JP2005536870A - ランプ及びランプの製造方法 - Google Patents

ランプ及びランプの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005536870A
JP2005536870A JP2004514135A JP2004514135A JP2005536870A JP 2005536870 A JP2005536870 A JP 2005536870A JP 2004514135 A JP2004514135 A JP 2004514135A JP 2004514135 A JP2004514135 A JP 2004514135A JP 2005536870 A JP2005536870 A JP 2005536870A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lamp
curved
cup
support structure
conductors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004514135A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4620458B2 (ja
Inventor
ジェガナサン,バリュ
アルバート モンタグナット,ジョン
Original Assignee
レドニウム プロプライアタリー リミティド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from AUPS2979A external-priority patent/AUPS297902A0/en
Priority claimed from AU2002950814A external-priority patent/AU2002950814A0/en
Priority claimed from AU2003901114A external-priority patent/AU2003901114A0/en
Application filed by レドニウム プロプライアタリー リミティド filed Critical レドニウム プロプライアタリー リミティド
Publication of JP2005536870A publication Critical patent/JP2005536870A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4620458B2 publication Critical patent/JP4620458B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2107/00Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements
    • F21Y2107/20Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements on convex supports or substrates, e.g. on the outer surface of spheres
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S362/00Illumination
    • Y10S362/80Light emitting diode
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/956Making multiple wavelength emissive device

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)

Abstract

ランプを製造する方法は、個々の容器(2)内に発光接合部(LED、4)を取り付ける段階と、三次元アレイを形成するべく、湾曲した支持構造(110)上に容器を取り付ける段階と、発光接合部を支持構造に電気的に接続する段階と、を含んでいる。容器(2)は、支持構造(110)とは別個に、薄いシート金属からプレス成形又はスタンピングによって形成され、この容器を支持構造(110)上に取り付ける前に、この内部にLED(4)が取り付けられる。この容器は、接合部から出力される光を導波又は反射するべく機能可能である。支持構造(110)は、容器(2)を収容する空洞又は孔を有するリードフレームであってよい。

