicht gemäß allen Aspekten der vorliegenden Erfindung notwendig ist, können die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 1601 und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 1602 unterschiedliche Brechungsindices aufweisen. Zum Beispiel wird entweder die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 1601 oder die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 1602 aus Siliziumnitrid ausgebildet, das einen relativ hohen Brechungsindex aufweist, während die andere davon aus Siliziumoxid ausgebildet wird, das einen relativ niedrigen Brechungsindex aufweist. Ein zweites photoempfindliches Filmmuster 820 wird auf der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht angeordnet und weist einen zweiten Abschnitt 821 mit großer Dicke und einen zweiten Abschnitt 822 mit geringer Dicke auf.
  • Wie in 8 und 9 gezeigt, wird dann ein Zwischenschicht-Isolierschichtmuster 160 durch Strukturieren der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 1601 und der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 1602 durch ein Photolithographieverfahren unter Verwendung des zweiten photoempfindlichen Filmmusters 820 ausgebildet. Das Zwischenschicht-Isolierschichtmuster 160 weist Kontaktlöcher 601, 603, 604 und 609 auf, die einen Abschnitt der Gate-Elektroden 153 und 154, der zweiten Kondensatorelektrode 159, der Datenleitung 151 und der gemeinsamen Versorgungsleitung 152 freilegen. Zudem weist das Zwischenschicht-Isolierschichtmuster 160 Kontaktlöcher 645, 646, 647, 648 und 649 auf, die einen Abschnitt der aktiven polykristallinen Schichten 133 und 134 und der ersten Kondensatorelektrode 139 zusammen mit dem Gate-Isolierschichtmuster 140 freilegen. Zudem kann die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 1602 den größeren geätzten Bereich als die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 1601 durch das zweite photoempfindliche Filmmuster 820 aufweisen, das den zweiten Abschnitt 821 mit großer Dicke und den zweiten Abschnitt 822 mit geringer Dicke aufweist.
  • Wie in 10 gezeigt, werden dann eine transparente leitende Schicht 1701 und eine zweite Metallschicht 1702 nacheinander auf das Zwischenschicht-Isolierschichtmuster 160 geschichtet. Die transparente leitende Schicht 1701 wird durch die Kontaktlöcher 601, 603, 604, 609, 645, 646, 647, 648 und 649 des Zwischenschicht-Isolierschichtmusters 160 (vgl. 9) mit den Gate-Elektroden 153 und 154, der ersten Kondensatorelektrode 139, der zweiten Kondensatorelektrode 159, der Datenleitung 151, der gemeinsamen Versorgungsleitung 152 und den aktiven polykristallinen Schichten 133 und 134 verbunden.
  • Zudem wird ein drittes photoempfindliches Filmmuster 830 auf der zweiten Metallschicht 1702 ausgebildet. Das dritte photoempfindliche Filmmuster 830 weist einen dritten Abschnitt 831 mit großer Dicke und einen dritten Abschnitt 832 mit geringer Dicke auf. Dabei entspricht der dritte Abschnitt 832 mit großer Dicke einer Position, in der die Source-Elektroden 175 und 176, die Drain-Elektroden 177 und 178 und die Pixelelektrode 710 ausgebildet werden sollen.
  • Wie in 11 gezeigt, wird durch Ätzen durch das dritte photoempfindliche Filmmuster 830 ein zweites leitendes Schichtmuster-Zwischenmuster 1700 ausgebildet, das aus der transparenten leitenden Schicht 1701 und der zweiten Metallschicht 1702 ausgebildet wird. Anschließend wird der dritte Abschnitt 832 mit geringer Dicke entfernt, und das zweite leitende Schichtmuster-Zwischenprodukt 1700 wird erneut durch den dritten Abschnitt 831 mit großer Dicke geätzt, so dass das zweite leitende Schichtmuster 170 ausgebildet wird (vgl. 12). Das zweite leitende Schichtmuster 170, die Gate-Leitung 171 und die Verbindungsleitung 172 werden aus der transparenten leitenden Schicht 1701 und der zweiten Metallschicht 1702 ausgebildet. Die Source-Elektroden 175 und 176, die Drain-Elektroden 177 und 178 und die Pixelelektrode 710 werden aus der transparenten leitenden Schicht 1701 ausgebildet.
