JP7448770B2 - リードフレーム及び発光装置の製造方法 - Google Patents
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Description
前記第1方向と直交する第2方向において前記第1群と隣接し前記単位構造が前記第1方向に複数配置される第2群と、
前記第1群及び前記第2群を囲む外枠と、
前記第2方向に延伸し、前記第1群の前記第1リード部と前記第2群の前記第1リード部を繋ぐ第1延伸部と、前記第2方向に延伸し、前記第1群の前記第2リード部と前記第2群の前記第2リード部を繋ぐ第2延伸部と、を含む延伸部と、
前記第1群と前記第2群の間において、前記第1群と前記第2群の間に位置する全ての前記第1延伸部と前記第2延伸部の間を繋ぐ連結部とを備え、
前記第1群と前記第2群の間において、前記第1方向の両端に位置する前記延伸部の少なくとも一方が前記外枠とは繋がっていない。
また、本開示の発光装置の製造方法は、上述したリードフレームと、前記リードフレームの一部を被覆する樹脂部材とを備える樹脂付きリードフレームを準備する工程と、
前記単位構造のそれぞれにおける第1リード部又は第2リード部の第1面に発光素子を載置する載置工程と、
前記リードフレームの前記外枠を除去する除去工程と、
前記除去工程後に、前記第1方向に沿って前記連結部を切断して前記第1群と前記第2群とを分離する第1切断工程とを有する。
なお、本明細書及び図面において、第1方向は、横方向(X方向)を示し、第2方向は、第1方向と直交する方向、つまり縦方向(Y方向)を示す。また、本明細書において平行とは±10度の変動を許容する。
リードフレーム10は、図1A及び1Bに示すように、第1方向(X方向)に配置された第1リード部11及び第2リード部12を含む単位構造Uを第1方向(X方向)及び第2方向(Y方向)にそれぞれ複数含む。この場合、第1方向に、第1リード部11及び第2リード部12が交互に配置されている。また、第2方向には、複数の第1リード部11と複数の第2リード部12が重ならないように配列されてもよく、重なるように配列されてもよい。第1リード部11及び第2リード部12は、導電性を有している。単位構造Uに含まれる第1リード部11及び第2リード部12は、個片化後の発光装置において、発光素子に給電するための電極として機能する。
例えば、図1Aでは、4個の単位構造Uが第1方向及び第2方向にそれぞれ配列されている。第1方向及び第2方向に配列される単位構造Uの数は特に限定されず、任意に設定することができる。例えば、図4Bに示すように、第1方向に9個の単位構造が配列され、第2方向に10個の単位構造が配列されてもよい。
樹脂部材は少なくとも1つの連結部の全てを埋設している。換言すると、少なくとも1つの連結部は樹脂部材から露出していない。リードフレームが複数の連結部を備える場合には、全ての連結部が樹脂部材から露出せずに樹脂部材に埋設されていることが好ましい。
保持部17、17a、17bは、第1リード部11及び第2リード部12の第2方向の中央又はその近傍に配置されているが、第1リード部11及び第2リード部12の第2方向の端部等、任意の位置に配置することができる。
本発明の位置実施形態の発光装置の製造方法は、
上述したリードフレーム10及びリードフレーム10の一部を被覆する樹脂部材21を備える樹脂付きリードフレーム20を準備する工程と、
上述した単位構造のそれぞれにおいて第1リード部11又は第2リード部12の第1面に発光素子22を載置する工程と、
第1群G1及び第2群G2等から外枠13を除去する工程と、その後、
第1方向(X方向)に沿って連結部15を切断して第1群G1と第2群G2とを分離する第1切断工程を含む。
まず、上述したリードフレーム10を準備する。
次に、このリードフレーム10を、図5Aに示すように、上金型UD及び下金型Dに挟み込む。そして、図5Bに示すように、上金型UDと下金型Dで挟み込まれた金型内の空間に、未硬化の樹脂材料21aを注入する。
未硬化の樹脂材料21aを充填した後に、未硬化の樹脂材料21aを加熱して仮硬化を行う。その後、上金型UDと下金型Dから仮硬化した樹脂材料付きのリードフレームを取り外す。その後に、仮硬化よりも高い温度で加熱して、樹脂材料21aの本硬化を行う。これにより、リードフレーム10に樹脂部材21が形成され、図5Cに示す、樹脂付きリードフレーム20を形成することができる。
1つの単位構造には少なくとも一対の第1リード部11及び第2リード部12を含んでいる。1つの単位構造に含まれる第1リード部11及び第2リード部12とは、各素子載置凹部20aから露出される第1リード部11及び第2リード部12のことである。
リードフレーム10の第2面である下面は、樹脂部材21内に埋め込まれていてもよいが、露出していることが好ましい。言い換えると、リードフレーム10の下面は、例えば、第1リード部11と第2リード部12との間に配置された樹脂部材21の外表面、つまり樹脂部材21の下面と略同一面を構成することが好ましい(図5Cの矢印G参照)。これにより、リードフレーム10の放熱性を確保することができる。また、リードフレーム10の第2面が樹脂部材から露出することにより小型化の発光装置を製造することができる。
