TW201336121A - 發光裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明係揭露一發光裝置、一發光裝置封裝件以及一發光模組。該發光裝置，包含：一發光結構，包含一第一導電半導體層、一第二導電半導體層在該第一導電半導體層之下方、以及一主動層在該第一半導體層和該第二半導體層之間；一支撐件在該發光結構之下方；一反射電極層在該第二導電半導體層和該支撐件之間；以及一第一連接電極、一第二連接電極及一第三連接電極，該些電極在該支撐件中彼此分隔開，其中，該第二連接電極係設置在該第一連接電極和該第三連接電極之間，該第一連接電極和該第三連接電極係彼此電性連接，且與該第二電極電性絕緣，以及該支撐件係設置在該第一至該第三連接電極的一周邊部。
Description
本發明主張關於2012年01月03日申請之韓國專利案號10-2012-0000723及2012年01月03日申請之韓國專利案號10-2012-0000724之優先權。藉以引用的方式併入本文用作參考。
本發明係關於一發光裝置、一發光裝置封裝件、以及一發光模組。
III-V族氮化物半導體由於其物理和化學特性而被廣泛用來作為發光裝置的主要材料，例如發光二極體(LED)或雷射二極體(LD)。通常，III-V族半導體包含一半導體材料具有一InxAlyGa1-x-yN(0x1,0y1，且0x+y1)的化合物化學式。
LED係為一半導體裝置，其藉由轉換一電氣訊號成為紅外光或使用化合物半導體之特性的光來傳輸/接收訊號。LED也可作為一光源。
使用氮化物半導體材料的LED或LD係主要用來作為發光裝置以提供光。舉例而言，LED或LD係作為各種產品的光源，例如手機上的鍵盤發光部、電子看板、以及照明裝置。
實施例提供具有新穎結構的一發光裝置。
實施例提供一晶圓級封裝發光裝置。
實施例提供一發光裝置，該發光裝置包含一支撐件，其具有一陶瓷基添加物設置在第一和第二電極周圍。
實施例提供一發光裝置，其中在該發光裝置中具有一第一極性的複數個連接電極係嵌入在支撐一發光結構的一支撐件中。
實施例提供一發光裝置，其中在該發光裝置中具有一第一極性的複數個第一連接電極係設置在具有該第一極性之複數個第二連接電極之間。
實施例提供具有該發光裝置和一發光模組的一發光裝置封裝件。
根據實施例的一發光裝置包含一發光結構，該發光結構包含一第一導電半導體層、一第二導電半導體層在該第一導電半導體層之下方以及一主動層在該第一半導體層和該第二半導體層之間；一支撐件在該發光結構之下方；一反射電極層在該第二導電半導體層和該支撐件之間；以及在該支撐件中彼此分離的第一至第三連接電極，其中該第二連接電極係設置在該第一連接電極和該第三連接電極之間，該第一和該第三連接電極係彼此電性連接且係與該第二連接電極電性隔離，而該支撐件係設置在該第一至該第三連接電極的一周邊部。
根據實施例的一發光裝置包含一透明基板；一支撐件在該透明基板之下方；一發光結構設置在該透明基板和該支撐件之間且包含一第一導電半導體層、一第二導電半導體層以及一主動層在該第一半導體層和該第二半導體層之間；一反射電極層在該第二導電半導體層和該支撐件之
間；以及在該支撐件中彼此分離的第一至第三連接電極，其中該第二連接電極係設置在該第一連接電極和該第三連接電極之間，該第一和該第三連接電極係彼此電性連接且係與該第二連接電極電性隔離，而該支撐件係設置在該第一至該第三連接電極的一周邊部。
根據實施例之一發光裝置封裝件包含一本體具有一凹穴；一第一引線電極在該本體的該凹穴中；一第三引線電極在該本體的該凹穴中；一第二引線電極設置在該凹穴中的該第一和該第三引線電極之間；一發光裝置設置在該第一至該第三引線電極上與該第一至該第三引線電極電性連接；以及多個空隙部插設在該第一至該第三引線電極之中，其中該發光裝置包含一發光結構，該發光結構包含一第一導電半導體層，一第二導電半導體層以及一主動層在該第一半導體層和該第二半導體層之間；一支撐件在該發光結構之下方；一反射電極層在該第二導電半導體層和該支撐件之間；以及在該支撐件中彼此分離的第一至第三連接電極，而其中該第二連接電極係設置在該第一連接電極和該第三連接電極之間，該第一和該第三連接電極係彼此電性連接且係與該第二連接電極電性隔離，而該支撐件係設置在該第一至該第三連接電極的一周邊部；以及該第一至該第三引線電極與該支撐件分隔開且該第一至該第三連接電極在一相同間距。
11‧‧‧第一圖案區
12‧‧‧第二圖案區
23‧‧‧第一側邊
24‧‧‧第二側邊
25‧‧‧第三側邊
26‧‧‧第四側邊
30A‧‧‧電極墊
30B‧‧‧第一接合電極
30C‧‧‧第二接合電極
31‧‧‧黏著層
32‧‧‧反射層
33‧‧‧擴散阻隔層
34‧‧‧接合層
35‧‧‧黏著層
36‧‧‧支撐層
37‧‧‧保護層
38‧‧‧黏著層
39‧‧‧擴散阻隔層
40‧‧‧接合層
100‧‧‧發光裝置
101‧‧‧發光裝置
102‧‧‧發光裝置
104‧‧‧發光裝置
106‧‧‧發光裝置
107‧‧‧發光裝置
108‧‧‧發光裝置
109‧‧‧發光裝置
109A‧‧‧發光裝置
109B‧‧‧發光裝置
111‧‧‧基板
112‧‧‧圖案區
113‧‧‧半導體層
115‧‧‧第一導電半導體層
117‧‧‧主動層
119‧‧‧第二導電半導體層
120‧‧‧發光結構
131‧‧‧反射電極層
133‧‧‧絕緣層
135‧‧‧第一電極
135A‧‧‧第三電極
135B‧‧‧第一電極
137‧‧‧第二電極
137A‧‧‧第二電極
138‧‧‧第三電極
139‧‧‧第三電極
141‧‧‧第一連接電極
141A‧‧‧第一連接電極
142‧‧‧第一連接電極
143‧‧‧第二連接電極
143A‧‧‧第二連接電極
144‧‧‧第二連接電極
145‧‧‧第三連接電極
146‧‧‧第三連接電極
147‧‧‧第二連接電極
148‧‧‧第三連接電極
151‧‧‧支撐件
152A‧‧‧支撐件
152B‧‧‧支撐件
152C‧‧‧區隔孔
161‧‧‧螢光體層
170‧‧‧模組基板
173‧‧‧第一焊墊
174‧‧‧第二焊墊
175‧‧‧第三焊墊
177‧‧‧接合材料
200‧‧‧發光裝置封裝件
201‧‧‧發光裝置封裝件
202‧‧‧發光裝置封裝件
203‧‧‧發光裝置封裝件
204‧‧‧發光裝置封裝件
205‧‧‧發光裝置封裝件
206‧‧‧發光裝置封裝件
207‧‧‧發光裝置封裝件
211‧‧‧本體
212‧‧‧凹穴
213‧‧‧側壁
213A‧‧‧側壁
213B‧‧‧側壁
214‧‧‧空隙部
215‧‧‧第一引線電極
217‧‧‧第二引線電極
218‧‧‧塑模件
219‧‧‧光學透鏡
219A‧‧‧凹部
222‧‧‧凹穴
223‧‧‧側壁
226‧‧‧凹槽
225‧‧‧第一引線電極
227‧‧‧第二引線電極
231‧‧‧本體
232‧‧‧凹穴
233‧‧‧側壁
234‧‧‧空隙部
235‧‧‧第一引線電極
235A‧‧‧第一端部
237‧‧‧第二引線電極
237A‧‧‧第二端部
251‧‧‧本體
252‧‧‧凹穴
253‧‧‧側壁
253A‧‧‧側壁
254‧‧‧空隙部
255‧‧‧第一引線電極
255A‧‧‧部份
257‧‧‧第二引線電極
258‧‧‧塑模件
259‧‧‧第三引線電極
259A‧‧‧部份
1000‧‧‧顯示裝置
1011‧‧‧底蓋
1012‧‧‧容置區
1022‧‧‧反射件
1031‧‧‧發光模組
1033‧‧‧電路板
1041‧‧‧導光板
1050‧‧‧發光單元
1051‧‧‧光學片
1061‧‧‧顯示面板
1100‧‧‧顯示裝置
1120‧‧‧電路板
1152‧‧‧底蓋
1153‧‧‧容置區
1154‧‧‧光學件
1155‧‧‧顯示面板
1160‧‧‧發光模組
1200‧‧‧照明單元
1210‧‧‧殼體
1220‧‧‧連接端子
1230‧‧‧發光模組
1232‧‧‧基板
A1‧‧‧第一區域
A2‧‧‧第二區域
A3‧‧‧中央區域
A11‧‧‧第三區域
D1‧‧‧長度
D2‧‧‧長度
D5‧‧‧距離
D11‧‧‧長度
D12‧‧‧長度
D15‧‧‧距離
D16‧‧‧間距
F1‧‧‧第一反射部
F2‧‧‧第二反射部
F3‧‧‧第三反射部
F4‧‧‧第一反射部
F5‧‧‧第二反射部
H1‧‧‧高度
H2‧‧‧高度
L1‧‧‧厚度
L2‧‧‧高度
M1‧‧‧間距
M4‧‧‧上寬度
N1‧‧‧間距
S1‧‧‧上表面
S2‧‧‧側邊
S3‧‧‧上表面
S4‧‧‧側邊
S11‧‧‧側邊
S12‧‧‧底面
T1‧‧‧厚度
T2‧‧‧厚度
T3‧‧‧深度
T4‧‧‧厚度
T5‧‧‧厚度
W1‧‧‧間距
θ 1‧‧‧第一角度
θ 2‧‧‧第二角度
圖1係根據第一實施例繪示具有一發光裝置之一發光裝置封裝件的側剖視圖；
圖2係如圖1所示之一發光裝置的側剖視圖；圖3係如圖2所示之一發光裝置的仰視圖；圖4係繪示圖1的第一和第二電極之詳細結構的視圖；圖5係根據第二實施例繪示一發光裝置封裝件的側剖視圖；圖6係根據第三實施例繪示一發光裝置封裝件的側剖視圖；圖7係根據第四實施例繪示一發光裝置封裝件的側剖視圖；圖8係根據第五實施例繪示一發光裝置封裝件的側剖視圖；圖9係如圖8所示之一發光裝置封裝件的側剖視圖；圖10係繪示如圖1所示之一發光裝置的一第一改良範例的視圖；圖11係繪示如圖1所示之一發光裝置的一第二改良範例的視圖；圖12係根據第六實施例繪示一發光裝置封裝件的側剖視圖；圖13係繪示如圖12所示之一發光裝置封裝件之一發光裝置的視圖；圖14係繪示如圖12所示之一發光裝置的一第一改良範例的視圖；圖15係根據第七實施例繪示具有一發光裝置之一發光裝置封裝件的側剖視圖；圖16係如圖15所示之一發光裝置的側剖視圖；圖17至圖19係繪示如圖16所示之一發光裝置的第一至第三連接電極之範例視圖；圖20係根據第七實施例繪示具有一發光裝置之一發光模組的側剖視圖；圖21係根據第八實施例繪示具有一發光裝置之一發光裝置封裝件的平面視圖；
圖22係如圖21所示之一發光裝置封裝件的側剖視圖；圖23係如圖21所示之一發光裝置的側剖視圖；圖24至圖29繪示如圖16所示之一發光裝置之製造流程的視圖；圖30係根據第九實施例繪示一發光裝置的側剖視圖；圖31係根據第十實施例繪示一發光裝置的側剖視圖；圖32係根據第一範例如圖31所示之一發光裝置的仰視圖；圖33係根據第二範例如圖31所示之一發光裝置的仰視圖；圖34係根據第三範例如圖31所示之一發光裝置的仰視圖；圖35係根據第十一實施例繪示一發光裝置的側剖視圖；圖36係根據第一範例如圖35所示之一發光裝置的仰視圖；圖37係根據第二範例如圖35所示之一發光裝置的仰視圖；圖38係根據第十二實施例繪示一發光裝置的側剖視圖；圖39係根據第一範例如圖38所示之一發光裝置的仰視圖；圖40係根據第二範例如圖38所示之一發光裝置的仰視圖；圖41係根據第十三實施例繪示一發光裝置的側剖視圖；圖42係根據實施例繪示具有該發光裝置封裝件之一顯示裝置的示意圖；圖43係根據實施例繪示具有該發光裝置封裝件之一顯示裝置的剖視圖；以及圖44係為具有該發光裝置之發光裝置封裝件的一照明單元示意圖。
在實施例的描述中，應被理解，當指一層(或膜)、一區域、
一圖案、或一結構在另一基板、另一層(或膜)、另一區域、另一墊片、或另一圖案”上”或”之下方”時，其可以”直接地”或”間接地”在另一基板、層(或膜)、區域、墊片、或圖案上，或者可出現一或多個中介層。每一元件的位置已伴隨圖式進行說明。
在圖式中，每一元件的厚度和尺寸，為清楚說明，而可能被誇大、省略或示意性繪示。此外，元件的尺寸並未反應實施尺寸。
在後文中，實施例將伴隨圖式進行說明。
圖1係根據第一實施例繪示具有一發光裝置之一發光裝置封裝件的側剖視圖，圖2係如圖1所示之該發光裝置的側剖視圖而圖3係如圖2所示之該發光裝置的仰視圖。
參照圖1，發光裝置封裝件200包含一本體211具有一凹穴212、第一和第二引線電極215、217且至少部份的電極設置在凹穴212中、以及一發光裝置100。
本體211可包含一絕緣材料或一導電材料。本體121可包含樹脂材料中的至少一者，例如聚鄰苯二甲酰胺(polyphthalamide,PPA)或聚環乙烯對苯二酸酯(polycyclohexylene terephthalate,PCT)、矽(Si)、一金屬材料、感光玻璃(photosensitive glass,PSG)、藍寶石(Al2O3)、以及一印刷電路板(PCB)。舉例而言，本體211可藉由使用一樹脂材料來射出成型，例如：環氧化合物或矽。
本體211可使用可將從發光裝置100所射出的光反射50%或更多的材料。此外，本體211可使用可將發光裝置100所射出的光傳輸50%或更多的材料來形成。
本體211包含一具有環氧化合物的環氧模製化合物(EMC)材料，且該環氧模製化合物材料呈現改善的可塑性、改善的抗潮濕、以及一改善的黏著特性，以及包含一絕緣材料。本體211可具有一充填物，其包含一金屬氧化物例如TiO2或SiO2以增加反射效率。該充填物具有至少10wt%的含量，舉例而言，可包含在本體211至少15wt%。本體211可包含一反射材料用以反射光，或可包含一透明材料以將光方位角的分佈變寬，但實施例並非限定於此。
根據另一實施例，本體211可包含一樹脂基板或一陶瓷基板且可形成為單層基板或多層基板。
本體211的凹穴212係為一出光區域且凹穴212的上表面係為開放狀。凹穴212的一側壁213係與凹穴212的一底面呈傾斜或垂直。如果凹穴212的側壁213為傾斜，該傾斜角度係相對於凹穴212的底面在5°至90°的範圍內。發光裝置100的支撐件151比基板111更靠近凹穴212的側壁213。凹穴212的底面可作為第一和第二引線電極215、217的上表面，但實施例並非限定於此。
至少部份的第一和第二引線電極215、217設置在凹穴212中。部份的第一電極215暴露在凹穴212的底面同時在本體211中延伸。第一和第二引線電極215、217可包含一金屬材料包含Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P以及Al中的至少一者。此外，第一和第二引線電極215、217可製備成一引線架具有一單層結構或一多層結構，但實施例並非限定於此。第一和第二引線電極215、217可具有在0.8mm至3mm範圍內的厚度，但實施例並非限定於此。
部份的第二引線電極217係暴露在凹穴212的底面同時在本體211中延伸。第一和第二引線電極215、217可暴露在本體211的底面，但實施例並非限定於此。第一和第二引線電極215、217的底面係與本體211的底面排列在相同平面，以便能輕易地安裝在該電路板上，但實施例並非限定於此。此外，第一和第二引線電極215、217的底面可被排列在高於或低於本體211的底面。至少部份的第一和第二引線電極215、217可包含一彎曲結構，但實施例並非限定於此。一粗糙表面可被形成在第一和第二引線電極215、217的至少一表面上以增加介於本體211和一空隙部214之間的接觸區域。如此，可提供一具有優良抗濕性的發光裝置封裝件。
根據另一實施例，一凹面部係形成在凹穴212的底部且第一和第二引線電極215、217係設置在該凹面部中。發光裝置100的下電極(lower electrodes)可在該凹面部中彼此電性連接。該凹面部可具有一深度低於介於發光裝置100之一支撐件的底面和一主動層之間的距離且高於介於該支撐件之上表面和該主動層之間的距離。
第一引線電極215的一第一端部係設置或突起在本體211之一第一側邊的下方。第二引線電極217的一第二端部係設置或突起在本體211之一第二側邊24的下方。
發光裝置100係透過覆晶法而接合在第一和第二引線電極215、217上。詳細而言，發光裝置100的一第一連接電極141係接合在第一引線電極215上而發光裝置100的一第二連接電極143係接合在第二引線電極217上。第一連接電極141係透過直接接合，例如共晶接合法、或透過一接合件，例如焊錫而與第一引線電極215接合。第一連接電極141係透過直
