JPH08204230A

JPH08204230A - 端面発光型ｌｅｄアレイとその製造方法

Info

Publication number: JPH08204230A
Application number: JP860095A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Fujiwara; 博之藤原; Masaharu Nobori; 正治登; Masumi Koizumi; 真澄小泉; Kazuyuki Shiyou; 一超蒋
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1995-01-24
Filing date: 1995-01-24
Publication date: 1996-08-09

Abstract

(57)【要約】【目的】発光素子部を高密度化した端面発光型ＬＥＤ
アレイと、その製造方法を提供する。【構成】第１導電型の板状の半導体下地１１にＰＮ接
合を有する発光素子部を備えた端面発光型ＬＥＤアレイ
である。半導体下地１１の一方の側端面１１ａ側の、表
裏両面のそれぞれの角部に切欠部１２が形成され、切欠
部１２のそれぞれに第２導電型の不純物が導入されて不
純物領域１３が形成されている。半導体下地１１上に、
不純物領域１３に接続し、かつ半導体下地１１と絶縁し
た状態で第２側電極１５が形成され、さらに半導体下地
１１に接続し、かつ第２側電極１５と絶縁した状態で第
１側電極１７が形成されている。不純物領域１３が、側
端面１１ａの長さ方向に沿って半導体下地１１の表面側
および裏面側にてそれぞれ複数ずつ形成されている。ま
た、このＬＥＤアレイの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば電子写真プリン
タの光源となるＬＥＤプリンタヘッドに用いられるＬＥ
Ｄアレイとして好適な、端面発光型ＬＥＤ（Light Emit
ting Diode）アレイとその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＥＤアレイは、例えば電子写真方式の
プリンタ用の光源などとして広く用いられている。この
ＬＥＤアレイには、その一つのタイプとして端面発光型
ＬＥＤアレイと称されるものがあり、このような端面発
光型ＬＥＤアレイについては、例えば特開平２−１２５
７６５号公報（以下、公報１と称する）、特開平５−３
１９５５号公報（以下、公報２と称する）に開示された
技術が知られている。

【０００３】公報１においては、その第３頁左上欄に、
Ｎ電極、Ｎ−ＧａＡｓ層（バッファ層）、Ｎ−ＡｌＧａ
Ａｓ層、Ｐ−ＡｌＧａＡｓ層、絶縁膜およびＰ電極が積
層された構成の半導体ウェハをダイシングすることによ
り、図５に示すようにＮ電極４１、Ｎ−ＧａＡｓ層（バ
ッファ層）４２、Ｎ−ＡｌＧａＡｓ層４３、Ｐ−ＡｌＧ
ａＡｓ層４４、絶縁膜４５、Ｐ電極４６が積層され、Ｎ
−ＡｌＧａＡｓ層４３とＰ−ＡｌＧａＡｓ層４４とのへ
き開面から線状発光する構造の端面発光型ＬＥＤアレイ
４０が得られるとした技術が開示されている。

【０００４】また、公報２においては、その第５頁の右
欄第３１〜第３２行目に、ダブルヘテロ構造を有する半
導体ウェハに、端面発光部を作製する際、塩素系ガスを
用いたドライエッチング法により行う点が記載されてお
り、このようなドライエッチングにより、図６に示すよ
うに第１導電型電極５１、第１導電型基板５２、第１導
電型クラッド層５３、活性層５４、第２導電型クラッド
層５５、キャップ層５６、第２導電型電極５７が積層さ
れ、活性層５４が発光部となる構造の発光装置が得られ
るとした技術が開示されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の端面発光型ＬＥＤアレイにおいては、発光素子
部を高密度化して発光効率を高め、その解像度を向上さ
せようとした場合、発光端面の分離が難しいという問題
があった。例えば、公報２に開示されたＬＥＤアレイの
場合では、発光端面の分離を分離溝で行っているもの
の、当然分離溝の幅分のスペースが必要となることか
ら、高密度化自体が損なわれる結果となっているのであ
る。本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目
的とするところは、発光素子部を高密度化した端面発光
型ＬＥＤアレイと、その製造方法を提供することにあ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の端面発光型ＬＥ
Ｄアレイでは、第１導電型の板状の半導体下地にＰＮ接
合を有する発光素子部を備えた端面発光型ＬＥＤアレイ
であって、前記半導体下地における一方の側端面側の、
該半導体下地の表裏両面のそれぞれの面側の角部に切欠
部が形成され、該切欠部のそれぞれにおける、前記半導
体下地の表層部側に第２導電型の不純物が導入されて不
純物領域が形成され、前記半導体下地上に、前記不純物
領域に接続し、かつ該半導体下地と絶縁した状態で第２
側電極が形成され、前記半導体下地上に、該半導体下地
に接続し、かつ前記第２側電極と絶縁した状態で第１側
電極が形成されてなり、前記不純物領域が、前記側端面
の長さ方向に沿って半導体下地の表面側および裏面側に
てそれぞれ複数ずつ形成されてなることを前記課題の解
決手段とした。なお、前記不純物領域を、半導体下地の
表面側と裏面側とで前記側端面の長さ方向に沿って千鳥
状に配置してもよい。

