JP2007335798A - 発光装置 - Google Patents

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稔真 林
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洋明 川口
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Abstract

【課題】ケースから出射する光の色むらを低減させつつ、光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】ＬＥＤチップ２から発せられる光を取り出すための開口３が形成されるケース４と、ＬＥＤチップ２と開口３の間に介在しＬＥＤチップ２から発せられる光を受けると波長変換光を発する板状部材６と、板状部材６から開口３へ向かって進む光を拡散させる拡散板５と、を備え、ＬＥＤチップ２と板状部材６とを離隔して配置し、板状部材６への光の入射角を全体的に小さくするとともに、板状部材６の内部における光の行路差を小さくした。
【選択図】図２

Description

本発明は、発光素子から発せられる光を受けると波長変換光を発する蛍光体を含有した板状部材を備える発光装置に関する。
従来から、ＬＥＤチップ等の発光素子から発せられる光と、この光で蛍光体が励起されて発する波長変換光との混合により白色光を得る発光装置が実用化されている。この種の発光装置として、一面に開口を有するケースにＬＥＤチップを収容し、ＬＥＤチップとケースの開口との間に蛍光体を含む板状部材を配したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
このような発光装置では、板状部材の厚さを一定の寸法とし、ＬＥＤチップから全方位に発せられる光の行路長を板状部材内で一定に近づけて色むらを改善することが重要とされる。また、特許文献１に記載の発光装置では、板状部材のケース開口側に拡散板が配置され、板状部材を透過した光の均一化が図られている。
特開２０００−２２２２２号公報
しかしながら、特許文献１に記載の発光装置では、発光素子と板状部材とが隣接して配置されているため、発光素子から発せられた光の板状部材に対する入射角が大きくなりやすく、光が板状部材にて反射して発光素子内へ戻りやすい。これにより、発光素子内にて光が吸収されてしまい、光取り出し効率が低下するという問題点があった。
また、発光素子と板状部材とが隣接しているので、発光素子から発せられた光の板状部材に対する入射角の差が大きくなる。この結果、板状部材内における光の行路長の差が大きくなることから、板状部材を透過する光の色むらが完全に解消されておらず、ケースから取り出される光の色むらについて改善の余地が残されている。
本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ケースから出射する光の色むらを低減させつつ、光取り出し効率を向上させることのできる発光装置を提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明では、
発光素子を収容し、該発光素子から発せられる光を取り出すための開口が形成されるケースと、
前記発光素子と前記開口の間に介在し、該発光素子から発せられる光を受けると波長変換光を発する蛍光体を含有した板状部材と、
前記発光素子と前記板状部材を離隔して配置する離隔部材と、
前記板状部材から前記開口へ向かって進む光を拡散させる拡散板と、を備えたことを特徴とする発光装置が提供される。
ここで、離隔部材には、例えば樹脂のような固体のみならず、光透過性の液体、気体等も含まれる。
この発光装置によれば、発光素子と板状部材とが離隔しており、発光素子から発せられた光は、板状部材へ向かって所定距離だけ進んでから板状部材へ入射する。これにより、発光素子から発せられた光の板状部材に対する入射角を全体的に小さくすることができ、板状部材にて発光素子側へ反射する光の量が減じられる。
