JP2003258137A - 半導体装置 - Google Patents
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡素な構成の電磁シールドにより出力特性を
向上し、誤動作を回避することができる耐久性の向上し
た半導体装置を提供すること。 【解決手段】 樹脂モールド型半導体装置本体の外部接
続リード１０を樹脂パッケージ８の一辺に配設するとと
もに、電磁シールド部材を導電性あるいは半導電性材料
により開口部を有する筒状カバー４に形成した。また、
開口部４ａから筒状カバー４内に樹脂パッケージ８を嵌
入させて筒状カバー４により樹脂パッケージ８を覆うよ
うにした。
向上し、誤動作を回避することができる耐久性の向上し
た半導体装置を提供すること。 【解決手段】 樹脂モールド型半導体装置本体の外部接
続リード１０を樹脂パッケージ８の一辺に配設するとと
もに、電磁シールド部材を導電性あるいは半導電性材料
により開口部を有する筒状カバー４に形成した。また、
開口部４ａから筒状カバー４内に樹脂パッケージ８を嵌
入させて筒状カバー４により樹脂パッケージ８を覆うよ
うにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高電圧を発生する
部品と隣接して搭載される半導体装置に関し、さらに詳
しくは、電磁シールド部材を設けることにより出力特性
が向上するとともに誤動作を回避することのできる半導
体装置に関する。
部品と隣接して搭載される半導体装置に関し、さらに詳
しくは、電磁シールド部材を設けることにより出力特性
が向上するとともに誤動作を回避することのできる半導
体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、機器の小型化及び一体化が進むな
か、高電圧を発生する部品に隣接して半導体デバイスを
搭載する必要性が生じる一方、高電圧部品と半導体デバ
イスが近接すると、高電圧部品に起因する電界により、
半導体デバイスの動作異常が発生する虞があることがわ
かっている。これまでは、高電圧部品と一定の距離を確
保することや、シールド板を半導体デバイスと高電圧部
品の間に設ける等で対処してきたが、より一層の小型化
を図るためには、半導体デバイス自体にシールド効果を
付与する必要がある。
か、高電圧を発生する部品に隣接して半導体デバイスを
搭載する必要性が生じる一方、高電圧部品と半導体デバ
イスが近接すると、高電圧部品に起因する電界により、
半導体デバイスの動作異常が発生する虞があることがわ
かっている。これまでは、高電圧部品と一定の距離を確
保することや、シールド板を半導体デバイスと高電圧部
品の間に設ける等で対処してきたが、より一層の小型化
を図るためには、半導体デバイス自体にシールド効果を
付与する必要がある。
【０００３】図５は従来の半導体デバイスを示してい
る。同図において、リードフレーム、信号処理用の半導
体チップ等(図示せず)がモールド樹脂５０により封止さ
れ、外部接続リード５２を備える半導体デバイスが構成
される。リードフレームはモールドされるまでは多数個
取りのため、モールド完了後リードフレームを切断して
個々の半導体デバイスに切り離されるが、その際にタイ
バーカット残り５４が半導体デバイスに残る。
る。同図において、リードフレーム、信号処理用の半導
体チップ等(図示せず)がモールド樹脂５０により封止さ
れ、外部接続リード５２を備える半導体デバイスが構成
される。リードフレームはモールドされるまでは多数個
取りのため、モールド完了後リードフレームを切断して
個々の半導体デバイスに切り離されるが、その際にタイ
バーカット残り５４が半導体デバイスに残る。
【０００４】このような半導体デバイスは、シールド部
材を有する構造ではないため、高電圧部品に隣接配置さ
れると、高電圧部品の電界の影響を受けやすく、動作異
常を惹起する虞がある。
材を有する構造ではないため、高電圧部品に隣接配置さ
れると、高電圧部品の電界の影響を受けやすく、動作異
常を惹起する虞がある。
【０００５】そこで、シールド部材を備えた半導体装置
がこれまで種々提案されており、特開平１１−４００７
号公報には、強電界下で使用される半導体受信装置が開
示されている。この装置は、非導電性樹脂成形体上に導
電性樹脂成形体を一体的に形成するとともに導電性樹脂
成形体を接地ピンに接続した構成である。
がこれまで種々提案されており、特開平１１−４００７
号公報には、強電界下で使用される半導体受信装置が開
示されている。この装置は、非導電性樹脂成形体上に導
電性樹脂成形体を一体的に形成するとともに導電性樹脂
成形体を接地ピンに接続した構成である。
【０００６】また、特開平６−１１２３６２号公報に
は、高周波素子用パッケージが開示されており、樹脂パ
ッケージの上面及び側面を導電性シールド板で覆うこと
により、樹脂封止モールドパッケージ本体の上面及び側
面からの不要信号の放出を防止している。
は、高周波素子用パッケージが開示されており、樹脂パ
ッケージの上面及び側面を導電性シールド板で覆うこと
により、樹脂封止モールドパッケージ本体の上面及び側
面からの不要信号の放出を防止している。
【０００７】さらに、実開昭５６−１５５４５４号公報
に開示の半導体装置では、プラスチック樹脂封止のパッ
ケージを金属カバーで覆い、印刷配線基板上の接地金属
箔に接続している。
に開示の半導体装置では、プラスチック樹脂封止のパッ
ケージを金属カバーで覆い、印刷配線基板上の接地金属
箔に接続している。
【０００８】また、特開昭５６−６００９８号公報、特
開昭５７−３１８６０号公報、特開昭５９−４１９９号
公報、特開平２−５５５５号公報、特開平２−１０５５
５７号公報、特開平４−９４５６０号公報、特開平４−
１８０６５９号公報、特開平９−２２３７６１号公報、
特開平１１−２６６４６号公報等にも同様の技術が開示
されている。
開昭５７−３１８６０号公報、特開昭５９−４１９９号
公報、特開平２−５５５５号公報、特開平２−１０５５
５７号公報、特開平４−９４５６０号公報、特開平４−