  • Dann wird ein Bereich eines Abschnitts der aktiven polykristallinen Schichten 133 und 134 mit einer n- oder p-Verunreinigung dotiert. Im Bereich des Abschnitts der aktiven polykristallinen Schichten 133 und 134 wird die zweite Metallschicht 1702 entfernt und die transparente leitende Schicht 1701 ausgebildet. Dadurch wird der Bereich des Abschnitts der aktiven polykristallinen Schicht 133 und 134 durch die Source-Elektroden 175 und 176 und die Drain-Elektroden 177 und 178 mit der n- oder p-Verunreinigung dotiert. Andererseits verhindern die Gate-Elektroden 153 und 154, dass in den aktiven polykristallinen Schichten 133 und 134 ein anderer Bereich als der Bereich des Abschnitts der aktiven polykristallinen Schichten 133 und 134, die mit der n- oder p-Verunreinigung dotiert werden, mit der n- oder p-Verunreinigung dotiert wird. Dadurch ergeben die aktiven polykristallinen Schichten 133 und 134 einen intrinsischen Halbleiterbereich, der unter den Gate-Elektroden 153 und 154 angeordnet ist, und einen Störstellenhalbleiterbereich, der unter den Source-Elektroden 175 und 176 und den Drain-Elektroden 177 und 178 angeordnet ist.
  • Aspekte der vorliegenden Erfindung sind jedoch nicht auf das oben beschriebene Verfahren beschränkt. Das heißt, dass ein Verfahren zur Dotierung des Bereichs des Abschnitts der aktiven polykristallinen Schichten 133 und 134 mit der n- oder p-Verunreinigung durchgeführt werden kann, bevor das zweite leitende Schichtmuster 170 ausgebildet wird. In diesem Fall werden die Source-Elektroden 175 und 176 und die Drain-Elektroden 177 und 178 aus der transparenten leitenden Schicht 1701 und der zweiten Metallschicht 1702 ausgebildet.
  • Wie in 12 gezeigt, wird der Pixeldefinitionsfilm 180 auf dem zweiten leitenden Schichtmuster 170 ausgebildet. Der Pixeldefinitionsfilm 180 weist eine Öffnung 185 auf, die einen Abschnitt der Pixelelektrode 170 freilegt. Zudem werden die organische Emissionsschicht 720 und die gemeinsame Elektrode 730 nacheinander auf der Pixelelektrode 710 geschichtet.
  • Durch das oben beschriebene Verfahren zur Herstellung der OLED-Anzeige 101 kann die OLED-Anzeige 101 gemäß der Ausführungsform in 1 hergestellt werden. Das heißt, dass sich die OLED-Anzeige 101 herstellen lässt, indem eine Anzahl von Photolithographieverfahren auf ein Mindestmaß reduziert wird. Dadurch kann gemäß der Ausführungsform in 1 die vergrößerte OLED-Anzeige 101 die hohe Produktivität hinsichtlich einer Herstellungsergiebigkeit effizient aufrechterhalten. Obwohl dies nicht gemäß allen Aspekten der vorliegenden Erfindung notwendig ist, kann die OLED-Anzeige 101 durch die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 1601 und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 1602, die unterschiedliche Brechungsindices aufweisen, einen Spiegeleffekt erzielen.
  • Anschließend soll unter Bezugnahme auf 13 und 14 eine organische lichtemittierende Dioden(OLED)-Anzeige 102 gemäß einer weiteren Ausführungsform beschrieben werden. Wie in 13 und 14 gezeigt, ist ein polykristallines Siliziumschichtmuster 230 auf der Pufferschicht 120 ausgebildet. Das polykristalline Siliziumschichtmuster 230 weist aktive polykristalline Schichten 233 und 234 und eine erste Kondensatorelektrode 239 auf. Zudem weist das polykristalline Siliziumschichtmuster 230 weiterhin eine polykristalline Dummy-Schicht 231 auf, die unter der Datenleitung 251 und der gemeinsamen Versorgungsleitung 252 angeordnet ist.
