TWI763420B - 顯示面板 - Google Patents

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Abstract

一種顯示面板，包括驅動元件、第一散熱層、發光元件以及第二散熱層。驅動元件設置於基板上。第一散熱層設置於驅動元件上。發光元件設置於第一散熱層上且電性連接驅動元件。第二散熱層覆蓋發光元件。當發光元件的出光面面對第一散熱層時，第一散熱層的折射率大於第二散熱層的折射率，且當發光元件的出光面面對第二散熱層時，第二散熱層的折射率大於第一散熱層的折射率。

Description

顯示面板
本發明是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種發光二極體顯示面板。
一般會利用外部量子效率（External Quantum Efficiency；EQE）表示顯示面板中的發光元件的發光效率，其中外部量子效率的定義為發光元件產生的電子數量與入射至發光元件的光子數量的比例。上述的外部量子效率會隨著發光元件於操作時的溫度上升而下降，因此，若能在發光元件時降低其的操作溫度，則可提高發光元件的發光效率。
本發明提供一種顯示面板，其中的發光元件具有經提升的發光效率。
本發明的顯示面板包括驅動元件、第一散熱層、發光元件以及第二散熱層。驅動元件設置於基板上。第一散熱層設置於驅動元件上。發光元件設置於第一散熱層上且電性連接驅動元件。第二散熱層覆蓋發光元件。當發光元件的出光面面對第一散熱層時，第一散熱層的折射率大於第二散熱層的折射率，且當發光元件的出光面面對第二散熱層時，第二散熱層的折射率大於第一散熱層的折射率。
在本發明的一實施例中，上述的第一散熱層的折射率與第二散熱層的折射率介於1.5-2.3之間。
在本發明的一實施例中，當發光元件的出光面面對第一散熱層時，第一散熱層的折射率為1.8-2.3且第二散熱層的折射率為1.5-1.8；當發光元件的出光面面對第二散熱層時，第一散熱層的折射率為1.5-1.8且第二散熱層的折射率為1.8-2.3。
在本發明的一實施例中，上述的第一散熱層的導熱係數與第二散熱層的導熱係數大於1。
在本發明的一實施例中，當發光元件的出光面面對第一散熱層時，第一散熱層的導熱係數大於第二散熱層的導熱係數，當發光元件的出光面面對第二散熱層時，第二散熱層的導熱係數大於第一散熱層的導熱係數。
在本發明的一實施例中，第一散熱層與第二散熱層包括多個微粒子，多個微粒子包括Al 2O 3、TiO 2或其組合。
在本發明的一實施例中，當發光元件的出光面面對第一散熱層時，第一散熱層包括的多個微粒子的密度大於第二散熱層包括的多個微粒子的密度，當發光元件的出光面面對第二散熱層時，第二散熱層包括的多個微粒子的密度大於第一散熱層包括的多個微粒子的密度。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層以及第四絕緣層。第一絕緣層設置於基板上且部分地覆蓋驅動元件。第二絕緣層設置於第一散熱層上，其中第一散熱層被由第一絕緣層以及第二絕緣層組成的結構所包覆。第三絕緣層設置於第二絕緣層上。第四絕緣層設置於第三絕緣層上且覆蓋第二散熱層。
在本發明的一實施例中，上述的第二散熱層被由第三絕緣層以及第四絕緣層組成的結構所包覆。
在本發明的一實施例中，當發光元件的出光面面對第一散熱層時，驅動晶片設置於第四絕緣層上且與驅動元件電性連接。
基於上述，本發明的顯示面板藉由使發光元件設置於第一散熱層與第二散熱層之間且使該些散熱層具有的折射率的相對關係隨著發光元件的出光面面對方向改變，藉此可使發光元件於操作時產生的熱能迅速地被導出而降低該發光元件的溫度，以達到增加外部量子效率的效果，從而可提高發光元件的發光效率。
圖1A至圖1H為本發明的第一實施例的顯示面板的製造方法的剖面示意圖。
