CN109192838A - 一种紫外led光源模组制造方法 - Google Patents
一种紫外led光源模组制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109192838A CN109192838A CN201810928353.6A CN201810928353A CN109192838A CN 109192838 A CN109192838 A CN 109192838A CN 201810928353 A CN201810928353 A CN 201810928353A CN 109192838 A CN109192838 A CN 109192838A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- chip
- processing
- die bond
- method described
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 claims abstract description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 15
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 241000218202 Coptis Species 0.000 claims description 3
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 claims description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010147 laser engraving Methods 0.000 claims description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供一种紫外LED光源模组制造方法,包括以下步骤:步骤1:在基板上根据电路结构设计PCB图,再根据PCB图加工出通线槽以及芯片固晶位置;步骤2:在芯片固晶位置和通线槽内以及在基板的另一侧涂上导电胶;步骤3:电镀处理;步骤4:阻焊处理;步骤5:再在基板两面涂上导电胶;步骤6:二次电镀处理,镀层的厚度由透镜安装的深度决定;步骤7:在基板芯片固晶位置由固晶机自动进行芯片固晶处理,将芯片脚与线槽内的线路由自动焊接机智能焊接;步骤8:透镜安装,同时抽真空处理;芯片采用陶瓷基板散热,其光电转换效率提高50%左右,芯片电流密度提高一倍以上,出光功率增大50%以上。
Description
技术领域
本发明涉及紫外(UV)LED固化技术领域,特别涉及一种紫外LED光源模组制造方法。
背景技术
紫外(UV)-LED模组封装有多种封装材料和工艺,有铜基板模组、铝基板模组、超导铝基板模组等等;但是基本上都是压合型的,即芯片绑定在基板上,然后用金属透镜盖板采用胶水固化,将盖板与基板压合在一起。但是纵观这些压合的模组,基本都存在相同的问题:1、胶水老化,金属透镜盖板脱落;2、气密性差,容易漏气;3、光衰严重,灯珠使用寿命短;4、芯片功率上不去,一般只能达到芯片设计功率的50%。
发明内容
为解决以上技术问题,本发明提供一种紫外LED光源模组制造方法,包括以下步骤:
步骤1:在基板上根据电路结构设计PCB图,再根据PCB图加工出通线槽以及芯片固晶位置;
步骤2:在芯片固晶位置和通线槽内以及在基板的另一侧涂上导电胶;
步骤3:电镀处理;
步骤4:阻焊处理;
步骤5:再次在基板两面涂上导电胶;
步骤6:二次电镀处理,镀层的厚度由透镜安装的深度决定;
步骤7:在基板芯片固晶位置由固晶机自动进行芯片固晶处理,将芯片脚与线槽内的线路由自动焊接机智能焊接;
步骤8:透镜安装,同时抽真空处理;芯片经过陶瓷基板散热;
以上步骤中的基板采用陶瓷板。
进一步地,所述陶瓷板的厚度为0.5-0.8mm。
进一步地,以上步骤2中加工通线槽以及芯片固晶位置采用激光雕刻。
进一步地,步骤3以及步骤6中电镀处理采用铜进行电镀。
进一步地,所述铜是紫铜。进一步地,步骤7中焊接采用金线焊接。
进一步地,透镜安装后用点胶固定,同时抽真空处理,所述高温烘烤处理,使透镜完全与基板粘合。
进一步地,步骤8后,采用酒精或者纯水进行气密测试,检测是否有漏气问题。
进一步地,气密测试后,烘干处理。
进一步地,烘干处理后,终测、品检、成品包装入库。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
陶瓷基板的散热要比现有技术的超导铝基板好,陶瓷基板的绝缘性能要比铜基板材料好,在芯片允许的最大电流范围内,电流越大光功率越高,所以本发明陶瓷基板的应用可以提高LED模组的功率,由于现有技术中采用胶水将透镜安装在基板上,胶水易老化,透镜脱落,本发明采用高温烘烤处理,使透镜完全与基板粘合,进而气密性完好,减少光衰,提高了灯珠的寿命。
附图说明
图1为实施例基板的结构图;
图2为实施例基板雕刻出线槽后的结构图;
图3为实施例基板经过阻焊处理后的结构图;
图4为实施例灯杯的结构图;
图5为将灯杯安装在基板上的结构图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明提供一种紫外LED光源模组制造方法,以图1所示的基板为例,以下详细介绍本发明具体方案:
步骤1:在基板上根据电路结构设计PCB图,再根据PCB图加工出通线槽以及芯片固晶位置;优先地,基板采用陶瓷板,厚度为0.5-0.8mm;优先地,采用激光雕刻;图2为基板1雕刻线槽11后的结构图。
