KR20080064904A - Ｌｅｄ 패키징 방법 및 패키징된 ｌｅｄ - Google Patents

Ｌｅｄ 패키징 방법 및 패키징된 ｌｅｄ Download PDF

Info

Publication number
KR20080064904A
KR20080064904A KR1020087013930A KR20087013930A KR20080064904A KR 20080064904 A KR20080064904 A KR 20080064904A KR 1020087013930 A KR1020087013930 A KR 1020087013930A KR 20087013930 A KR20087013930 A KR 20087013930A KR 20080064904 A KR20080064904 A KR 20080064904A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrical
receptacle
die
forming
led
Prior art date
Application number
KR1020087013930A
Other languages
English (en)
Inventor
발루 예가나단
존 알버트 몬타나
Original Assignee
레드니엄 테크놀로지 피티와이 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from AUPS2979A external-priority patent/AUPS297902A0/en
Priority claimed from AU2002950814A external-priority patent/AU2002950814A0/en
Priority claimed from AU2003901114A external-priority patent/AU2003901114A0/en
Application filed by 레드니엄 테크놀로지 피티와이 리미티드 filed Critical 레드니엄 테크놀로지 피티와이 리미티드
Publication of KR20080064904A publication Critical patent/KR20080064904A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2107/00—Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements
    • F21Y2107/20—Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements on convex supports or substrates, e.g. on the outer surface of spheres
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S362/00—Illumination
    • Y10S362/80—Light emitting diode
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/956—Making multiple wavelength emissive device

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)

Abstract

본 발명에 따르면, 실질적으로 평평한 베이스와 실질적으로 평평한 주변 영역을 갖는 전기적 열적 도전성 리셉터클을 형성하는 단계; 상기 주변 영역 상에 전기적 절연체를 형성하는 단계; 상기 전기적 절연체 상에 전기 도전성 재료를 형성하는 단계; 상기 리셉터클 내의 베이스에 직접 반도체 다이를 장착하는 단계; 및 패키징된 LED를 제공하기 위하여 상기 전기 도전성 재료와 상기 다이의 하나 이상의 전기 접촉부 사이에 하나 이상의 전기 연결을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 다이는 적어도 하나의 발광 다이오드(LED)를 형성하는 LED 패키징 방법이 제공된다.
Figure 112008041298859-PAT00001
발광정션(LED), 리셉터클, LED 램프

