JPH1126646A - 光半導体モジュールとその製造方法 - Google Patents

光半導体モジュールとその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐雑音性に優れ、しかも組立容易な光半導体
モジュールを提供する。 【解決手段】 基板上に配置され光信号を導波する光フ
ァイバと、光信号を受光して電気信号に変換する受光素
子と、光ファイバの端部から出射される光信号を受光素
子に光学的に結合させる光結合部とを備え、さらに、端
部と受光素子の間にある空間を埋める絶縁性樹脂と、絶
縁性樹脂を覆いかつ基板の表面に配置され受光素子の電
気端子に接続されたグランド部に電気的に接続するよう
に塗布された導電性樹脂とを備えている。絶縁性樹脂
は、光導波体と同じ屈折率を有し端部と受光素子の間に
ある空間を埋める屈折率整合用樹脂と、この第1の絶縁
性樹脂の周囲を覆う封止用樹脂を含んでいることを特徴
としている。また、光結合部は、端部から基板に平行に
出射された光信号を基板に対して垂直上方に反射する反
射部と、受光素子の受光面を基板の表面に向けて配置す
る配置部とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバなどの
光伝送路と半導体レーザやフォトダイオードなどの光素
子を光結合させた光通信用の光半導体モジュールに関す
る。
【0001】
【従来の技術】光ファイバなどの光伝送路と半導体レー
ザやフォトダイオードなどの光素子を光結合させた光通
信用の光モジュールは、光通信システムを構成する上で
重要なデバイスの1つである。近年、低価格化の観点か
ら、パッケージコストの低減が図れる樹脂封止が採用さ
れている。
【0002】従来この種の光モジュールとしては、例え
ば、 '97年電子情報通信学会総合大会の講演論文集C
−3−62に記載されているものがある。これは、半導
体レーザ(LD)、受光素子(PD)と光ファイバから
成る光モジュールで、光結合部分には透明な絶縁性樹脂
を充填し、その周辺部分には絶縁性樹脂でモールドして
ある。
【0003】一般に、樹脂は、パッケージ材料としては
安価であるため、モジュールの低コスト化が実現でき
る。しかしながら、光モジュール内に充填する樹脂は、
モジュール内の電気的ショートを防ぐため、絶縁性のも
のが必要である。このため、ノイズ等の雑音信号は、モ
ジュール外に逃げず、光モジュール内の光素子等に影響
を与える。特に、微弱信号を扱う受光素子においては、
ノイズのために良好な受信感度が得られない大きな問題
がある。
【0004】これを解決する手段として、絶縁性樹脂を
金属板であるシールド片や金属薄であるシールド膜で覆
う構成がある。この種の光モジュールとしては、特開平
7−288332号公報に記載されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】絶縁性樹脂を金属板で
あるシールド片や金属薄であるシールド膜で覆う構成
は、下地である絶縁性樹脂の形状を被覆しやすい箱型に
成形する必要がある。しかしながら、この箱形成形は工
数が多く掛かり低価格化を困難にするものであった。ま
た更に、シールド膜においては、特別な成膜工程が必要
となる問題がある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の光半導体モジュ
ールは、上記問題点を解決するために、基板上に配置さ
れ光信号を導波する光ファイバ又は光導波路と、光信号
を受光して電気信号に変換する受光素子と、光ファイバ
等の端部から出射される光信号を受光素子に光学的に結
合させる光結合部とを備えた光半導体モジュールであっ
て、さらに、端部と受光素子の間にある空間を埋める絶
縁性樹脂と、絶縁性樹脂を覆いかつ基板の表面に配置さ
れ受光素子の電気端子に接続されたグランド部に電気的
に接続するように塗布された導電性樹脂とを備えている
ことを特徴としている。
【0007】ここで、絶縁性樹脂は、光導波体と同じ屈
折率を有し端部と受光素子の間にある空間を埋める屈折
率整合用樹脂と、この第1の絶縁性樹脂の周囲を覆う封
止用樹脂を含んでいることを特徴としている。また、光
結合部は、端部から基板に平行に出射された光信号を基
板に対して垂直上方に反射する反射部と、受光素子の受
光面を基板の表面に向けて配置する配置部とを備えてい
る。
【0008】本発明の光半導体モジュールの製造方法
は、基板上に配置され光信号を導波する光導波体と、光
信号を受光して電気信号に変換する受光素子と、光導波
体の端部から出射される光信号を受光素子に光学的に結
合させる光結合部とを備えた光半導体モジュールを製造
する光半導体モジュールの製造方法であって、光導波体
と受光素子を結合させる第1の工程と、端部と受光素子
の間にある空間を絶縁性樹脂により埋める第2の工程
と、絶縁性樹脂を覆いかつ基板の表面に配置され受光素
子の電気端子に接続されたグランド部に電気的に接続す
るように導電性樹脂を塗布する第3の工程とを備えてい
る。そして、上記第2の工程は、光導波体と同じ屈折率
を有し、端部と受光素子の間にある空間を屈折率整合用
樹脂により埋める屈折率整合用樹脂塗布工程と、第1の
絶縁性樹脂の周囲を封止用樹脂により覆う封止用樹脂塗