步骤2:在芯片固晶位置和通线槽内以及在基板的另一侧涂上导电胶;
步骤3:电镀处理,进一步地进行电镀铜处理;优先地,铜采用紫铜;
步骤4:阻焊处理,图3为基板1经过阻焊处理后的结构图。
步骤5:在基板上两面进行涂上导电胶。
步骤6:二次电镀处理,镀层的厚度由透镜安装的深度决定;采用铜电镀;优先地,铜采用紫铜;
步骤7:在基板芯片固晶位置由固晶机自动进行芯片固晶处理,将芯片脚与线槽内的线路由自动焊接机智能焊接;优先地,采用金线焊接。
步骤8:通电测试,以检测芯片与线槽的线路之间是否焊接好。
步骤9:点胶及透镜安装,同时抽真空处理,高温烘烤处理,使透镜完全与基板粘合。
首先加工如图4所示的灯杯2,其中,图4a为灯杯2主视图,图4b为图4a中A截面剖视图,如图4a所示,在灯杯2上加工有安装透镜的安装孔21,如图4b所示,在安装孔21内加工有灯杯台阶22,灯杯台阶22的厚度为0.4mm。然后,透镜3安装在灯杯2形成一个整体。最后将灯杯2安装在基板1上,图5为将灯杯安装在基板1上的结构图。
步骤10:气密测试;优先地采用酒精或纯水浸泡测试,检测是否有漏气问题。
步骤11:烘干处理。
步骤12:终测、品检。
步骤11:成品包装入库。
为了更好说明本发明的有益效果:
以下对不同材料的基板进行测试得到下表;
表1
从表1可以看出:陶瓷基板的散热要比超导铝以及铜材料基板好,在芯片允许的最大电流范围内,电流越大光功率越高,所以本发明陶瓷基板的应用可以提高LED模组的功率,现有技术中为了提高LED模组功率,会选择高性能的芯片,但是高性能的芯片无疑会使得成本上升,其他材料成本也随之增加。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种紫外LED光源模组制造方法,包括以下步骤:
步骤1:在基板上根据电路结构设计PCB图,再根据PCB图加工出通线槽以及芯片固晶位置;
步骤2:在芯片固晶位置和通线槽内以及在基板的另一侧涂上导电胶;
步骤3:电镀处理;
步骤4:阻焊处理;
步骤5:再次在基板两面涂上导电胶;
步骤6:二次电镀处理,镀层的厚度由透镜安装的深度决定;
步骤7:在基板芯片固晶位置进行芯片固晶处理,将芯片脚与线槽内的线路焊接;
步骤8:透镜安装,同时抽真空处理;芯片经过陶瓷基板散热;
其特征在于:以上步骤中的基板采用陶瓷板。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述陶瓷板的厚度为0.5-0.8mm。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:以上步骤2中加工通线槽以及芯片固晶位置采用激光雕刻。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤3以及步骤6中电镀处理采用铜进行电镀。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于:所述铜是紫铜。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤7中焊接采用金线焊接。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:透镜安装后用点胶固定,同时抽真空处理,所述高温烘烤处理,使透镜完全与基板粘合。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤8后,采用酒精或者纯水进行气密测试,检测是否有漏气问题。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于:气密测试后,烘干处理。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于:烘干处理后,终测、品检、成品包装入库。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810928353.6A CN109192838A (zh) | 2018-08-15 | 2018-08-15 | 一种紫外led光源模组制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810928353.6A CN109192838A (zh) | 2018-08-15 | 2018-08-15 | 一种紫外led光源模组制造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109192838A true CN109192838A (zh) | 2019-01-11 |
Family
ID=64935913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810928353.6A Pending CN109192838A (zh) | 2018-08-15 | 2018-08-15 | 一种紫外led光源模组制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109192838A (zh) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1898809A (zh) * | 2004-09-16 | 2007-01-17 | 日立Aic株式会社 | Led反射板及led器件 |