接接合，例如共晶接合法、或透過一接合件，例如焊錫而與第二引線電極217接合。
介於第一引線電極215和第一連接電極141之間的間距係與介於第二引線電極217和第二連接電極143之間的間距相同。此外，發光裝置100的支撐件151係設置在對應第一和第二引線電極215、217之上表面的位置且可以該相同間距與第一和第二引線電極215、217分隔開。
發光裝置100的支撐件151直接或間接與第一和第二引線電極215、217的上表面接觸，因此熱傳導係透過第一和第二引線電極215、217來達成。第一和第二連接電極141、143的至少一者在數量上可為複數個。相對於第一引線電極215及/或第二引線電極217而言，複數個第一連接電極141及/或複數個第二連接電極143可增加一電性接合區域。如此，發光裝置100的導熱效率得以被改善。
此外，介於凹穴212的側壁213和發光裝置的側邊S2之間的間距M1可等於或窄於發光裝置100的寬度D1。也就是，由於發光裝置100為倒裝接合(flip-bonded)，則可無需一導線或使用該導線連接發光裝置100的製程以及無需一導線的接合面積(舉例而言，150 μm x150 μm)。如此，介於發光裝置100和凹穴212的側壁213之間的間距M1得以更加地減少，因此本體211的尺寸得以降低。間距M1可根據側壁213的位置而改變且可多過於1 μm，舉例而言在0.01 μm至2mm的範圍。由於沒有因在凹穴212之導線所造成之光干涉，該光之方位角的分佈可藉由控制間距M1而調整。
一塑模件218係設置在凹穴212中。塑模件218包含一透明樹脂材料，例如矽或環氧化合物。塑模件218可包含一螢光粉。塑模件218
可包含至少一透明樹脂層而該螢光粉與發光裝置100的上表面接觸或與發光裝置100的上表面分隔開。該螢光粉包含選自由YAG、TAG、矽酸鹽、氮化物、以及氧-氮化物基(oxy-nitride-based)材料所組成之群組。舉例而言，該螢光粉包含一紅色螢光粉、一黃色螢光粉以及一綠色螢光粉中的至少一者。當安裝具有發光螢光體層的發光裝置時，該螢光粉材料可不額外添加至在發光裝置封裝件200中的塑模件218以及可添加相互不同的螢光粉或發出相似顏色的螢光粉。
發光裝置100可選擇性地發出在一紫外光帶至一可見光帶範圍內之一預定波長的光。舉例而言，發光裝置100可選自一紅光LED晶片、一藍光LED晶片、一綠光LED晶片、一黃色LED晶片、一紫外光LED晶片、以及一白光LED晶片。發光裝置100包含具有III-V族化合物半導體和II-VI族化合物半導體中之至少一者的一LED晶片。
一保護晶片(未繪示)可設置在發光裝置封裝件200中。該保護晶片可包含一閘流器、一齊納二極管或一瞬態電壓抑制器(transient voltage suppression)，但實施例並非限定於此。
從發光裝置100的發光結構120所產生的光係透過發光裝置100的上表面和側面而發射出，且該發射出的光可透過塑模件218而釋放至外部。
圖2係根據第一實施例之發光裝置封裝件的發光裝置側剖視圖，而圖3係如圖2所示之該發光裝置的仰視圖。
參照圖2和圖3，發光裝置100包含一基板111、一第一半導體層113、一第一導電半導體層115、一主動層117、一第二導電半導體
層119、一反射電極層131、一絕緣層133、一第一電極135、一第二電極137、一第一連接電極141、一第二連接電極143、以及一支撐件151。
基板111可包含一透明基板、一絕緣基板或一導電基板。舉例而言，基板111可包含Al2O3、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge以及Ga2O3的至少一者。為取光之目的，將以一透明基板作為基板111的範例。取光結構，例如一凹凸圖案，可被形成在介於基板111和第一半導體層113之間之基板111的底面。該凹凸圖案能藉由蝕刻基板111而形成或形成一表面粗糙在基板111上。該凹凸圖案可具有一條紋(stripe)形或一凸透鏡形。基板111可為一透明基板具有一出光面且可具有在30 μm至300 μm範圍內的厚度。
第一半導體層113可形成在基板111的底面上。第一半導體層113可包含一化合物半導體其選擇性地包含II至VI族化合物半導體。詳細而言，第一半導體層113可藉由使用II至VI族化合物半導體而形成為單層結構或多層結構。第一半導體層113可從II至VI族化合物半導體中由III-V族化合物半導體所形成。舉例而言，第一半導體層113包含GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN以及AlInN中的至少一者。第一半導體層113可包含一氧化物，例如ZnO，但實施例並非限定於此。
第一半導體層113可包含一緩衝層。該緩衝層能減弱基板和氮化物半導體層之間的晶格不匹配。第一半導體層113可包含一未摻雜半導體層。該未摻雜半導體層可製備成包含III-V族化合物半導體的一GaN基半導體層。該未摻雜半導體層可具有一第一導電特性即使該導電摻雜物並非故意在製造過程中加入。此外，該未摻雜半導體層的摻雜物濃度低於第
一導電半導體層115之導電摻雜物的濃度。第一半導體層113可包含至少一緩衝層和至少一未摻雜半導體層，但實施例並非限定於此。
一發光結構120可形成在第一半導體層113之下方。發光結構120包含從II-VI族化合物半導體中的III-V族化合物半導體。舉例而言，發光結構120包含具有InxAlyGa1-x-yN(0x1,0y1,0x+y1)化合物化學式的半導體且可以發出具有在一紫外光帶至一可見光帶之波長範圍中之一預定波峰波長。
發光結構120包含第一導電半導體層115、第二導電半導體層119、以及介於第一導電半導體層115和第二導電半導體層119之間的主動層117。
第一導電半導體層115係設置在基板111和主動層117之間。第一導電半導體層115可包含摻雜有一第一導電摻雜物的一III-V族化合物半導體。第一導電半導體層115係為一n型半導體層具有InxAlyGa1-x-yN(0x1,0y1,0x+y1)的化合物化學式而第一導電摻雜物係為一n型摻雜物包括Si、Ge、Sn、Se或Te。
包含各種不同彼此交互堆疊半導體層的一超晶格結構可形成在第一導電半導體層115和第一半導體層113之間。該超晶格結構可降低晶格缺陷。該超晶格結構的每一層可具有一約數個Å或更多的厚度。
一第一導電包覆層(未繪示)可形成在第一導電半導體層115和主動層117之間。該第一導電包覆層可包含一GaN基半導體且具有高於主動層117的能帶間隙。該第一導電包覆層侷限載子。
主動層117係形成在第一導電半導體層之下方115。主動層
117選擇性地包含單量子井結構、多重量子井(MQW)結構、量子導線結構或量子點結構且可具有井層和能障層的周期性(periodicity)。該井層可具有一InxAlyGa1-x-yN(0x1,0y1,0x+y1)的化合物化學式而該能障層可具有一InxAlyGa1-x-yN(0x1,0y1,0x+y1)的化合物化學式。
該井層/能障層可具有InGaN/GaN、GaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、InAlGaN/InAlGaN、或AlInN/InGaN之堆疊結構中的至少一周期性(periodicity)。該能障層可包含一半導體材料具有高於該井層的一能帶間隙。
第二導電半導體層119係形成在主動層117之下方。第二導電半導體層119可包含一半導體摻雜有一第二導電摻雜物。舉例而言，第二導電半導體層119可包含一化合物半導體，例如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、或AlInN。第二導電半導體層119係為一p型半導體層具有一InxAlyGa1-x-yN(0x1,0y1,0x+y1)的化合物化學式而該第二導電摻雜物係為一p型摻雜物，例如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。
第二導電半導體層119可包含一超晶格結構，例如InGaN/GaN或AlGaN/GaN。第二導電半導體層119的超晶格結構可分散不正常地包含在電壓中的電流，藉以保護主動層117。一第二包覆層及/或一電子阻礙層(未繪示)可被設置在第二導電半導體層119和主動層117之間。該第二包覆層可具有高於該電子阻礙層的一能帶間隙並侷限載子。此外，該電子阻礙層可包含AlGaN基材料以及作為電子的障壁。
此外，第一導電半導體層115可製備成一p型半導體層而第二導電半導體層119可製備成一n型半導體層。具有極性與第二導電半導體
層119相反的一第三導電半導體層可形成在第二導電半導體層119之下方。
發光裝置100的發光結構120可藉由第一導電半導體層115、主動層117以及第二導電半導體層119所界定。發光結構120可具有n-p接合結構、p-n接合結構、n-p-n接合結構、以及p-n-p接合結構中的一者。在本例中，符號“n”和“p”分別代表n和p型半導體層，而符號“-”代表直接或間接彼此堆疊的兩層。在後文中，為以方便說明，第二導電半導體層119將指發光結構120的最上層。
反射電極層131係設置在第二導電半導體層119之下方。反射電極層131包含一歐姆接觸層、一反射層、一擴散阻隔層以及一保護層中的一者。反射電極層131可包含歐姆接觸層/反射層/擴散阻隔層/保護層、反射層/擴散阻隔層/保護層、歐姆接觸層/反射層/保護層、反射層/擴散阻隔層、或反射層的結構。
該歐姆接觸層與第二導電半導體層119的底面接觸，其中根據該第二導電半導體層119之底面區域，該歐姆接觸層的接觸區域對應70%或更多。該歐姆接觸層可包含選自由氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化銦鋅錫(indium zinc tin oxide,IZTO)、氧化銦鋁鋅(indium aluminum zinc oxide,IAZO)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide,IGZO)、氧化銦鎵錫(indium gallium tin oxide,IGTO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide,AZO)、氧化銻錫(antimony tin oxide,ATO)、氧化鋅鎵(gallium zinc oxide,GZO)、SnO、InO、InZnO、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Ni、Cr及其化合物或其合金所組成之群組。該歐姆接觸層可包含至少一層具有約1至1,000 Å的厚度。
形成在該歐姆接觸層之下方的該反射層可包含具有約70%或以上反射率的材料。舉例而言，該反射層可包含選自由Al、Ag、Ru、Pd、Rh、Pt、Ir以及具有至少兩種以上元素的一合金所組成之群組。該反射層的金屬與該第二導電半導體層119的底面歐姆接觸。在本例中，該歐姆接觸層可被省略。該反射層可具有一約1至10,000 Å的厚度。
該擴散阻隔層可包含選自由Au、Cu、Hf、Ni、Mo、V、W、Rh、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti以及至少兩種以上元素的一合金所組成之群組。該擴散阻隔層防止在兩個不同層間之邊界區域的中間層擴散。該擴散阻隔層可具有一約1至10,000 Å的厚度。
該保護層可包含選自由Au、Cu、Hf、Ni、Mo、V、W、Rh、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti以及具有至少兩種以上元素的一合金所組成之群組。該保護層可具有一約1至10,000 Å的厚度。
從發光結構12向下前進的光被設置在發光結構120和支撐件151之間之包含一反射金屬的反射電極層131所反射，因此取光效率得以被改善。一透明絕緣層可進一步設置在反射電極層131和發光結構120之間。該透明絕緣層可擴散從發光結構120向下前進的光，因此該光得以被傳輸到反射電極層131。
反射電極層131可包含一透明電極層/一反射層的堆疊結構。該透明電極層可包含選自由氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化銦鋅錫(indium zinc tin oxide,IZTO)、氧化銦鋁鋅(indium aluminum zinc oxide,IAZO)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide,IGZO)、氧化銦鎵錫(indium gallium tin oxide,IGTO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc
oxide,AZO)、氧化銻錫(antimony tin oxide,ATO)、氧化鋅鎵(gallium zinc oxide,GZO)、SnO、InO、InZnO、ZnO、IrOx、以及RuOx所組成之群組。該反射層可形成在該透明電極層之下方。該反射層包含一具有一第一折射係數的第一層以及一具有一第二折射係數的第二層。該反射層可包含至少兩對第一和第二層交互堆疊的堆疊結構。該第一折射係數係與該第二折射係數不同且該第一和第二層可包含一材料具有在1.5至2.4範圍內的折射係數。舉例而言，該第一和第二層可包含一導電材料或一絕緣材料。如此的結構可被定義成一分布布拉格反射(distributed bragg reflection,DBR)結構。
一取光結構，例如表面粗糙或凹凸圖案，可形成在第二導電半導體層119和反射電極層131中至少一者的一表面上。該取光結構可改變入射光的臨界角以改善取光效率。
第一電極135係形成在第一導電半導體層115之一局部區域A1的下方而該第二電極137係形成在反射電極層131之一預定區域的下方。第一連接電極141係形成在第一電極135之下方而第二連接電極143係形成在第二電極137之下方。第一電極135和第二連接電極141可被定義為一第一電極件，而第二電極137和第二連接電極143可被定義為一第二電極件。此外，第一和第二連接電極141、143可被定義為通道電極(via electrodes)設置在支撐件151中，但實施例並非限定於此。
第一電極135係與第一導電半導體層115的局部區域A1電性連接。第一電極135可包含一電極墊，但實施例並非限定於此。此外，第一電極135的局部區域A1、以及第二連接電極141可延伸至反射電極層131之下方的區域。第二電極137可延伸至設置於反射電極層131之下方的
絕緣層133且可與至少一第二連接電極143連接。
第一和第二電極135、137可具有小於第一和第二連接電極141、143的厚度。
第一電極135係從主動層117的側邊和第二導電半導體層119的側邊分隔開且具有小於第一導電半導體層115之局部區域A1的區域。
第二電極137可與反射電極層131和第二導電半導體層119的至少一者連接。第二電極137可與第二導電半導體層119物性及/或電性連接。第二電極137包含一電極墊。一或複數個第二電極137和第二連接電極143可形成在反射電極層131之下方，但實施例並非限定於此。第一和第二電極135、137可包含Ag、Al、Ru、Rh、Pt、Pd、Ni、Mo、W、La、Ta、Ti及其合金中的一者。
第一和第二電極135可具有相同的堆疊結構或相互不同的堆疊結構。第二電極137的堆疊結構可小於第一電極135的堆疊結構。舉例而言，第一電極135可有黏著層/反射層/擴散阻隔層/接合層或黏著層/擴散阻隔層/接合層的堆疊結構，而第二電極137可具有黏著層/反射層/擴散阻隔層/接合層或黏著層/擴散阻隔層/接合層的堆疊結構。
第二電極137的上表面區域係與反射電極層131的底面區域相同或至少大於第二連接電極143的上表面區域。
