JP3891400B2 - 発光ダイオード - Google Patents

発光ダイオード Download PDF

Info

Publication number
JP3891400B2
JP3891400B2 JP2001225211A JP2001225211A JP3891400B2 JP 3891400 B2 JP3891400 B2 JP 3891400B2 JP 2001225211 A JP2001225211 A JP 2001225211A JP 2001225211 A JP2001225211 A JP 2001225211A JP 3891400 B2 JP3891400 B2 JP 3891400B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting diode
light emitting
light
diode element
parabola
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2001225211A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003037294A (ja
Inventor
恵 堀内
忍 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Electronics Co Ltd
Original Assignee
Citizen Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Electronics Co Ltd filed Critical Citizen Electronics Co Ltd
Priority to JP2001225211A priority Critical patent/JP3891400B2/ja
Priority to US10/199,298 priority patent/US6700137B2/en
Priority to CNB021271178A priority patent/CN1225034C/zh
Publication of JP2003037294A publication Critical patent/JP2003037294A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3891400B2 publication Critical patent/JP3891400B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、表面実装型等の発光ダイオードに関し、特に反射部材を備えた発光ダイオードに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種の発光ダイオードとしては、例えば図11に示したものが知られている(特願平10−242526号に開示)。図11において、(a)は斜視図、(b)は断面図を示す。この発光ダイオードは、表面実装型の発光ダイオードを示したものであり、図11に示すようにガラスエポキシなどからなる基板101の上面にカソード電極パターン102とアノード電極パターン103が形成されている。これらの電極パターンは両側面及び四隅に形成されたスルーホール104を含めて裏面側まで延び、図11に示すようにそれぞれの裏面電極パターン102a、103aを形成している。
【0003】
カソード電極パターン102に発光ダイオード素子105がダイボンド固着されている。また、この発光ダイオード素子105を円の中心にしてその周囲を取り囲むように、円筒状の反射部材106が配置されている。この反射部材106の内周面107はすりばち状に傾斜しており、発光ダイオード素子105から側面方向に出た光108が内周面107に反射して上方向に向かうようになっている。上記発光ダイオード素子105とアノード電極パターン103との間は、前記反射部材106を跨いでボンデイングワイヤ109によって接続されている。そして、これら発光ダイオード素子105、反射部材106及びボンデイングワイヤ109を透光性樹脂110によって封止している。
【0004】
この透光性樹脂110は、半球形状のレンズ部110bを有し、レンズ部110bが上記内周面107に反射して上方向に向かう光108bを集光する。図12に示す116は上記の反射部材106の変形例でありその内周面117は放物面に近い球面状の窪みをなしている。反射部材として、前記反射部材116を用いた場合は、発光ダイオード素子105から側面方向に出た光108がその内周面117に反射して上方向に向かうとき、反射光が垂直で平行となり、レンズ部110bにおける集光性が更に向上する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記したような反射部材を備えた従来の表面実装型の発光ダイオードは発光ダイオード素子(105)から出た光の拡散を防ぎ、その光を比較的狭い範囲に集光するという点に関しては効果を有する。しかし、かかる従来の発光ダイオードも、その照明の目的によっては、以下に述べるような問題を有する。すなわち、スキャナーの照明に用いる場合、又はパネルのバックライトとして用いられるエッジライト方式の面状光源の発光源として発光ダイオードを用いる場合には、断面が線状又は線状に近い光束を発する発光ダイオードが望ましい。しかるに、上記の従来の発光ダイオードは、前記レンズ部110bを用いる場合も用いない場合も、反射部材の内周面(107、117)が垂直軸回りの回転体となっているため、反射後の光の光束の断面形状は略円形となり、長方形又は楕円のような、線形に近づけた光束の断面形状を得ることは困難であった。