請參照圖1A，形成驅動元件DC於基板SB上。在一些實施例中，基板SB可為可撓性基板，其可為聚合物基板或塑膠基板，但本發明不以此為限。在其他實施例中，基板SB也可例如為剛性基板，其可為玻璃基板、石英基板或矽基板。驅動元件DC可例如包括主動元件、被動元件或其組合，本發明不以此為限，在本實施例中，示例出包括有主動元件的驅動元件DC。在一些實施例中，形成驅動元件DC於基板SB上的步驟可如下所示，但須注意本發明不以此為限。
首先，形成半導體層SE於基板SB上。半導體層SE的形成方法例如是利用微影蝕刻製程而形成。舉例來說，可先利用物理氣相沉積法或金屬化學氣相沉積法於基板SB上形成半導體材料層（未繪示）。接著，於半導體材料層上形成圖案化光阻層（未繪示）。之後，以圖案化光阻層為罩幕，對半導體材料層進行蝕刻製程，以形成半導體層SE。半導體層SE的材料可例如為非晶矽，但本發明不以此為限。半導體層SE的材料亦可例如為多晶矽、微晶矽、單晶矽、奈米晶矽或其它具有不同晶格排列之半導體材料或金屬氧化物半導體材料。在本實施例中，半導體層SE包括通道區CH以及各自位於通道區CH二側的摻雜區SE1、SE2。
另外，在形成半導體層SE於基板SB上之前，可例如先形成緩衝層BL於基板SB上，以使緩衝層BL位於半導體層SE與基板SB之間。緩衝層BL的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法而形成。在一些實施例中，緩衝層BL的材料可為氧化矽、氮化矽或上述二種材料的堆疊層，本發明不以此為限。在本實施例中，緩衝層BL包括材料為氮化矽的第一緩衝層BL1以及材料為氧化矽的第二緩衝層BL2的堆疊層。
接著，形成閘介電層GI於基板SB上，其中閘介電層GI覆蓋半導體層SE。閘介電層GI的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法而形成。在本實施例中，閘介電層GI的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合，但本發明不限於此。閘介電層GI可為單層結構，但本發明不限於此。在其他實施例中，閘介電層GI也可為多層結構。
之後，形成第一金屬層M1於閘介電層GI上。第一金屬層M1的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法後再進行微影蝕刻製程而形成。舉例來說，可先利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法於基板SB上形成第一金屬材料層（未繪示）。接著，於第一金屬材料層上形成圖案化光阻層（未繪示）。之後，以圖案化光阻層為罩幕，對第一金屬材料層進行蝕刻製程，以形成第一金屬層M1。在一些實施例中，第一金屬層M1包括閘極G以及第一儲存電極CE1，但本發明不以此為限。舉例而言，第一金屬層M1還可包括掃描線（未繪示）、共用電壓線（未繪示）以及共用電壓供應線（未繪示）。閘極G例如與對應的掃描線連接以接收相應的閘極電壓。第一儲存電極CE1與第一共用電壓供應線連接以接收相應的共用電壓，即，第一共用電壓供應線可例如用於傳輸來自共用電壓線（未繪示）供應的共用電壓，以將此共用電壓提供給第一儲存電極CE1。
再來，形成層間介電層ILD於閘介電層GI上，其中層間介電層ILD覆蓋第一金屬層M1。層間介電層ILD的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法而形成。在本實施例中，層間介電層ILD的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合，但本發明不限於此。層間介電層ILD可為單層結構，但本發明不限於此。在其他實施例中，層間介電層ILD也可為多層結構。另外，本實施例的層間介電層ILD包括各自暴露出半導體層SE的部分摻雜區SE1、SE2的開口，以使後續形成的源極S與汲極D可藉由開口與半導體層SE電性連接。