第一和第二電極135、137的至少一者可包含一電流分散圖案具有一臂狀結構或從該電極墊分支的一指狀結構。此外，第一和第二電極135、137可包含一電極墊或複數個電極墊，但實施例並非限定於此。
第一和第二連接電極141、143可作為一引線用以提供電力
以及一散熱途徑。第一和第二連接電極141、143可具有一柱狀。舉例而言，第一和第二連接電極141、143可具有一球形、一圓筒形、一多角柱形或一任意形狀。該多角柱形可為一等角柱狀或一非等角柱狀，但實施例並非限定於此。第一和第二連接電極141、143的上表面和底面可具有一圓形或一多角形，但實施例並非限定於此。第一和第二連接電極141、143的底面區域可不同於第一和第二連接電極141、143的上表面區域。舉例而言，第一和第二連接電極141、143的底面區域可大於或小於第一和第二連接電極141、143的上表面區域。
第一和第二連接電極141、143中之一者係小於發光結構120之底面的寬度但大於第一和第二電極135、137之底面的直徑或寬度。
第一和第二連接電極141、143的直徑或寬度係在1 μm~100,000 μm的範圍內，而第一和第二連接電極141、143的高度係在1 μm~100,000 μm的範圍內。第一連接電極141的高度H1可比第二連接電極143的高度H2高，而第一和第二連接電極141、143的底面可排列在相同的平面(亦即，水平面)。
第一和第二連接電極141、143可製備成單層藉由使用一金屬或一合金。該單層的寬度和高度係在1 μm~100,000 μm的範圍內。舉例而言，該單層之厚度大於第二連接電極143的厚度。
第一和第二連接電極141、143可包含選自由Ag、Al、Au、Cr、Co、Cu、Fe、Hf、In、Mo、Ni、Si、Sn、Ta、Ti、W及其合金所組成之群組。為了改善對於第一和第二電極135、137的黏著強度，第一和第二連接電極141、143可鍍覆一金屬包含選自由In、Sn、Ni、Cu及其合金所組成
之群組。此時，該電鍍厚度可在1 Å~100,000 Å的範圍內。
一電鍍層能進一步形成在第一和第二連接電極141、143的表面上。該電鍍層可包含Tin或其合金、Ni或其合金、或Tin-Ag-Cu。此時，該電鍍層可具有一約0.5 μm~10 μm的厚度。該電鍍層能改善對於其它接合層的接合強度。
絕緣層133可形成在反射電極層131之下方。詳細而言，絕緣層133可形成在第二導電半導體層119的底面、第二導電半導體層119和主動層117的側邊、以及第一導電半導體層115之預定區域A1的底面上。絕緣層133係形成在發光結構120除了用於反射電極層131之區域外的下部區域、第一電極135以及第二電極137上以電性保護發光結構120的下部。
絕緣層133包含一絕緣材料或一絕緣樹脂其由包含Al、Cr、Si、Ti、Zn以及Zr中至少一者的氧化物、氮化物、氟化物或硫化物所形成。舉例而言，絕緣層133可包含選自由SiO2、Si3N4、Al2O3以及TiO2所組成之群組。絕緣層133可製備成單層或多層，但實施例並非限定於此。當為倒裝接合之目的的一金屬結構形成在該發光結構之下方時，絕緣層133可防止發光結構120之層對層(layer-to-layer)的短路。
絕緣層133可僅形成在發光結構120的表面上而未被形成在反射電極層131的底面上。由於具有絕緣特性的支撐件151係形成在反射電極層131的底面上，絕緣層133可不需要延伸到反射電極層131的底面。
絕緣層133具有DBR結構，在DBR結構中，具有彼此不同折射係數的第一和第二層係交替排列。詳細而言，該第一層包含SiO2、Si3N4、Al2O3、以及TiO2中之一者而該第二層包含除了該第一層之外的材料。
在本例中，該反射電極層可被省略。
絕緣層133可具有厚度在100至10,000 Å的範圍內。如果絕緣層133製備成多層，每一層可具有在1至50,000 Å或100至10,000 Å之範圍內的厚度。具有多層結構之絕緣層133每一層的厚度可根據發射波長而改變反射效率。
第一和第二連接電極141、143可包含Ag、Al、Au、Cr、Co、Cu、Fe、Hf、In、Mo、Ni、Si、Sn、Ta、Ti、W及其合金。此外，第一和第二連接電極141、143可具有包含In、Sn、Ni、Cu及其合金的一電鍍層以改善對於第一和第二電極135、137的黏著強度。在本例中，該電鍍層具有在1 Å至100,000 Å範圍內的厚度。第一和第二連接電極141、143可為一錫球或一金屬凸塊，但實施例並非限定於此。
支撐件151係設置在發光裝置100之下方且作為一支撐層以支撐發光裝置100。支撐件151可與第一和第二電極135、137、絕緣層133、以及第一和第二連接電極141、143物性接觸。支撐件151在發光結構120之下方與發光結構120垂直重疊。此外，支撐件151在發光結構120之下方可具有未超出發光結構120側邊的向外突起。再者，支撐件151的整個上表面係低於發光結構120。
支撐件151包含一絕緣材料。舉例而言，該絕緣材料可為包含矽或環氧化合物的樹脂。此外，該絕緣材料可包含膠漿(paste)或絕緣油墨。該絕緣材料亦可包含一樹脂選自由一聚丙烯酸酯樹脂、一環氧樹脂、一酚醛樹脂、一聚醯胺樹脂、一聚亞醯胺樹脂、一不飽和聚酯樹脂、一聚苯醚樹脂(PPE)、一聚氧化二甲苯樹脂(PPO)、一聚苯硫醚樹脂、一氰酸酯樹
脂、苯並環丁烯(BCB)、聚合物聚醯胺-胺樹狀聚合物(PAMAM)、聚丙烯-亞胺(Polypropylene-imine)、樹枝狀聚合物(PPI)、具有PAMAM之內部結構和有機矽之外表面的PAMAM-OS(有機矽)所組成之群組、以及其組合。用於支撐件151的材料可不同於用於絕緣層133的材料。
至少一化合物，例如包含Al、Cr、Si、Ti、Zn以及Zr中至少一者的氧化物、氮化物、氟化物或硫化物可被添加至支撐件151。添加至支撐件151的化合物可一熱擴散劑(未繪示)。該熱擴散劑為一具有預定尺寸的粉末顆粒、一微粒、一充填物或一添加物。在接下來的描述，為方於說明之目的，將以包含該熱擴散劑的支撐件151進行說明。該熱擴散劑可包含具有1 Å至100,000 Å尺寸的一絕緣材料或一導電材料。為了改善熱擴散效率，該熱擴散劑可具有一1,000 Å至50,000 Å的尺寸。該熱擴散劑的微粒可具有一球形或一不規則形，但實施例並非限定於此。
該熱擴散劑可包含具有高於構成支撐件151之絕緣材料導熱性的一材料。該熱擴散劑包含一陶瓷材料。該陶瓷材料包含LTCC(低溫共燒陶瓷)、HTCC(高溫共燒陶瓷)、氧化鋁、石英、鋯酸鈣、矽酸鎂石、SiC、石墨、熔矽石、多鋁紅柱石、菫青石、氧化鋯、氧化鈹、以及氮化鋁。該陶瓷材料可包含具有導熱性高於氮化物或氧化物的金屬氮化物。舉例而言，該金屬氮化物可包含具有導熱性等於或高於140W/mK的一材料。舉例而言，該陶瓷材料包含選自由SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、BN、Si3N4、SiC(SiC-BeO)、BeO、CeO、以及AlN所組成之群組。該導熱材料可包含碳元素，例如鑽金剛石或CNT。
支撐件151可製備成單層結構或多層結構。當支撐件151製
備成多層結構時，一下支撐件係形成在一上支撐件之下方。支撐件151內具有陶瓷粉末，所以支撐件151的強度和導熱性得以被改善。
此外，添加至支撐件151樹脂材料的熱擴散劑的量可為1至99wt%。為了改善該熱擴散效率，可添加50~99wt%的熱擴散劑至支撐件151。由於添加了熱擴散劑至支撐件151，因此在支撐件151內部的導熱性得以更加地改善。此外，支撐件151具有4-11[x106/℃]的熱膨脹係數。上述的熱膨脹係數係與基板111，例如：藍寶石基板，的熱膨脹係數相同或相似，所以晶圓不會由於支撐件151和形成在基板上的發光結構120之間的熱膨脹係數差異而造成翹曲或損壞，藉以改善發光裝置的可靠度。
支撐件151的底面為基板111上表面的一相對表面，且支撐件151的底面可與基板111的上表面對應或平行。支撐件151的底面區域係大致與支撐件151的上表面區域相同。此外，支撐件151的底面區域係與第一導電半導體層115的上表面區域相同。再者，支撐件的底面151的寬度可與基板111上表面的寬度和半導體層115上表面的寬度相同。如此，由於獨立晶片係在形成支撐件151後被分割，支撐件151、基板111以及第一導電半導體層115的側邊得以排列在相同平面上。根據另一實施例，支撐件151的底面區域可大於或窄於基板111上表面S1的區域，實施例並非限定於此。
支撐件151的一側邊S11可與基板111的側邊S2排列在相同平面，且可與支撐件151的底面S12垂直排列。
參照圖3，在支撐件151的側邊S11中之一第一側邊的長度D1係大致與對應支撐件151該第一側邊之基板111的一第一側邊的長度相同。此外，在支撐件151的側邊S11中之一第二側邊的長度D2係大致與對
應支撐件151該第二側邊之基板111的一第二側邊的長度相同。此外，支撐件151之第一和第二側邊的長度D1和D2可較長或較短於基板111之第一和第二側邊的長度，但實施例並非限定於此。再者，介於第一和第二連接電極141、143的一距離D5係為介於兩相鄰電極墊的間距且為相對於該發光裝置之一側邊長度的1/2或更多。支撐件151的底面係為一大致上的平面或一不規則表面，但實施例並非限定於此。
支撐件151之第一區域的厚度T1係至少比第二連接電極143厚度H2厚。或者，支撐件151之第一區域的厚度T1可比第二連接電極143厚度H2薄。如果絕緣層133的厚度比第二連接電極143厚度H2厚，支撐件151的厚度可變得較薄。此外，支撐件151之第二區域的厚度T2可比第一連接電極141的厚度厚。支撐件151的厚度T1可在1 μm至100,000 μm或50 μm至1,000 μm的範圍內。支撐件151的厚度T1可比基板111的厚度厚，但實施例並非限定於此。
支撐件的底面151係低於第一和第二電極135、137的底面且與第一和第二連接電極141、143的底面排列在相同平面上(也就是水平面)。
支撐件151與第一和第二電極135、137以及第一和第二連接電極141、143的外週邊表面接觸。如此，從第一和第二電極135、137和第一和第二連接電極141、143產生的熱得以透過支撐件151而被擴散及排出。支撐件151的導熱性得以藉由包含在支撐件151中的熱擴散劑而被改善。因此支撐件151能透過支撐件151的整個表面而將熱排散出。如此，發光裝置100對抗熱的可靠度得以被改善。
此外，支撐件151的一側邊S11能與發光結構120和基板111排列在相同平面上(也就是，垂直面)。再者，支撐件151的一或至少一側邊可突起超出發光結構120和基板111的側邊S2，但實施例並非限定於此。
發光裝置100係透過覆晶法來安裝，所以多數的光朝基板111的上表面S1發射出且部份的光係透過基板111和發光結構120的側邊而發射出。如此，因第一和第二電極135、137所造成的光損得以減少。
圖4係繪示圖2的第一和第二電極之詳細結構的視圖。
參照圖4，第一和第二電極135、137的至少一者包含一電極墊30A、一第一接合電極30B在電極墊30A之下方、以及一第二接合電極30C在第一接合電極30B之下方。第一電極135的電極墊30A可與第一導電半導體層115物性接觸，而第二電極137的電極墊30A可與反射電極層131物性接觸。第一接合電極30B係排列在該電極墊30A和第二接合電極30C之間以將電極墊30A與第二接合電極30C接合，而第二接合電極30C係排列在第一接合電極30B和該些連接電極141、143之間以將第一接合電極30B與該些連接電極141、143接合。電極墊30A、第一接合電極30B和第二接合電極30C可具有相同的寬度或電極墊30A、第一接合電極30B以及第二接合電極30C的至少一者可具有與其它兩者不同的寬度，但實施例並非限定於此。
電極墊30A包含一黏著層31、一反射層32在黏著層31之下方、一擴散阻隔層33在反射層32之下方、以及一接合層34在擴散阻隔層33之下方。黏著層31係與反射電極層130或第一導電半導體層115的下部接合，且包含選自由Cr、Ti、Co、Ni、V、Hf及其合金所組成之群組。
黏著層31具有約1 Å至1,000 Å的厚度。反射層32係形成在黏著層31之下方且包含選自由Ag、Al、Ru、Rh、Pt、Pd及其合金所組成之群組。反射層31具有約1 Å至10,000 Å的厚度。擴散阻隔層33係形成在反射層32之下方且包含選自由Ni、Mo、W、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti及其合金所組成之群組。擴散阻隔層33具有約1 Å至10,000 Å的厚度。接合層34包含選自由Al、Au、Cu、Hf、Pd、Ru、Rh、Pt及其合金所組成之群組。接合層34具有約1 Å至10,000 Å的厚度。電極墊30A可沒有包含反射層32。
第一接合電極30B可包含至少三層金屬層。第一接合電極30B包含一黏著層35、一支撐層36在黏著層35之下方、以及一保護層37在支撐層36之下方。黏著層35係與電極墊30A接合且包含選自由Cr、Ti、Co、Cu、Ni、V、Hf以及包含至少兩種上述元素之合金所組成的群組。黏著層35具有約1 Å至10,000 Å的厚度。支撐層36係比黏著層35厚，且包含選自由Ag、Al、Au、Co、Cu、Hf、Mo、Ni、Ru、Rh、Pt、Pd、以及包含至少兩種上述元素之合金所組成的群組。支撐層36具有約1 Å至500,000 Å或1,000 Å至10,000 Å的厚度。保護層37保護該半導體層避免外部衝擊，且包含選自由Au、Cu、Ni、Hf、Mo、V、W、Rh、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti以及包含至少兩種上述元素之合金所組成的群組。保護層37具有約1 Å至50,000 Å的厚度。
此外，第一接合電極30B的黏著層35和支撐層36可重覆地層疊至少一循環(periodicity)。
第二接合電極30C包含至少三層金屬層。詳細而言，第二接合電極30C包含一黏著層38、一擴散阻隔層39在黏著層38之下方、以
及一接合層40在擴散阻隔層39之下方。黏著層38係與第一接合電極30B接合且包含選自由Cr、Ti、Co、Ni、V、Hf以及包含至少兩種上述元素之合金所組成的群組。黏著層38具有1 Å至1,000 Å的厚度。擴散阻隔層39防止中間層擴散，且包含選自由Ni、Mo、Hf、W、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti以及包含至少兩種上述元素之合金所組成的群組。擴散阻隔層39具有1 Å至10,000 Å的厚度。接合層40係與該些連接電極141、143接合，且包含選自由Au、Cu、Ni、Hf、Mo、V、W、Rh、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti以及包含至少兩種上述元素之合金所組成的群組。接合層40具有1 Å至10,000 Å的厚度。第二接合電極30C的黏著層38和擴散阻隔層39可重覆地層疊至少一循環(periodicity)。在第一和第二電極135、137中，電極墊30A、第一接合電極30B以及第二接合電極30C可具有相同的堆疊結構或相互不同的堆疊結構，但實施例並非限定於此。
圖5係根據第二實施例繪示一發光裝置封裝件的側剖視圖。在接下來之第二實施例的描述，對於與第一實施例相同的部件請參閱第一實施例的描述。
參照圖5，發光裝置封裝件201包含一本體211具有一凹穴212、第一和第二引線電極215、217，其中其至少一部份設置在本體211的凹穴212中、一塑模件218、以及一發光裝置100。