  • Ein Gate-Isolierschichtmuster 240 ist in einem Bereich eines Abschnitts des polykristallinen Siliziumschichtmusters 230 ausgebildet. Das heißt, dass gemäß der vorliegenden Ausführungsform das Gate-Isolierschichtmuster 240 nicht mit einem gleichen Muster wie das polykristalline Siliziumschichtmuster 230 ausgebildet ist. Stattdessen ist das Gate-Isoliermuster 240 mit einem gleichen Muster wie das erste leitende Schichtmuster 250 ausgebildet, das weiter unten beschrieben werden soll.
  • Das erste leitende Schichtmuster 250 wird unter Verwendung eines gleichen Musters wie das Gate-Isolierschichtmuster 240 ausgebildet und wird auf dem Gate-Isolierschichtmuster 240 ausgebildet. Das erste leitende Schichtmuster 250 weist Gate-Elektroden 253 und 254 und eine zweite Kondensatorelektrode 259 auf. Zudem weist das erste leitende Schichtmuster 250 weiterhin eine Datenleitung 251 und eine gemeinsame Versorgungsleitung 252 auf (vgl. 13). Aspekte der vorliegenden Erfindung sind jedoch nicht darauf beschränkt, und das erste leitende Schichtmuster 250 kann weiterhin anstelle der Datenleitung 251 und der gemeinsamen Versorgungsleitung 252 eine Gate-Leitung 271 (vgl. 13) aufweisen.
  • Das erste leitende Schichtmuster 250 ist aus dotierten amorphen Siliziumschichten 2511, 2531, 2541 und 2591 und ersten Metallschichten 2512, 2532, 2542 und 2592 ausgebildet. Die dotierten amorphen Siliziumschichten 2511, 2531, 2541 und 2591 dienen der Kompensation, wenn die ersten Metallschichten 2512, 2532, 3542 und 2592 im Verlauf der Ausbildung des zweiten leitenden Schichtmusters 270 beschädigt werden oder einen Kurzschluss erleiden.
  • Ein Zwischenschicht-Isolierschichtmuster 260 ist auf dem ersten leitenden Schichtmuster 250 ausgebildet. Das Zwischenschicht-Isolierschichtmuster 260 weist Kontaktlöcher 601, 602, 603, 604 und 609 auf, die einen Abschnitt der Gate-Elektroden 253 und 254, der zweiten Kondensatorelektrode 259, der Datenleitung 251 und der gemeinsamen Versorgungsleitung 252 freilegen. Zudem weist das Zwischenschicht-Isolierschichtmuster 260 Kontaktlöcher 645, 646, 647 und 648 auf, die einen Abschnitt der aktiven polykristallinen Schichten 233 und 234 und der ersten Kondensatorelektrode 239 zusammen mit dem Gate-Isolierschichtmuster 240 freilegen.
  • Zudem weist das Zwischenschicht-Isolierschichtmuster 260 eine erste Zwischenschicht-Isolierschicht 2601 und eine zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 2602 auf. Obwohl dies nicht gemäß allen Aspekten der vorliegenden Erfindung notwendig ist, können die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 2601 und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 2602 unterschiedliche Brechungsindices aufweisen. Wie oben beschrieben, weisen die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 2601 und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 2602 unterschiedliche Brechungsindices auf. Dadurch kann die OLED-Anzeige 102 einen Spiegeleffekt entsprechend dem Licht, das auf einer Grenzfläche zwischen der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 2601 und der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 2602 reflektiert wird, aufweisen. Ein zweites leitendes Schichtmuster 270 ist auf dem Zwischenschicht-Isolierschichtmuster 260 ausgebildet. Das zweite leitende Schichtmuster 270 ist auf einem Abschnitt des polykristallinen Siliziumschichtmusters 230 ausgebildet, der durch eine Region des Kontaktlochs 646 des Zwischenschicht-Isolierschichtmusters 260 freigelegt wird. Das zweite leitende Schichtmuster 270 weist Source-Elektroden 275 und 276, Drain-Elektroden 277 und 278 und die Pixelelektrode 710 auf. Zudem weist das zweite leitende Schichtmuster 270 weiterhin die Gate-Leitung 271 (vgl. 13) und eine Verbindungsleitung 272 auf. Aspekte der vorliegenden Erfindung sind jedoch nicht darauf beschränkt, und das zweite leitende Schichtmuster 270 kann weiterhin anstelle der Gate-Leitung 271 die Datenleitung 251 und die gemeinsame Versorgungsleitung 252 aufweisen.