Description

ＬＥＤ 패키징 방법 및 패키징된 ＬＥＤ{AN LED PACKAGING METHOD AND A PACKAGED LED}
본 발명은 LED 패키징 방법 및 패키징된 LED에 관한 것이다.
본 발명은 국제특허출원 제WO 02/103794호의 요지에 대한 개량발명이며, 상기 문헌의 전체 개시내용 및 요지는 본 명세서에서 참조문헌으로 합체된다.
발광 다이오드들(LED)의 사용을 포함하는 조명기기들은 많고 다양하다. 종래에는, 작은 별개의 표시기로서, 예를 들어, 발전소용 제어 패널 상에 상황을 나타내기 위한 하나의 LED를 사용하는 것이 보통이었다.
하나의 LED에 의해 제공될 수 있는 것보다 더 큰 광출력을 제공하기 위해 2차원 어레이로 배열된 많은 LED들을 제공하는 것이 또한 공지되었다. 그러나, 이러한 모든 배열들이 가정용 또는 산업용 조명 품질을 제공하는데 적합한 것은 아니다.
본 발명의 목적은 종래기술보다 향상되거나 적어도 유용한 대안을 제공하는 LED 패키징 방법 및 패키징된 LED를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명에 따르면,
실질적으로 평평한 베이스와 실질적으로 평평한 주변 영역을 갖는 전기적 열적 도전성 리셉터클을 형성하는 단계;
상기 주변 영역 상에 전기적 절연체를 형성하는 단계;
상기 전기적 절연체 상에 전기 도전성 재료를 형성하는 단계;
상기 리셉터클 내의 베이스에 직접 반도체 다이를 장착하는 단계; 및
패키징된 LED를 제공하기 위하여 상기 전기 도전성 재료와 상기 다이의 하나 이상의 전기 접촉부 사이에 하나 이상의 전기 연결을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 다이는 적어도 하나의 발광 다이오드(LED)를 형성하는 LED 패키징 방법이 제공된다.
본 발명은 또한 만곡된 전기 도전성 지지 구조; 3차원 어레이를 형성하도록 상기 지지 구조상에 장착된 복수의 리셉터클들; 및 상기 각각의 리셉터클에 배치되고 상기 지지 구조에 전기 연결되는 복수의 발광정션들을 구비하는 램프를 제공한다.
바람직하기로, 상기 방법은 사전형성된 금속, 또는 다른 재료, 전기 도전컵 들 또는 다른 리셉터클들의 1차원 또는 2차원 어레이에 부착된 LED들을 제공한다.
바람직하기로, LED들이 부착된 선형 어레이의 리셉터클들은 연이어 분할(singularise)된다.
바람직하기로, 분할된 리셉터클들은 각각의 리셉터클 내에서 전기 극성에 대하여, LED의 올바른 방향과 3차원 어레이 내에서 각 리셉터클의 방향을 고려하도록 배열이 비대칭적이다.
바람직하기로, 리셉터클들의 프로파일은 각각의 LED로부터의 광이 특정 패턴을 생성하도록 설계되어, 리드 프레임 상에 패키징된 LED들의 3차원 어레이로부터 조합된 광 패턴이 대량 생산에서 예측될 수 있고 반복될 수 있다.
각각 하나의 LED가 고정된 어레이에서의 리셉터클들은, 바람직하게는 어레이로부터 분할되고, 테이프 및 릴(reel), 또는 다른 통상적으로 사용되는 패키징 시스템상에 실장된다. 이러한 패키징은, LED들의 모듈식 장착이 바람직한 경우, 리드 프레임상의 3차원 어레이와는 다른 적용 범위를 제공한다.
또 다른 태양에서, 상술한 방법에 따라 형성된 패키징된 LED가 제공된다.
본 발명은 또한,
실질적으로 평평한 베이스 및 실질적으로 평평한 주변 영역을 갖는 전기적 열적 도전성 리셉터클;
상기 주변 영역 상에 장착된 전기 절연체;
상기 전기 절연체 상에 장착된 전기 도전성 재료;
상기 리셉터클 내의 베이스에 직접 장착된 반도체 다이; 및
상기 전기 도전성 재료와 상기 다이의 하나 이상의 전기 접촉부 사이의 하나 이상의 전기 연결을 포함하고,
상기 다이는 적어도 하나의 발광 다이오드를 형성하는 것을 특징으로 하는 패키징된 LED를 제공한다.
바람직하게, 각 리셉터클은 거기에 장착된 LED로부터 출력된 광을 안내하도록 배치된 측벽을 가지며, 상기 리셉터클은 또한 상기 리셉터클에 열적으로 결합된 LED로부터 발생한 열을 발산시키는 역할을 한다.
본 명세서 내에 포함되어 있음.
동일한 참조번호는 도면에서 동일하거나 유사한 특징들을 나타내는데 사용된다.
도 3a 및 도 3b는 만곡된 도체들(10, 11 및 12)을 갖는 리드 프레임(110)상에 장착된 복수의 발광 정션들(LED들)(4)을 갖는 램프를 도시한다. 정션들 또는 LED들(4)은 상기 리드 프레임(110) 상에 장착된 각각의 리셉터클(receptacles)(2) 내에 위치되고, 다음으로 램프가 켜질 때 각각의 정션(4)을 통하여 전기회로가 완성될 수 있도록 상기 정션(4)과 만곡된 도체들(10, 11, 12 및 13(전선)) 사이에 전기 연결이 형성된다. 도체들(10, 11 및 12)은 3차원적으로 만곡되(예를 들어, 구형으로) 만곡되지만, 전선(supply conductor)은 2차원적으로 (예를 들어, 평면이지만 만곡되게) 만곡된다.
리셉터클들(2)은 리드 프레임(110)에 각각 형성되고, 정션들(4)은 상기 리셉터클들(2)이 상기 리드 프레임(110)에 장착되기 전에 상기 리셉터클들에 장착된다. 리셉터클들(2)은 바람직하게는 스트립(strip) 또는 시트 재료로부터 통채(bulk)로 형성되고, 그런 후 정션들(4)이 리셉터클들(2)에 장착되기 전이나 장착된 후에 상기 재료로부터 분리된다.
도 1a, 도 1b 및 도 1c에 도시된 바와 같이, (바람직하게는 일반적으로 오목한 컵으로 형성된) 리셉터클들(2)의 선형 어레이(1)는 바람직하기로 프레스(pressing) 또는 스탬핑(stamping)과 같은 종래 수단에 의해 얇은 시트 금속, 구리 등으로 형성된다. 리셉터클의 다른 형태들도 적합할 수 있으나 이러한 모든 리셉터클들은 본 명세서에서 간단히 하기 위해 컵으로 언급된다. 내부에 배치되거나 부착된 정션(4)을 갖는 컵(2)을 편의상 본 명세서에서는 컵 조립물(3)이라고 한다. 선형(일차원) 어레이 대신에, 컵은 2차원 시트 어레이로 형성될 수 있다.
바람직한 컵의 한가지 이점적인 태양은 컵 모양이며, 상기 모양은 각 컵이 장착된 정션으로부터 광출력 방향을 제어하기 위한 광가이드로서 기능하게 한다. 각 컵(2)은 바람직하기로 도 1a에 도시된 바와 같이 평면도에서 보면 일반적으로 원형이지만, 타원형 또는 직사각형 형태들과 같이 다른 형태들도 적절하게 기능할 수 있다. 바람직한 컵 형태는 반경 r인 원형의 내부 밑변을 가지며, 일반적으로 원추형(frustoconical shape)의 컵 벽은 상기 내부 밑변으로부터 외부 반경이 R인 컵의 가장자리를 향해 (도 1b에 도시된 바와 같이 수평면에 대해) 각도 X로 발산한다. 컵의 가장자리로부터 컵의 내부 원형 밑변까지의 수직 깊이는 도 1b에서 참조 부호(T)로 도시된다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 컵 조립물들(3)은 리드 프레임에 장착되어 있어 컵 조립물들의 방향이 (컵(2)이 장착되어 있는 영역에서 부분적으로 구형인 리드 프레임(80)을 토대로) 서로에 대해 달라진다. 이 각도 변위는 도 2에서 참조부호 Z로 표시된다.
컵(2)의 모양, 반경 R 및 r의 치수, 측면(변위) 각도 Z 및 깊이 T는 바람직하기로는 컵으로부터 방출되는 광 패턴에 대한 이들 각각의 영향에 의해 결정된다. 램프로부터 나오는 광도(luminous intensity)는 전체 입사각도, (도 2a에 도시된) 램프로부터 빔의 각도 Y의 2배 내에서 선형성(linearity)을 위해 최적이게 하는 것이 바람직하다. 빔에 의해 대응되는 입체각(solid angle) 2Y는 통상적으로 '반치각'이라고 한다. 반치각이라고 하는 것은 '광도가 빔 최대값의 50%를 초과하는 각도'로서 정의된다. 이는 램프의 광성능에 있어 중요한 요인인데, 왜냐하면 이러한 성질의 램프에 의해 제공된 조명의 효과에 영향을 끼치기 때문이다.
리드 프레임의 곡률 반경 C와 함께, 이들 요인들 R, r, T와 각도 X 및 상기 리드 프레임의 부분적인 구형부내에 있는 각 컵의 변위 각도 Z의 영향은 각도 Y 값과 이에 따라 조립된 램프의 출력 조명패턴의 성질을 결정하는 파라미터를 구성한다.
이들 요인들은 각각의 램프 디자인에 있어 변수들이며 여러가지 램프들이 바람직한 반치각에 대해 이들 변수들, 램프에 설치되는 컵의 수, 및 컵들의 상대적 위치를 최적화함으로써 설계될 수 있다. 또 다른 램프 디자인의 예로, 도 15 및 도 17을 참조하라.
형성 후, 컵의 어레이는 바람직하게는 선택적으로, 은, 은 합금 또는 유사한 재료로 도금된다. 도금은 큰 반사면을 제공함으로써 각 컵의 광학적 성능을 강화시키기 위한 것이며, 또한 리드 프레임에서 (도 2a에 도시된) 구멍들(6)에 컵들(2)을 유지시키기 위해 사용되는 부착 공정(예를 들어, 솔더링 또는 은 접착제 도포)를 단순화시킬 수 있다.
컵의 선형 어레이의 형성 및 도금에 뒤이어, 발광 정션(다이)(4)이 각 컵의 기저 내부면에 부착되어 컵 어셈블리(3)를 형성한다. (명세서 전체를 통해, "다이(die)"라는 지칭은 "정션(junction)" 또는 "LED"와 상호교환가능하게 사용된다.) 선형 어레이와 일치하게 각각의 다이를 정렬하기 위해 충분한 주의가 요구된다. 컵은 바람직하게는, 종래 수단에 의해, 어레이로부터 분리(singluarise)되고, 극성은 컵(2)의 일측면상에 마크(7)를 노칭(notching)하거나 스탬핑(또는 어떤 다른 방법)함으로써 표시된다. 바람직한 일 형태로, 마크(7)는 컵의 한 외부 에지를 자르거나 평평히하는 것이다. 컵 상에 마크(7)의 형성은 컵이 형성된 후에 그리고 도금하기 전에 바로 수행될 수 있어 극성에 대하여 일치하게 정션들을 정렬시키는데 일조할 수 있다.
도 2a에 도시된 볼록한 돔 형태에 대한 리드 프레임의 다른 형태로는, 도 2b에 도시된 바와 같은 오목한 리드 프레임의 형태가 형성될 수 있다. 구조를 지지하는 리드 프레임의 곡률 방향에서의 차이와는 별도로, 도 2b에 도시된 오목 램프는 도 2a 및 도면에 도시되고 본 명세서에서 설명된 다른 볼록 램프들과 동일한 방식 으로 형성될 수 있다. 특히, 도 6과 관련하여 도면에 도시되고 설명된 바와 같은 램프 제조 공정은 오목한 리드 프레임 배열들에 적용될 수 있다. 예를 들어, 단계 640에서 리드 프레임의 중심부에 돔을 형성하는 대신에, 사발(역전된 돔)이 형성될 수 있다. 이러한 리드 프레임의 오목한 형태는 정션으로부터 방출된 더 많은 광 집속을 수반하고 따라서 그러한 형태는 균일성보다는 오히려 더 많이 집속된 광 분포를 필요로 하는 응용에 더 적합할 수 있다. 따라서, 이 램프는 리드 프레임의 중심 만곡부의 곡률 반경 C와 대략 동일한 초점길이를 가질 수 있다. 이 경우 초점의 효과는 곡률 반경 C의 크기에 의해 부분적으로 결정되고, 반경 R, r 및 T 값에 의해 영향을 받게 된다.
램프는 도 3a에 도시된 바와 같이, 리드 프레임(110)의 만곡된 리드 프레임 도체들(10, 11, 12)에 있는 구멍들(6)에 다이들을 구비한 분리된 컵들을 삽입함으로써 형성된다. 중간 연결 도체(14, 15, 16) 쌍들은 제 1 극성 다이들의 활성부와 도체(10, 11, 12)들 사이를 와이어 본딩함으로써 부착된다. 또한, 중간 연결 도체(17, 18, 19) 쌍들이 제 2 극성 다이들의 활성부에 그리고 공통 전선(13) 및 도체들(11, 12)에 각각 와이어 본딩에 의해 부착된다. 이 구성은 도체들(10, 11, 12) 상에 장착된 발광 정션의 그룹들을 통하여 흐르는 전류를 제어할 수 있게 하고 따라서 방출된 광의 강도를 제어할 수 있게 한다.
