KR20200026956A - 도전성 수지 조성물 및 그것을 사용한 차폐 패키지의 제조 방법 - Google Patents

도전성 수지 조성물 및 그것을 사용한 차폐 패키지의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 10MHz∼1000MHz의 전자파에 대해서도 양호한 차폐성을 가지고, 패키지와의 밀착성이 양호한 차폐층이 스프레이 도포에 의해 형성 가능한 도전성 수지 조성물, 및 이것을 사용한 차폐 패키지의 제조 방법을 제공한다. (A) 중량 평균 분자량이 1000 이상 40만 이하인 (메타)아크릴계 수지와, (B) 분자 내에 글리시딜기, 및/또는 (메타)아크릴로일기를 가지는 모노머와, (C) 평균 입자 직경이 10∼500㎚인 도전성 필러와, (D) 평균 입자 직경이 1∼50㎛인 도전성 필러와, (E) 라디칼 중합 개시제를 적어도 함유하고, 도전성 필러(C)와 도전성 필러(D)의 합계의 함유량이, (메타)아크릴계 수지(A)와 모노머(B)의 합계량 100 질량부에 대하여, 2000∼80000 질량부이며, 도전성 필러(C)와 도전성 필러(D)의 함유 비율(도전성 필러(C):도전성 필러(D))이, 질량비로 5:1∼1:10인 것으로 한다.

Description

도전성 수지 조성물 및 그것을 사용한 차폐 패키지의 제조 방법
본 발명은, 도전성 수지 조성물 및 그것을 사용한 차폐 패키지의 제조 방법에 관한 것이다.
휴대 전화기나 태블릿 단말 등의 전자 기기에 있어서는, 최근, 다수의 전자 부품과 함께, RFID(Radio Frequency IDentification)나 비접촉 충전 기능 등, 10MHz∼1000MHz의 전자파를 이용한 무선 통신 기능이 탑재되고 있다. 이와 같은 전자 부품은, 전자파에 대한 감수성이 높고, 외부로부터의 전자파에 노출되면 오동작을 일으키기 쉽다는 문제를 가진다.
한편, 전자 기기의 소형 경량화와 고기능화를 양립시키기 위해, 전자 부품의 실장 밀도를 높이는 것이 요구되고 있다. 그러나, 실장 밀도를 높이면 전자파의 영향을 받는 전자 부품도 증가해 버린다는 문제가 있다.
종래부터, 상기의 과제를 해결하는 수단으로서, 전자 부품을 패키지마다 차폐층으로 덮는 것에 의해, 전자 부품에 대한 전자파의 침입을 방지한, 이른바 차폐 패키지가 알려져 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, 패키지의 표면에, 도전성 입자를 함유하는 도전성 수지 조성물을 스프레이(분무)하여 코팅하고, 가열 경화함으로써, 차폐 효과가 높은 전자(電磁) 차폐 부재를 용이하게 얻을 수 있는 취지가 기재되어 있다.
또한, 전자파 차폐에 적용할 수 있는 도전성 페이스트로서, 예를 들면, 특허문헌 2∼특허문헌 5에는, 미크론 사이즈의 도전성 필러와, 나노 사이즈의 도전성 필러를 병용한 것이 기재되어 있다. 나노 사이즈의 도전성 필러를 병용함으로써, 미크론 사이즈의 도전성 필러끼리의 사이에 존재하는 간극을 충전할 수 있고, 양호한 차폐 특성이 얻어지는 취지가 기재되어 있다.
일본공개특허 제2003-258137호 공보 일본공개특허 제2014-181316호 공보 일본공개특허 제2005-294254호 공보 일본공개특허 제2010-113912호 공보 일본공개특허 제2010-118280호 공보
그러나, 10MHz∼1000MHz의 전자파의 침입을 방지하는 것에 착안한 도전성 페이스트는 없고, 종래의 도전성 페이스트에 의한 차폐층은, 10MHz∼1000MHz의 전자파에 대한 차폐 특성에 개선의 여지가 있었다.
또한, 나노 사이즈의 도전성 필러를 사용하는 경우, 나노 사이즈의 도전성 필러의 분산성을 높이는 관점에서, (메타)아크릴계 수지가 사용되는 경우가 많다. 그러나, (메타)아크릴계 수지를 사용한 도전성 수지 조성물을 차폐층에 적용한 경우, 땜납 리플로우 공정 등의 고온 하에 노출되면, 차폐층과 패키지의 밀착성이 저하되기 쉽다는 문제가 있었다.
또한, 10MHz∼1000MHz의 전자파에 대한 차폐 특성을 향상시키는 수단으로서, 도전성 필러를 고배합하는 것이 고려되지만, 그 경우 차폐층과 패키지의 밀착성의 문제가 보다 현저하게 나타날 우려가 있었다.
본 발명은 상기를 감안하여 이루어진 것이며, 10MHz∼1000MHz의 전자파에 대해서도 양호한 차폐성을 가지는 차폐층이 스프레이 도포에 의해 형성 가능한 도전성 수지 조성물로서, 얻어진 차폐층은 패키지와의 밀착성이 양호한 도전성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 상기와 같은 차폐층이 용이하게 형성 가능한 차폐 패키지의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 도전성 수지 조성물은, (A) 중량 평균 분자량이 1000 이상 40만 이하인 (메타)아크릴계 수지와, (B) 분자 내에 글리시딜기, 및/또는 (메타)아크릴로일기를 가지는 모노머와, (C) 평균 입자 직경이 10∼500㎚인 도전성 필러와, (D) 평균 입자 직경이 1∼50㎛인 도전성 필러와, (E) 라디칼 중합 개시제를 적어도 함유하고, 도전성 필러(C)와 도전성 필러(D)의 합계의 함유량이, 아크릴계 수지(A)와 모노머(B)의 합계량 100 질량부에 대하여, 2000∼80000 질량부이고, 도전성 필러(C)와 도전성 필러(D)의 함유 비율(도전성 필러(C):도전성 필러(D))은, 질량비로 5:1∼1:10인 것으로 할 수 있다.