Description

本発明は、リードフレーム内に挿入された予めパッケージング済みの発光半導体を使用するランプの製造方法、並びに、この方法で製造されたランプに関するものである。
本発明は、国際公開特許第02/103794号(WO 02/103794)の主題の改良であり、この開示内容及び主題のすべては、本引用により、本明細書に包含される。
発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)の使用を伴う照明アプリケーションには、様々なものが多数存在しているが、従来は、例えば、電気プラントの制御パネル上においてステータス状態を示す小さく且つ別個のインジケータとして、単一のLEDを使用することが一般的であった。
又、単一のLEDによって提供されるものよりも大きな照明能力を提供するべく、二次元アレイの形態に配列された複数のLEDを提供する方法も周知である。しかしながら、上質の家庭又は産業用の照明を提供するのに、これらの構成のすべてが好適であるというわけではない。
従って、本発明の目的は、従来技術に対する改善、或いは、少なくともそれらの有用な代替物を提供するランプ及びランプの製造方法を提供することにある。
本発明によれば、ランプの製造方法が提供され、この方法は、個別の容器内に発光接合部を取り付ける段階と;三次元アレイを形成するべく、湾曲した支持構造上に、これらの容器を取り付ける段階と;発光接合部を支持構造と電気的に接続する段階と;を含んでいる。
本発明によれば、更にランプが提供され、このランプは、湾曲した導電性の支持構造と;三次元アレイを形成するべく支持構造上に取り付けられた複数の容器と;個別の容器内に配設され、支持構造に電気的に接続された複数の発光接合部と;を含んでいる。
本発明によれば、複数の発光接合部を収容してランプを形成するリードフレームが更に提供され、このリードフレームは、湾曲した導電性の支持構造と;発光接合部が三次元アレイを形成するように、内部に配設された発光接合部を具備する個別の複数の容器を収容するための支持構造内の複数の空洞と;を含んでいる。
本発明の好適な実施例によれば、支持構造上に発光接合部の三次元アレイを製造する方法が提供される。この方法によれば、従来技術において開示されている製造プロセスを相当に単純化することが可能であり、この方法は、現在使用されている発光接合部の取付方法に取って代わる可能性を有している。
好ましくは、この方法によれば、発光接合部は、予め形成済みの金属又はその他の材料からなる導電性のカップ又はその他の容器の一次元又は二次元アレイ内に装着される。
好ましくは、この装着された発光接合部を有する線形アレイの形態のカップは、続いて、1つずつ分離される。
好ましくは、個々のカップは、それぞれのカップ内における発光接合部の(電気極性に関連する)正しい向きと三次元アレイ内におけるそれぞれのカップの向きを実現するべく、非対称構成になっている。
好ましくは、個々のカップは、部分球面を有するリードフレームの湾曲部分内において、既定パターンの一連の対応孔内に配置される。
好ましくは、これらのカップのプロファイルは、リードフレーム上の三次元アレイからの合成光パターンが予測可能であり且つ大量生産において反復可能になるように、それぞれの発光接合部からの特定の光パターンを生成するべく設計されている。
好ましくは、このようにリードフレーム内に配置されたカップのアレイは、溶接、はんだ付け、接着、又はリードフレームとカップ間の機械的、熱的、及び電気的特性の連続性を確保するその他の方法により、その個別の孔内に固定される。
好ましくは、カップは、電流の流れ(並びに、結果的に、発光接合部の光出力)の制御に使用するリードフレーム内の導電体上に設置される。
好ましくは、発光接合部は、中間導電体により、リードフレーム内において、2つの導電体に電気的に接続されている。発光接合部を個別に(又は、グループとして)制御できるように、この中間導電体の接続構成を構成可能である。
別の実施例においては、それぞれに発光接合部が取り付けられたアレイの形態の複数のカップをアレイから1つずつ分離し、テープ及びリール、又はその他の一般に使用されているパッケージングシステムにパッケージングする。このようなパッケージングによれば、リードフレーム上の3次元アレイ以外の発光接合部のモジュラー型の取付が望ましい分野に適用範囲が広がることになる。
別の態様においては、前述の方法に従って形成されたランプが提供される。
更に別の態様においては、接合部から出力される光を導波するべく配列された側壁を有する発光接合部を収容するカップが提供され、このカップは、熱的に結合された接合部から生成される熱を発散させる機能をも果たしている。
一例として、添付の図面を参照し、本発明について説明する(但し、これは、限定を意図するものではない)。
図面中においては、同様の参照符号を使用して、同様又は類似の機能を示している。
まず、図3A及び図3Bを参照すれば、本発明の好適な実施例は、ランプ、及びランプの製造方法に関するものであり、このランプは、湾曲した導電体10、11、及び12を具備するリードフレーム110上に取り付けられた複数の発光接合部4を具備している。接合部4は、リードフレーム110上に取り付けられた個別の容器2内に配置されており、ランプが電源投入された際に、接合部4のそれぞれを通じて電気回路が完成するように、後から、接合部4と湾曲導電体10、11、12、及び(電源供給導電体である)13間に電気的な接続が形成されている。導電体10、11、及び12は、三次元(例えば、球状)に湾曲しているが、電源供給導電体13は、二次元に湾曲しているのみである(即ち、同一平面上において湾曲している)。
容器2は、リードフレーム110とは別個に形成され、容器2をリードフレーム110上に取り付ける前に、この内部に接合部4を取り付ける。容器2は、好ましくは、ストリップ又はシート材料から大量に形成された後に、接合部4を容器2内に取り付ける前又は取り付けた後に、その材料から分離される。
図1A、図1B、及び図1Cに示されているように、(好ましくは、全般的に凹状のカップとして形成される)容器2の線形アレイ1は、好ましくは、プレス又はスタンピングなどの従来の手段により、薄いシート金属、銅、又はこれらに類似のものから形成される。尚、その他の形状の容器も好適であるが、本明細書においては、わかりやすくするために、それらの容器を含むすべてをカップと呼ぶことにする。又、本明細書においては、利便性を考慮し、内部に配設又は付着された接合部4を具備するカップ2をカップアセンブリ3と呼ぶことにする。尚、カップは、線形(一次元)アレイの代わりに、二次元のシートアレイの形態にも形成可能ある。
この好適なカップの有利な特徴の1つが、その形状であり、これにより、それぞれのカップは、光学導波器として機能し、内部に取り付けられている接合部から出力される光の方向を制御することができる。それぞれのカップ2は、好ましくは、図1Aに示されているように、平面図で見た場合に、全般的に円形になっているが、楕円や矩形形状などのその他の形状にした場合にも適切に動作可能である。この好適なカップ形状は、半径rの円形の内部ベースを具備し、これから、略円錐台形状のカップ壁が、外部半径Rを具備するカップのリップに向かって(図1Bに示されているように、水平に対して)角度Xで広がっている。カップの内部円形ベース面に対するカップのリップからの垂直方向の深さは、図1B内に参照符号Tによって示されている。
図2Aに示されているように、カップアセンブリ3は、それらの角度の向きが(上部にカップ2を取り付ける領域内に部分的な球面形状を具備したリードフレーム80により)互いに変位するように、リードフレームに取り付けられている。この角度の変位は、図2に、参照符号Zによって示されている。
カップ2の形状と、半径R及びrの寸法、側部(変位)角度Z、及び深さTは、好ましくは、そのカップから放射される光パターンに対するこれらの個々の影響を考慮して決定される。ランプからのビームの入射角度全体(図2Aに示されている角度Yの二倍)において線形となるように、ランプから放射される光強度を最適化することが好ましい。このビームによって範囲が定まる立体角(2×Y)を、伝統的に「半角(Half Angle)」と呼んでいる。これは、「その中において、光強度がビームの最大値の50%を上回っている角度」と定義されるものであり、その特定のランプによって提供される照明の有効性に影響を及ぼすため、ランプの光学的な性能にとって重要なファクタである。
従って、リードフレームの湾曲半径C、並びにリードフレームの部分的な球面部分内のそれぞれのカップの変位角Zと共に、これらのファクタR、r、T、及び角度Xの影響により、この角度Yの値、即ち、組立後のランプの出力照明パターンの特性を決定するパラメータが構成されている。
これらのファクタは、それぞれのランプの設計における変数であり、好ましい半角、ランプ内に設置するカップの数、及びカップの相対的な位置について、これらの変数を最適化することにより、様々なランプを設計可能である。尚、更なるランプの設計例については、図15及び図17を参照されたい。
カップのアレイは、形成された後に、好ましくは、銀、銀合金、又はこれらに類似の材料により、選択的にメッキされる。このメッキは、高度な反射表面を提供することにより、それぞれのカップの光学性能を向上させるためのものであり、更には、この結果、リードフレーム内の(図2Aに示されている)孔6内にカップ2を固定するのに採用される装着プロセス(例:はんだ付け又は銀接着剤の塗布)を簡単にすることもできる。
カップの線形アレイの形成及びメッキに続いて、発光接合部(ダイ)4をそれぞれのカップの底部内部表面に装着し、カップアセンブリ3を形成する(本明細書においては、「ダイ」という呼称を「接合部」及び「LED」と相互交換可能に使用することとする)。尚、それぞれのダイを線形アレイと一貫性を有してアライメントするには、十分な事前の対策が必要である。そして、カップは、好ましくは、従来の手段により、アレイから1つずつ分離され、カップ2の一側上に、切り欠き、スタンピング、或いは、その他の方法によってマーク7を施すことにより、極性を表示する。好適な一形態においては、このマーク7は、カップの1つの外部エッジを切り捨て又は平坦化したものである。尚、このカップ上のマーク7の形成は、極性に関する接合部の一貫性のあるアライメントを円滑に実行するべく、カップを形成した直後に、且つ、メッキの前に、実行可能である。
図2Aに示されている凸状のドーム形状に代わるリードフレームの代替形態においては、図2Bに示されているものなどの凹形状のリードフレームを形成可能である。尚、リードフレーム支持構造の湾曲の向きの違い以外には、図2Bに示されている凹状ランプの実施例は、図2Aの実施例や添付図面に図示並びに本明細書において説明されているその他の凸状ランプの実施例と類似の方式で形成可能である。特に、図6に関連して図示及び説明するランプの製造プロセスは、凹状リードフレーム構成にも適用可能である。例えば、段階640においてリードフレームの中央部分にドームを形成する代わりに、ボール(反転したドーム)を形成可能である。リードフレームのこのような凹状形状においては、接合部から放射される光がよりフォーカスされることになり、従って、このような実施例は、光を均等に分散させるようなものではなくフォーカスした光の分布を必要とするアプリケーションに、より好適であろう。即ち、このランプの実施例は、リードフレームの中央の湾曲部分の湾曲半径Cに略等しい焦点距離を具備することになろう。そして、この場合の焦点の有効性は、湾曲半径Cの大きさによって部分的に決定されると共に、R、r、及びTの値の影響を受けることになろう。