凹穴212可具有一凹面結構，其從本體211的上表面具有一預定深度，且可具有一下寬度M6比一上寬度寬的形狀。凹穴212的一側壁213A可相對於凹穴212的底部或發光裝置100之支撐件151的底面呈傾斜。凹穴212之側壁213A的傾斜角度係相對於凹穴212的底部或發光裝置100
之支撐件151的底面為5°至90°的範圍內。凹穴212可配置成在其中心線周圍的一線對稱結構。
凹穴212的底面寬度M6可與發光裝置100的底面寬度相等，例如圖3的寬度D1，或可大於發光裝置100的底面寬度在0.1 μm至100 μm的範圍內。此外，凹穴212的下寬度可與凹穴212的上寬度相等，而凹穴212的側壁213A可與凹穴212的底面或發光裝置100支撐件151的底面垂直。凹穴212的側壁213A可從發光裝置100的側邊S2以100 μm或少於100 μm的範圍內分隔開，舉例而言，在0.1 μm至100 μm的範圍內。
此外，由於凹穴212的底面區域具有對應發光裝置100之底面寬度的尺寸，發光裝置100得以更容易地被安裝。再者，由於凹穴212係設置在靠近發光裝置100的側邊S2的位置，由於凹穴212之傾斜側壁213A的緣故，取光效率得以被改善。此外，由於凹穴212的底面區域很小，從發光裝置所射出的光可不行經(travel)凹穴212的底面，因此光損得以降低。
圖6係根據第三實施例繪示一發光裝置封裝件的側剖視圖。在接下來之第三實施例的描述，對於與第一實施例相同的部件請參閱第一實施例的描述。
參照圖6，發光裝置封裝件202包含一本體211具有一凹穴212、第一和第二引線電極215、217，其中其至少一部份設置在本體211的凹穴212中、一塑模件218、以及一發光裝置100。
發光裝置100係倒裝接合(flip-bonded)在設置於凹穴212底面上的第一和第二引線電極215、217。凹穴212的側壁213B包含一第一反射部F1、一第二反射部F2、以及一第三反射部F3。第一反射部F1係圍繞著
凹穴100的下部設置，且相較於第三反射部F3更靠近發光裝置100。第一反射部F1係呈傾斜或垂直凹穴212的底面或發光裝置100支撐件151的底面。介於第一反射部F1和發光裝置100側邊之間的一間距M5為100 μm或小於100 μm，舉例而言，在0.01 μm至100 μm的範圍內。第一反射部F1的厚度T5可與發光裝置100支撐件151的厚度相等或不同，且可較第三反射部F3的厚度薄(舉例而言，垂直厚度)。第一反射部F1的厚度T5可在1 μm至100,000 μm的範圍內，舉例而言，在50 μm至1,000 μm的範圍內。
第一反射部F1和第三反射部F3可不連續地形成。第一反射部F1係位於在反射電極層131之下方對應支撐件151的位置，而第三反射部F3係位於對應發光結構120和基板111的位置以有效反射失逸至反射電極層131的光。
第二反射部F2係設置在介於第一反射部F1和第三反射部F3之間且與凹穴212的底面或發光裝置100支撐件151的底面平行。第一反射部F1和第二反射部F2可形成一階梯(step)結構，而第二反射部F2和第三反射部F3可形成一階梯(step)結構。第一反射部F1和第三反射部F3係為傾斜面，而第二反射部F2係為一水平面或具有不同於第一反射部F1和第三反射部F3之傾斜角度的一傾斜面，但實施例並非限定於此。
第一反射部F1的一第一角度θ 1和第三反射部F3的一第二角度θ 2可相同或相差10°至90°的範圍內。舉例而言，第一反射部F1的第一角度θ 1為60°或更小以有效反射從發光裝置100之發光結構120側邊S2所發出的光，但實施例並非限定於此。
第三反射部F3的第二角度θ 2為45°或以上。介於第三反射
部F3和發光裝置100之間的間距係大於介於第一反射部F1和發光裝置100之間的間距。也就是，第三反射部F3係以45°或以上角度傾斜以均勻分佈從發光裝置100所射出的光。
圖7係根據第四實施例繪示一發光裝置封裝件的側剖視圖。在接下來之第四實施例的描述，對於與第一實施例相同的部件請參閱第一實施例的描述。
參照圖7，發光裝置封裝件203包含一本體221具有一凹穴222、第一和第二引線電極225、227，其中其至少一部份設置在本體211的凹穴212中、一塑模件218、以及一發光裝置100。
本體221包含一支撐部221B以及一反射部221A。反射部221A可由與支撐部221B相同的材料或具有高反射率的樹脂材料所形成，但實施例並非限定於此。反射部221A可由矽或具有高傳輸率和低反射率的環氧化合物材料所形成。
在支撐部221B和反射部221A之間，第一引線電極225從凹穴222的底面朝本體221的第一側邊23突起，而第二引線電極227從凹穴222的底面朝本體221的第二側邊24突起。
在本體221的下部中，與第一引線電極225連接的一第一端部225A係設置在與第一側邊23相鄰的一區域，而與第二引線電極227連接的一第二端部227A係設置在與第二側邊24相鄰的一區域。
一凹槽226係形成在凹穴222的底部中。凹槽226可具有一深度T3，該深度T3較淺於(shallower)第一和第二引線電極225、227的上表面和凹穴222的底面之間的距離。凹槽226的深度T3小於第一和第二引線
電極225、227的厚度且被界定在第一引線電極225、一空隙部214以及第二引線電極227中，而發光裝置100係倒裝接合在設置於凹槽226中之第一和第二引線電極225、227的上表面上。
凹槽226的深度T3係足夠容置至少部份的發光裝置100。舉例而言，至少部份發光裝置100的支撐件151可被插設至具有深度T3的凹槽226中。凹槽226的深度T3係在1 μm至100,000 μm的範圍內，舉例而言，50 μm至1,000 μm。
由於凹槽226形成在凹穴222的底部而發光裝置100的下部係插設至凹槽226中，發光裝置100的反射電極層131可與第一和第二引線電極225、227的上表面大致排列在相同的水平面。此外，凹槽226的深度T3可相等於或較厚於支撐件151的厚度。
因此，從發光裝置10所射出的光可從反射電極層131、第一和第二引線電極225、227以及凹穴222的側壁223而被反射，因此取光效率得以被改善。
圖8係根據第五實施例繪示一發光裝置封裝件的側剖視圖。圖9係如圖8所示之一發光裝置封裝件的側剖視圖。在接下來之第五實施例的描述，對於與第一實施例相同的部件請參閱第一實施例的描述。
參照圖8和9，發光裝置封裝件204包含一本體231具有一凹穴232、第一和第二引線電極235、237，其中其至少一部份設置在本體211的凹穴212中、一塑模件218、以及一發光裝置100。
凹穴232的上寬度M4可比凹穴232的下寬度來的寬。詳細而言，凹穴232可逐漸地從其下部往上部變寬。凹穴232的側壁233包含複
數個傾斜的第一反射部F4和第二反射部F5用以與第一傾斜反射部F4連接。在凹穴232中，介於兩個彼此對應的第一反射部F4之間距N1可往凹穴232的朝上方向變寬。
該些第一反射部F4係以相對於凹穴232之底面的一第三角度θ 3傾斜。第三角度θ 3係在5°至90°的範圍內，舉例而言，在20°至70°的範圍內。該些第一反射部F4可以相同角度或不同的角度傾斜。此外，該些第一反射部F4可配置成：第三角度θ 3可逐漸地往凹穴232的朝上方向增加或減少。第一反射部F4的厚度T4可比支撐件151的厚度薄。舉例而言，第一反射部F4的厚度T4係在1 μm至100,000 μm，或50 μm至1,000 μm的範圍內。
該些第一反射部F4可連續地或不連續地沿著凹穴232的週邊表面設置。舉例而言，該些第一反射部F4可設置在凹穴232的兩相對側邊而未設置在凹穴232剩餘的兩相對側邊。該些第二反射部F5可配置成彼此平行的平面或具有不同於第一反射部F4之傾斜角度的傾斜面。
第一引線電極235的一第一端部235A朝外突起超越本體231的第一側邊23，而第二引線電極237的一第二端部237A朝外突起超越本體231的第二側邊24。
在本體231的上表面中，介於第一和第二側邊23、24之間的間距可等於或大於介於第三和第四側邊25、26之間的間距。舉例而言，介於第一和第二側邊23、24之間的間距可在1mm至100mm的範圍內，舉例而言，在2.5mm至9mm的範圍內。此外，介於第三和第四側邊25、26之間的間距可在1mm至100mm的範圍內，舉例而言，在2.5mm至9mm的
範圍內。
在本體231的上表面中，介於凹穴232和第二側邊23之間的間距W1可在0.1mm至50mm的範圍內，舉例而言，在0.35mm至1mm的範圍內。在本體231的上表面中，介於凹穴232和第四側邊26之間的間距可在0.1mm至50mm的範圍內，舉例而言，在0.35mm至1mm的範圍內。本體251可具有一厚度在0.3mm至100mm的範圍內，舉例而言，在0.5mm至2mm的範圍內。
介於第一和第二引線電極235、237A之間的一空隙部(gap portion)234可包含與本體231相同的一材料或一絕緣材料。空隙部234的寬度W3可比介於相鄰連接電極141、143之間的間距窄。空隙部234的寬度W3可在0.01mm至10mm的範圍內，舉例而言，在0.1mm至2mm的範圍內。
第一和第二引線電極235、237可具有在0.1至1,000mm範圍內的厚度，舉例而言，0.1mm至0.5mm。
圖10係繪示如圖2所示之一發光裝置的一第一改良範例的視圖。在後文中，在接下來之圖10的描述，與圖2相同的部件請參照圖2。
參照圖10，發光裝置101包含一基板111、一第一半導體層113、一第一導電半導體層115、一主動層117、一第二導電半導體層119、一反射電極層131、一絕緣層133、一第一電極135、一第二電極137、一第一連接電極141、一第二連接電極143、以及一支撐件151。
第一和第二圖案區11、12的至少一者可設置在基板111上。第一圖案區11係配置成如一第一凹凸結構，其具有複數個突起物從基板111的上表面S1突起，而第二圖案區12係配置成如一第二凹凸結構，其具有
複數個凹槽在該第一凹凸結構中。該第二凹凸結構係設置在該第一凹凸結構上且由具有一小於該些突起物尺寸的一微(micro)凹凸構造(micro concavo-convex configuration)所界定。
第一圖案區11的該些突起物可從基板111的上表面S1突起或可具有一浮雕狀(embossing shape)。根據另一範例，第一圖案區11可為具有小於基板111上表面之一小深度的凹槽或雕刻。第二圖案區12的凹面可以小於第一圖案區11之突起物尺寸的一凹雕形(intaglio shape)或一凹槽形(recess shape)來設置在第一圖案區11的表面上。根據另一範例，第二圖案區12可具有一浮雕狀或一凸面狀，且可設置有小於第一圖案區11突起物尺寸的微突起物。第一圖案區11可排列成一矩陣或一柵格(lattice)的形式。第一圖案區11的突起物的剖面可具有一半球形、一圓錐形、一多角錐形、一柱形，例如圓柱或多角柱形、或一截圓錐形(truncated cone)。當俯視時，每一突起物可具有一圓形狀、一多角形、或一球形和一平面的混合形。
第二圖案區12的凹面可具有一半球形、一圓錐形、一多角錐形、一柱形，例如圓柱或多角柱形、或一截圓錐形的剖面。當俯視時，第二圖案區12可具有一圓形狀、一多角形、或一球形和一平面的混合形。
第一圖案區11的突起物可具有在0.1 μm至10 μm範圍內的寬度B1。舉例而言，寬度B1係小於基板111的厚度。突起物的寬度可大於突起物的厚度L1或高度L2，但實施例並非限定於此。第二圖案區12之凹面的深度或寬度係在0.1nm至100nm的範圍內、或在0.1nm至100 μm的範圍內。介於第一圖案區11之該些突起物之間的一循環(period)L1可在0.1 μm至100 μm的範圍內，而介於第二圖案區12之該些凹面之間的一循環(period)可在0.1
μm至100 μm的範圍內。
第一和第二圖案區11、12改變入射光的臨界角以減少光全反射的比率，藉以改善取光效率。如此，如果該發光裝置設置在如圖1所示之該發光裝置封裝件的凹穴中時，得以更加改善取光效率。
一發光層(luminescence layer)可設置在基板111上。該發光層可與基板111的第一和第二圖案區11、12接觸、或可從基板111的第一和第二圖案區11、12分隔開，但實施例並非限定於此。
圖11係繪示如圖1所示之一發光裝置的一第二改良範例的視圖。
參照圖11，發光裝置102包含一基板111、一第一半導體層113、一第一導電半導體層115、一主動層117、一第二導電半導體層119、一反射電極層131、一絕緣層133、一第一電極135、一第二電極137、一第一連接電極141、一第二連接電極143、支撐件152A、152B以及一螢光體層161。
螢光體層161係設置在與支撐件151相反之基板111的一表面上。也就是，設置在該出光面上，螢光體層161可包含一螢光粉膜或一塗佈層，且可製備成單層或多層。
螢光體層161包含具有螢光粉的一透明樹脂層。該透明樹脂層包含矽或環氧化合物，且該螢光粉包含選自由YAG、TAG、矽酸鹽、氮化物、以及氧-氮化物基(oxy-nitride-based)材料所組成之群組。該螢光粉包含一紅色螢光粉、一黃色螢光粉以及一綠色螢光粉中的至少一者，且激發(excite)從主動層117所射出的光以轉換將被射出之光的波長。
螢光體層161係設置在基板111的上表面S1、基板111的至少一側邊S2以及發光結構120上。螢光體層161具有在1 μm至100,000 μm或1 μm至10,000 μm範圍內的厚度。螢光體層161的厚度係為發光結構120與寬同向的長度(widthwise length)。
螢光體層161可包含各種不同的螢光體層，其中一第一層係為紅色、黃色和綠色螢光體層中之一者，而一第二層係設置在該第一層以及非該第一層的層上。兩個不同的螢光體層可分別設置在彼此不重疊的第一和第二區域上。包含透明樹脂材料的一保護層可設置在螢光體層161和發光結構120的側邊上，但實施例並非限定於此。
一透明樹脂層或一黏著層可進一步地設置在基板111和螢光體層161之間，但實施例並非限定於此。該些圖案區可設置在基板111的上部和下部以改善取光效率。如果該些圖案區設置在該基板的上部，螢光體層161可製備成一凹凸層(concave-convex layer)，但實施例並非限定於此。
此外，一區隔孔(division slot)152C係設置在支撐件152A、152B之間。區隔孔152C將支撐件152A、152B彼此區隔開。第一支撐件152A係設置在發光結構120之一側的下方環繞第一連接電極141。第二支撐件152B係設置在發光結構120之另一側的下方環繞第二連接電極143。
區隔孔152C係將第一支撐件152A與第二支撐件152B物性及電性分離且將設置在區隔孔152C之下方的絕緣層133暴露出。
第一和第二支撐件152A、152B可包含絕緣材料或導電材料。該絕緣材料包含具有熱擴散劑的一樹脂材料。該導電材料包含碳、碳
化矽(SiC)或一金屬。如果第一和第二支撐件152A、152B包含導電材料，第一和第二電極141、143包含與該導電材料不同的材料。
由於包含導電材料的第一和第二支撐件152A、152B係藉由區隔孔152C而彼此分隔開，因此可防止電性短路。
區隔孔152C的寬度對應第一和第二支撐件152A、152B之間的距離，而區隔孔152C的深度對應第二支撐件152B的厚度。區隔孔152C防止第一和第二支撐件152A、152B之間的電性干涉。
第一和第二支撐件152A、152B的底面係與第一和第二連接電極141、143的底面排列在相同的平面。即使第一和第二支撐件152A、152B包含導電材料，第一和第二支撐件152A、152B可透過第一和第二連接電極141、143來安裝。
包含陶瓷材料的一絕緣材料可進一步地設置在第一和第二支撐件152A、152B之間。在本例中，該陶瓷材料係與第一和第二支撐件152A、152B的底面排列在相同水平面。第一和第二支撐件152A、152B可被應用至如圖2所示的結構或其它實施例。
