JP6575828B2 - 発光装置及び発光モジュール - Google Patents
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Description
[1.発光装置及び発光モジュールの基本構成]
図1及び図2を用いて、本実施の形態における発光装置及び当該発光装置を備える発光モジュールについて説明する。図1は、本実施の形態における発光装置を備える発光モジュールの斜視図である。図2は、図1の破線II−IIに沿って切断された発光モジュールの断面図である。
[2−1−1.実施例1]
次に、図3〜図4Eを用いて、実施例1における発光装置100の透明樹脂108の断面形状について説明する。図3は、光透過部材107と発光素子101との配置を示す上面図である。図4A〜図4Eは、発光素子101、光透過部材107及び透明樹脂108の関係を示す断面図である。なお、図3〜図4Eにおいて、実装基板203、n電極バンプ150、p電極バンプ140、反射樹脂201及びダム材202は記載していない。
次に、図9を用いて、実施例2の発光素子101における、透明樹脂108で被覆される被覆部について説明する。なお、図9において、透明樹脂108を図示しないが、図9に示す発光素子101の斜線部が透明樹脂108で覆われる領域である。
次に、図13〜図15を用いて、本実施の形態に係る発光装置における透明樹脂108が発光素子101の側面の下端を覆う被覆領域について説明する。
次に、本実施の形態における発光装置100及び発光モジュール200の製造方法の一具体例を示す。
まず、表面に導電パターンが形成された実装基板(サブマウント)203を準備する。実装基板203は、焼成により作製されたAlN基板に、メッキ法などでマトリックス状に取り出し、電極と配線204電極のパターンとを形成したものを用いる。配線204電極上には、発光素子101を接続するための金属パッドが形成される。多数のLEDチップ(発光素子)101をひとつにパッケージ化にする場合、フリップチップ接続で直列接続又は並列接続が出来るように適宜配線パターンを設計しておく。
次に、発光素子101の実装基板203への実装工程について説明する。実装基板203に実装される発光素子101としては、例えば、GaN基板に窒化物化合物半導体を形成した青色LEDチップが採用される。発光素子101には、形成された電極となる金属パッド上に金属バンプが形成される。さらに、発光素子101は、成長基板102側を上にしてフリップチップ接続で実装基板203上に超音波接続される。
次に、光透過部材107を発光素子101に接着する工程について説明する。まず、発光素子101の光出射面113の中央近傍に、所定の量のシリコーン樹脂系の透明樹脂108をディスペンサにより塗布する。さらに、透明樹脂108の上に、蛍光体(波長変換部材)が分散された光透過部材107を載せ、透明樹脂108が発光素子101の光出射面113を全て覆うように上から押さえつける。すると、光透過部材107における透明樹脂108が接着される接着面110から延びるように発光素子101の側面を覆う。また、表面張力により、発光素子101の側面に対して傾斜して透明樹脂108が形成される。その後、例えば、150℃のオーブンで3時間加熱して透明樹脂108を硬化させる。
次に、ダム材202の形成工程について説明する。発光モジュール200は、ダム材202を発光素子101の周囲に環状に形成し、形成されたダム材202の環の内側に反射樹脂201を注入して作製される。発光素子101の周囲を反射樹脂201で覆うことにより、発光素子101又は光透過部材107などの側面から出た光を発光モジュール200の光出射方向(上方)へ反射させる。これにより、発光モジュール200の光取り出し効率は向上される。さらに、例えば、150℃程度のオーブンで約3時間加熱し、ダム材202と反射樹脂201とを硬化させる。以上の工程により、発光モジュール200は作製される。
以上のように、本実施の形態において、発光装置100は、成長基板102と、成長基板102の下方に位置する半導体層103とを有する発光素子101と、発光素子101の上面に配置された光透過部材107とを備える。また、発光装置101は、発光素子101の上面と光透過部材107の下面とを接着する透明樹脂108とを備える。また、光透過部材107の下面は、発光素子101の上面を内包する。また、透明樹脂108は、光透過部材107の下面と半導体層103の側面とを連続して覆う。ここで、発光素子101の側面を見た場合、透明樹脂108は、発光素子101の上面に平行な方向において、中央部に位置する半導体層103の被覆部130を覆い、且つ、側端に位置する半導体層103の露出部120を露出するように形成される。また、発光素子101の側面を見た場合、透明樹脂108は、被覆部130において、半導体層103の発光素子101の上面に平行な方向の長さの20%以上で半導体層103の側面を覆う。
101 発光素子(LEDチップ)
102 成長基板
103 半導体層
104 n型半導体層(1型半導体層)
105 活性層(発光層)
106 p型半導体層(2型半導体層)
107 光透過部材
108 透明樹脂
110 接着面
111 傾斜面
113 光出射面
114 実装面
120、121 露出部
130、131 被覆部
140 p電極バンプ
150 n電極バンプ
200 発光モジュール
201 反射樹脂
202 ダム材
203 実装基板(サブマウント)
204 配線
Claims (13)
- 成長基板と前記成長基板の下方に位置する半導体層とを有する発光素子と、
前記発光素子の上面に配置された光透過部材と、
前記発光素子の上面と前記光透過部材の下面とを接着する透明樹脂と、
を備え、
前記光透過部材の下面は、前記発光素子の上面を内包し、
前記透明樹脂は、前記光透過部材の下面と前記半導体層の側面とを連続して覆い、
前記発光素子の側面を見た場合、前記透明樹脂は、前記発光素子の上面に平行な方向において、中央部に位置する前記半導体層の被覆部を覆い、且つ、側端に位置する前記半導体層の露出部および前記成長基板の一部を露出するように形成され、
前記透明樹脂は、前記被覆部において、前記半導体層の前記方向の長さの20%以上で前記半導体層の側面を覆い、
前記透明樹脂の端縁は、前記被覆部と前記成長基板の側端とを結び、さらに前記発光素子の側方に位置する前記光透過部材の下面まで前記発光素子の側面に対して傾斜して延びている
発光装置。 - 前記発光素子の側面を見た場合、前記透明樹脂の端縁は、前記半導体層の下端と前記成長基板の側端とを結んでいる
請求項1に記載の発光装置。 - 前記発光素子の側面を見た場合、前記透明樹脂は、前記被覆部において、前記半導体層の前記方向の長さの20%以上で前記半導体層の下端を覆う
請求項1または2に記載の発光装置。 - 前記発光素子の側面を見た場合、前記透明樹脂は、前記被覆部において、前記半導体層の前記方向の長さの90%以下で前記半導体層の下端を覆う
請求項1から3のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記発光素子の側面を見た場合、前記露出部は、前記半導体層における前記方向の両端にある
請求項1から4のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記発光素子の側面を見た場合、前記露出部は、前記半導体層における前記方向の片端のみにある
請求項1から4のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記光透過部材は、前記発光素子からの光を波長変換する板状の波長変換部材である
請求項1から6のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記成長基板は、GaN基板である
請求項1から7のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記透明樹脂は、シリコーン樹脂である
請求項1から8のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記半導体層は、前記成長基板側から順にn型半導体層、活性層およびp型半導体層を備え、前記露出部が配置された角部において前記n型半導体層にn電極が配置されている
請求項1から9のいずれか1項に記載の発光装置。 - 請求項1から10のいずれか1項に記載の発光装置と、
前記発光装置が実装される実装基板と、
前記発光装置の側面を覆うように配置される反射樹脂と、を備える
発光モジュール。 - 前記発光装置は、前記実装基板にバンプ接合されている
請求項11に記載の発光モジュール。 - 前記反射樹脂の周囲にはダム材が配置されている
請求項11または12に記載の発光モジュール。
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