また、発光素子と板状部材とが離隔していることから、発光素子から発せられる光の板状部材への入射角の差が小さくなる。これにより、板状部材へ入射してから出射するまでの光の行路差が小さくなり、板状部材を透過する光の行路差に起因する色むらが低減される。そして、拡散板により板状部材を透過した光が混ざり合うので、ケースから取り出される光の色むらがさらに低減される。
また、上記発光装置において、
前記板状部材は、前記拡散板よりも屈折率が大きいことが好ましい。
この発光装置によれば、板状部材と拡散板の界面における拡散板へ入射する光の臨界角を大きくとることができ、当該界面における光の反射量を減じることができる。
また、上記発光装置において、
前記離隔部材は、該板状部材よりも屈折率の大きな樹脂材であることが好ましい。
この発光装置によれば、発光素子を樹脂材で封止しつつ、樹脂材と板状部材の界面における板状部材へ入射する光の臨界角を大きくとることができ、当該界面における光の反射量を減じることができる。
また、上記発光装置において、
前記発光素子は、前記ケースの底部に配置された基板にフリップチップ実装され、前記離隔部材に面した成長基板を有し、
前記発光素子の前記成長基板は、前記離隔部材よりも屈折率が大きいことが好ましい。
この発光装置によれば、発光素子と離隔部材の界面における離隔部材へ入射する光の臨界角を大きくとることができ、当該界面における光の反射量を減じることができる。
また、上記発光装置において、
前記発光素子は、前記ケースの底部にフェイスアップ実装され、前記離隔部材に面した透明電極を有し、
前記発光素子の前記透明電極は、前記離隔部材よりも屈折率が大きいことが好ましい。
この発光装置によれば、発光素子と離隔部材の界面における離隔部材へ入射する光の臨界角を大きくとることができ、当該界面における光の反射量を減じることができる。
本発明によれば、板状部材にて反射する光の発光素子への入射量が減じられるので、発光素子内で吸収される光が減り、光取り出し効率を向上させることができる。また、板状部材を透過する光の色むらが小さくなることから、ケースから取り出される光の色むらを低減することができる。
図１から図４は本発明の第１の実施形態を示すもので、図１は発光装置の概略分解斜視図である。
図１に示すように、発光装置１は、ＬＥＤチップ２から発せられる光を取り出すための開口３が形成されるケース４と、ケース４の開口３を閉塞する拡散板５と、ＬＥＤチップ２と開口３の間に介在しＬＥＤチップ２から発せられる光を受けると波長変換光を発する蛍光体を含有する板状部材６と、ＬＥＤチップ２が搭載される基板（マウント）７と、を備えている。さらに、発光装置１は、ＬＥＤチップ２と板状部材６とを離隔して配置する離隔部材としての樹脂材１０を備えている。
ＬＥＤチップ２は、４６０ｎｍの波長の光を発し、青色に発光する。ＬＥＤチップ２は、フリップチップ実装によりサブマウントとしてのツェナーダイオード８を介して基板７に搭載される。ツェナーダイオード８は平面視にてＬＥＤチップ２よりも大きい平板状に形成され、ＬＥＤチップ２はこのツェナーダイオード８とともにケース４における径方向中心に搭載される。そして、ツェナーダイオード８のｐ電極８１及びｎ電極８２と基板７の上面配線部７１，７２とがワイヤ９により接続される。
ケース４は、略円筒形状を呈し、下端側が基板７により閉塞される。これにより、基板７に搭載されたＬＥＤチップ２が包囲される。ここで、ケース４と基板７とは接着剤により接合されている。本実施形態においては、ケース４は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなり、内壁面の光の反射率が比較的高くなっている。尚、ケース４の材質としては、アルミナの他に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、内壁に銀（Ａｇ）が蒸着された銅（Ｃｕ）、シリコン（Ｓｉ）等を用いてもよいし、白色の樹脂を用いてもよい。ケース４がセラミックの場合は接着剤としてガラス接着剤を用いることがことが好ましく、ケース４が樹脂の場合は有機接着剤を用いることが好ましい。
ケース４の内壁は、下端側から上方へ向かって拡径する傾斜部４１と、傾斜部４１の上端から径方向外側へ延びる板状部材載置部４２と、板状部材載置部４２の径方向外側端部から上方へ延びる板状部材位置決め部４３と、板状部材位置決め部４３の上端から径方向外側へ延びる拡散板載置部４４と、拡散板載置部４４の径方向外側端部から径方向外側へ延びる拡散板位置決め部４５と、を有している。
