KR102345275B1 - 소자 집합체 가고정 시트 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 소자 집합체 가고정 시트 및 그 제조 방법을 제공한다. 소자 집합체 가고정 시트는 복수의 광 반도체 소자가 정렬 배치되어 이루어지는 소자 집합체를 가고정하기 위한 소자 집합체 고정층과, 소자 집합체 고정층을 지지하기 위한, 합성 수지로 이루어지는 지지층을 포함한다. 지지층에는 얼라이먼트 마크가 마련된다.

Description

소자 집합체 가고정 시트 및 그 제조 방법{DEVICE ASSEMBLY TEMPORARY FIXING SHEET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 소자 집합체 가고정 시트 및 제조 방법, 상세하게는, 소자 집합체 가고정 시트 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 복수의 LED를 형광체층 등의 피복층을 이용하여 피복해서 피복 LED를 제작하는 것이 공지되어 있다.
예를 들면, 경질의 지지판을 구비하는 지지 시트를 준비하고, 반도체 소자를 지지 시트의 상부 표면에 배치하고, 봉지층을 이용하여 반도체 소자를 피복하고, 그 후, 봉지층을 반도체 소자의 서로에 대응하게 절단하는 방법이 제안되고 있다(예를 들면, 일본 공개 특허 공보 제 2014-168036호 참조.).
일본 공개 특허 공보 제 2014-168036호에서는, 지지판에는 기준 마크가 마련되어 있고, 이 기준 마크를 기준으로 해서 봉지층을 절단하고 있다.
그런데, 지지판은 경질이므로, 마크를 마련하는 것이 어렵다는 좋지 않은 사정이 있다.
본 발명의 목적은 지지층에 얼라이먼트 마크를 용이하게 마련할 수 있는 소자 집합체 가고정 시트의 제조 방법 및 그 제조 방법으로부터 얻어지는 소자 집합체 가고정 시트를 제공하는 것에 있다.
본 발명 [1]은 복수의 광 반도체 소자가 정렬 배치되어 이루어지는 소자 집합체를 가고정하기 위한 소자 집합체 고정층과, 상기 소자 집합체 고정층을 지지하기 위한, 합성 수지로 이루어지는 지지층을 포함하며, 상기 지지층에는 얼라이먼트 마크가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 소자 집합체 가고정 시트이다.
이 소자 집합체 가고정 시트에서는, 합성 수지로 이루어지는 지지층에 얼라이먼트 마크를 마련하고 있으므로, 얼라이먼트 마크가 지지층에 용이하게 형성된다.
본 발명 [2]는 [1]에 기재된 소자 집합체 가고정 시트에 따르되, 상기 얼라이먼트 마크가 탄소 재료로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이 소자 집합체 가고정 시트에 의하면, 얼라이먼트 마크가 탄소 재료로 이루어지므로, 얼라이먼트 마크의 시인성을 향상시킬 수 있다.
본 발명 [3]는 [2]에 기재된 소자 집합체 가고정 시트에 따르되, 상기 탄소 재료가 카본 블랙으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이 소자 집합체 가고정 시트에 의하면, 탄소 재료가 카본 블랙으로 이루어지는 얼라이먼트 마크의 시인성을 향상시킬 수 있다.
본 발명 [4]는 [1] ~ [3] 중 어느 한 항에 기재된 소자 집합체 가고정 시트에 따르되, 상기 얼라이먼트 마크가 감열 전사 및 잉크젯 인쇄로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1개의 방법에 의해 마련되는 패턴인 것을 특징으로 한다.
이 소자 집합체 가고정 시트에 의하면, 얼라이먼트 마크가 감열 전사 및 잉크젯 인쇄로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1개의 방법에 의해 마련되는 패턴이므로, 얼라이먼트 마크를 용이하게 마련할 수 있다.
본 발명 [5]에 있어서, 상기 소자 집합체 고정층 및 상기 지지층이 투명하고, 상기 얼라이먼트 마크가 불투명하다.
이 소자 집합체 가고정 시트에 의하면, 불투명한 얼라이먼트 마크를 확실히 시각적으로 확인할 수 있다. 그 때문에, 얼라이먼트 마크를 기준으로 하여, 소자 집합체를 확실히 가고정하거나, 또는 소자 집합체를 봉지하기 위한 봉지층을 확실히 절단할 수 있다.
본 발명 [6]은 [1]에 기재된 소자 집합체 가고정 시트를 포함하되, 상기 얼라이먼트 마크가 현상 패턴인 것을 특징으로 한다.
이 소자 집합체 가고정 시트에 의하면, 얼라이먼트 마크가 현상 패턴이므로, 얼라이먼트 마크를 용이하게 마련할 수 있다.
본 발명 [7]은 [1] 또는 [6]에 기재된 소자 집합체 가고정 시트를 포함하되, 상기 얼라이먼트 마크가 은으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이 소자 집합체 가고정 시트에 의하면, 얼라이먼트 마크가 은으로 이루어지므로, 얼라이먼트 마크의 시인성을 향상시킬 수 있다.
본 발명 [8]은 [1]에 기재된 소자 집합체 가고정 시트를 포함하되, 상기 소자 집합체 고정층 및 상기 지지층이 유색이며, 상기 얼라이먼트 마크가 상기 소자 집합체 고정층 및 상기 지지층을 관통하는 관통 구멍인 것을 특징으로 한다.
이 소자 집합체 가고정 시트에 의하면, 소자 집합체 고정층 및 지지층은 유색이며, 얼라이먼트 마크가 소자 집합체 고정층 및 지지층을 관통하는 관통 구멍이므로, 얼라이먼트 마크의 시인성을 확실하게 할 수 있다.
본 발명 [9]는 [1]에 기재된 소자 집합체 가고정 시트를 포함하되, 상기 소자 집합체 고정층의 두께가 120㎛ 미만인 것을 특징으로 한다.
이 소자 집합체 가고정 시트의 소자 집합체 고정층의 두께가 얇아 120㎛ 미만에 달하기 때문에, 취급성이 우수하다.
본 발명 [10]은 [1]에 기재된 소자 집합체 가고정 시트를 포함하되, 상기 소자 집합체 고정층이 상기 지지층의 적어도 한쪽면에 마련되어 있는 것을 특징으로 한다.
이 소자 집합체 가고정 시트에서는, 소자 집합체 고정층이 지지층의 적어도 한쪽면에 마련되어 있으므로, 얼라이먼트 마크의 시인성을 향상시킬 수 있다.
본 발명 [11]은 소자 집합체 가고정 시트의 제조 방법으로서, 감광층이 마련된 지지층을 준비하는 공정 (1), 포토리소그래피에 의해, 상기 감광층으로부터 얼라이먼트 마크를 현상 패턴으로서 형성하는 공정 (2), 및 복수의 광 반도체 소자가 정렬 배치되어 이루어지는 소자 집합체를 가고정하기 위한 소자 집합체 고정층을 상기 지지층에 마련하는 공정 (3)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이 소자 집합체 가고정 시트의 제조 방법에 의하면, 얼라이먼트 마크를 간편하게 마련할 수 있다.
본 발명 [12]는 지지층에, 탄소 재료로부터 얼라이먼트 마크를 형성하는 공정 (2), 및 복수의 광 반도체 소자가 정렬 배치되어 이루어지는 소자 집합체를 가고정하기 위한 소자 집합체 고정층을 상기 지지층에 마련하는 공정 (3)을 구비하는 것을 특징으로 하는, 소자 집합체 가고정 시트의 제조 방법을 포함한다.
이 소자 집합체 가고정 시트의 제조 방법에 의하면, 얼라이먼트 마크를 간편하게 마련할 수 있다.
본 발명 [13]은 [12]에 기재된 소자 집합체 가고정 시트의 제조 방법으로서, 상기 탄소 재료가 카본 블랙으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이 소자 집합체 가고정 시트의 제조 방법에 의하면, 시인성이 향상된 얼라이먼트 마크를 마련할 수 있다.
본 발명 [14]는 [12] 또는 [13]에 기재된 소자 집합체 가고정 시트의 제조 방법으로서, 상기 공정 (2)에서 상기 얼라이먼트 마크를 감열 전사 및 잉크젯 인쇄로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1개의 방법에 의해 형성하는 것을 특징으로 한다.
이 소자 집합체 가고정 시트의 제조 방법에 의하면, 얼라이먼트 마크를 용이하게 마련할 수 있다.
본 발명 [15]는 소자 집합체 가고정 시트의 제조 방법을 포함하되, 복수의 광 반도체 소자가 정렬 배치되어 이루어지는 소자 집합체를 가고정하는 소자 집합체 고정층을 지지층에 마련하는 공정 (3), 및 상기 소자 집합체 고정층 및 상기 지지층을 관통하는 관통 구멍을 얼라이먼트 마크로서 마련하는 공정 (4)을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이 소자 집합체 가고정 시트의 제조 방법에 의하면, 얼라이먼트 마크를 간편하게 마련할 수 있다.
도 1은 본 발명의 소자 집합체 가고정 시트의 제 1 실시 형태의 조감도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 소자 집합체 가고정 시트의 A-A선을 따라 절단한 단면도를 나타낸다.
도 3(a) ~ 도 3(c)는 포토리소그래피를 이용해서 얼라이먼트 마크를 마련하는 방법의 공정도로서,
도 3(a)는 지지층 및 감광층을 구비하는 감광층부 지지층을 준비하는 공정 (1),
도 3(b)는 감광층을 노광하는 공정,
도 3(c)는 감광층을 현상하는 공정 (2)를 나타낸다.
도 4(a) ~ 도 4(e)는 도 2에 나타내는 소자 집합체 가고정 시트를 사용하는 방법의 공정도로서,
도 4(a)가 캐리어를 소자 집합체 가고정 시트의 아래에 마련하는 공정,
도 4(b)가 복수의 광 반도체 소자를 소자 집합체 가고정 시트에 가고정하는 공정,
도 4(c)가 봉지층에 의해 복수의 광 반도체 소자를 봉지하는 공정,
도 4(d)가 봉지층을 절단해서, 봉지 광 반도체 소자를 소자 집합체 가고정 시트로부터 박리하는 공정,
도 4(e)가 봉지 광 반도체 소자를 기판에 플립 칩 실장하는 공정을 나타낸다.
도 5는 제 1 실시 형태의 변형예의 소자 집합체 가고정 시트의 단면도를 나타낸다.
도 6(a) 및 도 6(b)는 제 1 실시 형태의 소자 집합체 가고정 시트의 사용 방법의 변형예로서,
도 6(a)가 봉지 소자 집합체를 절단하지 않고 소자 집합체 가고정 시트로부터 박리하는 공정,
도 6(b)가 봉지 소자 집합체를 기판에 플립 칩 실장하는 공정을 나타낸다.
도 7은 제 2 실시 형태의 소자 집합체 가고정 시트의 평면도를 나타낸다.
도 8(a) ~ 도 8(e)는 도 7에 나타내는 소자 집합체 가고정 시트를 사용하는 방법의 공정도로서,
도 8(a)가 캐리어를 소자 집합체 가고정 시트의 아래에 마련하는 공정,
도 8(b)가 복수의 광 반도체 소자를 소자 집합체 가고정 시트에 가고정하는 공정,
도 8(c)가 봉지층에 의해 복수의 광 반도체 소자를 봉지하는 공정,
도 8(d)가 봉지층을 절단해서, 봉지 광 반도체 소자를 소자 집합체 가고정 시트로부터 박리하는 공정,
도 8(e)가 봉지 광 반도체 소자를 기판에 플립 칩 실장하는 공정을 나타낸다.