공통 전선(13)과는 별도로, 단지 3개의 만곡된 리드 프레임 도체들(10, 11, 12)이 도 3a에 도시되어 있다. 각각 다수의 컵 조립물들을 지지하는 더 많은 수의 만곡된 리드 프레임 도체들이 사용될 수 있다는 것이 특별히 예상된다. 예를 들어, 도 15는 3개의 개별 도체들(113, 114, 115) 상에 분포된 각각의 컵 조립물들 내부에 18개의 정션들을 지지하는 리드 프레임을 도시하고 있는 반면, 이 배열은 각각에 6개의 컵 조립물들을 지지하는 5개의 개개의 도체들을 제공하도록 변형될 수 있다. 도시되지는 않았으나, 더 많은 컵 조립물들, 예를 들어, 50 내지 100개 정도가 지지될 수 있는 또 다른 형태가 고려된다.
도 3a에 도시된 중간 연결 도체들(17, 18, 19)은 쌍으로 되어 있는 것으로 기술하였으나, 대신에 예를 들어, 작은 저전류 정션들이 컵 조립물들(3)에 사용되는 경우 단일의 중간 연결 도체들을 사용하는 것이 적절할 수 있다.
도 3a 및 도 3b에 도시된 배열은 더 작은 정션들보다 더 큰 전류를 인출하는 큰 정션용으로 특히 적합하며, 따라서 중간 연결 도체 쌍들이 다이의 활성영역들에 전류의 균일한 수집 및 공급을 하게 하는데 바람직하다. 도체 쌍들은 또한 다이의 전후로 단지 하나의 중간 연결 와이어만을 가지는 것과 관련하여 발생할 수 있는 손실을 감소키는 역할을 하는 제 2 전류 경로를 제공한다.
도 3a 및 도 3b에 도시된 것에 대한 대안으로, 중간 연결 도체(14, 15, 16) 쌍들은 만곡된 도체들(10,11,12) 대신에 컵에 연결될 수 있다. 이러한 대안 배열에서, 각각의 컵은 솔더(solder) 또는 은 접착제와 같은 도전성 재료를 사용한 장착을 통하여 만곡된 도체들(10,11,12)과 전기 연결된다. 이러한 대안 배열은 만곡된 도체들(10, 11, 12)의 구멍들(6)에 컵을 장착하기 전에 중간 연결 도체(14, 15, 16) 쌍들이 컵(2) 내벽에 부착되게 한다. 다른 면에서, 이 배열은 도 3a 및 도 3b에 대하여 도시되고 상술된 배열 유사하다.
다른 대안 배열(도 4a 및 도 4b에 대하여 하기에 더 설명됨)에서는, 중간 연결 도체들(14, 15, 16)이 컵의 내벽에 연결되는 대신에, 도체(26, 27) 쌍들이 다이(4)의 음극과 양극 및 도전 영역(22 및 23) 사이에 각각 연결된다. 그런 후, 또 다른 중간 연결 도체들이 만곡된 도체들(10, 11, 12)과 도전 영역(22 및 23) 사이를 연결하는데 사용된다.
다른 배열(도 17에 도시됨)에서, 개개의 발광 정션을 통하여 흐르는 전류는 중간 연결 도체들을 적절히 배열함으로써 모두가 독립적으로 제어될 수 있다. 도 17은 별개로 그리고 독립적으로 제어될 수 있는 8개의 LED의 가능한 배열을 도시한 것이다. 이 배열에서, 리드 프레임의 중심 만곡(구면)부는 각각의 도체들로 분할되지 않고, 대신에 리드 프레임에 장착된 모든 LED에 대한 공통 도체(114)이다. 이러한 공통 도체(114)를 음극(또는 음극 단자)으로 만드는 것이 일치를 위해 편리하다. 각 다이로 전류의 흐름이 제어될 수 있는 각 다이에 하나씩 도시된 8개의 양극들(132)이 있다. 양극들(132)은 램프 리드 프레임의 중심부 주위로 스포크(spoke) 형태로 배열된다. AlGaInP 다이(적색 및 황색)는 (컵에 전기적 물리적으로 연결된) 다이의 하부에 음극을 가지고 있기 때문에 음극을 공통으로 하는 것이 편리하므로, 도체 상에 장착될 때 이들 다이에 대해 음극이 되어야만 하며, InGaN 다이(녹색 및 청색)는 절연된 하부를 가지고 있으므로 극성을 연결 기준으로 하는 것이 편리하다. 이는 3개의 LED 그룹을 갖는 리드 프레임에 대하여 극성이 반대이다. 칩들(음)의 하부는 배치된 도전성 컵을 통하여 리드 프레임의 3개의 만곡부들 중 각각 하나에 전기 연결될 수 있기 때문에 이들에 대해서는 양극이 공통이다.
LED에 의해 방출된 광은 가시 스펙트럼에서 특정한 색으로 인식되는 좁은 주파수 대역 또는 파장 대역이다. 적색, 황색, 녹색 및 청색광을 갖는 LED가 일반적이다. 다른 색깔의 LED들이 도 17에 도시된 LED와 같은 클러스터에 배열되면, 어레이에 있는 구성 LED 중 어느 것의 특성 색깔에 대하여 다른 색깔로 인식되는 광을 LED로부터 생성할 수 있게 된다. 각 LED의 여기 전류를 제어함으로써, 광출력 레벨이 제어될 수 있고, 이는 LED로부터 나온 광이 가변 비율로 조합되게 함으로써 다른 색깔들을 만들수 있게 한다.
예를 들어, 적색, 녹색 및 청색광은 적절한 비율로 조합되어 전체적으로 백색광이 나타나게 할 수 있다. 유사하게, 램프는 동일한 파장을 갖는 이들 LED 만을 통해 전류를 흐르게 함으로써 단색광을 방출하도록, 그리고 제 1 파장의 이들 LED에 대한 여기를 감소시키고 동시에 제 2 파장의 LED 그룹에 대한 여기를 증가시킴으로써 색을 변경하도록 배열될 수 있다. 적절한 제어 시스템이 램프에 설치된 LED 다이들의 특성에 의해 표현되는 가능성 내에서 색과 세기의 임의의 조합을 생성하도록 설계될 수 있다.
에폭시 수지와 같이, 선택된 광학적으로 적절한 재료에 램프를 패키징함으로써 조합공정을, 또는 다르게는, LED 다이에 의해 방출된 광을 더 높일 수 있다. 예를 들어, 낮은 광 흡수, 최소의 후방산란 및 우수한 분산성을 가지는 에폭시나 다른 캡슐 재료가 선택되면, 램프로부터 거의 균일한 단색 방출을 달성할 수 있고 가시 스펙트럼에 걸쳐서 광범위하게 색을 변경할 수 있다. 이는 LED들 중 일부가 램프의 구면부의 말단 부근에 장착될 수 있고 전반적으로 발산하는 광 빔을 가질 수 있지만 달성될 수 있다. 또 다른 배열에서, 단색으로의 광 조합이 덜 중요한 경우, 기능을 위하여 광학적으로 투명한 저흡수 재료의 패키지가 선택될 수 있다.
전자기기 업계는 LED 어레이와 디스플레이를 제어하는 많은 방법을 고안하였다. 이들 방법들은 대개 제어되는 전류가 20-50 밀리암페어(㎃) 정도인 LED당 100 밀리와트 정도의 저전력 LED에 적합하다.
1평방 밀리미터의 면적(다이 크기 1㎜×1㎜)을 갖는 LED 다이들은 여기 전류가 350-500 밀리암페어까지 되는 것을 필요로 한다. 업계에서의 개발들은 2.5평방 밀리미터의 LED 다이 및 더 큰 다이를 생산할 것으로 예상되며, 상기 LED는 1000밀리암페어를 초과하는 여기 전류가 필요할 것이다. 일반적으로, LED 제어기는 LED 당 약 100 밀리와트의 현재 범위와 비교하면 50배나 증가한 LED 당 5와트의 전력 조종 능력을 가지도록 요구될 것이다.
본 발명은 1와트의 전력을 각각 소비하는 1.26㎜×1.26㎜까지의 LED 다이 크기를 포함하나 이에 제한되지 않는다. 이러한 램프를 구동하는 제어회로는 많은 이러한 LED들을 제어할 수 있어야 한다. 예를 들어, 18개의 LED들이 램프에 장착되면, 제어회로는 18와트 정도의 출력을 구동할 수 있어야 할 것이다.
도 4a 및 도 4b에 도시된 다른 바람직한 배열에서, 대안 컵들(32)에는 컵 플랜지(21)의 상부면상에 전기 절연층(20)이 제공되고, 전기 도전성 재료 영역(22 및 23)이 상기 절연층 상에 중첩된다. 이는 다이(24 및 25)의 활성영역이 본딩 와이어(26 및 27)에 의해 도전 영역(22 및 23)에 연결되게 한다. 이들 연결은 다이를 컵에 부착시키는 공정 동안 이루어질 수 있다. 이는 본딩 장비가 3차원 어레이의 구조를 수용하는 것이 필요한 상술한 와이어 본딩 공정에 상당한 단순화를 제공한다. 컵들이 선형 어레이로 있을 때 본딩 와이어들이 컵들에 부착되면, 단순한 종래 실시들이 도 3a에 도시된 중간 연결들(14 및 17)과 등가물을 만들도록 사용될 수 있다. 이 배열은 또한 다른 많은 응용에서 패키지된 발광 정션을 사용하게 한다. 공통으로 사용된 "픽 앤드 플레이스(pick and place)" 장치는 컵을 자동적으로 설치하고 연결을 하는데 사용될 수 있다.
도전성 영역들(22 및 23)은 바람직하게는 각 컵의 테두리(rim)에 도포되는 절연층 위에 얇은 층으로 형성된다. 절연재료는 컵의 표면에 양호한 접착을 갖고 얇은 층 형태로 양호한 전기절연을 제공하는 에폭시 또는 소정의 다른 화합물일 수 있다. 도전성 영역들은 금속 증착 또는 다른 적절한 공정에 의해 형성될 수 있다. 이러한 공정은 인쇄 회로들, 특히, 종종 알루미늄으로 된 금속성 기판상에 제조되는 금속 코어 인쇄 회로들을 생산하는데 사용된다.
컵 조립물(3) 또는 패키지(즉, 내부에 장착된 정션을 갖는 컵)는 다른 표면 장착 패키지에 사용될 수 있는 발광 정션들에 대하여 상당히 나은 이점을 갖는다. 종래 패키지로부터 열등한 열발산(heat dissipation)에 의해 부여된 제한이 대부분 극복된다. 컵 패키지는 '금속 코어 인쇄 회로 기판(Metal Cored Printed Circuit Board, MCPCB)'에서 제조된 수용부에 직접적으로 용이하게 설치될 수 있으며, 따라서 램프 조명에서와는 다른 응용을 갖는다. 따라서, 열원(다이)으로부터 컵 재료를 통하여 그리고 MCPCB의 큰 발산 코어에 직접적으로 가는, 거의 이상적인 열경로가 생성될 수 있다.
다이의 크기의 제한과 다이가 소비할 수 있는 전력의 실제 한계는 이들 장치로부터 현재 사용가능한 광의 양을 제어한다. 다이에서의 열 손실을 효과적으로 그리고 편리하게 발산시키는 방법을 제공함으로써, 성공적으로 사용될 수 있는 다이의 크기에 대한 실질적인 제한이 효과적으로 제거된다. 따라서, 수 와트의 전력을 소비할 수 있고 입력 전력에 다소 비례하는 광을 산출하는 다이를 수용하도록 설계된 컵들이 간단하고 저렴하게 생산될 수 있다.
본 발명의 실시예에 사용될 수 있는 큰 LED 다이의 예들이 아래 표 1에 열거되어 있다. 더 작은 LED 다이에 대해, 많은 변형들이 시장에 있고 적절한 다이들은 당업자에게 인식될 것이다.
색깔 파장 순방향 전압 부품 번호 제조사
청색 470㎚ 3.6-4.0V LE470-P2-G AXT
녹색 525㎚ 3.6-4.0V LE525-P2-G AXT
황색 590㎚ 2.0-2.4V ES-CAYL529 Epister
적색 625㎚ 2.0-2.4V ES-CAHR529 Epister
도 6을 참조하면, 램프가 생산될 수 있는 공정 흐름도가 도시된다. 바람직한 램프 제조 공정은 컵을 각각 형성하는 단계, 상기 컵상에 장착된 정션을 구비하는 단계, 및 리드 프레임이 소정 지점(즉, 이전 단계 640)에 제조된 후에 상기 리드 프레임상에 컵 조립물을 장착하는 단계를 포함한다. 컵이 리드 프레임 상에 부착되고나서, 컵들은 단계 665에서 램프를 형성하도록 함께 가공된다.