圖12係根據第六實施例繪示一發光裝置封裝件的側剖視圖。在接下來之第六實施例的描述，對於與第一實施例相同的部件請參閱第一實施例的描述。
參照圖12,發光裝置封裝件205包含一本體211具有一凹穴212、第一和第二引線電極215、217其中其至少一部份設置在本體211的凹穴212中、一塑模件218、一光學透鏡129、以及一發光裝置104。
該半導體層，舉例而言，除了基板外，第一導電半導體層可
設置在發光裝置104的最上層。一粗糙結構，例如一取光結構，可設置在該半導體層的上表面。
光學透鏡219係設置在本體211上。光學透鏡219可包含一樹脂材料，例如包含矽或環氧化合物的透明樹脂、或玻璃材料。光學透鏡219係在對應發光裝置104的一區域設置有一凹部219A以改善光的方位角，而凹部219A係朝發光裝置104凹陷。凹部219A可為相對於發光裝置104之光軸傾斜的一有角表面(angular surface)或一曲線表面且可包含一全反射表面或一反射表面。
圖13係繪示如圖12所示之一發光裝置封裝件之一發光裝置的視圖。
參照圖13，發光裝置104包含一第一導電半導體層115、一主動層117、一第二導電半導體層119、一反射電極層131、一絕緣層133、一第一電極135、一第二電極137、一第一連接電極141、一第二連接電極143、以及一支撐件151。
該基板係從發光裝置104移除，而第一導電半導體層115係設置在出光區域上。一圖案區，例如取光結構或凹凸結構，可設置在第一導電半導體層115的上表面S3上。該圖案區可藉由蝕刻第一導電半導體層115的一上部而形成，但實施例並非限定於此。
發光結構120的一側邊S4可與支撐件151的一側邊S11排列在相同的平面或可支撐件151的一底面S12垂直排列，但實施例並非限定於此。
此外，該螢光粉材料係添加至塑模件218或設置在發光裝置
104上的螢光體層，但實施例並非限定於此。
圖14係繪示如圖12所示之一發光裝置的一第一改良範例的視圖。
參照圖14，發光裝置104包含一第一導電半導體層115、一主動層117、一第二導電半導體層119、一反射電極層131、一絕緣層133、一第一電極135、一第二電極137、一第一連接電極141、一第二連接電極143、一支撐件151、以及一螢光體層162。
螢光體層162可設置在發光結構120的一上表面S3和一側邊S4中的一者。舉例而言，螢光體層162可設置在發光結構120的上表面S3和側邊S4上，但實施例並非限定於此。螢光體層162包含一透明樹脂層，其包含螢光粉材料。該透明樹脂層包含矽或環氧化合物，且該螢光粉包含選自由YAG、TAG、矽酸鹽、氮化物、以及氧-氮化物基(oxy-nitride-based)材料所組成之群組。該螢光粉包含一紅色螢光粉、一黃色螢光粉以及一綠色螢光粉中的至少一者，且激發(excite)從主動層117所射出的光以轉換將被射出之光的波長。
螢光體層162具有在1 μm至100,000 μm範圍內的厚度，舉例而言，1 μm至10,000 μm。螢光體層162的厚度係為發光結構120的寬同向的長度。
螢光體層162可包含各種不同的螢光體層，其中一第一層係為紅色、黃色和綠色螢光體層中之一者，而一第二層係設置在該第一層以及非該第一層的層上。兩個不同的螢光體層可分別設置在彼此不重疊的第一和第二區域上。包含透明樹脂材料的一保護層可設置在螢光體層162和
發光結構的側邊上，但實施例並非限定於此。
圖15係根據第七實施例繪示具有一發光裝置之一發光裝置封裝件的側剖視圖。
參照圖15，發光裝置封裝件207包含一本體251具有一凹穴252、第一至第三引線電極255、257、259其中其至少一部份設置在凹穴252中、以及至少一發光裝置106。參照根據第一實施例對於本體251和本體251之凹穴的描述，舉例而言，本體251係藉由選擇性地使用一高反射樹脂(舉例而言，PPA)、一聚合物材料、一塑膠材料或一樹脂材料例如：矽或環氧化合物中的其中一者來射出成型，且可製備成具有單層或多層的一基板。本體251可由對發光裝置106所射出的光具有90%或更高反射率或者50%或更高傳輸率的一材料所形成。
本體251的凹穴252係為一出光區域，而凹穴252的上表面係為開放狀(open)。凹穴252的一側壁253係對凹穴252的底面呈傾斜或垂直。凹穴252的側壁253可較發光裝置106的基板111更靠近支撐件151。
至少部份的第一至第三引線電極255、257、259係設置在凹穴252中。該些空隙部214係設置在第一至第三引線電極255、257、259當中。該些空隙部214可由與本體251相同的材料或其它絕緣材料所形成。
第一至第三引線電極255、257、259可包含一金屬材料，該金屬材料包含Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P以及Al中的至少一者。此外，第一至第三引線電極255、257、259可製備成具有單層結構或多層結構的一引線架，但實施例並非限定於此。第一至第三引線電極255、257、259可具有在0.8mm至3mm範圍內的厚度，但實施例並非限定於此。
設置在凹穴252底面之第一至第三引線電極255、257、259的底面可與本體251的底面排列在相同的平面上，但實施例並非限定於此。至少部份的第一至第三引線電極255、257、259可包含一彎曲結構，但實施例並非限定於此。在第一至第三引線電極255、257、259的至少一表面上可形成一粗糙表面以增加本體251和空隙部254之間的接觸區域。如此，得以提供一具有優良抗濕性的發光裝置封裝件。
根據另一實施例，一凹面部係設置在凹穴252的底部，而第一至第三引線電極255、257、259係設置在該凹面部中。發光裝置106的該些下電極可在該凹面部中彼此電性連接。該凹面部可具有一深度低於發光裝置106支撐件151之底面和一主動層之間的距離、但高於支撐件151上表面和該主動層的距離。
第一和第三引線電極255、259係彼此在本體251的內部和外部連接。
發光裝置106係透過覆晶法而接合在第一至第三引線電極255、257、259上。詳細而言，發光裝置106的一第一連接電極141係接合在第一引線電極255上、發光裝置106的一第二連接電極143係接合在第二引線電極257上、以及發光裝置106的一第三連接電極145係接合在第三引線電極259上。每一第一至第三連接電極141、143、145係與第一至第三引線電極255、257、259透過直接接合法例如共晶接合法或透過一接合件例如焊錫而接合。
發光裝置106的第一連接電極141可接合在第三引線電極259上，而發光裝置106的第三連接電極145可接合在第一引線電極255上。
也就是，在發光裝置106中，由於第一和第三連接電極141、145係在相同的半導體層連接，當第一和第三連接電極141、145與第一和第三引線電極255、259連接時，即使第一和第三連接電極141、145位置交換，亦不會產生電極性(electric polarity)的改變，所以發光裝置106得以正常地運作。提供具有第二極性之電力的第二連接電極143係係設置在中央區域，而在發光裝置106的下部，提供具有第一極性之電力的第一和第三連接電極141、145係設置在第二連接電極143的雙側，所以對於第一和第二極性之位置的困惑得以被解決且得以防止安裝失敗。也就是，由於該些連接電極141、143、145的極性可能無法被肉眼所辨識，具有一極性的連接電極係位在中央區域以防止因發光裝置安裝失敗所造成之生產率的降低。
第一至第三連接電極141、143、145可與第一至第三引線電極255、257、259以相同間距分隔開。此外，發光裝置106支撐件151的底面可與第一至第三引線電極255、257、259以相同間距分隔開。因此，第一至第三連接電極141、143、145的底面和支撐件151可與第一至第三引線電極255、257、259上表面以相同間距分隔開。
發光裝置106的支撐件151係藉由一黏著件而與第一至第三引線電極255、257、259的上表面接合，所以透過第一至第三引線電極255、257、259達成熱傳導。該黏著件可包含一導熱材料，例如焊錫。第一至第三連接電極141、143、145中的至少一者為複數個以增加相對於第一至第三引線電極255、257、259的電性接合區域以及改善導熱效率。
一塑模件258係設置在凹穴252中。塑模件258包含一透明樹脂材料，例如矽或環氧化合物。塑模件258可包含一螢光粉於其中。塑
模件258可包含至少一透明樹脂層，且該螢光粉能與發光裝置106的上表面接觸或可以與發光裝置106的上表面分隔開。該塑模件258可被省略。
一或複數個發光裝置可被安裝在發光裝置封裝件207中，但實施例並非限定於此。如果具有螢光體層的發光裝置安裝在發光裝置封裝件207中，可不添加螢光粉材料至塑模件258。此外，各種不同的螢光粉材料或發出相似顏色的螢光粉材料可被添加塑模件258。
圖16係如圖15所示之一發光裝置的側剖視圖。圖17至圖19係繪示如圖16所示之一發光裝置的第一至第三連接電極之範例視圖。在接下來之發光裝置的描述，與第一實施例相同部件請參閱第一實施例。
參照圖16至19，發光裝置106包含一基板111、一第一半導體層113、一第一導電半導體層115、一主動層117、一第二導電半導體層119、一反射電極層131、一絕緣層133、第一至第三電極135、136、137、第一至第三連接電極141、143、145、以及一支撐件151。
基板111可包含一透明基板、一絕緣基板或一導電基板。舉例而言，基板111可包含選自由Al2O3、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3、以及GaAs所組成之群組。
第一半導體層113可設置在基板111之下方。第一半導體層113可為一緩衝層及/或一未摻雜半導體層。第一半導體層可被省略或可設置有該緩衝層和該未摻雜半導體層的至少一者，但實施例並非限定於此。
一發光結構120可設置在第一半導體層113或基板111之下方。發光結構120包含III-V族化合物半導體。舉例而言，發光結構120包含具有InxAlyGa1-x-yN(0x1,0y1,0x+y1)化合物化學式的半導體
且可發出具有一預定波峰波長在一紫外光帶至一可見光帶之波長範圍中的光。
發光結構120包含一第一導電半導體層115、一第二導電半導體層119、以及介於第一導電半導體層115和第二導電半導體層119之間的一主動層117。
反射電極層131係設置在第二導電半導體層119和支撐件151之間。反射電極層131包含一歐姆接觸層、一反射層、一擴散阻隔層以及一保護層中之一者。
一取光結構，例如：表面粗糙，可被設置在第二導電半導體層119和反射電極層131中的至少一表面上。該取光結構可改變該入射層的臨界角以改善取光效率。
至少一第一電極135和至少一第一連接電極141係設置在支撐件151的一第一區域A1中，而支撐件151的側邊S11比支撐件151的中央區域更靠近該至少一第一電極135和該至少一第一連接電極141。該至少一第一連接電極141係與該至少一第一電極135連接，而該至少一第一電極135係設置在在該第一導電半導體層之下方115且與第一導電半導體層115電性連接。
至少一第三電極139和至少一第三連接電極145係設置在支撐件151的一第二區域A2中，而支撐件151的側邊S11比支撐件151的中央區域更靠近該至少一第三電極139和該至少一第三連接電極145。該至少一第三連接電極145係與該至少一第三電極139連接，而該至少一第三電極139係設置在在該第一導電半導體層115之下方且與第一導電半導體層115
電性連接。該至少一第一電極135和該至少一第三電極139能與第一導電半導體層115相互不同的區域接觸，但實施例並非限定於此。在發光結構120中，第一和第二區域A1、A2可跟據主動層117的區域而為50%或少於50%。如果第一和第二區域A1、A2的尺寸超過上述範圍，則將減少發光區域。因此將可能降低整體的亮度。第一和第二連接電極141、145可在支撐件151的中央周圍彼此相對。第一至第三連接電極141、143、145的厚度可比第一至第三電極135、137、139厚度厚。
至少一第二電極137和至少一第二連接電極143係設置在支撐件151的中央區域。該至少一第二電極137係設置在第一和第三電極135、139之間，而該至少一第二連接電極143係設置在第一和第三連接電極141、145之間。第一和第三連接電極135、139係與第二連接電極137電性隔離。也就是，於圖式中，雖然該些電極135至139或141至145係串聯排列在支撐件151中，該些電極135至139或141至145可無需串聯排列。舉例而言，至少一第二電極137或第二連接電極143可偏離其它電極或中心線，但實施例並非限定於此。
至少一第二連接電極143係設置在該至少一第二電極137之下方且與該至少一第二電極137電性連接。第二電極137係設置在反射電極層131之下方且與反射電極層131電性連接。
第一和第三電極135、139與主動層117和第二導電半導體層119的側邊分隔開，且可具有一尺寸小於第一導電半導體層115的一暴露的底面。第二電極137可透過反射電極層131而與第二導電半導體層119物性及/或電性接觸。第一至第三電極135、137、139可包含電極墊，但實施
例並非限定於此。
第一至第三電極135、137、139的結構已參照圖4完成說明。第一至第三電極135、137、139可具有相同的堆疊結構或不同的堆疊結構。第二電極137的堆疊結構可小於第一電極135和第三電極139的堆疊結構。舉例而言，第一和第三電極135、139可具有黏著層/反射層/擴散阻隔層/接合層或黏著層/擴散阻隔層/接合層的堆疊結構，而第二電極137可具有黏著層/反射層/擴散阻隔層/接合層或黏著層/擴散阻隔層/接合層的堆疊結構。
第二電極137A的上表區域係與反射電極層131的底面區域相同或至少大於第二連接電極143的上表面區域。
第一至第三電極135、137、139的至少一者可包含一電流分散圖案，該電流分散圖案具有一臂結構或從該電極墊分支的一指狀結構。此外，第一至第三電極135、137、139可包含一電極墊或複數個電極墊，但實施例並非限定於此。
絕緣層133可設置在反射電極層131和支撐件151之間以及發光結構120和支撐件151之間。詳細而言，絕緣層133可設置在第二導電半導體層119的底面、第二導電半導體層119和主動層117的側邊、以及第一導電半導體層115的底面。絕緣層133係設置在發光結構120上除了用於反射電極層131外的下部區域、第一電極135以及第一至第三電極135、137、139以電性保護發光結構120的下部。
絕緣層133可在發光裝置106的側邊暴露出，但實施例並非限定於此。絕緣層133可包含一部份開放區域，而支撐件151可透過該部份開放區域而設置。支撐件151能透過絕緣層133的開放區域而與第一和第二
導電半導體層115、119的底面接觸或能與反射電極層131接觸。如此，得以改善介於支撐件151和絕緣層133的接合力(coupling force)。絕緣層133可由與支撐件151不同的材料所形成或可被省略。
支撐件151係作為一支撐層用以支撐發光裝置106。支撐件151包含一絕緣材料，舉例而言，包含矽或環氧化合物的一樹脂層。該熱擴散劑可被添加至支撐件151。該熱擴散劑可包含具有Al、Cr、Si、Ti、Zn或Zr之氧化物、氮化物、氟化物以及硫化物中的至少一者。該熱擴散劑可為具有預定尺寸的粉末顆粒、微粒、充填物或添加物。在接下來的描述中，為便於說明之目的，將描述包含有該熱擴散劑的支撐件151。該熱擴散劑可包含具有1 Å至100,000 Å之尺寸的一絕緣材料或一導電材料。為了改善熱擴散效率，該熱擴散劑可具有1,000 Å至50,000 Å的尺寸。該熱擴散劑包含一陶瓷材料。該支撐件151可由一透明材料或一非透明材料所形成且製備成單層結構或多層結構，但實施例並非限定於此。對於支撐件151請參照第一實施例。