도 9는 본 발명의 소자 집합체 가고정 시트의 제 3 실시 형태의 단면도를 나타낸다.
도 10(a) ~ 도 10f는 도 9에 나타내는 소자 집합체 가고정 시트를 사용하는 방법의 공정도로서,
도 10(a)가 캐리어를 소자 집합체 가고정 시트 위에 마련하는 것과 아울러, 제 2 감압 접착층을 캐리어 위에 마련해서, 가고정 부재를 준비하는 공정,
도 10(b)가 복수의 광 반도체 소자를 제 2 감압 접착층에 가고정하는 공정,
도 10(c)가 봉지층에 의해 복수의 광 반도체 소자를 봉지하는 공정,
도 10(d)가 봉지층을 절단하는 공정, 도 10(e)가 봉지 광 반도체 소자를 제 2 감압 접착층으로부터 박리하는 공정,
도 10f가 봉지 광 반도체 소자를 기판에 플립 칩 실장하는 공정을 나타낸다.
도 11은 제 3 실시 형태의 변형예의 소자 집합체 가고정 시트를 나타낸다.
도 12(a) ~ 도 12(c)는 제 3 실시 형태의 소자 집합체 가고정 시트의 사용 방법의 변형예로서,
도 12(a)가 봉지 소자 집합체를 절단하지 않고, 제 2 감압 접착층을 소자 집합체 가고정 시트로부터 박리하는 공정,
도 12(b)가 광 반도체 소자 및 봉지층을 제 2 감압 접착층으로부터 박리하는 공정,
도 12(c)가 광 반도체 소자를 기판에 플립 칩 실장하는 공정을 나타낸다.
도 13(a) ~ 도 13(e)는 제 4 실시 형태의 소자 집합체 가고정 시트를 사용하는 방법의 공정도로서,
도 13(a)가 캐리어를 소자 집합체 가고정 시트 위에 마련하는 것과 아울러, 제 2 감압 접착층을 캐리어 위에 마련해서, 가고정 부재를 준비하는 공정,
도 13(b)가 복수의 광 반도체 소자를 제 2 감압 접착층에 가고정하는 공정,
도 13(c)가 봉지층에 의해 복수의 광 반도체 소자를 봉지하는 공정,
도 13d가 봉지층을 절단하는 공정,
도 13(e)가 봉지 광 반도체 소자를 제 2 감압 접착층으로부터 박리하는 공정,
도 13(f)가 봉지 광 반도체 소자를 기판에 플립 칩 실장하는 공정을 나타낸다.
도 2에 있어, 지면 상하 방향은 상하 방향(제 1 방향, 두께 방향)이며, 지면 상측이 상측(제 1 방향의 일측, 두께 방향의 일측), 지면 하측이 하측(제 1 방향의 다른측, 두께 방향의 다른측)이다. 도 2에 있어, 지면 좌우 방향은 좌우 방향(제 1 방향에 직교하는 제 2 방향, 폭 방향)이며, 지면 우측이 우측(제 2 방향의 일측, 폭 방향의 일측), 지면 좌측이 좌측(제 2 방향의 다른 측, 폭 방향의 다른 측)이다. 도 2에 있어, 지면 두께 방향은 전후 방향(제 1 방향 및 제 2 방향에 직교하는 제 3 방향)이며, 지면 앞쪽이 전측(제 3 방향의 일측), 지면 뒤쪽이 후측(제 3 방향의 다른 측)이다. 구체적으로는, 각 도면의 방향 화살표에 준거한다.
1. 제 1 실시 형태
도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 소자 집합체 가고정 시트(1)는 평판 형상을 갖고, 구체적으로는, 소정의 두께를 갖고, 두께 방향과 직교하는 면 방향(좌우 방향 및 전후 방향)으로 연장하고, 평탄한 표면 및 평탄한 이면을 갖고 있다. 또, 소자 집합체 가고정 시트(1)에서는, 전후 방향 길이가 좌우 방향 길이(폭)에 비해, 긴 평판 형상을 갖고 있다. 혹은, 소자 집합체 가고정 시트(1)는 전후 방향이 비교적 긴 길고 가느다란 형상을 갖고 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 소자 집합체 가고정 시트(1)는 소자 집합체 고정층(3)과, 지지층(2)과, 제 1 감압 접착층(4)을 차례로 구비한다. 구체적으로는, 소자 집합체 가고정 시트(1)는 지지층(2)과, 지지층(2) 위에 마련되는 소자 집합체 고정층(3)과, 지지층(2) 아래에 마련되는 제 1 감압 접착층(4)을 구비한다. 또, 이 소자 집합체 가고정 시트(1)에서는, 소자 집합체 고정층(3)은 얼라이먼트 마크(7)를 구비한다. 이하, 각 부재에 대해 설명한다.
1-1. 지지층
지지층(2)은 소자 집합체 가고정 시트(1)의 두께 방향 중앙에 위치한다. 즉, 지지층(2)은 소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 감압 접착층(4)의 사이에 개재하고 있다. 소자 집합체 가고정 시트(1)는 평판 형상을 갖고, 구체적으로는, 소정의 두께를 갖고, 좌우 방향 및 전후 방향을 따라 연장하고, 평탄한 표면 및 평탄한 이면을 갖고 있다. 또, 지지층(2)은 가요성을 갖는다. 지지층(2)은 소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 감압 접착층(4)을 지지하고 있다.
지지층(2)은 합성 수지로 이루어진다. 합성 수지로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌(예를 들면, 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 선형상 저밀도 폴리에틸렌 등), 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌-C4 이상의 α-올레핀 공중합체 등의 올레핀 집합체, 예를 들면, 에틸렌-에틸 아크릴레이트 공중합체, 에틸렌-메틸 메타크릴레이트 공중합체, 에틸렌-n-부틸 아크릴레이트 공중합체 등의 에틸렌-(메타) 아크릴레이트 공중합체, 예를 들면, 폴리에틸렌 텔레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프타레이트 등의 폴리에스테르, 예를 들면, 폴리카보네이트, 예를 들면, 폴리우레탄, 예를 들면, 폴리이미드 등의 폴리머를 들 수 있다. 공중합체는, 랜덤 코폴리머 및 블록 코폴리머 중 어느 것이어도 좋다. 합성 수지는 단독 사용 또는 2종 이상 병용되고 있어도 좋다. 또, 지지층(2)은 상기 합성 수지의 다공질이어도 좋다.
지지층(2)은 바람직하게는, PET, 폴리카보네이트로 이루어진다.
또, 지지층(2)은 단층 또는 복수층으로 이루어져 있어도 좋다.
또, 상기 합성 수지는 예를 들면, 투명하다. 즉, 지지층(2)은 투명하다. 구체적으로는, 지지층(2)의 전체 광선 투과율은 예를 들면, 80% 이상, 바람직하게는, 90% 이상, 보다 바람직하게는, 95% 이상이며, 또, 예를 들면, 99.9% 이하이다.
지지층(2)의 선팽창 계수는, 예를 들면, 500×10-6K-1 이하, 바람직하게는, 300×10-6K-1 이하이며, 또, 예를 들면, 2×10-6K-1 이상, 바람직하게는, 10×10-6K-1 이상이다. 지지층(2)의 선팽창 계수가 상기 상한 이하이면, 얼라이먼트 마크(7)를 기준으로 한 광 반도체 소자(11)의 배열 및/또는 봉지층(12)의 절단을 달성할 수 있다. 지지층(2)의 선팽창 계수는 선팽창 계수 측정 장치(TMA)에 의해 측정된다. 이하의 각 부재의 수축도에 대해서도 마찬가지의 방법에 의해 측정된다.
지지층(2)의 25℃에 있어서의 인장 탄성률 E는, 예를 들면, 200 MPa 이하, 바람직하게는, 100 MPa 이하, 보다 바람직하게는, 80 MPa 이하이며, 또, 예를 들면, 50 MPPa 이상이다. 지지층(2)의 인장 탄성률 E가 상기 상한 이하이면, 가요성을 확보할 수 있어, 얼라이먼트 마크(7)를 용이하게 마련할 수 있다.
지지층(2)의 두께는 예를 들면, 10㎛ 이상, 바람직하게는, 30㎛ 이상이며, 또, 예를 들면, 350㎛ 이하, 바람직하게는, 100㎛ 이하이다.
1-2. 소자 집합체 고정층
소자 집합체 고정층(3)은 소자 집합체 가고정 시트(1)의 상단부에 위치한다. 소자 집합체 고정층(3)은 지지층(2)의 표면에 배치되어 있다. 즉, 소자 집합체 고정층(3)은 소자 집합체 가고정 시트(1)의 상부 표면을 형성하고 있다. 소자 집합체 고정층(3)은 평판 형상을 갖고, 구체적으로는, 소정의 두께를 갖고, 좌우 방향 및 전후 방향을 따라 연장하고, 평탄한 표면 및 평탄한 이면(후술하는 얼라이먼트 마크(7)의 서로 대응하는 부분을 제외한다)을 갖고 있다. 소자 집합체 고정층(3)은, 복수의 광 반도체 소자(11)가 정렬 배치되는 소자 집합체(16)(후술. 도 1 및 도 4(b) 참조)를 가고정하도록 구성되어 있다.
또, 소자 집합체 고정층(3)은 감압 접착성(점착성)을 갖는다.
소자 집합체 고정층(3)은 감압 접착제로 이루어진다. 감압 접착제로서는, 예를 들면, 아크릴계 감압 접착제, 고무계 감압 접착제, SIS(스틸렌-이소프렌-스틸렌·블록 공중합체)계 감압 접착제, 실리콘계 감압 접착제, 비닐 알킬 에테르계 감압 접착제, 폴리비닐 알코올계 감압 접착제, 폴리비닐 피롤리돈계 감압 접착제, 폴리 아크릴 아마이드계 감압 접착제, 셀룰로오스계 감압 접착제, 우레탄계 감압 접착제, 폴리에스테르계 감압 접착제, 폴리아미드계 감압 접착제, 에폭시계 감압 접착제 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 실리콘계 감압 접착제를 들 수 있다.
또, 소자 집합체 고정층(3)은 투명하다. 소자 집합체 고정층(3)의 전체 광선 투과율은 예를 들면, 80% 이상, 바람직하게는, 90% 이상, 보다 바람직하게는, 95% 이상이며, 또, 예를 들면, 99.9% 이하이다.
소자 집합체 고정층(3)의 선팽창 계수는 예를 들면, 500×10-6K-1 이하, 바람직하게는, 300×10-6K-1 이하이며, 또, 예를 들면, 2×10-6K-1 이상, 바람직하게는, 10×10-6K-1 이상이다.
소자 집합체 고정층(3)을 규소판에 대해서 감압 접착하고, 25℃에서, 소자 집합체 고정층(3)을 규소판으로부터 180도로 박리했을 때의 박리력은 예를 들면, 0.1 N/mm 이상, 바람직하게는, 0.3 N/mm 이상이며, 또, 예를 들면, 1 N/mm 이하이다. 소자 집합체 고정층(3)의 박리력이 상기 하한 이상이면, 복수의 광 반도체 소자(11)를 확실히 가고정할 수 있다.
소자 집합체 고정층(3)의 두께는 예를 들면, 5㎛ 이상, 바람직하게는, 10㎛ 이상이며, 또, 예를 들면, 120㎛ 미만, 바람직하게는, 100㎛ 미만, 보다 바람직하게는, 80㎛ 이하, 더 바람직하게는, 60㎛ 이하이다. 소자 집합체 고정층(3)의 두께가 상기 하한을 초과하는 경우에는, 소자 집합체 가고정 시트(1)의 상부 표면에 감압 접착성을 확실히 부여할 수 있다. 그 때문에, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 간편하게 제조할 수 있다. 소자 집합체 고정층(3)의 두께가 상기 상한 미만인 경우에는, 소자 집합체 고정층(3)의 취급성을 향상시킬 수 있다.