次に、図5Cに示すように、第1リード部又は第2リード部の第1面に発光素子を載置する。例えば、素子載置凹部20aの底面20bに位置し、平面積が第1リード部よりも大きい第2リード部12の第1面である上面に発光素子22を載置する。発光素子22は、接合部材を用いてリードフレーム上に載置することができる。発光素子22は、第1リード部11及び第2リード部12と、ワイヤ等で電気的に接続することが好ましい。
蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット、ユウロピウム及び/若しくはクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(カルシウムの一部をストロンチウムで置換可)、ユウロピウムで賦活されたサイアロン、ユウロピウムで賦活されたシリケート、ユウロピウムで賦活されたアルミン酸ストロンチウム、マンガンで賦活されたフッ化珪酸カリウム等が挙げられる。光拡散材としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム等が挙げられる。
次に、樹脂付きリードフレーム20から、外枠13を除去する。外枠13を除去するために、一般的な半導体装置の製造における典型的なダイシング工程を実施する際に使用される、切断装置を利用することが好ましい。このような切断装置には、例えば、ブレード及びテーブルが備えられている。
切断は、図5Eに示すように、いわゆるアップカットUCで、樹脂付きリードフレーム20を切断してもよいが、図5Fに示すように、いわゆるダウンカットDCで、樹脂付きリードフレーム20を切断してもよい。ここで、アップカットとは回転刃の回転方向と樹脂付きリードフレーム20の移動方向が反対になる切削方法のことである。アップカットの場合には回転刃の刃先がリードフレームの下側から上側に向かって切削する。ダウンカットとは回転刃の回転方向と樹脂付きリードフレーム20の移動方向が同じである切削方法のことである。ダウンカットの場合には回転刃の刃先がリードフレームの上側から下側に向かって切削する。
少なくとも第1方向(X方向)に延びる外枠13を除去した後、図5Hに示すように、樹脂付きリードフレーム20において、第1方向(X方向)に沿って連結部15を切断して、第1群G1と第2群G2とを分離する。
この第1切断工程においては、上述したように、ブレードとして、回転刃を用いて切断することが好ましい。回転刃の幅は、連結部15の幅よりも広いことが好ましい。このようにすることで、1回のブレードの切断により、連結部15の全てを除去することができるので、切断工程を簡略化することができる。回転刃の幅は、例えば、0.05mm~0.5mmが挙げられ、0.1mm~0.3mmが好ましい。
第1切断工程を行った後、図5Iに示すように、樹脂付きリードフレーム20の第1群G1及び第2群G2において、保持部17を第2方向(Y方向)に沿って切断して、第2方向(Y方向)に隣接する単位構造Uを分離する第2切断工程を行うことが好ましい。第2切断工程は、上述したように、ブレードとして、回転刃を用いて切断することが好ましい。
11、11a 第1リード部
11x 凹部
11z 窪み部
12、12a 第2リード部
13 外枠
14 延伸部
14a 第1延伸部
14b 第2延伸部
15 連結部
16、16a、16b 接続部
17、17a、17b 保持部
20 樹脂付きリードフレーム
20a 素子載置凹部
20b 底面
20c 側壁
21 樹脂部材
21a 樹脂材料
22 発光素子
23 切断装置用冶具
24 テーブル
25 ブレード
26 保護素子
30 発光装置
B ブロック
UD 上金型
D 下金型
G1 第1群
G2 第2群
U 単位構造
U1 第1単位構造
U2 第2単位構造
X 第1方向
Y 第2方向
Z 第3方向
Claims (16)
- 第1方向に配置された第1リード部と第2リード部とを含む単位構造が前記第1方向に複数配置される第1群と、
前記第1方向と直交する第2方向において前記第1群と隣接し前記単位構造が前記第1方向に複数配置される第2群と、
前記第1群及び前記第2群を囲む外枠と、
前記第2方向に延伸し、前記第1群の前記第1リード部と前記第2群の前記第1リード部とを繋ぐ第1延伸部と、前記第2方向に延伸し、前記第1群の前記第2リード部と前記第2群の前記第2リード部とを繋ぐ第2延伸部と、を含む延伸部と、
前記第1群と前記第2群との間において、前記第1群と前記第2群との間に位置する全ての前記第1延伸部と前記第2延伸部との間を繋ぐ連結部と、を備え、
前記第1群と前記第2群の間において、前記第1方向の両端に位置する前記延伸部の少なくとも一方が前記外枠とは繋がっていないリードフレーム。 - 平面視において、前記外枠と対向する前記延伸部の外縁が前記第2方向に平行である請求項1に記載のリードフレーム。
- 前記第2方向における前記延伸部の幅が前記第1方向における連結部の幅よりも狭い請求項1又は2に記載のリードフレーム。
- 前記第1方向において、前記延伸部の幅が前記第1リード部及び前記第2リード部の幅よりも狭い請求項1から3のいずれか1項に記載のリードフレーム。
- 前記第2方向に延伸し、前記外枠と該外枠に隣接する前記第1リード部及び前記第2リード部をそれぞれ繋ぐ接続部を有する請求項1から4のいずれか1項に記載のリードフレーム。
- 平面視において、前記連結部の外縁が前記第1方向に平行である請求項1から5のいずれか1項に記載のリードフレーム。