ランプは、図3Aに示されているように、ダイによって完成した個々のカップをリードフレーム110の湾曲したリードフレーム導電体10、11、12内の孔6に挿入することにより、形成される。この図示の実施例においては、第1極性のダイの活性部分と導電体10、11、12間のワイヤボンディングにより、中間導電体のペア14、15、16を装着している。更に、第2極性のダイの活性部分と共通電源供給導電体13及び導電体11及び12にそれぞれワイヤボンディングすることにより、中間導電体のペア17、18、19を装着する。この構成によれば、導電体10、11、12上に取り付けられている発光接合部のグループを通じて流れる電流の制御、即ち、放射光の強度の制御が可能である。
尚、この図3Aには、共通電源供給導電体13以外には、3つの湾曲したリードフレーム導電体10、11、及び12しか示されていない。しかしながら、それぞれが複数のカップアセンブリを支持する更に多数の湾曲したリードフレーム導電体を採用することが考えられる。例えば、図15は、個別のカップアセンブリ内に3つの別個の導電体113、114、及び115上に分散した18個の接合部を支持するリードフレームの実施例を示しているが、この構成を変更し、それぞれに6つのカップアセンブリを支持する5つの別個の導電体を提供することも可能である。又、図示されてはいないが、例えば、50〜100個のレベルの更に多数のカップアセンブリを支持可能な更なる実施例も考えられる。
又、図3Aに示されている中間導電体17、18、及び19は、ペアとして説明されているが、例えば、カップアセンブリ3内に、小さな低電流接合部を採用する場合には、この代わりに単一の中間導電体を使用することも適当であろう。
即ち、この図3A及び図3Bに示されている実施例は、小さな接合部ではく、大電流を引き出す大きな接合部に特に適したものであり、従って、この場合には、ダイの活性領域に対する電流の均等な収集と供給を実現するべく、中間導電体のペアが望ましい。又、これらの導電体のペアは、ダイとの間に1本の中間導電ワイヤのみを具備することに関連して発生し得る損失を削減するべく機能する第2の電流経路をも提供している。
図3A及び図3Bに示されているものに代わる代替実施例においては、湾曲した導電体10、11、及び12の代わりに、中間導電体のペア14、15、及び16をカップに接続可能である。この代替実施例においては、それぞれのカップは、はんだ又は銀接着剤などの導電性材料を使用して導電体の上部に取り付けられることにより、湾曲導電体10、11、及び12と電気的な接続状態にある。この代替構成においては、湾曲導電体10、11、及び12の孔6内にカップを取り付ける前に、中間導電体のペア14、15、及び16をカップ2の内部壁に装着可能である。その他の点に関しては、この実施例は、図3A及び図3Bに関連して先程図示並びに説明したものと同様である。
更なる(図4A及び図4Bに関連して後述する)代替実施例においては、中間導電体14、15、及び16をカップの内部壁に接続する代わりに、導電体のペア26及び27をダイ4の陰極及び陽極と導電性領域22及び23間にそれぞれ接続している。そして、更なる中間導電体を使用して、湾曲導電体10、11、及び12と導電性領域22及び23間を接続する。
別の(図17に示されている)実施例においては、中間導電体の接続を適切に構成することにより、それぞれの個別の発光接合部を通じて流れる電流をその他のすべてのものから独立して制御可能である。図17は、個別且つ独立的に制御可能な8つのLEDの実現可能な構成を示している。この構成においては、リードフレームの中央の湾曲した(球面の)部分は、別個の導電体に分割されてはおらず、この代わりに、すべてのLED用の共通導電体114が、その上に取り付けられている。尚、一貫性を考慮し、この共通導電体114を陰極(即ち、負の端子)とすることが便利である。そして、それぞれのダイごとに1つずつ、8つの陽極132が図示されており、これを通じて、それぞれのダイへの電流の流れを制御可能である。これらの陽極132は、ランプのリードフレームの中央部分を中心とするスポークの形態に配列されている。AlGaInPダイ(赤色及び琥珀色)の場合には、ダイの裏面に陰極(これは、電気的及び物理的にカップに接続される)を具備するため、陰極を共通にするのが便利であり、従って、これらのダイの場合には、導電体上に取り付ける際に、共通電極は、陰極でなければならない。又、InGaNダイ(緑色及び青色)の場合には、絶縁された裏面を具備しているため、極性に関して接続を標準化するのが便利である。尚、これは、LEDの3つのグループを具備するリードフレームの場合には、反対の極性となる。即ち、これらの場合には、チップの裏面(負)を、それらが配設される導電性カップを介してリードフレームの3つの湾曲したセクションのそれぞれのものに電気的に接続可能であるため、正が共通となる。
LEDによって放射される光は、狭い周波数又は波長帯域幅から構成されており、これは、可視スペクトルにおいて、特定の色として感知される。赤色、黄色、緑色、及び青色の光を有するLEDが一般的になっている。図17に示されているもののように、異なる色のLEDをクラスタとして配列すると、アレイを構成するLEDのいずれの特性色とも異なる別の色として感知される光をLEDから生成できるようになる。そして、それぞれのLED内の励起電流を制御することにより、光出力のレベルを制御可能であり、これにより、LEDからの光を様々な比率で組み合わせることによって様々な色を生成することができる。
例えば、赤色、緑色、及び青色の光を正しい比率で組み合わせることにより、略白色に見える光を生成可能である。同様に、同一の波長を具備するLEDのみに電流を通すことより、単一の色の光を放射し、且つ、第1波長のLEDに対する励起を削減すると同時に第2波長のLEDのグループに対する励起を増大させることによって色を変化させるべく、ランプを構成することも可能である。ランプ内に設置されているLEDダイの特性が提供する範囲内において、色と強度のあらゆる組み合わせを生成するべく、適切な制御システムを考案可能である。
エポキシ樹脂などの選択された光学的に好適な材料内に、ランプをパッケージングすることにより、LEDダイによって放射される光を合成する(又は、その他の)プロセスを更に機能拡張することができる。例えば、光の吸収率が低く、後方散乱が最小限であって、優れた拡散特性を具備するエポキシ又はその他のカプセル化材料を選定すれば、ランプからの略均質な単一色の放射を実現すると共に、可視スペクトルにわたって色を大きく変化させることが可能となろう。LEDの中のいくつかが、ランプの球面部分の端部近傍に取り付けられ、全般的に異なる光ビームを具備することにはなるものの、これは、実現可能である。又、別の構成においては、単一色への光の合成が重要ではない機能の場合には、光学的に透明で低吸収の材料からなるパッケージを選定可能である。
電子産業においては、LEDアレイ及びディスプレイを制御する多数の方法が既に考案されている。これらは、一般に、1つのLED当たり100ミリワット程度の小さな電力のLEDに適しており、制御対象の電流は、20〜40ミリアンペアのレベルである。
1平方ミリメートルの面積を有するLEDダイ(ダイサイズ1mm × 1mm)においては、最大で350〜500ミリアンペアの励起電流を必要とする。当産業分野の発展により、2.5平方ミリメートル以上の大きなLEDダイの提供が予想されており、この場合には、1000ミリアンペアを上回る励起電流を必要とすることになろう。この結果、一般に、LEDコントローラは、1つのLED当たり約100ミリワットである現在のレンジと比べて、1つのLED当たり5ワットの電力処理能力(50倍の増加)を具備することが必要とされることになる。
本発明には、それぞれが1ワットの電力を消費する最大1.26×1.26mmのLEDサイズが含まれる(但し、これには限定されない)。このようなランプを駆動する制御回路は、複数のこのようなLEDを制御する能力を有していなければならない。例えば、18個のLEDをランプ内に取り付ける場合には、制御回路は、18ワットのレベルの出力を駆動可能である必要があろう。
図4A及び図4Bによって示されている別の好適な実施例においては、代替カップ32に、カップのフランジ21の上部表面上に電気的な絶縁レイヤ20が提供されており、この絶縁上に、電気的に伝導性の材料22&23の領域が重畳されている。この結果、ボンディングワイヤ26&27により、ダイの活性領域24&25を導電性領域22&23に接続可能である。これらの接続は、ダイをカップに装着するプロセスにおいて実行可能である。これにより、前述のワイヤボンディングのプロセスが相当に簡単になる(前述の場合には、三次元アレイのレイアウトに対応するボンディング機器が必要である)。カップが線形アレイの形態である状態で、ボンディングワイヤをカップに装着すれば、単純な従来の方法を使用することにより、図3Aに示されている中間接続14&17の等価物を生成可能である。又、この実施例によれば、パッケージング済みの発光接合部を、多数のその他のアプリケーションにおいて使用することも可能となる。一般的に使用されている「ピック・アンド・プレース(Pick and Place:取って配置する)」タイプの機械を使用することにより、カップを自動的に設置し接続することができる。
導電性領域22及び23は、好ましくは、それぞれのカップのリムに適用した絶縁レイヤ上に薄いレイヤとして形成される。この絶縁材料は、カップの表面に対する接着が良好であり、薄いレイヤの形態で良好な電気的絶縁性を有するエポキシやなんらかのその他の化合物であってよい。そして、導電性領域は、金属の堆積やその他の適切なプロセスによって形成可能である。このようなプロセスを使用し、プリント回路、特に、アルミニウムの金属基板上に製造されることの多い金属コアプリント回路を製造する。
カップアセンブリ3又はパッケージ(即ち、上部に取り付けられた接合部を有するカップ)は、その他の表面実装パッケージとして提供されている発光接合部に比べて、相当の利点を具備している。即ち、乏しい熱放散性のために従来のパッケージに課されていた制限が大幅に克服されている。カップパッケージは、MCPCB(Metal Cored Printed Circuit Board:金属コアプリント回路基板)内に設けられた凹部内に直接的に容易に設置可能であり、このため、ランプ照明以外の分野に適用可能である。この結果、カップ材料を通じて、熱源(ダイ)から、直接、MCPCBの高度な放散性を有するコア内に、略理想的な熱経路を生成可能である。
これらのデバイスから現時点で得られる光の品質は、ダイのサイズに関する制限とダイが放散可能な電力の実際的な制限によって決定されることになる。ダイ内の熱損失を効果的且つ便利に放散する方法を提供すれば、問題なく採用可能なダイのサイズに関する実際的な制限を効果的に除去することができる。即ち、数ワットの電力を消費可能であると共に、入力電力にある程度比例した光を生成するダイを収容するべく設計されたカップを単純且つ安価に製造可能である。
次の表1には、本発明の実施例において使用可能な大きなLEDダイの例が一覧表示されている。小さなLEDダイの場合には、市場に多様なものが存在しており、当業者には、適切なダイが明らかであろう。
