CN105024004A - 一种具备散热特性的高光效垂直led结构芯片及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片及其制作方法，其结构包括N型半导体层、P型半导体层以及有源层，其中，该有源层设置在该N型半导体层与该P型半导体层之间，由该N型半导体层、该P型半导体层以及该有源层形成一PN结，在该N型半导体层顶面上设置有第一透明散热层，在该P型半导体层底面上设置有第二透明散热层，在该N型半导体层与该第一透明散热层之间设置有第一透明导电层，在该P型半导体层与该第二透明散热层之间设置有第二透明导电层，该第一透明导电层上电连接有第一电极，该第二透明导电层上电连接有第二电极。
Description
技术领域
本发明涉及一种LED芯片结构及其制作方法，特别是指一种包括N型半导体层、P型半导体层以及有源层，在该N型半导体层顶面上设置有第一透明散热层，在该P型半导体层底面上设置有第二透明散热层的LED芯片结构及其制作方法。
背景技术
去封装去散热去电源一直是LED研究工作者努力的方向，要实现相应技术方案研发人员必须从LED芯片源头入手， LED发热的原因是因为其所加入的电能并没有全部转化为光能，而是有一部分转化成为热能，只有将芯片的效率提高，而且将未能转换成光能的那部分电功率所产生的热及时的散发出去才能够真正的实现相应的技术方案。
LED的光效目前只有160lm/W，其电光转换效率大约只有40-50%左右。也就是说大约50%的电能都变成了热能。
具体来说，LED结温的产生是由于两个因素所引起的。
1．内部量子效率不高，也就是在电子和空穴复合时，并不能100％都产生光子，通常称为由“电流泄漏”而使PN区载流子的复合率降低。泄漏电流乘以电压就是这部分的功率，也就是转化为热能，但这部分不占主要成分，因为现在内部光子效率已经接近90％。
2．内部产生的光子无法全部射出到芯片外部而最后转化为热量，这部分是主要的，因为目前这种称为外部量子效率只有30％左右，其大部分都转化成为了热量。
所以要解决LED的发热问题必须首先提高内部量子效率其次是如何提高外部量子效率。
在所有芯片结构中垂直结构相比于水平结构芯片因它没有横向流动的电流，因此，电阻降低，没有电流拥塞，电流分布相对比较均匀，充分利用发光层的材料，电流产生的热量减小。虽然垂直结构相比于水平结构有明显的优势，但是由于氮化镓掺杂的原因导致P型GaN及N型GaN的导电率特别是P型GaN的导电率明显降低，所以需要透明导电扩散层来辅助，而目前传统的透明电层多数由ITO为主，ITO在导电性能及透光度上都没达到很好的效果，其严重的影响了led的外部提取效率。
2004年，英国曼彻斯特大学物理学家Andre Geim和Konstantin Novoselov，成功地在实验室中利用胶带剥离法从石墨中分离出单层石墨烯。经过世界范围内科学工作者近10年的潜心研究，证实了石墨烯是目前世上最薄也是最硬的纳米材料，具有极高的导热系数及电子迁移率和稳定的化学稳定性和透光率。使其在电化学、光电子等领域具有非常广泛的应用前景。石墨烯化学修饰电极即是利用石墨烯制成的电化学性能优异的一种修饰电极，其优越性主要表现在能加快电子转移速度，加大响应电流、降低检出限等。
石墨烯有如此优越的导电及透光性能，如何将它很好的应用到LED芯片的制作上来是我们一直以来研究的方向。
发明内容
本发明提供一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片及其制作方法，如何提高芯片外量子效率及将未能转换成光能的那部分电功率所产生的热及时的散发出去是本发明的重点，只有提高发光效率与提高散热性能齐头并进才能，形成提高散热性能-提高发光效率-提高散热性能的良性循环。
石墨烯有较高的导电导热及透光性能外，最重要的一点还有其折射率及功函数与PN结的N-GaN非常匹配，使得石墨烯与氮化镓之间有良好的透光性及良好的欧姆接触性能。由于P-GaN的功函数（7.2/eV）较高于石墨烯（5/eV），所以目前只能由成熟工艺且有良好欧姆接触的ITO等作为过渡层，在过渡层上再生长石墨烯来弥补ITO导电性能低的特性。在N型半导体层与P型半导体层面上原位生长导电导热石墨烯层并且与生长有石墨烯的透明散热层进行无胶键合，形成既有良好的透光性及外部量子提取效率又能将PN结的热量即时扩散并辐射散发掉的高光效垂直结构，此为本发明的主要目的。
本发明所采取的技术方案是：一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片，其包括N型半导体层、P型半导体层以及有源层，其中，该有源层设置在该N型半导体层与该P型半导体层之间，由该N型半导体层、该P型半导体层以及该有源层形成一PN结，在该N型半导体层顶面上设置有第一透明散热层，在该P型半导体层底面上设置有第二透明散热层，在该N型半导体层与该第一透明散热层之间设置有第一透明导电层，在该P型半导体层与该第二透明散热层之间设置有第二透明导电层，该第一透明导电层上电连接有第一电极，该第二透明导电层上电连接有第二电极。
该第一电极以及该第二电极分别连接外部电路的正负极线，电流由该第一电极以及该第二电极流入该第一透明导电层以及该第二透明导电层并进一步流入该N型半导体层以及该P型半导体层中并激发由该N型半导体层、该P型半导体层以及该有源层形成的该PN结发光，在该PN结发光的同时其发光所产生的热量由该第一透明导电层以及该第二透明导电层向外散发。
该第一透明散热层以及该第二透明散热层由散热透光性能优良的材料制成，比如，高热辐射玻璃、荧光玻璃，透明高热辐射陶瓷、荧光陶瓷，透明高热辐射的晶体、掺铈YAG晶体等。以上材料中以0.94的红外热辐射系数的石英玻璃为最佳选择。
为了提升该第一透明导电层以及该第二透明导电层的导电性能，该第一透明导电层以及该第二透明导电层中分别设置有若干导线，设置在该第一透明导电层中的若干该导线一端与该第一电极相连接，而其另外一端与该N型半导体层相连接，设置在该第二透明导电层中的若干该导线一端与该第二电极相连接，而其另外一端与该P型半导体层相连接。