【０００７】また、本発明の端面発光型ＬＥＤアレイの
製造方法では、第１導電型の板状の半導体下地の表裏両
面のそれぞれに、第２導電型の不純物を導入して不純物
領域を半導体下地の面方向に複数ずつ直線状に配列形成
し、かつ該不純物領域の前記表面側の配列と裏面側の配
列とを略平行に形成する工程と、前記半導体下地の表裏
両面上に、前記不純物領域が露出した状態となるように
絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上でかつ前記不純
物領域が配列されたその両側にて、前記不純物領域に接
続する第２側電極を該不純物領域の配列のそれぞれの側
で独立して形成する工程と、前記半導体下地に接続し、
かつ前記第２側電極と絶縁した状態で該半導体下地上に
第１側電極を形成する工程と、前記半導体下地を、前記
不純物領域の配列方向に沿って該不純物領域をそれぞれ
二分するようにして切断する工程とを備えてなることを
前記課題の解決手段とした。なお、前記不純物領域を、
その直線状に配列形成した方向にて断面視した状態で、
半導体下地の表面側と裏面側とで千鳥状になるよう配設
するようにしてもよい。

【０００８】

【作用】本発明の端面発光型ＬＥＤアレイによれば、半
導体下地との間でＰＮ接合を形成することによって発光
層として機能する不純物領域が、半導体下地の表裏両面
に形成された切欠部のそれぞれに形成されていることか
ら、半導体下地の表面側と裏面側との間にて特に分離溝
を必要とすることなく互いに独立した発光層となる。本
発明の端面発光型ＬＥＤアレイの製造方法によれば、第
１導電型の板状の半導体下地の表裏両面のそれぞれに、
第２導電型の不純物を導入して不純物領域を半導体下地
の面方向に複数ずつ直線状に配列形成し、かつ該不純物
領域の前記表面側の配列と裏面側の配列とを略平行に形
成し、その後該半導体下地を、前記不純物領域の配列方
向に沿って該不純物領域を二分するようにして切断する
ので、切断後得られる端面発光型ＬＥＤアレイはその発
光層となる不純物領域が、半導体下地の表裏両面に形成
されたものとなる。

【０００９】

【実施例】以下、本発明を図面を利用して詳しく説明す
る。図１（ａ）、（ｂ）、図２は本発明の端面発光型Ｌ
ＥＤアレイの一実施例を示す図であり、これらの図にお
いて符号１０は端面発光型ＬＥＤアレイ（以下、ＬＥＤ
アレイと略称する）、１１はＮ型（第１導電型）の半導
体下地１１である。