단계 605에서, 컵들이, 예를 들어 프레스기에 의해, 구리판 또는 변형가능한 도전성 재료의 다른 적절한 시트나 스트립으로부터 형성되고, 각각의 컵은 도 1a 내지 도 1c에 도시된 리셉터클을 형성하도록 판이나 시트로부터 프레스된다. 단계 605는 각 컵 상에 마크(7)를 형성하는 단계를 포함한다. 컵들이 프레스된 재료로부터 분할된 후에, 상기 컵들은 단계 610에서 은, 알루미늄 또는 다른 도전성 재료로, 예를 들어, 배럴 도금(barrel plating) 또는 기상 증착(vapor deposition)에 의해 약 4 내지 8 마이크론의 도금 두께를 달성하도록 도금된다. 도금 후에, 다이들(도 6에서 칩으로 언급됨)이 단계 615에서 컵의 내부 밑변에, 바람직하게는 은 접착제에 의해 부착되어 정션이 상기 기저면으로부터 외측으로 향하게 된다. 일단 정션들이 단계 615에서 컵들에 부착된 후, 이에 따라 형성된 컵 조립물들이, 예를 들어 표면 장착기술에 사용되는 장치와 같은, 로봇 피크 앤 플레이스 장치로 이송될 수 있는 선형 스트립 또는 2차원 시트에 패키지될 수 있다.
컵 형성과는 독립적으로, 단계 620에서 리드 프레임의 기본 형태를 가공함으로써 리드 프레임 공정이 시작된다. 상기 가공은 에칭 또는 기계적 스탬핑에 의할 수 있고, 상기 리드 프레임은 약 400 마이크론 두께 정도의 구리 또는 구리합금 시트 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 상기 리드 프레임 재료의 두께는 바람직하게는 컵 조립물로부터 멀리 과도한 열에 대한 최적의 열전도를 위해 선택된다. 예를 들어, 더 큰 다이가 컵 조립물에 설치되면, 더 작은 다이가 사용되는 경우보다 더 큰 열이 발생될 것이다. 리드 프레임의 두께를 증가시키는 것은 이러한 열을 램프로부터 멀리 전달하도록 보조할 것이다. 단계 620에서 형성된 리드 프레임의 기본 형태는 구형으로 변형되고 개개의 도체들로 분리되기 전에 구리 시트 재료로 된 둘러싼 지지 프레임 내에 있는 도체들(10, 11, 12 및 13)을 포함한다. 단계 625에서, 각 리드 프레임의 (도체들(10, 11, 12 및 13)이 되는) 중심 도전부는 바람직하기로는 은 또는 알루미늄으로 약 4 내지 8 마이크론의 두께로 도금된다. 도금은 컵을 수용하고 컵과 전기 접촉될 리드 프레임의 적어도 중심부 위에 적용되나, 경제성 또는 편의성을 위해 리드 프레임의 전체 상부면 위에 적용될 수 있다. 도금이 완료된 후에, 단계 630에서, 구멍들이 리드 프레임의 중심부(도금부)에 천공된다. 이들 구멍들은 리드 프레임의 중심부가 구형으로 된 후에 컵을 수용하도록 도 2에 도시된 구멍들(6)을 형성할 것이다. 다음으로, 단계 635에서, 도체들(10, 11, 12)이 분할되어(도체 13은 바람직하게는 단계 620의 일부분으로서 이미 분할된다) 구멍들의 그룹을 리드 프레임의 중심부와 서로 분리시킨다. 분할은 바람직하게는 평평하고 정확한 커팅 도구를 사용하여 수행될 수 있으므로 어떠한 추가 공정도 분할 공정 동안 도체들 사이에서 발생되는 에지들을 마감할 필요가 없다.
분할은 리드 프레임의 중심 도체부에 있는 구멍들의 소정의 그룹화에 따라 수행된다. 따라서, 이 그룹화는 단계 630 동안 상기 중심 도체부에 형성된 구멍의 수에 따르게 된다. 바람직한 배열에서, 9개의 구멍들이 단계 630에서 형성된다. 다른 배열에서는, 예를 들어 도 15에 도시된 것과 같이, 다른 개수의 구멍들이 정션들을 갖는 컵들을 수용하기 위해 리드 프레임에 형성될 수 있다. 도 15에 도시된 다른 배열은 리드 프레임(110)의 중심부에 형성된 18개의 구멍(120)을 가지며, 이들 구멍들은 도체(113, 114, 및 115) 상에 6개씩 3개의 분리된 그룹들로 그룹화된다. 분할 단계(635)는 또한 연이은 돔 형성 단계(640) 동안 리드 프레임의 재료 변형을 고려해야만 한다. 예를 들어, 도체(110)에 형성된 구멍들은 구형 돔 형성 동안 도금된 리드 프레임 재료의 변형에 따라 약간 변형되는 (약간 타원형으로 신장되는) 경향이 있다. 따라서, 구멍 형성단계와 분할 단계(630 및 635)는, 예를 들어 평평한 타원형으로 도체(11) 상에 구멍들을 형성함으로써, 돔 형성 동안 재료의 변형을 보상하도록 수행될 수 있어 구멍들이 돔 형성 단계 동안 보다 더 원형으로 펴진다.
돔 형성 단계 640는 대체로 리드 프레임의 중심부에 부분적으로 구형을 제공하도록 몇몇 종류의 프레스기로 수행되는 것이 바람직하다.
단계 645에서, 단계 605 내지 615를 통해 형성된 컵 조립물들(3)은 돔 형성단계 640에 이어 리드 프레임에 부착된다. 이 부착은 바람직하게는 일단 컵 조립물이, 예를 들어, 정밀 로봇 장치에 의해 구멍(6)에 위치된 후에, 솔더링, 용접 또는 도전성 접착제를 사용하여 수행될 수 있다. 컵 조립물들이 구멍에 위치되고 고정된 후에, 와이어 본딩이 단계 650에서 수행되어 상술한 바와 같이, 컵에 있는 정션들이 도체들(10,11,12)에 전기 연결된다. 이러한 와이어 본딩에 대해, 공지된 열/초음파 용접기술을 사용하여, 25 내지 50 마이크론 정도의 직경을 갖는 금 와이어가 바람직하게 사용된다. 다른 와이어 재료 및 와이어 직경을 사용하는 다른 형태의 본딩 기술들이 업계에서 통상적이며 대안으로 사용될 수 있다.
와이어 본딩 후에, 단계 655에서 개개의 정션 상부 위로 형광이 선택적으로 도포된다. 이는 형광 분말을 에폭시에 고르게 혼합하고 각 정션의 상단 발광면에 상기 에폭시를 적하(滴下)식으로 분배함으로써 수행된다. 단계 660에서, 광학적으로 투명한 에폭시 수지 또는 열가소성 수지가 리드 프레임의 중심부에 도포되어 리드 프레임의 중심부를 둘러싼다. 어떠한 형광도 단계 655에서 개개의 정션들 위에 도포되지 않았다면, 형광분말이 단계 660에서 상기 리드 프레임의 중심부를 둘러싸는 에폭시와 함께 혼합될 수 있다. 에폭시 또는 열가소성 수지를 도포하기 위해, 리드 프레임은 상보적인 부분적인 구형의 성형(mould)으로 뒤집혀 놓여진다. 일단 에폭시 수지 또는 열가소성 수지가 경화되거나 다르게는 설정된 후에, 리드 프레임은 단계 665에서 가공되어, 에폭시 도포 전에 적소에 리드 프레임을 가졌던 이러한 리드 프레임 부분들이 없는 도체들(10, 11, 12 및 13)을 천공하는 것을 포함하여 리드 프레임들을 서로 분리한다. 또한 이 단계에서는, 도체(10, 11, 12)를 연결시키는 (도면으로부터 명백한) 웹이, 예를 들어 천공함으로써, 제거되어 이에 따라 도체들을 서로 전기적으로 분리시킨다.
도 7 내지 14는 상술한 공정 단계들을 예시하고, 아래 표 2와 관련하여, 램프 제조 공정들을 설명하는 역할을 한다. 아래 표 2는 상술한 공정 단계들 중 일부 및 바람직한 방법들 및 이 단계들을 위한 재료들을 요약한 것이다.
항목 공정 방법 재료(일반) 재료(예)
리드 프레임 기본형태 가공 a)에칭 또는 b)기계적 스탬핑 구리 스트립 구리 합금A194HH 공칭 두께 15밀 (381마이크론)
도금 a)배럴도금 b)정밀도금 c)증기증착 은 또는 알루미늄 4 내지 8 마이크론
컵 구멍 형성 프레스기 ---
분할 프레스기 ---
돔형성 프레스기 ---
컵 기본형태 가공 프레스기 ---
도금 배럴도금 정밀도금 증기증착 은 또는 알루미늄 4 내지 8 마이크론
컵 부착 솔더링 또는 도전성 접착 납/주석 합금, 또는 페이스트 은 접착제 70/30 납/주석 CMI 121-03
칩 삽입 접착제 도포 디스펜서 은 접착제 CMI 121-03
칩 배치 로봇 LED 칩 InGaN, AllInGaP
열처리 오븐공정 ---
와이어 본딩 선택적 전기 연결 열/초음파 용접 금 와이어 직경 25-50 마이크론
형광도포 디스펜서 형광분말 Hung Ta 80911 465~470nM 또는 11001 471~474nM
광학적으로 투명한 에폭시 Epifine T-6000 A2 & T-6000B
패키징 성형된 에폭시 또는 성형, 오븐공정 광학적으로 투명한 에폭시 수지 및 촉매 Epifine T-6000 A2 & T-6000B
압축성형 성형기계장치 광학적으로 투명한 열가소성수지 Degussa Plexiglas df218N
마감 싱귤레이션 프레스기
도 15는 중심부에 배치된 많은 구멍들(120)을 갖는 다른 형태의 리드 프레임(110)을 도시한 것이다. 도체들(113, 114 및 115) 각각은 6개의 컵 조립물들을 지지하고, 램프가 작동될 때 전반적으로 정션들로부터 광의 고른 분배를 제공하도록 배열된다. 도체들(113, 114 및 115) 상에 정밀한 배열 및 구멍들의 그룹 위치는 소정의 광출력 패턴을 달성하기 위해 필요에 따라 변할 수 있다. 구멍들(120)의 수와 위치도 또한, 실질적인 제조 요건에 따라 변할 수 있다.
도 16은, 일반적으로 도 6의 단계 645에 따른, 램프 제조 공정의 일부분을 예시한 것으로, 컵 조립물들이 리드 프레임(110)에 있는 구멍들(6 또는 120)에 위치된다. 리드 프레임들(110)은 차례로 캐리어(119)를 가로질러 처리되어 상기 컵 조립물들(3)이 수용부들(120)(구멍들(6))에 위치될 수 있다. 캐리어(119)는 리드 프레임의 부분적인 구표면 및 기준 마커들과 짝을 이루게 구성될 수 있다. 이러한 짝을 이루는 부분은 볼록 리드 프레임의 하부에서 오목으로 되는 융기된 볼록면이거나, 대안으로 오목 리드 프레임의 하부에서 볼록으로 되는 융기된 오목한 수용부일 수 있다. 따라서, 도 2a 및 도 2b에 의해 예시된 램프 프로파일과 같이 볼록 및 오목 램프 프로파일들은 캐리어상에 교번하는 프로파일들을 사용함으로써 구성될 수 있다. 캐리어(119)는 X축 주위로 회전축 이동을 위해 샤프트(121) 상에 그리고 Y축 주위로 회전축 이동을 위해 샤프트(122) 상에 회전할 수 있다. 이런 식으로, 리드 프레임(110)은 장착대(미도시)에 위치되고 상기 장착대에 대해 X축 또는 Y축 주위로 회전할 수 있어 수용부에 컵 조립물들(3)의 설치를 용이하게 한다. 대안으로, 적절한 로봇장치가 사용될 수 있으면, 캐리어(119)는 적소에 고정되고 로봇설치장치가 리드 프레임의 중심부의 부분적인 구형을 고려하여 컵 조립물(3)을 각각의 수용부에 설치할 수 있다. 이러한 경우에, 기준 마커들이 로봇장치에 의한 위치 조정을 위해 리드 프레임(110) 상의 외부 에지를 따라 제공된다.
본 명세서에서 상술한 실시예에 대한 소정의 변형들 또는 개량들이 본 발명의 기술사상 및 범위를 벗어남이 없이 당업자에게 인식될 것이다.
본 발명의 바람직한 실시예들이, 단지 비제한적인 예로서, 첨부 도면을 참조로 설명된다:
도 1a, 도 1b 및 도 1c는 앞서 '컵'으로 언급된 리셉터클들의 선형 어레이의 평면도, 횡단면도 및 사시도를 도시한 것이다;
도 2a는 컵 삽입을 도시한 볼록형태의 리드 프레임의 횡단면도이다;
도 2b는 컵 삽입을 도시한 오목형태의 리드 프레임의 횡단면도이다;
도 3a 및 도 3b는 컵들과 중간연결 도체들로 갖추어진 리드 프레임의 평면도 및 횡단면도이다;
도 4a 및 4b는 장착된 발광 정션을 갖는 컵 조립물의 예에 대한 평면도 및 횡단면도이다;
도 5는 램프의 전기 연결들 중 하나의 가능한 배치를 도시한 개략도이다;
도 6은 램프 제조 방법의 공정 흐름도이다;
도 7 내지 도 14는 도 6의 공정에서의 단계들을 도시한 것이다;
도 15는 (분할 이전의) 램프 리드 프레임의 대안 형태를 도시한 것이다;
도 16은 하나의 램프 제조 공정의 일부분을 도시한 것이다; 그리고
도 17은 램프의 다른 형태의 평면도이다.

