TWI756884B - 微型發光元件及微型發光元件顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種微型發光元件，包括一磊晶結構、一第一電極以及一第二電極。磊晶結構包括一第一型半導體層、一發光層以及一第二型半導體層。發光層位於第一型半導體層與第二型半導體層之間。第一型半導體層包括彼此相連接的一第一部分與一第二部分。第一部分的邊緣與第二部分的邊緣之間具有一間距。第一部分的一底面積小於第二部分的一頂面積。第一電極配置於磊晶結構上，且位於第一型半導體層的第一部分上。第二電極配置於磊晶結構上。

Description

微型發光元件及微型發光元件顯示裝置
本發明是有關於一種半導體元件，且特別是有關於一種微型發光元件及微型發光元件顯示裝置。
發光元件，例如是發光二極體（Light Emitting Diode, LED）可以藉由電子電流驅動發光二極體的發光層而發出光。現階段的發光二極體仍面臨到許多技術上的挑戰，而發光二極體的效率衰退（Efficiency Droop）效應為其中之一。具體而言，當發光二極體在一電流密度的操作範圍時，會對應一個外部量子效率（External Quantum Efficiency, EQE）的峰值。隨著發光二極體的電流密度持續升高，外部量子效率會隨之下降，而此現象即為發光二極體的效率衰退效應。
目前於製作微型發光二極體（micro LED）時會使用蝕刻製程進行平台（mesa）、絕緣（isolation）等程序。然而，蝕刻的過程中，可會造成微型發光二極體側壁（sidewall）的損傷。當微型發光二極體尺寸小於50微米以下時，由於側壁表面的表面積佔整體磊晶結構的表面積的比例越大，載子流經側壁的比例也會增加，進而影響微型發光二極體，造成外部量子效率大幅下降 。
本發明提供一種微型發光元件，可提升量子效率（EQE）。
本發明還提供一種微型發光元件顯示裝置，其包括上述的微型發光元件，可具有較佳的顯示品質。
本發明的微型發光元件，包括一磊晶結構、一第一電極以及一第二電極。磊晶結構包括一第一型半導體層、一發光層以及一第二型半導體層。發光層位於第一型半導體層與第二型半導體層之間。第一型半導體層包括彼此相連接的一第一部分與一第二部分。第一部分的邊緣與第二部分的邊緣之間具有一間距。第一部分的一底面積小於第二部分的一頂面積。第一電極配置於磊晶結構上，且位於第一型半導體層的第一部分上。第二電極配置於磊晶結構上。
在本發明的一實施例中，上述的第一型半導體層的第一部分的電阻值大於第二部分的電阻值。
在本發明的一實施例中，上述的第二部分與第一部分重疊的區域的電阻值小於第二部分與第一部分未重疊的區域的電阻值。
在本發明的一實施例中，上述的第一型半導體層的第一部分具有一第一厚度，第二部分具有一第二厚度，且第二厚度與第一厚度的比值介於0.1至0.5。
在本發明的一實施例中，上述的第二部分的第二厚度介於0.1微米至0.5微米。
在本發明的一實施例中，上述的第一部分的一第一底面積與第一型半導體層的一底面積的比值介於0.8至0.98。
在本發明的一實施例中，上述的間距介於0.5微米至5微米。
在本發明的一實施例中，上述的磊晶結構的長度小於等於50微米。
在本發明的一實施例中，上述的磊晶結構的側表面的表面積與磊晶結構的表面積的比值大於等於0.01。
在本發明的一實施例中，上述的第一型半導體層的第一部分的剖面形狀為梯形。堆疊的第一型半導體層的第二部分、發光層以及第二型半導體層的剖面形狀為梯形。
在本發明的一實施例中，上述的發光層的側面與第一型半導體層的第二部分的側面共平面。
在本發明的一實施例中，上述的第一型半導體層於第一部分與第二部分之間具有一連接面。連接面與第一部分之側表面之間的夾角介於30度至80度。
在本發明的一實施例中，上述的第二型半導體層具有相對於遠離發光層的一底面，且底面與第二型半導體層之側表面之間的夾角介於30度至80度。