図２は、発光装置の模式断面図である。
図２に示すように、ケース４の傾斜部４１は、基板７に対する傾斜角度が４５°〜６０°となるよう形成される。傾斜部４１の内側は、透明な樹脂材１０が充填され、この樹脂材１０によりＬＥＤチップ２が封止されている。本実施形態においては、樹脂材１０として屈折率が１．５のシリコーン系の樹脂が用いられる。
また、板状部材載置部４２及び板状部材位置決め部４３と、拡散板載置部４４及び拡散板位置決め部４５が、それぞれケース４の径方向内側で段状をなしている。板状部材６及び拡散板５はそれぞれ円板状に形成され、ケース４の段状部分に取り付けられる。尚、図２においては板状部材６、拡散板５及びケース４が互いに密着したものを図示しているが、これらは必ずしも密着させる必要はない。例えば、板状部材６、拡散板５及びケース４の間に遊びを持たせ、板状部材６、拡散板５とほぼ同じ屈折率の透明樹脂を用いて互いの空隙が満たされるようにしてもよい。
板状部材６は、厚さが均一であり、黄色蛍光体が含まれるシリコーン系の光透過性樹脂である。本実施形態においては、蛍光体６として屈折率が１．４５のシリコーン系の樹脂が用いられる。黄色蛍光体としては、例えば、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）系、ＢＯＳ（Barium ortho-Silicate）系等の蛍光体が用いられる。黄色蛍光体は、ＬＥＤチップ２から発せられた青色光を受けて励起されると、黄色の波長変換光を発する。
拡散板５は、厚さが均一であり、有機材中に分散された無機材を含む光透過性の有機・無機のハイブリッド材である。具体的に、拡散板５は、金属アルコキシドを原材料とし、これを水を加えてゾルゲル法により加水分解・縮重合反応をさせて形成される。本実施形態においては、拡散板５の屈折率は１．４である。
基板７は、アルミナからなり、実装面の反射率が比較的高いものとなっている。尚、基板の材質としては、アルミナの他にシリコン（Ｓｉ）や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等を用いてもよいし、白色の樹脂を用いてもよい。基板７の表面に形成された上面配線部７１，７２は、ツェナーダイオード８の各電極８１，８２を介してＬＥＤチップ２の各電極２１，２２と電気的に接続される。基板７の裏面には、ＬＥＤチップ２に対して電源電圧を供給するための下面配線部７３，７４が形成されている。そして、上面配線部７１，７２と下面配線部７３，７４とは、基板７を上下に貫通する導電性のビア７５，７６により電気的に接続されている。
上面配線部７１，７２及び下面配線部７３，７４は、例えばタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属によりビア７５，７６と一体的に形成されている。尚、上面配線部７１，７２及び下面配線部７３，７４の表面には、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の金属層が必要に応じて形成される。
図３はＬＥＤチップの模式断面図である。
図３に示すように、ＬＥＤチップ２は、ｐ電極２１及びｎ電極２２を有するフリップチップ型の青色ＬＥＤチップであり、成長基板としてのサファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板２３が樹脂材１０に面している。ＬＥＤチップ２は、サファイア基板２３上にＡｌＮバッファ層２４、ｎ−ＧａＮ層２５、発光層２６、ｐ−ＧａＮ層２７、ｐ電極２１を順次結晶成長させることにより形成される。尚、ｎ電極２２はｎ−ＧａＮ層２５の端部に設けられている。ｐ電極２１の下面の一部及びｎ電極２２の下面には、Ａｕバンプ２１ａ，２２ａが設けられる。ＬＥＤチップ２の平面寸法は、例えば縦寸法及び横寸法をそれぞれ約０．３ｍｍとする平面サイズに設定されている。ここで、サファイア基板２３の屈折率は１．７７であり、ＡｌＮバッファ層２４、ｎ−ＧａＮ層２５、発光層２６、ｐ−ＧａＮ層２７等からなる半導体部分の屈折率は２．４である。