【００１０】半導体下地１１は、Ｎ型のガリウム・ヒ素
（ＧａＡｓ）基板と、このＮ型ＧａＡｓ基板上にエピタ
キシャル成長させたＮ型のガリウム・ヒ素・リン（Ｎ型
ＧａＡｓＰ）層とから構成された板状のものである。こ
の半導体下地１１には、図２に示すようにその一方の側
端面１１ａ側の、表裏両面のそれぞれの側の角部に切欠
部１２、１２が形成されている。これら切欠部１２は、
半導体下地１１の表面あるいは裏面と端面とからなる角
部が切り欠かれて形成されたもので、半導体下地１１の
表面あるいは裏面よりその反対の面側に向かう傾斜面１
２ａと、この傾斜面１２ａより半導体下地１１の端面１
１ａに向かう面１２ｂとから形成されたものである。こ
こで、傾斜面１２ａは、表面あるいは裏面よりその反対
の面側に向かうに連れて漸次端面１１ａ側に向かうよう
傾斜して形成されたものとなっており、一方面１２ｂ
は、半導体下地１１の表面（裏面）と略平行に形成され
たものとなっている。

【００１１】また、半導体下地１１には、その切欠部１
２における傾斜面１２ａ側の表層部に発光部となる不純
物領域１３が複数形成されている。これら不純物領域１
３…は、Ｐ型（第２導電型）不純物が導入され、さらに
気相拡散法等により前記半導体下地１１表層部中に拡散
処理されて形成されたものであり、図１（ａ）、（ｂ）
に示すように半導体下地１１の表面側、および裏面側に
てそれぞれ所定間隔、すなわ発光素子部（ＬＥＤ）の配
列ピッチに対応した間隔をおいて複数が前記端面１１ａ
の長さ方向に沿って直線状に配列され形成されたもので
ある。

【００１２】また、これら不純物領域１３…は、図１
（ｂ）に示すように、半導体下地１１の表面側と裏面側
とで千鳥状に、すなわち端面１１ａの長さ方向に沿って
表面側の不純物領域１３に対し裏面側の不純物領域１３
がハーフピッチずれた状態で配置されており、これによ
って表面側の不純物領域１３と裏面側の不純物領域１３
とは交互にしかも略等間隔で位置するよう配置されたも
のである。導入されたＰ型不純物としては、この例では
亜鉛（Ｚｎ）が用いられており、これが拡散されたこと
によって不純物領域１３はＰ型ＧａＡｓＰ層となってい
る。

【００１３】また、半導体下地１１の上面には、図２に
示すように拡散防止膜２１が形成されている。この拡散
防止膜２１は、後述する製造工程において必要とされた
ものであり、厚さが５０〜２００ｎｍ程度に形成された
アルミナ膜、窒化珪素膜、酸化珪素膜等からなるもので
ある。さらに、この拡散防止膜２１上には拡散制御膜２
５が形成され、該拡散制御膜２５上、および前記拡散防
止膜２１に覆われない部分の半導体下地１１上には絶縁
膜１９が形成されている。この絶縁膜１９は、半導体下
地１１と後述するＰ側電極との間を絶縁するためのもの
であり、厚さが５０〜１００ｎｍ程度に形成されたアル
ミナ膜、窒化珪素膜、酸化珪素膜等からなるものであ
る。

【００１４】また、この絶縁膜１９上には、図１
（ａ）、（ｂ）に示すように前記不純物領域１３…のそ
れぞれに対応して複数のＰ側電極１５…が形成されてい
る。これらＰ側電極１５…は、図２に示すようにいずれ
もその一部が、半導体下地１１の表裏両面にて前記不純
物領域１３に接続し、これに導通した状態に形成された
ものとなっている。なお、半導体下地１１の表面側にお
いては、図１（ａ）に示すように前記不純物領域１３に
直接接続するＰ側電極１５に、さらに配線１６を介して
電源（図示略）に通じるＰ側電極１５ａが接続され配設
されている。

【００１５】また、この半導体下地１１の表面側には、
絶縁膜１９上にＮ側電極１７が形成されている。このＮ
側電極１７は、図２に示すように絶縁膜１９、拡散防止
膜２１に形成されたコンタクトホール１８を貫通し、該
半導体下地１１に直接接続導通した状態に形成されたも
のである。Ｐ側電極１５、１５ａの形成材料としては、
Ｐ型ＧａＡｓＰ層からなる不純物領域１３との間でオー
ミックコンタクトがとれる材料であればよく、この例で
はアルミニウムが用いられている。同様に、Ｎ側電極１
７についても、半導体下地１１との間でオーミックコン
タクトがとれる材料であればよく、この例では金合金が
用いられている。