在具体实施的时候，为了提升该第一透明导电层以及该第二透明导电层的导电性能，该第一透明导电层以及该第二透明导电层分别与若干导线贴合电连接，若干该导线附着在导电膜上，上述的该导线可以由金、银等材料制成。
在具体实施的时候上述技术内容可以通过多种结构实现。
第一种结构，该第一透明散热层相对于该N型半导体层外伸形成一第一凸出部，该第一电极位于该第一凸出部上，该第二透明散热层相对于该P型半导体层外伸形成一第二凸出部，该第二电极位于该第二凸出部上，该第一凸出部以及该第二凸出部分别位于该PN结的不同侧端，从而方便与外部电路连接。
第二种结构，在该第一透明散热层以及该第二透明散热层上分别开设有电极孔，该第一电极设置在该第一透明散热层的该电极孔中，该第二电极设置在该第二透明散热层的该电极孔中，第二种结构的芯片其各个层结构整齐叠设在一起方便生产加工。
在具体实施的时候，可以由上述的技术方案分别制作红、绿、蓝芯片光源，而后只需要将红、绿、蓝芯片光源设置在一起进行混光就能够得到白色芯片光源。
在具体实施的时候，该第一透明散热层的顶面以及该第二透明散热层的底面分别进行粗糙化处理，以提升发光效果。
一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片的制作方法，包括如下步骤：
第一步、在蓝宝石衬底上依次生长制作P型半导体层、有源层、N型半导体层其中，该有源层设置在该N型半导体层与该P型半导体层之间，由该N型半导体层、该P型半导体层以及该有源层形成一PN结。
第二步、在该N型半导体层顶面上设置第一透明导电层，之后将第一透明散热层键合设置在该N型半导体层的顶面上，该第一透明导电层位于该N型半导体层与该第一透明散热层之间，该第一透明散热层的底面上设置有导电膜，该导电膜上设置有若干导线，该第一透明导电层上电连接有第一电极，该第一电极通过该导电膜、若干该导线以及该第一透明导电层与该N型半导体层电连接。
第三步、将该P型半导体层底面上的该蓝宝石衬底剥离掉，在具体实施的时候，采用激光剥离法进行剥离。
第四步、在该P型半导体层底面上设置第二透明导电层，之后将第二透明散热层键合设置在该P型半导体层底面上，该第二透明导电层位于该P型半导体层底面与该第二透明散热层之间，该第二透明散热层的底面上设置有导电膜，该导电膜上设置有若干导线，该第二透明导电层上电连接有第二电极，该第二电极通过该导电膜、若干该导线以及该第二透明导电层与该P型半导体层底面电连接。
第二、四步中的该第一透明散热层以及该第二透明散热层由散热透光玻璃制成，该第一透明散热层的顶面以及该第二透明散热层的底面分别进行粗糙化处理，以提升发光效果。
一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片，其包括N型半导体层、P型半导体层以及有源层，其中，该有源层设置在该N型半导体层与该P型半导体层之间，由该N型半导体层、该P型半导体层以及该有源层形成一PN结，在该N型半导体层顶面上设置有第一透明散热层，在该P型半导体层底面上设置有第二透明散热层，在该N型半导体层与该第一透明散热层之间设置有第一透明导电导热层，在该P型半导体层与该第二透明散热层之间设置有第二透明导电导热层，该第一透明导电导热层以及该第二透明导电导热层为石墨烯层，该第一透明散热层的底面上以及该第二透明散热层的顶面上分别生长有透明散热层石墨烯层，该第一透明散热层底面上以及该第二透明散热层顶面上的该透明散热层石墨烯层分别与该第一透明导电导热层以及该第二透明导电导热层键合在一起，在该第一透明散热层以及该第二透明散热层上的该透明散热层石墨烯层上分别连接第一电极以及第二电极，该第一电极以及该第二电极分别连接外部电路的正负极线，电流由该第一电极以及该第二电极流入该第一透明导电导热层以及该第二透明导电导热层并进一步流入该N型半导体层以及该P型半导体层中并激发由该N型半导体层、该P型半导体层以及该有源层形成的该PN结发光，在该PN结发光的同时其发光所产生的热量由该第一透明导电导热层以及该第二透明导电导热层向外散发。
一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片的制作方法，其包括如下步骤：A步骤、在衬底上生长牺牲层以及PN结，其中，该牺牲层设置在该衬底的顶部，该PN结设置在该牺牲层的顶部，该PN结包括N型半导体层、P型半导体层以及有源层，其中，该有源层设置在该N型半导体层与该P型半导体层之间，B步骤、在该PN结顶部原位生长第一透明导电导热层，该第一透明导电导热层为石墨烯层，C步骤、将该PN结下方的该衬底以及该牺牲层剥离掉，D步骤、在该PN结底部原位生长第二透明导电导热层，该第二透明导电导热层为石墨烯层，E步骤、在顶部以及底部生长有石墨烯层的该PN结的上下两侧分别键合第一透明散热层以及第二透明散热层，该第一透明散热层以及该第二透明散热层由散热透光性材料制成，该第一透明散热层的底面上以及该第二透明散热层的顶面上分别生长有透明散热层石墨烯层，该第一透明散热层底面上以及该第二透明散热层顶面上的该透明散热层石墨烯层分别与该PN结顶部以及底部的石墨烯层键合在一起，F步骤、在该第一透明散热层以及该第二透明散热层上的该透明散热层石墨烯层上分别连接第一电极以及第二电极。
一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片，其包括N型半导体层、P型半导体层以及有源层，其中，该有源层设置在该N型半导体层与该P型半导体层之间，由该N型半导体层、该P型半导体层以及该有源层形成一PN结，在该N型半导体层顶面上设置有第一透明散热层，在该P型半导体层底面上设置有第二透明散热层，在该N型半导体层与该第一透明散热层之间设置有第一透明导电导热层，在该P型半导体层与该第二透明散热层之间设置有第二透明导电导热层，该第一透明导电导热层以及该第二透明导电导热层为石墨烯层，在该P型半导体层与该第二透明导电导热层之间设置有过渡ITO层，该第一透明散热层的底面上以及该第二透明散热层的顶面上分别生长有透明散热层石墨烯层，该第一透明散热层底面上以及该第二透明散热层顶面上的该透明散热层石墨烯层分别与该第一透明导电导热层以及该第二透明导电导热层键合在一起，在该第一透明散热层以及该第二透明散热层上的该透明散热层石墨烯层上分别连接第一电极以及第二电极，该第一电极以及该第二电极分别连接外部电路的正负极线，电流由该第一电极以及该第二电极流入该第一透明导电导热层以及该第二透明导电导热层并进一步流入该N型半导体层以及该P型半导体层中并激发由该N型半导体层、该P型半导体层以及该有源层形成的该PN结发光，在该PN结发光的同时其发光所产生的热量由该第一透明导电导热层以及该第二透明导电导热层向外散发。
