JPH11163408A - 発光ダイオードアレイ - Google Patents
発光ダイオードアレイInfo
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- JPH11163408A JPH11163408A JP32845297A JP32845297A JPH11163408A JP H11163408 A JPH11163408 A JP H11163408A JP 32845297 A JP32845297 A JP 32845297A JP 32845297 A JP32845297 A JP 32845297A JP H11163408 A JPH11163408 A JP H11163408A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 島状半導体層近傍における電極の配線パター
ンの有無によって発光ダイオードに発光ばらつきが発生
するという問題があった。 【解決手段】 一導電型半導体層２と逆導電型半導体層
３とが積層された複数の島状半導体層を基板１上に列状
に配置して、この一導電型半導体層２に共通電極５を接
続して設けると共に、上記逆導電型半導体層３に個別電
極４を接続して設けた発光ダイオードアレイであって、
上記島状半導体層の配列方向の同じ側から上記隣接する
逆導電型半導体層３毎に同じ個別電極４に接続して上記
基板１の対向する端面側に交互に引き出すと共に、上記
島状半導体層の配列方向の両側に上記共通電極５を設け
て、上記島状半導体層の配列方向の反対側から上記同じ
個別電極４に接続された逆導電型半導体層３下部の一導
電型半導体層２毎に上記両側の共通電極５ａ、５ｂに交
互に振り分けて接続し、この個別電極４と共通電極５に
接続するための配線が通過しない島状半導体層間にダミ
ー配線７を設けた。
ンの有無によって発光ダイオードに発光ばらつきが発生
するという問題があった。 【解決手段】 一導電型半導体層２と逆導電型半導体層
３とが積層された複数の島状半導体層を基板１上に列状
に配置して、この一導電型半導体層２に共通電極５を接
続して設けると共に、上記逆導電型半導体層３に個別電
極４を接続して設けた発光ダイオードアレイであって、
上記島状半導体層の配列方向の同じ側から上記隣接する
逆導電型半導体層３毎に同じ個別電極４に接続して上記
基板１の対向する端面側に交互に引き出すと共に、上記
島状半導体層の配列方向の両側に上記共通電極５を設け
て、上記島状半導体層の配列方向の反対側から上記同じ
個別電極４に接続された逆導電型半導体層３下部の一導
電型半導体層２毎に上記両側の共通電極５ａ、５ｂに交
互に振り分けて接続し、この個別電極４と共通電極５に
接続するための配線が通過しない島状半導体層間にダミ
ー配線７を設けた。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は発光ダイオードアレ
イに関し、特にページプリンタ用感光ドラムの露光用光
源などに用いられる発光ダイオードアレイに関する。
イに関し、特にページプリンタ用感光ドラムの露光用光
源などに用いられる発光ダイオードアレイに関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従来
の発光ダイオードアレイを図４および図５に示す。図４
は発光ダイオードアレイを平面視した状態を示し、図５
は一つの発光素子の断面を示す。図４および図５におい
て、１１は基板、１２は一導電型半導体層、１３は逆導
電型半導体層、１４は個別電極、１５は共通電極、１６
は絶縁膜である。
の発光ダイオードアレイを図４および図５に示す。図４
は発光ダイオードアレイを平面視した状態を示し、図５
は一つの発光素子の断面を示す。図４および図５におい
て、１１は基板、１２は一導電型半導体層、１３は逆導
電型半導体層、１４は個別電極、１５は共通電極、１６
は絶縁膜である。
【０００３】基板１１上にガリウム砒素などから成る一
導電型半導体層１２と逆導電型半導体層１３とを積層し
た島状の半導体層を列状に配置している。また、一導電
型半導体層１２の一部が露出するように、逆導電型半導
体層１３は一導電型半導体層１２よりも小面積に形成し
ている。