１８０６５９号公報、特開平９−２２３７６１号公報、
特開平１１−２６６４６号公報等にも同様の技術が開示
されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記各
公報に記載のシールド材は構成が簡素でないものや、部
品点数あるいは組立工程が増加したり、既に実装済みの
既存の半導体装置に電磁シールド対策を容易に行えない
ものもあり、まだまだ改善の余地があった。
公報に記載のシールド材は構成が簡素でないものや、部
品点数あるいは組立工程が増加したり、既に実装済みの
既存の半導体装置に電磁シールド対策を容易に行えない
ものもあり、まだまだ改善の余地があった。
【００１０】本発明は、従来技術の有するこのような問
題点に鑑みてなされたものであり、簡素な構成の電磁シ
ールドにより出力特性を向上し、誤動作を回避すること
ができる耐久性の向上した半導体装置を提供することを
目的としている。
題点に鑑みてなされたものであり、簡素な構成の電磁シ
ールドにより出力特性を向上し、誤動作を回避すること
ができる耐久性の向上した半導体装置を提供することを
目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のうちで請求項１に記載の発明は、樹脂モー
ルド型半導体装置本体の外側に電磁シールド部材を装着
した半導体装置であって、前記樹脂モールド型半導体装
置本体の外部接続リードを樹脂パッケージの一辺に配設
するとともに、前記電磁シールド部材を導電性あるいは
半導電性材料により開口部を有する筒状カバーに形成
し、前記開口部から前記筒状カバー内に前記樹脂パッケ
ージを嵌入させて前記筒状カバーにより前記樹脂パッケ
ージを覆うとともに、前記開口部に前記外部接続リード
を配設するようにしたことを特徴とする。
に、本発明のうちで請求項１に記載の発明は、樹脂モー
ルド型半導体装置本体の外側に電磁シールド部材を装着
した半導体装置であって、前記樹脂モールド型半導体装
置本体の外部接続リードを樹脂パッケージの一辺に配設
するとともに、前記電磁シールド部材を導電性あるいは
半導電性材料により開口部を有する筒状カバーに形成
し、前記開口部から前記筒状カバー内に前記樹脂パッケ
ージを嵌入させて前記筒状カバーにより前記樹脂パッケ
ージを覆うとともに、前記開口部に前記外部接続リード
を配設するようにしたことを特徴とする。
【００１２】また、請求項２に記載の発明は、前記筒状
カバーの体積抵抗率を１×１０５〜１×１０１２Ωｃｍ
に設定したことを特徴とする。
カバーの体積抵抗率を１×１０５〜１×１０１２Ωｃｍ
に設定したことを特徴とする。
【００１３】さらに、請求項３に記載の発明は、前記一
辺と対向する前記樹脂パッケージの他辺において、該樹
脂パッケージから露出するタイバーカット残りを前記筒
状カバーに接触させ、該筒状カバーに固定電位を印可す
るようにしたことを特徴とする。
辺と対向する前記樹脂パッケージの他辺において、該樹
脂パッケージから露出するタイバーカット残りを前記筒
状カバーに接触させ、該筒状カバーに固定電位を印可す
るようにしたことを特徴とする。
【００１４】また、請求項４に記載の発明は、前記筒状
カバーに凹部あるいは貫通孔を形成し、該凹部あるいは
貫通孔を介して前記タイバーカット残りを前記筒状カバ
ーに接触させたことを特徴とする。
カバーに凹部あるいは貫通孔を形成し、該凹部あるいは
貫通孔を介して前記タイバーカット残りを前記筒状カバ
ーに接触させたことを特徴とする。
【００１５】また、請求項５に記載の発明は、樹脂モー
ルド型半導体装置本体の外側に電磁シールド部材を装着
した半導体装置であって、前記樹脂モールド型半導体装
置本体の外部接続リードを樹脂パッケージの一辺に配設
するとともに、前記電磁シールド部材を、一端に開口部
を有し他端に前記外部接続リードを挿入するリード挿通
孔を有する筒状弾性カバーとし、前記開口部を介して前
記樹脂パッケージの一辺から前記筒状弾性カバー内に前
記樹脂パッケージを嵌入させて前記筒状弾性カバーによ
り前記樹脂パッケージを覆うとともに、前記リード挿通
孔において前記外部接続リードを前記筒状弾性カバーと
選択的に接触させ前記筒状弾性カバーに固定電位を印可
するようにしたことを特徴とする。
ルド型半導体装置本体の外側に電磁シールド部材を装着
した半導体装置であって、前記樹脂モールド型半導体装
置本体の外部接続リードを樹脂パッケージの一辺に配設
するとともに、前記電磁シールド部材を、一端に開口部
を有し他端に前記外部接続リードを挿入するリード挿通
孔を有する筒状弾性カバーとし、前記開口部を介して前
記樹脂パッケージの一辺から前記筒状弾性カバー内に前
記樹脂パッケージを嵌入させて前記筒状弾性カバーによ
り前記樹脂パッケージを覆うとともに、前記リード挿通
孔において前記外部接続リードを前記筒状弾性カバーと
選択的に接触させ前記筒状弾性カバーに固定電位を印可
するようにしたことを特徴とする。
【００１６】また、請求項６に記載の発明は、樹脂モー
ルド型半導体装置本体の外側に電磁シールド部材を装着
した半導体装置であって、前記樹脂モールド型半導体装
置本体の外部接続リードを樹脂パッケージの一辺に配設
するとともに、前記電磁シールド部材を、導電性あるい
は半導電性材料をディッピングあるいはスプレー噴霧に
より前記樹脂パッケージの表面にコーティングして形成
し、前記電磁シールド部材を固定電位と接触させるよう
にしたことを特徴とする。
ルド型半導体装置本体の外側に電磁シールド部材を装着
した半導体装置であって、前記樹脂モールド型半導体装
置本体の外部接続リードを樹脂パッケージの一辺に配設
するとともに、前記電磁シールド部材を、導電性あるい
は半導電性材料をディッピングあるいはスプレー噴霧に
より前記樹脂パッケージの表面にコーティングして形成
し、前記電磁シールド部材を固定電位と接触させるよう
にしたことを特徴とする。
【００１７】また、請求項７に記載の発明は、樹脂モー
ルド型半導体装置本体に電磁シールド部材を装着した半
導体装置であって、樹脂パッケージを半絶縁性あるいは
導電性モールド樹脂により形成し、該モールド樹脂の体