  • Die Source-Elektroden 275 und 276 und die Drain-Elektroden 277 und 278 sind durch die Kontaktlöcher 645, 646, 647, 648 mit den aktiven polykristallinen Schichten 233 und 234 verbunden. Die Pixelelektrode 710 erstreckt sich von der Drain-Elektrode 278 des zweiten Dünnfilmtransistors 20. Wie in 14 gezeigt, ist die Source-Elektrode 276 des zweiten Dünnfilmtransistors 20 auf dem polykristallinen Siliziumschichtmuster 230 ausgebildet. Aspekte der vorliegenden Erfindung sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Verbindungsleitung 272 verbindet die Gate-Elektroden 254 und die zweite Kondensatorelektrode 259 des zweiten Dünnfilmtransistors 20 und die Drain-Elektrode 277 des ersten Dünnfilmtransistors 10 über die Kontaktlöcher 604 und 609. Zudem verbindet die Verbindungsleitung 272 die Source-Elektrode 275 und die Datenleitung 251 des ersten Dünnfilmtransistors 10 über das Kontaktloch 601. Obwohl dies nicht gemäß allen Aspekten der vorliegenden Erfindung notwendig ist, kann die Verbindungsleitung 272 Anordnungen oder andere Einheiten und Elemente verbinden, die nicht gezeigt sind.
  • Das zweite leitende Schichtmuster 270 weist eine transparente leitende Schicht 2701 und eine auf einem Bereich eines Abschnitts der transparenten leitenden Schicht 2701 ausgebildete zweite Metallschicht 2702 auf. Die Source-Elektroden 275 und 276, die Drain-Elektroden 277 und 278, die Gate-Leitung 271 und die Verbindungsleitung 272 sind aus der transparenten leitenden Schicht 2701 und der zweiten Metallschicht 2702 ausgebildet. Zudem ist die Pixelelektrode 710 aus der transparenten leitenden Schicht 2701 ausgebildet. Die OLED-Anzeige 102 ist somit imstande, ein Bild durch die Emission von Licht in eine Rückseitenrichtung, das heißt, zum Substrathauptkörper 111 hin, anzuzeigen. Aspekte der vorliegenden Erfindung sind jedoch nicht darauf beschränkt, und die Source-Elektroden 275 und 276 und die Drain-Elektroden 277 und 276 können ausschließlich aus der transparenten leitenden Schicht 2701 ausgebildet sein.
  • Je nachdem, ob die Source-Elektroden 275 und 276 und die Drain-Elektroden 277 und 278 im Bereich des Abschnitts der aktiven polykristallinen Schichten 233 und 234 ausschließlich aus der transparenten leitenden Schicht 2701 oder aus der transparenten leitenden Schicht 2701 und der zweiten Metallschicht 2702 ausgebildet sind, kann sich eine Reihenfolge von Verfahren zur Dotierung mit einer n- oder p-Verunreinigung ändern. Werden zum Beispiel die Source-Elektroden 275 und 276 und die Drain-Elektroden 277 und 278 aus der transparenten leitenden Schicht 2701 und der zweiten Metallschicht 2702 ausgebildet, bevor das zweite leitende Schichtmuster 270 ausgebildet wird, so wird der Bereich des Abschnitts der aktiven polykristallinen Schicht 230 mit einer n- oder p-Verunreinigung dotiert. Werden die Source-Elektroden 275 und 276 und die Drain-Elektroden 277 und 278 dagegen ausschließlich aus der transparenten leitenden Schicht 2701 ausgebildet, nachdem das zweite leitende Schichtmuster 270 ausgebildet wurde, so wird der Bereich des Abschnitts der aktiven polykristallinen Schichten 233 und 234 mit der n- oder p-Verunreinigung dotiert.