一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片的制作方法，包括如下步骤：
A步骤、在衬底上生长牺牲层以及PN结，其中，该牺牲层设置在该衬底的顶部，该PN结设置在该牺牲层的顶部，该PN结包括N型半导体层、P型半导体层以及有源层，其中，该有源层设置在该N型半导体层与该P型半导体层之间，在每一个该绝缘槽中都填充绝缘胶层。
B步骤、在该PN结顶部该P型半导体层上生长过度层，之后在该过度层上原位生长第二透明导电导热层，该第二透明导电导热层为石墨烯层，该过度层为ITO层，在完成B步骤后进行B1步骤、在A步骤的该PN结顶部通过高温固晶胶层将热平衡稳定装置设置在该PN结顶部，该热平衡稳定装置能够消除该PN结的热应力。
C步骤、将该PN结下方的该衬底以及该牺牲层剥离掉，完成C步骤后进行C1步骤、在该热平衡装置的相对面加另一热平衡加热装置高温融化该高温固晶胶层将该PN结上的该热平衡稳定装置去除掉，然后用丙酮清洗掉该胶层。
D步骤、在该PN结底部该N型半导体层底面上原位生长第一透明导电导热层，该第一透明导电导热层为石墨烯层。
E步骤、在顶部以及底部生长有石墨烯层的该PN结的上下两侧分别键合第一透明散热层以及第二透明散热层，该第一透明散热层以及该第二透明散热层由散热透光性能优良的材料制成，该第一透明散热层的底面上以及该第二透明散热层的顶面上分别生长有透明散热层石墨烯层，该第一透明散热层底面上以及该第二透明散热层顶面上的该透明散热层石墨烯层分别与该PN结顶部以及底部的石墨烯层键合在一起。
F步骤、在该第一透明散热层以及该第二透明散热层上的该透明散热层石墨烯层上分别连接第一电极以及第二电极。
本发明的有益效果为：本发明的该第一电极以及该第二电极分别连接外部电路的正负极线，电流由该第一电极以及该第二电极流入该第一透明导电层以及该第二透明导电层并进一步流入该N型半导体层以及该P型半导体层中并激发由该N型半导体层、该P型半导体层以及该有源层形成的该PN结发光，在该PN结发光的同时其发光所产生的热量由该第一透明导电层以及该第二透明导电层向外扩散，通过第一透明散热层以及第二透明散热层散发。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图2为本发明第一种结构的结构示意图。
图3为本发明第二种结构的结构示意图。
图4为本发明制作方法的流程图。
图5为本发明同时将若干PN结或者若干子单元PN结键合在第一透明散热层与第二透明散热层之间的结构图。
图6为本发明另一种制作方法的流程图。
图7为本发明利用激光蚀刻断开导电膜以形成若干红、绿、蓝PN结光块的示意图。
具体实施方式
如图1至3所示，一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片，其包括N型半导体层10、P型半导体层20以及有源层30，其中，该有源层30设置在该N型半导体层10与该P型半导体层20之间，由该N型半导体层10、该P型半导体层20以及该有源层30形成一PN结100。
在该N型半导体层10顶面上设置有第一透明散热层40，在该P型半导体层20底面上设置有第二透明散热层50。
在该N型半导体层10与该第一透明散热层40之间设置有第一透明导电层41，在该P型半导体层20与该第二透明散热层50之间设置有第二透明导电层51。
该第一透明导电层41上电连接有第一电极42，该第二透明导电层51上电连接有第二电极52。
该第一电极42以及该第二电极52分别连接外部电路的正负极线，电流由该第一电极42以及该第二电极52流入该第一透明导电层41以及该第二透明导电层51并进一步流入该N型半导体层10以及该P型半导体层20中并激发由该N型半导体层10、该P型半导体层20以及该有源层30形成的该PN结发光，在该PN结发光的同时其发光所产生的热量由该第一透明导电层41以及该第二透明导电层51向外散发。
该第一透明散热层40以及该第二透明散热层50由高热辐射及透光性能优良的材料制成，比如，高热辐射玻璃、荧光玻璃，透明高热辐射陶瓷、荧光陶瓷，透明高热辐射的晶体、掺铈YAG晶体等。以上材料中以0.94的红外热辐射系数的石英玻璃为最佳选择。
为了提升该第一透明导电层41以及该第二透明导电层51的导电性能，该第一透明导电层41以及该第二透明导电层51中分别设置有若干导线。
设置在该第一透明导电层41中的若干该导线一端与该第一电极42相连接，而其另外一端与该N型半导体层10相连接。
设置在该第二透明导电层51中的若干该导线一端与该第二电极52相连接，而其另外一端与该P型半导体层20相连接。
在具体实施的时候，为了提升该第一透明导电层41以及该第二透明导电层51的导电性能，该第一透明导电层41以及该第二透明导电层51分别与若干导线贴合电连接，若干该导线附着在导电膜61上。
上述的该导线可以由金、银等材料制成。
在具体实施的时候上述技术内容可以通过多种结构实现。
第一种结构，该第一透明散热层40相对于该N型半导体层10外伸形成一第一凸出部43，该第一电极42位于该第一凸出部43上。
该第二透明散热层50相对于该P型半导体层20外伸形成一第二凸出部53，该第二电极52位于该第二凸出部53上。
该第一凸出部43以及该第二凸出部53分别位于该PN结的不同侧端，从而方便与外部电路连接。