Claims (31)

  1. 실질적으로 평평한 베이스와 실질적으로 평평한 주변 영역을 갖는 전기적 열적 도전성 리셉터클을 형성하는 단계;
    상기 주변 영역 상에 전기적 절연체를 형성하는 단계;
    상기 전기적 절연체 상에 전기 도전성 재료를 형성하는 단계;
    상기 리셉터클 내의 베이스에 직접 반도체 다이를 장착하는 단계; 및
    패키징된 LED를 제공하기 위하여 상기 전기 도전성 재료와 상기 다이의 하나 이상의 전기 접촉부 사이에 하나 이상의 전기 연결을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 다이는 적어도 하나의 발광 다이오드(LED)를 형성하는 LED 패키징 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전기 도전성 재료를 형성하는 단계는 상기 전기 절연체 상에 제1 및 제2 전기 접촉부를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 전기 연결을 형성하는 단계는 상기 제1 전기 접촉부와 광원의 제1 전기 접촉부 사이에 적어도 하나의 제1 연결을 형성하는 단계 및 상기 제2 전기 접촉부 및 광원의 제2 전기 접촉부 사이에 적어도 하나의 제2 전기 연결을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키징 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 광원 위에 인광 물질(phosphor)을 도포하는 단계를 포함하는 LED 패키징 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 인광 물질(phosphor)은 캡슐화 재료 내에 포함되는 것을 특징으로 하는 LED 패키징 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 캡슐화 재료 내에 상기 반도체 다이를 캡슐화하는 것을 특징으로 하는 LED 패키징 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 리셉터클을 형성하는 단계는 전기 도전성 재료로 적어도 상기 리셉터클의 내부 표면을 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키징 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 리셉터클을 형성하는 단계는 상기 패키징된 LED의 광 성능을 향상시키기 위하여 전기 도전성 및 고 반사성 재료로 적어도 상기 리셉터클의 내부 표면을 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키징 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 코팅 재료는 은, 알루미늄, 은 합금 또는 알루미늄 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키징 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 리셉터클은 구리 또는 구리 합금으로 형성된 것을 특징으로 하는 LED 패키징 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 다이는 접착제를 사용하여 상기 리셉터클의 베이스에 장착되는 것을 특징으로 하는 LED 패키징 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 접착제는 전기적 열적으로 도전성인 것을 특징으로 하는 LED 패키징 방법.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 리셉터클은 상기 전기 접촉부의 전기적 극성들이 결정될 수 있도록 상기 전기 절연체 상에 배치된 전기 접촉부들 사이를 구별하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키징 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 수단은 상기 리셉터클이 형성된 후에 상기 리셉터클 상에 형성된 마크(mark)를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키징 방법.
  14. 제 1 항에 따른 방법을 수행하는 것에 의하여 복수의 패키징된 LED들을 형성하는 단계; 및
    연속되는 공정에서 상기 복수의 패키징된 LED들을 선형 스트립 또는 2차원 시트(sheet)에 패키징하는 단계를 포함하는 LED 패키징 방법.
  15. 제 1 항에 따른 방법을 수행하는 것에 의해 복수의 표면 실장 패키징된 LED들을 형성하는 단계; 및
    상기 복수의 표면 실장 패키징된 LED들을 금속 코어 인쇄 회로 기판에 장착하는 단계를 포함하는 LED 패키징 방법.
  16. 제 1 항에 따른 방법을 수행하는 것에 의해 형성된 패키징된 LED.
  17. 제 1 항에 따른 방법을 수행하는 것에 의해 형성된 표면 실장 패키징된 LED.
  18. 실질적으로 평평한 베이스 및 실질적으로 평평한 주변 영역을 갖는 전기적 열적 도전성 리셉터클;
    상기 주변 영역 상에 장착된 전기 절연체;
    상기 전기 절연체 상에 장착된 전기 도전성 재료;
    상기 리셉터클 내의 베이스에 직접 장착된 반도체 다이; 및
    상기 전기 도전성 재료와 상기 다이의 하나 이상의 전기 접촉부 사이의 하나 이상의 전기 연결을 포함하고,
    상기 다이는 적어도 하나의 발광 다이오드를 형성하는 것을 특징으로 하는 패키징된 LED.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 전기 도전성 재료는 상기 전기 절연체 상에 장착된 제1 및 제2 전기 접촉부들을 제공하고, 상기 전기 연결은 상기 제1 전기 접촉부와 상기 다이의 제1 전기 접촉부 사이의 적어도 하나의 전기 연결 및 상기 제2 전기 접촉부와 상기 다이의 제2 전기 접촉부 사이의 적어도 하나의 제2 전기 연결을 포함하는 것을 특징으로 하는 패키징된 LED.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 다이 위에 배치되는 인광 물질(phosphor)을 포함하는 패키징된 LED.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 인광 물질(phosphor)은 상기 다이 위에 장착된 캡슐화 재료 내에 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 패키징된 LED.
  22. 제 18 항에 있어서,
    상기 다이는 캡슐화 재료 내에 캡슐화되는 것을 특징으로 하는 패키징된 LED.
  23. 제 18 항에 있어서,
    상기 리셉터클의 내부 표면은 전기 도전성 재료로 코팅되는 것을 특징으로 하는 패키징된 LED.
  24. 제 18 항에 있어서,
    상기 리셉터클의 내부 표면은 상기 패키징된 LED의 광 성능을 향상시키기 위하여 전기 도전성 및 고 반사성 재료로 코팅되는 것을 특징으로 하는 패키징된 LED.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 전기 도전성 및 고 반사성 재료는 은, 알루미늄, 은 합금 또는 알루미늄 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 패키징된 LED.
  26. 제 18 항에 있어서,
    상기 리셉터클은 구리 또는 구리 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 패키징된 LED.
  27. 제 18 항에 있어서,
    상기 다이는 접착제를 사용하여 상기 리셉터클의 베이스에 장착되는 것을 특징으로 하는 패키징된 LED.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 접착제는 전기적 열적으로 도전성인 것을 특징으로 하는 패키징된 LED.
  29. 제 18 항에 있어서,
    상기 리셉터클은 상기 전기 접촉부들의 전기적 극성이 결정될 수 있도록 상기 전기 절연체 상에 장착된 전기 접촉부들 사이를 구별하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 패키징된 LED.
  30. 제 18 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패키징된 LED는 표면 실징 패키징된 LED인 것을 특징으로 하는 패키징된 LED.
  31. 제 30 항에 따른 복수의 표면 실장 패키징된 LED들이 장착된 표면을 갖는 금속 코어 인쇄 회로 기판.
KR1020087013930A 2002-06-14 2003-06-11 Ｌｅｄ 패키징 방법 및 패키징된 ｌｅｄ KR20080064904A (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AUPS2979 2002-06-14
AUPS2979A AUPS297902A0 (en) 2002-06-14 2002-06-14 A method of producing a lamp
AU2002950814 2002-08-14
AU2002950814A AU2002950814A0 (en) 2002-08-14 2002-08-14 A lamp and a method of producing a lamp
AU2003901114A AU2003901114A0 (en) 2003-03-12 2003-03-12 A lamp and a method of producing a lamp
AU2003901114 2003-03-12