JP2011151347A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-08-04 | Hitoshi Arai | 発光ダイオード回路基板の製造方法。 |
CN202217662U (zh) * | 2011-08-31 | 2012-05-09 | 江西华烨节能照明股份有限公司 | 一种陶瓷自散热led光源模组 |
WO2014196711A1 (ko) * | 2013-06-07 | 2014-12-11 | 주식회사 이티엘 | 하이브리드 방열베이스 및 인서트 사출을 이용한 인쇄회로 필름 부착 방식의 엘이디 조명 제조 방법 및 이를 이용한 엘이디 조명 장치 |
CN107146788A (zh) * | 2017-05-22 | 2017-09-08 | 华中科技大学鄂州工业技术研究院 | 一种大功率深紫外led光源模组及其制备方法 |
CN207082543U (zh) * | 2017-08-03 | 2018-03-09 | 东莞市鸿日电子有限公司 | 一种uvled芯片固晶封装结构 |
CN207145994U (zh) * | 2017-08-03 | 2018-03-27 | 东莞市鸿日电子有限公司 | 一种uvled集成模组 |
-
2018
- 2018-08-15 CN CN201810928353.6A patent/CN109192838A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1898809A (zh) * | 2004-09-16 | 2007-01-17 | 日立Aic株式会社 | Led反射板及led器件 |
JP2011151347A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-08-04 | Hitoshi Arai | 発光ダイオード回路基板の製造方法。 |
CN202217662U (zh) * | 2011-08-31 | 2012-05-09 | 江西华烨节能照明股份有限公司 | 一种陶瓷自散热led光源模组 |
WO2014196711A1 (ko) * | 2013-06-07 | 2014-12-11 | 주식회사 이티엘 | 하이브리드 방열베이스 및 인서트 사출을 이용한 인쇄회로 필름 부착 방식의 엘이디 조명 제조 방법 및 이를 이용한 엘이디 조명 장치 |
CN107146788A (zh) * | 2017-05-22 | 2017-09-08 | 华中科技大学鄂州工业技术研究院 | 一种大功率深紫外led光源模组及其制备方法 |
CN207082543U (zh) * | 2017-08-03 | 2018-03-09 | 东莞市鸿日电子有限公司 | 一种uvled芯片固晶封装结构 |
CN207145994U (zh) * | 2017-08-03 | 2018-03-27 | 东莞市鸿日电子有限公司 | 一种uvled集成模组 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1222051C (zh) | 照明装置的制造方法 | |
CN102032483B (zh) | Led面光源 | |
CN201868429U (zh) | 一种内嵌式发光二极管封装结构 | |
CN107146788A (zh) | 一种大功率深紫外led光源模组及其制备方法 | |
CN102064247A (zh) | 一种内嵌式发光二极管封装方法及封装结构 | |
CN101452975A (zh) | 晶片级封装的发光二极管芯片及其制作方法 | |
CN107275463A (zh) | 一种新型led封装制作技术 | |
CN2935474Y (zh) | 功能照明型发光二极管 | |
CN202534686U (zh) | Cob封装led光源模块 | |
CN103363357A (zh) | 一种具有良好散热效果的led光源 | |
CN1929120A (zh) | 堆叠型芯片封装结构、芯片封装体及其制造方法 | |
CN109192838A (zh) | 一种紫外led光源模组制造方法 | |
CN101814574A (zh) | 一种发光二极管基板散热结构及其制作方法 | |
CN102364684B (zh) | 一种led模组及其制造工艺 | |
CN104022193B (zh) | 无边框led的封装方法及装置 | |
CN106058021A (zh) | 芯片级封装发光装置及其制造方法 | |
CN102280555A (zh) | 一种发光二极管及其制造方法 | |
CN102290504B (zh) | 基于高导热基板倒装焊技术的cob封装led模块和生产方法 | |
CN105489741A (zh) | 一种led倒装芯片的压模封装工艺 | |
CN107394033A (zh) | Led灯丝制造工艺及led灯丝 | |
CN210722996U (zh) | 一种无需焊线的半导体芯片封装结构 | |
CN201982991U (zh) | Led面光源 | |
CN203800073U (zh) | 一种cob光源复合铝基板支架 | |
CN203466213U (zh) | Led封装结构及灯具 | |
CN203453808U (zh) | 一种具有良好散热效果的led光源 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190111 |