第二种结构，在该第一透明散热层40以及该第二透明散热层50上分别开设有电极孔70，该第一电极42设置在该第一透明散热层40的该电极孔70中，该第二电极52设置在该第二透明散热层50的该电极孔70中，第二种结构的芯片其各个层结构整齐叠设在一起方便生产加工。
在具体实施的时候，可以由上述的技术方案分别制作红、绿、蓝芯片光源，而后只需要将红、绿、蓝芯片光源设置在一起进行混光就能够得到白色芯片光源。
在具体实施的时候，该第一透明散热层40的顶面以及该第二透明散热层50的底面分别进行粗糙化处理，以提升发光效果。
如图1至3所示，一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片的制作方法，包括如下步骤：
第一步、在蓝宝石衬底上依次生长制作P型半导体层20、有源层30、N型半导体层10，其中，该有源层30设置在该N型半导体层10与该P型半导体层20之间，由该N型半导体层10、该P型半导体层20以及该有源层30形成一PN结。
第二步、在该N型半导体层10顶面上设置第一透明导电层41，之后将第一透明散热层40键合设置在该N型半导体层10的顶面上，该第一透明导电层41位于该N型半导体层10与该第一透明散热层40之间。
该第一透明散热层40的底面上设置有导电膜61，该导电膜61上设置有若干导线，该第一透明导电层41上电连接有第一电极42，该第一电极42通过该导电膜61、若干该导线以及该第一透明导电层41与该N型半导体层10电连接。
第三步、将该P型半导体层20底面上的该蓝宝石衬底剥离掉。
在具体实施的时候，采用激光剥离法进行剥离。
第四步、在该P型半导体层20底面上设置第二透明导电层51，之后将第二透明散热层50键合设置在该P型半导体层20底面上，该第二透明导电层51位于该P型半导体层20底面与该第二透明散热层50之间。该第二透明散热层50的底面上设置有导电膜61，该导电膜61上设置有若干导线。该第二透明导电层51上电连接有第二电极52。
该第二电极52通过该导电膜61、若干该导线以及该第二透明导电层51与该P型半导体层20底面电连接。
第二、四步中的该第一透明散热层40以及该第二透明散热层50由散热透光玻璃制成，该第一透明散热层40的顶面以及该第二透明散热层50的底面分别进行粗糙化处理，以提升发光效果。
如图1至5所示，一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片，其包括N型半导体层10、P型半导体层20以及有源层30，其中，该有源层30设置在该N型半导体层10与该P型半导体层20之间，由该N型半导体层10、该P型半导体层20以及该有源层30形成一PN结100。
在该N型半导体层10顶面上设置有第一透明散热层40，在该P型半导体层20底面上设置有第二透明散热层50。
在该N型半导体层10与该第一透明散热层40之间设置有第一透明导电导热层41，在该P型半导体层20与该第二透明散热层50之间设置有第二透明导电导热层51，该第一透明导电导热层41以及该第二透明导电导热层51为石墨烯层，
该第一透明散热层40的底面上以及该第二透明散热层50的顶面上分别生长有透明散热层石墨烯层88，
该第一透明散热层40底面上以及该第二透明散热层50顶面上的该透明散热层石墨烯层88分别与该第一透明导电导热层41以及该第二透明导电导热层51键合在一起，
在该第一透明散热层40以及该第二透明散热层50上的该透明散热层石墨烯层88上分别连接第一电极42以及第二电极52，
该第一电极42以及该第二电极52分别连接外部电路的正负极线，电流由该第一电极42以及该第二电极52流入该第一透明导电导热层41以及该第二透明导电导热层51并进一步流入该N型半导体层10以及该P型半导体层20中并激发由该N型半导体层10、该P型半导体层20以及该有源层30形成的该PN结发光，在该PN结发光的同时其发光所产生的热量由该第一透明导电导热层41以及该第二透明导电导热层51向外散发。
该第一透明散热层40以及该第二透明散热层50由散热透光性能优良的材料制成，比如，玻璃。
在具体实施的时候上述技术内容可以通过多种结构实现。
第一种结构，该第一透明散热层40相对于该N型半导体层10外伸形成一第一凸出部43，该第一电极42位于该第一凸出部43上。
该第二透明散热层50相对于该P型半导体层20外伸形成一第二凸出部53，该第二电极52位于该第二凸出部53上。
该第一凸出部43以及该第二凸出部53分别位于该PN结的不同侧端，从而方便与外部电路连接。
第二种结构，在该第一透明散热层40以及该第二透明散热层50上分别开设有电极孔70，该第一电极42设置在该第一透明散热层40的该电极孔70中，该第二电极52设置在该第二透明散热层50的该电极孔70中，第二种结构的芯片其各个层结构整齐叠设在一起方便生产加工。
在具体实施的时候，可以由上述的技术方案分别制作红、绿、蓝芯片光源，而后只需要将红、绿、蓝芯片光源设置在一起进行混光就能够得到白色芯片光源。
如图1至5所示，一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片的制作方法，包括如下步骤：
A步骤、在衬底81上生长牺牲层82以及PN结100，其中，该牺牲层82设置在该衬底81的顶部，该PN结100设置在该牺牲层82的顶部，该PN结100包括N型半导体层10、P型半导体层20以及有源层30，其中，该有源层30设置在该N型半导体层10与该P型半导体层20之间，在具体实施的时候，该衬底81为蓝宝石衬底。
在完成A步骤后可以进行A1步骤、在该PN结100上自上而下开设绝缘槽83，该绝缘槽83将该PN结100分隔成若干子单元PN结84，该绝缘槽83贯穿该N型半导体层10以及该有源层30，该绝缘槽83底部位于该P型半导体层20中，也就是说，该绝缘槽83没有将该P型半导体层20切断，在具体实施的时候，可以在每一个该绝缘槽83中都填充绝缘胶层85。
进行A1步骤的目的在于通过将该PN结100分隔成若干该子单元PN结84的方式使本发明的技术方案适合大批量工业化生产。