導電型半導体層１２と逆導電型半導体層１３とを積層し
た島状の半導体層を列状に配置している。また、一導電
型半導体層１２の一部が露出するように、逆導電型半導
体層１３は一導電型半導体層１２よりも小面積に形成し
ている。
【０００４】一導電型半導体層１２の露出部には共通電
極１５が接続され、逆導電型半導体層１３の上部には個
別電極１４が接続されている。図４に示すように、隣接
する逆導電型半導体層１３毎に一つの個別電極１４が接
続して設けられ、同じ個別電極１４に接続された逆導電
型半導体層１３下部の一導電型半導体層１２が別々の共
通電極１５ａ、１５ｂに振り分けて接続されるように構
成されている。島状半導体層と個別電極１４と共通電極
１５で個々の発光ダイオードが構成される。
極１５が接続され、逆導電型半導体層１３の上部には個
別電極１４が接続されている。図４に示すように、隣接
する逆導電型半導体層１３毎に一つの個別電極１４が接
続して設けられ、同じ個別電極１４に接続された逆導電
型半導体層１３下部の一導電型半導体層１２が別々の共
通電極１５ａ、１５ｂに振り分けて接続されるように構
成されている。島状半導体層と個別電極１４と共通電極
１５で個々の発光ダイオードが構成される。
【０００５】個別電極１４と共通電極１５の組み合わせ
を選択して個別電極１４から共通電極１５ａ、１５ｂに
電流を流して複数の発光ダイオードを選択的に発光させ
ることによって、ページプリンタ用感光ドラムの露光用
光源として用いられる。
を選択して個別電極１４から共通電極１５ａ、１５ｂに
電流を流して複数の発光ダイオードを選択的に発光させ
ることによって、ページプリンタ用感光ドラムの露光用
光源として用いられる。
【０００６】ところが、この従来の発光ダイオードアレ
イでは、一導電型半導体層１２の一部が露出するよう
に、逆導電型半導体層１３をパターニングする際に、マ
スクパターンに基板１の短手方向の位置ずれが発生した
場合、島状半導体層ごとに逆導電型半導体層１３が大き
くなったり、小さくなったりして、発光面積の異なる発
光ダイオードが形成され、発光ばらつきが発生するとい
う問題があった。
イでは、一導電型半導体層１２の一部が露出するよう
に、逆導電型半導体層１３をパターニングする際に、マ
スクパターンに基板１の短手方向の位置ずれが発生した
場合、島状半導体層ごとに逆導電型半導体層１３が大き
くなったり、小さくなったりして、発光面積の異なる発
光ダイオードが形成され、発光ばらつきが発生するとい
う問題があった。
【０００７】そこで、図６に示すように、一導電型半導
体層１２の同じ側が露出するように一導電型半導体層上
に逆導電型半導体層１３を形成し、島状半導体層の配列
方向の同じ側から個別電極１４を接続して、この個別電
極１４を島状半導体層の配列方向の両側に交互に振り分
けて引き出す発光ダイオードアレイもある。この場合
も、共通電極１５は島状半導体層の配列方向の両側に振
り分けて引き出される。
体層１２の同じ側が露出するように一導電型半導体層上
に逆導電型半導体層１３を形成し、島状半導体層の配列
方向の同じ側から個別電極１４を接続して、この個別電
極１４を島状半導体層の配列方向の両側に交互に振り分
けて引き出す発光ダイオードアレイもある。この場合
も、共通電極１５は島状半導体層の配列方向の両側に振
り分けて引き出される。
【０００８】このように、一導電型半導体層１２の露出
部を島状半導体層の配列方向の同じ側に設けると、逆導
電型半導体層１３をパターニングする際にマスクパター
ンに位置ずれが発生しても、発光ダイオードごとの発光
ばらつきは防止できる。すなわち、逆導電型半導体層１
３をパターニングする際にマスクパターンに基板１１の
短手方向の位置ずれが発生しても、全ての逆導電型半導
体層が大きくなったり、小さくなったりすることから、
個々の発光ダイオード毎の発光ばらつきは発生しない。
部を島状半導体層の配列方向の同じ側に設けると、逆導
電型半導体層１３をパターニングする際にマスクパター
ンに位置ずれが発生しても、発光ダイオードごとの発光
ばらつきは防止できる。すなわち、逆導電型半導体層１
３をパターニングする際にマスクパターンに基板１１の
短手方向の位置ずれが発生しても、全ての逆導電型半導
体層が大きくなったり、小さくなったりすることから、