상기 모노머(B)는 분자 내에 글리시딜기 및 (메타)아크릴로일기를 가지는 것으로 할 수 있다.
상기 도전성 필러(D)는 구리 분말, 은 피복 구리 분말, 및 은 피복 구리 합금 분말로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것으로 할 수 있다.
상기 도전성 수지 조성물은 전자 부품의 패키지 차폐용인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 차폐 패키지의 제조 방법은, 기판 상에 전자 부품이 탑재되고, 이 전자 부품이 봉지재(封止材)에 의해 봉지된 패키지가 차폐층에 의해 피복된 차폐 패키지의 제조 방법으로서, 기판 상에 복수의 전자 부품을 탑재하고, 이 기판 상에 봉지재를 충전하여 경화시킴으로써 상기 전자 부품을 봉지하는 공정과, 상기 복수의 전자 부품 사이에서 봉지재를 절삭하여 홈부를 형성하고, 이들 홈부에 의해 기판 상의 각 전자 부품의 패키지를 개별화시키는 공정과, 상기 개별화한 패키지의 표면에, 상기 도전성 수지 조성물을 분무에 의해 도포하는 공정과, 상기 패키지의 표면에 도전성 수지 조성물이 도포된 기판을 가열하여, 상기 도전성 수지 조성물을 경화시킴으로써 차폐층을 형성하는 공정과, 상기 기판을 상기 홈부를 따라 절단함으로써 개편화(個片化)한 차폐 패키지를 얻는 공정을 적어도 포함하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 도전성 수지 조성물에 의하면, 스프레이법에 의해 균일한 두께의 도막(塗膜)을 형성 가능하고, 얻어진 도막은 10MHz∼1000MHz의 전자파로부터 패키지를 보호할 수 있다. 따라서, 본 발명의 도전성 수지 조성물을 패키지 표면에 스프레이 도포함으로써, 차폐 효과가 우수하고, 또한 패키지와의 밀착성이 우수한 차폐층을 용이하게 형성하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명의 차폐 패키지의 제조 방법에 의하면, 상기와 같은 차폐성, 패키지와의 밀착성이 우수한 차폐 패키지를, 대규모인 장치를 이용하지 않고 효율적으로 제조할 수 있다.
[도 1] 차폐 패키지의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 2] 개별화 전의 차폐 패키지의 예를 나타내는 평면도이다.
[도 3] 도전성 도막의 도전성 평가에 사용한, 경화물의 샘플이 형성된 기판을 나타내는 평면도이다.
본 발명에 관한 도전성 수지 조성물은, 상기한 바와 같이, (A) 중량 평균 분자량이 1000 이상 40만 이하인 (메타)아크릴계 수지와, (B) 분자 내에 글리시딜기, 및/또는 (메타)아크릴로일기를 가지는 모노머와, (C) 평균 입자 직경이 10∼500㎚인 도전성 필러와, (D) 평균 입자 직경이 1∼50㎛인 도전성 필러와, (E) 라디칼 중합 개시제를 적어도 함유하고, 도전성 필러(C)와 도전성 필러(D)의 합계의 함유량이, (메타)아크릴계 수지(A)와 모노머(B)의 합계량 100 질량부에 대하여, 2000∼80000 질량부이며, 도전성 필러(C)와 도전성 필러(D)의 함유 비율(도전성 필러(C):도전성 필러(D))은, 질량비로 5:1∼1:10이다.
상기 도전성 수지 조성물의 용도는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 개편화되기 전의 패키지 또는 개편화된 패키지의 표면에, 스프레이 등으로 안개상으로 분사하여 차폐층을 형성시켜 차폐 패키지를 얻기 위해 바람직하게 사용된다.
상기 (메타)아크릴계 수지(A)는, 아크릴산에스테르 및/또는 메타크릴산에스테르를 구성 모노머로서 적어도 포함하는 중합체이고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 구성 모노머로서, 아크릴산메틸, 아크릴산에틸, 아크릴산프로필, 아크릴산n-부틸, 메타크릴산메틸, 메타크릴산에틸, 메타크릴산프로필, 및 메타크릴산n-부틸로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 중합체를 사용할 수 있다. 구성 모노머로서는, 본 발명의 목적에 어긋나지 않는 범위에서 아크릴산에스테르 또는 메타크릴산에스테르 이외를 포함해도 된다. 2종 이상의 모노머를 함유하는 경우, 교호 공중합체여도 되고, 랜덤 공중합체여도 되며, 블록 공중합체여도 되고, 그라프트 공중합체여도 된다. 여기에서, 「(메타)아크릴계 수지」란 「아크릴계 수지」 및 「메타아크릴계 수지」의 총칭이다.
상기 (메타)아크릴계 수지(A)의 중량 평균 분자량은 1000 이상이고, 5000 이상인 것이 바람직하며, 7000 이상인 것이 보다 바람직하고, 10000 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 40만 이하이고, 20만 이하인 것이 바람직하며, 15만 이하인 것이 보다 바람직하고, 5만 이하인 것이 더욱 바람직하다. 그리고, 본 명세서에 있어서, 「중량 평균 분자량」이란, 겔·투과·크로마토그래피(GPC)에 의해 측정할 수 있고, 이동상(移動相)으로서 테트라히드로푸란을 사용하고, 폴리스티렌 환산의 검량선을 이용하여 산출한 값으로 한다.