开设该绝缘槽83以及在每一个该绝缘槽83中填充该绝缘胶层85的目的在于使若干该子单元PN结84相互绝缘，因为在后续生长石墨烯导电层的时候，在该PN结100的外侧面有可能被石墨烯污染，这样石墨烯就会将N型半导体层10与P型半导体层20连通，从而形成短路，该绝缘胶层85能够避免这种情况的发生。
B步骤、在该PN结100顶部原位生长第一透明导电导热层41，该第一透明导电导热层41为石墨烯层，在完成B步骤后可以进行B1步骤、在A步骤的该PN结100顶部连接热熔胶粘贴临时保护板86，连接该热熔胶粘贴临时保护板86的目的在于方便在后续步骤中对产品的抓取定位方便，在具体实施的时候，在该热熔胶粘贴临时保护板86上方连接冷却装置87，由于在该PN结100上生长石墨烯层会产生大量的热量，通过该冷却装置87能够使产品降温，方便进行生产。
C步骤、将该PN结100下方的该衬底81以及该牺牲层82剥离掉，在具体实施的时候，采用激光剥离的方式进行剥离，完成剥离后利用盐酸溶液清洗该PN结100的底面以清除残留物质，如果存在B1步骤则进行C1步骤、从该PN结100上将该冷却装置87以及该热熔胶粘贴临时保护板86去除掉，在将该热熔胶粘贴临时保护板86去除掉之后利用丙酮溶液清洗掉残余的热熔胶。
D步骤、在该PN结100底部原位生长第二透明导电导热层51，该第二透明导电导热层51为石墨烯层，如果存在A1步骤则进行D1步骤、沿该绝缘槽83位置进行切断动作，以形成若干独立的该子单元PN结84。
E步骤、在顶部以及底部生长有石墨烯层的该PN结100的上下两侧分别键合第一透明散热层40以及第二透明散热层50，该第一透明散热层40以及该第二透明散热层50由散热透光性能优良的材料制成，比如，玻璃，该第一透明散热层40的底面上以及该第二透明散热层50的顶面上分别生长有透明散热层石墨烯层88，该第一透明散热层40底面上以及该第二透明散热层50顶面上的该透明散热层石墨烯层88分别与该PN结100顶部以及底部的石墨烯层键合在一起，如果存在A1、D1步骤则E步骤为、在顶部以及底部生长有石墨烯层的该子单元PN结84的上下两侧分别键合第一透明散热层40以及第二透明散热层50，该第一透明散热层40以及该第二透明散热层50由散热透光性能优良的材料制成，比如，玻璃，该第一透明散热层40的底面上以及该第二透明散热层50的顶面上分别生长有透明散热层石墨烯层88，该第一透明散热层40底面上以及该第二透明散热层50顶面上的该透明散热层石墨烯层88分别与该PN结100顶部以及底部的石墨烯层键合在一起。
F步骤、在该第一透明散热层40以及该第二透明散热层50上的该透明散热层石墨烯层88上分别连接第一电极42以及第二电极52。
如图5所示，值得注意的是，在E步骤中可以同时将若干该PN结100或者若干该子单元PN结84键合在该第一透明散热层40与该第二透明散热层50之间，在上述步骤中可以先在该N型半导体层10上生长石墨烯层，而后在该P型半导体层20上生长石墨烯层，反之，也可以先在该P型半导体层20上生长石墨烯层，而后在该N型半导体层10上生长石墨烯层。
如图6所示，一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片，其包括N型半导体层10、P型半导体层20以及有源层30，其中，该有源层30设置在该N型半导体层10与该P型半导体层20之间，由该N型半导体层10、该P型半导体层20以及该有源层30形成一PN结100。
在该N型半导体层10顶面上设置有第一透明散热层40，在该P型半导体层20底面上设置有第二透明散热层50。
在该N型半导体层10与该第一透明散热层40之间设置有第一透明导电导热层41，在该P型半导体层20与该第二透明散热层50之间设置有第二透明导电导热层51，该第一透明导电导热层41以及该第二透明导电导热层51为石墨烯层，在该P型半导体层20与该第二透明导电导热层51之间设置有过渡ITO层。
该第一透明散热层40的底面上以及该第二透明散热层50的顶面上分别生长有透明散热层石墨烯层88，
该第一透明散热层40底面上以及该第二透明散热层50顶面上的该透明散热层石墨烯层88分别与该第一透明导电导热层41以及该第二透明导电导热层51键合在一起，
在该第一透明散热层40以及该第二透明散热层50上的该透明散热层石墨烯层88上分别连接第一电极42以及第二电极52，
该第一电极42以及该第二电极52分别连接外部电路的正负极线，电流由该第一电极42以及该第二电极52流入该第一透明导电导热层41以及该第二透明导电导热层51并进一步流入该N型半导体层10以及该P型半导体层20中并激发由该N型半导体层10、该P型半导体层20以及该有源层30形成的该PN结发光，在该PN结发光的同时其发光所产生的热量由该第一透明导电导热层41以及该第二透明导电导热层51向外散发。
该第一透明散热层40以及该第二透明散热层50由散热透光性能优良的材料制成，比如，玻璃。
在具体实施的时候上述技术内容可以通过多种结构实现。
第一种结构，该第一透明散热层40相对于该N型半导体层10外伸形成一第一凸出部43，该第一电极42位于该第一凸出部43上。
该第二透明散热层50相对于该P型半导体层20外伸形成一第二凸出部53，该第二电极52位于该第二凸出部53上。
该第一凸出部43以及该第二凸出部53分别位于该PN结的不同侧端，从而方便与外部电路连接。
第二种结构，在该第一透明散热层40以及该第二透明散热层50上分别开设有电极孔70，该第一电极42设置在该第一透明散热层40的该电极孔70中，该第二电极52设置在该第二透明散热层50的该电极孔70中，第二种结构的芯片其各个层结构整齐叠设在一起方便生产加工。
在具体实施的时候，可以由上述的技术方案分别制作红、绿、蓝芯片光源，而后只需要将红、绿、蓝芯片光源设置在一起进行混光就能够得到白色芯片光源。
如图6所示，一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片的制作方法，包括如下步骤：