Figure 2005536870
次に、図6を参照すれば、本発明の実施例によってランプを製造可能なプロセスフローチャートが示されている。この好ましいランプ製造プロセスは、内部に取り付けられた接合部を具備するカップを別個に形成する段階と、リードフレームの製造が特定の時点まで完了した後に(即ち、前の段階640)、このカップアセンブリをリードフレーム上に取り付ける段階と、を有している。そして、カップのリードフレームへの装着が完了すると、段階665において、それらを1つに加工してランプを形成する。
まず、段階605において、例えば、銅板又は変形可能な導電性材料のその他の適切なシート又はストリップから、プレスツールにより、カップを形成する。即ち、図1A〜図1Cに示されている容器を形成するべく、プレート又はシートから、それぞれのカップをプレスするのである。この段階605は、それぞれのカップ上にマーク7を形成する段階を含んでいる。そして、プレスした材料からカップを1つずつ分離した後に、段階610において、銀、アルミニウム又はその他の導電性材料を使用し、例えば、バレルメッキ法、高精度メッキ法、又は蒸着メッキ法により、カップをメッキし、約4〜8ミクロンの厚さのメッキを実現する。そして、このメッキの後に、段階615において、接合部がベース表面から外に向くように、ダイ(これは、図6においては、チップと呼ばれている)を、好ましくは、銀接着剤により、カップの内部底部表面に装着する。この段階615における接合部のカップへの装着が完了すれば、このように形成されたカップアセンブリを、例えば、表面実装技術において使用されているものなどのロボット型の「ピック・アンド・プレース」機械に供給可能な線形ストリップ又は二次元シートの形態にパッケージング可能である。
このカップの形成とは独立的に、段階620において、リードフレームの基本形状を機械加工することにより、リードフレームの加工が始まることになる。この機械加工は、エッチング又は機械的なスタンピングによるものであってよく、約400ミクロンのレベルの厚さの銅又は銅合金シート材料からリードフレームを形成することが好ましい。このリードフレーム材料の厚さは、好ましくは、カップアセンブリから過剰な熱を除去するための最適な熱伝導を考慮して選定される。例えば、大きなダイをカップアセンブリ内に設置すれば、小さなダイが使用する場合に比べて、多量の熱が生成されることになる。リードフレームの厚さを厚くすることにより、ランプからの伝導によるこの熱の除去が促進されることになる。この段階620において形成されるリードフレームの基本形状には、球面に変形され別個の導電体に分離される前の段階の導電体10、11、12、及び13が銅シート材料の周囲の支持フレーム内に含まれている。そして、段階625において、それぞれのリードフレームの中央の導電性部分(これは、導電体10、11、12、及び13になる)を、好ましくは、銀又はアルミニウムを使用して、約4〜8ミクロンの厚さにメッキする。このメッキは、少なくとも、カップを収容し、これと電気的に接触することになるリードフレームの中央部分に施すが、経済性や利便性を考慮し、リードフレームの上部表面の全体にわたって施すことも可能である。このメッキが完了すると、段階630において、リードフレームの中央の(メッキされている)部分に孔を生成する。これらの孔は、リードフレームの中央部分が球面形状となった後にカップを収容するための図2に示されている孔6を構成することになる。次に、段階635において、リードフレームの中央部分の孔のグループを互いに分離するべく、導電体10、11、及び12を分割する(導電体13は、好ましくは、段階620の一部として、既に分割済みである)。尚、この分割は、分割の際に導電体間に生成されるエッジの仕上げに更なる加工を要することにならないように、滑らか且つ正確な切断ツールを使用して実行することが好ましい。
この分割は、リードフレームの中央導電性部分における孔の所望のグループ分けに従って実行する。即ち、このグループ分けは、段階630において、この部分に形成した孔の数によって左右されることになる。好適な実施例においては、段階630において、9つの孔を形成しているが、例えば、図15に示されているものなどの別の実施例においては、内部に接合部を有するカップを収容するべく、リードフレーム内に異なる数の孔を形成可能である。この図15に示されている代替実施例の場合には、リードフレーム110の中央部分に形成された18個の孔120を具備しており、これらの孔は、導電体113、114、及び115上において3つの別個のグループにグループ分けされている。又、この分割段階635においては、後続のドーム形成段階640におけるリードフレーム材料の変形をも考慮しなければならない。例えば、導電体11内に形成された孔は、球面ドームを形成する際のメッキされたリードフレーム材料の変形に伴って、わずかに変形する(長くなって多少楕円形になる)傾向を有している。従って、この孔の形成及び分割段階630及び635は、例えば、導電体11上の孔を扁平な楕円形状に形成し、この結果、ドーム形成段階において、この孔が伸長して円形形状になるようにすることにより、ドーム形成の際の材料の変形を補償するべく、実行可能である。
そして、ドーム形成段階640は、リードフレームの中央部分に部分的な略球面の形状を提供するべく、なんらかの種類のプレスツールによって実行することが好ましい。
このドーム形成段階640に続いて、段階645においては、段階605〜段階615において形成したカップアセンブリ3をリードフレームに装着する。この装着は、例えば、高精度のロボット型の機械によって、カップアセンブリを孔6内に配置した後に、好ましくは、はんだ付け、溶接、又は導電性接着剤を使用して実行する。
カップアセンブリを孔の中に配置して固定した後に、前述のように、カップ内の接合部を導電体10、11、12、及び13に電気的に接続するべく、段階650において、ワイヤボンディングを実行する。このワイヤボンディングにおいては、好ましくは、既存の熱/音波溶接法を使用し、25〜50ミクロンのレベルの直径を具備する金線を使用する。尚、当産業分野においては、様々なワイヤ材料及びワイヤ直径を使用するその他の形態のボンディング法が一般的になっており、それらを採用することも可能である。
ワイヤボンディングの後に、段階655において、任意選択により、個別の接合部の上方に蛍光体を施す。これは、エポキシに蛍光体粉を均等に混合し、それぞれの接合部の上部発光表面上にエポキシを滴状で施すことにより、実行する。そして、段階660において、光学的に透明なエポキシ樹脂又は熱可塑性物質をリードフレームの中央部分に塗布し、これを包み込む。尚、段階655において、個別の接合部上に蛍光体を施さなかった場合には、この段階660において、リードフレームの中央部分を包み込むエポキシに蛍光体粉を混合することも可能である。エポキシ又は熱可塑性物質を塗布するには、リードフレームを反転させ、補完的な部分球面形状のモールド内に配置する。そして、このエポキシ樹脂又は熱可塑性物質が硬化又はその他の方法で凝固した後に、段階665において、リードフレームを互いに1つずつに分離するべく、リードフレームを加工する(これには、エポキシを塗布する前に、導電体を定位置に保持していたリードフレームの部分から導電体10、11、12、及び13をパンチングによって切り離す段階が含まれる)。又、この段階においては、導電体10、11、及び12を接続している(図面に明示されている)ウェブを、例えば、パンチングによって除去し、これにより、これらの導電体を互いに電気的に絶縁することも行われる。
図7〜図14は、以上のプロセスの各段階を示しており、次の表2と共に、好適な実施例による製造プロセスを示す役割を果たしている。次の表2は、前述の加工段階の中のいくつか、及び好適な方法、並びにこれらの段階における材料を要約したものである。
Figure 2005536870
図15は、その中央部分に配設された多数の孔120を具備するリードフレームの代替形態110を示している。導電体113、114、及び115は、それぞれ6つのカップアセンブリを支持しており、ランプが動作した際に、接合部からの光の略均等な分布を提供するべく構成されている。尚、導電体113、114、及び115上の孔のグループの正確な構成と場所は、所望の光出力パターンを実現するべく、必要に応じて、変更可能である。又、これらの孔120の数及び位置は、実際的な製造要件に応じても変更可能である。
図16は、カップアセンブリをリードフレーム110内の孔6又は120内に配置する図6の段階645に略対応するランプ製造プロセスの一部を示している。凹部120(孔6)内にカップアセンブリ3を配置できるように、キャリア119を横断してリードフレーム110を順番に処理する。このキャリア119は、リードフレームの部分球面及び参照マーカーと噛み合うように構築可能である。この噛み合い部分は、凸状リードフレームの凹状裏面に対して補完的な上昇した凸状面であるか、或いは凹状リードフレームの凸状裏面に対して補完的な凹状の窪みのいずれかであってよい。従って、このキャリア上の代替プロファイルを利用することにより、図2A及び図2Bに示されているものなどの凸状及び凹状ランププロファイルを構築可能である。キャリア119は、X軸を中心として旋回運動するべく、シャフト121上において回転可能であり、Y軸を中心として旋回運動するべく、シャフト122上においても回転可能であってよい。この結果、凹部内へのカップアセンブリ3の配置を円滑に実行するべく、リードフレーム110を取付ステーション(図示されてはいない)において位置決めし、取付ステーションに対してX又はY軸を中心として回転させることができる。或いは、この代わりに、適切なロボットメカニズムが提供されている場合には、キャリア119を定位置に固定し、ロボット型の配置機械により、リードフレームの中央部分の部分球面形状を考慮し、個々の凹部内にカップアセンブリ3を配置することも可能である。このような実施例においては、ロボット型の機械による位置較正のために、リードフレーム110上の外部エッジに沿って参照マーカーを提供する。
当業者には、本発明の精神と範囲を逸脱することなしに、前述の実施例に対する特定の変更又は機能拡張が明らかであろう。
カップの線形アレイの平面図。 カップの線形アレイの側面断面図。 カップの線形アレイの斜視図。 カップの挿入を示す凸形状のリードフレームの断面側面図。 カップの挿入を示す凹形状のリードフレームの側面断面図。 カップ及び中間導電体が取り付けられたリードフレームの平面図。 カップ及び中間導電体が取り付けられたリードフレームの側面断面図。 内部に取り付けられた発光接合部を有するカップアセンブリの一例の平面図。 内部に取り付けられた発光接合部を有するカップアセンブリの一例の側面断面図。 本発明の一実施例のランプの電気的な接続を示す回路図である。 本発明の実施例によるランプを製造する方法のプロセスフローチャートである。 図6のプロセスにおける1段階を示す図。 図6のプロセスにおける1段階を示す図。 図6のプロセスにおける1段階を示す図。 図6のプロセスにおける1段階を示す図。 図6のプロセスにおける1段階を示す図。 図6のプロセスにおける1段階を示す図。 図6のプロセスにおける1段階を示す図。 図6のプロセスにおける1段階を示す図。 本発明の更なる実施例による(分離前の)ランプリードフレームの代替形状を示す図。 一実施例によるランプ製造プロセスの一部を示す図。 更なる実施例によるランプの平面図。