【0006】
本発明は、反射部材を備えた従来の表面実装型等の発光ダイオードにおける上記した問題点を改善することを課題とする。そして本発明は反射部材を備えた表面実装型等の発光ダイオードにおいて、かかる課題を解決し、外部に出射する光の光束の断面が目的に応じた縦横比の線状の断面となるような発光ダイオードを提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するためにその第1の手段として本発明は、台座の上に1個の発光ダイオード素子および該発光ダイオード素子を取り囲む反射部材を搭載するとともに、この発光ダイオード素子の電極を前記台座又は反射部材に設けた端子に直接に又はボンデイングワイヤを介して接続し、発光ダイオード素子及び必要なボンデイングワイヤを透光性樹脂によって封止してなる発光ダイオードにおいて、前記反射部材の内面が略放物面よりなる反射面を有し、その反射面は直交するX、Y、Z軸に関し、XZ面での放物線の焦点P1の共通の原点P0からの距離p1と、YZ面での放物線の焦点P2の共通の原点P0からの距離p2とが、p1<p2の関係にあるように反射面を構成し、共通の原点P0からの距離pmがp1とp2の中間すなわちp1<pm<p2である位置において台座に発光ダイオード素子を固定することにより、発光ダイオード素子の発光の反射面による反射光をXZ面においてはZ軸に近づくように集光し、YZ面においてはZ軸から離れるように発散することを特徴とする。
【0008】
上記の課題を解決するためにその第2の手段として本発明は、Z軸周りの回転角に応じて、焦点の原点からの距離pが徐々にp1からp2となる放物線を有する略放物面よりなる反射面を有することを特徴とする。
【0009】
上記の課題を解決するためにその第2の手段として本発明は、台座の上に1個の発光ダイオード素子および該発光ダイオード素子を取り囲む反射部材を搭載するとともに、この発光ダイオード素子の電極を前記台座又は反射部材に設けた端子に直接に又はボンデイングワイヤを介して接続し、発光ダイオード素子及び必要なボンデイングワイヤを透光性樹脂によって封止してなる発光ダイオードにおいて、前記反射部材の内面が略放物面よりなる反射面を有し、その反射面は直交するX、Y、Z軸に関し、XZ面での放物線S11の原点の位置よりもYZ面での放物線S12の原点の位置をZ方向において下方にずらせて反射面を構成し、XZ面での放物線S11の焦点P1と原点の中間の位置において、台座に発光ダイオード素子を固定することにより、発光ダイオード素子の発光の反射面による反射光をXZ面においてはZ軸に近づくように集光し、YZ面においてはZ軸から離れるように発散することを特徴とする。
【0010】
上記の課題を解決するためにその第4の手段として本発明は、前記第3の手段において、
前記反射部材の内面の反射面のZ軸を含む断面の放物線の焦点距離は、その断面のZ軸の回りの回転に応じて変化することを特徴とする。
【0011】
上記の課題を解決するためにその第5の手段として本発明は、前記第4の手段において、前記反射部材の反射面の平面形状は略楕円又は略長方形であることを特徴とする。
【0012】
上記の課題を解決するためにその第6の手段として本発明は、前記第4の手段において、前記反射部材の反射面の平面形状は略長方形であり、中央より4隅に向かう稜線を有し、その反射面は反射面のZ軸を含む断面の放物線の焦点距離が、その断面のZ軸回りの回転に応じて、前記X方向の断面の放物線の焦点距離を超えることとなる反射面の領域を有し、その領域は前記稜線を含むことを特徴とする。
【0013】
上記の課題を解決するためにその第7の手段として本発明は、前記第3の手段において、前記反射部材の内面の反射面は第1の焦点距離を有する第1の放物面領域と、第2の焦点距離を有する第2の放物面領域とにより構成されていることを特徴とする。
【0014】
上記の課題を解決するためにその第8の手段として本発明は、前記第1の手段乃至第7の手段のいずれかにおいて、前記反射部材の内面の反射面のZ軸を含む、X方向の断面の放物線の焦点とY方向の断面の放物線の焦点の位置のズレは前記発光ダイオード素子のZ方向の厚味より小であることを特徴とする。
【0015】
上記の課題を解決するためにその第9の手段として本発明は、前記第1の手段乃至第8の手段のいずれかにおいて、前記反射部材の反射面は光沢Agメッキで覆われていることを特徴とする。
【0016】
上記の課題を解決するためにその第10の手段として本発明は、前記第1の手段乃至第9の手段のいずれかにおいて、前記発光ダイオード素子のアノード電極及びカソード電極の少なくとも一方は前記反射部材の反射面以外の部分に設けた端子を2次側として、ワイヤーボンデイングによりその端子に接続されることを特徴とする。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下に、図面に基づいて本発明に係る発光ダイオードの実施の形態を詳細に説明する。先ず、本発明の第1実施形態に係る表面実装型発光ダイオードに関する説明をするのであるが。これに先立ち本第1実施形態に利用する放物面の反射のその原理を、図1を用いて説明する。図1はXYZの直交座標系における放物線による反射の状態を示す図であり、(a)はXZ平面、(b)はYZ平面を示す。(a)において、放物線S1は X2=4pZ=4・p1・Z で表される。ここで原点P0から放物線S1の焦点P1までの焦点距離pは p=p1 となっている。ここで、焦点P1からの発光が放物線S1で反射されると実線で示すようにZ軸に平行な光線となるが、焦点P1よりも若干原点P0に近い点Pmから発した光は放物線S1で反射されると、点線で示すようにZ軸から遠ざかる方向(開いた方向)の光線となる。次に(b)においては放物線S2は Y2=4・p2・Z で表される。ここでp2は原点P0から放物線S2の焦点P2までの焦点距離であり、(a)における前記p1に対してp2<p1 となっており、これに伴い放物線S2の反射曲率(曲率半径の逆数)は放物線S1より大となっている。(b)において、焦点P2からの発光が放物線S2で反射されると実線で示すようにZ軸に平行な光線となるが、原点P0からみて焦点P2よりも若干遠い点Pmから発した光は放物線S21で反射されると、点線で示すようにZ軸に近よる方向(閉じた方向)の光線となる。