이와 같은 (메타)아크릴계 수지로서는, 예를 들면 일본공개특허 제2016-155920호 공보, 일본공개특허 제2015-59196호 공보, 일본공개특허 제2016-196606호 공보, WO2016/132814에 관한 소성 페이스트용 공중합체 등을 사용할 수 있다. 또한, 시판되고 있는 (메타)아크릴계 수지도 사용 가능하고, 예를 들면, 교에이샤 가가쿠(주) 제조의 「KC-1100」이나, 「KC-1700P」를 사용할 수 있다.
상기 모노머(B)는, 분자 내에 글리시딜기 및/또는 (메타)아크릴로일기를 가지는 화합물이고, 바람직하게는, 분자 내에 글리시딜기 및 (메타)아크릴로일기를 가지는 화합물이다. 그리고, 본 명세서에 있어서, 「모노머(B)」는, 올리고머나 분자량이 1000 미만인 프리폴리머도 포함하는 것으로 한다.
글리시딜기를 가지는 화합물로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 에틸글리시딜에테르, 부틸글리시딜에테르, t-부틸글리시딜에테르, 알릴글리시딜에테르, 벤질글리시딜에테르, 글리시딜페닐에테르, 비스페놀 A, 디글리시딜에테르 등의 글리시딜 화합물 등을 들 수 있다.
(메타)아크릴로일기를 가지는 화합물로서는, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 가지는 화합물이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 이소아밀아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트, 2-히드록시-3-아크릴로일옥시프로필메타크릴레이트, 에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 및 디에틸렌글리콜 디메타크릴레이트 등을 들 수 있다.
글리시딜기 및 (메타)아크릴로일기를 가지는 화합물로서는, 예를 들면, 아크릴산글리시딜에테르, 메타크릴산글리시딜에테르, 4-히드록시부틸아크릴레이트글리시딜에테르, 비스페놀 A 디글리시딜에테르아크릴산 부가물, 페닐글리시딜에테르아크릴레이트헥사메틸렌디이소시아네이트우레탄 프리폴리머 등을 들 수 있다.
이들 모노머(B)는 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다. 전술한 바와 같이, 도전성 수지 조성물에 (메타)아크릴계 수지를 사용한 경우, 가열 경화 후의 차폐층과 패키지의 밀착성이 뒤떨어지는 경향이 있지만, 상기 모노머(B)를 병용함으로써, 상기 도전성 필러(C) 및 상기 도전성 필러(D)를 고배합한 경우라도, 차폐층과 패키지의 우수한 밀착성이 얻어지기 쉽다.
상기 모노머(B)의 함유량은, 상기 (메타)아크릴계 수지(A)와의 합계량 100 질량부 중, 20∼99 질량부인 것이 바람직하고, 40∼99 질량부인 것이 보다 바람직하고, 50∼99 질량부인 것이 더욱 바람직하다. 이하, 본 명세서에 있어서, 상기 (메타)아크릴계 수지(A)와 상기 모노머(B)의 양자를 포함시킨 것을 바인더 성분으로 한다.
평균 입자 직경이 10∼500㎚인 도전성 필러(C)로서는 특별히 한정되지 않지만, 구리 나노 입자, 은 나노 입자, 금 나노 입자인 것이 바람직하다. 도전성 필러(C)의 평균 입자 직경이 10∼500㎚인 것에 의해, 미크론 사이즈의 도전성 필러끼리의 간극을 충전할 수 있으므로, 도전성 필러를 고배합으로 하기 쉽고, 10MHz∼1000MHz의 전자파에 대한 차폐성을 향상시킬 수 있다. 여기에서, 본 명세서에 있어서, 「평균 입자 직경」이란, 레이저 회절·산란법으로 측정한, 개수 기준의 평균 입자 직경 D50(메디안 직경)의 입자 직경을 말한다.
상기 도전성 필러(C)의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 바인더 성분 100 질량부에 대하여, 50∼75000 질량부인 것이 바람직하고, 100∼35000 질량부인 것이 보다 바람직하며, 300∼10000 질량부인 것이 더욱 바람직하고, 500∼5000 질량부인 것이 특히 바람직하다.
평균 입자 직경이 1∼50㎛인 도전성 필러(D)로서는 특별히 한정되지 않지만, 구리 분말, 은 분말, 금 분말, 은 피복 구리 분말 또는 은 피복 구리 합금 분말인 것이 바람직하고, 비용 삭감의 관점에서는, 구리 분말, 은 피복 구리 분말, 또는 은 피복 구리 합금 분말인 것이 보다 바람직하다. 도전성 필러(D)의 평균 입자 직경이 1㎛ 이상이면, 도전성 필러(D)의 분산성이 양호하여 응집을 방지할 수 있고, 또한 산화되기 어렵고, 50㎛ 이하이면 패키지의 그라운드 회로와의 접속성이 양호하다.
은 피복 구리 분말은, 구리 분말과, 이 구리 분말 입자 중 적어도 일부를 피복하는 은층 또는 은 함유층을 가지는 것이고, 은 피복 구리 합금 분말은, 구리 합금 분말과, 이 구리 합금 입자 중 적어도 일부를 피복하는 은층 또는 은 함유층을 가지는 것이다. 구리 합금 입자는, 예를 들면, 니켈의 함유량이 0.5∼20 질량%이고, 또한 아연의 함유량이 1∼20 질량%이며, 잔부가 구리로 이루어지고, 잔부의 구리는 불가피한 불순물을 포함해도 된다. 이와 같이 은 피복층을 가지는 구리 합금 입자를 사용함으로써, 차폐성 및 내변색성이 우수한 차폐 패키지가 얻어지기 쉽다.
상기 도전성 필러(D)의 형상의 예로서는, 플레이크형(인편형), 수지(樹枝)형, 구형, 섬유형, 부정형(다면체) 등을 들 수 있지만, 저항값이 보다 낮고, 차폐성이 보다 향상된 차폐층이 얻어진다는 점에서는, 플레이크형인 것이 바람직하다.
