JP2003031755A - 積層リードフレーム及び光通信モジュール並びにその製造方法 - Google Patents

積層リードフレーム及び光通信モジュール並びにその製造方法

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tie bar
resin
laminated
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裕美 中西
Miki Kuhara
美樹 工原
Takeshi Okada
毅 岡田
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型・低コストで、高密度に光通信機能を実
装でき、かつ樹脂モールド時の樹脂漏れを抑制できる光
通信モジュールを提供する。 【解決手段】 複数のリードフレームを絶縁材料よりな
るタイバー100で積層状に保持した積層リードフレーム
と、少なくとも一層のリードフレームに配置される光通
信機能部とを具える。光通信機能部は、発光素子（LD1
0）および受光素子の少なくとも一方と光伝送媒体（光
ファイバ61）とを具える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム
と、それを用いた光通信モジュール並びにその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図10は現在用いられている半導体レーザ
送信器の断面構造を示す切欠斜視図である。パッケージ
の中には、半導体レーザ10（LD）とその光強度を検知す
るモニタフォトダイオード15（M-PD）が配置されてい
る。LD10から出力される光信号はレンズ16を介して光フ
ァイバ61に入射される。このような光通信モジュール
は、構造上から同軸型と呼ばれている。
【０００３】しかし、同軸型の光通信モジュールの構造
は立体的であり、小型化や製造工程の短縮に眼界があ
る。
【０００４】この問題を解決するために、基板の上にLD
やM-PD、あるいはフォトダイオード（PD）や前置増幅器
（PRE-AMP）を平面的に実装する表面実装技術が開発さ
れつつある。このような表面実装技術を用いた光通信モ
ジュールの製造過程を図11〜13に基づいて説明する。図
11は従来のリードフレームの平面図、図12は光通信モジ
ュールの製造工程のフローチャート、図13は同製造方法
の説明図である。
【０００５】ここで用いられるリードフレーム120は厚
さ200μmの銅板上にNiメッキおよびAuメッキを順次施し
たものである。このリードフレーム120は、図11に示す
ように、枠状のフレーム121を具え、その内部にリード1
23を介してダイパッド122が連結され、さらに各リード1
23はタイバー124により連結されている。
【０００６】このようなリードフレーム120を用いた光
通信モジュールの製造は図12、13に示す工程で行われ
る。
【０００７】まず、フェルール62に挿入された光ファイ
バ61を固定するV溝とLD10やM-PD15を半田付けする電極
パターンなどを形成したSiプラットフォーム30を作製す
る。
【０００８】このSiプラットフォーム30にLD10やM-PD15
を半田付けし、次に光ファイバ61を樹脂固定する。その
際、光ファイバ61は、ガラス板130とSiプラットフォー
ム30との間に挟み込まれる。この状態の中間製品をサブ
モジュールと呼ぶ。
【０００９】このサブモジュールを前記リードフレーム
120のダイパッド上に固定した後、ワイヤボンディング
し、トランスファーモールド技術により樹脂140で封止
する。
【００１０】次に、リードフレームのタイバー124やフ
レーム121をカットして、各リード123を電気的に切り離
し、パッケージから露出するリード123を所定の角度に
屈曲成形する。
【００１１】このような状態まで完成してから、初めて
LDやM-PDに電気を流すことができるようになり、高温環
境下でLDに電流を流したり、M-PDに逆バイアスを印加し
たりして、いわゆるスクリーニングを行う。LDでは、特
にストレスに敏感な閾値電流の変動率で良否判定し、M-
PDでは、漏れ電流の変化率で良否判定することが多い。
そして、スクリーニングの後、製品の最終検査を行う。
【００１２】このように、表面実装技術を用いた光通信
モジュールは、一層の低コスト、小型化が可能となり、
光通信の更なる進展に寄与することが期待されている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の技術に
は次のような問題があった。通常の1層のリードフレー
ムを用いた光通信モジュールでは、リードの数に限界が