積抵抗率を１×１０５〜１×１０１２Ωｃｍに設定して
前記電磁シールド部材として使用したことを特徴とす
る。
ルド型半導体装置本体に電磁シールド部材を装着した半
導体装置であって、樹脂パッケージを半絶縁性あるいは
導電性モールド樹脂により形成し、該モールド樹脂の体
積抵抗率を１×１０５〜１×１０１２Ωｃｍに設定して
前記電磁シールド部材として使用したことを特徴とす
る。
【００１８】また、請求項８に記載の発明は、樹脂パッ
ケージを構成する絶縁性モールド樹脂を選択的に形成
し、前記電磁シールド部材を前記絶縁性モールド樹脂の
上にさらに形成したことを特徴とする。
ケージを構成する絶縁性モールド樹脂を選択的に形成
し、前記電磁シールド部材を前記絶縁性モールド樹脂の
上にさらに形成したことを特徴とする。
【００１９】また、請求項９に記載の発明は、樹脂モー
ルド型半導体装置本体の外側に電磁シールド部材を装着
した半導体装置であって、樹脂パッケージの外側面に凹
所を形成するとともに、該凹所の底面から前記樹脂パッ
ケージ内のリードフレームに連通する貫通孔を形成し、
前記凹所に充填し硬化させた半導電性あるいは導電性樹
脂の一部を前記貫通孔を介して前記リードフレームに接
触させることにより前記半導電性あるいは導電性樹脂に
固定電位を印可するようにしたことを特徴とする。
ルド型半導体装置本体の外側に電磁シールド部材を装着
した半導体装置であって、樹脂パッケージの外側面に凹
所を形成するとともに、該凹所の底面から前記樹脂パッ
ケージ内のリードフレームに連通する貫通孔を形成し、
前記凹所に充填し硬化させた半導電性あるいは導電性樹
脂の一部を前記貫通孔を介して前記リードフレームに接
触させることにより前記半導電性あるいは導電性樹脂に
固定電位を印可するようにしたことを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、本発明の
実施の形態１にかかる樹脂モールド型半導体装置を示し
ており、半導体デバイス２を一端に開口部４ａを有する
筒状で袋状のカバー（電磁シールド部材）４で覆うよう
にしている。カバー４は、例えば金属等の導電性あるい
は半導電性材料により形成される。
実施の形態１にかかる樹脂モールド型半導体装置を示し
ており、半導体デバイス２を一端に開口部４ａを有する
筒状で袋状のカバー（電磁シールド部材）４で覆うよう
にしている。カバー４は、例えば金属等の導電性あるい
は半導電性材料により形成される。
【００２１】半導体デバイス２は、リードフレームのイ
ンナリード（内部フレーム材）、リードフレームに取り
付けられた信号処理用の半導体チップ等（図示せず）が
絶縁性モールド樹脂により封止された樹脂パッケージ８
を有し、この樹脂パッケージ８の一辺から複数の外部接
続リード１０が延出している。上述したように、リード
フレームはモールドされるまでは多数個取りのため、モ
ールド完了後切断されて個々の半導体デバイス２より切
り離される。この時、タイバーカット残り１２が、外部
接続リード１０が設けられた樹脂パッケージ８の一辺と
対向する他辺に残存する。
ンナリード（内部フレーム材）、リードフレームに取り
付けられた信号処理用の半導体チップ等（図示せず）が
絶縁性モールド樹脂により封止された樹脂パッケージ８
を有し、この樹脂パッケージ８の一辺から複数の外部接
続リード１０が延出している。上述したように、リード
フレームはモールドされるまでは多数個取りのため、モ
ールド完了後切断されて個々の半導体デバイス２より切
り離される。この時、タイバーカット残り１２が、外部
接続リード１０が設けられた樹脂パッケージ８の一辺と
対向する他辺に残存する。
【００２２】上記構成の樹脂モールド型半導体装置の組
み付けに際し、タイバーカット残り１２のある樹脂パッ
ケージ８の部位をカバー４の開口部４ａと対向させて配
置した後、樹脂パッケージ８をカバー４に嵌入させて樹
脂パッケージ８をカバー４により覆うようにしており、
樹脂パッケージ８の外部接続リード１０はカバー４の開
口部４ａより外部に導出している。
み付けに際し、タイバーカット残り１２のある樹脂パッ
ケージ８の部位をカバー４の開口部４ａと対向させて配
置した後、樹脂パッケージ８をカバー４に嵌入させて樹
脂パッケージ８をカバー４により覆うようにしており、
樹脂パッケージ８の外部接続リード１０はカバー４の開
口部４ａより外部に導出している。
【００２３】このように、半導体デバイス２を導電性あ
るいは半導電性カバー４で覆うようにしたので、半導体
装置を高電圧部品と近接配置しても、カバー４のシール
ド効果により高電圧部品からの電界の影響を回避するこ
とができ、半導体装置の出力特性の高精度化が可能とな
るばかりでなく誤動作を回避することができる。
るいは半導電性カバー４で覆うようにしたので、半導体
装置を高電圧部品と近接配置しても、カバー４のシール
ド効果により高電圧部品からの電界の影響を回避するこ
とができ、半導体装置の出力特性の高精度化が可能とな
るばかりでなく誤動作を回避することができる。
【００２４】なお、樹脂パッケージ８の外部接続リード
１０が存在する面は、リード間の短絡を避けるためにカ
バー４で覆うことはできないが、例えば接地端子等の特
定の端子とのみカバー４を接続してシールド効果を向上
させることもできる。
１０が存在する面は、リード間の短絡を避けるためにカ
バー４で覆うことはできないが、例えば接地端子等の特
定の端子とのみカバー４を接続してシールド効果を向上
させることもできる。
【００２５】さらに、タイバーカット残り１２を内部で
電気的に固定電位と接続する一方、外部でカバー４と接
続すると、より一層のシールド効果を得ることができ
る。
電気的に固定電位と接続する一方、外部でカバー４と接
続すると、より一層のシールド効果を得ることができ
る。
【００２６】実施の形態２．実施の形態１においては、
樹脂パッケージ８をカバー４で覆うようにしたが、カバ
ー４に代えて、樹脂パッケージ８の表面に導電性メッキ
を施すことにより、実施の形態１と同様のシールド効果
を得ることができる。
樹脂パッケージ８をカバー４で覆うようにしたが、カバ