  • Der Pixeldefinitionsfilm 180 ist auf dem zweiten leitenden Schichtmuster 270 ausgebildet. Der Pixeldefinitionsfilm 180 weist eine Öffnung 185 auf, die einen Abschnitt der Pixelelektrode 710 freilegt. Die organische Emissionsschicht 720 ist auf der Pixelelektrode 710 ausgebildet, während die gemeinsame Elektrode 730 auf der organischen Emissionsschicht 720 ausgebildet ist.
  • Durch die oben genannte Gestaltung kann die organische lichtemittierende Dioden(OLED)-Anzeige 102 gemäß der vorliegenden Ausführungsform eine einfache Struktur aufweisen, so dass sich eine Anzahl von Photolithografieverfahren, die beim Herstellungsverfahren verwendet werden, verringert. Genauer, werden das Gate-Isolierschichtmuster 240, das erste leitende Schichtmuster 250 und das Zwischenschicht-Isolierschichtmuster 260 durch ein selbes Photolithographieverfahren ausgebildet. Zudem werden die Drain-Elektrode 278 des zweiten Dünnfilmtransistors 20 und die Pixelelektrode 710 der OLED 70 durch ein selbes Photolithographieverfahren ausgebildet.
  • Falls die ersten Metallschichten 2512, 2532, 2542 und 2592 beschädigt sind oder einen Kurzschluss erleiden, ist es bei der Ausbildung des zweiten leitenden Schichtmusters 270 zudem möglich, das Auftreten eines Kurzschlusses und von Defekten zu verhindern, indem die dotierten amorphen Siliziumschichten 2511, 2531, 2541 und 2591 jeweils unter den ersten Metallschichten 2512, 2532, 2542 und 2592 angeordnet werden. Obwohl dies nicht gemäß allen Aspekten der vorliegenden Erfindung notwendig ist, kann die OLED-Anzeige 102 zudem dadurch einen Spiegeleffekt aufweisen, dass die erste Isolierschicht-Zwischenschicht 2601 und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 2602 unterschiedliche Brechungsindices aufweisen.
  • Nachfolgend soll unter Bezugnahme auf 15 bis 21 ein Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Dioden(OLED)-Anzeige 102 gemäß der Ausführungsform in 14 beschrieben werden. Wie in 15 gezeigt, werden nach der nacheinander erfolgenden Schichtung einer polykristallinen Siliziumschicht, einer Gate-Isolierschicht, einer dotierten amorphen Siliziumschicht und einer ersten Metallschicht auf der Pufferschicht 120 zunächst das polykristalline Siliziumschichtmuster 230, ein Gate-Isolierschicht-Zwischenprodukt 2410 und ein erstes leitendes Schicht-Zwischenprodukt 2510 dadurch ausgebildet, dass sie durch ein Photolithographieverfahren strukturiert werden. Das polykristalline Siliziumschichtmuster 230 weist die aktiven polykristallinen Schichten 233 und 234 und die erste Kondensatorelektrode 239 auf. Das erste leitende Schicht-Zwischenprodukt 2510 weist eine dotierte amorphe Siliziumschicht 2501 und eine erste Metallschicht 2502 auf. Obwohl dies nicht gemäß allen Aspekten der vorliegenden Erfindung notwendig ist, werden das polykristalline Siliziumschichtmuster 230, das Gate-Isolierschicht-Zwischenprodukt 2410 und das erste leitende Schicht-Zwischenprodukt 2510 durch ein Photolithographieverfahren unter Verwendung eines photoempfindlichen Filmmusters ausgebildet.
  • Wie in 16 gezeigt, werden nacheinander eine erste Zwischenschicht-Isolierschicht 2601 und eine zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 2602 auf dem ersten leitenden Schicht-Zwischenprodukt 2510 ausgebildet und weisen unterschiedliche Brechungsindices auf. Zudem wird ein erstes photoempfindliches Filmmuster 910 auf der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 2602 ausgebildet. Das erste photoempfindliche Muster 910 wird durch ein Doppelbelichtungs- oder ein Rasterbelichtungsverfahren ausgebildet. Das erste photoempfindliche Filmmuster 910 weist einen ersten Abschnitt 911 mit großer Dicke und einen ersten Abschnitt 812 mit geringer Dicke auf.