あり、その結果実現できる光通信機能に限界がある。例
えば、送信器にLDのみならずLDのドライバICをも組み込
む場合、受信器にPDのみならずPRE-AMPをも組み込む場
合、あるいはこれらの双方を一体化する場合などは、実
装する部品点数が多くなり、リード数も多く求められる
ためである。
【００１４】従って、本発明の主目的は、高密度の実装
が可能な積層リードフレームを提供することにある。
【００１５】また、本発明の他の目的は、小型・低コス
トで、高密度に光通信機能を実装でき、かつ樹脂モール
ド時の樹脂漏れを抑制できる光通信モジュールを提供す
ることにある。
【００１６】さらに、本発明の他の目的は、高密度に光
通信機能を実装できる光通信モジュールの製造方法を提
供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明積層リードフレー
ムは、複数のリードフレームを絶縁材料よりなるタイバ
ーで積層状に保持したことを特徴とする。
【００１８】絶縁材料よりなるタイバー（絶縁タイバ
ー）で複数のリードフレームを積層状に一体化すること
で高実装密度の積層リードフレームとすることができ
る。特に、充実した光通信機能を実現するための多数の
部品を実装してもリード数が不足することもない。
【００１９】また、本発明光通信モジュールは、複数の
リードフレームを絶縁材料よりなるタイバーで積層状に
保持した積層リードフレームと、少なくとも一層のリー
ドフレームに配置される光通信機能部とを具えることを
特徴とする。
【００２０】積層リードフレームを用いて多数の部品を
実装することができ、十分な光通信機能を持った光通信
モジュールとすることができる。
【００２１】従来、タイバーが各リードと同じ金属材料
で構成され、各リードが電気的に導通されていたため、
樹脂モールドの前にLDやM-PDに個別に電流を流してスク
リーニングすることができない。本発明ではタイバーを
絶縁材料で構成し、各層のリードを電気的に絶縁するこ
とにより、パッケージングする前段階でもスクリーニン
グすることができる。そのため、従来コスト増大の原因
となっていた廃棄に伴う無駄をなくすることができ、製
品のコスト低減を図ることができる。
【００２２】ここで、光通信機能部は、光通信に用いる
送信器または受信器あるいはこれらを複合した送受信器
としての機能を有する。例えば、発光素子および受光素
子の少なくとも一方と光伝送媒体とを具えることが好ま
しい。光送信モジュールには、発光素子としてLDを、電
気回路部品としてLDのドライバICを用いたものが挙げら
れる。さらにLDの光強度を検知するM-PDを用いた光送信
モジュールでも良い。光受信モジュールには、受信素子
としてPDを、電気回路部品としてPDの信号を増幅するAM
Pを用いたものが挙げられる。光送受信モジュールに
は、少なくとも一組の発光素子とドライバICとを具える
と共に、少なくとも一組の受光素子と増幅器とを具える
ものが挙げられる。光伝送媒体には、光ファイバや光導
波路が挙げられる。
【００２３】タイバーの材料は絶縁性で製造性に優れる
ものであれば特に限定されない。短時間で樹脂の硬化が
可能で製造性に優れる熱可塑性樹脂が好ましい。特に、
液晶ポリマでタイバーを構成することが好ましい。
【００２４】光通信機能部は、Si基板またはセラミック
基板上に構成されていることが好適である。Siはエッチ
ングによりV溝などの形成が容易に可能であり、アルミ
ナなどのセラミックは絶縁性でかつ高硬度のため、高精
度の加工が行いやすいためである。
【００２５】光通信機能部は、樹脂モールド部に収納さ
れていることが望ましい。樹脂モールドすることで光通
信機能部を保護することができる。樹脂モールド部を形
成する具体的な方法はトランスファーモールドが好まし
い。トランスファーモールドに用いる樹脂としては、例
えばエポキシ系樹脂が挙げられる。
【００２６】さらに、本発明光通信モジュールの製造方
法は、複数のリードフレームを絶縁材料よりなるタイバ
ーで積層状に保持した積層リードフレームを用意する工
程と、この積層リードフレームの少なくとも一層に光通
信機能部を搭載する工程と、光通信機能部を搭載した積
層リードフレームを樹脂モールドする工程とを具え、前
記樹脂モールドする工程で、絶縁タイバーをモールド樹
脂の堰き止めに用いることを特徴とする。
【００２７】樹脂モールド工程では、通常、金型内にモ
ールド対象を配置して樹脂の注入を行う。その際、積層
構造のリードフレームでは、特に各層のリードフレーム
の間から樹脂の漏れを確実に防止することが難しい。本
発明方法では、各層のリードフレームを積層状に保持す
る絶縁タイバーをモールド工程における樹脂漏れ防止用
の堰として利用することで樹脂漏れに伴うバリのない綺