ー４に代えて、樹脂パッケージ８の表面に導電性メッキ
を施すことにより、実施の形態１と同様のシールド効果
を得ることができる。
【００２７】導電性メッキに際し、メッキ層をタイバー
カット残り１２に接触させるようにすれば、より一層の
シールド効果を奏することができる。
カット残り１２に接触させるようにすれば、より一層の
シールド効果を奏することができる。
【００２８】実施の形態３．図２は、本発明の実施の形
態３にかかる樹脂モールド型半導体装置を示しており、
半導体デバイス２を一端に開口部１４ａを有する半導電
性の弾性カバー（電磁シールド部材）１４で覆うように
している。弾性カバー１４は、例えば半導電性ゴム等に
より筒状かつ袋状に形成されている。
態３にかかる樹脂モールド型半導体装置を示しており、
半導体デバイス２を一端に開口部１４ａを有する半導電
性の弾性カバー（電磁シールド部材）１４で覆うように
している。弾性カバー１４は、例えば半導電性ゴム等に
より筒状かつ袋状に形成されている。
【００２９】他の構成及び半導体装置の組み付けは実施
の形態１と同じなので、その説明は省略する。
の形態１と同じなので、その説明は省略する。
【００３０】弾性カバー１４は低硬度のため、半導体デ
バイスが封止され実装される際には、外部応力の緩衝効
果も期待でき耐久性能が向上する。
バイスが封止され実装される際には、外部応力の緩衝効
果も期待でき耐久性能が向上する。
【００３１】弾性カバー１４の体積抵抗率は、シールド
効果を得るための上限と、端子間リークの許容値から下
限が決定され、１×１０５〜１×１０１２Ωｃｍが好ま
しい。外部接続リード１０の特定端子に接続する場合あ
るいはタイバーカット残り１２に接続する場合は、体積
抵抗率の下限で拘束されることはなく、極めて０Ωに近
い導電性ゴム等を使用することにより一層のシールド効
果を奏することができる。
効果を得るための上限と、端子間リークの許容値から下
限が決定され、１×１０５〜１×１０１２Ωｃｍが好ま
しい。外部接続リード１０の特定端子に接続する場合あ
るいはタイバーカット残り１２に接続する場合は、体積
抵抗率の下限で拘束されることはなく、極めて０Ωに近
い導電性ゴム等を使用することにより一層のシールド効
果を奏することができる。
【００３２】また、半導体デバイス内部で固定電位に接
続されるタイバーカット残り１２と弾性カバー１４とを
確実に接続するために、弾性カバー１４のタイバーカッ
ト残り１２と接触する部位（開口部１４ａの反対側）に
凹部あるいは貫通孔１４ｂを設けることもできる。
続されるタイバーカット残り１２と弾性カバー１４とを
確実に接続するために、弾性カバー１４のタイバーカッ
ト残り１２と接触する部位（開口部１４ａの反対側）に
凹部あるいは貫通孔１４ｂを設けることもできる。
【００３３】この場合、半導体装置の組み付けに際し、
タイバーカット残り１２は凹部あるいは貫通孔１４ｂに
挿入されるが、固定電位と内部的に接続されるタイバー
カット残り１２との接続なので、絶縁性が不要となり、
極めて０Ωに近い導電性ゴム等を使用することでシール
ド効果をさらに向上することができる。
タイバーカット残り１２は凹部あるいは貫通孔１４ｂに
挿入されるが、固定電位と内部的に接続されるタイバー
カット残り１２との接続なので、絶縁性が不要となり、
極めて０Ωに近い導電性ゴム等を使用することでシール
ド効果をさらに向上することができる。
【００３４】実施の形態４．図３は、本発明の実施の形
態４にかかる樹脂モールド型半導体装置を示しており、
図２の構成においては、外部接続リード１０が導出され
る部位に開口部１４ａを設けたのに対し、図３の構成で
は、タイバーカット残り１２が残存する部位に開口部１
６ａを有する半導電性の弾性カバー（電磁シールド部
材）１６で半導体デバイス２を覆うようにしたものであ
る。
態４にかかる樹脂モールド型半導体装置を示しており、
図２の構成においては、外部接続リード１０が導出され
る部位に開口部１４ａを設けたのに対し、図３の構成で
は、タイバーカット残り１２が残存する部位に開口部１
６ａを有する半導電性の弾性カバー（電磁シールド部
材）１６で半導体デバイス２を覆うようにしたものであ
る。
【００３５】また、半導体デバイス内部で固定電位に接
続される外部接続リード１０と弾性カバー１６とを確実
に接続するために、弾性カバー１６の外部接続リード１
０が延出する部位（開口部１６ａの反対側の端部）に、
外部接続リード１０が貫通するリード挿通孔１６ｂが形
成されている。
続される外部接続リード１０と弾性カバー１６とを確実
に接続するために、弾性カバー１６の外部接続リード１
０が延出する部位（開口部１６ａの反対側の端部）に、
外部接続リード１０が貫通するリード挿通孔１６ｂが形
成されている。
【００３６】上記構成の樹脂モールド型半導体装置の組
み付けに際し、外部接続リード１０のある樹脂パッケー
ジ８の部位を弾性カバー１６の開口部１６ａと対向させ
て配置した後、樹脂パッケージ８を弾性カバー１６に嵌
入させるとともに外部接続リード１０を弾性カバー１６
のリード挿通孔１６ｂに挿通して樹脂パッケージ８を弾
性カバー１６により覆うようにしている。外部接続リー
ド１０はリード挿通孔１６ｂより外部に導出し、弾性カ
バー１６と選択的に接触して固定電位が印可される。
み付けに際し、外部接続リード１０のある樹脂パッケー
ジ８の部位を弾性カバー１６の開口部１６ａと対向させ
て配置した後、樹脂パッケージ８を弾性カバー１６に嵌
入させるとともに外部接続リード１０を弾性カバー１６
のリード挿通孔１６ｂに挿通して樹脂パッケージ８を弾
性カバー１６により覆うようにしている。外部接続リー
ド１０はリード挿通孔１６ｂより外部に導出し、弾性カ
バー１６と選択的に接触して固定電位が印可される。
【００３７】なお、リークによる特性異常を回避するた
めに、リード挿通孔１６ｂを貫通する外部接続リード１
０と弾性カバー１６とを接触させない場合もあるが、極
めて０Ωに近い導電性ゴム等を使用することにより、一
層のシールド効果を奏することができる。
めに、リード挿通孔１６ｂを貫通する外部接続リード１