個々の発光ダイオード毎の発光ばらつきは発生しない。
【０００９】ところが、この従来の発光ダイオードアレ
イでは、島状半導体層の両側に電極の配線パターンが存
在する発光ダイオードと、島状半導体層の片側にしか電
極の配線パターンが存在しない発光ダイオードが混在
し、この電極の配線パターンの有無によって、発光した
光の反射状態が不規則なり、発光ばらつきが発生すると
いう問題が生じる。
イでは、島状半導体層の両側に電極の配線パターンが存
在する発光ダイオードと、島状半導体層の片側にしか電
極の配線パターンが存在しない発光ダイオードが混在
し、この電極の配線パターンの有無によって、発光した
光の反射状態が不規則なり、発光ばらつきが発生すると
いう問題が生じる。
【００１０】本発明はこのような従来の技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、島状半導体層の近傍におけ
る電極の配線パターンの有無によって発光ダイオードに
発光ばらつきが発生することを解消した発光ダイオード
アレイを提供することを目的とする。
鑑みてなされたものであり、島状半導体層の近傍におけ
る電極の配線パターンの有無によって発光ダイオードに
発光ばらつきが発生することを解消した発光ダイオード
アレイを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る発光ダイオードアレイによれば、一導
電型半導体層と逆導電型半導体層とが積層された複数の
島状半導体層を基板上に列状に配置して、この一導電型
半導体層に共通電極を接続して設けると共に、前記逆導
電型半導体層に個別電極を接続して設けた発光ダイオー
ドアレイにおいて、前記島状半導体層の配列方向の同じ
側から前記隣接する逆導電型半導体層毎に同じ個別電極
に接続して前記基板の対向する端面側に交互に引き出す
と共に、前記島状半導体層の配列方向の両側に前記共通
電極を設けて、前記島状半導体層の配列方向の反対側か
ら前記同じ個別電極に接続された逆導電型半導体層下部
の一導電型半導体層毎に前記両側の共通電極に交互に振
り分けて接続し、この個別電極と共通電極に接続するた
めの配線が通過しない前記島状半導体層間にダミー配線
を設けた。
に、本発明に係る発光ダイオードアレイによれば、一導
電型半導体層と逆導電型半導体層とが積層された複数の
島状半導体層を基板上に列状に配置して、この一導電型
半導体層に共通電極を接続して設けると共に、前記逆導
電型半導体層に個別電極を接続して設けた発光ダイオー
ドアレイにおいて、前記島状半導体層の配列方向の同じ
側から前記隣接する逆導電型半導体層毎に同じ個別電極
に接続して前記基板の対向する端面側に交互に引き出す
と共に、前記島状半導体層の配列方向の両側に前記共通
電極を設けて、前記島状半導体層の配列方向の反対側か
ら前記同じ個別電極に接続された逆導電型半導体層下部
の一導電型半導体層毎に前記両側の共通電極に交互に振
り分けて接続し、この個別電極と共通電極に接続するた
めの配線が通過しない前記島状半導体層間にダミー配線
を設けた。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は本発明に係る発光ダイオードア
レイを平面視した状態を示す図、図２は図１中のＡ−Ａ
線断面図、図３は図１のＢ−Ｂ線断面図である。図１な
いし図３において、１は基板、２は一導電型半導体層、
３は逆導電型半導体層、４は個別電極、５は共通電極、
６は絶縁膜、７はダミー配線である。
詳細に説明する。図１は本発明に係る発光ダイオードア
レイを平面視した状態を示す図、図２は図１中のＡ−Ａ
線断面図、図３は図１のＢ−Ｂ線断面図である。図１な
いし図３において、１は基板、２は一導電型半導体層、
３は逆導電型半導体層、４は個別電極、５は共通電極、
６は絶縁膜、７はダミー配線である。
【００１３】基板１はシリコン（Ｓｉ）やガリウム砒素
（ＧａＡｓ）などの単結晶半導体基板、またはサファイ
ア（Ａｌ2 Ｏ3 ）などの単結晶絶縁基板から成る。単結
晶半導体基板の場合、（１００）面を＜０１１＞方向に
２〜７°オフさせた基板などが好適に用いられる。ま
た、サファイアの場合、Ｃ面基板などが好適に用いられ
る。
（ＧａＡｓ）などの単結晶半導体基板、またはサファイ