- 平面視において、前記リードフレームの外縁は略長方形であり、長辺が前記第1方向に平行である請求項1から6のいずれか1項に記載のリードフレーム。
- 前記第1群と前記第2群の間において、前記延伸部が前記外枠とは繋がっていない請求項1から7のいずれか1項に記載のリードフレーム。
- 請求項1から8のいずれか1項に記載の前記リードフレームと、前記リードフレームの一部を被覆する樹脂部材とを備える樹脂付きリードフレームを準備する工程と、
前記単位構造のそれぞれにおける第1リード部又は第2リード部の第1面に発光素子を載置する載置工程と、
前記リードフレームの前記外枠を除去する除去工程と、
前記除去工程後に、前記第1方向に沿って前記連結部を切断して前記第1群と前記第2群とを分離する第1切断工程とを有する発光装置の製造方法。 - 前記リードフレームは、複数の前記単位構造の1つである第1単位構造と、前記第1方向において前記第1単位構造と隣接する第2単位構造とを有し、前記第1単位構造の第2リード部と前記第2単位構造の第1リード部を繋ぐ保持部を有し、
前記保持部を前記第2方向に沿って切断して前記第2方向において隣接する前記単位構造を分離させる第2切断工程を有する請求項9に記載の発光装置の製造方法。 - 前記第1切断工程の後に前記第2切断工程を行う請求項10に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第1切断工程において、回転刃を用いて切断する請求項9から11のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第2切断工程において、前記第1方向及び前記第2方向と直交する第3方向において、前記発光素子が載置される面を下側に向けてダウンカットする請求項10又は11、及び、請求項10又は11を引用する請求項12のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第2切断工程において、前記第1方向及び前記第2方向と直交する第3方向において、前記発光素子が載置される面を上側に向けてアップカットする請求項10又は11、及び、請求項10又は11を引用する請求項12のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記回転刃の幅が前記連結部の幅よりも広い請求項12、及び、請求項12を引用する請求項13又は14のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記リードフレームの第1面が前記樹脂部材から露出される底面と前記樹脂部材により形成される側壁とを備える素子載置凹部を備え、前記底面に前記発光素子が搭載され、前記第1面と反対側に位置する前記リードフレームの第2面と前記樹脂部材の外表面が略同一面である請求項9から15のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019127899A JP7448770B2 (ja) | 2019-07-09 | 2019-07-09 | リードフレーム及び発光装置の製造方法 |
US16/922,868 US11158776B2 (en) | 2019-07-09 | 2020-07-07 | Lead frame and method of manufacturing light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019127899A JP7448770B2 (ja) | 2019-07-09 | 2019-07-09 | リードフレーム及び発光装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021013001A JP2021013001A (ja) | 2021-02-04 |
JP7448770B2 true JP7448770B2 (ja) | 2024-03-13 |
Family
ID=74102397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019127899A Active JP7448770B2 (ja) | 2019-07-09 | 2019-07-09 | リードフレーム及び発光装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11158776B2 (ja) |
JP (1) | JP7448770B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2024029785A (ja) * | 2022-08-23 | 2024-03-07 | Towa株式会社 | 半導体部品の製造方法及び半導体部品の製造装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2013232592A (ja) | 2012-05-01 | 2013-11-14 | Dainippon Printing Co Ltd | Led素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、多面付ledパッケージ、ledパッケージの製造方法および半導体素子搭載用リードフレーム |
