JP2012023281A - 発光装置の製法 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光素子や基板等の使用材料の無駄が少ない発光装置の製法を提供する。
【解決手段】複数の発光素子(D)が直列になった状態で複数列配置され実装されている大形リードフレーム1に対し、各列ごとに切り離しを行い、列ごとにリードフレームLを作製し、これらのリードフレームLに通電して発光試験を行い、合格したリードフレームF1に対し樹脂封止を施し、発光装置を製造する。これにより、従来の無駄な材料をなくすことができ、省資源を実現することができる。
【選択図】図1
【解決手段】複数の発光素子(D)が直列になった状態で複数列配置され実装されている大形リードフレーム1に対し、各列ごとに切り離しを行い、列ごとにリードフレームLを作製し、これらのリードフレームLに通電して発光試験を行い、合格したリードフレームF1に対し樹脂封止を施し、発光装置を製造する。これにより、従来の無駄な材料をなくすことができ、省資源を実現することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、LED等の発光素子を用いた発光装置の製法に関するものである。
従来、機器の省エネルギー化のために、液晶TV,液晶ディスプレイ,液晶モニタ等の液晶表示パネルの光源として、発光ダイオード(Light Emitting Diode:以下、LED)等の発光素子を用いた平面発光装置(バックライト)が使用されている。
この平面発光装置に用いられるLED基板等の発光素子基板は、平面状の基板上に多数の発光素子(LED素子)を並べて配置し、これら発光素子をワイヤーボンディング等を用いて電気的に接続(実装)した後、各発光素子を樹脂で封止して、基板単位でパッケージ化されている。そして、この発光装置を大形化する場合は、上記パッケージ化された発光素子基板を、縦横に複数個並べて接続することにより、対応している(特許文献1,2を参照)。
ところで、上記のような発光装置の製法においては、発光素子基板に直接実装された各発光素子の高さ(厚さ)等によって、その光出力にばらつきが生じることが知られている。そのため、発光装置に用いられる発光素子基板は、上記パッケージ化後に発光試験を行い、その発光状態(輝度や色温度等)が、ばらつきの判定基準内にあるかどうかを全数検査し、合否判定を行っている。
しかしながら、上記のような発光装置の製法においては、検査に合格しない発光素子基板が、パッケージ単位で無駄になってしまい、使用する材料と工数のロスが大きいという問題があり、その改善が望まれている。
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、発光素子や基板等の使用材料の無駄が少ない発光装置の製法の提供をその目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明の発光装置の製法は、複数の発光素子が搭載され実装されたリードフレームに対し樹脂封止を施し発光装置を製造する方法であって、上記リードフレームとして、下記(A)のリードフレームを用いることを要旨とする。
(A)複数の発光素子が直列になった状態で複数列配置され実装されている大形のリードフレーム本体に対し、各列ごとに切り離しを行い、列ごとにリードフレームを作製し、これらのリードフレームに通電して発光試験を行い、合格したリードフレーム。
(A)複数の発光素子が直列になった状態で複数列配置され実装されている大形のリードフレーム本体に対し、各列ごとに切り離しを行い、列ごとにリードフレームを作製し、これらのリードフレームに通電して発光試験を行い、合格したリードフレーム。
すなわち、本発明者らは、前記課題を解決するため鋭意研究を重ね、複数の発光素子が直列になった状態で複数列配置することのできる大形のリードフレーム本体を用いて、この大形リードフレームに格子状に実装された発光素子を、各列ごとに切り離して列ごとに略短冊状のリードフレームを作製し、列単位で発光試験を行うということを着想した。そして、実験を重ねて、列状に切り離されたリードフレームに通電して、上記発光素子をリードフレーム単位で発光試験を行うことにより、実際に無駄になる材料をなくし、上記発光装置の生産性向上を実現し、本発明に到達した。
本発明の発光装置に用いられるリードフレーム(A)は、直列の列ごとに切り離された状態で、このリードフレーム上に実装された各発光素子が、電気的に並列になるように接続されている。そのため、このリードフレーム(A)に通電することにより、上記リードフレーム上に実装された複数の発光素子を同時に発光させ、上記列ごとに切り離されたリードフレーム単位で試験することができ、この試験に合格したものが使用に供される。これにより、従来の無駄な材料をなくすことができ、省資源を実現することができる。上記発光試験に合格したリードフレーム(A)は、このリードフレーム形状のまま、上記発光装置の基板に二次実装することができる。