布工程とを含んでいる。
【0009】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
【0010】図1は、本発明の実施の形態を示す概要図
である。本構成は、リードフレーム1上のSi基板2に
表面入射型のPD素子3がバンプ4を介して接合されて
いる。光ファイバ5は、V溝6に収納されており、光透
過率の高い樹脂7がPD素子と光ファイバの光路中に充
填され、全体を封止機能を持った樹脂8でモールドされ
ている光モジュールである。ここで、樹脂7は光路長を
調整するための樹脂であり、樹脂8は、気密封止するた
めの樹脂である。
【0011】また、樹脂7,8は、モジュール内部の電
気的ショートを防ぐため絶縁性のものである。そして、
モールド樹脂8及びリードフレーム上のグランド面9に
導電性の樹脂10が覆っている。このような構成で、光
ファイバから出射した微弱な出射光は、ミラー面11で
反射して、PD素子に入射し、微弱な電気信号に変換さ
れる。
【0012】この時、ノイズ等の雑音信号は、表面に導
電性樹脂があるため、導電性樹脂10を通ってグランド
面9に流れるため、PD素子で変換された微弱信号に影
響を与えない。これにより、良好な受信感度が得られ
る。また、シールド材である樹脂は塗布時には流体であ
るため、下地である樹脂7,8が不定形でも表面に均等
に被覆される。
【0013】このため、従来のように絶縁性樹脂を特定
の箱型に成形する必要が無く、箱形成形の工数が削減さ
れ低価格化が容易となる。また、樹脂の被覆工程は、特
殊な工程を必要とせず、一般的に行われているポッティ
ング工程で容易に被覆可能である。
【0014】
【実施例】次に、本発明の光半導体モジュールの一実施
例について、引き続き図1を参照して説明する。
【0015】上述と同様の構成において、PD素子3
は、受光径80μmの表面入射型で、光ファイバ5は多
モードファイバでコア径62.5μm、外径125μm
のものが用いられている。透明樹脂7の屈折率は光ファ
イバのコアの屈折率と同等の1.47であり、光透過率
95%以上のものである。
【0016】封止用樹脂8は、透明樹脂7上に形成され
ている。バンプ4は直径φ90μm、高さ50μmのA
uSn半田である。導電性樹脂10は、シリコーン性樹
脂でシリコーン中に銀フィラを含んでおり、体積抵抗率
3×10-4Ω・cmである。導電性樹脂10の被覆方法
は、一般の吐出器で樹脂8上に塗布し、150℃、3分
間で熱硬化させた。樹脂8の形状は半円状であるが、シ
ールド材が樹脂(流体)であるため、問題なく樹脂8表
面に被覆可能である。
【0017】このような構成で、光ファイバから出射し
た微弱な出射光は、ミラー面11で反射して、PD素子
に入射し、微弱な電気信号に変換される。この時、ノイ
ズ等の雑音信号は、表面に導電性樹脂があるため、導電
性樹脂10を通ってグランド面9に流れるため、PD素
子で変換された微弱信号に影響を与えない。これによ
り、良好な受信感度が得られる。
【0018】なお、本実施例では、充填された絶縁性の
樹脂として樹脂7,8の2層構造としたが、良好な光結
合特性、封止特性が得られれば、特に層構造は限定され
ず、1層または3層以上でも良い。また、信頼性、保守
等の観点から導電性樹脂の表面に新たに絶縁性樹脂を設
けても良く、また本実施例では、導電性樹脂10を封止
用樹脂8の表面に形成したが、透明樹脂7の表面に形成
しても効果は同様である。
【0019】また、光伝送路として光ファイバを用いた
が、これに限定されず、石英系光導波路、ポリイミド光
導波路、プラスチック光導波路でも良い。光ファイバに
多モードファイバを用いたが、これに限定されず、例え
ば単一モードファイバでも良い。さらに、受光素子とし
て表面入射型のPD素子を用いたが、これに限定され
ず、APD素子、半導体レーザー(LD)、光アンプで
も良いのは当然である。また、受光素子をバンプを介し
てSi基板上に接合したが、バンプを用いず平坦な半田
層を介して接合しても良い。
【0020】
【発明の効果】ノイズ等の雑音信号は、導電性樹脂を通
ってグランド面に流れるため、受光素子へのノイズの回
り込みを防止できる。従って、ノイズは、導電性樹脂で
シールドされ、微弱信号を扱うPD素子の特性に影響を
与えない。また、下地である樹脂を特定の箱型にする必
要が無く不定形で良いため、箱形成形の工数削減とな
る。また、導電性樹脂の被覆工程は、特殊な工程を必要
とせず、一般的に行われているポッティング工程で容易
に被覆可能であるため、光モジュールの低価格化が容易
である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光半導体モジュールの一実施例の縦断
面図である。
【符号の説明】
1 リードフレーム 2 シリコン基板 3 フォトダイオード 4 AuSnバンプ 5 光ファイバ 6 V溝 7 絶縁性樹脂 8 絶縁性樹脂 9 グランド面 10 導電性樹脂 11 ミラー面

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に配置され、光信号を導波する光
    導波体と、 前記光信号を受光して電気信号に変換する受光素子と、 前記光導波体の端部から出射される前記光信号を前記受