JP2018157086A (ja) | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 日亜化学工業株式会社 | リードフレーム |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US9748164B2 (en) * | 2013-03-05 | 2017-08-29 | Nichia Corporation | Semiconductor device |
US9548261B2 (en) * | 2013-03-05 | 2017-01-17 | Nichia Corporation | Lead frame and semiconductor device |
JP6520022B2 (ja) | 2014-09-01 | 2019-05-29 | 株式会社カネカ | 発光素子実装用リードフレーム、これを用いた発光素子実装用樹脂成型体及び表面実装型発光装置 |
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JP6641710B2 (ja) | 2015-03-25 | 2020-02-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
TWI609394B (zh) * | 2015-05-22 | 2017-12-21 | 鈺邦科技股份有限公司 | 矩陣排列式堆疊型固態電解電容器封裝結構及其製作方法 |
JP6728998B2 (ja) | 2015-06-09 | 2020-07-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
JP6825436B2 (ja) | 2017-03-17 | 2021-02-03 | 日亜化学工業株式会社 | リードフレーム |
JP6572938B2 (ja) | 2017-05-12 | 2019-09-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置と発光装置の製造方法 |
US10276984B2 (en) * | 2017-07-13 | 2019-04-30 | Te Connectivity Corporation | Connector assembly having a pin organizer |
JP6879172B2 (ja) | 2017-11-10 | 2021-06-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
CN111341747B (zh) * | 2018-12-19 | 2024-10-18 | 恩智浦美国有限公司 | 用以改进爬电距离的引线缩短 |
-
2019
- 2019-07-09 JP JP2019127899A patent/JP7448770B2/ja active Active
-
2020
- 2020-07-07 US US16/922,868 patent/US11158776B2/en active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012060336A1 (ja) | 2010-11-02 | 2012-05-10 | 大日本印刷株式会社 | Led素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、半導体装置の製造方法、および半導体素子搭載用リードフレーム |
JP2013232592A (ja) | 2012-05-01 | 2013-11-14 | Dainippon Printing Co Ltd | Led素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、多面付ledパッケージ、ledパッケージの製造方法および半導体素子搭載用リードフレーム |
JP2018157086A (ja) | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 日亜化学工業株式会社 | リードフレーム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210013387A1 (en) | 2021-01-14 |
JP2021013001A (ja) | 2021-02-04 |
US11158776B2 (en) | 2021-10-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220609 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230309 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230404 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240130 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240212 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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