  • Wie in 17 und 18 gezeigt, werden das Gate-Isolierschichtmuster 240, das erste leitende Schichtmuster 250 und das Zwischenschicht-Isolierschichtmuster 260 durch Strukturieren des Gate-Isolierschicht-Zwischenprodukts 2410, des ersten leitenden Schicht-Zwischenprodukts 2510, der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 2601 und der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 2602 durch ein Photolithographieverfahren unter Verwendung des ersten photoempfindlichen Filmmusters 910 ausgebildet.
  • Das Gate-Isolierschichtmuster 240 wird mit einem gleichen Muster wie das erste leitende Schichtmuster 250 ausgebildet. Das erste leitende Schichtmuster 250 weist die Gate-Elektroden 253 und 254, die zweite Kondensatorelektrode 259, die Datenleitung 251 und die gemeinsame Versorgungsleitung 252 auf (vgl. 13). Das Zwischenschicht-Isolierschichtmuster 260 weist die Kontaktlöcher 601, 603, 604 und 609 auf, die einen Abschnitt der Gate-Elektroden 253 und 254 freilegen und zudem die zweite Kondensatorelektrode 259, die Datenleitung 251 und die gemeinsame Versorgungsleitung 252 freilegen. Zudem weist das Zwischenschicht-Isolierschichtmuster 260 Kontaktlöcher 645, 646, 647 und 648 auf, die einen Abschnitt der aktiven polykristallinen Schichten 233 und 234 und der ersten Kondensatorelektrode 239 zusammen mit dem Gate-Isolierschichtmuster 240 freilegen.
  • Zudem weist das polykristalline Siliziumschichtmuster 230 weiterhin die polykristalline Dummy-Schicht 231 auf. Die polykristalline Dummy-Schicht 231 wird unter der Datenleitung 251 des ersten leitenden Schichtmusters 250 und der gemeinsamen Versorgungsleitung 252 angeordnet. Die polykristalline Dummy-Schicht 231 wird zudem im Verlauf der Herstellung der OLED-Anzeige 102 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ausgebildet.
  • Der Bereich des Abschnitts der aktiven polykristallinen Schichten 233 und 234 wird mit einer n- oder p-Verunreinigung dotiert. Dabei verhindern die Gate-Elektroden 253 und 254, dass die aktiven polykristallinen Schichten 233 und 234 mit der n- oder p-Verunreinigung dotiert werden. Dadurch ergeben die aktiven polykristallinen Schichten 233 und 234 einen intrinsischen Halbleiterbereich, der unter den Gate-Elektroden 153 und 154 angeordnet ist, und einen Störstellenhalbleiterbereich, der unter den Source-Elektroden 275 und 276 und den Drain-Elektroden 277 und 278 angeordnet ist.
  • Aspekte der vorliegenden Erfindung sind jedoch nicht darauf beschränkt, und ein Verfahren zur Dotierung des Bereich des Abschnitts der aktiven polykristallinen Schichten 233 und 234 mit der n- oder p-Verunreinigung kann nach der Ausbildung des zweiten leitenden Schichtmusters 170 durchgeführt werden. Damit die Source-Elektroden 275 und 276 und die Drain-Elektroden 277 und 278 durch die n- oder p-Verunreinigung verlaufen können, sollte in diesem Fall eine zweite Metallschicht 2702 entfernt werden und sie sollte aus einer transparenten leitenden Schicht 2701 ausgebildet werden (vgl. 19).
  • Wie in 19 gezeigt, werden nacheinander die transparente leitende Schicht 2701 und die zweite Metallschicht 2702 auf das Zwischenschicht-Isolierschichtmuster 260 geschichtet. Die transparente leitende Schicht 2701 wird durch die Kontaktlöcher 601, 603, 604 und 609 und die Öffnungsregionen 645, 646, 647 und 648 des Zwischenschicht-Isolierschichtmusters 260 mit den Gate-Elektroden 253 und 254, der ersten Kondensatorelektrode 239, der zweiten Kondensatorelektrode 259, der Datenleitung 251, der gemeinsamen Versorgungsleitung 252 und den aktiven polykristallinen Schichten 233 und 234 verbunden. Zudem wird ein zweites photoempfindliches Filmmuster 920 auf der zweiten Metallschicht 2702 ausgebildet. Das zweite photoempfindliche Filmmuster 920 weist einen zweiten Abschnitt 921 mit großer Dicke und einen zweiten Abschnitt 922 mit geringer Dicke auf. Dabei entspricht der zweite Abschnitt 922 mit geringer Dicke einer Position, in der die Pixelelektrode 710 ausgebildet werden wird.