然後，形成第二金屬層M2於層間介電層ILD上。第二金屬層M2的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法後再進行微影蝕刻製程而形成。舉例來說，可先利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法於基板SB上形成第二金屬材料層（未繪示）。接著，於第二金屬材料層上形成圖案化光阻層（未繪示）。之後，以圖案化光阻層為罩幕，對第二金屬材料層進行蝕刻製程，以形成第二金屬層M2。在一些實施例中，第二金屬層M2包括源極S、汲極D以及第二儲存電極CE2，但本發明不以此為限。舉例而言，第二金屬層M2還可包括資料線（未繪示）。源極S例如與對應的資料線連接以接收相應的資料電壓。汲極D例如與第二儲存電極SE2電性連接，以使第二儲存電極CE2亦接收相應的資料電壓。在本實施例中，第二儲存電極CE2可與第一儲存電極CE1以及夾置於其間的層間介電層ILD構成儲存電容，但本發明不以此為限。在本實施例中，閘極G、半導體層SE、源極S以及汲極D可構成驅動元件DC。值得一提的是，在本實施例中，驅動元件DC包括所屬領域中具有通常知識者所周知的任一種頂部閘極型薄膜電晶體，但本發明不限於此。在其他實施例中，驅動元件DC也可以包括底部閘極型薄膜電晶體或是其它合適類型的薄膜電晶體。
請參照圖1B，形成第一絕緣層BP1於層間介電層ILD上，其中第一絕緣層BP1覆蓋第二金屬層M2。在一些實施例中，第一絕緣層BP1的形成方法是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法而形成。在本實施例中，第一絕緣層BP1的材料包括無機材料，其可為氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層，但本發明不限於此。第一絕緣層BP1可為單層結構，但本發明不限於此。在其他實施例中，第一絕緣層BP1也可為多層結構。
請繼續參照圖1B，形成第一散熱層MP1於第一絕緣層BP1上，其中第一散熱層MP1包括暴露出部分的第一絕緣層BP1的多個貫孔TH1。第一散熱層MP1具有導熱率高的特性，在本實施例中，第一散熱層MP1的材料選用包括多個微粒子的氧化物，其包括Al 2O 3、TiO 2或其組合。在一些實施例中，第一散熱層MP1的導熱係數至少大於1 W/(m∙K)。在較佳的實施例中，第一散熱層MP1的導熱係數為4.8-70 W/(m∙K)。舉例而言，Al 2O 3具有約10-70 W/(m∙K)的熱導率，且TiO 2具有約4.8-9 W/(m∙K)的熱導率。在本實施例中，第一散熱層MP1將面對後續欲形成的發光元件（包括的材料的折射率約為2.3）的出光面，基於此，第一散熱層MP1具有的折射率較佳為1.8-2.3，以與發光元件達到折射率匹配且具有高穿透率的效果。值得一提的是，第一散熱層MP1的材料並非僅限制於Al 2O 3或TiO 2，在其餘材料具有的導熱係數以及折射率符合上述的範圍時，其亦可被選用為第一散熱層MP1的材料。