【0018】
このようにして、XZ面において放物線S1をなし、YZ面において放物線S2をなす反射部材において、Pmの位置を前記P1とP2の間の位置とし(すなわち原点P0とPmとの距離pmを p1<pm<p2 とし)、pmの位置に発光体を配置すれば、反射部材のX断面における反射光はZ軸に対し開いた方向となり、Y断面における反射光はZ軸に対し閉じた方向となる。
【0019】
以下に、上記の原理を利用した、本発明の第1実施形態に係る発光ダイオードを図面を用いて具体的に説明する。図2はその発光ダイオードに係る構造等を示す図であり、直交するXYZ軸に対し(a)はZ方向上面図、(b)はX断面図、(c)はY断面図である。図2において1は発光ダイオード素子、2はガラスエポキシなどからなる台座、3および4はそれぞれ台座2上面から下面にかけて設けられたカソード電極パターンおよびアノード電極パターンである。5は樹脂材等よりなる反射部材であり、外側は略直方体、内側は略すり鉢状となっており、略放物面よりなる反射面5aおよび段部5bおよび下方開放口5cを有している。ここで反射面5aの表面は光沢Agメッキで覆われている。前記反射部材5の段部5bから反射部材5の上面部、側面部を経てその下面部にまでカソード導通パターン6およびアノード導通パターン7が形成されている。
【0020】
反射部材5を前記段部5bを上にして台座2の上面に載置し、台座2に設けた前記カソード電極パター3が反射部材5のカソード導通パターン6と重なり、アノード電極パターン4がアノード導通パターン7と重なる位置において、図示しない絶縁性接着剤もしくは導電性接着剤によりこれらを接着することにより、台座2に反射部材5を固定する。発光ダイオード素子1を台座2上に接着し、そのカソード1kを反射部材5の段部5bに設けられたカソード導通パターンの端子部6bにボンデイングワイヤ8を介して接続する。アノード1aを反射部材5の段部5bに設けられたアノード導通パターン7の端子部7bにボンデイングワイヤ8を介して接続する。この際、前記段部5bに設けた端子部6b、7bがワイヤーボンデイングの2次側となる。ワイヤーボンデイングの終了後、発光ダイオード素子1およびボンデイングワイヤ8を被覆するようにして反射部材5の内側の凹部に透光性樹脂を充填することにより封止部材9を形成する。このようにして、表面実装型の発光ダイオード10が構成される。
【0021】
ここで、発光ダイオード10の長手方向に沿ったX断面においては、図2(b)に示すように、反射部材5の前記反射面5aの断面はP1を焦点とする放物線S1となっている(図1(a)参照)。発光ダイオード10の長手方向に直交するY断面においては、図2(c)に示すように、反射部材5の前記反射面5aの断面はP2を焦点とする放物線S2となっている(図1(b)参照)。ここで、図2(b)、(c)に示すように、反射面5aの前記座標原点P0の近傍の部分(点線で示される底部)は切り取られた状態にあり、実際には存在しない。すなわち、発光ダイオード素子1は台座2の上面に固着されるのであるが、その発光ダイオード素子1の反射部材5に対する位置は、すでに説明した図1(a)、(b)におけるPmに相当する位置にあり、すでに説明したように、原点P0との距離pmが前記焦点P1とP2の中間にある位置、すなわちp1<pm<p2となる位置に固定される。逆に言えば、このような関係が成り立つように、反射部材5の下部(点線に相当する部分)が切り取られた形状をなしている。
【0022】
上記した発光ダイオード10の構成において、発光ダイオード10が図示しないマザーボードに実装され、マザーボードに設けられた電源より、カソード電極パターン3、アノード電極パターン、ボンデイングワイヤー等を介して発光ダイオード素子1に所定の電流が流されると、発光ダイオード素子1が発光する。この発光により生ずる光は図2(b)に示すX断面においては、反射面5aの放物線物S1に反射され、すでに説明した原理により(図1(a)参照)実線の矢印で示すように、Z軸に対し平行よりも開いた方向に出射する。
【0023】
次に、図2(c)に示すY断面においては、反射面5aの放物線物S2に反射され、すでに説明した原理により(図1(b)参照)、実線の矢印で示すように、Z軸に対し平行よりも閉じた方向に出射する。このような反射面の性質により、発光ダイオード1から出光し反射面5aで反射された光の光束の断面12は図2(d)に示すように、X方向に長くY方向に短い略楕円又は長方形に近い断面となる。このようにして、本第1実施形態によれば、線状の光束を出射する線状光源としての発光ダイオードを実現することができる。なお、本第1実施形態においては図3(b)の線図Aに示すように図3(a)に示す座標のZ軸周りの回転角θに応じ、焦点の原点からの距離pが徐々に変化してp1(図2(b)の放物腺S1の焦点P1に対応)からp2(図2(c)の放物線S2の焦点P2に対応)となり、例えばθ=45oのときは焦点距離pはp1とp2の中間的な値となっている。