Claims (50)

  1. ランプを製造する方法であって、
    個々の容器内に発光接合部を取り付ける段階と、
    三次元アレイを形成するべく、湾曲した支持構造上に前記容器を取り付ける段階と、
    前記発光接合部を前記支持構造と電気的に接続する段階と、
    を含む方法。
  2. 前記支持構造は、複数の導電体を含み、前記方法は、前記導電体の中の少なくとも1つを湾曲した構成に形成する段階を更に含む請求項1記載の方法。
  3. 前記導電体の中の少なくともいくつかは、部分球面構成に形成される請求項2記載の方法。
  4. 前記少なくともいつかの導電体は、凸状構成に形成される請求項3記載の方法。
  5. 前記少なくともいくつかの導電体は、凹状構成に形成される請求項3記載の方法。
  6. 前記発光接合部は、中間導電体により、前記少なくとも1つの湾曲した導電体に接続されている請求項2記載の方法。
  7. 前記複数の導電体のそれぞれは湾曲しており、該湾曲した導電体の中の1つは、二次元で湾曲しており、前記湾曲した導電体の中の残りのものは、三次元で湾曲している請求項6記載の方法。
  8. それぞれの接合部は、前記湾曲した導電体の中の2つに接続されている請求項7記載の方法。
  9. 接合部のグループ内を流れる電流をその他の接合部のグループ内を流れる電流とは別個に制御できるように、前記接合部が導電体に電気的に接続されている請求項2記載の方法。
  10. いずれかの接合部内を流れる電流をその他のすべての接合部内の電流から独立的に制御できるように、前記接合部が導電体に接続されている請求項2記載の方法。
  11. 前記容器は、予め形成されたカップである請求項1又は2記載の方法。
  12. 前記カップは、内部に取り付けられた個々の接合部から出力される光の方向を制御する光学導波器として機能する請求項11記載の方法。
  13. 前記カップは、一次元又は二次元アレイとして形成された後に、1つずつ分離される請求項11記載の方法。
  14. 前記カップは、前記支持構造内の個々の空洞内に取り付けられる請求項11記載の方法。
  15. 前記空洞は、前記支持構造内を延長する孔である請求項14記載の方法。
  16. 前記カップ内に設置された前記接合部は、それぞれのカップのフランジ上に取り付けられると共に該フランジから絶縁されている導電性領域に電気的に接続されている請求項11記載の方法。
  17. 装着された発光接合部を有する1つずつに分離されたカップは、テープ及びリール、又はその他のバルクパッケージ内にパッケージングされる請求項13記載の方法。
  18. 前記支持構造は、リードフレームとして形成される請求項1記載の方法。
  19. 前記支持構造は、
    (a)導電性プレートを既定の構成にスタンピングする段階と、
    (b)前記容器を収容するべく、前記導電性プレートの中央部分に空洞を形成する段階と、
    (c)前記中央部分上に湾曲した構成をプレス成形する段階と、
    によって形成される請求項18記載の方法。
  20. 前記中央部分は、前記プレス成形段階の前に、別個の導電体に分離される請求項19記載の方法。
  21. 前記中央部分は、銀又は銀合金によって被覆される請求項19記載の方法。
  22. 請求項1〜21の中のいずれか一項記載の方法によって形成されたランプ。
  23. 湾曲した導電性の支持構造と;
    三次元アレイを形成するべく、前記支持構造上に取り付けられた複数の容器と、
    個々の容器内に配設され、前記支持構造に電気的に接続された複数の発光接合部と、
    を含むランプ。
  24. それぞれの容器はカップである請求項23記載のランプ。
  25. それぞれのカップは、前記接合部から出力される光を導波するべく構成された側壁を具備し、前記カップは、熱的に結合された前記接合部から生成される熱を放散させるべく更に機能する請求項24記載のランプ。
  26. それぞれのカップは、電気的に絶縁性のレイヤを更に含み、該レイヤ上には、前記カップ内に取り付けられた前記発光接合部のボンディングワイヤと前記接合部を導電体に接続する中間接続間における電気的な接続を実現し、前記発光接合部を通じて電流が流れるようにするための導電性領域が提供されている請求項24記載のランプ。
  27. それぞれのカップは、内部に配設された前記接合部の極性を示すべく、その一側に向かって極性インジケータを有するように形成されている請求項24記載のランプ。
  28. 前記支持構造は、複数の導電体を含み、少なくとも1つの導電体は、湾曲しており、前記容器は、前記発光接合部が三次元アレイを形成するように、前記少なくとも1つの湾曲した導電体上に取り付けられている請求項23記載のランプ。
  29. 前記接合部の中の1つ又は複数のものは、その他の接合部とは異なる色の光を放射するべく適合されている請求項22又は23記載のランプ。
  30. 前記発光接合部は、中間導電体によって前記少なくとも1つの湾曲した導電体に接続されている請求項28記載のランプ。
  31. 前記複数の導電体のそれぞれは、湾曲しており、該湾曲した導電体の中の1つは、二次元で湾曲しており、前記湾曲した導電体の中の残りのものは、三次元で湾曲している請求項30記載のランプ。
  32. それぞれの接合部は、前記湾曲した導電体の中の2つに電気的に接続されている請求項31記載のランプ。
  33. 接合部のグループ内を流れる電流をその他の接合部のグループ内を流れる電流とは別個に制御できるように、前記接合部が導電体に電気的に接続されている請求項23記載のランプ。
  34. いずれかの接合部内を流れる電流をその他のすべての接合部内の電流から独立的に制御できるように、前記接合部が導電体に接続されている請求項23記載のランプ。
  35. 前記カップは、前記支持構造内の個々の空洞内に取り付けられる請求項24記載のランプ。
  36. 前記空洞は、前記支持構造内を延長する孔である請求項35記載のランプ。
  37. 前記導電体の中の少なくともいくつかは、部分球面構成に形成される請求項28記載のランプ。
  38. 前記導電体の中の少なくともいくつかは、凸状構成に形成される請求項37記載のランプ。
  39. 前記導電体の中の少なくともいくつかは、凹状構成に形成される請求項37記載のランプ。
  40. 前記支持構造は、リードフレームとして形成される請求項23記載のランプ。
  41. 前記リードフレームは、銅又は銅合金から形成される請求項40記載のランプ。
  42. 前記リードフレームの少なくとも一部は、銀又は銀合金によって被覆される請求項41記載のランプ。
  43. 前記容器は、銅又は銅合金から形成されている請求項23記載のランプ。
  44. 前記容器は、銀又は銀合金によって被覆されている請求項43記載のランプ。
  45. 前記支持構造は、
    (a)導電性プレートを既定の構成にスタンピングする段階と、
    (b)前記導電性プレートの中央部分を銀又は銀合金によって被覆する段階と、
    (c)前記容器を収容するべく前記中央部分内に空洞を形成する段階と、
    (d)前記中央部分上に、湾曲した構成をプレス成形する段階と、
    によって形成される請求項40記載のランプ。
  46. 前記中央部分は、前記プレス成形段階の前に、別個の導電体に分離される請求項45記載のランプ。
  47. 複数の発光接合部を収容してランプを形成するリードフレームであって、
    湾曲した導電性の支持構造と、
    前記発光接合部が三次元アレイを形成するように、内部に配設された発光接合部を具備する個別の複数の容器を収容するための前記支持構造内の複数の空洞と、
    を含むリードフレーム。
  48. 前記支持構造は、
    (a)導電性プレートを既定の構成にスタンピングする段階と、
    (b)前記容器を収容するべく、前記導電性プレートの中央部分に空洞を形成する段階と、
    (c)前記中央部分上に、湾曲した構成をプレス成形する段階と、
    によって形成される請求項47記載のリードフレーム。
  49. 前記中央部分は、前記プレス成形段階の前に、別個の導電体に分離される請求項48記載のリードフレーム。
  50. 前記中央部分は、銀又は銀合金によって被覆される請求項48記載のリードフレーム。
JP2004514135A 2002-06-14 2003-06-11 ランプ及びランプの製造方法 Expired - Lifetime JP4620458B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AUPS2979A AUPS297902A0 (en) 2002-06-14 2002-06-14 A method of producing a lamp
AU2002950814A AU2002950814A0 (en) 2002-08-14 2002-08-14 A lamp and a method of producing a lamp
AU2003901114A AU2003901114A0 (en) 2003-03-12 2003-03-12 A lamp and a method of producing a lamp
PCT/AU2003/000724 WO2003107423A1 (en) 2002-06-14 2003-06-11 A lamp and method of producing a lamp