1-3. 제 1 감압 접착층
제 1 감압 접착층(4)은 소자 집합체 가고정 시트(1)의 하단부에 위치한다. 또, 제 1 감압 접착층(4)은 지지층(2)의 하부 표면에 배치되어 있다. 즉, 제 1 감압 접착층(4)은 소자 집합체 가고정 시트(1)의 하부 표면을 형성하고 있다. 또한, 제 1 감압 접착층(4)은 두께 방향을 따라, 소자 집합체 고정층(3)과의 사이에 지지층(2)을 끼워넣고 있다. 제 1 감압 접착층(4)은 평판 형상을 갖고, 구체적으로는, 소정의 두께를 갖고, 좌우 방향 및 전후 방향으로 연장하고, 평탄한 표면 및 평탄한 이면을 갖고 있다.
제 1 감압 접착층(4)은 감압 접착성(점착성)을 갖는다. 구체적으로는, 제 1 감압 접착층(4)은 소자 집합체 고정층(3)과 동일한 감압 접착제로 이루어진다.
제 1 감압 접착층(4)은 투명하다. 제 1 감압 접착층(4)의 전체 광선 투과율은 예를 들면, 80% 이상, 바람직하게는, 90% 이상, 보다 바람직하게는, 95% 이상이며, 또, 예를 들면, 99.9% 이하이다.
제 1 감압 접착층(4)의 선팽창 계수는 예를 들면, 500×10-6K-1 이하, 바람직하게는, 300×10-6K-1 이하이며, 또, 예를 들면, 2×10-6K-1 이상, 바람직하게는, 10×10-6K-1 이상이다. 제 1 감압 접착층(4)의 두께는 예를 들면, 5㎛ 이상, 바람직하게는, 10㎛ 이상이며, 또, 예를 들면, 100㎛ 미만, 바람직하게는, 80㎛ 이하, 보다 바람직하게는, 60㎛ 이하이다.
1-4. 얼라이먼트 마크
도 2에 나타내는 바와 같이, 얼라이먼트 마크(7)는 지지층(2)의 상부 표면에 구비되어 있다.
도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 구체적으로는, 얼라이먼트 마크(7)는 지지층(2)의 상부 표면에 있어서의 우단부에 복수 마련되어 있다. 자세하게는, 얼라이먼트 마크(7)는, 소자 집합체 형성 영역(17)의 우측(폭 방향의 일측의 일례)에 구획되는 마크 형성 영역(18)에 마련되고, 소자 집합체 형성 영역(17)에는 후술하는 소자 집합체(16)가 마련되어 있다. 마크 형성 영역(18)은 소자 집합체 가고정 시트(1)의 우단부에, 전후 방향을 따라 배치되어 있다.
얼라이먼트 마크(7)는 소자 집합체(16)를 소자 집합체 고정층(3)에 가고정하기 위한, 또한, 소자 집합체(16)를 봉지하는 봉지층(12)을 절단하기 위한 기준 마크이다. 구체적으로는, 얼라이먼트 마크(7)는 배열 마크(8) 및 절단 마크(9)를 구비한다. 배열 마크(8) 및 절단 마크(9)는 좌우 방향을 따라 일렬로 배열된 복수의 광 반도체 소자(11)(후술)와 서로 대응해서, 각각이 1개씩 배치되고, 배열 마크(8) 및 절단 마크(9)는 좌우 방향으로 서로 간격을 두고 정렬 배치되어 있다.
배열 마크(8)는 얼라이먼트 마크(7)에 있어서의 좌측에 위치하는 마크이며, 전후 방향을 따라 서로 간격을 두고 복수 배치되어 있다. 복수의 배열 마크(8)의 각각은 예를 들면, 대략 원형 형상을 갖고 있다.
절단 마크(9)는 얼라이먼트 마크(7)에 있어서의 우측에 위치하는 마크이며, 전후 방향을 다라 서로 간격을 두고 복수 배치되어 있다. 구체적으로는, 복수의 절단 마크(9)의 각각은, 좌우 방향으로 투영했을 때에 복수의 배열 마크(8)의 각각과 중복되지 않는 방식으로 배치되어 있다. 즉, 복수의 배열 마크(8)와 복수의 절단 마크(9)는 지그재그 형상으로 배치되고, 즉, 좌우 방향으로 투영했을 때에, 전후 방향을 따라 교대로 배치되어 있다. 각 절단 마크(9)는 각 배열 마크(8)와 간격을 두고 각 배열 마크(8)의 오른쪽 앞측에 배치되어 있다. 복수의 절단 마크(9)의 각각은 예를 들면, 좌우 방향을 따라 연장하는 대략 봉(직선) 형상을 갖고 있다.
얼라이먼트 마크(7)는 불투명하다.
그 때문에, 얼라이먼트 마크(7)는 불투명(후술)인 재료로 이루어진다. 그러한 재료로서 예를 들면, 은(금속 은) 등의 금속 재료, 카본 블랙 등의 탄소 재료 등을 들 수 있다.
금속 재료로서 바람직하게는, 은을 들 수 있다. 은이면, 얼라이먼트 마크(7)의 시인성을 더욱 향상시킬 수 있다.
또, 탄소 재료로서 바람직하게는, 카본 블랙을 들 수 있다. 카본 블랙이면, 얼라이먼트 마크(7)의 시인성을 더욱 향상시킬 수 있다.
얼라이먼트 마크(7)의 치수는 적절히 설정되어 있다. 배열 마크(8)의 직경(최대 길이)은, 예를 들면, 0.05 mm 이상, 바람직하게는, 0.1 mm 이상이며, 또, 예를 들면, 1 mm 이하, 바람직하게는, 0.5 mm 이하이다.
인접하는 배열 마크(8)의 중심간의 거리(즉, 피치)는 예를 들면, 0.05 mm 이상, 바람직하게는, 0.1 mm 이상이며, 예를 들면, 1.0 mm 이하, 바람직하게는, 0.8 mm 이하이다.
절단 마크(9)의 좌우 방향 길이는 예를 들면, 0.05 mm 이상, 바람직하게는, 0.1 mm 이상이며, 또, 예를 들면, 1 mm 이하, 바람직하게는, 0.5 mm 이하이다. 절단 마크(9)의 폭(전후 방향 길이)은 예를 들면, 0.05 mm 이상, 바람직하게는, 0.1 mm 이상이며, 또, 예를 들면, 1 mm 이하, 바람직하게는, 0.25 mm 이하이다. 전후 방향으로 투영했을 때에, 좌우 방향으로 인접하는 배열 마크(8) 및 절단 마크(9)의 간격은 예를 들면, 0.1 mm 이상, 바람직하게는, 0.2 mm 이상이며, 또, 예를 들면, 1 mm 이하, 바람직하게는, 0.8 mm 이하이다. 절단 마크(9)의 중심간의 피치는 예를 들면, 0.05 mm 이상, 바람직하게는, 0.1 mm 이상이며, 또, 예를 들면, 1.0 mm 이하, 바람직하게는, 0.8 mm 이하이다.
얼라이먼트 마크(7)의 두께는 예를 들면, 0.5㎛ 이상, 바람직하게는, 1㎛ 이상이며, 또, 예를 들면, 10㎛ 이하, 바람직하게는, 5㎛ 이하이다.
얼라이먼트 마크(7)의 전체 광선 투과율은 예를 들면, 40% 이하, 바람직하게는, 20% 이하, 보다 바람직하게는, 10% 이하이며, 또, 예를 들면, 0.1% 이상이다.
1-5. 제 1 박리층 및 제 2 박리층
도 2에 나타내는 바와 같이, 소자 집합체 가고정 시트(1)는 제 1 박리층(5) 및 제 2 박리층(6)을 더 구비한다.
도 4(a) 및 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 제 1 박리층(5)은, 소자 집합체 고정층(3)을 이용하여 광 반도체 소자(11)를 가고정할 때까지 소자 집합체 고정층(3)을 보호하기 위해서, 소자 집합체 고정층(3)의 표면에 박리 가능한 방식으로 점착되어 있다. 즉, 제 1 박리층(5)은 수지로 형성되는 가요성 필름으로서, 소자 집합체 가고정 시트(1)의 출하·반송·보관시에 있어, 소자 집합체 고정층(3)의 표면을 피복하는 방식으로, 소자 집합체 고정층(3)의 표면에 적층되고, 소자 집합체 고정층(3)의 사용 직전에, 소자 집합체 고정층(3)의 표면으로부터 대략 U자 형상이 되도록 만곡시키는 방식으로 벗겨낼 수 있다. 또, 가요성 필름의 점착면은 필요에 따라 박리 처리되어 있다. 가요성 필름으로서는 예를 들면, 폴리에틸렌 필름, 폴리에스테르 필름(PET 등) 등의 폴리머 필름 등을 들 수 있다. 제 1 박리층(5)의 두께는 예를 들면, 1㎛ 이상, 바람직하게는, 10㎛ 이상이며, 또, 예를 들면, 2000㎛ 이하, 바람직하게는, 1000㎛ 이하이다.
제 2 박리층(6)은, 캐리어(10)를 이용하여 제 1 감압 접착층(4)을 지지할 때까지, 제 1 감압 접착층(4)을 보호하기 위해서, 제 1 감압 접착층(4)의 이면에 박리 가능한 방식으로 점착되어 있다. 즉, 제 2 박리층(6)은 수지로 형성되는 가요성 필름으로서, 소자 집합체 가고정 시트(1)의 출하·반송·보관시에 있어, 제 1 감압 접착층(4)의 이면을 피복하는 방식으로, 제 1 감압 접착층(4)의 이면에 적층되고, 제 1 감압 접착층(4)의 사용 직전에, 제 1 감압 접착층(4)의 이면으로부터 대략 U자 형상이 되도록 만곡시키는 방식으로 벗겨낼 수 있다. 또, 가요성 필름의 점착면은 필요에 따라 박리 처리되어 있다. 가요성 필름으로서는 예를 들면, 폴리에틸렌 필름, 폴리에스테르 필름(PET 등) 등의 폴리머 필름 등을 들 수 있다. 제 2 박리층(6)의 두께는 예를 들면, 1㎛ 이상, 바람직하게는, 10㎛ 이상이며, 또, 예를 들면, 2000㎛ 이하, 바람직하게는, 1000㎛ 이하이다.
그리고, 이 소자 집합체 가고정 시트(1)는 캐리어(10) 및 광 반도체 소자(11)를 구비하지 않고, 제 2 박리층(6), 제 1 감압 접착층(4), 지지층(2), 소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 박리층(5)을 차례로 구비한다. 바람직하게는, 소자 집합체 가고정 시트(1)는 제 2 박리층(6), 제 1 감압 접착층(4), 지지층(2), 소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 박리층(5)만으로 이루어진다.
1-6. 소자 집합체 가고정 시트의 제조 방법
다음으로, 소자 집합체 가고정 시트(1)의 제조 방법을 설명한다.
이 방법에서는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 우선, 지지층(2)을 준비하고, 이어서, 얼라이먼트 마크(7)를 마련한다.