そして、上記リードフレームが、上記発光素子の光を反射するリフレクター部を有している場合には、このリフレクター部が発光素子の光を集光させる作用を奏するため、上記リードフレームにおける光の発光効率が、より向上する。
また、上記(A)の発光試験で不合格となったリードフレームを、各発光素子単位で切り離し、そのうちの良品の発光素子を再利用する場合には、合格した発光素子や材料およびそれらを作製するために費やした工数等が無駄にならず、発光装置の生産性がより向上する。
つぎに、本発明の実施の形態を、図面にもとづいて詳しく説明する。
本実施形態における発光装置は、例えば図4に示すディスプレイのバックライト用基板B1や、図5に示すLED電球用基板B2のように、複数の発光素子(LED:符号D)を備えるマルチチップ型リードフレームF1や、これを各発光体単位で切り離して個片化したディスクリート型リードフレームF2(通常、発光素子が単数のもの)等の実装用リードフレームを、上記のような実装用基板(B1,B2)上に並べて搭載し、これらと上記実装用基板上の配線(太実線)とを、電気的に接続(二次実装)すること等により構成されている。
上記発光装置に搭載される上記実装用リードフレーム(F1,F2)について詳しく説明する。図1(a)〜(e)は、本発明の実施形態の発光装置に用いるリードフレームの製法の概略を説明する回路図である。なお、図中の符号Dは、実装されて発光可能な状態になっているLEDを表す。
本実施形態で用いるリードフレームは、まず、図1(a)に示すように、縦横の格子状の大形リードフレーム1(図2参照)の所定位置(各電極部位)に、LED素子を配置して、ワイヤーボンディング等により電気的に接続(実装)する。この際、各LED素子を実装する向き(電流の流れ方向)は、全てのLED素子の向きが揃った「背向配置」とする。なお、図において、+,−の記号は、上記LED(D)の正極端子,負極端子を表す。
つぎに、図1(b)のように、ダイシング装置等を用いて、上記大形リードフレーム1を各列(縦列)ごとに切り離し、複数(この例では4個)のLED(D)が一列(単列)状に配設されたリードフレームLを作製する。このとき、上記大形リードフレーム1の切断は、このリードフレームL上の各LED(D)が、電気的に並列に接続された状態を維持するように行われる。
ついで、列ごとに切り離しされた上記リードフレームLを用いて、発光試験を行う。発光試験は、図1(c)に示すように、各LED(D)の+側端子に繋がる正側給電用リードフレームに、電源Eの正極を接続するとともに、各LED(D)の−側端子に繋がる負側給電用リードフレームに、電源Eの負極を接続し、これら各LED(D)を一斉に点灯させて行う。そして、上記発光試験(検査)に合格したリードフレームLは、通常、樹脂封止されて、先に述べた発光装置の実装用基板上に並べて搭載され、電気的に接続(二次実装)されて、前記発光装置を構成する(図4,図5参照)。
一方、図1(d)のように、上記発光試験の段階で、基準を満たさず不合格となったリードフレームLは、各LED(D)個々の輝度や色温度等が測定され、それが記録される。その後、図1(e)に示すように、ダイシング装置等を用いて、上記各LED(D)を列状に連結していたリードフレームLの柱部が切断され、これらLED(D)がそれぞれ電気的に独立した、ディスクリート型リードフレームF2が作製される。そして、個々のLED(D)の発光状態が、上記基準を満たしたリードフレームF2のみが採取され、上記発光装置の一部、または他の用途に再利用される。また、発光状態が基準を満たさなかったリードフレーム(F2)は、NG品として破棄されるか、あるいは、その部材の一部が資材として利用される。
このように、本実施形態の発光装置に用いられるリードフレームLは、上記LED(D)の発光試験を、このリードフレーム単位で素早くかつ迅速に行うことができる。そのため、従来のように発光素子の全数を組み込んでパッケージ化したのち発光試験を行い、そのうちの一つの発光素子が不具合の場合、全体を不合格品にするという不都合がなくなる。すなわち、完成品に至る前段階で発光試験を行うため、不具合があればそれを排除するだけで済み、省資源,省エネルギーを実現することができる。