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008109234A Division JP2008205501A (ja) 2002-06-14 2008-04-18 Ledのパッケージ方法およびパッケージングされたled

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005536870A true JP2005536870A (ja) 2005-12-02
JP4620458B2 JP4620458B2 (ja) 2011-01-26

Family

ID=29740321

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004514135A Expired - Lifetime JP4620458B2 (ja) 2002-06-14 2003-06-11 ランプ及びランプの製造方法
JP2008109234A Pending JP2008205501A (ja) 2002-06-14 2008-04-18 Ledのパッケージ方法およびパッケージングされたled

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008109234A Pending JP2008205501A (ja) 2002-06-14 2008-04-18 Ledのパッケージ方法およびパッケージングされたled

Country Status (10)

Country Link
US (2) US7704762B2 (ja)
EP (2) EP1939939A3 (ja)
JP (2) JP4620458B2 (ja)
KR (1) KR20080064904A (ja)
CN (1) CN1663044A (ja)
AU (1) AU2003233248B2 (ja)
CA (2) CA2488904A1 (ja)
NZ (1) NZ531587A (ja)
TW (1) TWI297219B (ja)
WO (1) WO2003107423A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007123891A (ja) * 2005-10-27 2007-05-17 Lg Innotek Co Ltd 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
JP2008205501A (ja) * 2002-06-14 2008-09-04 Lednium Technology Pty Ltd Ledのパッケージ方法およびパッケージングされたled
JP2010506377A (ja) * 2006-05-03 2010-02-25 クリー インコーポレイテッド 複数素子ledランプパッケージ
US8362509B2 (en) 2009-08-04 2013-01-29 Cree, Inc. Solid state lighting device including heatsink formed by stamping and/or die shaping
JP2013026237A (ja) * 2011-07-14 2013-02-04 Sharp Corp 発光素子の生産装置およびその生産方法、発光モジュールの生産装置およびその生産方法、発光モジュール、光源装置、液晶表示装置

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7320632B2 (en) 2000-06-15 2008-01-22 Lednium Pty Limited Method of producing a lamp
AUPQ818100A0 (en) * 2000-06-15 2000-07-06 Arlec Australia Limited Led lamp
US20080102726A2 (en) * 2003-03-12 2008-05-01 Balu Jeganathan Lamp and a process for producing a lamp
US7211835B2 (en) * 2003-07-09 2007-05-01 Nichia Corporation Light emitting device, method of manufacturing the same and lighting equipment
US7575030B2 (en) * 2003-12-10 2009-08-18 Hutchinson Runflat device for a motor vehicle, and a mounted assembly incorporating it
CN100551180C (zh) * 2004-06-03 2009-10-14 皇家飞利浦电子股份有限公司 交流驱动发光二极管
TW200629596A (en) 2004-09-16 2006-08-16 Hitachi Aic Inc Reflector for led and led device
EP1825524A4 (en) * 2004-12-16 2010-06-16 Seoul Semiconductor Co Ltd CONNECTION GRID COMPRISING A THERMAL DISSIPATOR SUPPORT RING, METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-EMITTING DIODE HOUSING USING THE SAME, AND LIGHT-EMITTING DIODE HOUSING MADE THEREBY
US20060231848A1 (en) * 2005-04-14 2006-10-19 Chien-Kun Fu Light emitting diode package for enhancing light extraction
JP2007150080A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Mitsubishi Rayon Co Ltd 線状光源装置
US7960819B2 (en) * 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
US8044418B2 (en) 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
JP2008198807A (ja) * 2007-02-14 2008-08-28 Nichia Corp 半導体装置
US7918596B2 (en) 2007-04-20 2011-04-05 Federal Signal Corporation Warning light
MX2010004433A (es) 2007-10-25 2010-05-13 Lsi Industries Inc Reflector.
KR100998233B1 (ko) 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 led 패키지
CN102257317A (zh) * 2008-10-17 2011-11-23 发光装置公司 远程照明组件和方法
KR100928159B1 (ko) * 2008-12-24 2009-11-23 한성엘컴텍 주식회사 광원모듈과 이를 이용한 조명장치
KR200454746Y1 (ko) * 2009-06-26 2011-07-22 안대주 발광 소자를 포함하는 조명 장치
JP5612355B2 (ja) 2009-07-15 2014-10-22 株式会社Kanzacc メッキ構造及び電気材料の製造方法
KR101078642B1 (ko) 2009-08-25 2011-11-01 태산엘시디 주식회사 백라이트용 엘이디 모듈
CN102116455A (zh) * 2010-12-11 2011-07-06 郭小华 一种高效发光的led封装面
US9140441B2 (en) 2012-08-15 2015-09-22 Cree, Inc. LED downlight
US9797565B2 (en) 2012-10-31 2017-10-24 Thomas & Betts International Llc LED engine for emergency lighting
TWI474432B (zh) * 2012-11-15 2015-02-21 Lextar Electronics Corp 晶粒定位裝置、具有晶粒定位裝置的晶粒定位系統與發光二極體顯示板的晶粒定位方法
WO2015180978A1 (en) * 2014-05-30 2015-12-03 Koninklijke Philips N.V. Leds mounted on curved lead frame
CN107940270A (zh) * 2017-11-22 2018-04-20 江门市晶典照明有限公司 一种led灯带套管工作台
KR102653015B1 (ko) 2018-07-18 2024-03-29 삼성전자주식회사 발광 장치, 운송 수단용 헤드램프, 및 그를 포함하는 운송 수단
CN110808242B (zh) * 2019-11-20 2020-12-08 博兴战新产业发展有限公司 一种led灯串及其制造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001007406A (ja) * 1999-06-25 2001-01-12 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオード配列体

