TW201517179A - 半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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Kosuke Morita
Tsuyoshi Ishizaka
Eiji Toyoda
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Nitto Denko Corp
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Abstract

本發明係關於一種半導體裝置之製造方法，其包括如下步驟：步驟A，準備將半導體晶片以其電路形成面作為貼合面而暫時固定於暫時固定用片材上之積層體；步驟B，準備密封用片材；步驟C，將半導體晶片嵌入於密封用片材，形成半導體晶片已嵌入於密封用片材之密封體；步驟D，於步驟C之後，使密封用片材熱硬化；步驟E，於步驟D之後，將暫時固定用片材自密封體剝離；及步驟F，於步驟E之後，於密封體之電路形成面側形成再配線；且於進行步驟F之前，於密封體形成有可自電路形成面側辨識之對準標記。

Description

半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種半導體裝置之製造方法。
近年來，半導體裝置之小型化或配線之微細化有越發進展之傾向，且於狹窄之半導體晶片區域(於俯視下透視半導體晶片之情形時為與半導體晶片重疊之區域)中必須配置更多I/O(input/output，輸入/輸出)墊或通孔，同時接腳密度亦逐漸上升。進而，BGA(Ball Grid Array，球柵陣列)封裝中，於半導體晶片區域內形成有大量端子，而用以形成其他要素之區域受限，故而採用於半導體封裝基板上將配線自端子抽出至半導體晶片區域之外側之方法。
先前，已知有如下方法：於在支持體上所形成之感熱性接著劑上排列經單片化之複數個晶片後，將該等晶片嵌入密封樹脂而形成共用載具(密封體)，繼而，藉由加熱將嵌入有晶片之共用載具與感熱性接著劑剝離，其後於晶片上形成金屬再配線(例如參照專利文獻1)。將晶片嵌入密封樹脂係藉由自支持體側、及密封樹脂側加壓而進行。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]美國專利第7,202,107號
於藉由如上述之方法製造半導體裝置之情形時，存在如下情 況：於在晶片上形成金屬再配線時，必須於晶片上之規定位置進行再配線，若再配線之位置發生偏移，則無法獲得與晶片之間之電性連接。然而，由於藉由上述方法所形成之密封體並無用以辨識晶片之位置之標識，故而有如下問題：存在於再配線時會於自預定之位置偏移之處形成再配線之情況。
本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種可不發生位置偏移地進行再配線之半導體裝置之製造方法。
本案發明者等人發現藉由採用下述構成可解決上述問題，從而完成本發明。
即，本發明係一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於包括如下步驟：步驟A，準備將半導體晶片以其電路形成面作為貼合面而暫時固定於暫時固定用片材上之積層體；步驟B，準備密封用片材；步驟C，將上述半導體晶片嵌入於上述密封用片材，形成上述半導體晶片已嵌入於上述密封用片材之密封體；步驟D，於上述步驟C之後，使上述密封用片材熱硬化；步驟E，於上述步驟D之後，將上述暫時固定用片材自上述密封體剝離；及步驟F，於上述步驟E之後，於上述密封體之上述電路形成面側形成再配線；且於進行上述步驟F之前，於上述密封體形成有可自上述電路形成面側辨識之對準標記。
根據本發明之半導體裝置之製造方法，於進行形成再配線之步驟F之前，於密封體形成有可自電路形成面側辨識之對準標記。因 此，於形成再配線時(進行步驟F時)，可利用上述對準標記確認密封體之位置或朝向後進行再配線。其結果為可抑制再配線之位置偏移。
於上述構成中，上述對準標記亦可為上述步驟C中與上述半導體晶片一併嵌入於上述密封體之識別體。
若上述對準標記為上述步驟C中與上述半導體晶片一併嵌入於上述密封體之識別體(例如識別用之晶片)，則無需追加用以形成對準標記之另外之步驟。因此，可不使步驟複雜化而形成對準標記。
於上述構成中，對準標記亦可為於上述密封體所形成之切口。
若上述對準標記為於上述密封體所形成之切口，則只要於密封體端設置切口即可。因此，能夠不使可密封於密封體之半導體晶片之個數減少而設置對準標記。
根據本發明，可提供一種可不發生位置偏移地進行再配線之半導體裝置之製造方法。
40‧‧‧密封用片材
40a‧‧‧切口
41‧‧‧剝離襯墊
50、80‧‧‧積層體
53‧‧‧半導體晶片
53a‧‧‧半導體晶片之電路形成面
53b‧‧‧暫時固定區域
53c‧‧‧半導體晶片之背面
55‧‧‧識別體
58、88‧‧‧密封體
59‧‧‧半導體裝置
60、90‧‧‧暫時固定用片材
61‧‧‧支持體
62‧‧‧下側加熱板
64‧‧‧上側加熱板
67‧‧‧凸塊
69‧‧‧再配線
圖1(a)係用以說明第1實施形態之半導體裝置之製造方法之俯視模式圖，圖1(b)係其前視剖面圖。
圖2係用以說明第1實施形態之半導體裝置之製造方法之剖面模式圖。
圖3係用以說明第1實施形態之半導體裝置之製造方法之剖面模式圖。
圖4係用以說明第1實施形態之半導體裝置之製造方法之剖面模式圖。
圖5係用以說明第1實施形態之半導體裝置之製造方法之剖面模式圖。
圖6(a)係用以說明第1實施形態之半導體裝置之製造方法之剖面 模式圖，圖6(b)係其內面圖。
圖7係用以說明第1實施形態之半導體裝置之製造方法之剖面模式圖。
圖8係用以說明第1實施形態之半導體裝置之製造方法之剖面模式圖。
圖9係用以說明第2實施形態之半導體裝置之製造方法之俯視模式圖。
圖10(a)係用以說明第2實施形態之半導體裝置之製造方法之剖面模式圖，圖10(b)係其內面圖。
以下，一面參照圖式，一面對本發明之實施形態進行說明。但是，本發明並不僅限定於該等實施形態。
本發明之半導體裝置之製造方法至少包括如下步驟：步驟A，準備已將半導體晶片暫時固定於暫時固定用片材上之積層體；步驟A，準備將半導體晶片以其電路形成面作為貼合面而暫時固定於暫時固定用片材上之積層體；步驟B，準備密封用片材；步驟C，將上述半導體晶片嵌入於上述密封用片材，形成上述半導體晶片已嵌入於上述密封用片材之密封體；步驟D，於上述步驟C之後，使上述密封用片材熱硬化；步驟E，於上述步驟D之後，將上述暫時固定用片材自上述密封體剝離；及步驟F，於上述步驟E之後，於上述密封體之上述電路形成面側形成再配線；且於進行上述步驟F之前，於上述密封體形成有可自上述電路形成 面側辨識之對準標記。
以下，首先針對於本發明之對準標記為與半導體晶片一併嵌入於密封體之識別體之情形時之實施形態進行說明。
<第1實施形態>
圖1(a)係用以說明第1實施形態之半導體裝置之製造方法之俯視模式圖，圖1(b)係其前視剖面圖。圖2~圖5係用以說明第1實施形態之半導體裝置之製造方法之前視剖面圖。圖6(a)係用以說明第1實施形態之半導體裝置之製造方法之剖面模式圖，圖6(b)係其內面圖。圖7、圖8係用以說明第1實施形態之半導體裝置之製造方法之前視剖面圖。
[積層體準備步驟]
如圖1(a)及圖1(b)所示，本實施形態之半導體裝置之製造方法中，首先，準備已將半導體晶片53與識別體55暫時固定於暫時固定用片材60上之積層體50(步驟A)。
識別體55係於形成再配線之步驟(步驟F)中，用於辨識密封體58(參照圖3)之位置或朝向。識別體55之大小或形狀可與半導體晶片53相同，亦可不同，但就可確實地識別其與半導體晶片53之觀點而言，較佳為與半導體晶片53不同。本實施形態中，針對識別體55較半導體晶片53更薄且俯視下之面積更小之情形進行說明。
再者，本實施形態中，針對識別體55之俯視形狀為正方形之情形進行說明，但本發明中識別體之俯視形狀並不限定於該例，就可於俯視下辨識旋轉方向之位置偏移之觀點而言，亦可為矩形、頂點為5個以上之多邊形、楔形。又，就可辨識位置之方面而言，亦可為圓形。
