JPH09213994A - 端面発光型半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents
端面発光型半導体発光装置及びその製造方法Info
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- JPH09213994A JPH09213994A JP2015496A JP2015496A JPH09213994A JP H09213994 A JPH09213994 A JP H09213994A JP 2015496 A JP2015496 A JP 2015496A JP 2015496 A JP2015496 A JP 2015496A JP H09213994 A JPH09213994 A JP H09213994A
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- Japan
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- diffusion region
- electrode
- type semiconductor
- emitting device
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＰＮ接合面で発光した光を上部からも出射さ
せることなく、専ら端面から出射させ、発光効率の向上
を図り得る端面発光型半導体発光装置及びその製造方法
を提供する。 【解決手段】 Ｎ型の半導体下地１１と、不純物を選択
拡散してＰＮ接合部を有する選択拡散領域としてのＰ型
ＧａＡｓＰ層１３と、このＰ型ＧａＡｓＰ層１３と電気
的に接続するとともに、サイド拡散領域までを含め、拡
散領域の全上面を覆い、かつ光の反射材料からなるＰ側
電極１５を形成する。
せることなく、専ら端面から出射させ、発光効率の向上
を図り得る端面発光型半導体発光装置及びその製造方法
を提供する。 【解決手段】 Ｎ型の半導体下地１１と、不純物を選択
拡散してＰＮ接合部を有する選択拡散領域としてのＰ型
ＧａＡｓＰ層１３と、このＰ型ＧａＡｓＰ層１３と電気
的に接続するとともに、サイド拡散領域までを含め、拡
散領域の全上面を覆い、かつ光の反射材料からなるＰ側
電極１５を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真プリンタ
の光源であるＬＥＤプリンタヘッドに用いられるＬＥＤ
アレイの構造及びその製造方法に関するものである。
の光源であるＬＥＤプリンタヘッドに用いられるＬＥＤ
アレイの構造及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＥＤアレイは、例えば電子写真方式の
プリンタ用光源等として利用されている。ＬＥＤアレイ
の一つのタイプに、端面発光型ＬＥＤアレイと称される
ものがある。その構造は、例えば、特開平５−３１９５
５号公報に開示されており、それによれば、コンタクト
ホールを介して発光ダイオードのオーミック電極と配線
電極とを電気的に接続するように形成する点が記載され
ている。
プリンタ用光源等として利用されている。ＬＥＤアレイ
の一つのタイプに、端面発光型ＬＥＤアレイと称される
ものがある。その構造は、例えば、特開平５−３１９５
５号公報に開示されており、それによれば、コンタクト
ホールを介して発光ダイオードのオーミック電極と配線
電極とを電気的に接続するように形成する点が記載され
ている。
【０００３】
【発明が解決すべき課題】しかしながら、上記した従来
の端面発光型ＬＥＤアレイの場合、上面発光型に比べて
発光効率が低下するという問題があった。例えば、上記
文献に開示されたＬＥＤアレイの場合、少なくとも一つ
のＰＮ接合面で発光した光が上部からも出射し、その結
果、端面からの光出射が減少してしまう。
の端面発光型ＬＥＤアレイの場合、上面発光型に比べて
発光効率が低下するという問題があった。例えば、上記
文献に開示されたＬＥＤアレイの場合、少なくとも一つ
のＰＮ接合面で発光した光が上部からも出射し、その結
果、端面からの光出射が減少してしまう。
【０００４】本発明は、上記問題点を除去し、ＰＮ接合
面で発光した光を上部からも出射させることなく、専ら
端面から出射させ、発光効率の向上を図り得る端面発光