また、上記発光試験に合格したリードフレームF1は、そのまま上記発光装置の実装用基板に二次実装することができる。このため、上記リードフレームF1は、発光装置の生産性を向上させることができる。さらに、上記大形リードフレーム1は、上記発光試験で不合格となったリードフレームLを、各発光体単位で切り離し、そのうちの良品(F2)を、上記発光装置の実装に利用することができる。したがって、上記リードフレームLは、LED素子や他の部材、およびそれらを作製するために費やした工数等が無駄にならず、発光素子パッケージのコストを低減することができる。
つぎに、より具体的な実施形態について、図を参照しながら説明する。
図2は、本実施形態の発光装置に用いる大形リードフレームの形状を示す図であり、図3(a)〜(e)は、このリードフレームの製法を工程順に説明する図である。なお、図3(a)〜(e)は、図2のX−X線断面図となっている。また、図中の符号1は大形リードフレーム,2はリフレクター部,3はLED素子,4はワイヤー,5は封止樹脂を示し、二点鎖線(仮想線)の3重円は、これらの形成予定位置を示す。
まず、本実施形態の発光素子パッケージに用いられる大形リードフレーム1は、金属製の薄板(導電材)を材料として、打ち抜き法や、エッチング法等により形成されている。その形状は、図2に示す平面図のように、全体を支えるフレーム(外枠)の中に、柱状フレームによって支持された一列状(この例では縦に4個)の電極部1aが、複数列(この例では横に3列)形成されている。
各電極部1aは、後記する発光素子(LED素子)のベアチップの搭載予定位置であり、これらのLED素子3の搭載の向き(方向性)が揃うように、各電極部1aの正極側(1b)と負極側(1c)とが同じ方向を向く「背向配置」に設計されている。なお、図2中の鎖線は、後に切り離される予定の切断線を示す。これら各鎖線で切り離した場合、前記図1(b)で説明したように、縦に4個(単列)の列状LED素子3がそれぞれ電気的に並列に接続された状態で支持されたリードフレームLが、3個(3列)作製される(図2中の左端の縦一列を参照)。
このような大形リードフレーム1を用いたリードフレームLの製造は以下のように行われる。まず、図3(a)のように、上記大形リードフレーム1の各電極部1aの周囲に、トランスファー成形機等を用いて、絶縁樹脂からなるリフレクター部2を形成する。このリフレクター部2の凹部は、LED素子3の収容部ならびに反射部となるとともに、後記する封止樹脂5の流出を防止する堰や堤等の役割を果たす。
ついで、図3(b)に示すように、上記電極部1aの上に、導電性ペースト等を用いて各LED素子3を接着(ダイボンド)し、ワイヤーボンディング機を用いて、金線等のワイヤー4により、上記LED素子3を電気的にそれぞれ接続(実装)する。
その後、図3(c)のように、大形リードフレーム1の所定位置(図2参照)を、ダイシング法等により切り離すことにより、一列状のLED素子3(4個)を支持するリードフレームLが、3個(3列)作製される。なお、先に述べたように、上記大形リードフレーム1の切断は、このリードフレームL上の各LED素子3が、電気的に並列に接続された状態を維持するように行われる。
つぎに、図3(d)のように、作製されたリードフレームLに、電源Eを接続し、発光試験を行う。発光試験は、各LED素子3の+側端子に繋がる正側給電用リードフレーム1bに、電源Eの正極を接続するとともに、各LED素子3の−側端子に繋がる負側給電用リードフレーム1cに、電源Eの負極を接続し、これら各LED素子3を同時に点灯させて行う。
上記リードフレームLから出射された光の測定は、このリードフレームL単位で行う。測定には、フォトダイオードやCCD,C−MOS等を使用した分光光度計,光量測定装置,光度測定装置,スペクトルアナライザ,イメージセンサ等を用いることができる。また、複数のLED素子3から発せられた光を測定するため、これら光学的測定機のプローブと上記リードフレームLとの間に、拡散板等を配置してもよい。合否判定は、光量(輝度)や色温度(波長)等が、予め決められた基準範囲内にあるか否かにより行われる。そして、上記発光試験に合格したリードフレームLのみが、次工程へ進む。
つぎに、上記発光試験に合格したリードフレームLは、図3(e)に示すように、シリンジやディスペンサ等を用いて、上記各LED素子3の上(リフレクター部2で囲われた凹部空間内)に、所定量の封止樹脂5が滴下(ポッティング)され、これを照射線照射や加熱等により硬化させることにより、封止される。これにより、実装用製品としてのリードフレームF1が完成する。そして、このリードフレームF1は、先に述べた発光装置の実装用基板上に並べて搭載され、電気的に接続(二次実装)されて、上記発光装置を構成する(図4,図5参照)。