此外，添加至支撐件151之該熱擴散劑的量可為1wt%至99wt%。為了改善熱擴散效率，50wt%至99wt%的熱擴散劑可被添加至支撐件151。由於該熱擴散劑係添加至支撐件151，導熱性得以在支撐件151的內部更加地改善。此外，支撐件151具有4-11[x106/℃]的熱膨脹係數。上述的熱膨脹係數係與基板111，例如：藍寶石基板，的熱膨脹係數相同或相似，所以晶圓不會由於支撐件151和形成在基板上的發光結構120之間的熱膨脹係數差異而造成翹曲或損壞，藉以改善發光裝置的可靠度。
支撐件151的底面區域係大致與支撐件151的上表面區域相
同。此外，支撐件151的底面區域係與第一導電半導體層115的上表面區域相同。再者，支撐件151的底面寬度可與基板111的上表面寬度和半導體層115的上表面寬度相同。如此，由於獨立晶片係在形成支撐件151後被分割，支撐件151、基板111以及第一導電半導體層115的側邊得以排列在相同平面上。
第一至第三連接電極141、143、145係設置在支撐件151中，且暴露於支撐件151的下部以作為用以提供電力的一引線以及一散熱途徑。第一至第三連接電極141、143、145可具有一柱形。舉例而言，第一至第三連接電極141、143、145可具有一球形、一圓筒形、一多角柱形或一任意形狀。該多角柱形可為一等角柱狀或一非等角柱狀，但實施例並非限定於此。第一至第三連接電極141、143、145的上和底面可具有一圓形狀或一多角形，但實施例並非限定於此。第一至第三連接電極141、143、145的底面區域可與第一至第三連接電極141、143、145的上表面區域不同。舉例而言，第一至第三連接電極141、143、145的底面區域可大於或小於第一至第三連接電極141、143、145的上表面區域。
第一至第三連接電極141、143、145中的至少一者係小於發光結構120的底面寬度但大於第一至第三電極135、137、139之直徑或底面寬度。
第一至第三連接電極141、143、145的直徑或寬度係在1 μm至100,000 μm的範圍內，而第一至第三連接電極141、143、145的高度在1 μm至100,000 μm的範圍。第一和第三連接電極141、145的高度H1可高於第二連接電極143的高度H2，而第一至第三連接電極141、143、145的底面
可排列在相同的平面(也就是，水平面)。第一至第三連接電極141、143、145的底面可與支撐件151之平的底面S6排列在相同的水平面，而第一至第三連接電極141、143、145的至少部份底面可排列在不同的平面。第一至第三連接電極141、143、145的厚度方向係與發光結構120的厚度方向相同。
第一至第三連接電極141、143、145可藉由使用一金屬或一合金而製備成單層。該單層的寬度和高度係在1 μm至100,000 μm的範圍內。舉例而言，該單層具有之厚度大於第二連接電極143的厚度。
第一至第三連接電極141、143、145可包含選自由Ag、Al、Au、Cr、Co、Cu、Fe、Hf、In、Mo、Ni、Si、Sn、Ta、Ti、W及其合金所組成之群組。為了改善相對於第一至第三電極135、137、139的黏著強度，第一至第三連接電極141、143、145可設置有一金屬接合層，該金屬接合層包含選自由In、Sn、Ni、Cu及其合金所組成之群組。此時，該接合層具有在1 Å至100,000 Å範圍內的厚度。
一電鍍層可進一步地設置在第一至第三連接電極141、143、145的表面上。該電鍍層可包含錫(Tin)或其合金、鎳(Ni)或其合金、或Tin-Ag-Cu。此時，該電鍍層可具有一約0.5 μm至10 μm的厚度。該電鍍層可改善對於其它接合層的接合強度。
發光裝置106係透過覆晶法來安裝，所以多數的光係朝向基板111的上表面S1發射出，而部份的光係透過基板111和發光結構120的側邊而發射出。如此，因第一至第三電極135、137、139所造成的光損得以降低。因此，得以改善發光裝置106的取光效率和散熱效率。
參照圖16、17、18，第一至第三連接電極141、143、145可
串聯排列在支撐件151中，舉例而言，可以串聯方式排列在X-軸方向。第一至第三連接電極141、143、145的底面係暴露在支撐件151的底面S12同時與支撐件151的側邊S11分隔開。
第一至第三連接電極141、143、145的中心可在直線方向或對角線方向上排列成一線。第一和第三連接電極141、145係與第一導電半導體層115連接，因此第一和第三連接電極141、145係彼此電性連接。此外，該電流可分散至第一導電半導體層115的不同區域。
於發光裝置106的下部，提供電力之具有第二極性的第二連接電極143係設置在中央區域，而提供電力之具有第一極性的第一和第三連接電極141、145係設置在第二連接電極143的雙側，所以對於第一和第二極性之位置的困惑得以被解決且得以防止安裝失敗。也就是，由於該些連接電極141、143、145的極性可能無法被肉眼所辨識，具有一極性的連接電極係位在中央區域以防止因發光裝置安裝失敗所造成之生產率的降低。
在支撐件151的所有側邊S11中，第一側邊的長度D11係大致與基板111之第一側邊的長度相同，而支撐件151之第二側邊的長度D12係大致與基板111之第二的側邊的長度相同。此外，在第一連接電極141和第三連接電極145之間的距離D15係為兩相鄰電極墊之間的間距且該距離D15對應該發光裝置一側邊長度的1/2或更多。再者，支撐件151的側邊S11可與發光結構120和基板111的側邊排列在相同的平面(也就是，垂直面)。
第一和第二連接電極141、143之間的間距D16可比第一連接電極和第三連接電極141、145的間距D5窄。由於第一和第三連接電極
141、145係藉由間距D15而彼此分離，電流可分散於該發光裝置的整個區域。
支撐件151的底面係大致為平的或不規則，但實施例並非限定於此。
支撐件151與第一和第三電極135、137、139和第一至第三連接電極141、143、145的周邊部接觸。如此，從第一至第三電極135、137、139和第一至第三連接電極141、143、145傳輸的熱可透過支撐件151而擴散及排出。由於該熱擴散劑係提供在支撐件151中，因此得以改善熱傳導，且熱得以透過支撐件151的整個表面而排散。因此，可改善發光裝置106因熱所造成之影響的可靠度。
參照圖18，該發光裝置包含一第三區域A11用以將第一區域A1和第二區域A2連接。第三區域A11係被蝕刻而使部份的第一導電半導體層115暴露出，而用以將第一和第三電極135、139彼此連接的一連接圖案可設置在第三區域A11中。如此，第一和第三電極135、139可共同地與第一和第三連接電極141、145和第一導電半導體層115連接。
參照圖19，在支撐件151中，第一至第三連接電極141、143、145係暴露於支撐件151的底面S12，且在支撐件151中排列成至少兩列，舉例而言，以至少兩列排列在X-軸方向。
圖20顯示具有如圖16之發光裝置的發光模組側剖視圖。
參照圖20，一模組基板170包含第一至第三焊墊173、174、175，其中發光裝置106的第一連接電極141係提供在第一焊墊173上、發光裝置106的第二連接電極143係提供在第二焊墊174上、而發光裝置106
的第三連接電極145係提供第三焊墊175上。第一至第三焊墊173、174、175係藉由一接合材料177，也就是一接合件，而與第一至第三連接電極141、143、145接合。
當第一和第三連接電極141、145與第一和第三焊墊173、175連接時，即使第一和第三連接電極141、145位置交換，亦不會產生電極性(electric polarity)的改變。舉例而言，第三連接電極145可連接在第一焊墊174上，而第一連接電極141可連接在第三焊墊175上，另外發光裝置106即使在上述的電路配置下能正常運作。
於發光裝置106的下部，提供電力之具有第二極性的第二連接電極143係設置在中央區域，而提供電力之具有第一極性的第一和第三連接電極141、145係設置在第二連接電極143的雙側，所以對於第一和第二極性之位置的困惑得以被解決且得以防止安裝失敗。也就是，當該些連接電極141、143、145的極性無法透過支撐件151而被肉眼所辨識時，具有一極性的連接電極係位在中央區域以防止因發光裝置安裝失敗所造成之生產率的降低。
發光裝置106係藉由從第一至第三連接電極141、143、145所提供的電力來運作，而從第一至第三連接電極141、143、145傳輸來的熱係透過支撐件151的整個表面而排散至外部。支撐件151的底面係以一對應合材料174之厚度的距離而與模組基板170的上表面分隔開。
第一至第三連接電極141、143、145的底面和發光裝置106的支撐件151可以相同間距而與模組基板170的上表面分隔開。
雖然僅一發光裝置106設置在模組基板170上，但複數個發
光裝置可排列在模組基板170上，然實施例並非限定於此。
圖21係根據第八實施例繪示具有一發光裝置之一發光裝置封裝件的平面視圖。圖22係如圖21所示之一發光裝置封裝件的側剖視圖。圖23係如圖21所示之一發光裝置的側剖視圖。在接下來之第八實施例的描述中，與第一實施例相同的部件請參照第一實施例。
參照圖21和圖22，發光裝置封裝件206包含一本體251具有一凹穴252、第一至第三引線電極255、257、259其中其至少一部份設置在凹穴252中、一塑模件258、以及一發光裝置107。
在凹穴252的底部中，第一引線電極255係設置在與本體252之第一側邊23相鄰的區域、第三引線電極259係設置在與本體251之第二側邊24相鄰的區域、以及第二引線電極257係設置在第一和第三引線電極255、259之間。空隙部254係分別設置在第一和第二引線電極255、257之間以及第二和第三引線電極257、259之間。
第一引線電極255可設置在本體251之第一側邊23的下方，而部份255A的第一引線電極255可突起至本體251外部。第二引線電極257可設置在本體251之第三和第四側邊25、26中之一者的下方，而部份的第二引線電極257可突起至本體251外部。
第三引線電極259可設置在本體251之第二側邊24的下方，而部份259A的第三引線電極259可突起越過第二側邊24。
在發光裝置107中，第一和第三連接電極141、145係設置在第一和第三引線電極255、259上且與第一和第三引線電極255、259電性連接。發光裝置107的第二引線電極257係設置在第二連接電極143上且與
第二連接電極143電性連接。
如圖7所示之一凹面部可設置在凹穴252的底部中。第一至第三引線電極255、257、259係設置在該凹面部中，而發光裝置107的下部係在該凹面部中與第一至第三引線電極255、257、259電性連接。請參照圖7之該凹面部的詳細結構。
凹穴252的上寬度可比凹穴252的下寬度寬。詳細而言，凹穴252可逐漸地從其下部往上部變寬。凹穴252的一側壁253A包含複數個第一傾斜反射部F1和用以連接第一傾斜反射部F1的第二反射部F2。第一反射部F1的厚度T4係比支撐件151的厚度薄且可在1 μm~100,000 μm或50 μm~1,000 μm的範圍內。
第一反射部F1可連續或不連續沿著凹穴252的週邊表面設置。舉例而言，該些第一反射部F1可設置在凹穴252的兩相對的側邊，而凹穴252的另外兩相對的側邊並未設置第一反射部F1。該些第二反射部F2可配置成彼此平行的平面、或具有不同於第一反射部F1傾斜角度的傾斜面。
圖23係如圖21所示之一發光裝置的側剖視圖。
參照圖23，發光裝置107包含一基板111、一第一半導體層113、一第一導電半導體層115、一主動層117、一第二導電半導體層119、一反射電極層131、一絕緣層133、一第一電極135、一第二電極137、一第一連接電極141、一第二連接電極143、一第三連接電極145、以及一支撐件151。
第一和第三連接電極141、145係與設置在第一導電半導體層115上的第一和第三電極135、135A的電性連接，且第二連接電極143
係透過第二電極137而與第二導電半導體層119連接。
第一和第三連接電極141、145與第二連接電極143分隔開且在第二連接電極143周圍彼此相對或對稱，但實施例並非限定於此。在第一連接電極141和第三連接電極145之間的間距可比第一連接電極141和第二連接電極143之間的間距窄，但實施例並非限定於此。
根據實施例，第三連接電極145係設置在將經蝕刻製程的區域A2。然而，其亦可在將第一和第三電極135、135A彼此連接之後再形成第三連接電極145。
第一和第二圖案區11、12的至少一者可設置在基板111上。第一圖案區11係配置成如一第一凹凸結構，其具有複數個突起物從基板111的上表面S1突起，而第二圖案區12係配置成如一第二凹凸結構，其具有複數個凹槽在該第一凹凸結構中。該第二凹凸結構係設置在該第一凹凸結構上且由具有一小於該些突起物尺寸的一微(micro)凹凸構造(micro concavo-convex configuration)所界定。
第一圖案區11的該些突起物可從基板111的上表面S1突起或可具有一浮雕狀(embossing shape)。根據另一範例，第一圖案區11可為具有小於基板111上表面之一小深度的凹槽或雕刻。第二圖案區12的凹面可以小於第一圖案區11之突起物尺寸的一凹雕形(intaglio shape)或一凹槽形(recess shape)來設置在第一圖案區11的表面上。根據另一範例，第二圖案區12可具有一浮雕狀或一凸面狀，且可設置有小於第一圖案區11突起物尺寸的微突起物。第一圖案區11可排列成一矩陣或一柵格(lattice)的形式。第一圖案區11的突起物的剖面可具有一半球形、一圓錐形、一多角錐形、一柱
形，例如圓柱或多角柱形、或一截圓錐形(truncated cone)。當俯視時，每一突起物可具有一圓形狀、一多角形、或一球形和一平面的混合形。
第二圖案區12的凹面可具有一半球形、一圓錐形、一多角錐形、一柱形，例如圓柱或多角柱形、或一截圓錐形的剖面。當俯視時，第二圖案區12可具有一圓形狀、一多角形、或一球形和一平面的混合形。
第一和第二圖案區11、12改變入射光的臨界角以減少光全反射的比率，藉以改善取光效率。如此，如果該發光裝置設置在如圖1所示之該發光裝置封裝件的凹穴中時，得以更加改善取光效率。
一螢光體層可設置在基板111上。該螢光體層可與基板111的第一和第二圖案區11、12接觸、或可從基板111的第一和第二圖案區11、12分隔開，但實施例並非限定於此。
圖24至圖29繪示如圖16所示之一發光裝置之製造流程的視圖。雖然下列描述係以獨立的元件以方便說明，然發光裝置係以晶圓級來製造且該獨立元件係透過後述製程來製造。然而，該獨立元件的製造並非限定於將於稍後所描述的製程，但對於該獨立元件的製程可增加或減少。
參照圖24，基板111係裝載在成長設備，包含II至VI族元素得化合物半導體係以層或圖案方式設置在基板111上。基板111作為一成長基板。
基板111可包含一透明基板、一絕緣基板、或一導電基板。舉例而言，基板111可包含選自由Al2O3、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3、以及GaAs所組成之群組。基板111的上表面可設置有一取光結構，例如一凹凸圖案。該凹凸圖案改變光的臨界角，藉以改善取光效率。
該成長設備包含一電子束蒸發器(E-beam evaporator)、物理氣相沉積(PVD)設備、化學氣相沉積(CVD)設備、電漿雷射沉積(PLD)設備、雙型式熱蒸發器(dual-type theraml evaporator)、濺鍍設備、或金屬有機化學汽相沈積(MOCVD)設備，但實施例並非限定於此。
第一半導體層113係設置在基板111上。第一半導體層113可藉由使用包含III-V族元素的化合物半導體來設置。第一半導體層113可作為一緩衝層以減少對於基板的晶格失配。第一半導體層113可為一未摻雜半導體層包含一GaN基半導體，其係故意不摻雜。