A步骤、在衬底81上生长牺牲层82以及PN结100，其中，该牺牲层82设置在该衬底81的顶部，该PN结100设置在该牺牲层82的顶部，该PN结100包括N型半导体层10、P型半导体层20以及有源层30，其中，该有源层30设置在该N型半导体层10与该P型半导体层20之间，在具体实施的时候，该衬底81为蓝宝石衬底。
在完成A步骤后可以进行A1步骤、在该PN结100上自上而下开设绝缘槽83，该绝缘槽83将该PN结100分隔成若干子单元PN结84，该绝缘槽83贯穿该N型半导体层10以及该有源层30，该绝缘槽83底部位于该P型半导体层20中，也就是说，该绝缘槽83没有将该P型半导体层20切断，在具体实施的时候，可以在每一个该绝缘槽83中都填充绝缘胶层85，进行A1步骤的目的在于通过将该PN结100分隔成若干该子单元PN结84的方式使本发明的技术方案适合大批量工业化生产，开设该绝缘槽83以及在每一个该绝缘槽83中填充该绝缘胶层85的目的在于使若干该子单元PN结84相互绝缘，因为在后续生长石墨烯导电层的时候，在该PN结100的外侧面有可能被石墨烯污染，这样石墨烯就会将N型半导体层10与P型半导体层20连通，从而形成短路，该绝缘胶层85能够避免这种情况的发生。
B步骤、在该PN结100顶部该P型半导体层20上生长过度层91，之后在该过度层91上原位生长第二透明导电导热层51，该第二透明导电导热层51为石墨烯层，该过度层91为ITO层，通过该ITO层能够使石墨烯层生长的更为顺利，石墨烯有较高的导电导热及透光性能外，最重要的一点还有其折射率及功函数与PN结的N-GaN非常匹配，使得石墨烯与氮化镓之间有良好的透光性及良好的欧姆接触性能。由于P-GaN的功函数（7.2/eV）较高于石墨烯（5/eV），所以目前只能由成熟工艺且有良好欧姆接触的ITO等作为过渡层，在过渡层上再生长石墨烯来弥补ITO导电性能低的特性。在完成B步骤后可以进行B1步骤、在A步骤的该PN结100顶部通过高温固晶胶层92将热平衡稳定装置93设置在该PN结100顶部，该热平衡稳定装置93能够消除该PN结100的热应力，方便后续生产。
C步骤、将该PN结100下方的该衬底81以及该牺牲层82剥离掉，在具体实施的时候，采用激光剥离的方式进行剥离，完成剥离后利用盐酸溶液清洗该PN结100的底面以清除残留物质，如果存在B1步骤则进行C1步骤、在该热平衡装置93的相对面加另一热平衡加热装置高温融化该高温固晶胶层92将该PN结上的该热平衡稳定装置去除掉，然后用丙酮清洗掉该胶层。
D步骤、在该PN结100底部该N型半导体层10底面上原位生长第一透明导电导热层41，该第一透明导电导热层41为石墨烯层，如果存在A1步骤则进行D1步骤、沿该绝缘槽83位置进行切断动作，以形成若干独立的该子单元PN结84。
E步骤、在顶部以及底部生长有石墨烯层的该PN结100的上下两侧分别键合第一透明散热层40以及第二透明散热层50，该第一透明散热层40以及该第二透明散热层50由散热透光性能优良的材料制成，比如，玻璃，该第一透明散热层40的底面上以及该第二透明散热层50的顶面上分别生长有透明散热层石墨烯层88，该第一透明散热层40底面上以及该第二透明散热层50顶面上的该透明散热层石墨烯层88分别与该PN结100顶部以及底部的石墨烯层键合在一起，如果存在A1、D1步骤则E步骤为、在顶部以及底部生长有石墨烯层的该子单元PN结84的上下两侧分别键合第一透明散热层40以及第二透明散热层50，该第一透明散热层40以及该第二透明散热层50由散热透光性能优良的材料制成，比如，玻璃，该第一透明散热层40的底面上以及该第二透明散热层50的顶面上分别生长有透明散热层石墨烯层88，该第一透明散热层40底面上以及该第二透明散热层50顶面上的该透明散热层石墨烯层88分别与该PN结100顶部以及底部的石墨烯层键合在一起。
F步骤、在该第一透明散热层40以及该第二透明散热层50上的该透明散热层石墨烯层88上分别连接第一电极42以及第二电极52。
如图7所示，最后，在实施本发明技术的时候，可以由上述的技术方案分别制作红、绿、蓝、UV等芯片光源，而后只需要将红、绿、蓝、UV等芯片光源设置在一起进行混光就能够得到白色等调光芯片光源或者适合植物生长各个阶段所需的光普。而在具体实施的时候，可以利用激光蚀刻断开透明散热层上的石墨烯导电膜以形成红、绿、蓝、UV等的PN结可调节电极。
Claims (19)
1.一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片，其包括N型半导体层、P型半导体层以及有源层，其中，该有源层设置在该N型半导体层与该P型半导体层之间，由该N型半导体层、该P型半导体层以及该有源层形成一PN结，其特征在于：
在该N型半导体层顶面上设置有第一透明散热层，在该P型半导体层底面上设置有第二透明散热层，在该N型半导体层与该第一透明散热层之间设置有第一透明导电层，在该P型半导体层与该第二透明散热层之间设置有第二透明导电层，该第一透明导电层上电连接有第一电极，该第二透明导电层上电连接有第二电极，
该第一电极以及该第二电极分别连接外部电路的正负极线，电流由该第一电极以及该第二电极流入该第一透明导电层以及该第二透明导电层并进一步流入该N型半导体层以及该P型半导体层中并激发由该N型半导体层、该P型半导体层以及该有源层形成的该PN结发光，在该PN结发光的同时其发光所产生的热量由该第一透明导电层以及该第二透明导电层向外散发。
2.如权利要求1所述的一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片，其特征在于：该第一透明散热层以及该第二透明散热层由散热透光玻璃制成。
3.如权利要求1所述的一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片，其特征在于：该第一透明导电层以及该第二透明导电层中分别设置有若干导线，设置在该第一透明导电层中的若干该导线一端与该第一电极相连接，而其另外一端与该N型半导体层相连接，设置在该第二透明导电层中的若干该导线一端与该第二电极相连接，而其另外一端与该P型半导体层相连接。