０と弾性カバー１６とを接触させない場合もあるが、極
めて０Ωに近い導電性ゴム等を使用することにより、一
層のシールド効果を奏することができる。
【００３８】実施の形態５．図２の構成では、半導体デ
バイス２を弾性カバー１４で覆うようにしたが、弾性カ
バー１４に代えて、導電性あるいは半導電性材料をディ
ッピングあるいはスプレー噴霧により半導体デバイス２
の表面にコーティングすることもできる。
バイス２を弾性カバー１４で覆うようにしたが、弾性カ
バー１４に代えて、導電性あるいは半導電性材料をディ
ッピングあるいはスプレー噴霧により半導体デバイス２
の表面にコーティングすることもできる。
【００３９】固定電位に接続されるタイバーカット残り
１２あるいは特定の外部接続リード１０も含めてコーテ
ィングすることで、より一層のシールド効果を奏するこ
とができる。
１２あるいは特定の外部接続リード１０も含めてコーテ
ィングすることで、より一層のシールド効果を奏するこ
とができる。
【００４０】実施の形態６．また、図２の構成におい
て、弾性カバー１４を設けない構成とすることもでき
る。すなわち、信号処理用の半導体チップ等を封止する
モールド樹脂に絶縁性を低下させるカーボンブラック等
の不純物を添加して半絶縁性あるいは導電性モールド樹
脂となし、モールド樹脂の体積抵抗率を弾性カバー１４
と同様に、１×１０５〜１×１０１２Ωｃｍに設定する
ことにより、図２の構成と同様のシールド効果を奏する
ことができる。
て、弾性カバー１４を設けない構成とすることもでき
る。すなわち、信号処理用の半導体チップ等を封止する
モールド樹脂に絶縁性を低下させるカーボンブラック等
の不純物を添加して半絶縁性あるいは導電性モールド樹
脂となし、モールド樹脂の体積抵抗率を弾性カバー１４
と同様に、１×１０５〜１×１０１２Ωｃｍに設定する
ことにより、図２の構成と同様のシールド効果を奏する
ことができる。
【００４１】さらに、その変形例として、モールド樹脂
は上述した実施の形態１乃至５と同様、絶縁性樹脂を採
用し、この絶縁性樹脂で１回目のモールドをした後、上
述した絶縁性を低下させた半絶縁性あるいは導電性樹脂
で２回目のモールドを行うようにすればよい。
は上述した実施の形態１乃至５と同様、絶縁性樹脂を採
用し、この絶縁性樹脂で１回目のモールドをした後、上
述した絶縁性を低下させた半絶縁性あるいは導電性樹脂
で２回目のモールドを行うようにすればよい。
【００４２】外部接続リード１０の特定端子に接続する
場合あるいはタイバーカット残り１２に接続する場合
は、極めて０Ωに近い導電性樹脂を使用することにより
一層のシールド効果を奏することができる。
場合あるいはタイバーカット残り１２に接続する場合
は、極めて０Ωに近い導電性樹脂を使用することにより
一層のシールド効果を奏することができる。
【００４３】なお、１回目のモールドは、絶縁性が必要
な領域に選択的に実施するようにしてもよい。
な領域に選択的に実施するようにしてもよい。
【００４４】実施の形態７．図４は、本発明の実施の形
態７にかかる樹脂モールド型半導体装置を示しており、
樹脂パッケージ８の外側面あるいは電界に弱い部位に凹
部１８を形成し、半導電性あるいは導電性樹脂２０を凹
部１８にポッティングにより充填し硬化させている。
態７にかかる樹脂モールド型半導体装置を示しており、
樹脂パッケージ８の外側面あるいは電界に弱い部位に凹
部１８を形成し、半導電性あるいは導電性樹脂２０を凹
部１８にポッティングにより充填し硬化させている。
【００４５】また、凹部１８と外部接続リード１０のイ
ンナリード１０ａとを連通する貫通孔２２がモールド樹
脂に形成されており、貫通孔２２に充填された樹脂２０
の一部を介して、固定電位に接続されるインナリード１
０ａと半導電性あるいは導電性樹脂２０とを接続するこ
とにより、より一層のシールド効果を奏することができ
る。
ンナリード１０ａとを連通する貫通孔２２がモールド樹
脂に形成されており、貫通孔２２に充填された樹脂２０
の一部を介して、固定電位に接続されるインナリード１
０ａと半導電性あるいは導電性樹脂２０とを接続するこ
とにより、より一層のシールド効果を奏することができ
る。
【００４６】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。本
発明のうちで請求項１に記載の発明によれば、電磁シー
ルド部材を導電性あるいは半導電性材料により開口部を
有する筒状カバーに形成し、開口部から筒状カバー内に
樹脂パッケージを嵌入させて筒状カバーにより樹脂パッ
ケージを覆うようにしたので、極めて簡素な構成で電磁
シールド効果の高い半導体装置を提供できるばかりでな
く、既に実装済の既存の半導体装置の電磁シールド対策
を容易に行うことができる。
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。本
発明のうちで請求項１に記載の発明によれば、電磁シー
ルド部材を導電性あるいは半導電性材料により開口部を
有する筒状カバーに形成し、開口部から筒状カバー内に
樹脂パッケージを嵌入させて筒状カバーにより樹脂パッ
ケージを覆うようにしたので、極めて簡素な構成で電磁
シールド効果の高い半導体装置を提供できるばかりでな
く、既に実装済の既存の半導体装置の電磁シールド対策
を容易に行うことができる。
【００４７】また、請求項２に記載の発明によれば、筒
状カバーの体積抵抗率を１×１０５〜１×１０１２Ωｃ
ｍに設定したので、所定のシールド効果を得ることがで
きるとともに端子間リークの問題が発生することもな
い。
状カバーの体積抵抗率を１×１０５〜１×１０１２Ωｃ
ｍに設定したので、所定のシールド効果を得ることがで
きるとともに端子間リークの問題が発生することもな
い。
【００４８】さらに、請求項３に記載の発明によれば、
樹脂パッケージから露出するタイバーカット残りを筒状
カバーに接触させ、筒状カバーに固定電位を印可するよ
うにしたので、極めて簡素な構成でシールド効果をさら
に向上させることができる。
樹脂パッケージから露出するタイバーカット残りを筒状
カバーに接触させ、筒状カバーに固定電位を印可するよ