又，由於識別體55係用於辨識密封體58之位置或朝向者，故而無需形成電路。又，識別體55只要為藉由用以辨識密封體之位置或朝 向之裝置(例如相機)至少辨識出位置者即可，材質並無特別限定。例如可為矽片，亦可為樹脂片。
又，為了使顏色與構成密封體之密封樹脂(密封用片材)不同，亦可將識別體55著色。關於著色，亦可藉由於識別體之外周面塗佈塗料而進行，於為樹脂片等之情形時，亦可添加顏料或染料而進行著色。
本實施形態中，於暫時固定用片材60上預先設定有用以暫時固定半導體晶片53之暫時固定區域53b，且半導體晶片53於暫時固定區域53b內空出間隔地排列有複數個。
本實施形態中，針對暫時固定用片材60上暫時固定有複數個半導體晶片53之情形進行說明，但本發明中於暫時固定用片材上所暫時固定之半導體晶片之個數並無特別限定。再者，本實施形態中，為圖式之記載方便起見而將半導體晶片53以豎3個×橫3個空出間隔地排列，針對該情形(參照圖1(a))進行說明，但亦可進而排列更多之半導體晶片。
於本發明中，較佳為如本實施形態般將半導體晶片53暫時固定於暫時固定用片材60上所預先設定之暫時固定區域53b，將識別體55暫時固定於暫時固定區域53b以外之部位。其原因在於：藉此可進一步確實地識別識別體55及半導體晶片53。
如圖1(b)所示，暫時固定用片材60通常以積層於成為強度母體之支持體61上之形態使用。暫時固定用片材60可如圖1(b)所示般地貼附於支持體61之整個面，亦可如圖1所示般僅貼附於支持體61之一部分，使支持體61之一部分外露。
(暫時固定用片材)
作為暫時固定用片材60，可採用以下進行說明之熱膨脹性黏著劑層。又，作為暫時固定用片材60，可採用具有源自具有醯亞胺基且至少一部分具有醚結構之二胺之結構單元之熱剝離片材。關於具有源 自具有醯亞胺基且至少一部分具有醚結構之二胺之結構單元之熱剝離片材，由於日本專利特開2013-153122號公報等中有詳細記載，故而此處省略其說明。
(熱膨脹性黏著劑層)
熱膨脹性黏著劑層可藉由包含聚合物成分、及發泡劑之黏著劑組合物而形成。作為聚合物成分(特別是基礎聚合物)，可較佳地使用丙烯酸系聚合物(有時稱為「丙烯酸系聚合物A」)。作為丙烯酸系聚合物A，可列舉使用(甲基)丙烯酸酯作為主單體成分者。作為上述(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基之碳數1~30、特別是碳數4~18之直鏈狀或支鏈狀之烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環烷基酯(例如環戊酯、環己酯等)等。該等(甲基)丙烯酸酯亦可單獨使用或將2種以上併用。
再者，上述丙烯酸系聚合物A亦可以凝集力、耐熱性、交聯性等之改質為目的而視需要包含與可與上述(甲基)丙烯酸酯共聚合之其他單體成分對應之單元。作為此種單體成分，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸、丙烯酸羧基乙酯等含羧基單體；順丁烯二酸酐、伊康酸酐等含酸酐基單體；(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯、(甲基)丙烯酸羥基丁酯等含羥基單體；(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺等(N-經取代或未經取代)醯胺系單體；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯酯系單體；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯系單體；乙烯 基甲醚、乙烯基乙醚等乙烯醚系單體；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯系單體；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含環氧基丙烯酸系單體；乙烯、丙烯、異戊二烯、丁二烯、異丁烯等烯烴或二烯系單體；(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲胺基乙酯、(甲基)丙烯酸第三丁基胺基乙酯等(經取代或未經取代)含胺基單體；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系單體；N-乙烯基吡咯啶酮、N-甲基乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌、N-乙烯基吡、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基唑、N-乙烯基啉、N-乙烯基己內醯胺等具有含氮原子環之單體；N-乙烯基羧醯胺類；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯等含磺酸基單體；丙烯醯基磷酸2-羥基乙酯等含磷酸基單體；N-環己基順丁烯二醯亞胺、N-異丙基順丁烯二醯亞胺、N-月桂基順丁烯二醯亞胺、N-苯基順丁烯二醯亞胺等順丁烯二醯亞胺系單體；N-甲基伊康醯亞胺、N-乙基伊康醯亞胺、N-丁基伊康醯亞胺、N-辛基伊康醯亞胺、N-2-乙基己基伊康醯亞胺、N-環己基伊康醯亞胺、N-月桂基伊康醯亞胺等伊康醯亞胺系單體；N-(甲基)丙烯醯氧基亞甲基琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-6-氧基六亞甲基琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-8-氧基八亞甲基琥珀醯亞胺等琥珀醯亞胺系單體；聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯等二醇系丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸四氫糠酯等具有含氧原子雜環之單體；氟系(甲基)丙烯酸酯等含有氟原子之丙烯酸酯系單體；聚矽氧系(甲基)丙烯酸酯等含有矽原子之丙烯酸酯系單體；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環 氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、丙烯酸胺基甲酸酯、二乙烯苯、二(甲基)丙烯酸丁酯、二(甲基)丙烯酸己酯等多官能單體等。
上述丙烯酸系聚合物A係藉由對單一單體或2種以上之單體混合物實施聚合而獲得。聚合亦能夠以溶液聚合(例如自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合等)、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合、光聚合(例如紫外線(UV)聚合等)等任一方式而進行。
丙烯酸系聚合物A之重量平均分子量並無特別限制，但較佳為35萬~100萬，進而較佳為45萬~80萬左右。
又，為了調整黏著力，於熱膨脹性黏著劑中亦可適當地使用外部交聯劑。作為外部交聯方法之具體方案，可列舉添加聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交聯劑等所謂交聯劑並使其反應之方法。於使用外部交聯劑之情形時，其使用量根據與所應交聯之基礎聚合物之平衡性，進而根據作為黏著劑之使用用途而適當地確定。關於外部交聯劑之使用量，相對於上述基礎聚合物100重量份，一般而言為20重量份以下(較佳為0.1重量份~10重量份)。
熱膨脹性黏著劑層如上述般含有用以賦予熱膨脹性之發泡劑。因此，於作為暫時固定用片材60之熱膨脹性黏著劑層上形成有密封體58之狀態(參照圖4)下，於任意時間至少部分地加熱暫時固定用片材60，並使該經加熱之暫時固定用片材60之部分所含有之發泡劑發泡及/或膨脹，藉此使暫時固定用片材60至少部分地膨脹，藉由該暫時固定用片材60之至少部分膨脹，使對應於該膨脹之部分之黏著面(與密封體58之界面)變形成凹凸狀，而使該暫時固定用片材60與密封體58之接著面積減少，藉此可使兩者間之接著力減小，從而使密封體58自暫時固定用片材60剝離(參照圖5)。