얼라이먼트 마크(7)를 마련하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 포토리소그래피를 이용하는 방법, 감열 전사(예를 들면, 일본 공개 특허 공보 제 2000-135871호 참조), 스탬프, 볼록판 인쇄, 오목판 인쇄, 공판 인쇄(스크린 인쇄), 잉크젯 인쇄(예를 들면, 일본 공개 특허 공보 제2014-010823호 참조) 등을 예로 들 수 있다. 얼라이먼트 마크(7)를 정밀도 좋게 배치하는 측면에서 고려해 보면, 바람직하게는, 포토리소그래피를 이용하는 방법, 스크린 인쇄를 들 수 있고, 보다 바람직하게는, 포토리소그래피를 이용하는 방법을 들 수 있다. 또, 얼라이먼트 마크(7)를 용이하게 마련하는 측면에서 고려해 보면, 감열 전사, 잉크젯 인쇄를 예로 들 수 있다. 포토리소그래피를 이용하는 방법에서는, 구체적으로는, 도 3(a) ~ 도 3(c)에 나타내는 바와 같이, 감광층(21)이 마련된 지지층(2)을 준비하는 공정 (1)(도 3(a) 참조) 및 포토리소그래피를 이용하여, 감광층(21)으로부터 얼라이먼트 마크(7)를 현상 패턴(23)으로서 형성하는 공정 (2)(도 3(b) 및 도 3(c) 참조)이 차례대로 실시된다.
공정 (1)에서는, 도 3(a)에 나타내는 바와 같이, 지지층(2)과, 그 상부 표면에 마련된 감광층(21)을 구비하는 감광층부 지지층(22)을 준비한다.
감광층(21)은 지지층(2)의 상부 표면 전체에 마련되어 있다. 감광층(21)은 포토리소그래피에 의해 현상 패턴(23)을 형성할 수 있는 감광 재료로 이루어진다. 감광 재료로서는, 예를 들면, 은염 유제를 들 수 있다. 은염 유제는 예를 들면, 은염을 함유한다. 은염으로서는, 예를 들면, 할로겐화 은 등의 무기 은염, 예를 들면, 아세트산 은 등의 유기 은염을 들 수 있고, 바람직하게는, 광에 대한 응답성이 우수한 무기 은염을 들 수 있다.
감광층(21)의 두께는 예를 들면, 0.5㎛ 이상, 바람직하게는, 1㎛ 이상이며, 또, 예를 들면, 10㎛ 이하, 바람직하게는, 5㎛ 이하이다.
공정 (2)에서는, 도 3(b)에 나타내는 바와 같이, 활성 에너지선을 포토 마스크(도시하지 않음)를 거쳐서 감광층(21)에 대해서 조사한다. 구체적으로는, 스텐리스 등의 금속으로 이루어지는 메탈 마스크를 이용해서 감광층(21)을 부분적으로 피복하고, 그 후, 메탈 마스크로부터 노출하는 감광층(21)에 대해서, 레이저 광(피크 파장 150 nm 이상, 250 nm 이하)을 조사한다.
이것에 의해, 감광층(21)에는, 얼라이먼트 마크(7)와 동일한 패턴의 노광 부분과, 얼라이먼트 마크(7)와 상반되는 역 패턴의 미노광 부분이 형성된다.
그 후, 도 3(c)에 나타내는 바와 같이, 감광층(21)을 현상액에 침지해서, 노광 부분을 남기고, 미노광 부분을 제거한다(현상). 이것에 의해, 얼라이먼트 마크(7)를 현상 패턴(23)으로서 형성한다.
그 후, 지지층(2) 위에 소자 집합체 고정층(3)을 마련함(공정 (3)의 일례)과 아울러, 지지층(2) 아래에 제 1 감압 접착층(4)을 마련한다.
지지층(2)에 소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 감압 접착층(4) 각각을 마련하려면, 우선, 소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 감압 접착층(4)을 각각 준비한다.
소자 집합체 고정층(3)을, 예를 들면, 제 1 박리층(5)의 표면에 마련한다.
제 1 감압 접착층(4)을, 예를 들면, 제 2 박리층(6)의 표면에 마련한다.
다음으로, 소자 집합체 고정층(3)을 지지층(2)의 상부 표면에 배치한다. 그때, 얼라이먼트 마크(7)를 매설하는 방식으로, 소자 집합체 고정층(3)을 지지층(2)의 상부 표면에 배치한다.
또, 제 1 감압 접착층(4)을 지지층(2)의 하부 표면에 배치한다.
이것에 의해, 지지층(2)과, 지지층(2)의 상하의 각각에 배치되는 소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 감압 접착층(4)과, 소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 감압 접착층(4)에 각각 배치되는 제 1 박리층(5) 및 제 2 박리층(6)을 포함하는 소자 집합체 가고정 시트(1)를 얻는다.
소자 집합체 가고정 시트(1)의 두께는, 예를 들면, 15㎛ 이상, 바람직하게는, 40㎛ 이상이며, 또, 예를 들면, 550㎛ 이하, 바람직하게는, 260㎛ 이하이다.
또, 이 소자 집합체 가고정 시트(1)는 가요성을 갖는다.
1-7. 소자 집합체 가고정 시트의 사용 방법
다음으로, 소자 집합체 가고정 시트(1)의 사용 방법에 대해 설명한다.
도 4(a)에 나타내는 바와 같이, 우선, 제 1 감압 접착층(4)의 하부 표면에 캐리어(10)를 배치한다.
구체적으로는, 우선, 도 2의 가상선으로 나타내는 제 2 박리층(6)을 제 1 감압 접착층(4)으로부터 박리하고, 그 후, 도 4(a)에 나타내는 바와 같이, 캐리어(10)를 제 1 감압 접착층(4)의 하부 표면에 직접 접촉시킨다. 이것에 의해, 캐리어(10)를 제 1 감압 접착층(4)에 감압 접착시킨다.
캐리어(10)는 소자 집합체 가고정 시트(1)를 아래쪽으로부터 지지하기 위한 지지판이다. 캐리어(10)는 전후 방향 및 좌우 방향을 따라 연장하는 대략 평판 형상으로 형성되어 있다. 캐리어(10)는, 내려다 보았을 경우, 소자 집합체 가고정 시트(1)와 서로 동일한 형상을 갖고 있다. 캐리어(10)의 두께는 예를 들면, 100㎛ 이상, 바람직하게는, 350㎛ 이상이며, 또, 예를 들면, 1000㎛ 이하, 바람직하게는, 600㎛ 이하이다. 캐리어(10)는 경질 재료로 이루어진다. 경질 재료로서는, 예를 들면, 유리 등의 투명 재료, 예를 들면, 세라믹, 스텐리스 등 불투명 재료를 들 수 있다. 경질 재료의 비커스 경도는, 예를 들면, 0.5 GPa 이상, 바람직하게는, 1 GPa 이상, 보다 바람직하게는, 1.2 GPa 이상이며, 또, 예를 들면, 10 GPa 이하이다. 캐리어(10)가 경질 재료로 이루어지면, 구체적으로는, 경질 재료의 비커스 경도가 상기 하한 이상이면, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 확실히 지지할 수 있다.
이것에 의해, 캐리어(10)와, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 차례로 구비하는 가고정 부재(30)를 얻을 수 있다. 또, 가고정 부재(30)는 소자 집합체 가고정 시트(1)의 지지층(2)에 마련되는 얼라이먼트 마크(7)를 구비한다.
다음으로, 도 4(a)의 가상선 화살표로 나타내는 바와 같이, 제 1 박리층(5)을 소자 집합체 고정층(3)의 상부 표면으로부터 박리한 후, 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 복수의 광 반도체 소자(11)를 소자 집합체 고정층(3)의 상부 표면에 가고정한다. 이 때, 배열 마크(8)를 기준으로 해서, 복수의 광 반도체 소자(11)를 소자 집합체 고정층(3)의 상부 표면에 정렬 배치(배열)한다. 또, 복수의 광 반도체 소자(11)를 소자 집합체 고정층(3)에 있어서의 소자 집합체 형성 영역(17)에 마련한다.
구체적으로는, 배열 마크(8)를 시각적으로 확인하여, 복수의 광 반도체 소자(11)의 좌우 방향 및 전후 방향에 있어서의 위치를 결정하면서, 복수의 광 반도체 소자(11)를 소자 집합체 고정층(3)의 상부 표면에 직접 접촉시킨다.
배열 마크(8)를 시각적으로 확인하려면, 가고정 부재(30)의 위쪽에 마련된 카메라 등을 이용하여, 배열 마크(8)의 위쪽으로부터 배열 마크(8)를 시각적으로 확인한다. 이때는, 소자 집합체 고정층(3)은 투명하기 때문에, 소자 집합체 고정층(3)의 위쪽으로부터 배열 마크(8)를 시각적으로 확인할 수 있다.
또, 광 반도체 소자(11)는 상부 표면과, 상부 표면과 두께 방향을 따라 서로 대향하게 배치되는 하부 표면과, 상부 표면 및 하부 표면을 연결하는 둘레 측면을 갖는다. 하부 표면에는 전극이 형성되어 있다.
배열 마크(8)의 상부 표면에 복수의 광 반도체 소자(11)가 정렬 배치됨으로써, 소자 집합체(16)를 구성한다.
인접하는 광 반도체 소자(11) 간의 간격(전후 방향 및/또는 좌우 방향에 있어서의 간격)은 예를 들면, 0.05 mm 이상, 바람직하게는, 0.1 mm 이상이며, 또, 예를 들면, 1.0 mm 이하, 바람직하게는, 0.8 mm 이하이다. 또, 복수의 광 반도체 소자(11)의 각각의 두께(높이)는 예를 들면, 0.1㎛ 이상, 바람직하게는, 0.2㎛ 이상이며, 또, 예를 들면, 500㎛ 이하, 바람직하게는, 200㎛ 이하이다. 복수의 광 반도체 소자(11)의 각각의 좌우 방향 길이 및/또는 전후 방향 길이는 예를 들면, 0.05 mm 이상, 바람직하게는, 0.1 mm 이상이며, 또, 예를 들면, 1.0 mm 이하, 바람직하게는, 0.8 mm 이하이다.
이어서, 도 4(c)의 실선 및 도 1의 1점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 봉지층(12)을 이용하여 소자 집합체(16)를 봉지한다.
예를 들면, 반고형 또는 고형의 봉지 조성물로 이루어지는 봉지 시트에 의해, 소자 집합체(16)를 봉지한다. 혹은, 액체 형상의 봉지 조성물을 포팅(potting)함으로써, 소자 집합체(16)를 봉지한다. 봉지 조성물은 실리콘 수지, 에폭시 수지 등의 투명 수지를 함유한다. 봉지 조성물은 필요에 따라, 충전재, 형광체, 광 반사성 입자 등 입자를 적당한 비율로 함유할 수도 있다.
봉지층(12)은 복수의 광 반도체 소자(11)의 각각의 상부 표면 및 측면과, 복수의 광 반도체 소자(11)의 각각으로부터 노출하는 소자 집합체 고정층(3)의 상부 표면을 피복한다. 봉지층(12)은 소자 집합체 고정층(3)의 상부 표면의 마크 형성 영역(18)에 위치한 부분이 노출되는 방식으로, 소자 집합체 고정층(3)의 상부 표면의 소자 집합체 형성 영역(17)에 위치하는 부분에 마련된다.
이것에 의해, 복수의 광 반도체 소자(11)(소자 집합체(16))와, 1개의 봉지층(12)을 포함하는 봉지 소자 집합체(19)를 얻을 수 있다. 즉, 봉지 소자 집합체(19)는 소자 집합체 가고정 시트(1)에 가고정된 상태로 얻어진다.
봉지층(12)의 두께는 예를 들면, 40㎛ 이상, 바람직하게는, 50㎛ 이상이며, 또, 예를 들면, 500㎛ 이하, 바람직하게는, 300㎛ 이하이다.