型半導体発光装置及びその製造方法を提供することを目
的とする。
面で発光した光を上部からも出射させることなく、専ら
端面から出射させ、発光効率の向上を図り得る端面発光
型半導体発光装置及びその製造方法を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）端面発光型半導体発光装置において、半導体下地
と、この半導体下地に不純物を選択拡散して形成される
ＰＮ接合部を有する選択拡散領域と、この選択拡散領域
と電気的に接続するとともに、サイド拡散領域までを含
め、拡散領域の全上面を覆い、かつ光の反射材料からな
る電極を設けるようにしたものである。
成するために、 （１）端面発光型半導体発光装置において、半導体下地
と、この半導体下地に不純物を選択拡散して形成される
ＰＮ接合部を有する選択拡散領域と、この選択拡散領域
と電気的に接続するとともに、サイド拡散領域までを含
め、拡散領域の全上面を覆い、かつ光の反射材料からな
る電極を設けるようにしたものである。
【０００６】したがって、上記電極を設けることによっ
て、上方から見て、発光するＰＮ接合部分を完全に覆い
隠すことができる。また、ＰＮ接合部で発光した光が上
方から洩れ出さずに上部電極で反射され、半導体内部に
戻され、その内のある割合の光を端面から出射すること
ができる。したがって、端面からの発光効率が向上す
る。
て、上方から見て、発光するＰＮ接合部分を完全に覆い
隠すことができる。また、ＰＮ接合部で発光した光が上
方から洩れ出さずに上部電極で反射され、半導体内部に
戻され、その内のある割合の光を端面から出射すること
ができる。したがって、端面からの発光効率が向上す
る。
【０００７】更に、選択拡散領域と電極とのコンタクト
面積が広くなり、接続性の向上を図ることができる。 （２）上記（１）記載の端面発光型半導体発光装置にお
いて、前記選択拡散領域が複数個形成されたＬＥＤアレ
イからなる。したがって、上記（１）記載の発明の効果
を奏するＬＥＤアレイを提供することができる。
面積が広くなり、接続性の向上を図ることができる。 （２）上記（１）記載の端面発光型半導体発光装置にお
いて、前記選択拡散領域が複数個形成されたＬＥＤアレ
イからなる。したがって、上記（１）記載の発明の効果
を奏するＬＥＤアレイを提供することができる。
【０００８】（３）上記（１）記載の端面発光型半導体
発光装置において、前記選択拡散領域が一個形成された
ＬＥＤ素子からなる。したがって、上記（１）記載の発
明の効果を奏するＬＥＤを提供することができる。 （４）半導体下地を形成し、この半導体下地に不純物を
選択拡散して形成されるＰＮ接合部を形成した後、選択
拡散領域と電気的に接続する電極を形成する端面発光型
半導体発光装置の製造方法において、前記電極を光の反
射材料により形成するとともに、その電極の大きさをサ
イド拡散領域までを含め、拡散領域の全上面を覆うよう
に形成するようにしたものである。
発光装置において、前記選択拡散領域が一個形成された
ＬＥＤ素子からなる。したがって、上記（１）記載の発
明の効果を奏するＬＥＤを提供することができる。 （４）半導体下地を形成し、この半導体下地に不純物を
選択拡散して形成されるＰＮ接合部を形成した後、選択
拡散領域と電気的に接続する電極を形成する端面発光型
半導体発光装置の製造方法において、前記電極を光の反
射材料により形成するとともに、その電極の大きさをサ
イド拡散領域までを含め、拡散領域の全上面を覆うよう
に形成するようにしたものである。
【０００９】したがって、端面からの発光効率が高く、
接続性の向上を図り得る端面発光型半導体発光装置を容
易に製造することができる。
接続性の向上を図り得る端面発光型半導体発光装置を容
易に製造することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
面を参照しながら詳細に説明する。ただし、いずれの図
もこれらの発明を理解できる程度に各構成成分の寸法、
形状及び配置関係を概略的に示してある。また、説明に
用いる各図において同様な構成成分については同一の番
号が付されている。
面を参照しながら詳細に説明する。ただし、いずれの図
もこれらの発明を理解できる程度に各構成成分の寸法、
形状及び配置関係を概略的に示してある。また、説明に
用いる各図において同様な構成成分については同一の番
号が付されている。