【００１６】そして、このような構成によって本実施例
のＬＥＤアレイ１０は、半導体下地１１と不純物領域１
３とでＰＮ接合を形成し、さらにこれらにそれぞれ電極
１５、１７を接続したことにより、各不純物領域１３毎
に独立した発光素子部を形成した端面発光型ＬＥＤアレ
イとなっている。

【００１７】次に、このような構成のＬＥＤアレイ１０
の製造方法に基づき、本発明の端面発光型ＬＥＤの製造
方法を図３（ａ）〜（ｃ）、図４（ａ）〜（ｃ）を参照
して説明する。なお、図３（ａ）〜（ｃ）、図４（ａ）
〜（ｃ）は、図１（ｂ）におけるＡ−Ａ線矢視断面図に
対応する図である。

【００１８】まず、図３（ａ）に示すようにＮ型（第１
導電型）の半導体下地１１を用意し、この半導体下地１
１の表裏両面上に拡散防止膜２１を所定パターンに同時
に形成する。この拡散防止膜２１は、後述するようにＰ
型不純物をＮ型半導体下地１１に導入する際、所定領域
以外に拡散するのを防止するためのものであり、公知の
成膜方法、例えば蒸着法、スパッタ法あるいはＣＶＤ法
などによって表裏両面同時に成膜され、さらにホトリソ
グラフィ技術、エッチング技術によってパターニングさ
れる。ここで、ホトリソグラフィを行う場合には、裏面
露光が可能な装置により、表面のパターンに合わせて裏
面の露光をも行うようにする。拡散防止膜２１のパター
ンについては、半導体下地１１の、Ｐ型不純物を直接導
入しない位置に略対応したパターンとされる。すなわ
ち、この例では、半導体下地１１の面方向に、表裏両面
とも直線状でかつ不連続な不純物導入領域（図示略）が
設定され、該不純物導入領域以外の位置に拡散防止膜２
１がパターニングされる。

【００１９】続いて、半導体下地１１の表裏両面におけ
る、拡散防止膜２１上およびこれに覆われない部位の半
導体下地１１上に、拡散制御膜２５を公知の成膜方法に
よって同時に形成する。拡散制御膜２５は、例えばアル
ミナ膜、窒化珪素膜、酸化珪素膜、ＰＳＧ（Phospho-Si
licate Glass）膜等からなるもので、その膜厚は例えば
１０〜２０ｎｍ程度の範囲とされる。

【００２０】次いで、半導体下地１１の表裏両面におけ
る、前記拡散防止膜２１に覆われない部位に、図３
（ｂ）に示すように拡散制御膜２５を通してＰ型（第２
導電型）不純物を導入する。導入するＰ型不純物として
は、前述したように亜鉛（Ｚｎ）が用いられる。そし
て、導入した不純物（Ｚｎ）を例えば気相拡散法によっ
て前記部位の半導体下地１１表層部中に拡散させること
により、Ｐ型ＧａＡｓＰ層からなる不純物領域１３ａを
半導体下地１１両面のそれぞれに複数形成する。なお、
ここで形成される一つの不純物領域１３ａは、後述する
ようにＬＥＤアレイ１０における発光素子部２個分の不
純物領域となるものであり、後に分離されて図２に示し
た不純物領域１３となるものである。

【００２１】次いで、半導体下地１１の表裏両面の全面
に公知の成膜方法によって絶縁膜を同時に形成し、さら
にこの絶縁膜を公知のホトリソグラフィ技術、エッチン
グ技術によってパターニングし、図３（ｃ）に示すよう
に不純物領域１３ａの両側にそれぞれ絶縁膜１９、１９
を形成する。このとき、拡散制御膜２５も同時にエッチ
ングされ、絶縁膜１９と同形状に形成される。次いで、
該絶縁膜１９、１９の上に、図４（ａ）に示すように前
記不純物領域１３ａにそれぞれ独立して接続するＰ側電
極１５、１５を、公知の成膜方法および微細加工技術に
よって形成する。なお、これらＰ側電極１５、１５の形
成においては、その一部、すなわち不純物領域１３ａ側
が直接半導体下地１１に接続し、これによって該不純物
領域１３ａと直接接続するようにする。また、Ｐ側電極
１５…のパターニングに際しては、特に半導体下地１１
の表面側において、図１（ａ）に示したように不純物領
域１３に直接接続するＰ側電極１５…とは別に、電源接
続用のＰ側電極１５ａ…をも同時に形成する。