麗な樹脂モールド部を形成することができる。
【００２８】絶縁タイバーはモールド工程後、削り取っ
ても良いし残しても良い。絶縁タイバーを残す場合、樹
脂モールド部の外部に露出するように残しても良いし、
モールド樹脂と一体化されて樹脂モールド部の外形の一
部とするようにしても良い。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下具体的な実施例で本発明を説
明する。 （実施例1）図1は2層の積層リードフレームを用いた光
送信モジュール縦断面図、図2は平面図である。
【００３０】この光送信モジュールは、発光素子である
半導体レーザ（LD）10と、電気回路部品となるLD10のド
ライバIC20とを具える。LD10はSiベンチ30を介して第1
リードフレーム41に支持され、ドライバIC20は第１リー
ドフレーム41の一部に重複して積層される第2リードフ
レーム42（第2導電性媒体）上に直接支持されている。
また、第1・第2リードフレーム間は、絶縁スペーサ50
（電気絶縁体）が介在され、各リードは絶縁タイバー10
0により電気的に絶縁されている。絶縁タイバー100に
は、例えば、厚さ0.3〜0.6mmの液晶ポリマーやエポキシ
系樹脂を利用することができる。そして、LD10からの信
号はフェルール62に挿入された光ファイバ61に入射され
る。
【００３１】LD10には、例えばInP上に成長されたInGaA
sPを活性層とするLDが利用できる。このようなLD10の発
光領域は狭く、例えば厚さ0.2〜0.4μm、幅1〜2μm程度
である。一方、光ファイバ61には、例えば単一モードフ
ァイバでは、コア直径10μmのものが利用される。LD10
の発光領域から放出された光を細径の光ファイバ61に効
率よく結合するには、精密な位置合わせが必要である。
ここではフォトリソグラフィ技術を用いて作製したSiベ
ンチ30上のV溝とLD位置合わせマーカーを利用する。す
なわち、Siベンチ30には、浅いV溝と深いV溝とが連続し
て形成され、浅いV溝に光ファイバ61が、深いV溝に光フ
ァイバフェルール62がはめ込まれている。
【００３２】次に、予め絶縁スペーサ50で第１リードフ
レーム41と隔てられている第2リードフレーム42上にLD1
0のドライバIC20を実装し、LD10とドライバIC20間やド
ライバIC20と各リード間をAu線70でワイヤリングする。
その後、LD10やドライバIC20の周囲をシリコン系のポッ
ティング樹脂で覆い、光学特性を安定にすると共に、ト
ランスファーモールド時のストレスからLD10、ドライバ
IC20およびAu線70を保護する。図1、図2における破線で
囲まれる曲線空間はポッティングの外形を示している。
【００３３】そして、図1と図2の破線で示した矩形空間
を有する金型を用いて、トランスファーモールドする。
モールド樹脂には、例えばエポキシ系の樹脂を用いる。
ここでは、丁度矩形空間に接するように絶縁タイバー10
0が位置決めされている。この状態で樹脂の注入を行う
と、絶縁タイバー100が樹脂モールド部の外部に出た構
造で光送信モジュールが完成する。モールド時、第１・
第2リードフレーム41、42間には絶縁タイバー100が存在
し、この絶縁タイバー100が樹脂の漏れを防止する堰の
機能を果たすため、樹脂漏れを確実に防止することがで
きる。そして、樹脂漏れの防止により、バリのない樹脂
モールド部を得ることができる。絶縁タイバー100は最
終的に削り取ってもよいが、このまま残しておいても良
い。
【００３４】このように、リードフレームを2層にし、
かつ絶縁タイバー100を採用することによって、後段回
路との接続に必要な数のリードピンが十分確保できる。
また、LD10とドライバIC20の間隔を狭くできるので、配
線のインピーダンスを低くでき、1Gbps以上の高速送信
が容易にできる。さらに、絶縁タイバー100をトランス
ファーモールド時の樹脂漏れ防止用の堰として用いるの
で、樹脂漏れのない綺麗なトランスファーモールドがで
きる。その上、絶縁タイバー100で各リードを電気的に
絶縁しているため、トランスファーモールド前に電気検
査やスクリーニングができ、不良をいち早く検出してコ
スト削減にも寄与する。
【００３５】（実施例2）次に、3層の積層リードフレー
ムを用いた実施例を図3、図4に示す。図3は3層リードフ
レームを持つ本発明モジュールの縦断面図、図4はその
平面図である。
【００３６】本例では、第1・第2リードフレーム41、42
間に第３リードフレーム43が配置され、各リードフレー
ム41〜43間には絶縁スペーサ50が介在されている。第2
リードフレーム42にはドライバIC20が直接支持されてい
る。
【００３７】一方、絶縁タイバー100も第1〜第3リード