さらに、上記試験に合格したリードフレームF1は、上記のように実装用基板上に搭載する他にも、そのままのリードフレームF1を発光素子モジュールの一単位(ユニット)として、これを単独であるいは連結して使用することもできる。
上記のように、本実施形態のリードフレームF1を用いれば、上記発光装置の実装用基板に搭載する前に、その発光のばらつきを知ることができるため、この実装用基板や発光素子,封止樹脂等の使用材料の無駄を低減することができる。また、発光試験を、列ごとに切り離されたリードフレーム単位で行うため、この試験を迅速に行うことができる。
なお、先の実施形態と同様、上記発光試験の段階で、基準を満たさず不合格となったリードフレームLは、ダイシング装置等を用いて、上記各LED素子3を列状に連結していたフレームの柱部位が切断され、これらLED素子3がそれぞれ独立した、ディスクリート型リードフレームF2が作製される。そして、個々のLED素子3の発光状態が、基準を満たしたリードフレームF2を、上記発光装置の一部、または他の用途に使用することができる。
上記リフレクター部2を構成する材料としては、絶縁性の熱可塑性樹脂,熱硬化性樹脂を使用することができる。なかでも、耐熱性に優れるシリコーン樹脂が好ましく、特に、ビニル基およびアリル基のいずれか一方と、水素原子が、直接ケイ素原子に結合してなる構造を有する熱硬化型付加反応性シリコーン樹脂が好ましい。上記リフレクター2を構成する樹脂は、光の反射率を向上させるための白色顔料(酸化チタン等)を含有している。
また、発光素子を封止する封止樹脂としては、透光性を有するエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等があげられる。これらの封止樹脂は、蛍光体材料等を含有していてもよい。
さらに、発光素子としては、好適にLED素子が用いられるが、なかでも、上記蛍光体材料により波長変換して白色や可視光が得られる、青色LEDまたは紫外線LEDが好ましい。
つぎに、実施例について説明する。ただし、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
表面に銀メッキが施された銅製板材を、所定形状(図2参照)に打ち抜き、大形リードフレームを準備した。この大形リードフレームの各電極部(縦一列に4個×横に3列)に、青色LEDのベアチップ(SEMILEDS社製 SL−V−B15AA)を、銀ペーストでダイボンドし、金線を用いたワイヤーボンディングにより実装した。その後、ダイシング機を用いて、図2に記載のCut−Line位置で大形リードフレームを切断し、発光試験用のリードフレームLを作製した。
ついで、リードフレームLの正側給電用リードフレームに、電源の正極を接続し、負側給電用リードフレームに、電源の負極を接続して、各青色LEDを点灯させた状態で、分光光度計(大塚電子社製 MCPD−7000)を用いて、発光波長を測定した。試験の合格基準は、基準波長±10nmである。
その後、上記試験に合格したリードフレームLの電極部(青色LED上)に、シリコーンエラストマー(旭化成ワッカーシリコーン社 LR7665)を滴下して硬化させ、上記青色LEDを封止して、実施例1のリードフレームを得た。
上記青色LEDのベアチップの実装前に、予め、トランスファー成形にて白色リフレクターを形成しておいたこと以外、上記実施例1と同様にして、実施例2のリードフレームを得た。
なお、上記白色リフレクターのトランスファー成形には、下記の(ア)〜(ウ)成分を含有する樹脂組成物を用いている。
(ア)ビニル基およびアリル基のいずれか一方と、水素原子が、直接ケイ素原子に結合してなる構造を有する熱硬化型付加反応性シリコーン樹脂。
(イ)上記(ア)成分の硬化触媒としての白金系触媒。
(ウ)白色顔料。
(ア)ビニル基およびアリル基のいずれか一方と、水素原子が、直接ケイ素原子に結合してなる構造を有する熱硬化型付加反応性シリコーン樹脂。
(イ)上記(ア)成分の硬化触媒としての白金系触媒。
(ウ)白色顔料。
上記実施例1および実施例2で得られたリードフレームを用いた発光装置では、二次実装後の不良(LED素子に由来する不良)の発生がなく、この発光装置の生産性を向上させることができた。
本発明は、LED等の発光体を用いたバックライトやLED電球等、リードフレームに実装した発光素子を、装置基板に二次実装する発光装置に適する。
1 大形リードフレーム
D LED
L リードフレーム
F1,F2 リードフレーム
D LED
L リードフレーム
F1,F2 リードフレーム
Claims (3)
- 複数の発光素子が搭載され実装されたリードフレームに対し樹脂封止を施し発光装置を製造する方法であって、上記リードフレームとして、下記(A)のリードフレームを用いることを特徴とする発光装置の製法。