在本發明的一實施例中，上述的第一型半導體層的第一部分的厚度與磊晶結構的厚度的比值介於0.05至0.4。第一部分的側表面積與磊晶結構的側表面積的比值介於0.2至0.8。
在本發明的一實施例中，上述的第一電極於第一型半導體層上的正投影位於第一部分內。
在本發明的一實施例中，上述的第一型半導體層為一P型半導體層，而第二型半導體層為一N型半導體層。
在本發明的一實施例中，上述的第一電極與第二電極分別位於磊晶結構的相對兩側。
在本發明的一實施例中，上述的第二型半導體層包括彼此相連接的一第三部分與一第四部分。第一型半導體層的第一部分的剖面形狀為梯形。堆疊的第一型半導體層的第二部分、發光層以及第二型半導體層的第三部分的剖面形狀為梯形。第二型半導體層的第四部分的剖面形狀為梯形。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件更包括一絕緣層，延伸覆蓋第一型半導體層的周圍表面以及發光層的周圍表面。第二電極連接第二型半導體層，並自第二型半導體層沿著磊晶結構的一側表面延伸分布而覆蓋絕緣層，且第二電極之一端與第一電極位於磊晶結構之同一側。
在本發明的一實施例中，上述的磊晶結構更包括一貫孔，貫孔貫穿第一型半導體層、發光層以及部分第二型半導體層。微型發光元件更包括一絕緣層，與第一電極配置於第一型半導體層的第一部分上，且延伸覆蓋貫孔的內壁及磊晶結構的一周圍表面。第一電極與第二電極位於第一型半導體層的第一部分上，且第二電極延伸於貫孔內與第二型半導體層電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件更包括一電流調節層，配置於第一型半導體層的第二部分內，且電流調節層自第二部分之周圍表面朝向第一型半導體層之內部延伸分布。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件更包括一歐姆接觸層，配置於第一型半導體層的第一部分與第一電極之間。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件更包括一絕緣層，與第一電極配置於第一型半導體層的第一部分上，且暴露出部分第一部分，並延伸覆蓋磊晶結構的一周圍表面。
本發明的微型發光元件顯示裝置，包括一驅動基板以及多個微型發光元件。微型發光元件彼此分離地配置於驅動基板上，並電性連接至驅動基板。微型發光元件包括一磊晶結構、一第一電極以及一第二電極。磊晶結構包括一第一型半導體層、一發光層以及一第二型半導體層。發光層位於第一型半導體層與第二型半導體層之間。第一型半導體層包括彼此相連接的一第一部分與一第二部分。第一部分的邊緣與第二部分的邊緣之間具有一間距。第二部分位於第一部分與發光層之間。第一電極配置於磊晶結構上，且位於第一型半導體層的第一部分上。第二電極配置於磊晶結構上。
基於上述，在本發明的微型發光元件的設計中，第一型半導體層包括彼此相連接的第一部分與第二部分，其中第一部分的邊緣與第二部分的邊緣之間具有間距，且第一部分的第一底面積小於第二部分的第二底面積。藉此設計，可降低第一型半導體層的周圍邊緣厚度，以增加部分第一型半導體層周圍的薄膜電阻，進而降低第一型半導體載子往側壁的比例。如此一來，本發明的微型發光元件可提升量子效率，而採用本發明的微型發光元件的微型發光元件顯示裝置則可以具有較佳的顯示品質。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A是依照本發明的一實施例的一種微型發光元件顯示裝置的俯視示意圖。圖1B是圖1A的微型發光元件顯示裝置的微型發光元件的立體示意圖。圖1C是圖1A的微型發光元件顯示裝置的微型發光元件的剖面示意圖。