【００２２】次いで、半導体下地１１の表面側におい
て、絶縁膜１９、拡散防止膜２１を貫通して半導体下地
１１の表層部内に通じるコンタクトホール１８（図２参
照）を公知のエッチング技術等によって形成し、さらに
このコンタクトホール１８内を埋めるようにして絶縁膜
１９上にＮ側電極１７を形成する。また、これとは別
に、半導体下地１１の表面側においては、前記Ｐ側電極
１５と１５ａとの間を導通させるための配線１６を形成
しておく。

【００２３】次いで、図４（ｂ）に示すようにホトレジ
スト等からなるエッチングマスク２７を、半導体下地１
１の表裏両面にそれぞれ所定パターンで形成し、続いて
このエッチングマスク２７を用いてエッチングを行い、
半導体下地１１における表裏両面のそれぞれの表層部に
溝状の凹部２９を形成し、その後エッチングマスク２７
を除去する。エッチングマスク２７のパターンとして
は、得られる溝状の凹部２９が、直線状に配列された不
純物領域１３ａ…のそれぞれの中央部を通り、これによ
って該不純物領域１３ａ…がそれぞれ二分されるように
半導体下地１１を覆うパターンとされる。

【００２４】また、エッチングについては、リン酸系あ
るいはクエン酸系のエッチング液で行う。例えば、５０
重量％のクエン酸水溶液〔C₃H₄ (OH)(C00H)₃・H₂O 〕と
過酸化水素水とを所定の混合比で混合してなる液が、ク
エン酸系のエッチャントとして使用される。ここで、形
成する溝状の凹部２９は後述するように切断予定領域と
なるものであり、したがってそのエッチング深さ、すな
わち凹部２９の深さについては切断加工が容易になるよ
う十分な深さとなるようにするとともに、形成する凹部
２９の底面の幅を切断幅よりも大きくなるようにする。
なお、本実施例では、凹部２９の深さが不純物領域１３
ａの深さよりもさらに深くなるようにして凹部２９を形
成している。また、本実施例では、図４（ｂ）に示すよ
うに凹部２９の両側面を順テーパ状となるようにエッチ
ングしたが、垂直面となるようにエッチングしてもよ
い。

【００２５】その後、半導体下地１１を、前記凹部２９
の底面部にて該凹部２９の長さ方向に沿って切断し、図
１（ａ）、（ｂ）、図２に示したＬＥＤアレイ１０を一
対得る。なお、この切断においては、図４（ｃ）に示し
たように凹部２９の底面の幅ｗ１より狭い切断幅ｗ２で
行うのは前述したとおりである。

【００２６】このようにして得られたＬＥＤアレイ１０
にあっては、凹部２９、２９がその底面部にて切断され
ることにより図２に示した切欠部１２が半導体下地１１
の表裏両面に形成され、該切欠部１２、１２にそれぞれ
不純物領域１３が形成されたものとなる。したがって、
半導体下地１１との間でＰＮ接合を形成することによっ
て発光層として機能する不純物領域１３が、半導体下地
１１の表裏両面に形成されていることから、これらが半
導体下地１１の表面側と裏面側との間にて例えば分離溝
を必要とすることなく互いに独立した発光層となり、こ
れによりＬＥＤアレイ１０はその発光素子部が高密度化
されたものとなる。すなわち、例えば６００ｄｐｉの設
計ルールの寸法で半導体下地１１の表面側の発光端面に
発光素子部（不純物領域１３）が形成されている場合
に、裏面側にもハーフピッチずれて発光素子部が形成さ
れていることにより、全体として１２００ｄｐｉの高い
密度のＬＥＤアレイ１０となるのである。