【００１１】図１は本発明の実施例を示す端面発光型Ｌ
ＥＤアレイの平面図、図２はその端面発光型ＬＥＤアレ
イの側面図である。図１及び図２において、１０は端面
発光型ＬＥＤアレイ、１１は第１導電型の半導体下地で
ある。この実施例では、Ｎ型半導体下地としている。詳
細には、Ｎ型のガリウム・砒素（ＧａＡｓ）基板と、こ
のＮ型ＧａＡｓ基板両面にエピタキシャル成長させたＮ
型たガリウム・砒素・燐（ＧａＡｓＰ）とでＮ型半導体
下地１１を構成している。１３はＮ型半導体下地１１に
所定間隔（ＬＥＤの配列ピッチに応じた間隔）で形成し
たＰ型ＧａＡｓＰ層である。このＰ型ＧａＡｓＰ層１３
とＮ型半導体下地１１との境界が発光部となる。また、
１５は光の反射性材料からなるＰ側電極、１７はＮ側電
極、１９はそのＰ側電極１５とＮ型半導体下地１１とを
電気的に絶縁する絶縁膜である。
ＥＤアレイの平面図、図２はその端面発光型ＬＥＤアレ
イの側面図である。図１及び図２において、１０は端面
発光型ＬＥＤアレイ、１１は第１導電型の半導体下地で
ある。この実施例では、Ｎ型半導体下地としている。詳
細には、Ｎ型のガリウム・砒素（ＧａＡｓ）基板と、こ
のＮ型ＧａＡｓ基板両面にエピタキシャル成長させたＮ
型たガリウム・砒素・燐（ＧａＡｓＰ）とでＮ型半導体
下地１１を構成している。１３はＮ型半導体下地１１に
所定間隔（ＬＥＤの配列ピッチに応じた間隔）で形成し
たＰ型ＧａＡｓＰ層である。このＰ型ＧａＡｓＰ層１３
とＮ型半導体下地１１との境界が発光部となる。また、
１５は光の反射性材料からなるＰ側電極、１７はＮ側電
極、１９はそのＰ側電極１５とＮ型半導体下地１１とを
電気的に絶縁する絶縁膜である。
【００１２】本発明の端面発光型ＬＥＤでは、図１およ
び図２に示したように、電極を光の反射性材料で形成す
るとともに、上部から見てＰＮ接合部を覆い隠すように
形成することにより、この接合部からの発光を上部の不
必要な部位に出射することなく、効率的に端面から出射
できるので、端面からの発光効率を高くすることができ
る。
び図２に示したように、電極を光の反射性材料で形成す
るとともに、上部から見てＰＮ接合部を覆い隠すように
形成することにより、この接合部からの発光を上部の不
必要な部位に出射することなく、効率的に端面から出射
できるので、端面からの発光効率を高くすることができ
る。
【００１３】図３は本発明の実施例を示す端面発光型Ｌ
ＥＤアレイの製造工程断面図（その１）、図４はその端
面発光型ＬＥＤアレイの製造工程断面図（その２）であ
る。この実施例では、まず、図３（Ａ）に示すように、
Ｎ型ＧａＡｓ基板とこのＮ型ＧａＡｓ基板両面にエピタ
キシャル成長させたＮ型ＧａＡｓＰ層とで構成されるＮ
型半導体下地１１に、拡散防止膜２１を、公知の成膜方
法、例えば蒸着法、スパッタ法あるいはＣＶＤ法および
ホトリソグラフィ技術、エッチング技術により形成す
る。
ＥＤアレイの製造工程断面図（その１）、図４はその端
面発光型ＬＥＤアレイの製造工程断面図（その２）であ
る。この実施例では、まず、図３（Ａ）に示すように、
Ｎ型ＧａＡｓ基板とこのＮ型ＧａＡｓ基板両面にエピタ
キシャル成長させたＮ型ＧａＡｓＰ層とで構成されるＮ
型半導体下地１１に、拡散防止膜２１を、公知の成膜方
法、例えば蒸着法、スパッタ法あるいはＣＶＤ法および
ホトリソグラフィ技術、エッチング技術により形成す
る。
【００１４】ここで、拡散防止膜２１は、例えばアルミ
ナ膜、窒化膜、酸化シリコン膜から選ばれる膜で構成で
きる。また、その膜厚は例えば５０〜２００ｎｍとする
ことができる。拡散防止膜２１が形成されたＮ型半導体
下地１１両面に、次に、拡散制御膜２５を公知の成膜方
法により形成する。この拡散制御膜２５は、例えばアル
ミナ膜、窒化膜、酸化シリコン膜、ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐ
ｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）から選ばれる膜
で構成できる。また、その膜厚は、例えば１０〜２０ｎ
ｍとすることができる。
ナ膜、窒化膜、酸化シリコン膜から選ばれる膜で構成で
きる。また、その膜厚は例えば５０〜２００ｎｍとする
ことができる。拡散防止膜２１が形成されたＮ型半導体
下地１１両面に、次に、拡散制御膜２５を公知の成膜方
法により形成する。この拡散制御膜２５は、例えばアル