請參照圖1C，形成第二絕緣層BP2於第一散熱層MP1上，其中第二絕緣層BP2覆蓋第一散熱層MP1。詳細地說，第二絕緣層BP2會形成於第一散熱層MP1的多個貫孔TH1中，且與第一絕緣層BP1組成的結構包覆第一散熱層MP1。藉由此結構的設計可避免第一散熱層MP1因受到後續膜層的製程影響而產生缺陷。另外，在形成第二絕緣層BP2之前，先將經多個貫孔TH1暴露出的第一絕緣層BP1移除，以暴露出部分的源極S與汲極D。基於此，在本實施例中，由於第二絕緣層BP2在多個貫孔TH1中僅形成於第一散熱層MP1的側壁，因此暴露出部分的源極S與汲極D。在一些實施例中，第二絕緣層BP2的形成方法是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法而形成。在本實施例中，第二絕緣層BP2的材料包括無機材料，其可為氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層，但本發明不限於此。第二絕緣層BP2可為單層結構，但本發明不限於此。在其他實施例中，第二絕緣層BP2也可為多層結構。
請參照圖1D，形成訊號線層C1於第二絕緣層BP2上，其中訊號線層C1至少填入於貫孔TH1中以與源極S以及汲極D電性連接。基於導電性的考量，訊號線層C1一般是使用金屬材料製成。然而，本發明並不限於此，訊號線層C1也可以包括金屬材料以外的其他透明導電材料。訊號線層C1的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或金屬化學氣相沉積法後再進行微影蝕刻製程而形成。
請參照圖1E，形成發光元件L1於第二絕緣層BP2上，其中在形成發光元件L1於第二絕緣層BP2上之前，可先於第二絕緣層BP2上設置黏著層AD，以使發光元件L1藉由黏著層AD而黏附於第二絕緣層BP2上。在本實施例中，發光元件L1為水平式（lateral）發光二極體。詳細地說，本實施例的發光元件L1包括依序設置的第一半導體層（未繪示）、發光層（未繪示）、第二半導體層（未繪示），其中另設置有與第一半導體層電性連接的第一電極LE1以及與第二半導體層電性連接的第二電極LE2，且第一電極LE1與第二電極LE2設置於同一側。在一些實施例中，第一半導體層的導電型與第二半導體層的導電型不同。舉例而言，第一半導體層可為P型半導體材料，第二半導體層可為N型半導體材料。上述的P型半導體材料與N型半導體材料可包括氮化鎵（GaN）、氮化銦鎵（InGaN）、砷化鎵（GaAs）或其他IIIA族和VA族元素組成的材料或者其他合適的材料，本發明不以此為限。發光層則可例如具有量子井，以使P型半導體層提供的電洞以及N型半導體層提供的電子可在發光層中結合，以放出光子。另外，發光層的材料可包括氮化鎵、氮化銦鎵、砷化鎵或其他IIIA族和VA族元素組成的材料或者其他合適的材料。在本實施例中，發光元件L1選用包括折射率約為2.3的氮化鎵。
請繼續參照圖1E，之後，形成電源線層C2於第二絕緣層BP2上，其中電源線層C2至少位於第一電極LE1與第二電極LE2以及訊號線層C1上方且與其接觸，且使發光元件L1具有的第一電極LE1與第二電極LE2藉由電源線層C2與訊號線層C1電性連接。基於導電性的考量，電源線層C2一般是使用金屬材料製成。然而，本發明並不限於此，電源線層C2也可以包括金屬材料以外的其他透明導電材料。電源線層C2的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或金屬化學氣相沉積法後再進行微影蝕刻製程而形成。
請參照圖1F，形成第三絕緣層BP3於發光元件L1上，其中第三絕緣層BP3覆蓋發光元件L1。在一些實施例中，第三絕緣層BP3的形成方法是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法而形成。在本實施例中，第三絕緣層BP3的材料包括無機材料，其可為氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層，但本發明不限於此。第三絕緣層BP3可為單層結構，但本發明不限於此。在其他實施例中，第三絕緣層BP3也可為多層結構。