【００２７】また、このようなＬＥＤアレイ１０の製造
方法にあっては、半導体下地１１の表裏両面のそれぞれ
に不純物領域１３ａを複数ずつ直線状に配列形成し、か
つ該不純物領域１３ａ…の表面側配列と裏面側配列とを
略平行に形成し、その後該半導体下地１１を、前記不純
物領域１３ａ…の配列方向に沿って該不純物領域１３ａ
を二分するようにして切断するので、切断後得られるＬ
ＥＤアレイ１０はその発光層となる不純物領域１３…
が、半導体下地１１の表裏両面に形成されたものとな
り、したがって得られるＬＥＤアレイ１０における発光
素子部を高密度化することができる。

【００２８】また、拡散工程や成膜工程を半導体下地１
１の表裏両面にて同時に行うことにより、従来に比べ工
程数をほとんど増加させることなく高密度化を可能にす
ることができ、これにより製造コストを大幅に上昇させ
ることなく高密度のＬＥＤアレイ１０を得ることができ
る。さらに、不純物領域１３ａ…を、半導体下地１１の
表面側と裏面側とで千鳥状となるように形成配置するよ
うにしたので、不純物を導入しこれを拡散する際、表面
側の不純物領域１３ａと裏面側の不純物領域１３ａとが
半導体下地１１中にて導通する恐れがほとんどなく、し
たがって半導体下地１１の薄厚化を図ることができる。

【００２９】なお、前記実施例では第１導電型としてＮ
型を、第２導電型としてＰ型を選択してＰＮ接合を形成
したが、これらを逆にしてもよいのはもちろんである。
また、前記実施例では半導体下地１１の表面側と裏面側
とでその不純物領域１３（１３ａ）…を千鳥状に配した
が、本発明はこれに限定されることなく、例えば表面側
と裏面側との不純物領域１３（１３ａ）…を半導体下地
１１に対して上下（表裏）とも同位置となるように配し
てもよい。

【００３０】

【発明の効果】以上説明したように本発明の端面発光型
ＬＥＤは、半導体下地との間でＰＮ接合を形成すること
によって発光層として機能する不純物領域を、半導体下
地の表裏両面に形成した切欠部のそれぞれに形成したも
のであるから、半導体下地の表面側と裏面側との間にて
例えば分離溝を必要とすることなく互いに独立した発光
層を複数有したものとなる。したがって、一方の面側に
しか発光素子部を発光層を持たない従来のものに比べ、
ほぼ２倍に高密度化されたものとなる。特に、不純物領
域を、半導体下地の表面側と裏面側とで千鳥状となるよ
うに形成配置すれば、各不純物領域が、すなわち発光層
が互いに等間隔で配設されたものとなり、したがってよ
り高い解像度を有するＬＥＤアレイとなる。

【００３１】本発明の端面発光型ＬＥＤアレイの製造方
法は、第１導電型の板状の半導体下地の表裏両面のそれ
ぞれに、第２導電型の不純物を導入して不純物領域を半
導体下地の面方向に複数ずつ直線状に配列形成し、かつ
該不純物領域の前記表面側の配列と裏面側の配列とを略
平行に形成し、その後該半導体下地を、前記不純物領域
の配列方向に沿って該不純物領域を二分するようにして
切断するものであり、切断後得られる端面発光型ＬＥＤ
アレイに、その発光層となる不純物領域を半導体下地の
表裏両面に形成するようにしたものである。したがっ
て、得られるＬＥＤアレイの発光素子部を高密度化する
ことができ、これにより従来の発光素子部密度の設計ル
ール限界をほぼ２倍にまで引き上げることができる。