또한, 도전성 필러(D)가 플레이크형인 경우에는, 도전성 필러(D)의 탭 밀도는 4.0∼6.5g/㎤인 것이 바람직하다. 탭 밀도가 상기 범위 내이면, 차폐층의 도전성이 보다 양호해진다.
또한, 도전성 필러(D)가 플레이크형인 경우에는, 도전성 필러(D)의 아스펙트비는 2∼10인 것이 바람직하다. 아스펙트비가 상기 범위 내이면, 차폐층의 도전성이 보다 양호해진다.
도전성 필러(D)의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 바인더 성분 100 질량부에 대하여 400∼75000 질량부인 것이 바람직하고, 400∼55000 질량부인 것이 보다 바람직하며, 400∼45000 질량부인 것이 더욱 바람직하고, 400∼30000 질량부인 것이 특히 바람직하다. 함유량이 400 질량부 이상이면 차폐층의 도전성이 양호해지고, 10MHz대의 저주파 영역의 전자파에 대한 우수한 차폐성이 얻어지기 쉽고, 75000 질량부 이하이면, 차폐층과 패키지의 밀착성, 및 경화 후의 도전성 수지 조성물의 물성이 양호해지기 쉽고, 후술하는 다이싱 쏘에 의해 절단했을 때에 차폐층의 파편이 생기기 어려워진다.
상기 도전성 필러(C)와 상기 도전성 필러(D)의 합계의 함유량은, 바인더 성분 100 질량부에 대하여, 2000∼80000 질량부이고, 바람직하게는 2000∼65000 질량부이며, 보다 바람직하게는 2000∼50000 질량부이며, 더욱 바람직하게는 2000∼35000 질량부다. 2000 질량부 이상인 것에 의해, 저주파 영역인 10MHz대의 전자파에 대한 우수한 차폐 특성을 얻기 쉽고, 80000 질량부 이하인 것에 의해, 차폐층과 패키지의 우수한 밀착성을 얻기 쉽다.
도전성 필러(C)와 도전성 필러(D)의 함유 비율(도전성 필러(C):도전성 필러(D))은 특별히 한정되지 않지만, 질량비로 5:1∼1:10인 것이 바람직하다.
상기 라디칼 중합 개시제(E)로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 가열에 의해 라디칼 중합을 개시시키는 열중합 개시제나, 에너지선 조사(照射)에 의해 라디칼 중합을 개시시키는 에너지선 중합 개시제를 사용할 수 있다.
열중합 개시제는 특별히 제한되지 않고, 종래 사용되고 있는 유기 과산화물계나 아조계의 화합물을 적절히 사용할 수 있다.
유기 과산화물계 중합 개시제의 예로서는, 메틸에틸케톤퍼옥사이드, 시클로헥사논퍼옥사이드, 메틸시클로헥사논퍼옥사이드, 메틸아세토아세테이트퍼옥사이드, 아세틸아세테이트퍼옥사이드, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)-시클로헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)-2-메틸시클로헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)-시클로헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)시클로도데칸, t-헥실퍼옥시벤조에이트, 2,5-디메틸-2,5-비스(벤조일퍼옥시)헥산, t-부틸퍼옥시알릴모노카보네이트, t-부틸트리메틸실릴퍼옥사이드, 3,3',4,4'-테트라(t-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논, 2,3-디메틸-2,3-디페닐부탄 등을 들 수 있다.
또한, 아조계 중합 개시제의 예로서는, 2-페닐아조-4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴, 1-[(1-시아노-1-메틸에틸)아조]포름아미드, 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴), 2,2'-아조비스(2-메틸부티로니트릴), 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온아미딘)디히드로크롤리드, 2,2'-아조비스(2-메틸-N-페닐프로피온아미딘)디히드로크롤리드, 2,2'-아조비스[N-(4-클로로페닐)-2-메틸프로피온아미딘]디히드로크롤리드, 2,2'-아조비스[N-(4-히드로페닐)-2-메틸프로피온아미딘]디히드로크롤리드, 2,2'-아조비스[2-메틸-N-(페닐메틸)프로피온아미딘]디히드로크롤리드, 2,2'-아조비스(이소부티르산)디메틸을 들 수 있다.
상기 열중합 개시제는 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
본 발명의 도전성 수지 조성물에 있어서, 상기 라디칼 중합 개시제(E)의 함유량은, 바인더 성분에 대하여 화학량론적으로 필요한 양이면 되고, 그 종류에 따라 상이하지만, 기준으로서는 바인더 성분 100 질량부에 대하여, 열중합 개시제의 경우에는 0.1∼30 질량부인 것이 바람직하고, 1∼15 질량부인 것이 보다 바람직하다. 또한, 에너지선 중합 개시제의 경우에는 0.05∼15 질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼10 질량부인 것이 보다 바람직하다. 라디칼 중합 개시제의 함유량이 상기 범위 내인 경우에는, 도전성 수지 조성물의 경화가 충분하게 되고, 차폐층과 패키지 표면의 밀착성과 차폐층의 도전성이 양호하게 되어, 차폐 효과가 우수한 차폐층을 얻기 쉽다. 또한, 라디칼 중합 개시제의 종류나 양을 선택하는 것에 의해, 경화 시간의 단축이나 실온에서의 장기 보존 안정성 등 목적에 따른 사용을 할 수 있다.
또한, 본 발명의 도전성 수지 조성물에는, 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위 내에 있어서, 소포제, 증점제, 점착제, 충전제, 난연제, 착색제 등, 공지의 첨가제를 첨가할 수 있다.
본 발명의 도전성 수지 조성물은, 도전성 수지 조성물을 스프레이 분무에 의해 패키지 표면에 균일하게 도포 가능하도록 하기 위해서는, 이른바 도전성 페이스트보다 저점도인 것이 바람직하다.