4.如权利要求1所述的一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片，其特征在于：该第一透明导电层以及该第二透明导电层分别与若干导线贴合电连接，若干该导线附着在导电膜上。
5.如权利要求1至4任意一项所述的一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片，其特征在于：该第一透明散热层相对于该N型半导体层外伸形成一第一凸出部，该第一电极位于该第一凸出部上，该第二透明散热层相对于该P型半导体层外伸形成一第二凸出部，该第二电极位于该第二凸出部上，该第一凸出部以及该第二凸出部分别位于该PN结的不同侧端，从而方便与外部电路连接。
6.如权利要求1至4任意一项所述的一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片，其特征在于：在该第一透明散热层以及该第二透明散热层上分别开设有电极孔，该第一电极设置在该第一透明散热层的该电极孔中，该第二电极设置在该第二透明散热层的该电极孔中该高效散热LED芯片结构的各个层结构整齐叠设在一起。
7.一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
第一步、在蓝宝石衬底上依次生长制作P型半导体层、有源层、N型半导体层，其中，该有源层设置在该N型半导体层与该P型半导体层之间，由该N型半导体层、该P型半导体层以及该有源层形成一PN结，
第二步、在该N型半导体层顶面上设置第一透明导电层，之后将第一透明散热层键合设置在该N型半导体层的顶面上，该第一透明导电层位于该N型半导体层与该第一透明散热层之间，该第一透明散热层的底面上设置有导电膜，该导电膜上设置有若干导线，该第一透明导电层上电连接有第一电极，该第一电极通过该导电膜、若干该导线以及该第一透明导电层与该N型半导体层电连接，
第三步、将该P型半导体层底面上的该蓝宝石衬底剥离掉，
第四步、在该P型半导体层底面上设置第二透明导电层，之后将第二透明散热层键合设置在该P型半导体层底面上，该第二透明导电层位于该P型半导体层底面与该第二透明散热层之间，该第二透明散热层的底面上设置有导电膜，该导电膜上设置有若干导线，该第二透明导电层上电连接有第二电极，该第二电极通过该导电膜、若干该导线以及该第二透明导电层与该P型半导体层底面电连接。
8.如权利要求7所述的一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片的制作方法，其特征在于：第二、四步中的该第一透明散热层以及该第二透明散热层由散热透光玻璃制成，该第一透明散热层的顶面以及该第二透明散热层的底面分别进行粗糙化处理。
9.一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片，其包括N型半导体层、P型半导体层以及有源层，其中，该有源层设置在该N型半导体层与该P型半导体层之间，由该N型半导体层、该P型半导体层以及该有源层形成一PN结，其特征在于：
在该N型半导体层顶面上设置有第一透明散热层，在该P型半导体层底面上设置有第二透明散热层，在该N型半导体层与该第一透明散热层之间设置有第一透明导电导热层，在该P型半导体层与该第二透明散热层之间设置有第二透明导电导热层，该第一透明导电导热层以及该第二透明导电导热层为石墨烯层，
该第一透明散热层的底面上以及该第二透明散热层的顶面上分别生长有透明散热层石墨烯层，该第一透明散热层底面上以及该第二透明散热层顶面上的该透明散热层石墨烯层分别与该第一透明导电导热层以及该第二透明导电导热层键合在一起，在该第一透明散热层以及该第二透明散热层上的该透明散热层石墨烯层上分别连接第一电极以及第二电极，
该第一电极以及该第二电极分别连接外部电路的正负极线，电流由该第一电极以及该第二电极流入该第一透明导电导热层以及该第二透明导电导热层并进一步流入该N型半导体层以及该P型半导体层中并激发由该N型半导体层、该P型半导体层以及该有源层形成的该PN结发光，在该PN结发光的同时其发光所产生的热量由该第一透明导电导热层以及该第二透明导电导热层向外散发。
10.一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
A步骤、在衬底上生长牺牲层以及PN结，其中，该牺牲层设置在该衬底的顶部，该PN结设置在该牺牲层的顶部，该PN结包括N型半导体层、P型半导体层以及有源层，其中，该有源层设置在该N型半导体层与该P型半导体层之间，
B步骤、在该PN结顶部原位生长第一透明导电导热层，该第一透明导电导热层为石墨烯层，
C步骤、将该PN结下方的该衬底以及该牺牲层剥离掉，
D步骤、在该PN结底部原位生长第二透明导电导热层，该第二透明导电导热层为石墨烯层，
E步骤、在顶部以及底部生长有石墨烯层的该PN结的上下两侧分别键合第一透明散热层以及第二透明散热层，该第一透明散热层以及该第二透明散热层由散热透光性材料制成，该第一透明散热层的底面上以及该第二透明散热层的顶面上分别生长有透明散热层石墨烯层，该第一透明散热层底面上以及该第二透明散热层顶面上的该透明散热层石墨烯层分别与该PN结顶部以及底部的石墨烯层键合在一起，
F步骤、在该第一透明散热层以及该第二透明散热层上的该透明散热层石墨烯层上分别连接第一电极以及第二电极。
11.如权利要求10所述的一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片的制作方法，其特征在于：在完成A步骤后进行A1步骤、在该PN结上自上而下开设绝缘槽，该绝缘槽将该PN结分隔成若干子单元PN结，该绝缘槽贯穿该N型半导体层以及该有源层，该绝缘槽底部位于该P型半导体层中，也就是说，该绝缘槽没有将该P型半导体层切断，在每一个该绝缘槽中都填充绝缘胶层。
12.如权利要求11所述的一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片的制作方法，其特征在于：完成D步骤后进行D1步骤、沿该绝缘槽位置进行切断动作，以形成若干独立的该子单元PN结。