請繼續參照圖1F，形成第二散熱層MP2於第三絕緣層BP3上，其中第二散熱層MP2覆蓋發光元件L1且包括暴露出部分的第三絕緣層BP3的多個貫孔TH2。第二散熱層MP2亦具有導熱率高的特性，在本實施例中，第二散熱層MP2的材料亦選用包括多個微粒子的氧化物，其包括Al 2O 3、TiO 2或其組合。在一些實施例中，第二散熱層MP2的導熱係數至少大於1 W/(m∙K)。在較佳的實施例中，第二散熱層MP2的導熱係數為4.8-70 W/(m∙K)。。在本實施例中，第二散熱層MP2將背對發光元件L1（包括的材料的折射率約為2.3）的出光面LS，基於此，第二散熱層MP2具有的折射率較佳為1.5-1.8，以具有高反射率的效果。值得一提的是，第二散熱層MP2的材料並非僅限制於Al 2O 3或TiO 2，在其餘材料具有的導熱係數以及折射率符合上述的範圍時，其亦可被選用為第二散熱層MP2的材料。另外，在本實施例中，第二散熱層MP2的折射率小於第一散熱層MP1的折射率，此是因第二散熱層MP2包括的微粒子的密度小於第一散熱層MP1包括的微粒子的密度，在此情況下，第二散熱層MP2的導熱係數亦小於第一散熱層MP1的導熱係數。
請參照圖1G，形成第四絕緣層BP4於第二散熱層MP2上，其中第四絕緣層BP4覆蓋第二散熱層MP2。詳細地說，第四絕緣層BP4會形成於第二散熱層MP2的多個貫孔TH2中，且與第三絕緣層BP3組成的結構包覆第二散熱層MP2。藉由此結構的設計可避免第二散熱層MP2因受到後續膜層的製程影響而產生缺陷。另外，在形成第四絕緣層BP4之前，先將經多個貫孔TH2暴露出的第三絕緣層BP3移除，以暴露出部分的與源極S電性連接的電源線層C2。基於此，在本實施例中，由於第四絕緣層BP4在多個貫孔TH2中僅形成於第二散熱層MP2的側壁，因此暴露出部分的與源極S電性連接的電源線層C2。在一些實施例中，第四絕緣層BP4的形成方法是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法而形成。在本實施例中，第四絕緣層BP4的材料包括無機材料，其可為氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層，但本發明不限於此。第四絕緣層BP4可為單層結構，但本發明不限於此。在其他實施例中，第四絕緣層BP4也可為多層結構。
請參照圖1H，形成導通結構C3於多個貫孔TH2中，其中導通結構C3填入於多個貫孔TH2。基於導電性的考量，電導通結構C3一般是使用金屬材料製成。然而，本發明並不限於此，導通結構C3也可以包括金屬材料以外的其他透明導電材料。
請繼續參照圖1H，形成驅動線路層C4以及驅動晶片IC於第四絕緣層BP4上，其中驅動線路層C4與導通結構C3電性連接，以使驅動晶片IC藉由驅動線路層C4與驅動元件DC電性連接，藉此提供驅動訊號至驅動元件DC。基於導電性的考量，驅動線路層C4一般是使用金屬材料製成。然而，本發明並不限於此，驅動線路層C4也可以包括金屬材料以外的其他透明導電材料。
基於上述，本實施例藉由在發光元件的下方與上方各自設置有第一散熱層以及第二散熱層，藉此可在發光元件於操作時將其產生的熱能迅速導出而使其具有較低的操作溫度，因此，本實施例的發光元件的發光效率可因此提高。再者，本實施例藉由各自使面對發光元件的出光面的第一散熱層以及背對發光元件的出光面的第二散熱層具有上述的折射率，藉此可提高發光元件的出光強度。
至此，完成本發明的顯示面板100的製作。
本實施例的顯示面板100的製造方法雖然是以上述方法為例進行說明，然而本發明的顯示面板100的形成方法並不以此為限。
請繼續參照圖1H，圖1H繪示了本發明的一實施例的顯示面板100的局部示意圖。本發明實施例的顯示面板100包括驅動元件DC、第一散熱層MP1、發光元件L1以及第二散熱層MP2。