【0024】
以下に本発明の第2実施形態につき図面を用いて説明する。図4は本第2実施形態に係る発光ダイオードの反射部材15の形状を示す図である。図4の(a)は反射部材15の上面図、(b)はその斜視図である。図4に示すように、反射部材15の外形の形状は長方形であるが内側の反射面の形状は若干複雑であり、反射面は図1に示した焦点P1に対応する放物面よりなる第1の放物面領域15a1と、図1に示した焦点P2に対応する第2の放面領域15a2とよりなり、X軸に近い領域は第1の放物面領域15a1、Y軸に近い領域は第2の放物面領域15a2となっている。第1の放物面領域15a1と第2の放物面領域15a2の境界には段差部16ある。すなわち、第2の放物面領域15a2はこの段差部の分だけ、第1の放物面領域15a1よりも中心部に向かって突き出している。ここで15bは段部、15dは上端部である。なお、図4においては、便宜上、反射面におけるAg膜や、導通用の電極パターンの図示は省略してある。
【0025】
図5は図4に示す反射部材15を台座2上に取り付け、すでに説明した第1実施形態(図2)と同様にして、形成した発光ダイオード20の構成を示すものであり、(a)はX断面図、(b)はY断面図である。図5(a)のX断面の形状、寸法は図2(b)のX断面と同様であり、同様の反射作用をなす。図5(b)のY断面の形状、寸法は図2(c)のY断面と同様であり、同様の反射作用をなす。このような反射作用の結果、本第2実施形態においても、図2(d)に示したものと略同様の断面の線状の光束を出射することができる。なお、本第2実施形態においては図3の線図Bに示すように断面のZ軸周りの回転角θが変化しても焦点の原点からの距離pは所定角の範囲では一定であり、例えば略θ=35oを境としてp1(図5(a)の放物線S1の焦点P1に対応)からp2(図5(b)の放物線S2の焦点P2に対応)に不連続的に移行する。
【0026】
以下に本発明の第3実施形態につき図面を用いて説明する。図6は本第3実施形態の原理を示す図である。図6に示すように、X断面における放物線S11の焦点はP1でありその焦点距離(原点P0からの距離)はp1である。Y断面における放物線S12は前記X断面における放物線S11をd(d>p1とする。)だけ下方(Z方向)に平行移動させたものであり、その焦点P1の焦点距離はp1および曲率も放物線S11に等しくなっている。今、S11の焦点P1と原点P0の間の点PSを発光点とすると、PSから出た光がS11で反射されると、すでに説明した原理により、反射光は図の実線の矢印で示すようにZ軸に対し開いた方向に進む。PSから出た光がS12で反射されると、PSはS12に関してはその焦点P1よりも遠い位置にあるので、すでに説明した原理により、反射光は図の点線の矢印で示すようにZ軸に対し閉じる方向に進む。
【0027】
図7は図6に示した上記の原理を具体化した発光ダイオード30の構成を示す図であり、(a)はX断面図、(b)はY断面図である。図7において、25は反射部材25bは段部、25aはAg膜よりなる反射面である。(a)に示すX断面においては、反射面25aの放物線S11と発光ダイオード素子1の位置関係は、図6の放物線S11と発光点PSと同様の位置関係にあり、発光ダイオード素子1の発光は反射面25aで反射されZ軸に対し開く方向に進行する。(b)に示すY断面においては反射面25aの放物線S12と発光ダイオード素子1の位置関係は、図6の放物線S12と発光点PSと同様の位置関係にあり、発光ダイオード素子1の発光は反射面25aで反射されZ軸に対し閉じる方向に進行する。なお、本第3実施形態におけるその他の構成は、図2に示した第1実施形態と同様である。このようにして、本第3実施形態においても、第1実施形態と同様の断面が線状の光束を出射することができる。
【0028】
以下に本発明の第4実施形態につき図面を用いて説明する。本第4実施形態は上記の第1実施形態(図2参照)の変形例に係るものである。図8は本第4実施形態に係る発光ダイオード40の構成示す図であり、(a)は上面図、(b)はX断面図、(c)はY断面図である。図8に示すように、本第4実施形態に係る発光ダイオード40においては図2に示す第1実施形態に係る発光ダイオードのような台座(2)は省かれており、反射部材35に直接カソード電極パターン6およびアノード電極パターン7が設けられている。そして、反射部材35の底部35cは平面状をなし、底部35cにおいて、反射面35aのX断面の放物線の焦点P1とY断面の放物線の焦点P2の間の位置に発光ダイオード素子1が固着されている。発光ダイオード素子1のアノード1aおよびカソード1kはボンデイングワイヤ8によりそれぞれ、反射部材35の段部35bに設けたアノード電極パターンの端子部7bおよびカソード電極パターンの端子部6bに接続されている。他の構成に関しては、第1実施形態と同様である。本第4実施の形態も図2に示した第1実施形態と同様の原理により線状光源として、断面が線形の光束を出射する。更に、台座(2)その他の部材が不要となるので、小型化およびコスト低減に有利となる。
【0029】