フレーム41〜43間を絶縁して壁状に形成されている。
【００３８】本例が実施例1と異なる第1の点は、リード
フレームを3層とし、LD10の光強度を検知するM-PD15を
中間に位置する第3リードフレーム43と接続したことに
ある。M-PD15は絶縁スペーサ50上に配置され、層間配線
51を通じて第3リードフレーム43と接続されている。必
要に応じて、各リードフレーム間は層間配線にて接続す
る。もちろん、実装する構成要素が増えたならば、さら
に層数を増やしても良いし、リードピンの形状を様々に
変更しても良い。
【００３９】さらに、実施例1と異なる第2の点は、絶縁
タイバー100が樹脂モールド部の内部に一体化されてい
ることである。実施例1では絶縁タイバーが樹脂モール
ド部の外部に突出していたが、本例では絶縁タイバー10
0が樹脂モールド部の端面の一部を構成している。
【００４０】（実施例3）次に、光受信モジュールを図5
に示す。本例では、液晶ポリマベースと絶縁タイバーを
前もってインサート成型した2層の積層リードフレーム
を利用している。この液晶ポリマベース35上にSiベンチ
30、フェルール62と光ファイバ61、受光素子（PD）80、
前置増幅器90（PRE-AMP）などを実装する。受光素子に
は、例えばInGaAsを受光層とするpin-PDが利用できる。
一方、絶縁タイバー100は、樹脂モールド部の端面に相
当する面積を有し、モールド工程終了後に樹脂モールド
部の端面となる。そして、部品を実装した積層リードフ
レームを図6に示す金型110で挟み、トランスファーモー
ルドを行う。この金型110は、絶縁タイバー100が形成さ
れた面を除く5面を覆う上下の金型である。
【００４１】この場合、一見絶縁タイバー100は不要の
ように思えるが、2層になったリードフレーム41、42の
層間まで隙間なく金属金型でモールド樹脂を堰き止める
ことは困難である。その点、リードフレームに密着した
絶縁タイバー100をモールド工程での樹脂漏れ防止用の
堰として利用すれば、樹脂漏れを確実に防止することが
できる。
【００４２】また、図5に示す絶縁タイバー100と液晶ポ
リマベース35との距離Lは1mm〜3mm程度とることが望ま
しい。液晶ポリマベース35とリードフレーム金属表面と
の組み合わせでは、高温高湿の厳しい環境下では僅かに
湿気を通す可能性があるので、金属表面となじみの良い
エポキシ樹脂などのモールド樹脂で覆われた部分を形成
できるようにするためである。
【００４３】（実施例4）次に、送信機能と受信機能を
一体化した本発明送受信モジュールを図7に示す。図７
は本発明光送受信モジュールの内部構造を示す斜視図で
ある。この送受信モジュールは、既に述べた実施例1の
送信モジュールおよび実施例3の受信モジュールを液晶
ポリマーベース35上に並列して一体化した構成を基本と
している。
【００４４】このように、多くのリードを必要とすると
きには、従来の1層のリードフレームで送受信器を構成
することは非常に困難であったが、2層の積層リードフ
レームを用いる本発明送受信モジュールでは、十分なリ
ード数を確保することができる。
【００４５】（実施例5）次に、本発明積層リードフレ
ームの製造方法を説明する。ここでは2層のリードフレ
ームの場合を例にとって図8に基づいて説明する。図8
（A）は第1リードフレームの絶縁タイバーを形成する前
の平面図、図8（B）は第2リードフレームの絶縁タイバ
ーを形成する前の平面図、図8（C）は第1・第2リードフ
レームを接合した状態の縦断面図である。
【００４６】まず、図8に示すように、まず金属製タイ
バー44で各リードが連結された第1リードフレーム41を
用意する。この単層の第1リードフレーム41に金型など
を用いて絶縁タイバー101を形成する。同様に、金属製
タイバー45で各リードが連結された第2リードフレーム4
2を用意する。続いてこの単層の第2リードフレーム42に
金型などを用いて絶縁タイバー102を形成する。絶縁タ
イバー101、102を形成した後、第1・第2リードフレーム
の各金属製タイバー44、45を切断・除去する。そして、
これら2層のリードフレームにおける絶縁タイバー101、
102を接着剤などで接合して連結する。
【００４７】（実施例6）本発明積層リードフレームの
別の製造方法を図9に基づいて説明する。実施例5では一
層づつ絶縁タイバー101、102を形成してから接合した
が、2層のリードフレームを連結する絶縁タイバー100を
一度に形成する方法もある。
【００４８】実施例5と同様に、金属製タイバー44、45
で各リードが連結された第1・第2リードフレーム41、42
を用意する（図9A,B）。これらの両リードフレーム41、
42を、図9（C）に示すように、金属製タイバー44、45を