본 발명의 도전성 수지 조성물의 점도는 용도나 도포에 사용하는 기기에 따라 적절히 조정하는 것이 바람직하고, 특별히 한정되지 않지만, 일반적인 기준으로서는 이하에 설명하는 바와 같다. 점도의 측정 방법도 한정되는 것은 아니지만, 도전성 수지 조성물이 저점도이면 원추평판형 회전 점도계(이른바 콘·플레이트형 점도계)로 측정할 수 있고, 고점도이면 단일 원통형 회전 점도계(이른바 B형 또는 BH형 점도계)로 측정할 수 있다.
원추평판형 회전 점도계로 측정하는 경우에는, 브룩 필드(BROOK FIELD)사의 콘 스핀들 CP40(콘 각도: 0.8°, 콘 반경: 24㎜)을 사용하여, 0.5rpm으로 측정한 점도가 100mPa·s 이상인 것이 바람직하고, 150mPa·s 이상인 것이 보다 바람직하다. 점도가 100mPa·s 이상이면, 도포면이 수평이 아닌 경우에서의 액체 흘림을 방지하여 도전성 도막을 불균일없이 형성하기 쉽다.
그리고, 100mPa·s 부근이나 그보다 저점도의 경우, 원하는 두께가 균일한 도막을 얻기 위해서는, 1회의 도포량을 적게 하여 박막을 형성하고, 그 위에 또 박막을 형성하는 조작을 반복하는, 이른바 겹침 도포를 행하는 방법이 유효하다. 그리고, 원추평판형 회전 점도계로 측정 가능한 점도라면, 높더라도 문제는 없다.
단일 원통형회전 점도계로 측정하는 경우에는 로터 No.5를 사용하여 10rpm으로 측정한 점도가 30dPa·s 이하인 것이 바람직하고, 25dPa·s 이하인 것이 보다 바람직하다. 30dPa·s 이하이면 스프레이 노즐의 눈막힘을 방지하고, 불균일없이 도전성 도막을 형성하기 쉽다. 그리고, 단일 원통형회전 점도계로 측정 가능한 점도라면, 낮더라도 문제는 없다.
도전성 수지 조성물의 점도는 바인더 성분의 점도나 도전성 필러의 함유량 등에 의해 상이하므로, 상기 범위 내로 하기 위하여, 용제를 사용할 수 있다. 본 발명에서 사용 가능한 용제는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 3-메톡시-3-메틸-1-부탄올, 3-메톡시-3-메틸-1-부틸아세테이트, 아세톤, 메틸에틸케톤, 아세토페논, 메틸셀로솔브, 메틸셀로솔브아세테이트, 메틸카르비톨, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 테트라히드로푸란, 아세트산메틸, 아세트산부틸 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용해도 된다.
용제의 함유량은, 도전성 수지 조성물의 용도나 도포에 사용하는 기기 등에 따라 적절히 조정하는 것이 바람직하다. 따라서, 바인더 성분의 점도나 도전성 필러의 함유량 등에 의해 상이하지만, 기준으로서는, 도전성 수지 조성물의 함유 성분(용제를 제외함)의 합계량에 대하여 10∼60 질량% 정도이다.
본 발명의 도전성 수지 조성물에 의해 얻어지는 차폐층은, 동박 등으로 형성된 그라운드 회로와의 밀착성이 우수하다. 구체적으로는, 차폐 패키지의 일부로부터 노출된 그라운드 회로의 동박과 차폐층의 밀착성이 양호하므로, 차폐 패키지 표면에 도전성 수지 조성물을 도포하여 차폐층을 형성한 후에 패키지를 절단하여 개편화할 때, 절단 시의 충격에 의해 차폐층이 그라운드 회로로부터 박리되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 도전성 수지 조성물에 의해 형성되는 도막은, 차폐층으로서 사용하는 경우에는, 저주파 영역인 10MHz대의 전자파에 대한 우수한 차폐 특성이 얻어지는 관점에서, 비저항(比抵抗)이 5.0×10-5Ω·㎝ 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 도전성 수지 조성물을 사용하여 차폐 패키지를 얻기 위한 방법의 일 실시형태에 대하여 도면을 이용하여 설명한다.
먼저, 도 1의 (a)에 나타낸 바와 같이, 기판(1)에 복수의 전자 부품(IC 등)(2)을 탑재하고, 이들 복수의 전자 부품(2) 사이에 그라운드 회로 패턴(동박)(3)이 형성된 것을 준비한다.
도 1의 (b)에 나타낸 바와 같이, 이들 전자 부품(2) 및 그라운드 회로 패턴(3) 상에 봉지재(4)를 충전하여 경화시키고, 전자 부품(2)을 봉지한다.
도 1의 (c)에 있어서 화살표로 나타낸 바와 같이, 복수의 전자 부품(2) 사이에서 봉지재(4)를 절삭하여 홈부를 형성하고, 이들 홈부에 의해 기판(1)의 각 전자 부품의 패키지를 개별화시킨다. 도면부호 A는, 각각 개별화한 패키지를 나타낸다. 홈을 구성하는 벽면으로부터는 그라운드 회로 중 적어도 일부가 노출되어 있고, 홈의 바닥부는 기판을 완전하게는 관통하지 않고 있다.
한편, 전술한 바인더 성분, 도전성 필러 및 경화제의 소정량과, 필요에 따라 사용되는 용제를 혼합하고, 도전성 수지 조성물을 준비한다.
도전성 수지 조성물을 공지의 스프레이건 등에 의해 안개상으로 분사하고, 패키지 표면에 구석구석 도포한다. 이 때의 분사 압력이나 분사 유량, 스프레이건의 분사구와 패키지 표면의 거리는, 필요에 따라 적절히 설정된다.