  • Wie in 20 gezeigt, wird durch Ätzen durch das zweite photoempfindliche Filmmuster 920 ein zweites leitendes Schichtmuster-Zwischenprodukt 2700 aus der transparenten leitenden Schicht 2701 und der zweiten Metallschicht 2702 ausgebildet. Dann wird der zweite Abschnitt 922 mit geringer Dicke des zweiten photoempfindlichen Filmmusters 920 entfernt, und das zweite leitende Schichtmuster-Zwischenprodukt 2700 wird erneut durch den zweiten Abschnitt 921 mit großer Dicke geätzt, so dass das zweite leitende Schichtmuster 270 ausgebildet wird. Wie in 21 gezeigt, bildet das zweite leitende Schichtmuster 270 die Source-Elektroden 275 und 276, die Drain-Elektroden 277 und 278, die Gate-Leitung 271 und die Verbindungsleitung 272 aus, die aus der transparenten leitenden Schicht 2701 und der zweiten Metallschicht 2702 ausgebildet werden. Das zweite leitende Schichtmuster 270 bildet zudem die Pixelelektrode 710 aus, die aus der transparenten leitenden Schicht 2701 ausgebildet werden.
  • Wie in 21 gezeigt, wird der Pixeldefinitionsfilm 180 auf dem zweiten leitenden Schichtmuster 270 ausgebildet. Der Pixeldefinitionsfilm 180 weist eine Öffnung 185 auf, die einen Abschnitt der Pixelelektrode 710 freilegt. Zudem werden die organische Emissionsschicht 720 und die gemeinsame Elektrode 730 nacheinander auf die Pixelelektrode 710 geschichtet. Durch das Verfahren kann die organische lichtemittierende Dioden(OLED)-Anzeige 102 gemäß der Ausführungsform in 14 hergestellt werden. Das heißt, dass die organische lichtemittierende Dioden(OLED)-Anzeige 102 durch die Verringerung einer Anzahl von Photolithographieverfahren hergestellt werden kann. Dadurch kann gemäß der Ausführungsform in 14 eine vergrößerte OLED-Anzeige 102 effizient eine hohe Produktivität hinsichtlich der Herstellungsergiebigkeit aufrechterhalten.
  • Falls die ersten Metallschichten 2512, 2532, 2542 und 2592 beschädigt sind oder einen Kurzschluss erleiden, ist es bei der Ausbildung des zweiten leitenden Schichtmusters 270 zudem möglich, durch die dotierten amorphen Siliziumschichten 2511, 2531, 2541 und 2591 das Auftreten eines Kurzschlusses und von Defekten zu verhindern. Zudem kann die OLED-Anzeige 102 dadurch, dass die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 2601 und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 2602 unterschiedliche Brechungsindices aufweisen, einen Spiegeleffekt erzielen.