以下に本発明の第5実施形態につき図面を用いて説明する。本第5実施形態はこれまでに説明した第1実施形態〜第4実施形態とその原理及び効果の点で共通の面もあるが、以下に述べるように異なった特徴を有する。図9は本第5実施形態の構成等を示す図であり、直交するXYZ軸に関し、(a)はZ方向上面図、(b)はX断面図、(c)は後述するr方向の断面図、(d)はY断面図である。図9において、45は反射部材、45aはAgメッキ層よりなる反射面、45bは反射部材45の段部、50は本第5実施形態に係る発光ダイオードである。その他の部材の記号については、図8に示した第4実施形態の場合と同様である。本発明の特徴は反射部材45の反射面45aの形状にある。すなわち、反射面45aの平面寸法は図9(a)に示すようにX方向に長い長方形をなし、その中央部より4隅に向けて稜線45rを有している。座標に示すrは稜線45の1つを通る断面の方向を示す。反射面45aのZ軸を含む断面の双曲線の焦点距離は、X軸からの角度θにより変化する。図3(c)の線図Cに示すようにθ=0oのときは、C1において双曲線の焦点距離pは p=p1 となる。これは図9(b)に示すX断面に対応し、双曲線S1はP1の位置に焦点を有している。(ここで、前記p1は原点P0と焦点P1の距離となる。)発光ダイオード素子1の発光点は焦点P1よりも若干原点P0に近い位置にあり、発光ダイオード素子1の出射光は反射面45aで反射されると、反射光はすでに説明した原理により、Z軸から開く方向に進む。
【0030】
焦点距離pはθが0oから増加して行くと、図3(c)に示すようにp1よりも増加して行き、略θ=30oのときにC3において最大値p3となる。このC3は図9(c)に対応する。ここでrZ平面は反射部面の稜線45を通る断面を示す。この場合、断面の双曲線はS3となり、焦点はP3(図3(c)の焦点距離p3に対応)となる。図9(c)に示すように、双曲線S3は図9(b)の双曲線S1に比べて、焦点距離が増加した分、傾斜が緩やかになっている。また、発光ダイオード素子1の発光点は焦点P3からかなり離れて原点P0側に寄った位置にある。よって、発光ダイオード素子1の出射光は反射面45aで反射されると、反射光は図9(b)の場合よりも更にZ軸から開く方向に進む。
【0031】
次に、θが更に増加すると図3(c)のCに示すように焦点距離pはp3の状態から減少しはじめ、p1以下となり、略θ=90oのときにC2において最小値p2となる。これは、図9(d)のY断面図に対応する。この場合の反射面45aの放物線はS2であり、その焦点はP2である。焦点距離がp2である焦点P2は、発光ダイオード素子1の発光点よりも原点P0に近い位置にある。よって、すでに説明した原理により、発光ダイオード素子1の出射光は反射面45aで反射されると、反射光はZ軸に向かって閉じる方向に進む。この状態からθが更に増加すると図3(c)に示すように、焦点距離pは増加に転じ、p1を超えp3に達する。このようにして、本第5実施形態においては、図3(c)のハッチングで示す部分Chにおいて、焦点距離pがX断面の焦点距離p1を超える部分が存在する。このため、図9(a)に示す稜線45rの近傍であるコーナー部周辺においては断面の放物線の焦点距離が大となり、反射光は図9(c)と同様にZ軸からかなり開いた方向に進行する。よって、図9に示す発光ダイオード50の出射光のスポット(又は光束の断面)は図9(e)の12に示すように、そのコーナー部まで十分に光が行きわたり、線状(又は長方形状)で輝度の均一な照明を行うことができる。
【0032】
以下に本発明の第6実施形態につき図面を用いて説明する。本第6実施形態は上記の第1実施形態の変形例に係るものである。図10は本第6実施形態に係る発光ダイオード60の構成示すX断面図である。図10に示すように、本第6実施形態は図2に示す第1実施形態に比較して、反射部材5に設けたカソード導通パターンが省いてある。そして、発光ダイオード素子1のカソードが台座2に設けられたカソード電極パターン3上にダイボンドにより接合され、発光ダイオード素子のアノード1aがボンデイングワイヤ8によりアノード導通7の端子部7bに接続されている。他の構成に関しては第1実施形態と同様である。本第6実施形態も図1に示した第1実施形態と同様の原理により線状光源として、断面が線形の光束を出射する。そして更に、部品点数を減少するとともに、ワイヤーボンデイングの工数を低減することができる。
【0033】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によれば光束の断面が線状である光を出射する発光ダイオードの線状光源を、小型で簡単な構成において実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理を説明する図である。
【図2】本発明の第1実施形態に係る発光ダイオードの構成等を示す図である。
【図3】本発明に係る反射部材の放物線の焦点距離の変化を示す図である。
【図4】本発明の第2実施形態に係る発光ダイオードの反射部材の形状を示す図である。
【図5】本発明の第2実施形態に係る発光ダイオードの構成を示す図である。
【図6】本発明の第3実施形態に係る発光ダイオードの作用原理を示す図である。
【図7】本発明の第3実施形態に係る発光ダイオードの構成を示す図である。
【図8】本発明の第4施形態に係る発光ダイオードの構成を示す図である。
【図9】本発明の第5実施形態に係る発光ダイオードの構成を示す図である。
【図10】本発明の第6実施形態に係る発光ダイオードの構成を示す図である。
【図11】従来の発光ダイオードの構成を示す図である。
【図12】 従来の発光ダイオードに使用する反射部材の形状を示す図である。
【符号の説明】
1 発光ダイオード素子
2 台座
3 カソード電極パターン
4 アノード電極パターン
5、15,25、35、45 反射部材
5a 反射面
5b 段部
6 カソード導通パターン
7 アノード導通パターン
8 ボンデイングワイヤ
9 封止部材
10、20、30、40、50、60 発光ダイオード