ツェナーダイオード８は、瞬間的な過電圧から回路を保護し、ＬＥＤチップ２の静電保護機能を有している。また、ツェナーダイオード８は、ＬＥＤチップ２のヒートシンクとしても機能する。ツェナーダイオード８の上面には、ＬＥＤチップ２のＡｕバンプ２１ａ，２２ａと接続されるｐ電極８１及びｎ電極８２が形成される。図３に示すように、ＬＥＤチップ２のｐ電極２１とツェナーダイオード８のｎ電極８２が接続され、ＬＥＤチップ２のｎ電極２２とツェナーダイオード８のｐ電極８１が接続される。そして、前述のように、ツェナーダイオード８の各電極８１，８２がワイヤ９により基板７側と電気的に接続されている。
以上のように構成された発光装置１では、ＬＥＤチップ２のｐ電極２１とｎ電極２２の間に所定の電圧を印加すると、ｐ電極２１からｐ−ＧａＮ層２７を介して発光層２６に通電され、さらに、ｎ−ＧａＮ層２５を経てｎ電極２２に電流が流れることにより発光層２６が発光する。発光層２６で生じた光は、ｎ−ＧａＮ層２５、ＡｌＮバッファ層２４及びサファイア基板２３を通じてケース４内に出射される。そして、ＬＥＤチップ２から出射された光は、樹脂材１０、板状部材６及び拡散板５を通じてケース４から外部へ出射する。
ここで、ＬＥＤチップ２と板状部材６とが離隔しており、図４に示すように、ＬＥＤチップ２から発せられた光は、板状部材６へ向かって所定距離だけ進んでから板状部材６へ入射する。ここで、図４は、ＬＥＤチップから発せられた光の進路を示す説明図である。これにより、板状部材６とＬＥＤチップ２が隣接する従来のもののように蛍光体にて反射した光が直接的にＬＥＤチップ２へ入射することはなく、板状部材６にて反射する光のＬＥＤチップ２への入射量を減じることができる。
また、ＬＥＤチップ２と板状部材６とが離隔していることから、ＬＥＤチップ２から発せられる光の板状部材６への入射角の差が小さくなる。これにより、板状部材６へ入射してから出射するまでの行路差が小さくなり、板状部材６を透過する光の行路差による色むらが小さくなる。
また、樹脂材１０の屈折率が１．５、板状部材６の屈折率が１．４５、拡散板５の屈折率が１．４であり、ＬＥＤチップ２側からケース４の開口３へ向かって屈折率が小さくなっていく。これにより、樹脂材１０と板状部材６の界面と、板状部材６と拡散板５の界面におけるＬＥＤチップ２から出射した光の臨界角を大きくとることができる。
さらに、ＬＥＤチップ２内においても、半導体部分の屈折率が２．４、サファイア基板２３の屈折率が１．７７であり、発光層２６から外部へ向かって屈折率が小さくなっていくことから、半導体部分とサファイア基板２３の界面における発光層２６にて生じた光の臨界角を大きくとることができる。
また、サファイア基板２３の屈折率が１．７７で、樹脂材１０の屈折率が１．５であることから、ＬＥＤチップ２と樹脂材１０の界面における光の臨界角もまた大きくとることができる。
このように、本実施形態の発光装置１によれば、板状部材６にて反射する光のＬＥＤチップ２への入射量が減じられるので、ＬＥＤチップ２内で吸収される光が減り、光取り出し効率を向上させることができる。また、ＬＥＤチップ２内にて発光層２６から外部へ向かって屈折率が小さくするとともに、ＬＥＤチップ２側からケース４の開口３へ向かって屈折率を小さくしたことから、これによっても光取り出し効率を向上させることができる。
また、板状部材６を透過する光の色むらが小さくなることから、ケース４から取り出される光の色むらを低減することができる。また、板状部材６を透過した光を拡散させる拡散板５を設けたことから、板状部材６を透過した光が混ざり合い、これによってもケース４から取り出される光の色むらを低減することができる。
尚、前記実施形態においては、ＬＥＤチップ２がツェナーダイオード８を介して基板７に搭載されるものを示したが、他のマウント部材を介して基板７に搭載されるものであってもよい。他のマウント部材としては、窒化アルミニウム、アルミナ等のセラミックが好適である。また、例えば図５に示すように、ＬＥＤチップ２が基板７に直接的に搭載されるものであってもよいことは勿論である。ここで、図５は、第１の実施形態の変形例を示す発光装置の模式断面図である。図５においては、ＬＥＤチップ２の各電極２１，２２の金バンプ２１ａ，２２ａが基板７の上面配線部７１，７２に接続されている。