ミナ膜、窒化膜、酸化シリコン膜、ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐ
ｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）から選ばれる膜
で構成できる。また、その膜厚は、例えば１０〜２０ｎ
ｍとすることができる。
【００１５】次に、図３（Ｂ）に示すように、Ｎ型半導
体下地１１の拡散防止膜２１で覆われていない部分に、
拡散制御膜２５を通して、Ｐ型不純物としての、例えば
亜鉛（Ｚｎ）を気相拡散法により拡散させて、Ｐ型Ｇａ
ＡｓＰ層１３を形成する。次に、図３（Ｃ）に示すよう
に、Ｎ型半導体下地１１と後に形成されるＰ側電極との
絶縁を図るための絶縁膜を形成するために、この試料上
全面に絶縁膜１９を公知の成膜方法により形成する。
体下地１１の拡散防止膜２１で覆われていない部分に、
拡散制御膜２５を通して、Ｐ型不純物としての、例えば
亜鉛（Ｚｎ）を気相拡散法により拡散させて、Ｐ型Ｇａ
ＡｓＰ層１３を形成する。次に、図３（Ｃ）に示すよう
に、Ｎ型半導体下地１１と後に形成されるＰ側電極との
絶縁を図るための絶縁膜を形成するために、この試料上
全面に絶縁膜１９を公知の成膜方法により形成する。
【００１６】この絶縁膜１９は、例えばアルミナ膜、窒
化膜、或いは酸化シリコン膜から選ばれる膜で構成でき
る。また、その膜厚は、例えば５０〜１００ｎｍとする
ことができる。次に、図３（Ｄ）に示すように、この絶
縁膜１９を所定形状に公知のリソグラフィ技術及びエッ
チング技術により加工して、絶縁膜１９Ａを得る。
化膜、或いは酸化シリコン膜から選ばれる膜で構成でき
る。また、その膜厚は、例えば５０〜１００ｎｍとする
ことができる。次に、図３（Ｄ）に示すように、この絶
縁膜１９を所定形状に公知のリソグラフィ技術及びエッ
チング技術により加工して、絶縁膜１９Ａを得る。
【００１７】次に、図４（Ａ）に示すように、Ｐ型Ｇａ
ＡｓＰ層１３に接続されるＰ側電極１５を、公知の成膜
方法および微細加工技術により形成する。ここで、Ｐ側
電極１５を構成する材料は、光を反射する材料からな
り、かつ、Ｐ型ＧａＡｓＰ層１３との間でオーミックコ
ンタクトがとれる材料であれば特に限定されない。例え
ば、アルミニウムはＰ側電極１５の構成材料として用い
ることができる。
ＡｓＰ層１３に接続されるＰ側電極１５を、公知の成膜
方法および微細加工技術により形成する。ここで、Ｐ側
電極１５を構成する材料は、光を反射する材料からな
り、かつ、Ｐ型ＧａＡｓＰ層１３との間でオーミックコ
ンタクトがとれる材料であれば特に限定されない。例え
ば、アルミニウムはＰ側電極１５の構成材料として用い
ることができる。
【００１８】このＰ側電極１５は、サイド拡散領域まで
を含め、上方から見てＰＮ接合部を覆い隠すように形成
する。次いで、基板両面に所定の凹部を形成する。ここ
では、まず、隣り合うＬＥＤアレイ１０の間の部分つま
り、図４（Ｂ）に示すように、隣り合うＬＥＤアレイ１
０の発光端面側のダイシング予定領域以外を覆うように
エッチングマスク２７を、例えばレジストパターンを半
導体基板上に形成する。
を含め、上方から見てＰＮ接合部を覆い隠すように形成
する。次いで、基板両面に所定の凹部を形成する。ここ
では、まず、隣り合うＬＥＤアレイ１０の間の部分つま
り、図４（Ｂ）に示すように、隣り合うＬＥＤアレイ１
０の発光端面側のダイシング予定領域以外を覆うように
エッチングマスク２７を、例えばレジストパターンを半
導体基板上に形成する。
【００１９】次に、エッチングマスク２７の形成が済ん
だ半導体基板を、エッチングする。このエッチングは、
例えばリン酸系或いはクエン酸系のエッチング液で行
う。例えば、５０％重量のクエン酸水溶液〔Ｃ3 Ｈ
4 （ＯＨ）（ＣＯＯＨ）3 Ｈ2 Ｏ〕と過酸化水素水とを
所定の混合比で混合した液は、クエン酸系のエッチャン
トとして使用できる。このエッチングにより、エッチン
グマスク２７の内側にエッチングが進行する。
だ半導体基板を、エッチングする。このエッチングは、
例えばリン酸系或いはクエン酸系のエッチング液で行
う。例えば、５０％重量のクエン酸水溶液〔Ｃ3 Ｈ
4 （ＯＨ）（ＣＯＯＨ）3 Ｈ2 Ｏ〕と過酸化水素水とを
所定の混合比で混合した液は、クエン酸系のエッチャン
トとして使用できる。このエッチングにより、エッチン
グマスク２７の内側にエッチングが進行する。