ア（Ａｌ2 Ｏ3 ）などの単結晶絶縁基板から成る。単結
晶半導体基板の場合、（１００）面を＜０１１＞方向に
２〜７°オフさせた基板などが好適に用いられる。ま
た、サファイアの場合、Ｃ面基板などが好適に用いられ
る。
【００１４】一導電型半導体層２は、バッファ層２ａ、
オーミックコンタクト層２ｂ、およびクラッド層２ｃで
構成される。バッファ層２ａは１〜３μｍ程度の厚みに
形成され、オーミックコンタクト層２ｂは０．０１〜
０．１μｍ程度の厚みに形成され、クラッド層２ｃは
０．２〜０．４μｍ程度の厚みに形成される。バッファ
層２ａ、オーミックコンタクト層２ｂはガリウム砒素な
どで形成され、クラッド層２ｃはアルミニウムガリウム
砒素（ＡｌＧａＡｓ）などで形成される。オーミックコ
ンタクト層２ｂはシリコン（Ｓｉ）やセレン（Ｓｅ）な
どの一導電型半導体不純物を１×１０19〜１０22ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ3 程度含有し、クラッド層２ｃはシリコン
（Ｓｉ）やセレン（Ｓｅ）などの一導電型半導体不純物
を１×１０16〜１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有す
る。バッファ層２ａは、基板１と島状半導体層２、３と
の格子定数の相違に基づくミスフィット転位を防止する
ために設けるものであり、必ずしも半導体不純物を含有
させる必要はない。
オーミックコンタクト層２ｂ、およびクラッド層２ｃで
構成される。バッファ層２ａは１〜３μｍ程度の厚みに
形成され、オーミックコンタクト層２ｂは０．０１〜
０．１μｍ程度の厚みに形成され、クラッド層２ｃは
０．２〜０．４μｍ程度の厚みに形成される。バッファ
層２ａ、オーミックコンタクト層２ｂはガリウム砒素な
どで形成され、クラッド層２ｃはアルミニウムガリウム
砒素（ＡｌＧａＡｓ）などで形成される。オーミックコ
ンタクト層２ｂはシリコン（Ｓｉ）やセレン（Ｓｅ）な
どの一導電型半導体不純物を１×１０19〜１０22ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ3 程度含有し、クラッド層２ｃはシリコン
（Ｓｉ）やセレン（Ｓｅ）などの一導電型半導体不純物
を１×１０16〜１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有す
る。バッファ層２ａは、基板１と島状半導体層２、３と
の格子定数の相違に基づくミスフィット転位を防止する
ために設けるものであり、必ずしも半導体不純物を含有
させる必要はない。
【００１５】逆導電型半導体層３は、発光層３ａ、第２
のクラッド層３ｂ、および第２のオーミックコンタクト
層３ｃで構成される。発光層３ａと第２のクラッド層３
ｂは０．２〜０．４μｍ程度の厚みに形成され、第２の
オーミックコンタクト層３ｃは０．０１〜０．１μｍ程
度の厚みに形成される。発光層３ａ、第２のクラッド層
３ｂはアルミニウムガリウム砒素などで形成され、第２
のオーミックコンタクト層３ｃはガリウム砒素などで構
成される。
のクラッド層３ｂ、および第２のオーミックコンタクト
層３ｃで構成される。発光層３ａと第２のクラッド層３
ｂは０．２〜０．４μｍ程度の厚みに形成され、第２の
オーミックコンタクト層３ｃは０．０１〜０．１μｍ程
度の厚みに形成される。発光層３ａ、第２のクラッド層
３ｂはアルミニウムガリウム砒素などで形成され、第２
のオーミックコンタクト層３ｃはガリウム砒素などで構
成される。
【００１６】発光層３ａと第２のクラッド層３ｂは、電
子の閉じ込め効果と光の取り出し効果を考慮してＡｌＡ
ｓとＧａＡｓの混晶比が異なるように構成される。発光
層３ａ、第２のクラッド層３ｂは亜鉛（Ｚｎ）などの逆
導電型半導体不純物を１×１０16〜１０19ａｔｏｍｓ／
ｃｍ3 程度含有し、第２のオーミックコンタクト層３ｃ
は亜鉛（Ｚｎ）などの逆導電型半導体不純物を１×１０
19〜１０22ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有する。
子の閉じ込め効果と光の取り出し効果を考慮してＡｌＡ
ｓとＧａＡｓの混晶比が異なるように構成される。発光