Family Cites Families (113)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3581162A (en) 1969-07-01 1971-05-25 Rca Corp Optical semiconductor device
JPS5026433B1 (ja) 1970-12-21 1975-09-01
US3821775A (en) * 1971-09-23 1974-06-28 Spectronics Inc Edge emission gaas light emitter structure
JPS48102585A (ja) 1972-04-04 1973-12-22
JPS5127988B2 (ja) 1972-09-05 1976-08-16
US3942185A (en) 1972-12-13 1976-03-02 U.S. Philips Corporation Polychromatic electroluminescent device
FR2248663B1 (ja) 1972-12-13 1978-08-11 Radiotechnique Compelec
JPS5310862Y2 (ja) 1972-12-28 1978-03-23
US3886681A (en) 1973-08-29 1975-06-03 Mattel Inc Control member for toy airplane
GB1522145A (en) 1974-11-06 1978-08-23 Marconi Co Ltd Light emissive diode displays
US4054814A (en) 1975-10-31 1977-10-18 Western Electric Company, Inc. Electroluminescent display and method of making
US4173035A (en) 1977-12-01 1979-10-30 Media Masters, Inc. Tape strip for effecting moving light display
US4255688A (en) 1977-12-15 1981-03-10 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Light emitter mounted on reflector formed on end of lead
US4271408A (en) 1978-10-17 1981-06-02 Stanley Electric Co., Ltd. Colored-light emitting display
JPS57156442A (en) 1981-03-23 1982-09-27 Kuraray Co Ltd Preparation of methyl lactate
US4467193A (en) 1981-09-14 1984-08-21 Carroll Manufacturing Corporation Parabolic light emitter and detector unit
DE3148843C2 (de) 1981-12-10 1986-01-02 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Mehrfach-Leuchtdiodenanordnung
US4473834A (en) 1982-04-19 1984-09-25 Rockwell International Corporation Light emitting transistor array
JPS5974687A (ja) 1982-10-21 1984-04-27 Idec Izumi Corp 発光ダイオ−ドランプ
FR2554606B1 (fr) 1983-11-04 1987-04-10 Thomson Csf Dispositif optique de concentration du rayonnement lumineux emis par une diode electroluminescente, et diode electroluminescente comportant un tel dispositif
JPS6132483A (ja) 1984-07-24 1986-02-15 Kimura Denki Kk Ledを用いた球状発光体
DE3438154C2 (de) 1984-10-18 1994-09-15 Teves Gmbh Alfred Rückleuchte für Kraftfahrzeuge
JPS61141165A (ja) * 1984-12-14 1986-06-28 Toshiba Corp 半導体装置用リ−ドフレ−ム
FR2588109B1 (fr) 1985-10-02 1987-12-11 Valancogne Pierre Dispositif de signalisation lumineuse
WO1987002846A1 (en) 1985-10-29 1987-05-07 Hopper William R Touch sensitive indicating light
JPH0680841B2 (ja) * 1986-04-07 1994-10-12 株式会社小糸製作所 照明装置
JPH0326536Y2 (ja) 1986-10-01 1991-06-07
US4914731A (en) 1987-08-12 1990-04-03 Chen Shen Yuan Quickly formed light emitting diode display and a method for forming the same
US4935665A (en) * 1987-12-24 1990-06-19 Mitsubishi Cable Industries Ltd. Light emitting diode lamp
DE3827083A1 (de) 1988-08-10 1990-02-15 Telefunken Electronic Gmbh Flaechenhafter strahler
DE3835942A1 (de) 1988-10-21 1990-04-26 Telefunken Electronic Gmbh Flaechenhafter strahler
US4893223A (en) 1989-01-10 1990-01-09 Northern Telecom Limited Illumination devices for inspection systems
US5055892A (en) 1989-08-29 1991-10-08 Hewlett-Packard Company High efficiency lamp or light accepter
DE4107526C2 (de) 1990-03-26 1996-04-11 Siemens Ag Lumineszenzdiodenvorrichtung mit Schutzeinrichtung zur Begrenzung des Durchlaßstromes bei anliegender Wechselspannung
US5083192A (en) * 1990-04-30 1992-01-21 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Cluster mount for high intensity leds
JP2535651B2 (ja) 1990-07-24 1996-09-18 株式会社東芝 半導体装置
KR950003955B1 (ko) 1990-09-07 1995-04-21 가부시키가이샤도시바 Led램프
US5119174A (en) 1990-10-26 1992-06-02 Chen Der Jong Light emitting diode display with PCB base
DE4124413A1 (de) 1991-07-23 1993-01-28 Bernd Herzhoff Subminiatur-hochleistungs-halbleiter-festkoerperlaser
FR2680859B1 (fr) 1991-09-02 1993-10-29 Valeo Vision Element optique de collimation et son element de support associe, notamment pour feu de signalisation de vehicule automobile.
FR2680862B1 (fr) 1991-09-02 1997-08-08 Valeo Vision Feu de signalisation a elements electroluminescents, notamment pour vehicule automobile.
JP3096824B2 (ja) 1992-04-17 2000-10-10 ローム株式会社 Led製造用フレームおよびこれを用いたledの製造方法
CA2152356C (en) 1992-12-24 2005-05-10 Robert Michael Pixel, video display screen and power delivery
JP3258738B2 (ja) * 1993-01-22 2002-02-18 三洋電機株式会社 発光ダイオード表示装置
US5534718A (en) 1993-04-12 1996-07-09 Hsi-Huang Lin LED package structure of LED display
FR2707222B1 (fr) 1993-07-07 1995-09-29 Valeo Vision Feu de signalisation perfectionné à diodes électroluminescentes.
US5404282A (en) 1993-09-17 1995-04-04 Hewlett-Packard Company Multiple light emitting diode module
DE9316106U1 (de) 1993-10-21 1994-02-03 Chang Fa Sheng Leuchtdiodenaufbau
US5561346A (en) 1994-08-10 1996-10-01 Byrne; David J. LED lamp construction
US5709453A (en) 1994-08-16 1998-01-20 Krent; Edward D. Vehicle lighting having remote light source
JP3033883B2 (ja) 1994-11-30 2000-04-17 ローム株式会社 発光表示装置
US5519596A (en) 1995-05-16 1996-05-21 Hewlett-Packard Company Moldable nesting frame for light emitting diode array
US5515253A (en) 1995-05-30 1996-05-07 Sjobom; Fritz C. L.E.D. light assembly
DE19549818B4 (de) * 1995-09-29 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
GB9605314D0 (en) 1996-03-13 1996-05-15 Toher C H Non-filament lights
US6034712A (en) * 1996-06-26 2000-03-07 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and image forming machine including it
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JP3752760B2 (ja) 1997-01-14 2006-03-08 豊田合成株式会社 発光ダイオード装置
JPH10242523A (ja) 1997-02-28 1998-09-11 Kouha:Kk 発光ダイオード表示装置およびそれを利用した画像表示装置
JP3948789B2 (ja) 1997-07-02 2007-07-25 シチズン電子株式会社 赤外線データ通信モジュール
US5962971A (en) 1997-08-29 1999-10-05 Chen; Hsing LED structure with ultraviolet-light emission chip and multilayered resins to generate various colored lights
JPH11163412A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Matsushita Electric Works Ltd Led照明装置
JP3454123B2 (ja) 1997-11-25 2003-10-06 松下電工株式会社 Led照明モジュール
JP3505985B2 (ja) 1997-11-25 2004-03-15 松下電工株式会社 Led照明モジュール
TW408497B (en) 1997-11-25 2000-10-11 Matsushita Electric Works Ltd LED illuminating apparatus
JP3618534B2 (ja) 1997-11-28 2005-02-09 同和鉱業株式会社 光通信用ランプ装置とその製造方法
JPH11177144A (ja) 1997-12-15 1999-07-02 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオード配列体
US6412971B1 (en) 1998-01-02 2002-07-02 General Electric Company Light source including an array of light emitting semiconductor devices and control method
US6068383A (en) 1998-03-02 2000-05-30 Robertson; Roger Phosphorous fluorescent light assembly excited by light emitting diodes
JP3114805B2 (ja) 1998-04-15 2000-12-04 日亜化学工業株式会社 面状光源及びそれを用いたディスプレイのバックライト、照光式操作スイッチ
FR2779508B1 (fr) 1998-06-03 2000-08-25 Valeo Vision Feu de signalisation a glace galbee, notamment feu stop complementaire, pour vehicule automobile
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6337953B1 (en) * 1998-11-16 2002-01-08 Konica Corporation Strobe device of lens-fitted film unit and production method of the strobe device
JP3366586B2 (ja) 1998-12-28 2003-01-14 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP3920486B2 (ja) 1999-02-23 2007-05-30 株式会社小糸製作所 車両用灯具
JP3447604B2 (ja) 1999-02-25 2003-09-16 株式会社シチズン電子 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
US6521916B2 (en) 1999-03-15 2003-02-18 Gentex Corporation Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity
DE19922176C2 (de) 1999-05-12 2001-11-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierte LED-Mehrfachanordnung und deren Verwendung in einer Beleuchtungseinrichtung
CN100426050C (zh) 1999-07-26 2008-10-15 拉博斯费尔株式会社 体积型透镜、发光体、照明器具及光信息系统
US6367949B1 (en) * 1999-08-04 2002-04-09 911 Emergency Products, Inc. Par 36 LED utility lamp
US20040120146A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-24 Cao Group, Inc Forensic light kit using semiconductor light source
US6971875B2 (en) * 1999-09-24 2005-12-06 Cao Group, Inc. Dental curing light
US7294364B2 (en) * 1999-09-24 2007-11-13 Cao Group, Inc. Method for curing composite materials
GB2356037B (en) 1999-11-03 2004-03-31 Page Aerospace Ltd A semiconductor light source
JP3696021B2 (ja) * 2000-01-20 2005-09-14 三洋電機株式会社 光照射装置
US6318886B1 (en) * 2000-02-11 2001-11-20 Whelen Engineering Company High flux led assembly
US6409938B1 (en) 2000-03-27 2002-06-25 The General Electric Company Aluminum fluoride flux synthesis method for producing cerium doped YAG
GB2361581A (en) 2000-04-20 2001-10-24 Lite On Electronics Inc A light emitting diode device
DE10025563B4 (de) * 2000-05-24 2005-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Modul für die Anordnung von elektrischen lichtemittierenden Elementen,integrierbar in ein Leuchtengehäuse,und Verfahren zur Herstellung eines derartigen Moduls
US7320632B2 (en) 2000-06-15 2008-01-22 Lednium Pty Limited Method of producing a lamp
AUPR570501A0 (en) * 2001-06-15 2001-07-12 Q1 (Pacific) Limited Led lamp
AUPQ818100A0 (en) 2000-06-15 2000-07-06 Arlec Australia Limited Led lamp
JP4432275B2 (ja) * 2000-07-13 2010-03-17 パナソニック電工株式会社 光源装置
DE20013605U1 (de) 2000-07-28 2000-12-28 Opto System Gmbh Längliche Lichtquelle
US6552368B2 (en) * 2000-09-29 2003-04-22 Omron Corporation Light emission device
TW521409B (en) 2000-10-06 2003-02-21 Shing Chen Package of LED
DE10051159C2 (de) * 2000-10-16 2002-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle
JP2001228812A (ja) * 2000-12-22 2001-08-24 Sharp Corp 表示器
EP1244152A3 (en) 2001-01-26 2008-12-03 Toyoda Gosei Co., Ltd. Reflective light emitting diode, reflective optical device and its manufacturing method
JP3920031B2 (ja) 2001-02-20 2007-05-30 株式会社小糸製作所 車両用灯具
US6541800B2 (en) * 2001-02-22 2003-04-01 Weldon Technologies, Inc. High power LED
US6874910B2 (en) * 2001-04-12 2005-04-05 Matsushita Electric Works, Ltd. Light source device using LED, and method of producing same
JP4905751B2 (ja) 2001-05-17 2012-03-28 株式会社吉田製作所 歯科用光照射器
DE20110289U1 (de) 2001-06-21 2001-08-23 Buechner Thomas Beleuchtungseinrichtung
JP4129570B2 (ja) * 2001-07-18 2008-08-06 ラボ・スフィア株式会社 発光ダイオード照明装置
US7055987B2 (en) * 2001-09-13 2006-06-06 Lucea Ag LED-luminous panel and carrier plate
US20050073846A1 (en) * 2001-09-27 2005-04-07 Kenji Takine Lightemitting device and method of manufacturing the same
US6599000B2 (en) 2001-10-15 2003-07-29 Steven T. Nolan Interior lamp for producing white light using bright white LEDs
JP4009097B2 (ja) 2001-12-07 2007-11-14 日立電線株式会社 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム
KR20080064904A (ko) * 2002-06-14 2008-07-09 레드니엄 테크놀로지 피티와이 리미티드 Led 패키징 방법 및 패키징된 led
US7234844B2 (en) * 2002-12-11 2007-06-26 Charles Bolta Light emitting diode (L.E.D.) lighting fixtures with emergency back-up and scotopic enhancement
US20040120151A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-24 Cao Group, Inc. Forensic light using semiconductor light source
US6903380B2 (en) * 2003-04-11 2005-06-07 Weldon Technologies, Inc. High power light emitting diode