【００２０】このエッチングの際に、図４（Ｃ）に示す
ように、半導体下地１１からヒサシ状に残った拡散防止
膜２１をエッチングで除去して凹部２９を形成する。次
に、図４（Ｄ）に示すように、レジストパターン２７を
除去し、その後、Ｎ型半導体下地１１の裏面にＮ側電極
１７を形成する。なお、特性向上のためにＮ型半導体下
地１１の裏面を研磨した後にＮ側電極を形成するように
してもよい。Ｎ側電極１７の構成材料は、Ｎ型半導体下
地との間でオーミックコンタクトがとれる材料であれ
ば、特に限定されない。例えば、金合金はＮ側電極１７
の構成材料として用いることができる。
ように、半導体下地１１からヒサシ状に残った拡散防止
膜２１をエッチングで除去して凹部２９を形成する。次
に、図４（Ｄ）に示すように、レジストパターン２７を
除去し、その後、Ｎ型半導体下地１１の裏面にＮ側電極
１７を形成する。なお、特性向上のためにＮ型半導体下
地１１の裏面を研磨した後にＮ側電極を形成するように
してもよい。Ｎ側電極１７の構成材料は、Ｎ型半導体下
地との間でオーミックコンタクトがとれる材料であれ
ば、特に限定されない。例えば、金合金はＮ側電極１７
の構成材料として用いることができる。
【００２１】すると、半導体ウエハは、図１に示すよう
に、ＬＥＤアレイ１０が複数作り込まれたものとなる。
次に、所定のダイシングを行う。すなわち、ＬＥＤアレ
イ１０を複数形成し終えた半導体ウエハを凹部２９の底
面から底面での幅より狭い切断幅でダイシングする。
に、ＬＥＤアレイ１０が複数作り込まれたものとなる。
次に、所定のダイシングを行う。すなわち、ＬＥＤアレ
イ１０を複数形成し終えた半導体ウエハを凹部２９の底
面から底面での幅より狭い切断幅でダイシングする。
【００２２】なお、上記実施例では、選択拡散領域が複
数個形成されたＬＥＤアレイの製造について述べたが、
そのＬＥＤアレイを更にダイシングして、選択拡散領域
が１個形成されたＬＥＤ素子を得ることができることは
言うまでもない。また、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が
可能であり、これらを本発明の範囲から排除するもので
はない。
数個形成されたＬＥＤアレイの製造について述べたが、
そのＬＥＤアレイを更にダイシングして、選択拡散領域
が１個形成されたＬＥＤ素子を得ることができることは
言うまでもない。また、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が
可能であり、これらを本発明の範囲から排除するもので
はない。
【００２３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、上記電極を設ける
ことによって、上方から見て、発光するＰＮ接合部分を
完全に覆い隠すことができる。
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、上記電極を設ける
ことによって、上方から見て、発光するＰＮ接合部分を
完全に覆い隠すことができる。
【００２４】また、ＰＮ接合部で発光した光が上方から
洩れ出さずに上部電極で反射され、半導体内部に戻さ
れ、その内のある割合の光を端面から出射することがで
きる。したがって、端面からの発光効率が向上する。更
に、選択拡散領域と電極とのコンタクト面積が広くな
り、接続性の向上を図ることができる。
洩れ出さずに上部電極で反射され、半導体内部に戻さ
れ、その内のある割合の光を端面から出射することがで
きる。したがって、端面からの発光効率が向上する。更
に、選択拡散領域と電極とのコンタクト面積が広くな
り、接続性の向上を図ることができる。
【００２５】（２）請求項２記載の発明によれば、上記
（１）記載の発明の効果を奏するＬＥＤアレイを提供す
ることができる。 （３）請求項３記載の発明によれば、上記（１）記載の
発明の効果を奏するＬＥＤを提供することができる。 （４）端面からの発光効率が高く、接続性の向上を図り
得る端面発光型半導体発光装置を容易に製造することが
できる。
（１）記載の発明の効果を奏するＬＥＤアレイを提供す
ることができる。 （３）請求項３記載の発明によれば、上記（１）記載の
発明の効果を奏するＬＥＤを提供することができる。 （４）端面からの発光効率が高く、接続性の向上を図り
得る端面発光型半導体発光装置を容易に製造することが