    光素子に光学的に結合させる光結合手段とを備えた光半
    導体モジュールであって、 前記光半導体モジュールは、さらに、 前記端部と前記受光素子の間にある空間を埋める絶縁性
    樹脂と、 前記絶縁性樹脂を覆い、かつ前記基板の表面に配置され
    前記受光素子の電気端子に接続されたグランド部に電気
    的に接続するように塗布された導電性樹脂とを備えてい
    ることを特徴とする光半導体モジュール。
  2. 【請求項2】 前記絶縁性樹脂は、 前記光導波体と同じ屈折率を有し、前記端部と前記受光
    素子の間にある空間を埋める屈折率整合用樹脂と、 該第1の絶縁性樹脂の周囲を覆う封止用樹脂を含んでい
    ることを特徴とする請求項1記載の光半導体モジュー
    ル。
  3. 【請求項3】 前記光導波体は、光ファイバであること
    を特徴とする請求項1又は請求項2記載の光半導体モジ
    ュール。
  4. 【請求項4】 前記光導波体は、光導波路であることを
    特徴とする請求項1又は請求項2記載の光半導体モジュ
    ール。
  5. 【請求項5】 前記光結合手段は、 前記端部から前記基板に平行に出射された前記光信号を
    前記基板に対して垂直上方に反射する反射部と、 前記受光素子の受光面を前記基板の表面に向けて配置す
    る配置手段とを備えていることを特徴とする請求項1又
    は請求項2記載の光半導体モジュール。
  6. 【請求項6】 基板上に配置され光信号を導波する光導
    波体と、前記光信号を受光して電気信号に変換する受光
    素子と、前記光導波体の端部から出射される前記光信号
    を前記受光素子に光学的に結合させる光結合手段とを備
    えた光半導体モジュールを製造する光半導体モジュール
    の製造方法であって、 前記光導波体と前記受光素子を結合させる第1の工程
    と、 前記端部と前記受光素子の間にある空間を絶縁性樹脂に
    より埋める第2の工程と、 前記絶縁性樹脂を覆い、かつ前記基板の表面に配置され
    前記受光素子の電気端子に接続されたグランド部に電気
    的に接続するように導電性樹脂を塗布する第3の工程と
    を備えていることを特徴とする光半導体モジュールの製
    造方法。
  7. 【請求項7】 前記第2の工程は、 前記光導波体と同じ屈折率を有し、前記端部と前記受光
    素子の間にある空間を屈折率整合用樹脂により埋める屈
    折率整合用樹脂塗布工程と、 前記第1の絶縁性樹脂の周囲を封止用樹脂により覆う封
    止用樹脂塗布工程とを含んでいることを特徴とする請求
    項6記載の光半導体モジュール。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002299648A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Hitachi Ltd 光送信・受信モジュール
KR100567151B1 (ko) * 1999-06-16 2006-04-04 세이코 엡슨 가부시키가이샤 광 모듈 및 그 제조방법, 및 광 전송 장치
JP2008288610A (ja) * 2008-07-17 2008-11-27 Taiyo Yuden Co Ltd 回路モジュールの製造方法
JP2008304611A (ja) * 2007-06-06 2008-12-18 Fujikura Ltd 光送受信装置
JP2012103732A (ja) * 2012-02-13 2012-05-31 Fujikura Ltd 光送受信装置の製造方法
JP2013101408A (ja) * 2013-02-27 2013-05-23 Hirose Electric Co Ltd 光電気複合型コネクタ
WO2024185317A1 (ja) * 2023-03-07 2024-09-12 パナソニックIpマネジメント株式会社 光モジュールの製造方法及び光モジュール

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19748989A1 (de) * 1997-11-06 1999-07-15 Daimler Chrysler Ag Optisches Sende/Empfangsmodul
JP3792040B2 (ja) * 1998-03-06 2006-06-28 松下電器産業株式会社 双方向光半導体装置
CN100397127C (zh) * 1998-08-05 2008-06-25 精工爱普生株式会社 光模块及其制造方法
JP2000098188A (ja) * 1998-09-18 2000-04-07 Fujitsu Ltd 光モジュール
JP2000110176A (ja) * 1998-10-02 2000-04-18 Fujitsu Ltd 光モジュール及びその製造方法
JP3033576B1 (ja) 1999-02-18 2000-04-17 日本電気株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