請先參考圖1A，在本實施例中，微型發光元件顯示裝置10包括多個微型發光元件100a以及一驅動基板200。微型發光元件100a彼此分離地配置於驅動基板200上，並電性連接至驅動基板200。此處，驅動基板200例如是一互補式金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS）基板、一矽基液晶（Liquid Crystal on Silicon, LCOS）基板、一薄膜電晶體（Thin Film Transistor, TFT）基板或是其他具有工作電路的基板，於此並不加以限制。微型發光元件100a，例如微型發光二極體(Micro LED)或微晶片，在此所用「微型」元件意指可具有1微米至100微米的尺寸。在一些實施例中，微型元件可具有20微米、10微米或5微米之一最大寬度。在一些實施例中，微型元件可具有小於20微米、10微米或5微米之一最大高度。然應理解本發明的實施例不必限於此，某些實施例的態樣當可應用到更大與也許更小的尺度。
詳細來說，請同時參考圖1A、圖1B以及圖1C，微型發光元件100a包括一磊晶結構110a、一第一電極120以及一第二電極130。磊晶結構110a包括一第一型半導體層112a、一發光層114以及一第二型半導體層116。發光層114位於第一型半導體層112a與第二型半導體層116之間。第一型半導體層112a包括彼此相連接的一第一部分113與一第二部分115。第一部分113的邊緣與第二部分115的邊緣之間具有一間距G1，意即第一部分113的寬度不同於第二部分115的寬度，而間距G1則為第一部分113與第二部分115的寬度差異。第二部分115位於第一部分113與發光層114之間，此處第一部分113與第二部分115在製程上同時形成且屬於相同材質，且第一部分113的一底面積E1小於第二部分115的一頂面積E2。第一電極120配置於磊晶結構110a上，且位於第一型半導體層112a的第一部分113上。特別是，第一電極120於第一型半導體層112a上的正投影位於第一部分113內。第二電極130配置於磊晶結構110a上。於此實施例中，第一電極120與第二電極130分別位於磊晶結構110a的相對兩側，意即微型發光元件100a具體化為一垂直式微型發光二極體。第一型半導體層112a例如為一P型半導體層，而第二型半導體層116例如為一N型半導體層，但不以此為限。
詳細來說，在本實施例中，第一型半導體層112a的第一部分113的電阻值大於第二部分115的電阻值。第二部分115與第一部分113重疊的區域的電阻值小於第二部分115與第一部分113未重疊的區域的電阻值。也就是說，如圖1B與圖1C所示，第二部分115的兩側（即未被第一部分113所覆蓋的區域）的電阻值大於中間（即被第一部分113所覆蓋的區域）的電阻值。因此，第一型半導體層112a的第一型半導體載子大都會往第二部分115的中間移動，藉此可減少第一型半導體載子往磊晶結構110a側壁的比例。如此一來，可提升本實施例的微型發光元件100a的量子效率。
請再參考圖1C，在本實施例中，第一型半導體層112a的第一部分113具有一第一厚度T1，而第二部分115具有一第二厚度T2，且第二厚度T2與第一厚度T1的比值例如是介於0.1至0.5。此處，第二部分115的第二厚度T2例如是介於0.1微米至0.5微米。若第二部分115的第二厚度T2太薄（即上述的比值小於0.1），則製程良率不佳；反之，若第二部分115的第二厚度T2太厚（即上述的比值大於0.5），則無法達到減少第一型半導體載子往側壁移動的目的。