(發泡劑)
作為熱膨脹性黏著劑層中所使用之發泡劑，並無特別限制，可 自公知之發泡劑中適當地選擇。發泡劑可單獨使用或組合2種以上使用。作為發泡劑，可較佳地使用熱膨脹性微球。
(熱膨脹性微球)
作為熱膨脹性微球，並無特別限制，可自公知之熱膨脹性微球(各種無機系熱膨脹性微球、或有機系熱膨脹性微球等)中適當地選擇。作為熱膨脹性微球，就混合操作容易之觀點等而言，可較佳地使用微膠囊化之發泡劑。作為此種熱膨脹性微球，例如可列舉使異丁烷、丙烷、戊烷等藉由加熱會容易地氣化而膨脹之物質內包於具有彈性之殼內所得之微球等。上述殼多以熱熔融性物質或因熱膨脹而破壞之物質所形成。作為形成上述殼之物質，例如可列舉：偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、聚碸等。
熱膨脹性微球可藉由慣用之方法而製造，例如凝聚法、界面聚合法等。再者，熱膨脹性微球可使用例如松本油脂製藥股份有限公司製造之商品名「Matsumoto Microsphere」系列(例如，商品名「Matsumoto Microsphere F30」、商品名「Matsumoto Microsphere F301D」、商品名「Matsumoto Microsphere F50D」、商品名「Matsumoto Microsphere F501D」、商品名「Matsumoto Microsphere F80SD」、商品名「Matsumoto Microsphere F80VSD」等)，此外亦可使用Expancel公司製造之商品名「051DU」、商品名「053DU」、商品名「551DU」、商品名「551-20DU」、商品名「551-80DU」等市售品。
再者，於使用熱膨脹性微球作為發泡劑之情形時，作為該熱膨脹性微球之粒徑(平均粒徑)，可視熱膨脹性黏著劑層之厚度等適當地選擇。作為熱膨脹性微球之平均粒徑，例如可自100μm以下(較佳為80μm以下，進而較佳為1μm~50μm，特佳為1μm~30μm)之範圍 內選擇。再者，熱膨脹性微球之粒徑之調整可於熱膨脹性微球之產生過程中進行，亦可於產生後藉由分級等方法而進行。作為熱膨脹性微球，較佳為粒徑整齊。
(其他發泡劑)
本實施形態中，作為發泡劑，亦可使用熱膨脹性微球以外之發泡劑。作為此種發泡劑，可適當地選擇各種無機系發泡劑或有機系發泡劑等各種發泡劑而使用。作為無機系發泡劑之代表性例，例如可列舉：碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸氫鈉、亞硝酸銨、硼氫化鈉、各種疊氮類等。
又，作為有機系發泡劑之代表性例，例如可列舉：水；三氯單氟甲烷、二氯單氟甲烷等氯氟化烷烴系化合物；偶氮雙異丁腈、偶氮二甲醯胺、偶氮二羧酸鋇等偶氮系化合物；對甲苯磺醯肼、二苯基碸-3,3'-二磺醯肼、4,4'-氧基雙(苯磺醯肼)、烯丙基雙(磺醯肼)等肼系化合物；對甲苯基磺醯半卡肼、4,4'-氧基雙(苯磺醯半卡肼)等半卡肼系化合物；5-啉基-1,2,3,4-噻三唑等三唑系化合物；N,N'-二亞硝基五亞甲基四胺、N,N'-二甲基-N,N'-二亞硝基對苯二甲醯胺等N-亞硝基系化合物等。
本實施形態中，為了藉由進行加熱處理而高效且穩定地使熱膨脹性黏著劑層之接著力降低，較佳為具有至體積膨脹率達到5倍以上、其中達到7倍以上、特別是達到10倍以上而不破裂之適度強度的發泡劑。
發泡劑(熱膨脹性微球等)之調配量可視熱膨脹性黏著劑層之膨脹倍率或接著力之降低性等適當地設定，但一般而言，相對於形成熱膨脹性黏著劑層之基礎聚合物100重量份例如為1重量份~150重量份(較佳為10重量份~130重量份，進而較佳為25重量份~100重量份)。
本實施形態中，作為發泡劑，可較佳地使用發泡起始溫度(熱膨 脹起始溫度)(T0)為80℃~210℃之範圍者，較佳為具有90℃~200℃(更佳為95℃~200℃，特佳為100℃~170℃)之發泡起始溫度者。若發泡劑之發泡起始溫度低於80℃，則存在因製造或使用密封體時之熱量而使發泡劑發泡之情況，且操作性或生產性會降低。另一方面，於發泡劑之發泡起始溫度超過210℃之情形時，支持體或密封用片材40需要過度之耐熱性，於操作性、生產性或成本方面欠佳。再者，發泡劑之發泡起始溫度(T0)相當於熱膨脹性黏著劑層之發泡起始溫度(T0)。
再者，作為使發泡劑發泡之方法(即，使熱膨脹性黏著劑層熱膨脹之方法)，可自公知之加熱發泡方法中適當地選擇而採用。
本實施形態中，關於熱膨脹性黏著劑層，就加熱處理前之適度之接著力及加熱處理後之接著力之降低性之平衡性之方面而言，不含有發泡劑之形態下之彈性模數於23℃~150℃下較佳為5×104Pa~1×106Pa，進而較佳為5×104Pa~8×105Pa，特佳為5×104Pa~5×105Pa。若黏著劑層於不含有熱膨脹性發泡劑之形態下之彈性模數(溫度：23℃~150℃)未達5×104Pa，則存在熱膨脹性差、剝離性會降低之情況。又，熱膨脹性黏著劑層於不含有發泡劑之形態下之彈性模數(溫度：23℃~150℃)大於1×106Pa之情形時，存在初期接著性較差之情況。
再者，不含有發泡劑之形態之熱膨脹性黏著劑層相當於藉由黏著劑(不含發泡劑)而形成之黏著劑層。因此，熱膨脹性黏著劑層於不含有發泡劑之形態下之彈性模數可使用黏著劑(不含發泡劑)而測定。再者，熱膨脹性黏著劑層可藉由熱膨脹性黏著劑而形成，該熱膨脹性黏著劑包含可形成23℃~150℃下之彈性模數為5×104Pa~1×106Pa之黏著劑層之黏著劑、及發泡劑。
將熱膨脹性黏著劑層於不含有發泡劑之形態下之彈性模數設為 如下剪切儲存模數G'之值，該剪切儲存模數G'係製作未添加發泡劑之形態之熱膨脹性黏著劑層(即，藉由不含發泡劑之黏著劑而獲得之黏著劑層)(試樣)，使用Rheometric公司製造之動態黏彈性測定裝置「ARES」，使用試樣厚度約為1.5mm且7.9mm平行板之治具，於剪切模式下，於頻率為1Hz、升溫速度為5℃/分鐘、應變為0.1%(23℃)、0.3%(150℃)之條件下進行測定，獲得於23℃及150℃下之值。
熱膨脹性黏著劑層之彈性模數可藉由對黏著劑之基礎聚合物之種類、交聯劑、添加劑等進行調節而控制。
熱膨脹性黏著劑層之厚度並無特別限制，可根據接著力之降低性等適當地選擇，例如為5μm~300μm(較佳為20μm~150μm)左右。但是，於使用熱膨脹性微球作為發泡劑之情形時，熱膨脹性黏著劑層之厚度較佳為較所含之熱膨脹性微球之最大粒徑更厚。若熱膨脹性黏著劑層之厚度過薄，則會因熱膨脹性微球之凹凸而使表面平滑性受損，從而使加熱前(未發泡狀態)之接著性降低。又，因進行加熱處理引起之熱膨脹性黏著劑層之變形度較小，導致接著力難以順利地降低。另一方面，若熱膨脹性黏著劑層之厚度過厚，則存在如下情況：於因進行加熱處理引起之膨脹或發泡後，於熱膨脹性黏著劑層易產生凝集破壞，導致於密封體58產生糊劑殘留。
再者，熱膨脹性黏著劑層亦可為單層、複層之任一者。
本實施形態中，於熱膨脹性黏著劑層亦可包含各種添加劑(例如著色劑、增黏劑、增量劑、填充劑、黏著賦予劑、塑化劑、抗老化劑、抗氧化劑、界面活性劑、交聯劑等)。
(支持體)
支持體61係成為暫時固定用片材60之強度母體之薄板狀構件。作為支持體61之材料，只要考慮操作性或耐熱性等而適當地選擇即可，例如可使用：SUS(Steel Use Stainless，日本不鏽鋼標準)等之金 屬材料；聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚碸等塑膠材料；及玻璃或矽晶圓等。該等之中，就耐熱性或強度、可再利用性等觀點而言，較佳為SUS板。
支持體61之厚度可考慮目標強度或操作性而適當地選擇，較佳為100~5000μm，更佳為300~2000μm。
(暫時固定用片材之形成方法)
