CN105374910A - Led芯片及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种LED芯片，包括：衬底；在衬底上依次形成的缓冲层、N型半导体层、部分覆盖N型半导体层的发光层、P型半导体层和导电层，所述N型半导体层未被发光层覆盖的区域为N电极安装区；所述N电极安装区设有台阶，所述台阶包括第一台面、高度低于第一台面的第二台面及第一台面和第二台面之间的台阶侧面；P电极和N电极，所述P电极形成在导电层之上，所述N电极形成在第二台面上，并且与台阶侧面相接触。该LED芯片在N电极安装区制作台阶结构，然后在台阶结构上形成N电极，和传统同侧电极结构的LED芯片相比，使N电极与N型半导体层侧壁接触，增强了电流的横向流动，提高了电流分布的均匀性，有效改善LED芯片的发光性能。
Description
技术领域
本发明属于半导体领域，尤其涉及一种LED芯片及制作方法。
背景技术
发光二极管（LED）是一种能将电信号转换成光信号的结型电致发光半导体器件，氮化镓基发光二极管作为固态光源一经出现便以其高效率、长寿命、节能环保、体积小等优点成为国际半导体和照明领域研发与产业关注的焦点，并且以氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓(AlGaN)和氮化铟铝镓(AlGaInN)为主的III-Ⅴ族氮化物材料具有连续可调的直接带宽为0.7～6.2eV，覆盖了从紫外光到红外光的光谱范围，是制造蓝光、绿光和白光发光器件的理想材料。
氮化镓基LED芯片通常采用蓝宝石作为衬底，由于蓝宝石衬底的导电性能非常差，所以难以制作垂直结构电极的芯片，如图1所示，通常采取的方式是制作同侧电极结构的芯片，即P电极9和N电极10位于衬底1的同一侧，但现有同侧电极结构的LED芯片存在电流分布不均匀的缺点，影响LED的发光效率和其它光电性能。改善同侧电极结构的LED芯片电流分布不均匀缺陷，是提高氮化镓LED发光性能的重要因素之一。
发明内容
本发明为改善现有LED芯片电流分布不均匀的缺陷，提供一种LED芯片及其制作方法，可增强LED芯片电流的横向流动，提高电流分布的均匀性，改善LED芯片的发光性能。
本发明提供一种LED芯片，包括：衬底；在衬底上依次形成的缓冲层、N型半导体层、部分覆盖N型半导体层的发光层、形成在发光层上的P型半导体层和形成在P型半导体层上的导电层，所述N型半导体层未被发光层覆盖的区域为N电极安装区；所述N电极安装区设有台阶，所述台阶包括第一台面、高度低于第一台面的第二台面及第一台面和第二台面之间的台阶侧面；P电极和N电极，所述P电极形成在导电层之上，所述N电极形成在第二台面上，并且与台阶侧面相接触。
本发明在N型半导体层的N电极安装区制作台阶结构，然后在台阶结构上形成N电极，和传统同侧电极结构的LED芯片相比，使N电极与N型半导体层侧壁接触，增强了电流的横向流动，提高了电流分布的均匀性，有效改善LED芯片的发光性能。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
图1是现有技术LED芯片的结构示意图；
图2是本发明实施例中LED芯片的结构示意图；
图3是本发明另一个实施例的LED芯片的结构示意图；
图4是本发明又一个实施例的LED芯片的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
如图2所示，本发明提供一种LED芯片，包括：
衬底1；在衬底1上依次形成的缓冲层2、N型半导体层3、部分覆盖N型半导体层3的发光层5和形成在N型半导体层3上的P型半导体层7，所述N型半导体层3未被发光层5覆盖的区域为N电极安装区；所述N电极安装区设有台阶30，所述台阶30包括第一台面31、高度低于第一台面31的第二台面32及第一台面31和第二台面32之间的台阶侧面33；
P电极9和N电极10，所述P电极9形成在P型半导体层7之上，所述N电极10形成在第二台面32上，并且与台阶侧面33相接触。
本发明在N型半导体层的N电极安装区制作台阶结构，在台阶结构上形成N电极，和传统同侧电极结构的LED芯片相比，使N电极与N型半导体层侧壁接触，增强了电流的横向流动，提高了电流分布的均匀性，有效改善LED芯片的发光性能。
从图2中看出，在台阶的第二台面32上形成N电极10，并且N电极与台阶侧面33接触，这样N电极10仅与N型半导体层3的下表面和N型半导体层3的侧壁接触，没有了从N型半导体层3的上表面到P电极之间的电流流通捷径，电流优先从台阶侧面33流过，所以对电流具有更好的扩展作用，增强了电流的横向流动，提高了电流分布的均匀性，有效改善LED芯片的发光性能。
根据实际需要，所述N电极10可部分或完全掩盖台阶侧面，即N电极10的高度低于或高于第一台面31，优选地，N电极10完全掩盖台阶侧面33，这样电流的横向流动效果好，可有效提高LED芯片电流分布的均匀性。
在本发明的另一实施例中，N电极安装区至少设有二个台阶30，形成在台阶30上的N电极10与每个台阶侧面33相接触。如图3所示，在N电极安装区设有二个台阶30，N电极10与每个台阶侧面33相接触，并且完全掩盖每个台阶侧面33。如此，同样可增强电流的横向流动，改善LED芯片的发光性能。