層３ａ、第２のクラッド層３ｂは亜鉛（Ｚｎ）などの逆
導電型半導体不純物を１×１０16〜１０19ａｔｏｍｓ／
ｃｍ3 程度含有し、第２のオーミックコンタクト層３ｃ
は亜鉛（Ｚｎ）などの逆導電型半導体不純物を１×１０
19〜１０22ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有する。
【００１７】絶縁膜６は窒化シリコン（ＳｉＮx ）膜な
どから成り、厚み３０００Å程度に形成される。個別電
極４と共通電極５は、金（Ａｕ）や金（Ａｕ）とクロム
（Ｃｒ）の二層膜などから成り、厚み１μｍ程度に形成
される。
どから成り、厚み３０００Å程度に形成される。個別電
極４と共通電極５は、金（Ａｕ）や金（Ａｕ）とクロム
（Ｃｒ）の二層膜などから成り、厚み１μｍ程度に形成
される。
【００１８】基板１上に複数の島状半導体層が列状に配
置され、一導電型半導体層２の同じ側が露出するよう
に、逆導電型半導体層３が形成されている。この逆導電
型半導体層３上に、島状半導体層の配列方向の同じ側か
ら個別電極４を接続し、島状半導体層の配列方向の両側
に振り分けて引き出されている。また、同じ個別電極４
に接続された逆導電型半導体層３の下部に位置する一導
電型半導体層２が異なる共通電極５ａ、５ｂに接続され
るように、交互に振り分けて基板１の長手方向の端面側
に引き出されている。個別電極４と共通電極５の組み合
わせを選択して個別電極４から共通電極５に電流を流し
て、選択的に発光させることにより、ページプリンタ用
感光ドラムの露光用光源として用いられる。
置され、一導電型半導体層２の同じ側が露出するよう
に、逆導電型半導体層３が形成されている。この逆導電
型半導体層３上に、島状半導体層の配列方向の同じ側か
ら個別電極４を接続し、島状半導体層の配列方向の両側
に振り分けて引き出されている。また、同じ個別電極４
に接続された逆導電型半導体層３の下部に位置する一導
電型半導体層２が異なる共通電極５ａ、５ｂに接続され
るように、交互に振り分けて基板１の長手方向の端面側
に引き出されている。個別電極４と共通電極５の組み合
わせを選択して個別電極４から共通電極５に電流を流し
て、選択的に発光させることにより、ページプリンタ用
感光ドラムの露光用光源として用いられる。
【００１９】このように一導電型半導体層２の露出部を
島状半導体層の配列方向の同じ側に設けることによっ
て、逆導電型半導体層３を形成する際のパターンずれに
よる逆導電型半導体層の面積のばらつきを防止でき、そ
の結果、発光ダイオード毎の発光ばらつきを防止でき
る。
島状半導体層の配列方向の同じ側に設けることによっ
て、逆導電型半導体層３を形成する際のパターンずれに
よる逆導電型半導体層の面積のばらつきを防止でき、そ
の結果、発光ダイオード毎の発光ばらつきを防止でき
る。
【００２０】また、一導電型半導体層２の露出部を島状
半導体層の配列方向の同じ側に設けて、個別電極４と共
通電極５を半導体基板１の長手方向の端面側に交互に引
き出すと、両側に電極の配線パターンが存在する島状半
導体層と、片側にしか電極の配線パターンが存在しない
島状半導体層ができる。図１に示す発光ダイオードアレ
イでは、例えば二番目、三番目、四番目、七番目、八番
目の島状半導体層２、３、４、７、８はその両側に電極
の配線パターンが存在するが、五番目、六番目、九番
目、十番目の島状半導体層５、６、９、１０はその片側
にしか電極の配線パターンが存在しない。そこで、本発
明では、五番目と六番目の島状半導体層５、６間、およ
び九番目と十番目の島状半導体層９、１０間にダミー配
線７を設け、最端部の島状半導体層を除く全ての島状半
導体層の両側に電極の配線パターンが位置するように構
成する。
半導体層の配列方向の同じ側に設けて、個別電極４と共
通電極５を半導体基板１の長手方向の端面側に交互に引
き出すと、両側に電極の配線パターンが存在する島状半
導体層と、片側にしか電極の配線パターンが存在しない
島状半導体層ができる。図１に示す発光ダイオードアレ
イでは、例えば二番目、三番目、四番目、七番目、八番
目の島状半導体層２、３、４、７、８はその両側に電極
の配線パターンが存在するが、五番目、六番目、九番
目、十番目の島状半導体層５、６、９、１０はその片側
にしか電極の配線パターンが存在しない。そこで、本発