도 1의 2점 쇄선 및 도 4(d)의 1점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 다음으로, 광 반도체 소자(11)가 개편화되는 방식으로, 봉지층(12)을 절단한다. 즉, 봉지 소자 집합체(19)가 개편화된다.
봉지층(12)을 절단하려면, 예를 들면, 절단 칼을 구비하는 절단 장치, 예를 들면, 레이저 조사원을 구비하는 절단 장치를 사용할 수 있다.
절단 칼을 구비하는 절단 장치로서, 예를 들면, 원반 형상의 다이싱 소(saw)(다이싱 블레이드)를 구비하는 다이싱 장치, 예를 들면, 커터를 구비하는 커팅 장치를 들 수 있다.
바람직하게는, 절단 칼을 구비하는 절단 장치, 보다 바람직하게는, 다이싱 장치가 이용된다.
상기 절단 장치를 이용한 봉지층(12)의 절단에서는, 얼라이먼트 마크(7)의 절단 마크(9)를 기준으로 해서, 봉지층(12)을 절단한다. 또, 배열 마크(8)의 시각적인 확인을 위한 카메라와 서로 동일한 카메라를 이용하여, 얼라이먼트 마크(7)의 절단 마크(9)를 위쪽으로부터 시각적으로 확인하면서, 봉지층(12)을 절단한다.
절단된 봉지층(12)의 전후 방향 길이 및/또는 좌우 방향 길이는 예를 들면, 20 mm 이상, 바람직하게는, 40 mm 이상이며, 또, 예를 들면, 150 mm 이하, 바람직하게는, 100 mm 이하이다.
이것에 의해, 1개의 광 반도체 소자(11)와, 1개의 봉지층(12)을 구비하는 봉지 광 반도체 소자(13)가, 소자 집합체 고정층(3)(가고정 부재(30))에 가고정된 상태로 복수개 얻어질 수 있다.
계속해서, 도 4(d)의 화살표로 나타내는 바와 같이, 복수의 봉지 광 반도체 소자(13)의 각각을 소자 집합체 고정층(3)으로부터 박리한다.
계속해서, 복수의 봉지 광 반도체 소자(13)가 박리된 가고정 부재(30)에서는, 캐리어(10)를 제 1 감압 접착층(4)으로부터 박리하고, 캐리어(10)를 재이용한다. 다른 한편으로, 소자 집합체 가고정 시트(1)(지지층(2), 소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 감압 접착층(4))를 폐기한다. 즉, 소자 집합체 가고정 시트(1)는 일회용이다.
그 후, 도 4(e)에 나타내는 바와 같이, 봉지 광 반도체 소자(13)를 기판(14)에 플립 칩 실장한다.
기판(14)은 전후 방향 및 좌우 방향을 따라 연장하는 평판 형상을 갖고 있다. 기판(14)의 상부 표면에는, 광 반도체 소자(11)의 전극과 전기적으로 접속될 수 있는 단자가 형성되어 있다.
이것에 의해, 봉지 광 반도체 소자(13)와, 기판(14)을 구비하는 광 반도체 장치(15)가 얻어진다.
2. 제 1 실시 형태의 작용 효과
그리고, 이 소자 집합체 가고정 시트(1)에서는, 합성 수지로 이루어지는 지지층(2)에 얼라이먼트 마크(7)가 마련되어 있으므로, 얼라이먼트 마크(7)가 지지층(2)에 용이하게 형성된다.
그런데, 일본 공개 특허 공보 제2014-168036호에서는, 경질의 지지판에 마크를 마련하기 때문에, 그러한 지지판을 재이용할 수 없다. 그러나, 이 소자 집합체 가고정 시트(1)에서는, 캐리어(10)가 아니라, 별도로, 소자 집합체 가고정 시트(1)에 마련되는 지지층(2)에 얼라이먼트 마크(7)를 마련하므로, 비교적 저렴한 지지층(2)을 포함한 소자 집합체 가고정 시트(1)를 폐기할 수 있어, 캐리어(10)를 재이용할 수 있다. 그 때문에, 봉지 광 반도체 소자(13)의 제조 비용을 억제할 수 있고, 또한, 광 반도체 장치(15)의 제조 비용을 억제할 수 있다.
이 소자 집합체 가고정 시트(1)에 의하면, 얼라이먼트 마크(7)가 탄소 재료로 이루어지면, 얼라이먼트 마크(7)의 시인성을 향상시킬 수 있다.
이 소자 집합체 가고정 시트(1)에 의하면, 탄소 재료가 카본 블랙이면, 얼라이먼트 마크(7)의 시인성을 향상시킬 수 있다.
이 소자 집합체 가고정 시트(1)에 의하면, 얼라이먼트 마크(7)가 감열 전사 및 잉크젯 인쇄로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1개의 방법에 의해 마련되는 패턴이면, 얼라이먼트 마크(7)를 용이하게 마련할 수 있다.
또, 이 소자 집합체 가고정 시트(1)에 의하면, 불투명한 얼라이먼트 마크(7)를, 투명한 소자 집합체 고정층(3)을 사이에 두고 확실히 시각적으로 확인할 수 있다. 그 때문에, 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 배열 마크(8)를 기준으로 해서 소자 집합체(16)를 확실히 가고정하거나, 또는, 도 4(d)의 긴 1점 쇄선으로도 나타내는 바와 같이, 절단 마크(9)를 기준으로 해서, 봉지층(12)을 확실히 절단할 수 있다.
또, 이 소자 집합체 가고정 시트(1)에 의하면, 도 3(b) 및 도 3(c)에 나타내는 바와 같이, 얼라이먼트 마크(7)가 현상 패턴(23)이면, 얼라이먼트 마크(7)를 용이하게 마련할 수 있다.
이 소자 집합체 가고정 시트(1)에 의하면, 얼라이먼트 마크(7)가 은으로 이루어지면, 얼라이먼트 마크(7)의 시인성을 향상시킬 수 있다.
또, 이 소자 집합체 가고정 시트(1)는, 소자 집합체 고정층의 두께가 120㎛ 미만이면, 그 두께가 비교적 얇기 때문에, 소자 집합체 고정층(3)의 취급성이 우수하다.
이 소자 집합체 가고정 시트(1)의 제조 방법에 의하면, 얼라이먼트 마크(7)를 간편하게 마련할 수 있다.
3. 제 1 실시 형태의 변형예
제 1 실시 형태에서는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 배열 마크(8)는 대략 원형 형상을 갖고, 절단 마크(9)는 대략 직선 형상을 갖고 있다. 그러나, 얼라이먼트 마크(7)의 각각의 형상은 특별히 한정되지 않는다.
또, 우선, 소자 집합체 고정층(3)을 제 1 박리층(5)(도 3의 가상선 참조)의 표면에 형성한 후, 소자 집합체 고정층(3)을 제 1 박리층(5)으로부터 지지층(2)에 전사하고 있지만, 예를 들면, 소자 집합체 고정층(3)을 지지층(2)의 상부 표면에 직접 형성할 수도 있다.
또, 우선, 제 1 감압 접착층(4)을 제 2 박리층(6)(도 3의 가상선 참조)의 표면에 형성한 후, 제 1 감압 접착층(4)을 제 2 박리층(6)으로부터 지지층(2)에 전사하고 있지만, 예를 들면, 제 1 감압 접착층(4)을 지지층(2)의 하부 표면에 직접 형성할 수도 있다.
또, 제 1 실시 형태에서는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 얼라이먼트 마크(7)가 지지층(2)의 상부 표면에 마련되어 있다.
변형예에서는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 얼라이먼트 마크(7)는 지지층(2)의 하부 표면에 마련된다.
제 1 감압 접착층(4)은 얼라이먼트 마크(7)에 매설되어 있다.
도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 복수의 광 반도체 소자(11)를 소자 집합체 고정층(3)에 배열할 때, 혹은, 도 4(d)에 나타내는 바와 같이, 봉지층(12)을 절단하려면, 가고정 부재(30)의 위쪽에 배치된 카메라를 이용하여, 소자 집합체 고정층(3) 및 지지층(2)을 사이에 두고, 배열 마크(8) 혹은 절단 마크(9)를 시각적으로 확인한다.
또한, 도시하지 않지만, 얼라이먼트 마크(7)를 지지층(2)의 상하 양면에 마련할 수도 있다.
바람직하게는, 얼라이먼트 마크(7)를 지지층(2)의 한쪽 면만, 즉, 상부 표면만 혹은 하부 표면에만 마련한다. 얼라이먼트 마크(7)를 지지층(2)의 한쪽 면에만 마련하면, 얼라이먼트 마크(7)를 지지층(2)의 상하 양면에 마련하는 도 5의 경우에 비해, 얼라이먼트 마크(7)를 간단하고 쉽게 형성할 수 있어, 그 만큼 제조 비용을 저감할 수 있다.
보다 바람직하게는, 제 1 실시 형태의 도 2에 나타내는 바와 같이, 얼라이먼트 마크(7)는 지지층(2)의 상부 표면에 마련된다. 이 구성을 채용하면, 얼라이먼트 마크(7)가 지지층(2)의 하부 표면에 마련되는 도 5의 경우에 비해, 얼라이먼트 마크(7)를 위쪽으로부터 더 확실히 시각적으로 확인할 수 있다.
또, 도시하지 않지만, 얼라이먼트 마크(7)를 지지층(2)의 두께 방향 도중에 오목한 오목부로서 마련할 수도 있다.
또한, 제 1 실시 형태의 사용 방법에서는, 도 4(d)의 1점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 봉지층(12)을 절단해서, 봉지 소자 집합체(19)를 개편화하고 있다.
그러나, 변형예에서는, 도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 봉지층(12)을 절단하지 않고, 봉지 소자 집합체(19)를 소자 집합체 고정층(3)으로부터 박리하고, 그 후, 도 6(b)에 나타내는 바와 같이, 봉지 소자 집합체(19)를 기판(14)에 플립 칩 실장한다.
이 변형예에서는, 봉지층(12)을 절단하지 않기 때문에, 도시하지 않지만, 얼라이먼트 마크(7)는 절단 마크(9)를 구비하지 않고, 배열 마크(8)만으로 이루어져 있어도 좋다.
4. 제 2 실시 형태
제 2 실시 형태에 있어서, 제 1 실시 형태와 동일 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 부여하고, 그 상세한 설명을 생략한다.
제 1 실시 형태에서는, 도 2 및 도 4(a)에 나타내는 바와 같이, 소자 집합체 가고정 시트(1)(구체적으로는, 지지층(2))에 얼라이먼트 마크(7)를 마련하고 있다.
제 2 실시 형태에서는, 도 8(a)에 나타내는 바와 같이, 얼라이먼트 마크(7)를, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 관통하는 관통 구멍(26)으로서 형성한다.
관통 구멍(26)은 소자 집합체 고정층(3), 지지층(2) 및 제 1 감압 접착층(4)을 두께 방향을 따라 관통한다.
제 2 실시 형태에서는, 캐리어(10)는 무색이고, 소자 집합체 고정층(3), 지지층(2) 및 제 1 감압 접착층(4) 중 적어도 1층은 유색이며, 유색인 적어도 1층은 예를 들면, 염료, 안료 등의 유색 성분을 적당한 비율로 갖는다.
캐리어(10)의 전체 광선 투과율은 예를 들면, 80% 이상, 바람직하게는, 90% 이상, 보다 바람직하게는, 95% 이하이며, 또, 예를 들면, 99.9% 이하이다.