在面積比例上，第一型半導體層112a的第一部分113的底面積E1與第一型半導體層112a的一底面積E3（亦為第二部份115的底面積）的比值例如是介於0.8至0.98。更進一步來說，磊晶結構110a的側表面S的表面積與磊晶結構110a的表面積的比值例如是大於等於0.01。此處，磊晶結構110a的長度例如是小於等於50微米。再者，本實施例第一部分113的邊緣與第二部分115的邊緣之間的間距G1例如是介於0.5微米至5微米。若間距G1太大（即大於5微米），則會影響發光層114的發光面積。此外，第一型半導體層112a的第一部分113的第一厚度T1與磊晶結構110a的厚度T的比值例如是介於0.05至0.4。上述的比值範圍使第一部分113的厚度被控制在適當範圍，可降低第一部份113因側壁過長而使載子從側壁逸脫的機率，或是因厚度過薄而增加製程之難度或失敗率等問題。於一實施例中，磊晶結構110a的厚度T例如是3微米至8微米，而第一型半導體層112a的厚度（即第一厚度T1加上第二厚度T2）例如是0.5微米至1微米。第一型半導體層112a的第一部分113的側表面積與磊晶結構110a的側表面積的比值例如是介於0.2至0.8。第一部分113的側表面積佔比在上述比值區間內，可兼顧第一型半導體層112a的發光面積以及薄膜電阻效應。亦即，既可確保載子通過發光層114的面積較大，亦能保持第一部分113與第二部分115之間的間距G1，不致因間距G1過短而減少層間之電阻差異。
請再參考圖1C，本實施例的第一型半導體層112a的第一部分113的剖面形狀為梯形。堆疊的第一型半導體層112a的第二部分115、發光層114以及第二型半導體層116的剖面形狀為梯形。意即，本實施例的磊晶結構110a在結構上呈現兩個梯形的結構，可增加出光效率。更具體來說，發光層114的側面與第一型半導體層112a的第二部分115的側面共平面，其中此平面為一斜面。第一型半導體層112a的第一部分113的邊緣與發光層114的邊緣具有一另一間距G2，其中另一間距G2可略大於或略等於間距G1，於此並不加以限制。
再者，第一型半導體層112a於第一部分113與第二部分115之間具有一連接面C1，且連接面C1與第一部分113的一側表面C2之間的夾角A1例如是介於30度至80度。另一方面，第二型半導體層116具有相對於遠離發光層114的一底面B1，且底面B1與第二型半導體層116的一側表面B2之間的夾角A2例如是介於30度至80度。意即，梯形的角度為例如是介於30度至80度。
另外，請再參考圖1C，本實施例的微型發光元件100a更包括一歐姆接觸層140，其中歐姆接觸層140配置於第一型半導體層112a的第一部分113與第一電極120之間。由於微型發光元件100a的面積較小，因此可透過歐姆接觸層140來提升電洞的注入效率以及電流分佈。此外，本實施例的微型發光元件100a還包括一絕緣層150a，其中絕緣層150a與第一電極120配置於第一型半導體層112a的第一部分113上，且暴露出部分第一部分113，並延伸覆蓋磊晶結構110a的一周圍表面S。
簡言之，由於本實施例的第一型半導體層112a的第一部分113的邊緣與第二部分115的邊緣之間具有間距G1，因此可降低第一型半導體層112a的周圍邊緣厚度，以增加部分第一型半導體層112a周圍的薄膜電阻，進而降低第一型半導體載子往側壁的比例。如此一來，本實施例的微型發光元件100a可提升量子效率，而採用本實施例的微型發光元件100a的微型發光元件顯示裝置10則可以具有較佳的顯示品質。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖2A是本發明的另一實施例的一種微型發光元件的剖面示意圖。請同時參考圖1C與圖2A，本實施例的微型發光元件100b與圖1C的微型發光元件100a相似，兩者的差異在於：在本實施例中，磊晶結構110b的第二型半導體層116b包括彼此相連接的一第三部分117與一第四部分119。第一型半導體層112a的第一部分113的剖面形狀為梯形。堆疊的第一型半導體層112a的第二部分115、發光層114以及第二型半導體層116b的第三部分117的剖面形狀為梯形。第二型半導體層116b的第四部分119的剖面形狀為梯形。也就是說，本實施例的磊晶結構110b在結構上呈現三個梯形的結構。再者，本實施例的絕緣層150b延伸覆蓋第一型半導體層112a的周圍表面以及發光層114的周圍表面。