發光結構120可設置在第一半導體層113上。發光結構120包含依序設置的第一導電半導體層115、主動層117、以及第二導電半導體層119。如此，發光結構120可具有N-P接合結構、P-N接合結構、N-P-N接合結構、以及P-N-P接合結構中的一者。
參照圖25，蝕刻製程係在發光結構120的第一和第二區域A1、A2進行。發光結構120的第一和第二區域A1、A2可暴露出第一導電半導體層115，而第一導電半導體層115所暴露出的部份可低於主動層117的上表面。
在蝕刻製程期間，在使用遮罩圖案(mask)遮蓋(marking)發光結構120上表面之後，發光結構120的第一區域A1進行乾蝕刻。該乾蝕刻可藉由使用感應耦合電漿(ICP)設備、反應離子蝕刻(RIE)設備、電容式耦合電漿(CCP)設備、以及電子迴旋共振(ECR)設備中的至少一者來進行。該蝕刻製程可透過濕蝕刻製程來進行，但實施例並非限定於此。
發光結構120的第一和第二區域A1、A2係為預定蝕刻區域
且可設置一或複數個區域A1、A2。
參照圖26，反射電極層131係設置在發光結構120上。反射電極層131具有小於第二導電半導體層119之上表面的區域以防止當製造反射電極層131時所造成的短路。在使用遮罩圖案遮蓋以一預定距離而與上邊緣(upper edge)分隔開的區域以及發光結構120的第一區域A1之後，藉由使用濺鍍設備及/或沈積設備來沉積反射層131，而反射電極層131可包含一具有至少70%或90%之反射率的材料。
反射電極層131可包含歐姆接觸層/反射層/擴散阻隔層/保護層、反射層/擴散阻隔層/保護層、歐姆接觸層/反射層/保護層、或反射層的結構。參照第一實施例對於材料和每一層厚度的描述。如圖25和圖26所示之程序係可互換，但實施例並非限定於此。
參照圖27，第一和第三電極135、139係設置在第一導電半導體層115上、而第二電極137係設置在反射電極層131上。第一至第三電極135、137、139可在使用遮罩圖案遮蓋除了該電極區域之外的區域後，藉由使用濺鍍設備及/或沈積設備來設置，但實施例並非限定於此。第一至第三電極135、137、139可包含選自由Cr、Ti、Co、Ni、V、Hf、Ag、Al、Ru、Rh、Pt、Pd、Ni、Mo、W、La、Ta、Ti及其合金所組成之群組。第一至第三電極135、137、139可製備成多層。舉例而言，第一至第三電極135、137、139可包含該黏著層、該反射層、該擴散阻隔層、以及該接合層中的至少兩者並藉由使用上述元件來設置。第一至第三電極135、137、139可透過相同製程而具有相同的堆疊結構，但實施例並非限定於此。
第二電極137可與反射電極層131和第二導電半導體層119
物性接觸。
絕緣層133係透過濺鍍或沈積製程而設置在反射電極層131上。絕緣層133係設置在除了用於第一至第三電極135、137、139之區域外的整個反射電極層131區域，藉以覆蓋反射電極層131和第二導電半導體層119的上表面以及第一導電半導體層115的暴露部。
絕緣層133包含一絕緣材料或一絕緣樹脂，其藉由使用包含Al、Cr、Si、Ti、Zn或Zr的氧化物、氮化物、氟化物或硫化物來設置。舉例而言，絕緣層133可包含選自由SiO2、Si3N4、Al2O3以及TiO2所組成之群組。絕緣層133可製備成單層或多層，但實施例並非限定於此。
用來形成如圖27所示之電極135、137、139的程序係可與用來形成如圖26所示之絕緣層133的程序互換。
參照圖28，第一連接電極141係接合在第一電極135上、第二連接電極143係接合在第二電極137上、以及第三連接電極145係接合在第三電極139上。第一和第三連接電極141、145包含一導電焊墊，例如錫球及/或金屬凸塊，且係分別地與第一和第三電極135、139接合。第一和第三連接電極141、145可與第一導電半導體層115上表面垂直排列。第二連接電極143包含一導電焊墊，例如錫球及/或金屬凸塊，且係接合在第二電極137上。第二連接電極143可與第二導電半導體層119上表面垂直排列。
參照圖29，支撐件151係透過塗刷法(squeegee scheme)、點膠法(dispensing scheme)或模塑法(molding scheme)而以一預定厚度來設置在絕緣層133上。支撐件151係藉由添加熱擴散劑至一樹脂，例如矽或環氧化合物，而製備成一絕緣支撐層。
熱擴散劑可包含具有Al、Cr、Si、Ti、Zn或Zr的氧化物、氮化物、氟化物以及硫化物中的至少一者。舉例而言，該熱擴散劑可包含一陶瓷材料。該熱擴散劑可為具有一預定尺寸的粉末顆粒、微粒、充填物或添加物。
該熱擴散劑包含陶瓷材料。該陶瓷材料包含低溫共燒陶瓷(LTCC)或高溫共燒陶瓷(HTCC)。該陶瓷材料可包含金屬氮化物其具有導熱性高於氮化物或氧化物。舉例而言，該金屬氮化物可包含具有導熱性等於或高於140W/mK的材料。舉例而言，該陶瓷材料包含選自由SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、BN、Si3N4、SiC(SiC-BeO)、BeO、CeO、以及AlN所組成之群組。該導熱材料可包含碳元素，例如金剛石或CNT。此外，添加至支撐件151之熱擴散劑的量可為1~99 wt%。為了改善熱擴散效率，添加至少50 wt%的熱擴散劑至支撐件151。
支撐件151可藉由使用球磨機(ball mill)、行星式球磨機(planetary ball mill)、旋漿磨機(impellor mixing)、珠磨機(bead mill)or籃式磨機(basket mill)而將聚合物與油墨或膠漿混合而設置。在本例中，可使用一溶劑和一分散劑(dispersing agent)而得以均勻分散該混合物。該溶劑係添加來調整黏度。至於油墨，添加3至400 Cps的溶劑。此外，至於膠漿，添加100至一百萬Cps的溶劑。該溶劑可包含選自由水、甲醇、乙醇、異丙醇、butylcabitol、MEK、甲苯、二甲苯、diethyleneglycol(DEG)、甲醯胺(FA)、α-萜品醇(TP)、γ-butylrolactone(BL)、2-甲氧乙醇(MCS)、Propylmethylcellosolve(PM)、及其一組合所組成之群組。為了強化顆粒間的結合強度，矽烷基添加物，例如1-Trimethylsilylbut-1-yne-3-ol、
Allytrimethylsilane、Trimethylsilyl methanesulfonate、Trimethylsilyl tricholoracetate、Methyl trimethylsilylacetate、或Trimethylsilyl propionic acid，可被添加至溶劑中。在此情況下，可能發生膠化(gelation)，所以添加矽烷基添加物必須要謹慎。支撐件151可在預定溫度下固化，舉例而言，200℃±100℃，而此固化溫度並不會對半導體層造成影響。
在製造過程中，該連接電極，例如焊錫凸塊，係預先製造且被結合，而該支撐件係提供在該連接電極周圍。相較下，在印刷或點膠包含油墨或膠漿的絕緣層之後，固化該絕緣層，然後一導電材料被填充在對應該連接電極的孔中，藉以形成該連接電極。
支撐件151係圍繞著第一至第三連接電極141、143、145和第一至第三電極135、137、139填充。第一至第三連接電極141、143、145的上表面係支撐件151的上表面而暴露出。
支撐件151係為一絕緣支撐層，其支撐第一至第三連接電極141、143、145。在另一範例中，第一和第二連接電極141、143可在連接電極孔形成支撐件151後而設置。
支撐件151具有對應第一和第二連接電極141、143之上表面的厚度或足以暴露出第一至第三連接電極141、143、145之上表面的厚度。
然後，基板111的上表面係經研磨而使基板111具有300 μm或更小的厚度，詳細而言，在130 μm至150 μm的範圍內。舉例而言，約150 μm。由於支撐件151係提供在相對於基板111的發光裝置100中，基板111可作為一發光層，因此基板111的厚度可變薄。可對於支撐件151以及第一至第三連接電極141、143、145的表面進行化學機械研磨(CMP)，但實施例
並非限定於此。
此外，在基板111的上表面進行蝕刻製程以形成一圖案區，該圖案區具有複數個凸部。螢光體層116可設置在基板111的上表面和側邊的至少一者之上。螢光體層161包含具有螢光粉的一透明樹脂層。該透明樹脂層包含矽或環氧化合物，且該螢光粉包含選自由YAG、TAG、矽酸鹽、氮化物、以及氮氧化基材料所組成之群組。該螢光粉包含紅色螢光粉、黃色螢光粉以及綠色螢光粉中的至少一者且激發從主動層117所射出之部份的光以轉換該光的波長。該螢光體層具有1 μm至100,000 μm或1 μm至10,000 μm範圍內的厚度。該螢光體層的厚度係為發光結構120與寬同向的長度(widthwise length)。
透過上述製程所製造的發光裝置係以晶圓層級來進行封裝且透過雕繪(scribing)、斷開(breaking)及/或切割工作而分割成獨立晶片，因此可提供如圖1所示之發光裝置。由於發光裝置係以晶圓層級封裝，該發光裝置得以透過覆晶法(flip bonding scheme)無需使用導線而安裝在該模組基板上。此外，由於出光面係朝發光結構的上表面和側邊排列而非朝向電極，因此光損得以降低且得以改善亮度和光分佈。
圖30係根據第九實施例繪示一發光裝置的側剖視圖。在接下來之第九實施例的描述，對於與第一實施例相同的部件請參閱第一實施例的描述。
參照圖30，該發光裝置包含一第一導電半導體層115、一主動層117、一第二導電半導體層119、一反射電極層131、一絕緣層133、第一至第三電極135、137、139、第一至第三連接電極141、143、145、一支
撐件151、以及一螢光體層161。
如圖2所示之基板已在該發光裝置中從發光結構120移除。該基板可透過物理和化學法中之一者而移除。舉例而言，該基板可藉由在基板上照射雷射而與發光結構120分離，但實施例並非限定於此。
該圖案區，例如凹凸圖案，可設置在發光結構120的上表面上。該圖案區可藉由蝕刻第一導電半導體層115的上部而形成，但實施例並非限定於此。此外，螢光體層161可至少設置在發光結構120上表面和側邊中的上表面。螢光體層161可轉換從發光結構120所射出的光。
螢光體層161包含具有螢光粉的一透明樹脂層。該透明樹脂層包含矽或環氧化合物，且該螢光粉包含選自由YAG、TAG、矽酸鹽、氮化物、以及氧-氮化物基(oxy-nitride-based)材料所組成之群組。該螢光粉包含一紅色螢光粉、一黃色螢光粉以及一綠色螢光粉中的至少一者，且激發(excite)從主動層117所射出的光以轉換將被射出之光的波長。
圖31係根據第十實施例繪示一發光裝置的側剖視圖。圖32係根據第一範例如圖31所示之一發光裝置的仰視圖。圖33係根據第二範例如圖31所示之一發光裝置的仰視圖。圖34係根據第三範例如圖31所示之一發光裝置的仰視圖。在接下來之第十實施例的描述，對於與第一實施例相同的部件請參閱第一實施例的描述。
參照圖31和圖32，發光裝置108包含一基板111、一第一半導體層113、一第一導電半導體層115、一主動層117、一第二導電半導體層119、一反射電極層131、一絕緣層133、第一至第三電極135、137、138、第一至第三連接電極142、144、146、以及一支撐件151。
根據實施例，連接至第一導電半導體層115的至少一第一電極135係設置在中央區域A3，而連接至反射電極層131的至少一第二電極137和至少一第三電極138係設置在該至少一第一電極135的兩側。
在該支撐件151中，至少一第一連接電極142係設置在該至少一第一電極135之下方、至少一第二連接電極144係設置在該至少一第二電極137之下方、以及至少一第三連接電極146係設置在該至少一第三電極138之下方。該至少一第二電極137和該至少一第三電極138係設置在反射電極層131之下方且與反射電極層131電性連接。該至少一第二電極137和該至少一第三電極138可連接至反射電極層131的不同區域，但實施例並非限定於此。
如圖31和32所示，支撐件151的側邊S11比支撐件151底面S12的中央區域更靠近該至少一第二連接電極144，而支撐件151的側邊S11比支撐件151底面S12的中央區域更靠近該至少三第二連接電極146。
第一至第三電極135、137、138中的至少一者可包含一電流擴散圖案具有一臂狀結構或從該電極墊分支的一指狀結構。此外，第一至第三電極135、137、138可包含一電極墊或複數個電極墊，但實施例並非限定於此。
第一至第三連接電極142、144、146係設置在支撐件151中且暴露在支撐件151的下部以作為引線用以提供電力以及散熱途徑。第一至第三連接電極142、144、146可具有一柱形。舉例而言，第一至第三連接電極142、144、146可具有一球形、一圓筒形、一多角柱形或一任意形狀。該多角柱形可為一等角柱狀或一非等角柱狀，但實施例並非限定於此。第
一至第三連接電極142、144、146的上表面和底面可具有一圓形或一多角形，但實施例並非限定於此。第一至第三連接電極142、144、146的底面區域可不同於第一至第三連接電極142、144、146的上表面區域。舉例而言，第一至第三連接電極142、144、146的底面區域可大於或小於第一至第三連接電極142、144、146的上表面區域。
第一至第三連接電極142、144、146的底面可排列在相同的平面(也就是，水平面)。第一至第三連接電極142、144、146的底面可與支撐件151的平的底面S12排列在相同的水平面，而至少部份之第一至第三連接電極142、144、146的底面可排列在不同的平面。
在支撐件151中，第一至第三連接電極142、144、146可排列成如圖14所示之一列(row)或成如圖15所示之至少兩列。第一至第三連接電極142、144、146的中心可排列在相同的線上。排列成不同列的第一至第三連接電極142、144、146可設置在相同的中心線上，但實施例並非限定於此。第一和第三電極142、146係與第二導電半導體層119連接，因此第一和第三電極142、146係彼此電性連接。
根據上述結構，第一電極135的數量可小於第二和第三電極137、138的數量，所以主動層117的區域得以增加，因此可防止發光區的減少。此外，如果第二和第三連接電極144、146位置交換，在發光裝置中亦不會產生電極性(electric polarity)的改變。提供具有第一極性之電力的第一連接電極142係係設置在中央區域，而在發光裝置106中，提供具有第二極性之電力的第二和第三連接電極144、146係設置在第一連接電極142的雙側，所以對於第一和第二極性之位置的困惑得以被解決且得以防止安裝失
敗。也就是，由於該些連接電極142、144、146的極性可能無法透過支撐件151而被肉眼所辨識，具有一極性的連接電極係位在預定的中央區域以防止因發光裝置安裝失敗所造成之生產率的降低。
參照圖34，該發光裝置包含第二和第三連接電極144、146設置在支撐件151的角落區域。此外，至少一第一連接電極142係設置在支撐件151的中央區域。根據此種配置，具有一極性之連接電極的數量與具有另一極性之連接電極的數量相比較之下可增加四倍。此外，由於該些連接電極係設置在支撐件151的每一角落區域，電流可在發光結構的整個區擴散。
圖35係根據第十一實施例繪示一發光裝置的側剖視圖。圖36係根據第一範例如圖35所示之一發光裝置的仰視圖。圖37係根據第二範例如圖35所示之一發光裝置的仰視圖。在接下來之第十一實施例的描述中，與第一實施例相同的部件請參照第一實施例。
參照圖35，發光裝置109包含一基板111、一第一半導體層113、一第一導電半導體層115、一主動層117、一第二導電半導體層119、一反射電極層131、一絕緣層133、第一和第三電極135、139、複數個第二電極137、137A、第一和第三連接電極141、145、複數個第二連接電極143、143A、以及一支撐件151。