유색인 상기 적어도 1층의 전체 광선 투과율은 예를 들면, 80% 이하, 바람직하게는, 65% 이하, 보다 바람직하게는, 50% 이하이다.
상기 적어도 1층이 유색이기 때문에, 관통 구멍(26)은 무색으로 되는 것이 내려다 볼 때 시각적으로 확인된다. 즉, 유색의 상기 적어도 1층과, 무색의 관통 구멍(26)의 콘트라스트를 이용하여, 도 7에 나타내는 바와 같이, 관통 구멍(26)이 명확하게 시인된다.
이 소자 집합체 가고정 시트(1)를 제조하려면, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제 2 박리층(6), 제 1 감압 접착층(4), 지지층(2), 소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 박리층(5)을 차례로 구비하는 소자 집합체 가고정 시트(1)를 준비한다.
다음으로, 제 2 박리층(6), 제 1 감압 접착층(4), 지지층(2), 소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 박리층(5)을 두께 방향으로 한꺼번에 관통하는 관통 구멍(26)을 형성한다.
관통 구멍(26)은 예를 들면, 절삭, 타발, 레이저 가공 등을 이용하여 형성한다. 바람직하게는, 레이저 가공에 의해 관통 구멍(26)을 형성한다. 레이저 가공으로서는, 예를 들면, 엑시머 레이저, YAG 레이저, CO2 레이저 등을 들 수 있고, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 릴 투 릴(reel to reel)로 연속적으로 제조하는 관점 및 관통 구멍(26)을 광역 영역으로 형성하는 관점에서 바람직하게는, YAG 레이저를 들 수 있다.
이 소자 집합체 가고정 시트(1)의 사용 방법에 있어서, 제 2 박리층(6)을 제 1 감압 접착층(4)으로부터 박리하고, 그 후, 도 8(a)에 나타내는 바와 같이, 캐리어(10)를 제 1 감압 접착층(4)의 하부 표면에 직접 접촉시킨다. 계속해서, 제 1 박리층(5)을 소자 집합체 고정층(3)의 상부 표면으로부터 박리한다.
그 후, 도 8(b)에 나타내는 바와 같이, 배열 마크(8)를 기준으로 해서, 복수의 광 반도체 소자(11)를 소자 집합체 고정층(3)의 표면에 정렬 배치(배열)한다.
이때, 배열 마크(8)를 시각적으로 확인하여, 복수의 광 반도체 소자(11)의 좌우 방향 및 전후 방향에 있어서의 위치를 결정하면서, 복수의 광 반도체 소자(11)를 소자 집합체 고정층(3)의 상부 표면에 직접 접촉시킨다.
구체적으로는, 배열 마크(8)(관통 구멍(26))를 무색으로서 시각적으로 확인한다. 유색의 상기 적어도 1층과의 콘트라스트를 이용하여, 배열 마크(8)(관통 구멍(26))를 명확하게 시각적으로 확인할 수 있다(도 7 참조).
또, 도 8(d)에 나타내는 바와 같이, 봉지층(12)을 절단할 때에는, 절단 마크(9)를 기준으로 한다. 구체적으로는, 절단 마크(9)(관통 구멍(26))를 상기 배열 마크(8)(관통 구멍(26))의 시각적인 확인과 마찬가지의 방법을 이용하여 시각적으로 확인한다(도 7 참조).
5. 제 2 실시 형태의 작용 효과
제 2 실시 형태에 의하면, 제 1 실시 형태와 마찬가지의 작용 효과를 가질 수 있다.
특히, 이 방법에 의하면, 얼라이먼트 마크(7)를 관통 구멍(26)으로 해서 간편하게 마련할 수 있다.
6. 제 2 실시 형태의 변형예
상기 설명에서는, 도 8(a)에 나타내는 바와 같이, 소자 집합체 고정층(3), 지지층(2) 및 제 1 감압 접착층(4)을 두께 방향을 따라 한꺼번에 관통하는 관통 구멍(26)을 형성하고 있다. 그러나, 도시하지 않지만, 제 1 감압 접착층(4)을 관통하지 않고, 소자 집합체 고정층(3) 및 지지층(2)을 관통하는 관통 구멍(26)을 형성할 수도 있다. 이 경우에는, 제 1 감압 접착층(4)은 무색이며, 소자 집합체 고정층(3) 및 지지층(2)의 적어도 1층은 유색이다.
이 변형예를 채용해도, 제 2 실시 형태와 마찬가지의 작용 효과를 가질 수 있다.
6. 제 3 실시 형태
제 3 실시 형태에 있어서, 제 1 및 제 2 실시 형태와 동일 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 부여하고, 그 상세한 설명을 생략한다.
6-1. 소자 집합체 가고정 시트
도 9에 나타내는 바와 같이, 제 3 실시 형태의 소자 집합체 가고정 시트(1)는 제 1 감압 접착층(4)(도 2 참조)을 구비하지 않고, 지지층(2)과 소자 집합체 고정층(3)을 구비한다. 또, 소자 집합체 가고정 시트(1)는 제 1 박리층(5)을 더 구비할 수도 있다. 바람직하게는, 소자 집합체 가고정 시트(1)는 지지층(2) 및 소자 집합체 고정층(3)만으로 이루어지고, 또, 필요에 따라, 바람직하게는, 지지층(2), 소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 박리층(5)만으로 이루어진다.
소자 집합체 가고정 시트(1)를 제조하려면, 우선, 지지층(2)을 준비하고, 계속해서, 상기 방법(도 3(a)~도 3(c)의 방법)에 의해, 얼라이먼트 마크(7)를 지지층(2)에 마련한다. 그 후, 소자 집합체 고정층(3)을 지지층(2)의 상부 표면 전체에 마련한다.
6-2.소자 집합체 가고정 시트의 사용 방법
다음으로, 소자 집합체 가고정 시트(1)의 사용 방법에 대해 설명한다.
도 10(a)에 나타내는 바와 같이, 우선, 제 1 박리층(5)(도 9 참조)을 소자 집합체 고정층(3)으로부터 박리하고, 계속해서, 캐리어(10)를 소자 집합체 고정층(3)의 상부 표면에 배치한다.
캐리어(10)는 유리 등의 투명 재료로 이루어진다.
이것에 의해, 지지층(2), 소자 집합체 고정층(3) 및 캐리어(10)를 차례로 구비하는 가고정 부재(30)를 얻을 수 있다. 바람직하게는, 가고정 부재(30)는 지지층(2), 소자 집합체 고정층(3) 및 캐리어(10)만으로 이루어진다.
계속해서, 캐리어(10)의 상부 표면에 제 2 감압 접착층(25)을 배치한다.
제 2 감압 접착층(25)은 평판 형상을 갖고, 소정의 두께를 갖고, 좌우 방향 및 전후 방향을 따라 연장하고, 평탄한 표면 및 평탄한 이면을 갖고 있다. 제 2 감압 접착층(25)은 감압 접착성(점착성)을 갖는다. 제 2 감압 접착층(25)은 도 2에 나타내는 상기 소자 집합체 가고정 시트(1)(지지층(2), 소자 집합체 고정층(3), 제 1 감압 접착층(4))와 마찬가지의 층 구성을 갖는다. 또, 제 2 감압 접착층(25)은 일본 공개 특허 공보 제2014-168036호에 기재된 점착층으로 이루어질 수도 있다. 또, 제 2 감압 접착층(25)은 내려다 보아, 소자 집합체 가고정 시트(1)에 비해서 작은 치수를 갖고 있고, 구체적으로는, 제 2 감압 접착층(25)은 두께 방향으로 투영했을 때에, 얼라이먼트 마크(7)와 겹치지 않는 방식으로, 배치되어 있다. 구체적으로는, 제 2 감압 접착층(25)은 캐리어(10)의 소자 집합체 형성 영역(17)에 배치되어 있다. 제 2 감압 접착층(25)의 두께는 예를 들면, 30㎛ 이상, 바람직하게는, 50㎛ 이상이며, 또, 예를 들면, 500㎛ 이하, 바람직하게는, 300㎛ 이하이다.
도 10(b)에 나타내는 바와 같이, 계속해서, 복수의 광 반도체 소자(11)를 제 2 감압 접착층(25)의 상부 표면에 감압 접착한다.
이때, 가고정 부재(30)의 위쪽으로부터 얼라이먼트 마크(7)의 배열 마크(8)를 시각적으로 확인하면서, 배열 마크(8)를 기준으로 해서, 복수의 광 반도체 소자(11)를 제 2 감압 접착층(25)의 상부 표면에 정렬 배치(배열)한다. 배열 마크(8)를 투명한 캐리어(10) 및 소자 집합체 고정층(3)을 사이에 두고 시각적으로 확인한다.
이것에 의해, 1개의 제 2 감압 접착층(25)과 복수의 광 반도체 소자(11)를 구비하는 소자 집합체(16)를 얻을 수 있으며, 이 소자 집합체는 캐리어(10)에 지지된 상태이다. 즉, 소자 집합체(16)는 캐리어(10)에 지지된다. 즉, 소자 집합체(16)는 캐리어(10)를 통해서 소자 집합체 가고정 시트(1)(소자 집합체 고정층(3))에 가고정되어 있다.
도 10(c)에 나타내는 바와 같이, 계속해서, 봉지층(12)를 이용하여 소자 집합체(16)에 있어서의 복수의 광 반도체 소자(11)를 봉지한다.
봉지층(12)은 복수의 광 반도체 소자(11)의 각각의 상부 표면 및 측면과, 복수의 광 반도체 소자(11)의 각각으로부터 노출하는 제 2 감압 접착층(25)의 상부 표면을 피복 하고 있다. 한편, 봉지층(12)은 캐리어(10)의 상부 표면에 형성되지 않는다.
이것에 의해, 소자 집합체(16)와 소자 집합체(16)를 피복하는 봉지층(12)을 포함하는 봉지 소자 집합체(19)를 얻을 수 있다. 봉지 소자 집합체(19)는 1개의 제 2 감압 접착층(25)과, 복수의 광 반도체 소자(11)와, 1개의 봉지층(12)을 차례로 구비한다. 바람직하게는, 봉지 소자 집합체(19)는 1개의 제 2 감압 접착층(25)과, 복수의 광 반도체 소자(11)와, 1개의 봉지층(12)만으로 이루어진다.
도 10(d)의 1점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 계속해서, 봉지층(12)을 절단한다.
이것에 의해, 1개의 광 반도체 소자(11)와, 1개의 봉지층(12)을 구비하는 복수개의 봉지 광 반도체 소자(13)를 얻을 수 있으며, 이 광 반도체 소자(13)는 제 2 감압 접착층(25)에 가고정된 상태이다.
도 10(e)의 화살표로 나타내는 바와 같이, 봉지 소자 집합체(19)를 캐리어(10)의 상부 표면으로부터 박리한다. 계속해서, 복수의 봉지 광 반도체 소자(13)의 각각을 제 2 감압 접착층(25)으로부터 박리한다.
가고정 부재(30)에서는, 캐리어(10)를 소자 집합체 고정층(3)의 상부 표면으로부터 박리해서, 캐리어(10)를 재이용한다. 다른 한편으로, 소자 집합체 가고정 시트(1)(지지층(2) 및 소자 집합체 고정층(3))를 폐기한다. 즉, 소자 집합체 가고정 시트(1)는 일회용이다.
도 10f에 나타내는 바와 같이, 그 후, 봉지 광 반도체 소자(13)를 기판(14)에 플립 칩 실장해서, 광 반도체 장치(15)를 얻는다.
7. 제 3 실시 형태의 작용 효과
제 3 실시 형태에 의해서도, 제 1 실시 형태 및 제 2 실시 형태와 마찬가지의 작용 효과를 가질 수 있다.