(A)複数の発光素子が直列になった状態で複数列配置され実装されている大形のリードフレーム本体に対し、各列ごとに切り離しを行い、列ごとにリードフレームを作製し、これらのリードフレームに通電して発光試験を行い、合格したリードフレーム。 - 上記リードフレームが、上記発光素子の光を反射するリフレクター部を有している請求項1記載の発光装置の製法。
- 上記(A)の発光試験で不合格となったリードフレームについて、そのうちの良品の発光素子を切り離し再利用する請求項1記載の発光装置の製法。
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
JP2015520515A (ja) * | 2012-06-05 | 2015-07-16 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 複数のオプトエレクトロニクス半導体素子の製造方法、リードフレーム複合体およびオプトエレクトロニクス半導体素子 |
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TW200629596A (en) * | 2004-09-16 | 2006-08-16 | Hitachi Aic Inc | Reflector for led and led device |
JP2007065414A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Sharp Corp | バックライト製造方法 |
TWI266379B (en) * | 2006-01-02 | 2006-11-11 | Advanced Semiconductor Eng | Strip test method and functional test device |
JP2008028189A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP5122835B2 (ja) * | 2007-02-27 | 2013-01-16 | ローム株式会社 | 半導体装置、リードフレームおよび半導体装置の製造方法 |
JP4878580B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2012-02-15 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | リードフレームおよびその製造方法、半導体装置およびその製造方法 |
CN101430052A (zh) * | 2008-12-15 | 2009-05-13 | 伟志光电(深圳)有限公司 | Pcb胶壳一体化封装led照明光源及其制备工艺 |
JP2012028686A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Nitto Denko Corp | 発光装置の検査方法および発光装置の検査後の処理方法 |
US9882094B2 (en) * | 2011-03-14 | 2018-01-30 | Intellectual Discovery Co., Ltd. | Light source with inner and outer bodies comprising three different encapsulants |
-
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015520515A (ja) * | 2012-06-05 | 2015-07-16 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 複数のオプトエレクトロニクス半導体素子の製造方法、リードフレーム複合体およびオプトエレクトロニクス半導体素子 |
US9741616B2 (en) | 2012-06-05 | 2017-08-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing optoelectronic semiconductor components, leadframe assembly and optoelectronic semiconductor component |
KR101937196B1 (ko) | 2017-08-08 | 2019-01-14 | 재경전광산업 주식회사 | 엘이디 전구용 엘이디 모듈, 엘이디 모듈 어레이 및 그 제조방법 |
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