残したまま、3分割された金型110で第1・第2リードフレ
ーム41、42を挟む。この金型110には、両リードフレー
ムを連結するように絶縁タイバーを形成する凹部が設け
られている。金属製タイバー44、45は樹脂の流れ止めに
なるが、金型110から積層リードフレームを取り出した
後に切断・除去する。このようなリードフレームの製造
方法は、図1に示すように、各種の部品をリードフレー
ムに載せてから絶縁タイバーを形成することは困難であ
るが、リードフレームだけの状態なら十分可能である。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明積層リード
フレームは、絶縁タイバーを具えているので、樹脂モー
ルド時において歩留まりを落とす樹脂漏れやバリの生成
を抑制することができる。
【００５０】本発明光通信モジュールは、積層リードフ
レームを用いることで、高密度実装に必要な数のリード
ピンおよび後段回路との接続に必要な数のリードピンが
十分確保できる。
【００５１】本発明光通信モジュールは、LDとドライバ
ICの間隔を狭くできるので、配線のインピーダンスを低
くでき、1Gbps以上の高速送信が容易にできる。
【００５２】本発明光通信モジュールは、絶縁タイバー
で各リードを電気的に絶縁しているため、樹脂モールド
前に電気検査やスクリーニングができ、不良をいち早く
検出してコスト削減を図ることができる。
【００５３】本発明光通信モジュールおよびその製造方
法は、絶縁タイバーをトランスファーモールド時の樹脂
漏れ防止用の堰として用いるので、樹脂漏れのない綺麗
なトランスファーモールドができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】2層の積層リードフレームを用いた光送信モジ
ュール縦断面図である。
【図２】図1の光通信モジュールの平面図である。
【図３】3層リードフレームを持つ本発明モジュールの
縦断面図である。
【図４】図3の光通信モジュールの平面図である。
【図５】本発明光受信モジュールの概略透視斜視図であ
る。
【図６】図5の光受信モジュールにおけるモールド工程
の説明図である。
【図７】本発明光送受信モジュールの概略透視斜視図で
ある。
【図８】本発明リードフレームの製造方法を示すもの
で、（A）は第1リードフレームの絶縁タイバーを形成す
る前の平面図、（B）は第2リードフレームの絶縁タイバ
ーを形成する前の平面図、（C）は第1・第2リードフレ
ームを接合した状態の縦断面図である。
【図９】本発明リードフレームの別の製造方法を示すも
ので、（A）は第1リードフレームの絶縁タイバーを形成
する前の平面図、（B）は第2リードフレームの絶縁タイ
バーを形成する前の平面図、（C）は第1・第2リードフ
レームを金型に収納した状態の縦断面図である。
【図１０】従来の半導体レーザ送信器の断面構造を示す
切欠斜視図である。
【図１１】従来のリードフレームの平面図である。
【図１２】従来の光通信モジュールの製造工程を示すフ
ローチャートである。
【図１３】従来の光通信モジュール製造方法の説明図で
ある。
【符号の説明】
10 半導体レーザ 15 モニタフォトダイオード 16 レンズ 20 ドライバIC 30 Siベンチ（Siプラットフォーム） 35 液晶ポリマベース 41 第1リードフレーム 42 第2リードフレーム 43 第3リードフレーム 44 金属製タイバー 45 金属製タイバー 50 絶縁スペーサ 51 層間配線 61 光ファイバ 62 光ファイバフェルール 70 Au線 80 受光素子 90 前置増幅器 100 絶縁タイバー 101 絶縁タイバー 102 絶縁タイバー 110 金型 120 リードフレーム 121 フレーム 122 ダイパッド 123 リード 124 タイバー 130 ガラス板 140 樹脂
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｒ 13/46 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｂ ５Ｆ０８８ Ｈ０１Ｓ 5/022 Ｃ (72)発明者 岡田 毅 大阪市此花区島屋一丁目１番３号 住友電 気工業株式会社大阪製作所内 Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA02 BA11 DA03 DA04 DA06 DA12 DA17 DA36 5E087 GG02 JJ03 LL16 MM02 PP06 RR29 RR47 5F061 AA01 BA01 CA21 DD12 EA03 FA01 5F067 AA02 AA09 CC01 DA07 DE14 5F073 AB28 BA02 CA12 FA06 FA13 FA28 FA29 FA30 5F088 AA03 AB07 BB01 EA07 EA09 JA03 JA06 JA14 JA18