Claims (3)

  1. 台座の上に1個の発光ダイオード素子および該発光ダイオード素子を取り囲む反射部材を搭載するとともに、この発光ダイオード素子の電極を前記台座又は反射部材に設けた端子に直接に又はボンデイングワイヤを介して接続し、発光ダイオード素子及び必要なボンデイングワイヤを透光性樹脂によって封止してなる発光ダイオードにおいて、前記反射部材の内面が略放物面よりなる反射面を有し、その反射面は直交するX、Y、Z軸に関し、XZ面での放物線の焦点P1の共通の原点P0からの距離p1と、YZ面での放物線の焦点P2の共通の原点P0からの距離p2とが、p1<p2の関係にあるように反射面を構成し、共通の原点P0からの距離pmがp1とp2の中間すなわちp1<pm<p2である位置において台座に発光ダイオード素子を固定することにより、発光ダイオード素子の発光の反射面による反射光をXZ面においてはZ軸に近づくように集光し、YZ面においてはZ軸から離れるように発散することを特徴とする発光ダイオード。
  2. Z軸周りの回転角に応じて、焦点の原点からの距離pが徐々にp1からp2となる放物線を有する略放物面よりなる反射面を有することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
  3. 台座の上に1個の発光ダイオード素子および該発光ダイオード素子を取り囲む反射部材を搭載するとともに、この発光ダイオード素子の電極を前記台座又は反射部材に設けた端子に直接に又はボンデイングワイヤを介して接続し、発光ダイオード素子及び必要なボンデイングワイヤを透光性樹脂によって封止してなる発光ダイオードにおいて、前記反射部材の内面が略放物面よりなる反射面を有し、その反射面は直交するX、Y、Z軸に関し、XZ面での放物線S11の原点の位置よりもYZ面での放物線S12の原点の位置をZ方向において下方にずらせて反射面を構成し、XZ面での放物線S11の焦点P1と原点の中間の位置において、台座に発光ダイオード素子を固定することにより、発光ダイオード素子の発光の反射面による反射光をXZ面においてはZ軸に近づくように集光し、YZ面においてはZ軸から離れるように発散することを特徴とする発光ダイオード。
JP2001225211A 2001-07-25 2001-07-25 発光ダイオード Expired - Lifetime JP3891400B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001225211A JP3891400B2 (ja) 2001-07-25 2001-07-25 発光ダイオード
US10/199,298 US6700137B2 (en) 2001-07-25 2002-07-22 Light emitting diode device
CNB021271178A CN1225034C (zh) 2001-07-25 2002-07-25 发光二极管器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001225211A JP3891400B2 (ja) 2001-07-25 2001-07-25 発光ダイオード