暫時固定用片材60係藉由於支持體61上形成暫時固定用片材60而獲得。於採用熱膨脹性黏著劑層作為暫時固定用片材60之情形時，熱膨脹性黏著劑層例如可利用將黏著劑與發泡劑(熱膨脹性微球等)及視需要之溶劑或其他添加劑等混合而形成為片狀之層之慣用方法而形成。具體而言，例如可藉由如下方法形成熱膨脹性黏著劑層：將包含黏著劑、發泡劑(熱膨脹性微球等)、及視需要之溶劑或其他添加劑之混合物塗佈於支持體61上之方法；將上述混合物塗佈於適當之隔片(剝離紙等)上而形成熱膨脹性黏著劑層，並將該熱膨脹性黏著劑層轉印(移著)於支持體61上之方法等。
(熱膨脹性黏著劑層之熱膨脹方法)
本實施形態中，熱膨脹性黏著劑層可藉由加熱而熱膨脹。作為加熱處理方法，例如可利用加熱板、熱風乾燥機、近紅外線燈、空氣乾燥機等適當之加熱機構而進行。加熱處理時之加熱溫度只要為熱膨脹性黏著劑層中之發泡劑(熱膨脹性微球等)之發泡起始溫度(熱膨脹起始溫度)以上即可，加熱處理之條件可根據因發泡劑(熱膨脹性微球等)之種類等引起之接著面積之減少性、支持體及包含半導體晶片之密封體等之耐熱性、加熱方法(熱容量、加熱機構等)等而適當地設定。作為一般性之加熱處理條件，為於溫度100℃~250℃下加熱1秒鐘~90秒鐘(加熱板等)或5分鐘~15分鐘(熱風乾燥機等)。再者，加熱處理可視使用目的而於適當之階段進行。又，作為加熱處理時之熱源，亦存 在可使用紅外線燈或加熱水之情況。
(中間層)
本實施形態中，於暫時固定用片材60與支持體61之間，亦可設置以提昇密著力或提昇加熱後之剝離性等為目的之中間層(未圖示)。其中，較佳為設置橡膠狀有機彈性中間層作為中間層。如此，藉由設置橡膠狀有機彈性中間層，可於將半導體晶片53接著於暫時固定用片材60時(參照圖1)，使暫時固定用片材60之表面良好地追隨半導體晶片53之表面形狀，從而使接著面積變大，並且可於使密封體58自暫時固定用片材60加熱剝離時，高度地(精度較好)控制暫時固定用片材60之加熱膨脹，從而使暫時固定用片材60優先且均勻地沿厚度方向膨脹。
再者，橡膠狀有機彈性中間層可介置於支持體61之單面或兩面。
橡膠狀有機彈性中間層較佳為藉由例如基於ASTM D-2240之D型蕭氏D型硬度為50以下、特別是40以下之天然橡膠、合成橡膠或具有橡膠彈性之合成樹脂而形成。再者，即便為如聚氯乙烯等般本質上為硬質系聚合物，藉由與塑化劑或柔軟劑等複合劑組合而亦可表現橡膠彈性。此種組合物亦可用作上述橡膠狀有機彈性中間層之構成材料。
橡膠狀有機彈性中間層例如可藉由如下形成方法而形成：將包含上述天然橡膠、合成橡膠或具有橡膠彈性之合成樹脂等橡膠狀有機彈性層形成材之塗佈液塗佈於基材上之方式(塗佈法)；將包含上述橡膠狀有機彈性層形成材而構成之膜、或預先於1層以上之熱膨脹性黏著劑層上形成有包含上述橡膠狀有機彈性層形成材而構成之層之積層膜接著於基材之方式(乾式層壓法)；將包含基材之構成材料之樹脂組合物與包含上述橡膠狀有機彈性層形成材之樹脂組合物共擠壓之方式(共擠壓法)等。
再者，橡膠狀有機彈性中間層可利用以天然橡膠或合成橡膠或具有橡膠彈性之合成樹脂作為主成分之黏著性物質而形成，又，亦可利用以相關成分作為主體之發泡膜等而形成。發泡可藉由慣用之方法而進行，例如藉由機械攪拌之方法、利用反應產生氣體之方法、使用發泡劑之方法、去除可溶性物質之方法、藉由噴霧之方法、形成混凝泡之方法、燒結法等。
橡膠狀有機彈性中間層等中間層之厚度例如為5μm~300μm，較佳為20μm~150μm左右。再者，於中間層例如為橡膠狀有機彈性中間層之情形時，若橡膠狀有機彈性中間層之厚度過薄，則存在無法形成加熱發泡後之三維結構變化，而導致剝離性變差之情況。
橡膠狀有機彈性中間層等中間層可為單層，亦可由2層以上之層而構成。
再者，於無損暫時固定用片材之作用效果之範圍內，亦可於中間層包含各種添加劑(例如著色劑、增黏劑、增量劑、填充劑、黏著賦予劑、塑化劑、抗老化劑、抗氧化劑、界面活性劑、交聯劑等)。
於積層體準備步驟中，將複數個半導體晶片53以其電路形成面53a與暫時固定用片材60相對向之方式配置於上述暫時固定用片材60上，而暫時固定(參照圖1(a)、及圖1(b))。又，將識別體55暫時固定於上述暫時固定用片材60上之暫時固定區域53b以外之部位(參照圖1(a))。於暫時固定半導體晶片53或識別體55時，可使用覆晶接合器(flip chip bonder)或黏晶機(die bonder)等公知之裝置。
半導體晶片53之配置佈局或配置數可根據暫時固定用片材60之形狀或尺寸、目標封裝之生產數等適當地設定，例如可排列成複數列且複數行之矩陣狀而配置。以上，表示了積層體準備步驟之一例。
[準備密封用片材之步驟]
又，於本實施形態之半導體裝置之製造方法中，如圖2所示，準 備密封用片材40(步驟B)。密封用片材40亦可以積層於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜等剝離襯墊41上之狀態進行準備。
(密封用片材)
密封用片材40之構成材料較佳為包含環氧樹脂、及用作硬化劑之酚樹脂。藉此，可獲得良好之熱硬化性。
作為上述環氧樹脂，並無特別限定。例如可使用三苯甲烷型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、改性雙酚A型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、改性雙酚F型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯氧樹脂等各種環氧樹脂。該等環氧樹脂可單獨使用，亦可將2種以上併用。
就確保環氧樹脂之硬化後之韌性及環氧樹脂之反應性之觀點而言，較佳為環氧當量150~250、軟化點或者熔點為50~130℃之常溫下為固形者，其中就可靠性之觀點而言，更佳為三苯甲烷型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂。
上述酚樹脂只要為與環氧樹脂之間會發生硬化反應者便無特別限定。例如可使用苯酚酚醛清漆型樹脂、苯酚芳烷基樹脂、聯苯芳烷基樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、可溶酚醛樹脂等。該等酚樹脂可單獨使用，亦可將2種以上併用。
作為上述酚樹脂，就與環氧樹脂之反應性之觀點而言，較佳為使用羥基當量為70~250、軟化點為50~110℃者，其中就硬化反應性較高之觀點而言，可較佳地使用苯酚酚醛清漆樹脂。又，就可靠性之觀點而言，可較佳地使用如苯酚芳烷基樹脂或聯苯芳烷基樹脂之類的低吸濕性者。
關於環氧樹脂與酚樹脂之調配比率，就硬化反應性之觀點而言，較佳為以相對於環氧樹脂中之環氧基1當量，酚樹脂中之羥基之合計成為0.7~1.5當量之方式進行調配，更佳為0.9~1.2當量。
關於密封用片材40中之環氧樹脂及酚樹脂之合計含量，較佳為2.5重量%以上，更佳為3.0重量%以上。若為2.5重量%以上，則可良好地獲得對半導體晶片53之接著力。關於密封用片材40中之環氧樹脂及酚樹脂之合計含量，較佳為20重量%以下，更佳為10重量%以下。若為20重量%以下，則可降低吸濕性。
密封用片材40較佳為包含熱塑性樹脂。藉此，可獲得未硬化時之處理性、或硬化物之低應力性。
作為上述熱塑性樹脂，可列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧樹脂、丙烯酸系樹脂、PET或PBT(polybutylene terephthalate，聚對苯二甲酸丁二酯)等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、氟樹脂、苯乙烯-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物等。該等熱塑性樹脂可單獨使用，或將2種以上併用地使用。其中，就低應力性、低吸水性之觀點而言，較佳為苯乙烯-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物。
關於密封用片材40中之熱塑性樹脂之含量，較佳為1.5重量%以上，更佳為2.0重量%以上。若為1.5重量%以上，則可獲得柔軟性、可撓性。關於密封用片材40中之熱塑性樹脂之含量，較佳為6重量%以下，更佳為4重量%以下。若為4重量%以下，則與半導體晶片53之接著性良好。