うにしたので、極めて簡素な構成でシールド効果をさら
に向上させることができる。
【００４９】また、請求項４に記載の発明によれば、筒
状カバーに形成した凹部あるいは貫通孔を介してタイバ
ーカット残りを筒状カバーに接触させたので、筒状カバ
ーを固定電位に確実に接続することができ、シールド効
果の信頼性が向上する。
状カバーに形成した凹部あるいは貫通孔を介してタイバ
ーカット残りを筒状カバーに接触させたので、筒状カバ
ーを固定電位に確実に接続することができ、シールド効
果の信頼性が向上する。
【００５０】また、請求項５に記載の発明によれば、筒
状弾性カバー内に樹脂パッケージを嵌入させて筒状弾性
カバーにより樹脂パッケージを覆うとともに、筒状カバ
ーのリード挿通孔を介して外部接続リードを筒状弾性カ
バーと選択的に接触させ筒状弾性カバーに固定電位を印
可するようにしたので、極めて簡素な構成で筒状カバー
に固定電位を安定的に印可できるばかりでなく、樹脂パ
ッケージに対する筒状カバーの脱落を防止することがで
き、安価で信頼性の高い半導体装置を提供することがで
きる。また、半導体デバイスへの外部応力が低減し、半
導体装置の耐久性が向上する。
状弾性カバー内に樹脂パッケージを嵌入させて筒状弾性
カバーにより樹脂パッケージを覆うとともに、筒状カバ
ーのリード挿通孔を介して外部接続リードを筒状弾性カ
バーと選択的に接触させ筒状弾性カバーに固定電位を印
可するようにしたので、極めて簡素な構成で筒状カバー
に固定電位を安定的に印可できるばかりでなく、樹脂パ
ッケージに対する筒状カバーの脱落を防止することがで
き、安価で信頼性の高い半導体装置を提供することがで
きる。また、半導体デバイスへの外部応力が低減し、半
導体装置の耐久性が向上する。
【００５１】また、請求項６に記載の発明によれば、電
磁シールド部材を、導電性あるいは半導電性材料をディ
ッピングあるいはスプレー噴霧により樹脂パッケージの
表面にコーティングして形成し、電磁シールド部材を固
定電位と接触させるようにしたので、シールド効果の高
い半導体装置を容易に提供することができる。
磁シールド部材を、導電性あるいは半導電性材料をディ
ッピングあるいはスプレー噴霧により樹脂パッケージの
表面にコーティングして形成し、電磁シールド部材を固
定電位と接触させるようにしたので、シールド効果の高
い半導体装置を容易に提供することができる。
【００５２】また、請求項７に記載の発明によれば、樹
脂パッケージを半絶縁性あるいは導電性モールド樹脂に
より形成し、このモールド樹脂の体積抵抗率を１×１０
５〜１×１０１２Ωｃｍに設定して電磁シールド部材と
して使用したので、極めて簡素な構成で所定のシールド
効果を得ることができるとともに端子間リークの問題が
発生することもない。
脂パッケージを半絶縁性あるいは導電性モールド樹脂に
より形成し、このモールド樹脂の体積抵抗率を１×１０
５〜１×１０１２Ωｃｍに設定して電磁シールド部材と
して使用したので、極めて簡素な構成で所定のシールド
効果を得ることができるとともに端子間リークの問題が
発生することもない。
【００５３】また、請求項８に記載の発明によれば、樹
脂パッケージを構成する絶縁性モールド樹脂を選択的に
形成し、電磁シールド部材を前記絶縁性モールド樹脂の
上にさらに形成したので、シールド効果の高い半導体装
置を容易に提供することができる。
脂パッケージを構成する絶縁性モールド樹脂を選択的に
形成し、電磁シールド部材を前記絶縁性モールド樹脂の
上にさらに形成したので、シールド効果の高い半導体装
置を容易に提供することができる。
【００５４】また、請求項９に記載の発明によれば、樹
脂パッケージの外側面に形成された凹所の底面からイン
ナリードに連通する貫通孔を形成し、凹所に充填し硬化
させた半導電性あるいは導電性樹脂の一部を貫通孔を介
してリードフレームに接触させることにより半導電性あ
るいは導電性樹脂に固定電位を印可するようにしたの
で、極めて簡素な構成でシールド効果の向上した半導体
装置を提供することができる。
脂パッケージの外側面に形成された凹所の底面からイン
ナリードに連通する貫通孔を形成し、凹所に充填し硬化
させた半導電性あるいは導電性樹脂の一部を貫通孔を介
してリードフレームに接触させることにより半導電性あ
るいは導電性樹脂に固定電位を印可するようにしたの
で、極めて簡素な構成でシールド効果の向上した半導体
装置を提供することができる。
【図１】 本発明の実施の形態１にかかる樹脂モールド
型半導体装置の縦断面図である。
型半導体装置の縦断面図である。
【図２】 本発明の実施の形態３にかかる樹脂モールド
型半導体装置の縦断面図である。
型半導体装置の縦断面図である。
【図３】 本発明の実施の形態４にかかる樹脂モールド
型半導体装置の縦断面図である。
型半導体装置の縦断面図である。
【図４】 本発明の実施の形態７にかかる樹脂モールド
型半導体装置の縦断面図である。
型半導体装置の縦断面図である。
【図５】 従来の半導体デバイスの側面図である。
２ 半導体デバイス、 ４ カバー、 ４ａ 開口部、
８ 樹脂パッケージ、 １０ 外部接続リード、１２
タイバーカット残り、 １４，１６ 弾性カバー、１４
ａ，１６ａ 開口部、 １４ｂ，１６ｂ 貫通孔、 １
８ 凹部、２０ 半導電性あるいは導電性樹脂、 ２２
貫通孔
８ 樹脂パッケージ、 １０ 外部接続リード、１２
タイバーカット残り、 １４，１６ 弾性カバー、１４
ａ，１６ａ 開口部、 １４ｂ，１６ｂ 貫通孔、 １
８ 凹部、２０ 半導電性あるいは導電性樹脂、 ２２
貫通孔
Claims (9)
- 【請求項１】 樹脂モールド型半導体装置本体の外側に
電磁シールド部材を装着した半導体装置であって、 前記樹脂モールド型半導体装置本体の外部接続リードを
樹脂パッケージの一辺に配設するとともに、前記電磁シ
ールド部材を導電性あるいは半導電性材料により開口部
を有する筒状カバーに形成し、前記開口部から前記筒状
カバー内に前記樹脂パッケージを嵌入させて前記筒状カ
バーにより前記樹脂パッケージを覆うとともに、前記開