또, 도 9에 나타내는 바와 같이, 이 소자 집합체 가고정 시트(1)는 제 1 감압 접착층(4)(도 2 참조)을 구비하지 않기 때문에, 제 1 감압 접착층(4)을 구비하는 제 1 실시 형태의 소자 집합체 가고정 시트(1)에 비해, 층 구성을 간단하게 할 수 있다.
8. 제 3 실시 형태의 변형예
제 3 실시 형태에서는, 도 9에 나타내는 바와 같이, 얼라이먼트 마크(7)가 지지층(2)의 상부 표면에 마련되어 있다.
변형예에서는, 도 11에 나타내는 바와 같이, 얼라이먼트 마크(7)는 지지층(2)의 하부 표면에 마련된다.
얼라이먼트 마크(7)는 아래쪽을 향해 노출하고 있다.
도 10(b)에 나타내는 바와 같이, 복수의 광 반도체 소자(11)를 제 2 감압 접착층(25)에 배열할 때, 혹은, 도 10(d)에 나타내는 바와 같이, 봉지층(12)을 절단할 때, 가고정 부재(30)의 위쪽에 배치된 카메라를 이용하여, 캐리어(10), 소자 집합체 고정층(3) 및 지지층(2)을 사이에 두고, 배열 마크(8) 혹은 절단 마크(9)를 시각적으로 확인한다.
또한, 도시하지 않지만, 얼라이먼트 마크(7)를 지지층(2)의 상하 양면에 마련할 수도 있다.
바람직하게는, 얼라이먼트 마크(7)를 지지층(2)의 한쪽 면만, 즉, 상부 표면에만, 혹은 하부 표면에만 마련한다. 얼라이먼트 마크(7)를 지지층(2)의 한쪽 면에만 마련하면, 얼라이먼트 마크(7)를 지지층(2)의 상하 양면에 마련하는 경우에 비해, 얼라이먼트 마크(7)를 간단하고 쉽게 형성할 수 있어 그 만큼, 제조 비용을 저감할 수 있다.
보다 바람직하게는, 제 3 실시 형태의 도 9에 나타내는 바와 같이, 얼라이먼트 마크(7)는 지지층(2)의 상부 표면에 마련된다. 이 구성을 채용하면, 얼라이먼트 마크(7)가 지지층(2)의 하부 표면에 마련되는 도 11의 경우에 비해, 얼라이먼트 마크(7)를 위쪽으로부터 보다 확실히 시각적으로 확인할 수 있다.
도시하지 않지만, 얼라이먼트 마크(7)를 지지층(2)의 두께 방향 도중에 오목한 오목부로 해서 마련할 수도 있다.
또한, 제 3 실시 형태의 사용 방법에서는, 도 10(d)의 1점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 봉지층(12)을 절단하고 있다.
그러나, 변형예에서는, 도 12(a)에 나타내는 바와 같이, 봉지층(12)을 절단하지 않고, 제 2 감압 접착층(25)을 캐리어(10)의 상부 표면으로부터 박리한다.
계속해서, 도 12(b)에 나타내는 바와 같이, 봉지 소자 집합체(19)를 복수의 광 반도체 소자(11)의 각각의 하부 표면 및 봉지층(12)의 하부 표면으로부터 박리한다.
그 후, 도 12(c)에 나타내는 바와 같이, 복수의 광 반도체 소자(11)를 기판(14)에 플립 칩 실장한다.
이 변형예에서는, 도 12(a)에 나타내는 바와 같이, 봉지층(12)을 절단하지 않기 때문에, 도시하지 않지만, 얼라이먼트 마크(7)는 절단 마크(9)를 구비하지 않고, 배열 마크(8)만으로 이루어져 있어도 좋다.
9. 제 4 실시 형태
제 4 실시 형태에 있어서, 제 1 ~ 제 3 실시 형태와 동일 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 부여하고, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 13(a)에 나타내는 바와 같이, 얼라이먼트 마크(7)를, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(26)으로 해서 마련할 수도 있다.
관통 구멍(26)은 지지층(2) 및 소자 집합체 고정층(3)을 두께 방향을 따라 관통한다.
이 변형예에서는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 지지층(2) 및 소자 집합체 고정층(3)과의 콘트라스트를 이용하여, 관통 구멍(26)을 명확하게 시각적으로 확인할 수 있다.
이 소자 집합체 가고정 시트(1)의 사용 방법에 있어서, 캐리어(10)를 소자 집합체 고정층(3)의 상부 표면에 배치한다.
도 13(a)에 나타내는 바와 같이, 계속해서, 캐리어(10)의 상부 표면에 제 2 감압 접착층(25)을 배치한다.
도 13(b)에 나타내는 바와 같이, 계속해서, 복수의 광 반도체 소자(11)를 제 2 감압 접착층(25)의 상부 표면에 감압 접착한다.
이때, 얼라이먼트 마크(7)의 배열 마크(8)를 가고정 부재(30)의 위쪽으로부터 시각적으로 확인하면서, 배열 마크(8)를 기준으로 해서, 복수의 광 반도체 소자(11)를 제 2 감압 접착층(25)의 상부 표면에 정렬 배치(배열)한다.
이때, 배열 마크(8)를 위쪽으로부터, 이러한 캐리어(10)를 통해서, 유색의 소자 집합체 고정층(3) 및 지지층(2)에 있어서의 관통 구멍(26)으로 해서 시각적으로 확인한다. 상기 유색의 1층과의 콘트라스트를 이용하여, 배열 마크(8)(관통 구멍(26))를 명확하게 시각적으로 확인할 수 있다(도 7 참조).
도 13d의 1점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 계속해서, 얼라이먼트 마크(7)의 절단 마크(9)를 기준으로 해서, 봉지층(12)을 절단한다.
그리고, 이 제 4 실시 형태에 의해서도, 제 3 실시 형태와 마찬가지의 작용 효과를 가질 수 있다.
실시예
이하의 기재에서 사용되는 배합 비율(함유 비율), 물성치, 파라미터 등의 구체적 수치는, 상기 「발명을 실시하기 위한 구체적인 내용」에 기재되어 있는, 그들에 대응하는 배합 비율(함유 비율), 물성치, 파라미터 등 해당 기재의 상한치(「이하」, 「미만」으로서 정의되어 있는 수치) 또는 하한치(「이상」, 「초과」로서 정의되고 있는 수치)로 대체할 수 있다.
실시예 1(제 1 실시 형태에 대응하는 실시예)
1. 소자 집합체 가고정 시트의 제조
도 3(a)에 나타내는 바와 같이, 우선, PET로 이루어지는 두께 175㎛의 지지층(2)과, 그 상부 표면에 마련되고, 할로겐화 은을 함유하는 은염 유제로 이루어지는 두께 3㎛의 감광층(21)을 포함하는 감광층부 지지층(22)을 준비한다(공정 (1)). 감광층부 지지층(22)의 전후 방향 길이는 600 mm이며, 좌우 방향 길이는 500 mm이다.
지지층(2)의 전체 광선 투과율은 95%이다. 지지층(2)의 선팽창 계수는 70×10-6K-1이다. 지지층(2)의 25℃에 있어서의 인장 탄성률 E는 60 MPa이다.
소자 집합체 고정층(3)의 전체 광선 투과율은 95%이다. 소자 집합체 고정층(3)의 선팽창 계수는 220×10-6K-1이다.
계속해서, 도 3(b)에 나타내는 바와 같이, 스텐리스로 이루어지는 메탈 마스크를 이용해서 감광층(21)을 부분적으로 피복하고, 그 후, 감광층(21)의 메탈 마스크로부터 노출하는 부분에 대해서, 피크 파장이 193 nm인 레이저 광을 조사한다. 이것에 의해, 배열 마크(8)와 절단 마크(9)를 노광 패턴으로서 형성한다.
그 후, 감광층부 지지층(22)을 현상액에 침지함으로써, 노광 부분을 남기고, 미노광 부분을 제거한다(현상했다). 이것에 의해, 도 3(c) 및 도 1에 나타내는 바와 같이, 원형 형상의 배열 마크(8)와 직선 형상의 절단 마크(9)를 갖는 얼라이먼트 마크(7)를 현상 패턴(23)으로서 형성한다.
배열 마크(8)의 직경은 0.5 mm이며, 인접하는 배열 마크(8) 간의 간격은 1.14 mm이며, 인접하는 배열 마크(8)의 피치는 1.64 mm이다. 절단 마크(9)의 좌우 방향 길이가 0.5 mm이며, 전후 방향 길이가 0.2 mm이다. 인접하는 절단 마크(9) 간의 간격은 1.62 mm이며, 인접하는 절단 마크(9)의 피치는 1.64 mm이다.
얼라이먼트 마크(7)는 불투명하고, 구체적으로는, 전체 광선 투과율이 10%이다.
또, 제 1 박리층(5)의 표면에 실리콘계 점착제로 이루어지는 두께 25㎛의 소자 집합체 고정층(3)을 마련하고, 제 2 박리층(6)의 표면에 실리콘계 점착제로 이루어지는 두께 15㎛의 제 1 감압 접착층(4)을 마련한다.
계속해서, 소자 집합체 고정층(3)을 지지층(2)의 상부 표면에 얼라이먼트 마크(7)를 포함하는 방식으로 배치함과 아울러, 제 1 감압 접착층(4)을 지지층(2)의 하부 표면에 배치한다.
이것에 의해, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제 2 박리층(6), 제 1 감압 접착층(4), 지지층(2), 소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 박리층(5)을 차례로 포함하는 소자 집합체 가고정 시트(1)를 얻는다.
2. 소자 집합체 가고정 시트의 사용(봉지 광 반도체 소자 및 광 반도체 장치의 제조)
그 후, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 사용해서, 봉지 광 반도체 소자(13)를 제조하고, 계속해서, 광 반도체 장치(15)를 제조한다.
즉, 제 2 박리층(6)을 제 1 감압 접착층(4)으로부터 박리하고, 그 후, 도 4(a)에 나타내는 바와 같이, 제 1 감압 접착층(4)의 하부 표면에 유리로 이루어지는 두께 700㎛의 캐리어(10)를 배치한다.
도 4의 가상선 화살표로 나타내는 바와 같이, 제 1 박리층(5)을 소자 집합체 고정층(3)의 상부 표면으로부터 박리한 후, 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 배열 마크(8)를 기준으로 해서, 복수의 광 반도체 소자(11)를 소자 집합체 고정층(3)에 정렬 배치한다. 이때, 배열 마크(8)를 위쪽으로부터 카메라를 이용하여 시각적으로 확인한다.
광 반도체 소자(11)의 두께는 150㎛이며, 광 반도체 소자(11)의 좌우 방향 길이 및 전후 방향 길이는 1.14 mm이며, 인접하는 광 반도체 소자(11) 간의 간격은 0.5 mm 이상이다.
도 4(c)에 나타내는 바와 같이, 계속해서, 봉지층(12)에 의해 소자 집합체(16)를 봉지했다. 봉지층(12)은 실리콘 수지 100 질량부 및 형광체 15 질량부를 함유 하는 봉지 조성물로 형성했다. 봉지층(12)의 두께는 400㎛이다. 이것에 의해, 복수의 광 반도체 소자(11)와, 1개의 봉지층(12)을 포함하는 봉지 소자 집합체(19)를 얻는다.