密封用片材40較佳為包含無機填充劑。
上述無機填充劑並無特別限定，可使用先前公知之各種填充劑，例如可列舉：石英玻璃、滑石、氧化矽(熔融氧化矽或晶質氧化矽等)、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽、氮化硼之粉末。該等可單獨使用，亦可將2種以上併用。其中，就可良好地降低線膨脹係數之原因 而言，較佳為氧化矽、氧化鋁，更佳為氧化矽。
作為氧化矽，較佳為氧化矽粉末，更佳為熔融氧化矽粉末。作為熔融氧化矽粉末，可列舉球狀熔融氧化矽粉末、破碎熔融氧化矽粉末，但就流動性之觀點而言，較佳為球狀熔融氧化矽粉末。其中，較佳為平均粒徑為10~30μm之範圍者，更佳為15~25μm之範圍者。
再者，平均粒徑例如可藉由使用自母群體中任意抽取之試樣並利用雷射繞射散射式粒度分佈測定裝置進行測定而推導得出。
關於密封用片材40中之上述無機填充劑之含量，相對於密封用片材40整體，較佳為75~95重量%，更佳為78~95重量%。若上述無機填充劑之含量相對於密封用片材40整體為75重量%以上，則可藉由將熱膨脹率抵制為較低，而抑制因熱衝擊引起之機械性破壞。其結果，另一方面，若上述無機填充劑之含量相對於密封用片材40整體為95重量%以下，則柔軟性、流動性、接著性變得更好。
密封用片材40較佳為包含硬化促進劑。
作為硬化促進劑，只要為使環氧樹脂與酚樹脂之硬化進行者便無特別限定，例如可列舉：三苯基膦、四苯基硼酸四苯基鏻等有機磷系化合物；2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-二羥基甲基咪唑等咪唑系化合物等。其中，就即便因混練時之溫度上升亦不會使硬化反應急遽地進行從而可良好地製作密封用片材40之原因而言，較佳為2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑。
關於硬化促進劑之含量，較佳為相對於環氧樹脂及酚樹脂之合計100重量份為0.1~5重量份。
密封用片材40較佳為包含阻燃劑成分。藉此，可降低因零件短路或放熱等而著火時之燃燒擴大。作為阻燃劑組成分，例如可使用：氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鐵、氫氧化鈣、氫氧化錫、複合化金屬氫氧化物等各種金屬氫氧化物；磷腈系阻燃劑等。
就即便少量亦可發揮阻燃效果之觀點而言，於磷腈系阻燃劑中所包含之磷元素之含有率較佳為12重量%以上。
關於密封用片材40中之阻燃劑成分之含量，於全部有機成分(無機填料除外)中，較佳為10重量%以上，更佳為15重量%以上。若為10重量%以上，則可良好地獲得阻燃性。關於密封用片材40中之熱塑性樹脂之含量，較佳為30重量%以下，更佳為25重量%以下。若為30重量%以下，則有硬化物之物性降低(具體而言，玻璃轉移溫度或高溫樹脂強度等物性之降低)較少之傾向。
密封用片材40較佳為包含矽烷偶合劑。作為矽烷偶合劑，並無特別限定，可列舉3-甘油氧基丙基三甲氧基矽烷等。
關於密封用片材40中之矽烷偶合劑之含量，較佳為0.1~3重量%。若為0.1重量%以上，則可充分地獲得硬化物之強度，使吸水率較低。若為3重量%以下，則可使釋氣量較低。
密封用片材40較佳為著色。藉此，可製成可發揮優異之標記性及外觀性且有附加價值之外觀之半導體裝置。經著色之密封用片材40由於具有優異之標記性，故而可施加標記，從而賦予文字資訊或圖形資訊等各種資訊。特別是藉由控制著色之顏色，可對由標記所賦予之資訊(文字資訊、圖形資訊等)以優異之視認性進行視認。進而，密封用片材40可按製品加以區分。於將密封用片材40製成有色之情形時(不為無色、透明之情形)，作為藉由著色所呈現出之顏色並無特別限制，但較佳為例如黑色、藍色、紅色等深色，特佳為黑色。
本實施形態中，所謂深色，基本而言意指L*a*b*表色系統中所規定之L*成為60以下(0~60)[較佳為50以下(0~50)，進而較佳為40以下(0~40)]之較深之顏色。
又，所謂黑色，基本而言意指L*a*b*表色系統中所規定之L*成為35以下(0~35)[較佳為30以下(0~30)，進而較佳為25以下(0~25)]之 黑色系顏色。再者，黑色中，於L*a*b*表色系統中所規定之a*或b*可分別根據L*之值而適當地選擇。作為a*或b*，例如兩者皆較佳為-10~10，更佳為-5~5，特佳為-3~3之範圍(尤其為0或大致為0)。
再者，本實施形態中，於L*a*b*表色系統中所規定之L*、a*、b*係藉由使用色彩色差計(商品名「CR-200」Minolta公司製造；色彩色差計)測定而求出。再者，L*a*b*表色系統係國際照明委員會(CIE)於1976年所推薦之色空間，意指稱為CIE1976(L*a*b*)表色系統之色空間。又，L*a*b*表色系統於日本工業標準中規定為JIS Z 8729。
於對密封用片材40進行著色時，可根據目標顏色而使用色料(著色劑)。本發明之密封用片材可為一層構成，亦可由複數層構成，較佳為至少於相對於與暫時固定用片材相對向之面為相反之面側添加有著色劑。具體而言，於密封用片材為1層構成之情形時，可於整個密封用片材均勻地含有著色劑，亦可以著色劑偏向存在於相對於與暫時固定用片材相對向之面為相反之面側之態樣含有著色劑。又，於由複數層構成之情形時，亦可於相對於與暫時固定用片材相對向之面為相反之面側之層添加著色劑，且其以外之層不添加著色劑。本實施形態中，針對本發明之密封用片材為1層構成之情形進行說明。其原因在於：若於密封用片材之相對於與暫時固定用片材相對向之面為相反之面側添加著色劑，則可提昇經雷射標記之部分之視認性。作為此種色料，可較佳地使用黑色系色料、藍色系色料、紅色系色料等各種深色系色料，特佳為黑色系色料。作為色料，為顏料、染料等任一者皆可。色料可單獨使用或組合2種以上使用。再者，作為染料，為酸性染料、反應染料、直接染料、分散染料、陽離子染料等任一形態之染料皆可使用。又，顏料對其形態亦無特別限制，可自公知之顏料中適當地選擇而使用。
特別是若使用染料作為色料，則密封用片材40中染料因溶解而 成為均勻或大致均勻地分散之狀態，故而可容易地製造著色濃度均勻或大致均勻之密封用片材40，且可使標記性或外觀性提昇。
作為黑色系色料，並無特別限制，例如可自無機黑色系顏料、黑色系染料中適當地選擇。又，作為黑色系色料，亦可為混合有氰系色料(青綠色系色料)、洋紅系色料(紫紅色系色料)及黃色(yellow)系色料(黃色系色料)之色料混合物。黑色系色料可單獨使用或組合2種以上使用。當然，黑色系色料亦可與黑色以外之顏色之色料併用。
具體而言，作為黑色系色料，例如可列舉：碳黑(爐黑、煙囪黑、乙炔黑、熱碳黑、燈黑等)、石墨(graphite)、氧化銅、二氧化錳、偶氮系顏料(偶氮次甲基偶氮黑等)、苯胺黑、苝黑、鈦黑、花青黑、活性碳、鐵氧體(非磁性鐵氧體、磁性鐵氧體等)、磁鐵礦(magnetite)、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、鉻錯合物、複合氧化物系黑色色素、蒽醌系有機黑色色素等。
本發明中，作為黑色系色料，亦可利用C.I.溶劑黑3、C.I.溶劑黑7、C.I.溶劑黑22、C.I.溶劑黑27、C.I.溶劑黑29、C.I.溶劑黑34、C.I.溶劑黑43、C.I.溶劑黑70、C.I.直接黑17、C.I.直接黑19、C.I.直接黑22、C.I.直接黑32、C.I.直接黑38、C.I.直接黑51、C.I.直接黑71、C.I.酸性黑1、C.I.酸性黑2、C.I.酸性黑24、C.I.酸性黑26、C.I.酸性黑31、C.I.酸性黑48、C.I.酸性黑52、C.I.酸性黑107、C.I.酸性黑109、C.I.酸性黑110、C.I.酸性黑119、C.I.酸性黑154、C.I.分散黑1、C.I.分散黑3、C.I.分散黑10、C.I.分散黑24等黑色系染料；C.I.顏料黑1、C.I.顏料黑7等黑色系顏料等。