Claims (10)

  1. Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Dioden(QLED)-Anzeige (101), aufweisend: Herstellung eines Substrathauptkörpers (111); nacheinander erfolgende Schichtung einer polykristallinen Siliziumschicht (1300) auf dem Substrathauptkörper (111), einer Gate-Isolierschicht (1400) unmittelbar auf der polykristallinen Siliziumschicht (1300) und einer ersten Metallschicht (1500) unmittelbar auf der Gate-Isolierschicht (1400); Ausbildung eines polykristallinen Siliziumschichtmusters (130, 230), eines Gate-Isolierschichtmusters (140, 240) und eines ersten leitenden Schichtmusters (150) durch Strukturieren der polykristallinen Siliziumschicht (1300), der Gate-Isolierschicht (1400) und der ersten Metallschicht (1500); Ausbildung eines Zwischenschicht-Isolierschichtmusters (160, 260) auf dem ersten leitenden Schichtmuster (150, 250); und Ausbildung eines zweiten leitenden Schichtmusters (170, 270) auf dem Zwischenschicht-Isolierschichtmuster (160, 260); wobei das polykristalline Siliziumschichtmuster (130, 230) in einem gemeinsamen Photolithographieverfahren mit dem Gate-Isolierschichtmuster (140) und dem ersten leitenden Schichtmuster (150, 250) ausgebildet wird, wobei das erste leitende Schichtmuster (150, 250) eine Datenleitung (151, 251) und eine Versorgungsleitung (152, 252) aufweist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das polykristalline Siliziumschichtmuster (130, 230) eine aktive polykristalline Schicht (133, 134, 233, 234) und eine erste Kondensatorelektrode (139, 239) aufweist, wobei das Gate-Isolierschichtmuster (140, 240) eine Vielzahl von Kontaktlöchern (645, 646, 647, 648 und 649) aufweist, die einen Abschnitt des polykristallinen Siliziumschichtmusters (130, 230) freilegen, und mit einem gleichen Muster wie das polykristalline Siliziumschichtmuster (130, 230) ausgebildet wird, und wobei das erste Leitende Schichtmuster (150, 250) Gate-Elektroden (153, 154, 253 und 254) und eine zweite Kondensatorelektrode (159, 259) aufweist, die auf dem Gate-Isolierschichtmuster (140, 240) ausgebildet werden.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei ein erstes photoempfindliches Filmmuster (810) einen ersten Abschnitt (811) und einen zweiten Abschnitt (812) aufweist und der erste Abschnitt (811) dicker als der zweite Abschnitt (812) ist und wobei das Filmmuster (810) mittels eines Doppelbelichtungs- oder Rasterbelichtungsverfahrens unmittelbar auf der ersten Metallschicht (1500) ausgebildet wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei das erste leitende Schichtmuster (150, 250) durch Ätzen eines ersten leitenden Schicht-Zwischenprodukts (1550) durch den ersten Abschnitt (812) ausgebildet wird.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Ausbildung des Zwischenschicht-Isolierschichtmusters (160, 260) den Schritt der Ausbildung einer oder mehrerer der Zwischenschicht-Isolierschichten (1601, 1602, 2601 und 2602) und des Strukturierens der einen oder der mehreren Zwischenschicht-Isolierschichten (1601, 1602, 2601 und 2602) durch ein Photolithographieverfahren unter Verwendung eines zweiten photoempfindlichen Filmmusters (820) aufweist.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Ausbildung des zweiten leitenden Schichtmusters (170) aufweist: nacheinander erfolgende Schichtung einer transparenten leitenden Schicht (1701, 2701) und einer zweiten Metallschicht (1702) auf dem Zwischenschicht-Isolierschichtmuster (160, 260).
  7. Verfahren nach Anspruch 5, wobei Source-Elektroden (175, 176, 275 und 276) und Drain-Elektroden (177, 178, 277 und 278) aus der transparenten leitenden Schicht (1701, 2701) und der zweiten Metallschicht (1702, 2702) ausgebildet werden; und eine Pixelelektrode (710) aus der transparenten leitenden Schicht (1701, 2701) ausgebildet wird.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei Source-Elektroden (175, 176, 275 und 276), Drain-Elektroden (177, 178, 277 und 278) und eine Pixelelektrode (710) aus der transparenten leitenden Schicht (1701, 2701) ausgebildet werden.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, weiterhin aufweisend die Dotierung eines Bereichs eines Abschnitts der polykristallinen Siliziumschicht (1300) mit einer n- oder p-Verunreinigung nach der Ausbildung des zweiten leitenden Schichtmusters (170, 270).
  10. Verfahren nach Anspruch 5, wobei das Zwischenschicht-Isolierschichtmuster (160, 260) aufweist: eine erste Zwischenschicht-Isolierschicht (1601, 2601); und eine zweite Zwischenschicht-Isolierschicht (1602, 2602); wobei sich ein Brechungsindex der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht (1602, 2602) von einem Brechungsindex der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht (1601, 2601) unterscheidet.
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