도 1 및 도 4(d)의 1점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 계속해서, 절단 마크(9)를 기준으로 해서 다이싱 소로 봉지층(12)을 절단해서, 봉지 소자 집합체(19)를 개편화했다. 이때, 카메라가 위쪽으로부터 절단 마크(9)를 시각적으로 확인한다. 절단된 후의 봉지층(12)의 좌우 방향 길이 및 전후 방향 길이는 각각 100 mm이다.
이것에 의해, 광 반도체 소자(11)와, 봉지층(12)을 포함하는 봉지 광 반도체 소자(13)를 얻으며, 이 광 반도체 소자(11)는 가고정 부재(30)에 가고정된 상태이다.
계속해서, 도 4(d)의 화살표로 나타내는 바와 같이, 복수의 봉지 광 반도체 소자(13)의 각각을 소자 집합체 고정층(3)으로부터 박리한다.
그 후, 도 4(e)에 나타내는 바와 같이, 봉지 광 반도체 소자(13)를 기판(14)에 플립 칩 실장한다.
실시예 2(제 1 실시 형태에 대응하는 실시예)
얼라이먼트 마크(7)를, 카본 블랙을 포함한 도포액의 잉크젯 인쇄 및 건조를 ld용하여 형성한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 처리해서, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 얻고, 계속해서, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 사용해서, 봉지 광 반도체 소자(13)를 제조하고, 계속해서, 광 반도체 장치(15)를 제조한다.
실시예 3(제 2 실시 형태의 변형예에 대응하는 실시예)
폴리이미드로 이루어지는 두께 25㎛의 지지층(2), 실리콘계 감압 접착제로 이루어지는 두께 6㎛의 소자 집합체 고정층(3), 및, 폴리에스테르로 이루어지는 두께 50㎛의 제 1 박리층(5)으로 이루어지는 적층체(상품명 「TRM-6250-L」, 닛토 전공사 제품)를 준비했다.
지지층(2)의 전체 광선 투과율은 95%이다. 지지층(2)의 선팽창 계수는 70×10-6K-1이다. 지지층(2)의 25℃에 있어서의 인장 탄성률 E는 60 MPa이다.
소자 집합체 고정층(3)의 전체 광선 투과율은 95%이다. 소자 집합체 고정층(3)의 선팽창 계수는 220×10-6K-1이다.
계속해서, YAG 레이저에 의해, 실시예 1과 마찬가지의 패턴으로 관통 구멍(26)을 형성했다. YAG 레이저의 조건은 이하와 같다.
YAG 레이저 : MODEL5330(ESI 주식회사 제품)
빔 직경 : 5㎛
레이저 파워 : 2.5 W
펄스의 반복 주파수 : 30 kHz
주사 속도=150 mm/초
그 후, 지지층(2)의 하부 표면에, 실리콘계 점착제로 이루어지는 두께 15㎛의 제 1 감압 접착층(4) 및 제 2 박리층(6)을 탑재했다. 이것에 의해, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 얻었다.
그 후, 실시예 1과 마찬가지로 해서, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 사용해서, 봉지 광 반도체 소자(13)를 제조하고(도 8(a)~도 8(d) 참조), 계속해서, 광 반도체 장치(15)를 제조했다(도 8(e) 참조).
실시예 4(제 3 실시 형태에 대응하는 실시예)
1. 소자 집합체 가고정 시트의 제조
제 2 박리층(6) 및 제 1 감압 접착층(4)을 구비하지 않는 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 처리해서, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 얻는다.
즉, 도 9에 나타내는 바와 같이, 이 소자 집합체 가고정 시트(1)는 지지층(2), 소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 박리층(5)을 차례로 포함한다. 소자 집합체 가고정 시트(1)의 두께는 100㎛이다.
2. 소자 집합체 가고정 시트의 사용(봉지 광 반도체 소자 및 광 반도체 장치의 제조)
그 후, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 사용해서, 봉지 광 반도체 소자(13)를 제조하고, 계속해서, 광 반도체 장치(15)를 제조한다.
즉, 우선, 제 1 박리층(5)을 소자 집합체 고정층(3)으로부터 박리하고, 계속해서, 도 10(a)에 나타내는 바와 같이, 소자 집합체 고정층(3)의 상부 표면에, 유리로 이루어지는 두께 700㎛의 캐리어(10)를 배치한다. 또, 소자 집합체 가고정 시트(1)로 이루어지는 두께 90㎛의 제 2 감압 접착층(25)을 캐리어(10)의 상부 표면에 배치하되, 이 소자 집합체 가고정 시트(1)는 지지층(2), 소자 집합체 고정층(3), 제 1 감압 접착층(4)으로 이루어진다.
도 10(b)에 나타내는 바와 같이, 계속해서, 배열 마크(8)를 기준으로 해서, 복수의 광 반도체 소자(11)를 제 2 감압 접착층(25)의 상부 표면에 정렬 배치한다. 이때, 카메라가 위쪽으로부터 배열 마크(8)를 시각적으로 확인한다. 광 반도체 소자(11)의 치수 및 인접하는 광 반도체 소자(11) 간의 치수는 실시예 1과 마찬가지이다.
이것에 의해, 제 2 감압 접착층(25)과, 복수의 광 반도체 소자(11)를 포함하는 소자 집합체(16)를 얻으며, 이 소자 집합체(16)는 소자 집합체 가고정 시트(1)에 캐리어(10)를 통해서 지지되는 상태이다.
도 10(c)에 나타내는 바와 같이, 계속해서, 봉지층(12)을 이용하여, 소자 집합체(16)에 있어서의 복수의 광 반도체 소자(11)를 봉지한다. 봉지층(12)은 실리콘 수지 100 질량부 및 형광체 15 질량부를 함유하는 봉지 조성물로 형성한다. 봉지층(12)의 두께는 400㎛이다.
이것에 의해, 소자 집합체(16)와, 복수의 광 반도체 소자(11)를 피복하는 봉지층(12)을 포함하는 봉지 소자 집합체(19)를 얻는다.
도 10(d)의 1점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 계속해서, 절단 마크(9)를 기준으로 해서 다이싱 소로 봉지층(12)을 절단한다. 이때, 카메라가 위쪽으로부터 절단 마크(9)를 시각적으로 확인한다. 절단된 후의 봉지층(12)의 좌우 방향 길이 및 전후 방향 길이는 모두 1.62 mm이다.
그 후, 도 10(e)의 화살표로 나타내는 바와 같이, 봉지 소자 집합체(19)를 캐리어(10)의 상부 표면으로부터 박리한다. 계속해서, 복수의 봉지 광 반도체 소자(13)의 각각을 제 2 감압 접착층(25)으로부터 박리한다.
그 후, 도 10f에 나타내는 바와 같이, 봉지 광 반도체 소자(13)를 기판(14)에 플립 칩 실장해서, 광 반도체 장치(15)를 얻는다.
실시예 5(제 3 실시 형태에 대응하는 실시예)
얼라이먼트 마크(7)를, 카본 블랙을 포함한 도포액의 잉크젯 인쇄 및 건조에 의해 형성한 것 이외는, 실시예 4와 마찬가지로 처리해서, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 얻고, 계속해서, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 사용해서, 봉지 광 반도체 소자(13)를 제조하고, 계속해서, 광 반도체 장치(15)를 제조했다.
실시예 6(제 4 실시 형태에 대응하는 실시예)
제 2 박리층(6) 및 제 1 감압 접착층(4)을 구비하지 않는 것 이외는, 실시예 3과 마찬가지로 처리해서, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 얻었다(도 13(a) 참조). 계속해서, 봉지 광 반도체 소자(13)를 제조하고(도 13(a)~도 13(e) 참조), 계속해서, 광 반도체 장치(15)를 제조했다(도 13(f)참조).
또, 본 발명의 예시의 실시 형태로서 상기 설명을 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않고, 결코 한정적으로 해석해서는 안된다. 해당 기술 분야의 당업자에게 자명한 본 발명의 변형예는 다음의 청구의 범위에 포함되는 것이다.

Claims (15)

  1. 복수의 광 반도체 소자가 정렬 배치되어 이루어지는 소자 집합체를 가고정하기 위한 소자 집합체 고정층과,
    상기 소자 집합체 고정층을 지지하기 위한, 합성 수지로 이루어지는 지지층
    을 포함하고,
    상기 지지층에는 얼라이먼트 마크가 마련되어 있으며,
    상기 지지층의 25℃에 있어서의 인장 탄성률 E는 80 MPa 이하인 것을 특징으로 하는 소자 집합체 가고정 시트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 얼라이먼트 마크는 탄소 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 소자 집합체 가고정 시트.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 탄소 재료는 카본 블랙으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 소자 집합체 가고정 시트.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 얼라이먼트 마크는 감열 전사 및 잉크젯 인쇄로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1개의 방법에 의해 마련되는 패턴인 것을 특징으로 하는 소자 집합체 가고정 시트.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 소자 집합체 고정층 및 상기 지지층은 투명하고,
    상기 얼라이먼트 마크는 불투명한
    것을 특징으로 하는 소자 집합체 가고정 시트.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 얼라이먼트 마크는 현상 패턴인 것을 특징으로 하는 소자 집합체 가고정 시트.
  7. 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 얼라이먼트 마크는 은으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 소자 집합체 가고정 시트.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 얼라이먼트 마크는 상기 소자 집합체 고정층 및 상기 지지층을 관통하는 관통 구멍인 것을 특징으로 하는 소자 집합체 가고정 시트.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 소자 집합체 고정층의 두께는 120㎛ 미만인 것을 특징으로 하는 소자 집합체 가고정 시트.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 소자 집합체 고정층은 상기 지지층의 적어도 한쪽 면에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 소자 집합체 가고정 시트.
  11. 소자 집합체 가고정 시트의 제조 방법으로서,
    감광층이 마련된 지지층을 준비하는 공정 (1),
    포토리소그래피에 의해, 상기 감광층으로부터 얼라이먼트 마크를 현상 패턴으로서 형성하는 공정 (2) 및
    복수의 광 반도체 소자가 정렬 배치되어 이루어지는 소자 집합체를 가고정하기 위한 소자 집합체 고정층을 상기 지지층에 마련하는 공정 (3)
    을 포함하며,
    상기 지지층의 25℃에 있어서의 인장 탄성률 E는 80 MPa 이하인 것을 특징으로 하는 소자 집합체 가고정 시트의 제조 방법.
  12. 지지층에, 탄소 재료로 이루어지는 얼라이먼트 마크를 형성하는 공정 (2) 및
    복수의 광 반도체 소자가 정렬 배치되어 이루어지는 소자 집합체를 가고정하는 소자 집합체 고정층을, 상기 지지층에 마련하는 공정 (3)을 포함하며,
    상기 지지층의 25℃에 있어서의 인장 탄성률 E는 80 MPa 이하인 것을 특징으로 하는 소자 집합체 가고정 시트의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 탄소 재료는 카본 블랙으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 소자 집합체 가고정 시트의 제조 방법.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 공정 (2)에서, 상기 얼라이먼트 마크를 감열 전사 및 잉크젯 인쇄로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1개의 방법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 소자 집합체 가고정 시트의 제조 방법.
  15. 소자 집합체 가고정 시트의 제조 방법으로서,
    복수의 광 반도체 소자가 정렬 배치되어 이루어지는 소자 집합체를 가고정하기 위한 소자 집합체 고정층을 지지층에 마련하는 공정 (3) 및
    상기 소자 집합체 고정층 및 상기 지지층을 관통하는 관통 구멍을 얼라이먼트 마크로서 마련하는 공정 (4)을 포함하며,
    상기 지지층의 25℃에 있어서의 인장 탄성률 E는 80 MPa 이하인 것을 특징으로 하는 소자 집합체 가고정 시트의 제조 방법.
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