作為此種黑色系色料，例如市售有商品名「Oil Black BY」、商品名「Oil Black BS」、商品名「Oil Black HBB」、商品名「Oil Black 803」、商品名「Oil Black 860」、商品名「Oil Black 5970」、商品名「Oil Black 5906」、商品名「Oil Black 5905」(Orient Chemical Industries股份有限公司製造)等。
作為黑色系色料以外之色料，例如可列舉：氰系色料、洋紅系色料、黃色系色料等。作為氰系色料，例如可列舉：C.I.溶劑藍25、C.I.溶劑藍36、C.I.溶劑藍60、C.I.溶劑藍70、C.I.溶劑藍93、C.I.溶劑藍95；C.I.酸性藍6、C.I.酸性藍45等氰系染料；C.I.顏料藍1、C.I.顏料藍2、C.I.顏料藍3、C.I.顏料藍15、C.I.顏料藍15：1、C.I.顏料藍15：2、C.I.顏料藍15：3、C.I.顏料藍15：4、C.I.顏料藍15：5、C.I.顏料藍15：6、C.I.顏料藍16、C.I.顏料藍17、C.I.顏料藍17：1、C.I.顏料藍18、C.I.顏料藍22、C.I.顏料藍25、C.I.顏料藍56、C.I.顏料藍60、C.I.顏料藍63、C.I.顏料藍65、C.I.顏料藍66；C.I.還原藍4；C.I.還原藍60、C.I.顏料綠7等氰系顏料等。
又，洋紅系色料中，作為洋紅系染料，例如可列舉：C.I.溶劑紅1、C.I.溶劑紅3、C.I.溶劑紅8、C.I.溶劑紅23、C.I.溶劑紅24、C.I.溶劑紅25、C.I.溶劑紅27、C.I.溶劑紅30、C.I.溶劑紅49、C.I.溶劑紅52、C.I.溶劑紅58、C.I.溶劑紅63、C.I.溶劑紅81、C.I.溶劑紅82、C.I.溶劑紅83、C.I.溶劑紅84、C.I.溶劑紅100、C.I.溶劑紅109、C.I.溶劑紅111、C.I.溶劑紅121、C.I.溶劑紅122；C.I.分散紅9；C.I.溶劑紫8、C.I.溶劑紫13、C.I.溶劑紫14、C.I.溶劑紫21、C.I.溶劑紫27；C.I.分散紫1；C.I.鹼性紅1、C.I.鹼性紅2、C.I.鹼性紅9、C.I.鹼性紅12、C.I.鹼性紅13、C.I.鹼性紅14、C.I.鹼性紅15、C.I.鹼性紅17、C.I.鹼性紅18、C.I.鹼性紅22、C.I.鹼性紅23、C.I.鹼性紅24、C.I.鹼性紅27、C.I.鹼性紅29、C.I.鹼性紅32、C.I.鹼性紅34、C.I.鹼性紅35、C.I.鹼性紅36、C.I.鹼性紅37、C.I.鹼性紅38、C.I.鹼性紅39、C.I.鹼性紅40；C.I.鹼性紫1、C.I.鹼性紫3、C.I.鹼性紫7、C.I.鹼性紫10、C.I.鹼性紫14、C.I.鹼性紫15、C.I.鹼性紫21、C.I.鹼性紫25、C.I.鹼性紫26、C.I.鹼性紫27、C.I.鹼性紫28等。
洋紅系色料中，作為洋紅系顏料，例如可列舉：C.I.顏料紅1、C.I.顏料紅2、C.I.顏料紅3、C.I.顏料紅4、C.I.顏料紅5、C.I.顏料紅6、C.I.顏料紅7、C.I.顏料紅8、C.I.顏料紅9、C.I.顏料紅10、C.I.顏料紅11、C.I.顏料紅12、C.I.顏料紅13、C.I.顏料紅14、C.I.顏料紅15、C.I.顏料紅16、C.I.顏料紅17、C.I.顏料紅18、C.I.顏料紅19、C.I.顏料紅21、C.I.顏料紅22、C.I.顏料紅23、C.I.顏料紅30、C.I.顏料紅31、C.I.顏料紅32、C.I.顏料紅37、C.I.顏料紅38、C.I.顏料紅39、C.I.顏料紅40、C.I.顏料紅41、C.I.顏料紅42、C.I.顏料紅48：1、C.I.顏料紅48：2、C.I.顏料紅48：3、C.I.顏料紅48：4、C.I.顏料紅49、C.I.顏料紅49：1、C.I.顏料紅50、C.I.顏料紅51、C.I.顏料紅52、C.I.顏料紅52：2、C.I.顏料紅53：1、C.I.顏料紅54、C.I.顏料紅55、C.I.顏料紅56、C.I.顏料紅57：1、C.I.顏料紅58、C.I.顏料紅60、C.I.顏料紅60：1、C.I.顏料紅63、C.I.顏料紅63：1、C.I.顏料紅63：2、C.I.顏料紅64、C.I.顏料紅64：1、C.I.顏料紅67、C.I.顏料紅68、C.I.顏料紅81、C.I.顏料紅83、C.I.顏料紅87、C.I.顏料紅88、C.I.顏料紅89、C.I.顏料紅90、C.I.顏料紅92、C.I.顏料紅101、C.I.顏料紅104、C.I.顏料紅105、C.I.顏料紅106、C.I.顏料紅108、C.I.顏料紅112、C.I.顏料紅114、C.I.顏料紅122、C.I.顏料紅123、C.I.顏料紅139、C.I.顏料紅144、C.I.顏料紅146、C.I.顏料紅147、C.I.顏料紅149、C.I.顏料紅150、C.I.顏料紅151、C.I.顏料紅163、C.I.顏料紅166、C.I.顏料紅168、C.I.顏料紅170、C.I.顏料紅171、C.I.顏料紅172、C.I.顏料紅175、C.I.顏料紅176、C.I.顏料紅177、C.I.顏料紅178、C.I.顏料紅179、C.I.顏料紅184、C.I.顏料紅185、C.I.顏料紅187、C.I.顏料紅190、C.I.顏料紅193、C.I.顏料紅202、C.I.顏料紅206、C.I.顏料紅207、C.I.顏料紅209、C.I.顏料紅219、C.I.顏料紅222、C.I.顏料紅224、C.I.顏料紅238、C.I.顏料紅245；C.I.顏料紫3、C.I.顏料紫9、 C.I.顏料紫19、C.I.顏料紫23、C.I.顏料紫31、C.I.顏料紫32、C.I.顏料紫33、C.I.顏料紫36、C.I.顏料紫38、C.I.顏料紫43、C.I.顏料紫50；C.I.還原紅1、C.I.還原紅2、C.I.還原紅10、C.I.還原紅13、C.I.還原紅15、C.I.還原紅23、C.I.還原紅29、C.I.還原紅35等。
又，作為黃色系色料，例如可列舉：C.I.溶劑黃19、C.I.溶劑黃44、C.I.溶劑黃77、C.I.溶劑黃79、C.I.溶劑黃81、C.I.溶劑黃82、C.I.溶劑黃93、C.I.溶劑黃98、C.I.溶劑黃103、C.I.溶劑黃104、C.I.溶劑黃112、C.I.溶劑黃162等黃色系染料；C.I.顏料橙31、C.I.顏料橙43；C.I.顏料黃1、C.I.顏料黃2、C.I.顏料黃3、C.I.顏料黃4、C.I.顏料黃5、C.I.顏料黃6、C.I.顏料黃7、C.I.顏料黃10、C.I.顏料黃11、C.I.顏料黃12、C.I.顏料黃13、C.I.顏料黃14、C.I.顏料黃15、C.I.顏料黃16、C.I.顏料黃17、C.I.顏料黃23、C.I.顏料黃24、C.I.顏料黃34、C.I.顏料黃35、C.I.顏料黃37、C.I.顏料黃42、C.I.顏料黃53、C.I.顏料黃55、C.I.顏料黃65、C.I.顏料黃73、C.I.顏料黃74、C.I.顏料黃75、C.I.顏料黃81、C.I.顏料黃83、C.I.顏料黃93、C.I.顏料黃94、C.I.顏料黃95、C.I.顏料黃97、C.I.顏料黃98、C.I.顏料黃100、C.I.顏料黃101、C.I.顏料黃104、C.I.顏料黃108、C.I.顏料黃109、C.I.顏料黃110、C.I.顏料黃113、C.I.顏料黃114、C.I.顏料黃116、C.I.顏料黃117、C.I.顏料黃120、C.I.顏料黃128、C.I.顏料黃129、C.I.顏料黃133、C.I.顏料黃138、C.I.顏料黃139、C.I.顏料黃147、C.I.顏料黃150、C.I.顏料黃151、C.I.顏料黃153、C.I.顏料黃154、C.I.顏料黃155、C.I.顏料黃156、C.I.顏料黃167、C.I.顏料黃172、C.I.顏料黃173、C.I.顏料黃180、C.I.顏料黃185、C.I.顏料黃195；C.I.還原黃1、C.I.還原黃3、C.I.還原黃20等黃色系顏料等。
氰系色料、洋紅系色料、黃色系色料等各種色料可分別單獨使用或組合2種以上使用。再者，於將氰系色料、洋紅系色料、黃色系 色料等各種色料使用2種以上之情形時，作為該等色料之混合比率(或調配比率)，並無特別限制，可視各色料之種類或目標顏色等適當地選擇。