驅動元件DC例如設置於基板SB上。在一些實施例中，在驅動元件DC與基板SB之間可設置有緩衝層BL，本發明不以此為限。驅動元件DC具有的構件及該些構件之間具有的相對設置關係可參照前述實施例，此處不再予以贅述。
第一散熱層MP1例如設置於驅動元件DC上。在本實施例中，第一散熱層MP1的材料包括多個微粒子，其包括Al 2O 3、TiO 2或其組合。另外，在本實施例中，第一散熱層MP1面對發光元件L1（包括的材料的折射率約為2.3）的出光面LS，基於此，第一散熱層MP1具有的折射率設計為介於1.8-2.3之間，以與發光元件L1達到折射率匹配且具有高穿透率的效果。在一些實施例中，第一散熱層MP1的導熱係數至少大於1 W/(m∙K)。在較佳的實施例中，第一散熱層MP1的導熱係數為4.8-70 W/(m∙K)。本實施例的第一散熱層MP1例如被第一絕緣層BP1與第二絕緣層BP2組成的結構包覆，以避免第一散熱層MP1因其餘膜層的設置而產生缺陷。
發光元件L1例如設置於第一散熱層MP1上。在本實施例中，發光元件L1為水平式發光二極體，但須注意本發明不以此為限。在其他的實施例中，發光元件可為覆晶式（flip-chip）發光二極體。另外，在本實施例中，發光元件L1包括的材料的折射率約為2.3。
第二散熱層MP2例如設置於發光元件L1上。在本實施例中，第二散熱層MP2的材料包括多個微粒子，其包括Al 2O 3、TiO 2或其組合。另外，在本實施例中，第二散熱層MP2背對發光元件L1（包括的材料的折射率約為2.3）的出光面LS，基於此，第二散熱層MP2具有的折射率設計為介於1.5-1.8之間，以達到高反射率的效果。在一些實施例中，第二散熱層MP2的導熱係數至少大於1 W/(m∙K)。在較佳的實施例中，第二散熱層MP2的導熱係數為4.8-70 W/(m∙K)。另外，在本實施例中，第二散熱層MP2的折射率小於第一散熱層MP1的折射率，此是因第二散熱層MP2包括的微粒子的密度小於第一散熱層MP1包括的微粒子的密度，在此情況下，第二散熱層MP2的導熱係數亦小於第一散熱層MP1的導熱係數。本實施例的第二散熱層MP2例如被第三絕緣層BP3與第四絕緣層BP4組成的結構包覆，以避免第二散熱層MP2因其餘膜層的設置而產生缺陷。
在一些實施例中，顯示面板100更包括第一絕緣層BP1、第二絕緣層BP2、第三絕緣層BP3、第四絕緣層BP4以及驅動晶片IC。第一絕緣層BP1例如設置於基板SB上且部分地覆蓋驅動元件DC。第二絕緣層BP2例如設置於第一散熱層MP1上，其中第一散熱層MP1被由第一絕緣層BP1以及第二絕緣層BP2組成的結構所包覆。第三絕緣層BP3例如設置於第二絕緣層BP2上。第四絕緣層BP4例如設置於第三絕緣層BP3上且覆蓋第二散熱層MP2，其中第二散熱層MP2被由第三絕緣層BP3以及第四絕緣層BP4組成的結構所包覆。驅動晶片IC例如設置於第四絕緣層BP4上且與驅動元件DC電性連接。第一絕緣層BP1、第二絕緣層BP2、第三絕緣層BP3、第四絕緣層BP4以及驅動晶片IC包括的材料及與其他構件之間具有的相對設置關係可參照前述實施例，此處不再予以贅述。
基於上述，本實施例藉由使發光元件位於第一散熱層以及第二散熱層之間可在於操作時將其產生的熱能迅速導出而使其具有較低的操作溫度，因此，本實施例的發光元件的發光效率可因此提高。再者，本實施例藉由各自使面對發光元件的出光面的第一散熱層以及背對發光元件的出光面的第二散熱層具有上述的折射率，藉此可增加發光元件的出光強度，以提高本實施例的顯示面板的顯示效果。
圖2A至圖2H為本發明的第二實施例的顯示面板的製造方法的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖2A至圖2H繪示的實施例各自沿用圖1A至圖1H的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例描述與效果，下述實施例不再重複贅述，而圖2A至圖2H繪示的實施例中至少一部份未省略的描述可參閱後續內容。