明では、五番目と六番目の島状半導体層５、６間、およ
び九番目と十番目の島状半導体層９、１０間にダミー配
線７を設け、最端部の島状半導体層を除く全ての島状半
導体層の両側に電極の配線パターンが位置するように構
成する。
【００２１】このダミー配線７の幅や厚みや材料は、光
の反射の均一性や製造工程からして、個別電極４や共通
電極５と全く同じ構成であることが望ましい。すなわ
ち、金（Ａｕ）や金（Ａｕ）とクロム（Ｃｒ）の二層膜
などから成り、厚み１μｍ程度、幅１〜２０μｍ程度に
形成される。長さは、各島状半導体層の長さと同じかそ
れ以上であればよい。さらに、このダミー配線７は、島
状半導体層からの光を適正に反射させるためだけのもの
であり、必ずしも他の配線部材と接続される必要はな
い。
の反射の均一性や製造工程からして、個別電極４や共通
電極５と全く同じ構成であることが望ましい。すなわ
ち、金（Ａｕ）や金（Ａｕ）とクロム（Ｃｒ）の二層膜
などから成り、厚み１μｍ程度、幅１〜２０μｍ程度に
形成される。長さは、各島状半導体層の長さと同じかそ
れ以上であればよい。さらに、このダミー配線７は、島
状半導体層からの光を適正に反射させるためだけのもの
であり、必ずしも他の配線部材と接続される必要はな
い。
【００２２】このように、全ての島状半導体層の両側に
電極の配線パターンやダミー配線７が存在すると、全て
の島状半導体層から発する光の反射状態が同じになり、
発光ダイオード毎の発光ばらつきが無くなる。
電極の配線パターンやダミー配線７が存在すると、全て
の島状半導体層から発する光の反射状態が同じになり、
発光ダイオード毎の発光ばらつきが無くなる。
【００２３】次に、上述のような半導体発光素子の製造
方法を説明する。まず、単結晶基板１上に、一導電型半
導体層２、逆導電型半導体層３をＭＯＣＶＤ法などで順
次積層して形成する。
方法を説明する。まず、単結晶基板１上に、一導電型半
導体層２、逆導電型半導体層３をＭＯＣＶＤ法などで順
次積層して形成する。
【００２４】これらの半導体層２、３を形成する場合、
まず基板温度を４００〜５００℃に設定して２００〜２
０００Åの厚みにアモルファス状のガリウム砒素膜を形
成した後に、基板温度を７００〜９００℃に上げて所望
厚みの半導体層２、３を形成する。
まず基板温度を４００〜５００℃に設定して２００〜２
０００Åの厚みにアモルファス状のガリウム砒素膜を形
成した後に、基板温度を７００〜９００℃に上げて所望
厚みの半導体層２、３を形成する。
【００２５】この場合、原料ガスとしてはＴＭＧ（（Ｃ
Ｈ3 ）3 Ｇａ）、ＴＥＧ（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｇａ）、アル
シン（ＡｓＨ3 ）、ＴＭＡ（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）、ＴＥ
Ａ（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ａｌ）などが用いられ、導電型を制
御するめのガスとしてはシラン（ＳｉＨ4 ）、水素化セ
レン（ＳｅＨ2 ）、ＤＭＺ（（ＣＨ3 ）3 Ｚｎ）などが
用いられ、キャリアガスとしては水素（Ｈ2 ）などが用
いられる。
Ｈ3 ）3 Ｇａ）、ＴＥＧ（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｇａ）、アル
シン（ＡｓＨ3 ）、ＴＭＡ（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）、ＴＥ
Ａ（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ａｌ）などが用いられ、導電型を制
御するめのガスとしてはシラン（ＳｉＨ4 ）、水素化セ
レン（ＳｅＨ2 ）、ＤＭＺ（（ＣＨ3 ）3 Ｚｎ）などが
用いられ、キャリアガスとしては水素（Ｈ2 ）などが用
いられる。
【００２６】次に、隣接する素子同志が電気的に分離さ
れるように、半導体層２、３が島状にパターニングさ
れ、さらに一導電型半導体層２と共通電極５との接続部
が露出するように、逆導電型半導体層３の一部がパター
ニングされる。このような半導体層２、３のエッチング