DE19918860C2 (de) * 1999-04-26 2002-03-07 Tyco Electronics Logistics Ag Elektro-optisches Wandlerbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19918859C2 (de) * 1999-04-26 2002-02-07 Tyco Electronics Logistics Ag Elektro-optisches Wandlerbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung
JP3758938B2 (ja) * 1999-06-16 2006-03-22 セイコーエプソン株式会社 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置
JP2001004853A (ja) * 1999-06-23 2001-01-12 Nec Corp 光モジュールとその製造方法
JP2001264593A (ja) * 2000-03-22 2001-09-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 光装置
JP3721935B2 (ja) * 2000-04-19 2005-11-30 住友電気工業株式会社 光学装置
DE10023353A1 (de) * 2000-05-12 2001-11-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
DE10024473B4 (de) 2000-05-18 2007-04-19 Vishay Semiconductor Gmbh Optischer Empfänger
US20020122637A1 (en) * 2000-12-26 2002-09-05 Anderson Gene R. Optical transmitter, receiver or transceiver module
US6709170B2 (en) * 2001-01-08 2004-03-23 Optical Communications Products, Inc. Plastic encapsulation of optoelectronic devices for optical coupling
FR2822246B1 (fr) * 2001-03-15 2003-05-16 Opsitech Optical Sys On A Chip Procede de fabrication d'un boitier optique et dispositif opto-electronique
CN1302306C (zh) * 2001-09-14 2007-02-28 因芬尼昂技术股份公司 光学信号传输之传送及/或接收装置
JP2003124500A (ja) * 2001-10-15 2003-04-25 Sharp Corp 光結合素子
JP2003258137A (ja) * 2002-02-28 2003-09-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPWO2003083542A1 (ja) * 2002-03-29 2005-08-04 日本碍子株式会社 光デバイス及びその製造方法
US6835582B1 (en) 2003-01-15 2004-12-28 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Microchip-level optical interconnect
JP4153914B2 (ja) * 2003-01-27 2008-09-24 日本碍子株式会社 光デバイス
JP4381698B2 (ja) * 2003-03-10 2009-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
US6856717B2 (en) * 2003-03-24 2005-02-15 Hymite A/S Package with a light emitting device
JP3920264B2 (ja) * 2003-12-26 2007-05-30 株式会社東芝 光半導体モジュールの製造方法
US7263260B2 (en) * 2005-03-14 2007-08-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Low cost, high precision multi-point optical component attachment
CN102109646B (zh) * 2007-05-14 2013-10-23 株式会社藤仓 光收发装置
US7791016B2 (en) * 2007-10-29 2010-09-07 Hamamatsu Photonics K.K. Photodetector
JP4892457B2 (ja) * 2007-11-06 2012-03-07 日東電工株式会社 光導波路デバイスの製法およびそれによって得られる光導波路デバイス
EP2523029B1 (en) * 2010-01-06 2017-02-15 Fujikura Ltd. Optical coupling structure and optical transreceiver module