本发明实施例中，所述衬底1为平面衬底或图形化衬底，优选图形化衬底，有益于生长较好质量的外延层，可以有效减少外延层的位错密度，从而减小发光层4的非辐射复合，提高内量子效率，提高LED芯片性能。图形化衬底具有周期性排列的凹槽，一般采用湿法蚀刻或者干法蚀刻的方法对衬底进行图形化，其中凹槽的宽度为2~8微米，凹槽的深度为1.5~5微米，两凹槽之间的凸起宽度为2~10微米。衬底1的材料可为蓝宝石、硅（Si）、碳化硅（SiC）或氧化锌（ZnO）等。
图形化衬底也可采用表面凸起是周期性排列或者非周期性排列的正方形、六边形或圆形等结构，当图形化衬底为周期性排列的正方形、六边形或圆形等结构时，相邻两凸起图形之间的间距不超过8微米。
所述缓冲层2为GaN层，N型半导体层3为N型GaN层，P型半导体层7为P型GaN层。
所述发光层5为InGaN/GaN多量子阱层，量子阱的结构为InxGa1-xN/GaN（0＜x＜1）；InxGa1-xN阱层的厚度为2~3纳米，GaN垒层的厚度为8~15纳米，多量子阱层的周期为1到10个周期。
所述P电极9为Ti/Au合金，也可以是Ni、Au、Al、Ti、Pd、Pt、Sn、Cr中任意两种或多种金属的合金，P电极9的厚度为200~1000nm。所述N电极10为Ti/Al合金，也可以是Ti、Al、Au、Pt、Sn中两种或多种金属的合金，N电极10的厚度为200~2000nm。
如图4所示，在本发明的又一实施例中，所述LED芯片还包括形成在P型半导体层7上的导电层8，此时，P电极9形成在导电层8上。导电层8的厚度为1~1000nm，导电层8一般为ITO层，也可是CTO(Cd2SnO4)、ZnO:Al、Ni/Au、Ni/Pd/Au、Pt/Au等合金中的一种。
优选地，所述缓冲层2包括：氮化镓成核层21和形成在氮化镓成核层21之上的本征氮化镓层22。其目的在于，为后续外延层的生长提供良好的基础，减少晶体缺陷的产生。
优选地，所述LED芯片还包括形成在发光层5和P型半导体层7之间的电子阻挡层6，一般为AlGaN阻挡层。电子阻挡层6能够有效的阻挡电子从有源区溢出，从而增加有源区电子的数量，提高发光层5中载流子复合效率，提升LED芯片发光效率。
本发明还提供一种LED芯片的制作方法，包括以下步骤：
S1、提供衬底1，在衬底1上依次形成缓冲层2、N型半导体层3、发光层5、P型半导体层7；
S2、在P型半导体层5的部分区域进行刻蚀形成裸露出N型半导体层3的N电极安装区；
S3、在N型半导体层3上的N电极安装区刻蚀形成台阶30，所述台阶30包括第一台面31、高度低于第一台面31的第二台面32及第一台面31和第二台面32之间的台阶侧面33；
S4、在P型半导体层7上形成P电极9；
S5、在所述第二台面32上形成N电极10，所述N电极10与台阶侧面33相接触。
下面结合附图详细阐述本发明的芯片的制作方法，对本发明中LED芯片及其有益效果也会在制作方法中作详细说明，在具体实施过程中，本发明LED外延层的生长采用MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积法）的方法。
该方法包含以下步骤：
S1.提供衬底1，在衬底上依次形成缓冲层2、N型半导体层3、发光层5、P型半导体层7。
提供的衬底1为平面衬底或图形化衬底，优选图形化衬底，有益于生长较好质量的外延层，可以有效减少外延层的位错密度，从而减小发光层4的非辐射复合，提高内量子效率，提高LED芯片性能。图形化衬底具有周期性排列的凹槽，一般采用湿法蚀刻或者干法蚀刻的方法对衬底进行图形化，其中凹槽的宽度为2~8微米，凹槽的深度为1.5~5微米，两凹槽之间的凸起宽度为2~10微米。衬底1的材料可为蓝宝石、硅（Si）、碳化硅（SiC）或氧化锌（ZnO）等。
在衬底1上形成缓冲层2，以提高随后外延层的生长质量。在缓冲层2上生长的N型半导体层3为N型GaN层，发光层5为InGaN/GaN多量子阱层，量子阱的结构为InxGa1-xN/GaN（0＜x＜1），在700~850℃的温度下生长1到10个周期的InGaN/GaN量子阱层，势阱层厚度为2~3nm，势垒层厚度为8~15nm。
在发光层5上生长形成P型半导体层7，P型半导体层7为P型GaN层，然后需对P型GaN层活化，活化的方式为在温度为600-800℃的真空或氮气氛围下进行快速热退火，也包含采用离子束进行轰击。
S2、在P型半导体层7的部分区域进行刻蚀形成裸露出N型半导体层3的N电极安装区。
采用ICP蚀刻的方法对P型半导体层7的部分区域进行蚀刻，直到裸露出N型半导体层3形成N电极安装区，一般在P型半导体层7上蚀刻的深度为1000~3000nm，在后续步骤中可在N电极安装区沉积N电极10。
S3、在N型半导体层3上的N电极安装区刻蚀形成台阶30，所述台阶30包括第一台面31、高度低于第一台面32的第二台面及第一台面和第二台面之间的台阶侧面33。
具体地，采用ICP刻蚀的方法在N电极安装区蚀刻形成台阶30，台阶30的高度为500~2000nm。
S4、在P型半导体层7上形成P电极9。
具体地，采用蒸镀的方法在P型半导体层7上形成P电极9，P电极9为Ti/Au合金，也可以是Ni、Au、Al、Ti、Pd、Pt、Sn、Cr中任意两种或多种金属的合金，P电极9的厚度为200~1000nm。
S5、在所述第二台面32上形成N电极10，所述N电极10与台阶侧面33相接触。