도전성 수지 조성물이 도포된 패키지를 가열하여 용제를 충분히 건조시킨 후, 더 가열하여 도전성 수지 조성물을 충분히 경화시키고, 도 1의 (d)에 나타낸 바와 같이, 패키지 표면에 차폐층(도전성 도막)(5)을 형성시킨다. 이 때의 가열 조건은 적절히 설정할 수 있다. 도 2는 이 상태에서의 기판을 나타낸 평면도이다. 도면부호 B1, B2, …B9는 개편화되기 전의 차폐 패키지를 각각 나타내고, 도면부호 11∼19는 이들 차폐 패키지 사이의 홈을 각각 나타낸다.
도 1의 (e)에 있어서 화살표로 나타낸 바와 같이, 개편화 전의 패키지의 홈 바닥부를 따라 기판을 다이싱 쏘 등에 의해 절단함으로써 개편화된 패키지(B)가 얻어진다.
이와 같이 하여 얻어지는 개편화된 패키지(B)는, 패키지 표면(상면부, 측면부 및 상면부와 측면부의 경계의 코너부 모두)에 균일한 차폐층이 형성되어 있으므로, 양호한 차폐 특성이 얻어진다. 또한, 차폐층과 패키지 표면 및 그라운드 회로와의 밀착성이 우수하므로, 다이싱 쏘 등에 의해 패키지를 개편화할 때의 충격에 의해 패키지 표면이나 그라운드 회로로부터 차폐층이 박리되는 것을 방지할 수 있다.
<실시예>
이하, 본 발명의 내용을 실시예에 기초하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이하에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 있어서 「부」 또는 「%」인 것은, 특별히 단서가 없는 한 질량 기준으로 한다.
[실시예, 비교예]
다음에 나타내는 (메타)아크릴계 수지(a1∼a3)와, 모노머(b1∼b3)의 합계량 100 질량부에 대하여, 도전성 필러(c), 도전성 필러(d), 도전성 필러(α), 도전성 필러(β), 라디칼 중합 개시제 및 용제를 표 1에 기재된 비율로 배합하여 혼합하고, 도전성 수지 조성물을 얻었다. 사용한 각 성분의 상세는 하기와 같다.
(메타)아크릴계 수지(a1): 분자량=17000
(메타)아크릴계 수지(a2): 분자량=100000, 교에이샤 가가쿠(주) 제조 「KC-1700P」
(메타)아크릴계 수지(a3): 분자량=130000, 교에이샤 가가쿠(주) 제조 「KC-1100」
모노머(b1): 4-히드록시부틸아크릴레이트글리시딜에테르
모노머(b2): 교에이샤 가가쿠(주) 제조 「라이트 아크릴레이트 P-1A (N)」
모노머(b3): 가부시키가이샤 ADEKA 제조 「ED503」
도전성 필러(c): 은 입자(평균 입자 직경=150㎚, 구형)
도전성 필러(d): 은 피복 구리 합금 분말(평균 입자 직경=5㎛, 플레이크형, 아스펙트비=2∼10, 탭 밀도=5.8g/㎤)
도전성 필러(α): 은 입자(평균 입자 직경=8㎚, 구형, 계면활성제에 의해 은 입자가 분산된 수용액으로서 배합)
도전성 필러(β): 은 입자(평균 입자 직경=800㎚, 구형)
라디칼 중합 개시제(e): 2,2'-아조비스(이소부티르산)디메틸
용제: 메틸에틸케톤(MEK)
상기 실시예 및 비교예의 도전성 수지 조성물의 평가를 이하와 같이 행하였다. 결과를 표 1, 표 2에 나타낸다.
(1) 도전성 도막의 도전성
실시예 1의 도전성 수지 조성물로부터 얻어진 도전성 도막의 도전성을, 비저항으로 평가하였다.
구체적으로는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 동박으로 형성된 전극 패드(21)가 60㎜의 간격을 두고 양단에 설치된 유리 에폭시 기판(20) 상에, 폭 5㎜의 슬릿을 형성한 두께 55㎛의 폴리이미드 필름을, 슬릿의 단부(端部)가 양단의 전극 패드(21)와 겹치도록 부착하여 마스킹하였다. 그 위에, 각 실시예 및 비교예에서 얻어진 도전성 수지 조성물을, 스프레이 장치(SL-940E: Nordson Asymtek 제조)를 사용하여 스프레이 도포하였다.
190℃에서 30분간 가열함으로써 경화시키고, 폴리이미드 필름을 박리하고, 길이 70㎜, 폭 5㎜, 두께 약 20㎛의 경화물(22)이 양단의 전극 패드(21) 사이를 접속하도록 형성된 기판(20)을 얻었다. 이 경화물 샘플에 대하여, 테스터를 사용하여 전극 패드간의 저항값(Ω)을 측정하고, 단면적(S, ㎠)과 길이(L, ㎝)로부터 하기 식(1)에 의해 비저항(Ω·㎝)을 계산하였다.
Figure pct00001
샘플의 단면적, 길이 및 비저항은, 유리 에폭시 기판 3장에 경화물 샘플을 각 5개, 합계 15개 형성하고, 그 평균값을 구하였다. 그리고, 비저항이 5×10- 5Ω·㎝ 이하이면, 저주파 영역인 10MHz대의 전자파를 방해하는 차폐층으로서 바람직하게 사용할 수 있다.
또한, 다른 실시예 및 비교예에 대해서도 동일하게 비저항을 측정하였다.
(2) 도전성 수지 조성물의 밀착성(땜납 딥 전후의 비교)
차폐층과 패키지 표면 또는 그라운드 회로의 밀착성을, JIS K 5600-5-6:1999(크로스컷법)에 기초하여 평가하였다.