できる。
【図１】本発明の実施例を示す端面発光型ＬＥＤアレイ
の平面図である。
の平面図である。
【図２】本発明の実施例を示す端面発光型ＬＥＤアレイ
の側面図である。
の側面図である。
【図３】本発明の実施例を示す端面発光型ＬＥＤアレイ
の製造工程断面図（その１）である。
の製造工程断面図（その１）である。
【図４】本発明の実施例を示す端面発光型ＬＥＤアレイ
の製造工程断面図（その２）である。
の製造工程断面図（その２）である。
１０ 端面発光型ＬＥＤアレイ １１ 第１導電型の半導体下地 １３ Ｐ型ＧａＡｓＰ層 １５ 光の反射性材料からなるＰ側電極 １７ Ｎ側電極 １９，１９Ａ 絶縁膜 ２１ 拡散防止膜 ２５ 拡散制御膜 ２７ エッチングマスク（レジストパターン） ２９ 凹部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山中 綾 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】（ａ）半導体下地と、（ｂ）該半導体下地
に不純物を選択拡散して形成されるＰＮ接合部を有する
選択拡散領域と、（ｃ）該選択拡散領域と電気的に接続
するとともに、サイド拡散領域までを含め、拡散領域の
全上面を覆い、かつ光の反射材料からなる電極を具備す
ることを特徴とする端面発光型半導体発光装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の端面発光型半導体発光装
置において、前記選択拡散領域が複数個形成されたＬＥ
Ｄアレイからなる端面発光型半導体発光装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の端面発光型半導体発光装
置において、前記選択拡散領域が一個形成されたＬＥＤ
素子からなる端面発光型半導体発光装置。 - 【請求項４】 半導体下地を形成し、この半導体下地に
不純物を選択拡散して形成されるＰＮ接合部を形成した
後、選択拡散領域と電気的に接続する電極を形成する端
面発光型半導体発光装置の製造方法において、 前記電極を光の反射材料により形成するとともに、該電
極の大きさをサイド拡散領域までを含め、拡散領域の全
上面を覆うように形成することを特徴とする端面発光型
半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015496A JPH09213994A (ja) | 1996-02-06 | 1996-02-06 | 端面発光型半導体発光装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015496A JPH09213994A (ja) | 1996-02-06 | 1996-02-06 | 端面発光型半導体発光装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09213994A true JPH09213994A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=12019247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015496A Withdrawn JPH09213994A (ja) | 1996-02-06 | 1996-02-06 | 端面発光型半導体発光装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09213994A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100403557C (zh) * | 2003-04-21 | 2008-07-16 | 三星电机株式会社 | 半导体发光二极管及其制造方法 |
-
1996
- 1996-02-06 JP JP2015496A patent/JPH09213994A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100403557C (zh) * | 2003-04-21 | 2008-07-16 | 三星电机株式会社 | 半导体发光二极管及其制造方法 |
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