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数のリードフレームを絶縁材料よりな
    るタイバーで積層状に保持したことを特徴とする積層リ
    ードフレーム。
  2. 【請求項２】 複数のリードフレームを絶縁材料よりな
    るタイバーで積層状に保持した積層リードフレームと、 少なくとも一層のリードフレームに配置される光通信機
    能部とを具えることを特徴とする光通信モジュール。
  3. 【請求項３】 光通信機能部が、発光素子および受光素
    子の少なくとも一方と光伝送媒体とを具えることを特徴
    とする請求項2に記載の光通信モジュール。
  4. 【請求項４】 光伝送媒体が、光ファイバであることを
    特徴とする請求項3に記載の光通信モジュール。
  5. 【請求項５】 光通信機能部が、Si基板またはセラミッ
    ク基板上に構成されていることを特徴とする請求項2に
    記載の光通信モジュール。
  6. 【請求項６】 光通信機能部が、樹脂モールド部に収納
    されていることを特徴とする請求項2に記載の光通信モ
    ジュール。
  7. 【請求項７】 複数のリードフレームを絶縁材料よりな
    るタイバーで積層状に保持した積層リードフレームを用
    意する工程と、 この積層リードフレームの少なくとも一層に光通信機能
    部を搭載する工程と、光通信機能部を搭載した積層リー
    ドフレームを樹脂モールドする工程とを具え、 前記樹脂モールドする工程で、絶縁タイバーをモールド
    樹脂の堰き止めに用いることを特徴とする光通信モジュ
    ールの製造方法。
  8. 【請求項８】 さらに樹脂モールドする工程で、絶縁タ
    イバーを樹脂モールド部の外形の一部とすることを特徴
    とする請求項７に記載の光通信モジュールの製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003014990A (ja) * 2001-06-29 2003-01-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 光通信モジュール
US7366367B2 (en) 2003-05-21 2008-04-29 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical data link and method of manufacturing optical data link

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6908779B2 (en) * 2002-01-16 2005-06-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP4007118B2 (ja) * 2002-08-12 2007-11-14 住友電気工業株式会社 発光デバイス、光モジュール、およびグレーティングチップ
CN100440500C (zh) * 2003-03-11 2008-12-03 古河电气工业株式会社 印刷配线基板、其制造方法、引线框封装件以及光模块
JP2006253297A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Sharp Corp 光半導体装置、電子機器および光半導体装置の製造方法
US20080224287A1 (en) * 2007-03-16 2008-09-18 Finisar Corporation Optoelectronic device alignment in an optoelectronic package
AU2008258267B2 (en) * 2007-06-04 2013-05-16 Danstar Ferment Ag Methods and compositions for fining fermentable beverages
JP2012023281A (ja) * 2010-07-16 2012-02-02 Nitto Denko Corp 発光装置の製法
KR102008909B1 (ko) * 2012-05-04 2019-08-08 삼성전자주식회사 광 커넥터 및 이를 구비하는 스택 모듈
CN108321674A (zh) * 2015-03-30 2018-07-24 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 激光发射器