は、硫酸過酸化水素系のエッチング液を用いたウェット
エッチングや、ＣＣｌ2 Ｆ2 ガスを用いたドライエッチ
ングなどで行われる。
れるように、半導体層２、３が島状にパターニングさ
れ、さらに一導電型半導体層２と共通電極５との接続部
が露出するように、逆導電型半導体層３の一部がパター
ニングされる。このような半導体層２、３のエッチング
は、硫酸過酸化水素系のエッチング液を用いたウェット
エッチングや、ＣＣｌ2 Ｆ2 ガスを用いたドライエッチ
ングなどで行われる。
【００２７】次に、絶縁膜６をシランガス（ＳｉＨ4 ）
とアンモニガス（ＮＨ3 ）を用いたプラズマＣＶＤ法な
どで形成した後に、弗酸（ＨＦ）系のエッチング液を用
いたドライエッチングやＣＦ4 ガスを用いたドライエッ
チングなどで半導体層２、３と電極４、５の接続部であ
るコンタクトホールＣ1 、Ｃ2 （図３参照）を形成す
る。
とアンモニガス（ＮＨ3 ）を用いたプラズマＣＶＤ法な
どで形成した後に、弗酸（ＨＦ）系のエッチング液を用
いたドライエッチングやＣＦ4 ガスを用いたドライエッ
チングなどで半導体層２、３と電極４、５の接続部であ
るコンタクトホールＣ1 、Ｃ2 （図３参照）を形成す
る。
【００２８】最後に、個別電極４、共通電極５、および
ダミー配線７を蒸着法やスパッタリング法で形成してパ
ターニングすることにより完成する。
ダミー配線７を蒸着法やスパッタリング法で形成してパ
ターニングすることにより完成する。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る発光ダイオ
ードアレイによれば、基板上に形成した島状半導体層の
配列方向の同じ側から隣接する逆導電型半導体層毎に同
じ個別電極に接続して基板の対向する端面側に交互に引
き出すと共に、島状半導体層の配列方向の両側に共通電
極を設けて、島状半導体層の配列方向の反対側から上記
同じ個別電極に接続された逆導電型半導体層下部の一導
電型半導体層毎に上記両側の共通電極に交互に振り分け
て接続し、この個別電極と共通電極に接続するための配
線が通過しない島状半導体層間にダミー配線を設けたこ
とから、最端部を除いた全ての島状半導体層の両側に電
極の配線パターンもしくはダミー配線が位置し、島状半
導体層近傍の配線材料の有無によって島状半導体層から
発する光の反射状態が異なることがなくなって、駆動回
路による発光状態の補正が不要か容易になる。
ードアレイによれば、基板上に形成した島状半導体層の
配列方向の同じ側から隣接する逆導電型半導体層毎に同
じ個別電極に接続して基板の対向する端面側に交互に引
き出すと共に、島状半導体層の配列方向の両側に共通電
極を設けて、島状半導体層の配列方向の反対側から上記
同じ個別電極に接続された逆導電型半導体層下部の一導
電型半導体層毎に上記両側の共通電極に交互に振り分け
て接続し、この個別電極と共通電極に接続するための配
線が通過しない島状半導体層間にダミー配線を設けたこ
とから、最端部を除いた全ての島状半導体層の両側に電
極の配線パターンもしくはダミー配線が位置し、島状半
導体層近傍の配線材料の有無によって島状半導体層から
発する光の反射状態が異なることがなくなって、駆動回
路による発光状態の補正が不要か容易になる。
【図１】本発明に係る発光ダイオードアレイの一実施形
態を示す平面図である。
態を示す平面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１中のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】従来の発光ダイオードアレイを示す平面図であ
る。
る。
【図５】図４中のＡ−Ａ線断面図である。
【図６】従来の他の発光ダイオードアレイを示す平面図
である。
である。
１‥‥‥基板、２‥‥‥一導電型半導体層、３‥‥‥逆
導電型半導体層、４‥‥‥個別電極、５‥‥‥共通電
極、６‥‥‥絶縁膜、７‥‥‥ダミー配線
導電型半導体層、４‥‥‥個別電極、５‥‥‥共通電
極、６‥‥‥絶縁膜、７‥‥‥ダミー配線
Claims (1)
- 【請求項１】 一導電型半導体層と逆導電型半導体層と
が積層された複数の島状半導体層を基板上に列状に配置
して、この一導電型半導体層に共通電極を接続して設け