口部に前記外部接続リードを配設するようにしたことを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記筒状カバーの体積抵抗率を１×１０
５〜１×１０１２Ωｃｍに設定した請求項１に記載の半
導体装置。 - 【請求項３】 前記一辺と対向する前記樹脂パッケージ
の他辺において、該樹脂パッケージから露出するタイバ
ーカット残りを前記筒状カバーに接触させ、該筒状カバ
ーに固定電位を印可するようにした請求項１あるいは２
に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記筒状カバーに凹部あるいは貫通孔を
形成し、該凹部あるいは貫通孔を介して前記タイバーカ
ット残りを前記筒状カバーに接触させた請求項３に記載
の半導体装置。 - 【請求項５】 樹脂モールド型半導体装置本体の外側に
電磁シールド部材を装着した半導体装置であって、 前記樹脂モールド型半導体装置本体の外部接続リードを
樹脂パッケージの一辺に配設するとともに、前記電磁シ
ールド部材を、一端に開口部を有し他端に前記外部接続
リードを挿入するリード挿通孔を有する筒状弾性カバー
とし、前記開口部を介して前記樹脂パッケージの一辺か
ら前記筒状弾性カバー内に前記樹脂パッケージを嵌入さ
せて前記筒状弾性カバーにより前記樹脂パッケージを覆
うとともに、前記リード挿通孔において前記外部接続リ
ードを前記筒状弾性カバーと選択的に接触させ前記筒状
弾性カバーに固定電位を印可するようにしたことを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項６】 樹脂モールド型半導体装置本体の外側に
電磁シールド部材を装着した半導体装置であって、 前記樹脂モールド型半導体装置本体の外部接続リードを
樹脂パッケージの一辺に配設するとともに、前記電磁シ
ールド部材を、導電性あるいは半導電性材料をディッピ
ングあるいはスプレー噴霧により前記樹脂パッケージの
表面にコーティングして形成し、前記電磁シールド部材
を固定電位と接触させるようにしたことを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項７】 樹脂モールド型半導体装置本体に電磁シ
ールド部材を装着した半導体装置であって、 樹脂パッケージを半絶縁性あるいは導電性モールド樹脂
により形成し、該モールド樹脂の体積抵抗率を１×１０
５〜１×１０１２Ωｃｍに設定して前記電磁シールド部
材として使用したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項８】 樹脂パッケージを構成する絶縁性モール
ド樹脂を選択的に形成し、前記電磁シールド部材を前記
絶縁性モールド樹脂の上にさらに形成した請求項７に記
載の半導体装置。 - 【請求項９】 樹脂モールド型半導体装置本体の外側に
電磁シールド部材を装着した半導体装置であって、 樹脂パッケージの外側面に凹所を形成するとともに、該
凹所の底面から前記樹脂パッケージ内のリードフレーム
に連通する貫通孔を形成し、前記凹所に充填し硬化させ
た半導電性あるいは導電性樹脂の一部を前記貫通孔を介
して前記リードフレームに接触させることにより前記半
導電性あるいは導電性樹脂に固定電位を印可するように
したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002053481A JP2003258137A (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 半導体装置 |
| US10/237,688 US20030160313A1 (en) | 2002-02-28 | 2002-09-10 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002053481A JP2003258137A (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003258137A true JP2003258137A (ja) | 2003-09-12 |
Family
ID=27750919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002053481A Pending JP2003258137A (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030160313A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003258137A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| KR20160120755A (ko) | 2014-09-30 | 2016-10-18 | 다츠다 덴센 가부시키가이샤 | 전자 부품의 패키지의 쉴드용 도전성 도료 및 이것을 이용한 쉴드 패키지의 제조 방법 |
| KR20180125942A (ko) | 2016-03-29 | 2018-11-26 | 타츠타 전선 주식회사 | 도전성 도료 및 그것을 사용한 차폐 패키지의 제조 방법 |
| KR20180125991A (ko) | 2016-03-29 | 2018-11-26 | 타츠타 전선 주식회사 | 도전성 도료 및 이것을 사용한 차폐 패키지의 제조 방법 |
| KR20180125990A (ko) | 2016-03-29 | 2018-11-26 | 타츠타 전선 주식회사 | 도전성 도료 및 이것을 사용한 차폐 패키지의 제조 방법 |
| WO2018230109A1 (ja) * | 2017-06-15 | 2018-12-20 | タツタ電線株式会社 | 導電性樹脂組成物及びそれを用いたシールドパッケージの製造方法 |
| WO2019009124A1 (ja) | 2017-07-07 | 2019-01-10 | タツタ電線株式会社 | 導電性樹脂組成物及びそれを用いたシールドパッケージの製造方法 |