US9054024B2 (en) * 2012-02-13 2015-06-09 Futurewei Technologies, Inc. Apparatus and method for optical communications
JP2015035439A (ja) * 2013-08-07 2015-02-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 光結合装置及び光結合装置の製造方法
KR101924939B1 (ko) * 2017-02-24 2018-12-04 주식회사 지파랑 슬림형 커넥터 플러그, 이를 이용한 액티브 광 케이블 조립체 및 그의 제조방법
WO2019058634A1 (ja) * 2017-09-25 2019-03-28 オリンパス株式会社 光モジュール

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5980979A (ja) * 1982-10-29 1984-05-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光電変換装置
US5226052A (en) * 1990-05-08 1993-07-06 Rohm, Ltd. Laser diode system for cutting off the environment from the laser diode
DE4323828C2 (de) * 1993-07-16 1995-12-14 Ant Nachrichtentech Anordnung zur Ankopplung mindestens eines Lichtleitfaserendes an jeweils einen optoelektronischen Sende- oder Empfängerbaustein
JPH07288332A (ja) * 1994-02-25 1995-10-31 Fujitsu Ltd 光素子組立体とその製造方法
JPH0818163A (ja) * 1994-06-24 1996-01-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光装置
EP0767923B1 (en) * 1994-06-29 2000-01-05 BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company Packaged optical device
JPH08220368A (ja) * 1995-02-13 1996-08-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光半導体装置モジュール
JPH0984162A (ja) * 1995-09-14 1997-03-28 Sharp Corp リモコン受光ユニット
DE19714170C1 (de) * 1997-03-21 1998-07-30 Siemens Ag Elektrooptisches Modul

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100567151B1 (ko) * 1999-06-16 2006-04-04 세이코 엡슨 가부시키가이샤 광 모듈 및 그 제조방법, 및 광 전송 장치
JP2002299648A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Hitachi Ltd 光送信・受信モジュール
JP2008304611A (ja) * 2007-06-06 2008-12-18 Fujikura Ltd 光送受信装置
JP2008288610A (ja) * 2008-07-17 2008-11-27 Taiyo Yuden Co Ltd 回路モジュールの製造方法
JP2012103732A (ja) * 2012-02-13 2012-05-31 Fujikura Ltd 光送受信装置の製造方法
JP2013101408A (ja) * 2013-02-27 2013-05-23 Hirose Electric Co Ltd 光電気複合型コネクタ
WO2024185317A1 (ja) * 2023-03-07 2024-09-12 パナソニックIpマネジメント株式会社 光モジュールの製造方法及び光モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
EP1180801A3 (en) 2003-03-12
EP1180801A2 (en) 2002-02-20
US6019523A (en) 2000-02-01
KR100298606B1 (ko) 2001-09-06
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DE69805702T2 (de) 2002-10-17

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