詳細來說，絕緣層150b與第一電極120配置於第一型半導體層112a的第一部分113上，且延伸覆蓋第一型半導體層112a的周圍表面、發光層114的周圍表面、第二型半導體層116b的第三部分117的周圍表面以及第四部分119的部分周圍表面。意即，絕緣層150b暴露出第二型半導體層116b的部分第四部分119。又如圖2B的微型發光元件100b’所示，絕緣層150b’亦可完全覆蓋第四部分119的側面表面，僅暴露出第四部分119的一部分頂部表面119a，用來接觸第二電極130b。第一電極120與第二電極130b可位於磊晶結構110b的同一側，意即微型發光元件100b可為覆晶式（flip-chip type）或水平式（lateral type）發光二極體。於圖2A及圖2B中，第二電極130b連接第二型半導體層116b，並自第二型半導體層116b沿著磊晶結構110b的一側表面P延伸分布而覆蓋絕緣層150b，且第二電極130b之一端與第一電極120位於磊晶結構110b之同一側。進一步來說，第二電極130b從第一型半導體層112a的第一部分113沿著磊晶結構110b的側表面P延伸至第二型半導體層116b的第四部分119未被絕緣層150b所覆蓋的區域，且與第四部分119電性連接。由於本實施例的磊晶結構110b的結構設計，使得第一電極120與第二電極130b具有相同的高度，因而可具有較佳的配置良率。
圖3是本發明的另一實施例的一種微型發光元件的剖面示意圖。請同時參考圖1C與圖3，本實施例的微型發光元件100c與圖1C的微型發光元件100a相似，兩者的差異在於：在本實施例中，磊晶結構110c更包括一貫孔118，其中貫孔118貫穿第一型半導體層112a、發光層114以及部分第二型半導體層116。微型發光元件100c的絕緣層150c與第一電極120配置於第一型半導體層112a的第一部分113上，且延伸覆蓋貫孔118的內壁及磊晶結構110c的周圍表面S。第一電極120與第二電極130c位於第一型半導體層112a的第一部分113上，且第二電極130c延伸於貫孔118內與第二型半導體層116電性連接。
圖4A是本發明的一實施例的一種微型發光元件的剖面示意圖。請同時參考圖1C與圖4A，本實施例的微型發光元件100d與圖1C的微型發光元件100a相似，兩者的差異在於：在本實施例中，微型發光元件100d更包括一電流調節層160a，其中電流調節層160a配置於第一型半導體層113的第二部分115內。如圖4A所示，電流調節層160a自第二部分115的周圍表面朝向第一型半導體層113的內部延伸分布，且電流調節層160a的位置相對鄰近第一型半導體層112a的第一部分113。此處，電流調節層160a的材質例如是非導電的絕緣材料，如二氧化矽(SiO 2)或是氮化鋁(AlN)。
圖4B是本發明的一實施例的一種微型發光元件的剖面示意圖。請同時參考圖4A與圖4B，本實施例的微型發光元件100e與圖4A的微型發光元件100d相似，兩者的差異在於：在本實施例中，電流調節層160b的位置在第一型半導體層112a的第二部分115的中間。
圖4C是本發明的一實施例的一種微型發光元件的剖面示意圖。請同時參考圖4A與圖4C，本實施例的微型發光元件100f與圖4A的微型發光元件100d相似，兩者的差異在於：在本實施例中，電流調節層160c的位置在第一型半導體層113的第二部分115內且相對鄰近發光層114，可有較避免第一型半導體載子往發光層114側壁。
圖5A是多個具有不同蝕刻深度的微型發光元件的電流密度與量子效率的曲線圖。圖5B是多個具有不同蝕刻寬度的微型發光元件的電流密度與量子效率的曲線圖。須說明的是，此處所述的蝕刻深度例如是圖1C中第一型半導體層112a的第二部分115的第二厚度T2除以第一型半導體層112a的厚度（即第一厚度T1加上T2）。此處所述的蝕刻寬度例如是圖1C中第一電極120的邊緣至第一型半導體層112a的第一部分113的邊緣的距離除以第一電極120的邊緣至第一型半導體層112a的第二部分115的邊緣的距離。