請同時參照圖2A至圖2H，本實施例的顯示面板200的製造方法與前述實施例的顯示面板100的製造方法的主要差異在於：在圖2A所示出的製程中，緩衝層BL、閘介電層GI以及層間介電層ILD進一步被部分地移除，以使後續在圖2E所示出的製程中形成的發光元件L1的出光面LS至少不與緩衝層BL中的第一緩衝層BL1、閘介電層GI以及層間介電層ILD重疊。由於第一緩衝層BL1、閘介電層GI以及層間介電層ILD包括的材料為具有約1.5的折射率的氧化矽，本實施例藉由上述的製程及配置可進一步做到折射率匹配以及更高穿透率的效果，藉此可更提高顯示面板200的顯示效果。
圖3為本發明的第一實施例與第二實施例的顯示面板的背面的俯視示意圖。
請參照圖3，其示出基板SB的背面、導通結構C3、驅動線路層C4以及驅動晶片IC，其中圖3示出的基板SB的背面可應用於圖1與圖2各自繪示的顯示面板100、200中。導通結構C3可例如沿著驅動晶片IC的至少一側排列，本發明不以此為限。驅動線路層C4則例如在基板SB的背面上進行佈線，以使驅動晶片IC與導通結構C3電性連接，從而可提供驅動訊號至驅動元件DC。基於此，在本實施例中，藉由利用基板SB的背面的區域進行佈線，可進一步縮小顯示面板100、200的尺寸。
圖4A至圖4G為本發明的第三實施例的顯示面板的製造方法的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖4A至圖4G繪示的實施例各自沿用圖1A至圖1G的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例描述與效果，下述實施例不再重複贅述，而圖4A至圖4G繪示的實施例中至少一部份未省略的描述可參閱後續內容。
請同時參照圖4A至圖4G，本實施例的顯示面板300的製造方法與前述實施例的顯示面板100的製造方法的主要差異在於：在圖4E所示出的製程中，形成的發光元件L2為覆晶式發光二極體而非水平式發光二極體。即，本實施例的發光元件L2的出光面LS將與前述實施例的發光元件L1的出光面為相對面。基於此，在本實施例中，背對發光元件L2的出光面LS的第一散熱層MP1的折射率會小於面對發光元件L2的出光面LS的第二散熱層MP2的折射率。即，第二散熱層MP2具有的折射率介於1.8-2.3之間，以與發光元件L2達到折射率匹配且具有高穿透率的效果。相對地，第一散熱層MP1具有的折射率介於1.5-1.8之間，以達到高反射率的效果。再者，由於第一散熱層MP1的折射率小於第二散熱層MP2的折射率（因第一散熱層MP1包括的微粒子的密度小於第二散熱層MP2包括的微粒子的密度），第一散熱層MP1的導熱係數亦小於第二散熱層MP2的導熱係數。
綜上所述，本發明的顯示面板藉由使發光元件位於第一散熱層以及第二散熱層之間可在於操作時將其產生的熱能迅速導出而使其具有較低的操作溫度，因此，本發明發光元件的發光效率可因此提高。再者，本發明藉由各自使面對發光元件的出光面的散熱層以及背對發光元件的出光面的散熱層具有上述的折射率匹配關係，藉此可增加發光元件的出光強度，以提高本發明的顯示面板的顯示效果。
100、200、300:顯示面板 AD:黏著層 BL:緩衝層 BL1:第一緩衝層 BL2:第二緩衝層 BP1:第一絕緣層 BP2:第二絕緣層 BP3:第三絕緣層 BP4:第四絕緣層 C1:訊號線層 C2:電源線層 C3:導通結構 C4:驅動線路層 CE1:第一儲存電極 CE2:第二儲存電極 CH:通道層 D:汲極 DC:驅動元件 G:閘極 GI:閘介電層 IC:驅動晶片 ILD:層間介電層 L1:發光元件 LE1:第一電極 LE2:第二電極 LS:出光面 M1:第一金屬層 M2:第二金屬層 MP1:第一散熱層 MP2:第二散熱層 S:源極 SB:基板 SE:半導體層 SE1、SE2:摻雜區 TH1、TH2:貫孔