采用蒸镀的方式在第二台面32沉积N电极10，并且N电极10与台阶侧面33相接触，根据实际需要，所述N电极10可部分或完全掩盖台阶侧面33，即N电极10的高度低于或高于第一台面31，优选地，N电极10完全掩盖台阶侧面33，这样电流的横向流动效果好，可有效提高LED芯片电流分布的均匀性。
所述N电极10为Ti/Al合金，也可以是Ti、Al、Au、Pt、Sn中两种或多种金属的合金，N电极10的厚度为200~2000nm。
在本发明的另一实施例中，步骤S3中，N电极安装区至少刻蚀形成二个台阶30，具体台阶数量，台阶高度可根据需求选择，多级台阶的总高度为500~2000nm。随后的步骤S5中，在多级台阶上沉积形成N电极10，N电极10与每个台阶侧面33相接触，并且完全掩盖每个台阶侧面33。如此，同样可增强电流的横向流动，改善LED芯片的发光性能。
本发明的又一实施例中，上述步骤S3后，在P型半导体层7上形成导电层8，然后再在导电层8上形成P电极9。所述导电层8的厚度为1~1000nm，导电层8一般为ITO层，也可是CTO(Cd2SnO4)、ZnO:Al、Ni/Au、Ni/Pd/Au、Pt/Au等合金中的一种。
优先地，所述缓冲层2包括氮化镓成核层21和本征氮化镓层22，具体地，可采用MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积法）的方法在衬底1上生长氮化镓成核层，再在氮化镓成核层21之上形成本征氮化镓层22，在生长过程中通过对温度、压强、反应化合物比例等工艺参数的控制来实现缓冲层的良好生长。如此，可获得晶体质量较好的外延层，为后续外延层的生长提供良好的基础，减少晶体缺陷的产生。
优选地，在发光层5和P型半导体层7之间形成电子阻挡层6，电子阻挡层6为AlGaN阻挡层。电子阻挡层6能够有效的阻挡电子从有源区溢出，从而增加有源区电子的数量，提高发光层5中载流子复合效率，提升LED芯片发光效率。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，但上述实施例不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (10)
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：
衬底；
在衬底上依次形成的缓冲层、N型半导体层、部分覆盖N型半导体层的发光层、形成在发光层上的P型半导体层和形成在P型半导体层上的导电层，所述N型半导体层未被发光层覆盖的区域为N电极安装区；所述N电极安装区设有台阶，所述台阶包括第一台面、高度低于第一台面的第二台面及第一台面和第二台面之间的台阶侧面；
P电极和N电极，所述P电极形成在导电层之上，所述N电极形成在第二台面上，并且与台阶侧面相接触。
2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N电极完全遮盖台阶侧面。
3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N电极安装区至少设有二个台阶，N电极与每个台阶的台阶侧面相接触。
4.如权利要求1-3任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述台阶的高度为500-2000nm。
5.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述发光层和P型半导体层之间设有电子阻挡层。
6.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、提供衬底，在衬底上依次形成缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层和导电层；
S2、在导电层的部分区域进行刻蚀形成裸露出N型半导体层的N电极安装区；
S3、在N型半导体层上的N电极安装区刻蚀形成台阶，所述台阶包括第一台面、高度低于第一台面的第二台面及第一台面和第二台面之间的台阶侧面；
S4、在P型半导体层上形成P电极；
S5、在所述第二台面上形成N电极，所述N电极与台阶侧面相接触。
7.如权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述N电极完全遮盖台阶侧面。
8.如权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述N电极安装区形成至少二个台阶，N电极与每个台阶的台阶侧面相接触。
9.如权利要求6-8任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述台阶的高度为500-2000nm。
10.如权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，在所述发光层和P型半导体层之间形成电子阻挡层。
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| CN201410434143.3A CN105374910A (zh) | 2014-08-29 | 2014-08-29 | Led芯片及其制作方法 |
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|---|---|