【００３２】また、不純物の拡散や絶縁膜等の成膜を半
導体下地の表裏両面にて同時に行うことができるため、
従来に比べ工程数をほとんど増加させることなく製造す
ることができ、これにより製造コストを大幅に上昇させ
ることなく高密度の端面発光型ＬＥＤアレイを得ること
ができる。さらに、不純物領域を、半導体下地の表面側
と裏面側とで千鳥状となるように形成配置するようにし
たので、不純物を導入しこれを拡散する際、表面側の不
純物領域と裏面側の不純物領域とが半導体下地１１中に
て導通する恐れがほとんどなく、よって半導体下地の薄
厚化を図り、これにより得られる端面発光型ＬＥＤアレ
イの一層の高密度化を可能にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における端面発光型ＬＥＤアレイの一実
施例の概略構成を示す図であり、（ａ）は端面発光型Ｌ
ＥＤの要部拡大平面図、（ｂ）は（ａ）を矢印方向に見
た場合の拡大正面図である。

【図２】図１に示した端面発光型ＬＥＤの概略構成を示
す要部側断面図であり、図１（ｂ）のＡ−Ａ線矢視断面
図である。

【図３】（ａ）〜（ｃ）は本発明の製造方法を工程順に
説明するための要部側断面図である。

【図４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の製造方法を工程順に
説明するための要部側断面図であり、図３に示した工程
に続く工程の説明図である。

【図５】従来の端面発光型ＬＥＤの一例を示す要部斜視
図である。

【図６】従来の端面発光型ＬＥＤの他の例を示す要部側
断面図である。

【符号の説明】

１０端面発光型ＬＥＤアレイ１１Ｎ型（第１導電型）の半導体下地１１ａ端面（側端面）１２切欠部１３、１３ａ不純物領域１５、１５ａＰ側電極（第２側電極）１７Ｎ側電極（第１側電極）１９絶縁膜２１拡散防止膜２９凹部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者蒋一超東京都港区虎ノ門１丁目７番12号沖電気工業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１導電型の板状の半導体下地にＰＮ接
合を有する発光素子部を備えた端面発光型ＬＥＤアレイ
であって、前記半導体下地における一方の側端面側の、該半導体下
地の表裏両面のそれぞれの面側の角部に切欠部が形成さ
れ、該切欠部のそれぞれにおける、前記半導体下地の表層部
側に第２導電型の不純物が導入されて不純物領域が形成
され、前記半導体下地上に、前記不純物領域に接続し、かつ該
半導体下地と絶縁した状態で第２側電極が形成され、前記半導体下地上に、該半導体下地に接続し、かつ前記
第２側電極と絶縁した状態で第１側電極が形成されてな
り、前記不純物領域が、前記側端面の長さ方向に沿って半導
体下地の表面側および裏面側にてそれぞれ複数ずつ形成
されてなることを特徴とする端面発光型ＬＥＤアレイ。
【請求項２】前記不純物領域が、半導体下地の表面側
と裏面側とで前記側端面の長さ方向に沿って千鳥状に配
置されてなることを特徴とする請求項１記載の端面発光
型ＬＥＤアレイ。
【請求項３】第１導電型の板状の半導体下地にＰＮ接
合を有する発光素子部を備えた端面発光型ＬＥＤアレイ
の製造方法であって、前記半導体下地の表裏両面のそれぞれに、第２導電型の
不純物を導入して不純物領域を半導体下地の面方向に複
数ずつ直線状に配列形成し、かつ該不純物領域の前記表
面側の配列と裏面側の配列とを略平行に形成する工程
と、前記半導体下地の表裏両面上に、前記不純物領域が露出
した状態となるように絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上でかつ前記不純物領域が配列されたその両
側にて、前記不純物領域に接続する第２側電極を該不純
物領域の配列のそれぞれの側で独立して形成する工程
と、前記半導体下地に接続し、かつ前記第２側電極と絶縁し
た状態で該半導体下地上に第１側電極を形成する工程
と、前記半導体下地を、前記不純物領域の配列方向に沿って
該不純物領域をそれぞれ二分するようにして切断する工
程と、を備えてなることを特徴とする端面発光型ＬＥＤ
アレイの製造方法。
【請求項４】前記不純物領域を配列形成する工程にお
いて、該不純物領域を、その直線状に配列形成した方向
にて断面視した状態で半導体下地の表面側と裏面側とで
千鳥状になるよう配設することを特徴とする請求項３記
載の端面発光型ＬＥＤアレイの製造方法。