圖1A至圖1H為本發明的第一實施例的顯示面板的製造方法的剖面示意圖。 圖2A至圖2H為本發明的第二實施例的顯示面板的製造方法的剖面示意圖。 圖3為本發明的第一實施例與第二實施例的顯示面板的背面的俯視示意圖。 圖4A至圖4G為本發明的第三實施例的顯示面板的製造方法的剖面示意圖。
100:顯示面板
AD:黏著層
BL:緩衝層
BL1:第一緩衝層
BL2:第二緩衝層
BP1:第一絕緣層
BP2:第二絕緣層
BP3:第三絕緣層
BP4:第四絕緣層
C1:訊號線層
C2:電源線層
C3:導通結構
C4:驅動線路層
CE1:第一儲存電極
CE2:第二儲存電極
CH:通道層
D:汲極
DC:驅動元件
G:閘極
GI:閘介電層
IC:驅動晶片
ILD:層間介電層
L1:發光元件
LE1:第一電極
LE2:第二電極
LS:出光面
M1:第一金屬層
M2:第二金屬層
MP1:第一散熱層
MP2:第二散熱層
S:源極
SB:基板
SE:半導體層
SE1、SE2:摻雜區

Claims (10)

  1. 一種顯示面板，包括：驅動元件，設置於基板上；第一散熱層，設置於所述驅動元件上；發光元件，設置於所述第一散熱層上且電性連接所述驅動元件；以及第二散熱層，覆蓋所述發光元件；其中當所述發光元件的出光面面對所述第一散熱層時，所述第一散熱層的折射率大於所述第二散熱層的折射率，且當所述發光元件的出光面面對所述第二散熱層時，所述第二散熱層的折射率大於所述第一散熱層的折射率。
  2. 如請求項1所述的顯示面板，其中所述第一散熱層的折射率與所述第二散熱層的折射率介於1.5-2.3之間。
  3. 如請求項2所述的顯示面板，其中，當所述發光元件的出光面面對所述第一散熱層時，所述第一散熱層的折射率為1.8-2.3且所述第二散熱層的折射率為1.5-1.8；當所述發光元件的出光面面對所述第二散熱層時，所述第一散熱層的折射率為1.5-1.8且所述第二散熱層的折射率為1.8-2.3。
  4. 如請求項1所述的顯示面板，其中所述第一散熱層的導熱係數與所述第二散熱層的導熱係數大於1。
  5. 如請求項4所述的顯示面板，其中當所述發光元件的出光面面對所述第一散熱層時，所述第一散熱層的導熱係數大 於所述第二散熱層的導熱係數，當所述發光元件的出光面面對所述第二散熱層時，所述第二散熱層的導熱係數大於所述第一散熱層的導熱係數。
  6. 如請求項1所述的顯示面板，其中所述第一散熱層與所述第二散熱層包括多個微粒子，所述多個微粒子包括Al2O3、TiO2或其組合。
  7. 如請求項6所述的顯示面板，其中當所述發光元件的出光面面對所述第一散熱層時，所述第一散熱層包括的所述多個微粒子的密度大於所述第二散熱層包括的所述多個微粒子的密度，當所述發光元件的出光面面對所述第二散熱層時，所述第二散熱層包括的所述多個微粒子的密度大於所述第一散熱層包括的所述多個微粒子的密度。
  8. 如請求項1所述的顯示面板，其更包括：第一絕緣層，設置於所述基板上且部分地覆蓋所述驅動元件；第二絕緣層，設置於所述第一散熱層上，其中所述第一散熱層被由所述第一絕緣層以及所述第二絕緣層組成的結構所包覆；以及第三絕緣層，設置於所述第二絕緣層上；以及第四絕緣層，設置於所述第三絕緣層上且覆蓋所述第二散熱層。
  9. 如請求項8所述的顯示面板，其中所述第二散熱層被由所述第三絕緣層以及所述第四絕緣層組成的結構所包覆。
  10. 如請求項8所述的顯示面板，其中當所述發光元件的出光面面對所述第一散熱層時，驅動晶片設置於所述第四絕緣層上且與所述驅動元件電性連接。
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