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003037294A JP2003037294A (ja) 2003-02-07
JP3891400B2 true JP3891400B2 (ja) 2007-03-14

Family

ID=19058239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001225211A Expired - Lifetime JP3891400B2 (ja) 2001-07-25 2001-07-25 発光ダイオード

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6700137B2 (ja)
JP (1) JP3891400B2 (ja)
CN (1) CN1225034C (ja)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004047748A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
JP3948417B2 (ja) * 2003-02-28 2007-07-25 ノーリツ鋼機株式会社 光源ユニット
US7718451B2 (en) * 2003-02-28 2010-05-18 Osram Opto Semiconductor Gmbh Method for producing an optoelectronic device with patterned-metallized package body and method for the patterned metalization of a plastic-containing body
JP4603368B2 (ja) * 2003-02-28 2010-12-22 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 構造化された金属被覆を施されたパッケージボディを有するオプトエレクトロニクス素子、この種の素子を製作する方法、およびプラスチックを含むボディに、構造化された金属被覆を施す方法
US20040173808A1 (en) * 2003-03-07 2004-09-09 Bor-Jen Wu Flip-chip like light emitting device package
DE102004001312B4 (de) * 2003-07-25 2010-09-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Chip-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP2005056941A (ja) * 2003-08-07 2005-03-03 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
EP1512578A1 (en) 2003-09-02 2005-03-09 3M Innovative Properties Company Lit and retro-reflective optical device
DE102004040468B4 (de) * 2004-05-31 2022-02-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Gehäuse-Grundkörper für ein derartiges Bauelement
JP5366399B2 (ja) * 2004-05-31 2013-12-11 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 光電子半導体構成素子及び該構成素子のためのケーシング基体
WO2006030671A1 (ja) * 2004-09-16 2006-03-23 Hitachi Aic Inc. Led用反射板およびled装置
JP2006114854A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Sharp Corp 半導体発光装置、液晶表示装置用のバックライト装置
CN100405621C (zh) * 2005-09-29 2008-07-23 上海乐金广电电子有限公司 白色光源的制造方法
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
TW201448263A (zh) 2006-12-11 2014-12-16 Univ California 透明發光二極體
US7652297B2 (en) * 2007-09-11 2010-01-26 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting device
US9135837B2 (en) * 2007-11-16 2015-09-15 Intellectual Discovery Co., Ltd. Illumination assembly having multiple reflective cavities each with a single emitter
US8101962B2 (en) * 2009-10-06 2012-01-24 Kuang Hong Precision Co., Ltd. Carrying structure of semiconductor
JP5678434B2 (ja) * 2010-02-12 2015-03-04 東芝ライテック株式会社 反射型led照明装置
CN102339927A (zh) * 2010-07-27 2012-02-01 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
KR20130022052A (ko) * 2011-08-24 2013-03-06 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 조명 장치
WO2013073897A2 (ko) * 2011-11-17 2013-05-23 주식회사 루멘스 발광소자 패키지 및 이를 구비하는 백라이트 유닛
JP6168096B2 (ja) 2015-04-28 2017-07-26 日亜化学工業株式会社 発光装置、パッケージ及びそれらの製造方法
CN106340503B (zh) * 2015-07-10 2021-03-23 普因特工程有限公司 包括半球形腔的芯片原板及芯片基板
KR101768371B1 (ko) 2016-04-20 2017-08-16 조성은 표면 실장을 통한 리플렉터와 발광소자의 패키지 구조
WO2020185866A1 (en) * 2019-03-11 2020-09-17 Lumileds Llc Light extraction bridge in cups