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001007406A (ja) * 1999-06-25 2001-01-12 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオード配列体

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008205501A (ja) * 2002-06-14 2008-09-04 Lednium Technology Pty Ltd Ledのパッケージ方法およびパッケージングされたled
JP2007123891A (ja) * 2005-10-27 2007-05-17 Lg Innotek Co Ltd 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
US8963188B2 (en) 2005-10-27 2015-02-24 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting diode package and method of manufacturing the same
US9012947B2 (en) 2005-10-27 2015-04-21 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting diode package and method of manufacturing the same
US9054283B2 (en) 2005-10-27 2015-06-09 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting diode package and method of manufacturing the same
JP2010506377A (ja) * 2006-05-03 2010-02-25 クリー インコーポレイテッド 複数素子ledランプパッケージ
US8324635B2 (en) 2006-05-03 2012-12-04 Cree, Inc. Multi-element LED lamp package
US8629459B2 (en) 2006-05-03 2014-01-14 Cree, Inc. Multi-element LED lamp package
US8847242B2 (en) 2006-05-03 2014-09-30 Cree, Inc. Multi-element LED lamp
US8362509B2 (en) 2009-08-04 2013-01-29 Cree, Inc. Solid state lighting device including heatsink formed by stamping and/or die shaping
JP2013026237A (ja) * 2011-07-14 2013-02-04 Sharp Corp 発光素子の生産装置およびその生産方法、発光モジュールの生産装置およびその生産方法、発光モジュール、光源装置、液晶表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
NZ531587A (en) 2008-06-30
US20050285505A1 (en) 2005-12-29
CA2634288A1 (en) 2003-12-24
JP2008205501A (ja) 2008-09-04
CA2488904A1 (en) 2003-12-24
TW200405588A (en) 2004-04-01
EP1552560A4 (en) 2006-10-25
KR20080064904A (ko) 2008-07-09
EP1552560A1 (en) 2005-07-13
JP4620458B2 (ja) 2011-01-26
TWI297219B (en) 2008-05-21
WO2003107423A1 (en) 2003-12-24
AU2003233248A1 (en) 2003-12-31
EP1939939A3 (en) 2010-03-24
AU2003233248B2 (en) 2006-11-09
EP1939939A2 (en) 2008-07-02
CN1663044A (zh) 2005-08-31
US7704762B2 (en) 2010-04-27
US20100163913A1 (en) 2010-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4620458B2 (ja) ランプ及びランプの製造方法
US8343784B2 (en) Light emitting diode device, manufacturing method of the light emitting diode device and mounting structure of the light emitting diode device
US20110044044A1 (en) Lamp and a process for producing a lamp
JP4122742B2 (ja) 発光装置
WO2006104325A1 (en) Light emitting diode structure
JP2008546192A (ja) ケーシング本体およびケーシング本体の製造方法
US9615493B2 (en) Light emitting device, and method for manufacturing circuit board
US20220102599A1 (en) Deep molded reflector cup used as complete led package
KR20050020995A (ko) 램프 및 램프 제조방법
EP3951252A1 (en) Retrofit led lamp for a vehicle light
ZA200409679B (en) A lamp and method of producing a lamp
JP2007158086A (ja) Led素子の実装金属基板の形状及びled素子実装基板。
KR101937196B1 (ko) 엘이디 전구용 엘이디 모듈, 엘이디 모듈 어레이 및 그 제조방법
AU2004219544B2 (en) A lamp assembly and a process for producing a lamp assembly
JP2006261513A (ja) 発光素子実装用ホーロー基板、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060602

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090707

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20091007

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20091015

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100106

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100202

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100602

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20100720

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100928

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101028

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131105

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4620458

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term