구체적으로는, 그라운드 회로와의 밀착성 평가용으로 동장(銅張)적층판을 준비하고, 패키지 표면과의 밀착성 평가용 몰드 수지를 준비하였다. 각각에, 폭 5㎝, 길이 10㎝의 개구부를 형성하도록 폴리이미드 테이프로 마스킹하고, 스프레이 코팅 장치 SL-940E(Nordson Asymtek 제조)를 사용하여 도전성 수지 조성물을 스프레이 도포 후, 190℃에서 30분간 가열함으로써 경화시키고, 폴리이미드 테이프를 박리하고, 두께 약 15㎛의 도막을 형성하였다. 도막이 형성된 동박, 및 몰드 수지 상에서 크로스컷 시험을 행하였다. 크로스컷 시험은, 리플로우 전과, 최고 온도 260℃에서 10초간 행하는 리플로우 처리를 3회 행한 것에 대하여 실시하였다.
밀착성의 평가는, 다음 기준으로 행하였다.
0: 컷의 에지가 완전히 매끄럽고, 어느 격자(格子)의 눈에도 벗겨짐이 없음
1: 컷의 교차점에 있어서 도막의 작은 벗겨짐이 생겨 있고, 크로스컷 부분에서 영향을 받는 것은 명확하게 5%를 상회하는 경우는 없음
2: 도막이 컷의 에지를, 및/또는 교차점에 있어서 벗겨지고 있고, 크로스컷 부분에서 영향을 받는 것은 명확하게 5%를 넘지만 15%를 상회하는 경우는 없음
3: 도막이 컷의 에지를 따라, 부분적 또는 전면적으로 큰 벗겨짐이 생겨 있고, 및/또는 눈의 여러 가지 부분이, 부분적 또는 전면적으로 벗겨져 있으며, 크로스컷 부분에서 영향을 받는 것은, 명확하게 15%를 넘지만 35%를 상회하는 경우는 없음
4: 도막이 컷의 에지를 따라, 부분적 또는 전면적으로 큰 벗겨짐이 생겨 있고, 및/또는 몇 개소의 눈이 부분적 또한 전면적으로 벗겨져 있으며, 크로스컷 부분에서 영향을 받는 것은, 명확하게 35%를 상회하는 경우는 없음
5: 분류 4에서도 분류할 수 없는 벗겨짐 정도 중 어느 하나
[표 1]
Figure pct00002
[표 2]
Figure pct00003
표 1, 표 2에 나타내는 결과로부터, 각 실시예의 도전성 수지 조성물에 의해 얻어지는 도막은 모두 양호한 도전성을 가지고 있고, 저주파 영역인 10MHz대의 전자파에 대해서도 우수한 차폐성을 가지고 있는 것이 확인되었다. 또한, 차폐층과 패키지 표면 또는 그라운드 회로와의 밀착성도 양호한 것이 확인되었다.
A : 기판 상에서 개별화된 패키지
B : 개편화된 차폐 패키지
B1, B2, B9 : 개편화되기 전의 차폐 패키지
1 : 기판
2 : 전자 부품
3 : 그라운드 회로 패턴(동박)
4 : 봉지재
5 : 차폐층(도전성 도막)
11∼19 : 홈
20 : 기판
21 : 전극 패드
22 : 도전성 수지 조성물의 경화물

Claims (5)

  1. (A) 중량 평균 분자량이 1000 이상 40만 이하인 (메타)아크릴계 수지,
    (B) 분자 내에 글리시딜기, 및/또는 (메타)아크릴로일기를 가지는 모노머,
    (C) 평균 입자 직경이 10∼500㎚인 도전성 필러,
    (D) 평균 입자 직경이 1∼50㎛인 도전성 필러, 및
    (E) 라디칼 중합 개시제
    를 적어도 함유하고,
    도전성 필러(C)와 도전성 필러(D)의 합계의 함유량이, (메타)아크릴계 수지(A)와 모노머(B)의 합계량 100 질량부에 대하여, 2000∼80000 질량부이며,
    도전성 필러(C)와 도전성 필러(D)의 함유 비율(도전성 필러(C):도전성 필러(D))이, 질량비로 5:1∼1:10인,
    도전성 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 모노머(B)가, 분자 내에 글리시딜기 및 (메타)아크릴로일기를 가지는 것인, 도전성 수지 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 도전성 필러(D)가, 구리 분말, 은 피복 구리 분말, 및 은 피복 구리 합금 분말로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인, 도전성 수지 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    전자 부품의 패키지 차폐용인, 도전성 수지 조성물.