ると共に、前記逆導電型半導体層に個別電極を接続して
設けた発光ダイオードアレイにおいて、前記島状半導体
層の配列方向の同じ側から前記隣接する逆導電型半導体
層毎に同じ個別電極に接続して前記基板の対向する端面
側に交互に引き出すと共に、前記島状半導体層の配列方
向の両側に前記共通電極を設けて、前記島状半導体層の
配列方向の反対側から前記同じ個別電極に接続された逆
導電型半導体層下部の一導電型半導体層毎に前記両側の
共通電極に交互に振り分けて接続し、この個別電極と共
通電極に接続するための配線が通過しない前記島状半導
体層間にダミー配線を設けたことを特徴とする発光ダイ
オードアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32845297A JP3517101B2 (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 発光ダイオードアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32845297A JP3517101B2 (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 発光ダイオードアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11163408A true JPH11163408A (ja) | 1999-06-18 |
| JP3517101B2 JP3517101B2 (ja) | 2004-04-05 |
Family
ID=18210438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32845297A Expired - Fee Related JP3517101B2 (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 発光ダイオードアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3517101B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085740A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 面発光素子のマスク寸法の設計方法 |
| DE102009012123A1 (de) | 2008-03-10 | 2009-10-01 | Citizen Electronics Co., Ltd., Fujiyoshida | Licht aussendende Diode und Beleuchtungsvorrichtung, die diese nutzt |
-
1997
- 1997-11-28 JP JP32845297A patent/JP3517101B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085740A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 面発光素子のマスク寸法の設計方法 |
| DE102009012123A1 (de) | 2008-03-10 | 2009-10-01 | Citizen Electronics Co., Ltd., Fujiyoshida | Licht aussendende Diode und Beleuchtungsvorrichtung, die diese nutzt |
| US8222653B2 (en) | 2008-03-10 | 2012-07-17 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode and lighting apparatus using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3517101B2 (ja) | 2004-04-05 |
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