13.如权利要求12所述的一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片的制作方法，其特征在于：完成D1步骤后的E步骤为、在顶部以及底部生长有石墨烯层的该子单元PN结的上下两侧分别键合第一透明散热层以及第二透明散热层，该第一透明散热层以及该第二透明散热层由散热透光性材料制成，该第一透明散热层的底面上以及该第二透明散热层的顶面上分别生长有透明散热层石墨烯层，该第一透明散热层底面上以及该第二透明散热层顶面上的该透明散热层石墨烯层分别与该PN结顶部以及底部的石墨烯层键合在一起。
14.如权利要求10所述的一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片的制作方法，其特征在于：在C步骤中采用激光剥离的方式进行剥离，完成剥离后利用盐酸溶液清洗该PN结的底面以清除残留物质。
15.如权利要求10至14中任意一项所述的一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片的制作方法，其特征在于：在完成B步骤后进行B1步骤、在A步骤的该PN结顶部连接热熔胶粘贴临时保护板，在该热熔胶粘贴临时保护板上方连接冷却装置。
16.如权利要求15所述的一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片的制作方法，其特征在于：完成C步骤后进行C1步骤、从该PN结上将该冷却装置以及该热熔胶粘贴临时保护板去除掉，在将该热熔胶粘贴临时保护板去除掉之后利用丙酮溶液清洗掉残余的热熔胶。
17.一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片，其包括N型半导体层、P型半导体层以及有源层，其中，该有源层设置在该N型半导体层与该P型半导体层之间，由该N型半导体层、该P型半导体层以及该有源层形成一PN结，其特征在于：
在该N型半导体层顶面上设置有第一透明散热层，在该P型半导体层底面上设置有第二透明散热层，
在该N型半导体层与该第一透明散热层之间设置有第一透明导电导热层，在该P型半导体层与该第二透明散热层之间设置有第二透明导电导热层，该第一透明导电导热层以及该第二透明导电导热层为石墨烯层，在该P型半导体层与该第二透明导电导热层之间设置有过渡ITO层，
该第一透明散热层的底面上以及该第二透明散热层的顶面上分别生长有透明散热层石墨烯层，
该第一透明散热层底面上以及该第二透明散热层顶面上的该透明散热层石墨烯层分别与该第一透明导电导热层以及该第二透明导电导热层键合在一起，
在该第一透明散热层以及该第二透明散热层上的该透明散热层石墨烯层上分别连接第一电极以及第二电极，
该第一电极以及该第二电极分别连接外部电路的正负极线，电流由该第一电极以及该第二电极流入该第一透明导电导热层以及该第二透明导电导热层并进一步流入该N型半导体层以及该P型半导体层中并激发由该N型半导体层、该P型半导体层以及该有源层形成的该PN结发光，在该PN结发光的同时其发光所产生的热量由该第一透明导电导热层以及该第二透明导电导热层向外散发。
18.一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
A步骤、在衬底上生长牺牲层以及PN结，其中，该牺牲层设置在该衬底的顶部，该PN结设置在该牺牲层的顶部，该PN结包括N型半导体层、P型半导体层以及有源层，其中，该有源层设置在该N型半导体层与该P型半导体层之间，在每一个该绝缘槽中都填充绝缘胶层，
B步骤、在该PN结顶部该P型半导体层上生长过度层，之后在该过度层上原位生长第二透明导电导热层，该第二透明导电导热层为石墨烯层，该过度层为ITO层，在完成B步骤后进行B1步骤、在A步骤的该PN结顶部通过高温固晶胶层将热平衡稳定装置设置在该PN结顶部，该热平衡稳定装置能够消除该PN结的热应力，
C步骤、将该PN结下方的该衬底以及该牺牲层剥离掉，完成C步骤后进行C1步骤、在该热平衡装置的相对面加另一热平衡加热装置高温融化该高温固晶胶层将该PN结上的该热平衡稳定装置去除掉，然后用丙酮清洗掉该胶层，
D步骤、在该PN结底部该N型半导体层底面上原位生长第一透明导电导热层，该第一透明导电导热层为石墨烯层，
E步骤、在顶部以及底部生长有石墨烯层的该PN结的上下两侧分别键合第一透明散热层以及第二透明散热层，该第一透明散热层以及该第二透明散热层由散热透光性能优良的材料制成，该第一透明散热层的底面上以及该第二透明散热层的顶面上分别生长有透明散热层石墨烯层，该第一透明散热层底面上以及该第二透明散热层顶面上的该透明散热层石墨烯层分别与该PN结顶部以及底部的石墨烯层键合在一起，
F步骤、在该第一透明散热层以及该第二透明散热层上的该透明散热层石墨烯层上分别连接第一电极以及第二电极。
19.如权利要求18所述的一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片的制作方法，其特征在于：在完成A步骤后进行A1步骤、在该PN结上自上而下开设绝缘槽，该绝缘槽将该PN结分隔成若干子单元PN结，该绝缘槽贯穿该N型半导体层以及该有源层，该绝缘槽底部位于该P型半导体层中，
完成D步骤后进行D1步骤、沿该绝缘槽位置进行切断动作，以形成若干独立的该子单元PN结，
完成D1步骤后E步骤为、在顶部以及底部生长有石墨烯层的该子单元PN结的上下两侧分别键合第一透明散热层以及第二透明散热层，该第一透明散热层以及该第二透明散热层由散热透光性能优良的材料制成，该第一透明散热层的底面上以及该第二透明散热层的顶面上分别生长有透明散热层石墨烯层，该第一透明散热层底面上以及该第二透明散热层顶面上的该透明散热层石墨烯层分别与该PN结顶部以及底部的石墨烯层键合在一起。
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