作為密封用片材40之可見光(波長：380nm~800nm)之光線透過率(可見光透過率)，並無特別限制，例如較佳為20%~0%之範圍，進而較佳為10%~0%，特佳為5%~0%。藉由將密封用片材40之可見光透過率設為20%以下，可使列印視認性良好。又，可防止因光線通過而對半導體元件造成不良影響。
關於密封用片材40之可見光線透過率(%)，製作厚度(平均厚度)為10μm之密封用片材40，並使用商品名「UV-2550」(島津製作所製造)以特定之強度對該密封用片材40(厚度：10μm)照射波長為380nm~800nm之可見光線。可對藉由該照射而透過密封用片材40之可見光線之光強度進行測定，並藉由下式而算出。
可見光線透過率(%)=((密封用片材40之透過後之可見光線之光強度)/(可見光線之初始光強度))×100
再者，光線透過率(%)之上述算出方法亦可應用於厚度不為10μm之密封用片材40之光線透過率(%)之算出。具體而言，藉由朗泊-比爾定律(Lambert-Beer law)，可如下述地算出10μm時之吸光度A10。
A10=α×L10×C (1)
(式中，L10表示光徑長度，α表示吸光係數，C表示試樣濃度)
又，厚度X(μm)時之吸光度AX可藉由下述式(2)表示。
AX=α×LX×C (2)
進而，厚度20μm時之吸光度A20可藉由下述式(3)表示。
A10=-log10T10 (3)
(式中，T10表示厚度10μm時之光線透過率)
藉由上述式(1)~(3)，吸光度AX可表示為 AX=A10×(LX/L10)=-[log10(T10)]×(LX/L10)
。藉此，厚度X(μm)時之光線透過率TX(%)可藉由下述式算出。
TX=10-AX
其中，AX=-[log10(T10)]×(LX/L10)
本實施形態中，求出密封用片材之光線透過率(%)時之密封用片材之厚度(平均厚度)為10μm，但該密封用片材之厚度始終為求出密封用片材之光線透過率(%)時之厚度，並不意味著本發明之密封用片材為10μm。
密封用片材40之光線透過率(%)可藉由樹脂成分之種類或其含量、著色劑(顏料或染料等)之種類或其含量、填充材之種類或其含量等進行控制。
再者，於密封用片材40中，除上述各成分以外，可視需要適當調配其他添加劑。
密封用片材40之厚度並無特別限定，但就作為密封用片材而使用之觀點而言，例如為50μm~2000μm。
密封用片材40之製造方法並無特別限定，但較佳為如下方法：製備用以形成密封用片材40之樹脂組合物之混練物，並將所獲得之混練物塗佈之方法；或將所獲得之混練物塑性加工為片狀之方法。藉此，可不使用溶劑便可製作密封用片材40，故而可抑制半導體晶片53因揮發之溶劑而受影響。
具體而言，藉由將後述各成分利用混合輥、加壓式捏合機、擠出機等公知之混練機進行熔融混練而製備混練物，並將所獲得之混練物藉由塗佈或塑性加工而製成片狀。作為混練條件，溫度較佳為上述各成分之軟化點以上，例如30~150℃，若考慮到環氧樹脂之熱硬化性，則較佳為40~140℃，進而較佳為60~120℃。時間例如為1~30 分鐘，較佳為5~15分鐘。
混練較佳為於減壓條件下(減壓環境下)進行。藉此，可進行脫氣並且可防止氣體向混練物滲入。關於減壓條件下之壓力，較佳為0.1kg/cm2以下，更佳為0.05kg/cm2以下。減壓下之壓力之下限並無特別限定，例如為1×10-4kg/cm2以上。
於將混練物塗佈而形成密封用片材40之情形時，較佳為將熔融混練後之混練物在不冷卻之情況下以高溫狀態直接進行塗佈。作為塗佈方法並無特別限制，可列舉棒式塗佈法、刮塗法、狹縫式塗佈法等。作為塗佈時之溫度，較佳為上述各成分之軟化點以上，若考慮到環氧樹脂之熱硬化性及成形性，則例如為40~150℃，較佳為50~140℃，進而較佳為70~120℃。
於將混練物進行塑性加工而形成密封用片材40之情形時，較佳為熔融混練後之混練物在不冷卻之情況下以高溫狀態直接進行塑性加工。作為塑性加工方法並無特別限制，可列舉平板壓製法、T模擠出法、螺旋模擠出法、輥軋壓法、輥混練法、膨脹擠出法、共擠壓法、軋光成形法等。作為塑性加工溫度，較佳為上述各成分之軟化點以上，若考慮到環氧樹脂之熱硬化性及成形性，則例如為40~150℃，較佳為50~140℃，進而較佳為70~120℃。
再者，密封用片材40亦可將用以形成密封用片材40之樹脂等溶解、分散於適當之溶劑中而製備清漆，並將該清漆塗佈而獲得。
[配置密封用片材及積層體之步驟]
於準備密封用片材步驟之後，如圖2所示，於下側加熱板62上將積層體50以暫時固定有半導體晶片53之面為上進行配置，並且於積層體50之暫時固定有半導體晶片53之面上配置密封用片材40。於該步驟中，可於下側加熱板62上首先配置積層體50，其後於積層體50上配置密封用片材40，亦可於積層體50上先積層密封用片材40，其後將積層 有積層體50及密封用片材40之積層物配置於下側加熱板62上。
[形成密封體之步驟]
繼而，如圖3所示，藉由下側加熱板62及上側加熱板64進行熱壓，將半導體晶片53嵌入於密封用片材40，形成半導體晶片53已嵌入於密封用片材40之密封體58(步驟C)。此時，識別體55亦已嵌入於密封用片材40。密封用片材40會作為用以保護半導體晶片53及隨附半導體晶片53之要素遠離外部環境之密封樹脂而發揮功能。藉此，可獲得暫時固定於暫時固定用片材60上之半導體晶片53已嵌入於密封用片材40之密封體58。
作為將半導體晶片53嵌入於密封用片材40時之熱壓條件，只要於不使密封用片材40自暫時固定用片材60伸出之範圍內便無特別限定，溫度例如為40~100℃，較佳為50~90℃，壓力例如為0.1~10MPa，較佳為0.5~8MPa，時間例如為0.3~10分鐘，較佳為0.5~5分鐘。藉此，可獲得半導體晶片53已嵌入於密封用片材40之半導體裝置。又，若考慮到提昇密封用片材40之對半導體晶片53及暫時固定用片材60之密接性及追隨性，則較佳為於減壓條件下進行壓製。
作為上述減壓條件，壓力例如為0.1~5kPa，較佳為0.1~100Pa，減壓保持時間(自減壓開始至壓製開始之時間)例如為5~600秒，較佳為10~300秒。
[剝離襯墊剝離步驟]
繼而，將剝離襯墊41剝離(參照圖4)。
[熱硬化步驟]
繼而，使密封用片材40熱硬化(步驟D)。具體而言，例如對暫時固定於暫時固定用片材60上之半導體晶片53已嵌入於密封用片材40之密封體58整體進行加熱。
作為熱硬化處理之條件，加熱溫度較佳為100℃以上，更佳為 120℃以上。另一方面，加熱溫度之上限較佳為200℃以下，更佳為180℃以下。加熱時間較佳為10分鐘以上，更佳為30分鐘以上。另一方面，加熱時間之上限較佳為180分鐘以下，更佳為120分鐘以下。又，亦可視需要進行加壓，較佳為0.1MPa以上，更佳為0.5MPa以上。另一方面，上限較佳為10MPa以下，更佳為5MPa以下。
[熱膨脹性黏著劑層剝離步驟]
繼而，如圖5所示，將暫時固定用片材60自密封體58剝離(步驟E)。具體而言，藉由使暫時固定用片材60熱膨脹，而於暫時固定用片材60與密封體58之間進行剝離。或者，亦可較佳地採用如下順序：於支持體61與暫時固定用片材60之界面進行剝離，其後於暫時固定用片材60與密封體58之界面進行由熱膨脹引起之剝離。於任一情形時皆可藉由將暫時固定用片材60加熱使之熱膨脹從而使其黏著力降低，從而容易地進行於暫時固定用片材60與密封體58之界面之剝離。作為熱膨脹之條件，可較佳地採用上述「熱膨脹性黏著劑層之熱膨脹方法」之欄之條件。特別是熱膨脹性黏著劑層較佳為於上述熱硬化步驟中之加熱時不會剝離而於該熱膨脹性黏著劑層剝離步驟中之加熱中會剝離的構成。
[研磨密封用片材之步驟]
繼而，如圖6(a)及圖6(b)所示，視需要對密封體58之密封用片材40進行研磨而使半導體晶片53之背面53c露出。作為研磨密封用片材40之方法，並無特別限定，例如可列舉使用高速旋轉之磨石之研磨法。
(再配線形成步驟)
繼而，進行於密封體58之半導體晶片53之電路形成面53a形成再配線69之再配線形成步驟(步驟F)。於再配線形成步驟中，於剝離上述暫時固定用片材60後，將與上述露出之半導體晶片53連接之再配線 69形成於密封體58上(參照圖7)。