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2004-7020269A Division KR20050020995A (ko) 2002-06-14 2003-06-11 램프 및 램프 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080064904A true KR20080064904A (ko) 2008-07-09

Family

ID=29740321

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087013930A KR20080064904A (ko) 2002-06-14 2003-06-11 Ｌｅｄ 패키징 방법 및 패키징된 ｌｅｄ

Country Status (10)

Country Link
US (2) US7704762B2 (ko)
EP (2) EP1939939A3 (ko)
JP (2) JP4620458B2 (ko)
KR (1) KR20080064904A (ko)
CN (1) CN1663044A (ko)
AU (1) AU2003233248B2 (ko)
CA (2) CA2634288A1 (ko)
NZ (1) NZ531587A (ko)
TW (1) TWI297219B (ko)
WO (1) WO2003107423A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100928159B1 (ko) * 2008-12-24 2009-11-23 한성엘컴텍 주식회사 광원모듈과 이를 이용한 조명장치
KR200454746Y1 (ko) * 2009-06-26 2011-07-22 안대주 발광 소자를 포함하는 조명 장치

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AUPQ818100A0 (en) * 2000-06-15 2000-07-06 Arlec Australia Limited Led lamp
US7320632B2 (en) 2000-06-15 2008-01-22 Lednium Pty Limited Method of producing a lamp
CN1663044A (zh) * 2002-06-14 2005-08-31 莱尼股份有限公司 灯和制灯方法
JP2006520097A (ja) * 2003-03-12 2006-08-31 レドニウム プロプライアタリー リミティド ランプ、およびランプを製造する方法
EP1496551B1 (en) * 2003-07-09 2013-08-21 Nichia Corporation Light emitting diode, method of manufacturing the same and lighting equipment incorporating the same
US7575030B2 (en) * 2003-12-10 2009-08-18 Hutchinson Runflat device for a motor vehicle, and a mounted assembly incorporating it
EP1757169B1 (en) * 2004-06-03 2011-04-27 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Ac driven light-emitting diodes
CN100403565C (zh) * 2004-09-16 2008-07-16 日立Aic株式会社 Led器件
WO2006065007A1 (en) * 2004-12-16 2006-06-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Leadframe having a heat sink supporting ring, fabricating method of a light emitting diodepackage using the same and light emitting diodepackage fabbricated by the method
US20060231848A1 (en) * 2005-04-14 2006-10-19 Chien-Kun Fu Light emitting diode package for enhancing light extraction
KR20070045462A (ko) * 2005-10-27 2007-05-02 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
JP2007150080A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Mitsubishi Rayon Co Ltd 線状光源装置
US7829899B2 (en) 2006-05-03 2010-11-09 Cree, Inc. Multi-element LED lamp package
US8044418B2 (en) 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
US7960819B2 (en) * 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
JP2008198807A (ja) * 2007-02-14 2008-08-28 Nichia Corp 半導体装置
US7918596B2 (en) 2007-04-20 2011-04-05 Federal Signal Corporation Warning light
EP2201292A4 (en) * 2007-10-25 2012-11-14 Lsi Industries Inc REFLECTOR
KR100998233B1 (ko) 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 ｌｅｄ 패키지
CN102257317A (zh) * 2008-10-17 2011-11-23 发光装置公司 远程照明组件和方法
JP5612355B2 (ja) 2009-07-15 2014-10-22 株式会社Ｋａｎｚａｃｃ メッキ構造及び電気材料の製造方法
US7932532B2 (en) 2009-08-04 2011-04-26 Cree, Inc. Solid state lighting device with improved heatsink
KR101078642B1 (ko) 2009-08-25 2011-11-01 태산엘시디 주식회사 백라이트용 엘이디 모듈
CN102116455A (zh) * 2010-12-11 2011-07-06 郭小华 一种高效发光的led封装面
JP5390566B2 (ja) * 2011-07-14 2014-01-15 シャープ株式会社 発光素子の生産装置およびその生産方法、発光モジュールの生産装置およびその生産方法、発光モジュール、光源装置、液晶表示装置
US9140441B2 (en) 2012-08-15 2015-09-22 Cree, Inc. LED downlight
US9797565B2 (en) 2012-10-31 2017-10-24 Thomas & Betts International Llc LED engine for emergency lighting
TWI474432B (zh) * 2012-11-15 2015-02-21 Lextar Electronics Corp 晶粒定位裝置、具有晶粒定位裝置的晶粒定位系統與發光二極體顯示板的晶粒定位方法
EP3152477B1 (en) * 2014-05-30 2020-03-18 Lumileds Holding B.V. Leds mounted on curved lead frame
CN107940270A (zh) * 2017-11-22 2018-04-20 江门市晶典照明有限公司 一种led灯带套管工作台
KR102653015B1 (ko) 2018-07-18 2024-03-29 삼성전자주식회사 발광 장치, 운송 수단용 헤드램프, 및 그를 포함하는 운송 수단
CN110808242B (zh) * 2019-11-20 2020-12-08 博兴战新产业发展有限公司 一种led灯串及其制造方法