請參考圖5A，曲線L表示不考慮表面複合效應（surface recombination）的理想狀態。曲線L1、L2皆包含表面複合效應且分別表示蝕刻深度的比值為0、0.12的狀態，而曲線L3包含表面複合效應但其第一型半導體層並未進行圖案化，因此其蝕刻深度的比值為1。從圖5A可清楚地得知，當蝕刻深度越深（即曲線L1），則越可提升微型發光元件的量子效率。
請參考圖5B，曲線D表示不考慮表面複合效應（surface recombination）的理想狀態。曲線D1、D2皆包含表面複合效應且分別表示蝕刻寬度的比值為0.33、0.7的狀態，而曲線D3包含表面複合效應但其第一型半導體層並未進行圖案化，因此其蝕刻寬度的比值為1。從圖5B可清楚地得知，當蝕刻寬度越寬（即曲線D2），則越可提升微型發光元件的量子效率。簡言之，上述的設計適用於小電流密度，例如是電流密度小於等於10A/cm 2時，效果更明顯。
綜上所述，在本發明的微型發光元件的設計中，第一型半導體層包括彼此相連接的第一部分與第二部分，其中第一部分的邊緣與第二部分的邊緣之間具有一間距。藉此設計，可降低第一型半導體層的周圍邊緣厚度，以增加部分第一型半導體層周圍的薄膜電阻，進而降低第一型半導體載子往側壁的比例。如此一來，本發明的微型發光元件可提升量子效率，而採用本發明的微型發光元件的微型發光元件顯示裝置則可以具有較佳的顯示品質。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10:微型發光元件顯示裝置
100a、100b、100b’、100c、100d、100e、100f:微型發光元件
110a、110b、110c:磊晶結構
112a:第一型半導體層
113:第一部分
114:發光層
115:第二部分
116、116b:第二型半導體層
117:第三部分
118:貫孔
119:第四部分
119a:頂部表面
120:第一電極
130、130b、130c:第二電極
140:歐姆接觸層
150a、150b、150b’、150c:絕緣層
160a、160b、160c:電流調節層
200:驅動基板
A1、A2:夾角
B1:底面
B2、C2、P:側表面
C1:連接面
D、D1、D2、D3、L、L1、L2、L3:曲線
E1:底面積
E2:頂面積
E3:底面積
G1:間距
G2:另一間距
S:側表面
T:厚度
T1:第一厚度
T2:第二厚度
圖1A是依照本發明的一實施例的一種微型發光元件顯示裝置的俯視示意圖。 圖1B是圖1A的微型發光元件顯示裝置的微型發光元件的立體示意圖。 圖1C是圖1A的微型發光元件顯示裝置的微型發光元件的剖面示意圖。 圖2A是本發明的另一實施例的一種微型發光元件的剖面示意圖。 圖2B是本發明的另一實施例的一種微型發光元件的剖面示意圖。 圖3是本發明的另一實施例的一種微型發光元件的剖面示意圖。 圖4A是本發明的另一實施例的一種微型發光元件的剖面示意圖。 圖4B是本發明的另一實施例的一種微型發光元件的剖面示意圖。 圖4C是本發明的另一實施例的一種微型發光元件的剖面示意圖。 圖5A是多個具有不同蝕刻深度的微型發光元件的電流密度與量子效率的曲線圖。 圖5B是多個具有不同蝕刻寬度的微型發光元件的電流密度與量子效率的曲線圖。
100a:微型發光元件
110a:磊晶結構
112a:第一型半導體層
113:第一部分
114:發光層
115:第二部分
116:第二型半導體層
120:第一電極
130:第二電極
150a:絕緣層
E1:底面積
E2:頂面積
E3:底面積
G1:間距

Claims (20)

  1. 一種微型發光元件，包括：一磊晶結構，包括一第一型半導體層、一發光層以及一第二型半導體層，該發光層位於該第一型半導體層與該第二型半導體層之間，其中該第一型半導體層包括彼此相連接的一第一部分與一第二部分，而該第一部分的所有邊緣與該第二部分的所有邊緣之間具有一間距，且該第一部分的一底面積小於該第二部分的一頂面積；一第一電極，配置於該磊晶結構上，且位於該第一型半導體層的該第一部分上；以及一第二電極，配置於該磊晶結構上。