步驟F係首先對密封體58之位置、及朝向進行確認後再進行。密封體58之位置、及朝向係藉由辨識識別體55之位置、及朝向而進行。具體而言，可藉由相機等辨識識別體55之位置、及朝向，從而根據識別體55之位置、及朝向辨識密封體58整體之位置、及朝向。步驟F中，由於係對密封體58之位置、及朝向進行確認後再進行，故而可抑制半導體晶片53與再配線69之位置偏移。
本實施形態中，由於本發明之對準標記為作為於上述步驟C中與半導體晶片53一併嵌入於密封體58之識別體之識別用晶片55，故而無需追加用以形成對準標記之另外之步驟。因此，可不使步驟複雜化而形成對準標記。
作為再配線之形成方法，例如可於露出之半導體晶片53上利用真空成膜法等公知之方法形成金屬籽晶層，並藉由半加成法等公知之方法形成再配線69。
其後，亦可於再配線69及密封體58上形成聚醯亞胺或PBO(polybenzoxazole，聚苯并唑)等之絕緣層。
(凸塊形成步驟)
繼而，亦可進行於所形成之再配線69上形成凸塊67之凸塊製作加工(參照圖7)。凸塊製作加工可利用焊錫球或鍍錫鉛等公知之方法進行。
(切割步驟)
最後，對包含半導體晶片53、密封用片材40及再配線69等要素之積層體進行切割(參照圖8)。藉此，可獲得將配線抽出至晶片區域之外側之半導體裝置59。
上述實施形態中，針對本發明之對準標記為與半導體晶片一併嵌入於密封體之識別體之情形進行了說明。然而，本發明之對準標記 只要為於進行形成再配線之步驟(步驟F)時可辨識出密封體之位置、及朝向者便無特別限定，例如亦可為於密封體所形成之切口。又，亦可為形成於密封用片材之上述電路形成面側之雷射標記。以下，針對本發明之對準標記為於密封體所形成之切口之情形進行說明。
<第2實施形態>
圖9係用以說明第2實施形態之半導體裝置之製造方法之俯視模式圖。圖10(a)係用以說明第2實施形態之半導體裝置之製造方法之剖面模式圖，圖10(b)係其內面圖。
首先，如圖9所示，於積層體準備步驟中，準備於俯視下為圓形之暫時固定用片材90上暫時固定有複數個半導體晶片53之積層體80(步驟A)。
其後，進行步驟B~步驟E。於步驟E之後，獲得半導體晶片53已嵌入於密封用片材40之密封體88。由於步驟B~步驟E除不存在識別體55以外，其他與第1實施形態大致相同，故而此處省略其說明。
於步驟E之後，如圖10(a)及圖10(b)所示，於密封體88之密封用片材40之外周部分形成切口40a。切口40a相當於本發明之對準標記。由於形成有切口40a，故而於形成再配線時(進行步驟F時)，可利用切口40a確認密封體之位置或朝向後再進行再配線。其結果為可抑制再配線之位置偏移。再者，由於自步驟F以後與第1實施形態大致相同，故而此處省略其說明。
上述第2實施形態中，針對於步驟E之後形成切口40a之情形進行了說明。然而，本發明中形成切口之時機並不限定於該例。例如，亦可於準備密封用片材之步驟(步驟B)中準備預先形成有切口之密封用片材。又，亦可於形成半導體晶片已嵌入於密封用片材之密封體後(步驟C之後)形成切口，其後使密封用片材熱硬化(進行步驟D)。又，亦可於使密封用片材熱硬化後(步驟D之後)形成切口，其後將暫時固 定用片材自密封體剝離(進行步驟E)。
關於本發明之暫時固定用片材於俯視下之形狀，可為如第1實施形態之暫時固定用片材60般為矩形，亦可為如第2實施形態之暫時固定用片材90般為圓形，並無特別限制。
本發明只要進行上述步驟A、上述步驟B、上述步驟C、上述D步驟、上述步驟E、及上述步驟F即可，其以外之步驟任意，可進行亦可不進行。
以上，針對本發明之實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述例，可於滿足本發明之構成之範圍內適當進行設計變更。
40‧‧‧密封用片材
41‧‧‧剝離襯墊
53‧‧‧半導體晶片
53a‧‧‧半導體晶片之電路形成面
53c‧‧‧半導體晶片之背面
55‧‧‧識別體
58‧‧‧密封體
60‧‧‧暫時固定用片材
61‧‧‧支持體
62‧‧‧下側加熱板
64‧‧‧上側加熱板

Claims (3)

  1. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於包括如下步驟：步驟A，準備將半導體晶片以其電路形成面作為貼合面而暫時固定於暫時固定用片材上之積層體；步驟B，準備密封用片材；步驟C，將上述半導體晶片嵌入於上述密封用片材，形成上述半導體晶片已嵌入於上述密封用片材之密封體；步驟D，於上述步驟C之後，使上述密封用片材熱硬化；步驟E，於上述步驟D之後，將上述暫時固定用片材自上述密封體剝離；及步驟F，於上述步驟E之後，於上述密封體之上述電路形成面側形成再配線；且於進行上述步驟F之前，於上述密封體形成有可自上述電路形成面側辨識之對準標記。
  2. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中上述對準標記為於上述步驟C中與上述半導體晶片一併嵌入於上述密封體之識別體。
  3. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中上述對準標記為於上述密封體所形成之切口。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI711191B (zh) * 2016-03-04 2020-11-21 大陸商日東電工（上海松江）有限公司 密封光半導體元件之製造方法
TWI785138B (zh) * 2017-10-31 2022-12-01 日商長瀨化成股份有限公司 安裝結構體之製造方法及使用於其之片材

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5978380B1 (ja) * 2015-12-25 2016-08-24 太陽インキ製造株式会社 半導体用封止材
JP2021048225A (ja) * 2019-09-18 2021-03-25 オムロン株式会社 回路構造体の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003197659A (ja) * 2001-12-21 2003-07-11 Sony Corp チップ状電子部品及びその製造方法、並びにその製造に用いる疑似ウェーハ及びその製造方法
JP2010165940A (ja) * 2009-01-16 2010-07-29 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体素子の樹脂封止方法
JP5333056B2 (ja) * 2009-08-26 2013-11-06 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
JP5042297B2 (ja) * 2009-12-10 2012-10-03 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
JP6041463B2 (ja) * 2009-12-25 2016-12-07 デクセリアルズ株式会社 エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた接合体の製造方法、並びに接合体
JP5647492B2 (ja) * 2010-11-15 2014-12-24 新光電気工業株式会社 半導体パッケージの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI711191B (zh) * 2016-03-04 2020-11-21 大陸商日東電工（上海松江）有限公司 密封光半導體元件之製造方法
TWI785138B (zh) * 2017-10-31 2022-12-01 日商長瀨化成股份有限公司 安裝結構體之製造方法及使用於其之片材

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