| CN (1) | CN105374910A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106558638A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-04-05 | 东莞市佳乾新材料科技有限公司 | 一种具有高发光效率的led芯片及其制作方法 |
| CN107968145A (zh) * | 2017-08-28 | 2018-04-27 | 友达光电股份有限公司 | 发光装置 |
| CN112366262A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-02-12 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 红光发光二极管芯片及其制作方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002016312A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
| CN101859844A (zh) * | 2009-04-07 | 2010-10-13 | 裕星企业有限公司 | 发光二极管结构及其制造方法 |
| CN102364707A (zh) * | 2011-11-28 | 2012-02-29 | 江苏新广联科技股份有限公司 | 改善电流传输堵塞的led芯片结构 |
| CN202405304U (zh) * | 2011-11-28 | 2012-08-29 | 江苏新广联科技股份有限公司 | 改善电流传输堵塞的led芯片结构 |
| CN202977517U (zh) * | 2012-06-05 | 2013-06-05 | 上海施科特光电材料有限公司 | 一种氮化物led结构 |
| JP5434573B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2014-03-05 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子 |
-
2014
- 2014-08-29 CN CN201410434143.3A patent/CN105374910A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002016312A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
| CN101859844A (zh) * | 2009-04-07 | 2010-10-13 | 裕星企业有限公司 | 发光二极管结构及其制造方法 |
| JP5434573B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2014-03-05 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子 |
| CN102364707A (zh) * | 2011-11-28 | 2012-02-29 | 江苏新广联科技股份有限公司 | 改善电流传输堵塞的led芯片结构 |
| CN202405304U (zh) * | 2011-11-28 | 2012-08-29 | 江苏新广联科技股份有限公司 | 改善电流传输堵塞的led芯片结构 |
| CN202977517U (zh) * | 2012-06-05 | 2013-06-05 | 上海施科特光电材料有限公司 | 一种氮化物led结构 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106558638A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-04-05 | 东莞市佳乾新材料科技有限公司 | 一种具有高发光效率的led芯片及其制作方法 |
| CN107968145A (zh) * | 2017-08-28 | 2018-04-27 | 友达光电股份有限公司 | 发光装置 |
| US10593837B2 (en) | 2017-08-28 | 2020-03-17 | Au Optronics Corporation | Light emitting device with a stepped structure |
| CN112366262A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-02-12 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 红光发光二极管芯片及其制作方法 |
| CN112366262B (zh) * | 2020-09-30 | 2021-10-08 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 红光发光二极管芯片及其制作方法 |
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