該發光裝置包含第二電極137、137A以及第二連接電極143、143A於支撐件151的中央區域。第二連接電極143、143A可與第二電極137、137A中一者連接，但實施例並非限定於此。第二連接電極143、143A可彼此分離且與反射電極層131電性連接。
第一和第三電極135、139係設置在第一導電半導體層115和第一與第三連接電極141、145之間。
在支撐件151中，第一至第三連接電極141、143、143A、145可排列成如圖36所示之一列(row)或成如圖37所示之至少兩列。再另一範例，在支撐件151中，第一連接電極141係排列在第一列、第二連接電極143、143A中的至少一者係排列在第二列、而第三連接電極145係排列在第一列和第二列中的至少一列或可與該些列偏離，但實施例並非限定於此。
圖38係根據第十二實施例繪示一發光裝置的側剖視圖。圖39係根據第一範例如圖38所示之一發光裝置的仰視圖。圖40係根據第二範例如圖38所示之一發光裝置的仰視圖。在接下來之第十二實施例的描述中，與第一實施例相同的部件請參照第一實施例。
參照圖38，發光裝置109A包含一基板111、一第一半導體層113、一第一導電半導體層115、一主動層117、一第二導電半導體層119、一反射電極層131、一絕緣層133、複數個第一電極135、135A、第二和第三電極137、138、複數個第一連接電極141、141A、第二和第三連接電極147、148、以及一支撐件151。
發光裝置109A包含第一電極135、135A以及第一連接電極141、141A於支撐件151的中央區域。第一連接電極141、141A可與第一電極135、135A中之至少一者連接，或以一對一與第一電極135、135A連接，但實施例並非限定於此。第一連接電極141、141A可彼此分離且與第二和第三電極147、148電性隔離，但實施例並非限定於此。
在支撐件151中，第一至第三連接電極141、141A、147、148
可排列成如圖39所示之一列(row)或成如圖40所示之至少兩列。再另一範例，在支撐件151中，第一連接電極141係排列在第一列、第一連接電極141A中的至少一者係排列在第二列、而第二連接電極147、148係排列在第一列和第二列中的至少一列或可與該些列偏離，但實施例並非限定於此。
圖41係根據第十三實施例繪示一發光裝置的側剖視圖。
參照圖41，發光裝置109B包含一基板111、一第一半導體層113、一第一導電半導體層115、一主動層117、一第二導電半導體層119、一反射電極層131、一絕緣層133、一第一電極135B、第二和第三電極137、138、複數個第一連接電極141、141A、第二和第三連接電極147、148、以及一支撐件151。
第一連接電極141、141A係設置在第一電極135B上且彼此連接。與第一導電半導體層115接觸之第一電極135B上部的寬度係比第一電極135B下部的寬度窄，且第一電極135B對應第一連接電極141、141A。圖案區112的至少一者，例如凹凸圖案、以及一螢光體層161可設置在基板111的上表面上。
根據實施例的發光裝置或發光裝置封裝件可應用至一照明系統。該照明系統包含排列(arrayed)有複數個發光裝置或複數個發光裝置封裝件的結構。該照明系統包含如圖42和圖43所示之一顯示裝置、如圖44所示之一照明裝置、一照明燈、一訊號燈、一車輛頭燈、以及一電子顯示器。
圖42係根據實施例繪示具有該發光裝置封裝件之一顯示裝
置的示意圖。
參照圖42，根據實施例的一顯示裝置1000包含一導光板1041、一發光模組1031以供應光至導光板1041、一反射件1022在導光板1041之下方、一光學片1051在導光板1041上、一顯示面板1061在光學片1051上、以及一底蓋1011以容置導光板1041、發光模組1031、以及反射件1022，但實施例並非限定於此。
底蓋1011、反射片1022、導光板1041、光學片1051、以及發光單元1050可界定成一發光單元1050。
導光板1041擴散從發光模組1031提供的光以提供表面光。導光板1041可包含一透明材料。舉例而言，導光板1041可包含丙烯醯基樹脂中之一者，例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、環烯烴共聚物(COC)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)樹脂。
發光模組1031係設置在導光板1041的至少一側上以供應光至導光板1041的至少一側。發光模組1031作為顯示裝置的光源。
設置至少一發光模組1031以直接或間接從導光板1041的一側供應光。發光模組1031可包含一電路板1033以及根據實施例的發光裝置或發光裝置封裝件200。根據實施例的發光裝置封裝件200或/及發光裝置係排列在電路板1033上同時以一預定間距彼此分離。
電路板1033可包含一印刷電路板(PCB)，其包含一電路圖案(未繪示)。此外，電路板1033亦可包含一金屬核心印刷電路板(MCPCB)或一可撓式PCB(EPCB)和一典型的PCB，但實施例並非限定於此。如果發光裝置封裝件200設置在底蓋1011的側邊或一散熱板上，則電路板1033可被省
略。該散熱板與底蓋1011的上表面部份地接觸。
此外，發光裝置封裝件200的排列為：使發光裝置封裝件200發散光的出光面在電路板1033上以一預定距離而與導光板1041分隔開，但實施例並非限定於此。發光裝置封裝件200可直接或間接供應光至導光板1041之一側的入光面，但實施例並非限定於此。
反射件1022係設置在導光板1041之下方。反射件1022將透過導光板1041的底面向下行進的光朝向顯示面板1061反射，藉以改善發光單元1050的亮度。舉例而言，反射件1022可包含PET、PC或PVC樹脂，但實施例並非限定於此。反射件1022可作為底蓋1011的上表面，但實施例並非限定於此。
底蓋1011可容置導光板1041、發光模組1031、以及反射件1022於其中。為此目的，底蓋1011具有一容置區1012，該容置區1012具有一開放上表面的盒狀，但實施例並非限定於此。底蓋1011可與上蓋(未繪示)接合，但實施例並非限定於此。
底蓋1011可由金屬材料或樹脂材料所形成，且可以壓製或擠壓模製成形。底蓋1011亦可包含具良好熱傳導性之金屬或非金屬材料，但實施例並非限定於此。
顯示面板1061，舉例而言，係為一LCD面板，其包含彼此相對的第一和第二透明基板，且一液晶層插設在第一和第二基板之間。顯示面板1061之至少一表面可附著一偏光板，但實施例並非限定於此。顯示面板1061以穿過該光學薄片1051之光來顯示資訊。顯示裝置1000可應用至各種不同的行動終端、筆記型電腦螢幕、監視器或膝上型電腦、以及電
視。
光學片1051係設置在顯示面板1061和導光板1041之間且包含至少一透射片(transmissive sheet)。舉例而言，光學片1051包含選自由一擴散片、一水平和垂直稜鏡片、以及一增光片所組成之群組的至少一者。該擴散片擴散該入射光，該水平和垂直稜鏡片集中該入射光至顯示面板1061上，而該增光片藉由再使用失逸的光來改善亮度。此外，一保護片可設置在顯示面板1061上，但實施例並非限定於此。
導光板1041和光學片1051可設置在發光模組1031的光路徑中作為光學件，但實施例並非限定於此。
圖43係為根據實施例繪示一顯示裝置的剖視圖。
參照圖43，顯示裝置1100包含一底蓋1152、一電路板1120其中發光裝置封裝件200係排列在電路板1120上、一光學件1154、以及一顯示面板1155。
電路板1120和發光裝置封裝件200可構成發光模組1160。此外，底蓋1152、至少一發光模組1160、以及光學件1154可構成該發光單元。底蓋1151可設置有一容置區1153，但實施例並非限定於此。發光模組1160包含一電路板1120、以及複數個發光裝置排列在電路板1120上或一發光裝置封裝件200。
光學件1154可包含選自由一透鏡、一導光板、一擴散片、一水平和垂直稜鏡片、以及一增光片所組成之群組的至少一者。該導光板可包含聚碳酸酯(PC)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。該導光板可被省略。該擴散片擴散入射光，該水平和垂直稜鏡片集中該入射光至一顯示區域，而
該增光片藉由再使用失逸的光來改善亮度。
光學件1154係設置在發光模組1160之上方以轉換從發光模組1160所射出的光成為表面光。
圖44係為具有該發光裝置之發光裝置封裝件的一照明單元示意圖。
參照圖44，照明單元1200可包含一殼體1210、一發光模組1230包含在殼體1210中、以及一連接端子1220包含在殼體1210中並供應自外部電源的電力。
殼體1210係較佳地由具有良好熱屏蔽特性的材料所形成，舉例而言，一金屬材料或一樹脂材料。
發光模組1230可包含一基板1232、以及根據實施例的至少一發光裝置封裝件200安裝在基板1232上。發光裝置封裝件200可包含複數個發光裝置封裝件，該些發光裝置封裝件彼此以一預定距離分離排列並配置成一矩陣形式。
基板1232可為一印有電路圖案的絕緣基板，且可包括，舉例而言：印刷電路板(PCB)、金屬核心(MC)印刷電路板、可撓式(flexible)印刷電路板、陶瓷(ceramic)印刷電路板、FR-4基板等。
同時，基板1232可包含一有效反射光線的材料，且其表面可塗上顏色，舉例而言：白色或銀色，以有效反射光線。
至少一發光裝置封裝200可安裝在基板700上。每一發光裝置封裝200可包括至少一發光二極體(LED)晶片。該發光二極體可包含一發出紅、綠、藍、或白光的發光二極體，以及一發出紫外線(UV)的紫外線
發光二極體。
發光模組1230可有不同之發光裝置的組合，以獲得所需要的顏色和亮度。舉例而言，發光模組1230可具有白光二極體、紅光光二極體、及綠光二極體的組合，以此獲得高現色性指數(CRI)。
連接端子1220可與發光模組1230電性連接以提供電力。連接端子1220為牙槽(socket)形式並與一外部電源螺接，但實施例並非限定於此。例如，連接端子1220可以製成一插銷式且插入一外部電源，或可藉由一電線而外部電源連接。
在本說明書中所指之「一實施例」、「一個實施例」、「示範實施例」意指與實施例結合而描述的一特定特徵、結構、或特色包含在本發明之至少一實施例中。在本說書各處出現的此類名稱不一定都指稱同一實施例。再者，當與任何實施例結合而描述特定特徵、結構、或特色時，則結合該等實施例中之其他者來實現此特徵、結構或特性是在熟習此項技術者之能力範圍內。
雖然參考實施例之許多說明性實施例來描述實施例，但應理解，熟習此項技術者可想出將落入本發明之原理的精神及範疇內的眾多其他修改及實施例。更特定言之，在本發明、圖式及所附申請專利範圍之範疇內，所主張組合設置之零部件及/或設置的各種變化及修改為可能的。除了零部件及/或設置之變化及修改外，對於熟習此項技術者而言替代用途亦將顯而易見。
23‧‧‧第一側邊
24‧‧‧第二側邊
100‧‧‧發光裝置
111‧‧‧基板
120‧‧‧發光結構
131‧‧‧反射電極層
141‧‧‧第一連接電極
143‧‧‧第二連接電極
151‧‧‧支撐件
200‧‧‧發光裝置封裝件
211‧‧‧本體
212‧‧‧凹穴
213‧‧‧側壁
214‧‧‧空隙部
215‧‧‧第一引線電極
217‧‧‧第二引線電極
218‧‧‧塑模件
M1‧‧‧間距
S2‧‧‧側邊
Claims (18)
- 一種發光裝置，包含：一發光結構，包含一第一導電半導體層、一第二導電半導體層在該第一導電半導體層之下方、以及一主動層在該第一半導體層和該第二半導體層之間；一支撐件在該發光結構之下方；一反射電極層在該第二導電半導體層和該支撐件之間；以及一第一連接電極、一第二連接電極及一第三連接電極，該些電極在該支撐件中彼此分隔開，其中，該第二連接電極係設置在該第一連接電極和該第三連接電極之間，該第一連接電極和該第三連接電極係彼此電性連接，且與該第二電極電性絕緣，以及該支撐件係設置在該第一至該第三連接電極的一周邊部。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包含一第一電極在該第一導電半導體層和該第一與該第三連接電極之間，以及一第二電極在該反射電極層和該第二連接電極之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包含一第二電極在該反射電極層和該第一與該第三連接電極之間；以及一第一電極在該第二連接電極和該第一導電半導體層之間。
- 如申請專利範圍第2項或第3項所述之發光裝置，其中該第一至該第三連接電極中之至少一者包含複數個彼此分隔開的連接電極。
- 如申請專利範圍第2項或第3項所述之發光裝置，其中每一個該第一至該第三連接電極係形成為複數個，且該複數個第一至第三連接電極係彼此分隔開。
- 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之發光裝置，其中該支撐件的厚度比該第一至該第三連接電極的厚度厚。
- 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之發光裝置，其中該第一 至該第三連接電極的底面係暴露在該支撐件的底面。
- 如申請專利範圍第7項所述之發光裝置，其中該支撐件的底面係與該第一至該第三連接電極的底面排列在一相同平面。
- 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之發光裝置，其中該支撐件包含一添加陶瓷材料的樹脂材料，且該支撐件的側邊係與該發光結構的側邊排列在一相同平面。
- 如申請專利範圍第9項所述之發光裝置，更包含一絕緣層在該反射電極層和該支撐件之間。
- 如申請專利範圍第2項或第3項所述之發光裝置，更包含一透明基板在該發光結構上。
- 如申請專利範圍第11項所述之發光裝置，其中該第一電極包含複數個第一電極對應該第一和該第三連接電極。
- 如申請專利範圍第11項所述之發光裝置，其中該支撐件的厚度比該透明基板的厚度厚。
- 如申請專利範圍第11項所述之發光裝置，更包含一取光結構在該透明基板的上表面和底面中的至少一者上。
- 如申請專利範圍第11項所述之發光裝置，更包含一螢光體層在該透明基板上。
- 如申請專利範圍第11項所述之發光裝置，其中該支撐件的厚度比該第一至該第三連接電極的厚度厚，且該支撐件的的底面與該透明基板的上表面平行。
- 如申請專利範圍第11項所述之發光裝置，其中該支撐件底面的寬度與該透明基板上表面的寬度相等。
- 一種發光裝置封裝件，包含：一本體具有一凹穴；一第一引線電極在該本體的該凹穴中； 一第三引線電極在該本體的該凹穴中；一第二引線電極設置在該凹穴中的該第一和該第三引線電極之間；一發光裝置設置在該第一至該第三引線電極上且與該第一至該第三引線電極電性連接；以及多個空隙部插設在該第一至該第三引線電極之中，其中該發光裝置包含：一發光結構，包含一第一導電半導體層、一第二導電半導體層在該第一導電半導體層之下方、以及一主動層在該第一半導體層和該第二半導體層之間；一支撐件在該發光結構之下方；一反射電極層在該第二導電半導體層和該支撐件之間；以及一第一連接電極、一第二連接電極及一第三連接電極，該些電極在該支撐件中彼此分隔開，以及其中，該第二連接電極係設置在該第一連接電極和該第三連接電極之間，該第一連接電極和該第三連接電極係彼此電性連接，且與該第二電極電性絕緣，該支撐件係設置在該第一至該第三連接電極的一周邊部。該第一至該第三引線電極係以一相同間距與該支撐件和該第一至該第三連接電極分隔開。
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