  5. 기판 상에 전자 부품이 탑재되고, 상기 전자 부품이 봉지재(封止材)에 의해 봉지된 패키지가 차폐층에 의해 피복된 차폐 패키지의 제조 방법으로서,
    기판 상에 복수의 전자 부품을 탑재하고, 상기 기판 상에 봉지재를 충전하여 경화시킴으로써 상기 전자 부품을 봉지하는 공정;
    상기 복수의 전자 부품 사이에서 봉지재를 절삭하여 홈부를 형성하고, 이들 홈부에 의해 기판 상의 각 전자 부품의 패키지를 개별화시키는 공정;
    상기 개별화한 패키지의 표면에, 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 수지 조성물을 분무에 의해 도포하는 공정;
    상기 패키지의 표면에 도전성 수지 조성물이 도포된 기판을 가열하여, 상기 도전성 수지 조성물을 경화시킴으로써 차폐층을 형성하는 공정; 및
    상기 기판을 상기 홈부를 따라 절단함으로써 개편화(個片化)한 차폐 패키지를 얻는 공정
    을 적어도 포함하는, 차폐 패키지의 제조 방법.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7266023B2 (ja) 2018-04-10 2023-04-27 タツタ電線株式会社 導電性塗料及び該導電性塗料を用いたシールドパッケージの製造方法
JP7164181B2 (ja) * 2019-02-27 2022-11-01 ナミックス株式会社 電磁波シールド用スプレー塗布剤
JP7185289B2 (ja) * 2019-03-07 2022-12-07 ナミックス株式会社 電磁波シールド用スプレー塗布剤
WO2020241835A1 (ja) 2019-05-29 2020-12-03 タツタ電線株式会社 電磁波シールドフィルム及びシールドプリント配線板
JP2021107476A (ja) * 2019-12-27 2021-07-29 京セラ株式会社 ペースト組成物
JP7369031B2 (ja) * 2019-12-27 2023-10-25 京セラ株式会社 ペースト組成物、及び電子部品装置の製造方法
TWI833059B (zh) * 2020-04-30 2024-02-21 日商拓自達電線股份有限公司 導電性組成物及使用其之屏蔽封裝體之製造方法
WO2022019328A1 (ja) * 2020-07-22 2022-01-27 昭和電工マテリアルズ株式会社 感光性液状組成物
CN113913133B (zh) * 2021-11-09 2022-11-29 无锡创达新材料股份有限公司 一种导电热固性树脂组合物的应用

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003258137A (ja) 2002-02-28 2003-09-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2004047174A (ja) * 2002-07-09 2004-02-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd 導電性ペースト
JP2004055543A (ja) * 2002-05-31 2004-02-19 Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd 導電性ペースト
JP2004335651A (ja) * 2003-05-06 2004-11-25 Shin Etsu Polymer Co Ltd 電磁波シールド体の製造方法
JP2005294254A (ja) 2004-03-12 2005-10-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 導電性銀ペースト及びそれを用いた電磁波シールド部材
JP2008042152A (ja) * 2006-08-07 2008-02-21 Taiyo Yuden Co Ltd 回路モジュールの製造方法及び回路モジュール
JP2010113912A (ja) 2008-11-05 2010-05-20 Sumitomo Rubber Ind Ltd 高温焼成型銀ペーストとそれを用いた電磁波シールド
JP2010118280A (ja) 2008-11-14 2010-05-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 導電性ペースト及びそれを用いた電磁波シールドフィルム、電磁波シールドフレキシブルプリント配線板
JP2014181316A (ja) 2013-03-21 2014-09-29 Gunze Ltd 導電性ペースト、それを用いた電磁波シールド材及びタッチパネル
WO2017023747A1 (en) * 2015-08-03 2017-02-09 Henkel IP & Holding GmbH Achieving electromagnetic interference shielding protection by deposition of highly conductive compositions

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2702796B2 (ja) * 1990-02-23 1998-01-26 旭化成工業株式会社 銀合金導電性ペースト
JP2742190B2 (ja) * 1992-12-18 1998-04-22 株式会社トクヤマ 硬化性導電組成物
JP3965530B2 (ja) * 1997-06-06 2007-08-29 株式会社ブリヂストン 異方性導電フィルム
JP2012094772A (ja) * 2010-10-28 2012-05-17 Dainippon Printing Co Ltd プラズマディスプレイパネル用電磁波シールド材用導電性樹脂組成物、プラズマディスプレイパネル用電磁波シールド材の製造方法及びプラズマディスプレイパネル用電磁波シールド材
WO2013132831A1 (ja) * 2012-03-06 2013-09-12 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 導電性微粒子およびその製造方法、導電性樹脂組成物、導電性シート、並びに電磁波シールドシート
JP2015059196A (ja) 2013-09-20 2015-03-30 綜研化学株式会社 焼成ペースト用共重合体および焼成ペースト組成物
JP6254015B2 (ja) * 2014-02-27 2017-12-27 京セラ株式会社 導電性ペースト、電気・電子部品及びその製造方法
CN107112066A (zh) * 2014-11-28 2017-08-29 拓自达电线株式会社 导电膏及用其制成的热电偶
WO2016132814A1 (ja) 2015-02-19 2016-08-25 綜研化学株式会社 焼成ペースト用樹脂組成物および焼成ペースト
JP2016155920A (ja) 2015-02-24 2016-09-01 綜研化学株式会社 焼成ペースト用共重合体、および焼成ペースト用樹脂組成物
JP2016196606A (ja) 2015-04-06 2016-11-24 綜研化学株式会社 焼成ペースト用樹脂組成物およびその用途

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003258137A (ja) 2002-02-28 2003-09-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2004055543A (ja) * 2002-05-31 2004-02-19 Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd 導電性ペースト
JP2004047174A (ja) * 2002-07-09 2004-02-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd 導電性ペースト
JP2004335651A (ja) * 2003-05-06 2004-11-25 Shin Etsu Polymer Co Ltd 電磁波シールド体の製造方法
JP2005294254A (ja) 2004-03-12 2005-10-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 導電性銀ペースト及びそれを用いた電磁波シールド部材
JP2008042152A (ja) * 2006-08-07 2008-02-21 Taiyo Yuden Co Ltd 回路モジュールの製造方法及び回路モジュール
JP2010113912A (ja) 2008-11-05 2010-05-20 Sumitomo Rubber Ind Ltd 高温焼成型銀ペーストとそれを用いた電磁波シールド
JP2010118280A (ja) 2008-11-14 2010-05-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 導電性ペースト及びそれを用いた電磁波シールドフィルム、電磁波シールドフレキシブルプリント配線板
JP2014181316A (ja) 2013-03-21 2014-09-29 Gunze Ltd 導電性ペースト、それを用いた電磁波シールド材及びタッチパネル
WO2017023747A1 (en) * 2015-08-03 2017-02-09 Henkel IP & Holding GmbH Achieving electromagnetic interference shielding protection by deposition of highly conductive compositions

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