  2. 如請求項1所述的微型發光元件，其中該第一型半導體層的該第一部分的電阻值大於該第二部分的電阻值。
  3. 如請求項2所述的微型發光元件，其中該第二部分與該第一部分重疊的區域的電阻值小於該第二部分與該第一部分未重疊的區域的電阻值。
  4. 如請求項1所述的微型發光元件，其中該第一型半導體層的該第一部分具有一第一厚度，該第二部分具有一第二厚度，且該第二厚度與該第一厚度的比值介於0.1至0.5。
  5. 如請求項4所述的微型發光元件，其中該第二部分的該第二厚度介於0.1微米至0.5微米。
  6. 如請求項1所述的微型發光元件，其中該第一部分的該底面積與該第一型半導體層的一底面積的比值介於0.8至0.98。
  7. 如請求項1所述的微型發光元件，其中該間距介於0.5微米至5微米。
  8. 如請求項1所述的微型發光元件，其中該磊晶結構的側表面的表面積與該磊晶結構的表面積的比值大於等於0.01。
  9. 如請求項1所述的微型發光元件，其中該第一型半導體層的該第一部分的剖面形狀為梯形，而堆疊的該第一型半導體層的該第二部分、該發光層以及該第二型半導體層的剖面形狀為梯形。
  10. 如請求項9所述的微型發光元件，其中該發光層的側面與該第一型半導體層的該第二部分的側面共平面。
  11. 如請求項9所述的微型發光元件，其中該第一型半導體層於該第一部分與該第二部分之間具有一連接面，且該連接面與該第一部分之側表面之間的夾角介於30度至80度。
  12. 如請求項9所述的微型發光元件，其中該第二型半導體層具有相對於遠離該發光層的一底面，且該底面與該第二型半導體層之側表面之間的夾角介於30度至80度。
  13. 如請求項1所述的微型發光元件，其中該第一型半導體層的該第一部分的厚度與該磊晶結構的厚度的比值介於0.05至0.4，而該第一部分的側表面積與該磊晶結構的側表面積的比值介於0.2至0.8。
  14. 如請求項1所述的微型發光元件，其中該第一電極於該第一型半導體層上的正投影位於該第一部分內。
  15. 如請求項1所述的微型發光元件，其中該第一電極與該第二電極分別位於該磊晶結構的相對兩側。
  16. 如請求項1所述的微型發光元件，其中該第二型半導體層包括彼此相連接的一第三部分與一第四部分，該第一型半導體層的該第一部分的剖面形狀為梯形，而堆疊的該第一型半導體層的該第二部分、該發光層以及該第二型半導體層的該第三部分的剖面形狀為梯形，該第二型半導體層的該第四部分的剖面形狀為梯形。
  17. 如請求項16所述的微型發光元件，更包括：一絕緣層，延伸覆蓋該第一型半導體層的周圍表面以及該發光層的周圍表面，其中該第二電極連接該第二型半導體層，並自該第二型半導體層沿著該磊晶結構的一側表面延伸分布而覆蓋該絕緣層，且該第二電極的一端與該第一電極位於該磊晶結構的同一側。
  18. 如請求項1所述的微型發光元件，其中該磊晶結構更包括一貫孔，該貫孔貫穿該第一型半導體層、該發光層以及部分該第二型半導體層，該微型發光元件更包括：一絕緣層，與該第一電極配置於該第一型半導體層的該第一部分上，且延伸覆蓋該貫孔的內壁及該磊晶結構的一周圍表面，其中該第一電極與該第二電極位於該第一型半導體層的該第一部 分上，且該第二電極延伸於該貫孔內與該第二型半導體層電性連接。
  19. 如請求項1所述的微型發光元件，更包括：一電流調節層，配置於該第一型半導體層的該第二部分內，且該電流調節層自該第二部分的周圍表面朝向該第一型半導體層的內部延伸分布。
  20. 一種微型發光元件顯示裝置，包括：一驅動基板；以及多個如請求項1所述的該微型發光元件，該些微型發光元件彼此分離地配置於該驅動基板上，並電性連接至該驅動基板。
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