JP6354874B1 (ja) * 2017-01-31 2018-07-11 住友大阪セメント株式会社 光変調器
CN111370382A (zh) * 2018-12-25 2020-07-03 恩智浦美国有限公司 用于具有改进的爬电距离的半导体管芯封装的混合引线框架
GB2602046B (en) * 2020-12-16 2023-07-19 Rockley Photonics Ltd Electro-optical package and method of fabrication

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04230713A (ja) * 1990-03-16 1992-08-19 Sumitomo Electric Ind Ltd リードフレームおよび光モジュールの製造方法
JPH0738035A (ja) * 1993-07-22 1995-02-07 Toppan Printing Co Ltd 樹脂封止電子回路装置の製造方法
JPH10332993A (ja) * 1997-06-03 1998-12-18 Hitachi Ltd 光半導体装置およびその製造方法
JPH11202145A (ja) * 1998-01-08 1999-07-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光モジュールおよびその製造方法
JP2000031367A (ja) * 1998-07-14 2000-01-28 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2003014990A (ja) * 2001-06-29 2003-01-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 光通信モジュール

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04139868A (ja) * 1990-10-01 1992-05-13 Nec Yamagata Ltd 半導体装置用リードフレーム
JP3881074B2 (ja) 1996-11-21 2007-02-14 株式会社ルネサステクノロジ 半導体レーザモジュール
JP4256502B2 (ja) * 1998-11-12 2009-04-22 新光電気工業株式会社 半導体装置用リードフレームと半導体装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04230713A (ja) * 1990-03-16 1992-08-19 Sumitomo Electric Ind Ltd リードフレームおよび光モジュールの製造方法
JPH0738035A (ja) * 1993-07-22 1995-02-07 Toppan Printing Co Ltd 樹脂封止電子回路装置の製造方法
JPH10332993A (ja) * 1997-06-03 1998-12-18 Hitachi Ltd 光半導体装置およびその製造方法
JPH11202145A (ja) * 1998-01-08 1999-07-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光モジュールおよびその製造方法
JP2000031367A (ja) * 1998-07-14 2000-01-28 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2003014990A (ja) * 2001-06-29 2003-01-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 光通信モジュール

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003014990A (ja) * 2001-06-29 2003-01-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 光通信モジュール
US7366367B2 (en) 2003-05-21 2008-04-29 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical data link and method of manufacturing optical data link

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