Family Cites Families (114)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3581162A (en) * 1969-07-01 1971-05-25 Rca Corp Optical semiconductor device
JPS5026433B1 (ko) * 1970-12-21 1975-09-01
US3821775A (en) * 1971-09-23 1974-06-28 Spectronics Inc Edge emission gaas light emitter structure
JPS48102585A (ko) * 1972-04-04 1973-12-22
JPS5127988B2 (ko) * 1972-09-05 1976-08-16
FR2248663B1 (ko) * 1972-12-13 1978-08-11 Radiotechnique Compelec
US3942185A (en) * 1972-12-13 1976-03-02 U.S. Philips Corporation Polychromatic electroluminescent device
JPS5310862Y2 (ko) * 1972-12-28 1978-03-23
US3886681A (en) * 1973-08-29 1975-06-03 Mattel Inc Control member for toy airplane
GB1522145A (en) 1974-11-06 1978-08-23 Marconi Co Ltd Light emissive diode displays
US4054814A (en) * 1975-10-31 1977-10-18 Western Electric Company, Inc. Electroluminescent display and method of making
US4173035A (en) * 1977-12-01 1979-10-30 Media Masters, Inc. Tape strip for effecting moving light display
US4255688A (en) * 1977-12-15 1981-03-10 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Light emitter mounted on reflector formed on end of lead
US4271408A (en) * 1978-10-17 1981-06-02 Stanley Electric Co., Ltd. Colored-light emitting display
JPS57156442A (en) 1981-03-23 1982-09-27 Kuraray Co Ltd Preparation of methyl lactate
US4467193A (en) * 1981-09-14 1984-08-21 Carroll Manufacturing Corporation Parabolic light emitter and detector unit
DE3148843C2 (de) * 1981-12-10 1986-01-02 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Mehrfach-Leuchtdiodenanordnung
US4473834A (en) * 1982-04-19 1984-09-25 Rockwell International Corporation Light emitting transistor array
JPS5974687A (ja) 1982-10-21 1984-04-27 Idec Izumi Corp 発光ダイオ−ドランプ
FR2554606B1 (fr) * 1983-11-04 1987-04-10 Thomson Csf Dispositif optique de concentration du rayonnement lumineux emis par une diode electroluminescente, et diode electroluminescente comportant un tel dispositif
JPS6132483A (ja) 1984-07-24 1986-02-15 Kimura Denki Kk Ｌｅｄを用いた球状発光体
DE3438154C2 (de) 1984-10-18 1994-09-15 Teves Gmbh Alfred Rückleuchte für Kraftfahrzeuge
JPS61141165A (ja) * 1984-12-14 1986-06-28 Toshiba Corp 半導体装置用リ−ドフレ−ム
FR2588109B1 (fr) 1985-10-02 1987-12-11 Valancogne Pierre Dispositif de signalisation lumineuse
WO1987002846A1 (en) * 1985-10-29 1987-05-07 Hopper William R Touch sensitive indicating light
JPH0680841B2 (ja) * 1986-04-07 1994-10-12 株式会社小糸製作所 照明装置
JPH0326536Y2 (ko) * 1986-10-01 1991-06-07
US4914731A (en) 1987-08-12 1990-04-03 Chen Shen Yuan Quickly formed light emitting diode display and a method for forming the same
US4935665A (en) * 1987-12-24 1990-06-19 Mitsubishi Cable Industries Ltd. Light emitting diode lamp
DE3827083A1 (de) * 1988-08-10 1990-02-15 Telefunken Electronic Gmbh Flaechenhafter strahler
DE3835942A1 (de) 1988-10-21 1990-04-26 Telefunken Electronic Gmbh Flaechenhafter strahler
US4893223A (en) * 1989-01-10 1990-01-09 Northern Telecom Limited Illumination devices for inspection systems
US5055892A (en) * 1989-08-29 1991-10-08 Hewlett-Packard Company High efficiency lamp or light accepter
DE4107526C2 (de) 1990-03-26 1996-04-11 Siemens Ag Lumineszenzdiodenvorrichtung mit Schutzeinrichtung zur Begrenzung des Durchlaßstromes bei anliegender Wechselspannung
US5083192A (en) * 1990-04-30 1992-01-21 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Cluster mount for high intensity leds
JP2535651B2 (ja) * 1990-07-24 1996-09-18 株式会社東芝 半導体装置
US5289082A (en) * 1990-09-07 1994-02-22 Kabushiki Kaisha Toshiba LED lamp
US5119174A (en) * 1990-10-26 1992-06-02 Chen Der Jong Light emitting diode display with PCB base
DE4124413A1 (de) 1991-07-23 1993-01-28 Bernd Herzhoff Subminiatur-hochleistungs-halbleiter-festkoerperlaser
FR2680862B1 (fr) * 1991-09-02 1997-08-08 Valeo Vision Feu de signalisation a elements electroluminescents, notamment pour vehicule automobile.
FR2680859B1 (fr) * 1991-09-02 1993-10-29 Valeo Vision Element optique de collimation et son element de support associe, notamment pour feu de signalisation de vehicule automobile.
JP3096824B2 (ja) * 1992-04-17 2000-10-10 ローム株式会社 Ｌｅｄ製造用フレームおよびこれを用いたｌｅｄの製造方法
US5999151A (en) * 1992-12-24 1999-12-07 Michael; Robert Pixel, video display screen and power delivery
JP3258738B2 (ja) * 1993-01-22 2002-02-18 三洋電機株式会社 発光ダイオード表示装置
US5534718A (en) * 1993-04-12 1996-07-09 Hsi-Huang Lin LED package structure of LED display
FR2707222B1 (fr) 1993-07-07 1995-09-29 Valeo Vision Feu de signalisation perfectionné à diodes électroluminescentes.
US5404282A (en) * 1993-09-17 1995-04-04 Hewlett-Packard Company Multiple light emitting diode module
DE9316106U1 (de) 1993-10-21 1994-02-03 Chang, Fa-Sheng, Hsintien, Taipeh Leuchtdiodenaufbau
US5561346A (en) * 1994-08-10 1996-10-01 Byrne; David J. LED lamp construction
US5709453A (en) * 1994-08-16 1998-01-20 Krent; Edward D. Vehicle lighting having remote light source
JP3033883B2 (ja) 1994-11-30 2000-04-17 ローム株式会社 発光表示装置
US5519596A (en) * 1995-05-16 1996-05-21 Hewlett-Packard Company Moldable nesting frame for light emitting diode array
US5515253A (en) * 1995-05-30 1996-05-07 Sjobom; Fritz C. L.E.D. light assembly
DE19549818B4 (de) * 1995-09-29 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
GB9605314D0 (en) 1996-03-13 1996-05-15 Toher C H Non-filament lights
US6034712A (en) * 1996-06-26 2000-03-07 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and image forming machine including it
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JP3752760B2 (ja) 1997-01-14 2006-03-08 豊田合成株式会社 発光ダイオード装置
JPH10242523A (ja) 1997-02-28 1998-09-11 Kouha:Kk 発光ダイオード表示装置およびそれを利用した画像表示装置
JP3948789B2 (ja) * 1997-07-02 2007-07-25 シチズン電子株式会社 赤外線データ通信モジュール
US5962971A (en) * 1997-08-29 1999-10-05 Chen; Hsing LED structure with ultraviolet-light emission chip and multilayered resins to generate various colored lights
TW408497B (en) 1997-11-25 2000-10-11 Matsushita Electric Works Ltd LED illuminating apparatus
JPH11163412A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄ照明装置
JP3454123B2 (ja) 1997-11-25 2003-10-06 松下電工株式会社 Ｌｅｄ照明モジュール
JP3505985B2 (ja) 1997-11-25 2004-03-15 松下電工株式会社 Ｌｅｄ照明モジュール
JP3618534B2 (ja) 1997-11-28 2005-02-09 同和鉱業株式会社 光通信用ランプ装置とその製造方法
JPH11177144A (ja) 1997-12-15 1999-07-02 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオード配列体
US6412971B1 (en) * 1998-01-02 2002-07-02 General Electric Company Light source including an array of light emitting semiconductor devices and control method
US6068383A (en) * 1998-03-02 2000-05-30 Robertson; Roger Phosphorous fluorescent light assembly excited by light emitting diodes
JP3114805B2 (ja) 1998-04-15 2000-12-04 日亜化学工業株式会社 面状光源及びそれを用いたディスプレイのバックライト、照光式操作スイッチ
FR2779508B1 (fr) 1998-06-03 2000-08-25 Valeo Vision Feu de signalisation a glace galbee, notamment feu stop complementaire, pour vehicule automobile
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6337953B1 (en) * 1998-11-16 2002-01-08 Konica Corporation Strobe device of lens-fitted film unit and production method of the strobe device
JP3366586B2 (ja) 1998-12-28 2003-01-14 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP3920486B2 (ja) 1999-02-23 2007-05-30 株式会社小糸製作所 車両用灯具
JP3447604B2 (ja) 1999-02-25 2003-09-16 株式会社シチズン電子 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
US6521916B2 (en) * 1999-03-15 2003-02-18 Gentex Corporation Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity
DE19922176C2 (de) 1999-05-12 2001-11-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierte LED-Mehrfachanordnung und deren Verwendung in einer Beleuchtungseinrichtung
JP2001007406A (ja) * 1999-06-25 2001-01-12 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオード配列体
KR100682563B1 (ko) 1999-07-26 2007-02-15 라보 스피아 가부시키가이샤 벌크형 렌즈, 발광체, 조명 기구 및 광 정보 시스템
US6367949B1 (en) * 1999-08-04 2002-04-09 911 Emergency Products, Inc. Par 36 LED utility lamp
US20040120146A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-24 Cao Group, Inc Forensic light kit using semiconductor light source
US7294364B2 (en) * 1999-09-24 2007-11-13 Cao Group, Inc. Method for curing composite materials
US6971875B2 (en) * 1999-09-24 2005-12-06 Cao Group, Inc. Dental curing light
GB2356037B (en) 1999-11-03 2004-03-31 Page Aerospace Ltd A semiconductor light source
JP3696021B2 (ja) * 2000-01-20 2005-09-14 三洋電機株式会社 光照射装置
US6318886B1 (en) * 2000-02-11 2001-11-20 Whelen Engineering Company High flux led assembly
US6409938B1 (en) * 2000-03-27 2002-06-25 The General Electric Company Aluminum fluoride flux synthesis method for producing cerium doped YAG
GB2361581A (en) 2000-04-20 2001-10-24 Lite On Electronics Inc A light emitting diode device
DE10025563B4 (de) 2000-05-24 2005-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Modul für die Anordnung von elektrischen lichtemittierenden Elementen,integrierbar in ein Leuchtengehäuse,und Verfahren zur Herstellung eines derartigen Moduls
US7320632B2 (en) * 2000-06-15 2008-01-22 Lednium Pty Limited Method of producing a lamp
AUPQ818100A0 (en) * 2000-06-15 2000-07-06 Arlec Australia Limited Led lamp
AUPR570501A0 (en) 2001-06-15 2001-07-12 Q1 (Pacific) Limited Led lamp
JP4432275B2 (ja) * 2000-07-13 2010-03-17 パナソニック電工株式会社 光源装置
DE20013605U1 (de) 2000-07-28 2000-12-28 Opto-System GmbH, 12555 Berlin Längliche Lichtquelle
US6552368B2 (en) * 2000-09-29 2003-04-22 Omron Corporation Light emission device
TW521409B (en) * 2000-10-06 2003-02-21 Shing Chen Package of LED
DE10051159C2 (de) * 2000-10-16 2002-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle
JP2001228812A (ja) * 2000-12-22 2001-08-24 Sharp Corp 表示器
EP1244152A3 (en) * 2001-01-26 2008-12-03 Toyoda Gosei Co., Ltd. Reflective light emitting diode, reflective optical device and its manufacturing method
JP3920031B2 (ja) 2001-02-20 2007-05-30 株式会社小糸製作所 車両用灯具
US6541800B2 (en) * 2001-02-22 2003-04-01 Weldon Technologies, Inc. High power LED
EP1387412B1 (en) * 2001-04-12 2009-03-11 Matsushita Electric Works, Ltd. Light source device using led, and method of producing same
JP4905751B2 (ja) * 2001-05-17 2012-03-28 株式会社吉田製作所 歯科用光照射器
DE20110289U1 (de) 2001-06-21 2001-08-23 Büchner, Thomas, 86465 Welden Beleuchtungseinrichtung
JP4129570B2 (ja) 2001-07-18 2008-08-06 ラボ・スフィア株式会社 発光ダイオード照明装置
US7055987B2 (en) * 2001-09-13 2006-06-06 Lucea Ag LED-luminous panel and carrier plate
WO2003030274A1 (fr) * 2001-09-27 2003-04-10 Nichia Corporation Dispositif emetteur de lumiere et procede de fabrication associe
US6599000B2 (en) * 2001-10-15 2003-07-29 Steven T. Nolan Interior lamp for producing white light using bright white LEDs
JP4009097B2 (ja) * 2001-12-07 2007-11-14 日立電線株式会社 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム
CN1663044A (zh) * 2002-06-14 2005-08-31 莱尼股份有限公司 灯和制灯方法
AU2003296485A1 (en) * 2002-12-11 2004-06-30 Charles Bolta Light emitting diode (l.e.d.) lighting fixtures with emergency back-up and scotopic enhancement
US20040120151A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-24 Cao Group, Inc. Forensic light using semiconductor light source
US6903380B2 (en) * 2003-04-11 2005-06-07 Weldon Technologies, Inc. High power light emitting diode