| KR20190028659A (ko) | 2016-07-14 | 2019-03-19 | 타츠타 전선 주식회사 | 도전성 도료 및 그것을 사용한 차폐 패키지의 제조 방법 |
| KR20200069288A (ko) | 2017-10-13 | 2020-06-16 | 타츠타 전선 주식회사 | 차폐 패키지 |
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|---|---|---|---|---|
| CN104009008A (zh) * | 2013-02-27 | 2014-08-27 | 飞思卡尔半导体公司 | 具有集成散热器的半导体器件 |
| CN104576565A (zh) | 2013-10-18 | 2015-04-29 | 飞思卡尔半导体公司 | 具有散热体的半导体器件及其组装方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP3191729B2 (ja) * | 1997-07-03 | 2001-07-23 | 日本電気株式会社 | 光半導体モジュールとその製造方法 |
| US6136128A (en) * | 1998-06-23 | 2000-10-24 | Amerasia International Technology, Inc. | Method of making an adhesive preform lid for electronic devices |
| JP2000058691A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-02-25 | Sharp Corp | ミリ波半導体装置 |
| US6583987B2 (en) * | 1999-02-26 | 2003-06-24 | Intel Corporation | Electromagnetic interference and heatsinking |
-
2002
- 2002-02-28 JP JP2002053481A patent/JP2003258137A/ja active Pending
- 2002-09-10 US US10/237,688 patent/US20030160313A1/en not_active Abandoned
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|---|---|---|---|---|
| US10259952B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-04-16 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co., Ltd. | Conductive coating material for shielding electronic component package and method for producing shielded package |
| KR20160120755A (ko) | 2014-09-30 | 2016-10-18 | 다츠다 덴센 가부시키가이샤 | 전자 부품의 패키지의 쉴드용 도전성 도료 및 이것을 이용한 쉴드 패키지의 제조 방법 |
| KR20180125942A (ko) | 2016-03-29 | 2018-11-26 | 타츠타 전선 주식회사 | 도전성 도료 및 그것을 사용한 차폐 패키지의 제조 방법 |
| KR20180125991A (ko) | 2016-03-29 | 2018-11-26 | 타츠타 전선 주식회사 | 도전성 도료 및 이것을 사용한 차폐 패키지의 제조 방법 |
| KR20180125990A (ko) | 2016-03-29 | 2018-11-26 | 타츠타 전선 주식회사 | 도전성 도료 및 이것을 사용한 차폐 패키지의 제조 방법 |
| US11414554B2 (en) | 2016-03-29 | 2022-08-16 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co., Ltd. | Conductive coating material and production method for shielded package using conductive coating material |
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| KR20190028659A (ko) | 2016-07-14 | 2019-03-19 | 타츠타 전선 주식회사 | 도전성 도료 및 그것을 사용한 차폐 패키지의 제조 방법 |
| CN110382620A (zh) * | 2017-06-15 | 2019-10-25 | 拓自达电线株式会社 | 导电性树脂组合物及使用该导电性树脂组合物的屏蔽封装体的制造方法 |
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| KR20200026956A (ko) | 2017-07-07 | 2020-03-11 | 타츠타 전선 주식회사 | 도전성 수지 조성물 및 그것을 사용한 차폐 패키지의 제조 방법 |
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| KR20200069288A (ko) | 2017-10-13 | 2020-06-16 | 타츠타 전선 주식회사 | 차폐 패키지 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030160313A1 (en) | 2003-08-28 |
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