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1898167A (en) * 1930-05-06 1933-02-21 Ivan L Bean Reflector
JPH0951124A (ja) * 1995-08-07 1997-02-18 Stanley Electric Co Ltd チップマウントled素子
DE19549818B4 (de) * 1995-09-29 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
JPH09116187A (ja) * 1995-10-16 1997-05-02 Stanley Electric Co Ltd 完全同軸複合光素子
JPH10335709A (ja) * 1997-05-29 1998-12-18 Yazaki Corp 発光ダイオードチップのランプハウス
JPH11340517A (ja) * 1998-05-22 1999-12-10 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP4171107B2 (ja) * 1998-07-09 2008-10-22 スタンレー電気株式会社 面状光源
JP2000114604A (ja) * 1998-09-30 2000-04-21 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子アレイおよびその製造方法
JP2000321666A (ja) * 1999-05-11 2000-11-24 Ricoh Co Ltd 反射鏡、光源装置、照明装置及び液晶プロジェクタ

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003037294A (ja) 2003-02-07
US20030020077A1 (en) 2003-01-30
CN1225034C (zh) 2005-10-26
US6700137B2 (en) 2004-03-02
CN1399355A (zh) 2003-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3891400B2 (ja) 発光ダイオード
US6833566B2 (en) Light emitting diode with heat sink
JP4182783B2 (ja) Ledパッケージ
JP4288481B2 (ja) 発光ダイオード
JP3753011B2 (ja) 反射型発光ダイオード
US6707069B2 (en) Light emission diode package
KR100927077B1 (ko) 광 반도체 장치 및 광 반도체 장치의 제조 방법
US20020084462A1 (en) Light emission device
JP4082544B2 (ja) 裏面実装チップ型発光装置
WO2007015606A1 (en) Light emitting device with a lens of silicone
JP2003124522A (ja) 発光ダイオード
JP2001036147A (ja) 発光ダイオード
JP5167099B2 (ja) 照明装置
JP2003158302A (ja) 発光ダイオード
WO2012081141A1 (ja) 半導体発光装置
JP2007142289A (ja) 発光装置
JP2003152226A (ja) 発光装置
WO2005048360A1 (ja) 発光素子の外囲器およびその製造方法
JP2008108942A (ja) 光源装置
JP2002270902A (ja) 発光ダイオード
CN210325851U (zh) Led封装结构
KR101309762B1 (ko) 하향 반사부를 갖는 led 패키지
JP2005167174A (ja) 発光素子の外囲器
KR101337601B1 (ko) 하향 반사부를 갖는 led 패키지
JPS61147586A (ja) 発光ダイオ−ド

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040422

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20051114

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060802

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060829

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061023

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20061129

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061130

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3891400

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121215

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151215

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term