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100928159B1 (ko) * 2008-12-24 2009-11-23 한성엘컴텍 주식회사 광원모듈과 이를 이용한 조명장치
WO2010074446A2 (ko) * 2008-12-24 2010-07-01 한성엘컴텍 주식회사 광원모듈 및 이를 포함하는 조명장치
WO2010074446A3 (ko) * 2008-12-24 2010-08-26 한성엘컴텍 주식회사 광원모듈 및 이를 포함하는 조명장치
KR200454746Y1 (ko) * 2009-06-26 2011-07-22 안대주 발광 소자를 포함하는 조명 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN1663044A (zh) 2005-08-31
NZ531587A (en) 2008-06-30
US20050285505A1 (en) 2005-12-29
AU2003233248B2 (en) 2006-11-09
EP1939939A2 (en) 2008-07-02
US20100163913A1 (en) 2010-07-01
CA2634288A1 (en) 2003-12-24
JP2005536870A (ja) 2005-12-02
AU2003233248A1 (en) 2003-12-31
EP1552560A1 (en) 2005-07-13
CA2488904A1 (en) 2003-12-24
JP2008205501A (ja) 2008-09-04
EP1552560A4 (en) 2006-10-25
WO2003107423A1 (en) 2003-12-24
JP4620458B2 (ja) 2011-01-26
US7704762B2 (en) 2010-04-27
TW200405588A (en) 2004-04-01
TWI297219B (en) 2008-05-21
EP1939939A3 (en) 2010-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7704762B2 (en) Lamp and method of producing a lamp
US20110044044A1 (en) Lamp and a process for producing a lamp
EP2038924A1 (en) Leadframe having a heat sink supporting part, fabricating method of the light emitting diode package using the same and light emitting diode package fabricated by the method
US9209373B2 (en) High power plastic leaded chip carrier with integrated metal reflector cup and direct heat sink
US20220102599A1 (en) Deep molded reflector cup used as complete led package
US11417814B2 (en) Light-emitting diode module and a light apparatus
KR20050020995A (ko) 램프 및 램프 제조방법
EP1465256A1 (en) A method of producing a light source and a light source assembly
ZA200409679B (en) A lamp and method of producing a lamp
AU2004219544B2 (en) A lamp assembly and a process for producing a lamp assembly
CN101098576A (zh) 光源组件及灯的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application