図６及び図７は本発明の第２の実施形態を示すもので、図６は発光装置の模式断面図である。第２の実施形態においては、ＬＥＤチップがフェイスアップの状態で基板側に実装されている。以下、第１の実施形態と同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
図６に示すように、この発光装置１０１は、ＬＥＤチップ１０２から発せられる光を取り出すための開口３が形成されるケース４と、ケース４の開口３を閉塞する拡散板５と、ＬＥＤチップ１０２と開口３の間に介在しＬＥＤチップ１０２から発せられる光を受けると波長変換光を発する板状部材６と、ＬＥＤチップ２が搭載される基板７と、を備えている。そして、ＬＥＤチップ１０２と板状部材６とが離隔して配置されている。ケース４、拡散板５、板状部材６及び基板７の構成は第１の実施形態と同様である。
ＬＥＤチップ１０２は、４６０ｎｍの波長の光を発し、青色に発光する。ＬＥＤチップ１０２は、基板７上にダイボンドペースト１１０により搭載されている。前記実施形態と同様に、ＬＥＤチップ１０２は、ケース４における径方向中心に搭載される。本実施形態においては、ＬＥＤチップ１０２の各電極１２１，１２２と基板７の上面配線部７１，７２とがワイヤ１０９により接続される。
図７はＬＥＤチップの模式断面図である。
ＬＥＤチップ１０２は、ｐ電極１２１及びｎ電極１２２を有するフェイスアップ型の青色ＬＥＤチップであり、透明電極１２８が樹脂材１０に面している。ＬＥＤチップ１０２は、サファイア基板１２３上にＡｌＮバッファ層１２４、ｎ−ＧａＮ層１２５、発光層１２６、ｐ−ＧａＮ層１２７を順次結晶成長させることにより形成される。また、ｐ−Ｇａｎ層１２７上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）により形成された透明電極１２８が形成されている。そして、ｐ電極１２１が透明電極１２８の一部に設けられ、ｎ電極１２２がｎ−ＧａＮ層２５の端部に設けられている。ＬＥＤチップ１０２の平面寸法は、例えば縦寸法及び横寸法をそれぞれ約０．３ｍｍとする平面サイズに設定されている。ここで、透明電極１２８の屈折率は１．９であり、ＡｌＮバッファ層２４、ｎ−ＧａＮ層２５、発光層２６、ｐ−ＧａＮ層２７等からなる半導体部分の屈折率は２．４である。
以上のように構成された発光装置１０１では、発光層１２６で生じた光は、ｐ−ＧａＮ層１２７及び透明電極１２８を通じてケース４内に出射される。そして、ＬＥＤチップ１０２から出射された光は、樹脂材１０、板状部材６及び拡散板５を通じてケース４から外部へ出射する。
本実施形態においても、ＬＥＤチップ１０２と板状部材６とが離隔しているので、板状部材６にて反射した光が直接的にＬＥＤチップ２へ入射することはなく、板状部材６にて反射する光のＬＥＤチップ２への入射量を減じることができる。また、板状部材６へ入射してから出射するまでの行路差が小さくなり、板状部材６を透過する光の行路差による色むらが小さくなる。
また、樹脂材１０の屈折率が１．５、板状部材６の屈折率が１．４〜１．５、拡散板５の屈折率が１．４であり、ＬＥＤチップ２側からケース４の開口３へ向かって屈折率が小さくなっていくことから、ＬＥＤチップ２から出射した光の臨界角を大きくとることができる。
さらに、ＬＥＤチップ１０２内においても、半導体部分の屈折率が２．４、透明電極１２８の屈折率が１．９であり、発光層２６から外部へ向かって屈折率が小さくなっていくことから、発光層２６にて生じた光の臨界角を大きくとることができる。
このように、本実施形態の発光装置１０１によれば、板状部材６にて反射する光のＬＥＤチップ１０２への入射量が減じられるので、ＬＥＤチップ１０２内で吸収される光が減り、光取り出し効率を向上させることができる。また、ＬＥＤチップ１０２内にて発光層１２６から外部へ向かって屈折率が小さくするとともに、ＬＥＤチップ１０２側からケース４の開口３へ向かって屈折率を小さくしたことから、これによっても光取り出し効率を向上させることができる。
また、板状部材６を透過する光の色むらが小さくなることから、ケース４から取り出される光の色むらを低減することができる。また、板状部材６を透過した光を拡散させる拡散板５を設けたことから、板状部材６の透過した光が混ざり合い、これによってもケース４から取り出される光の色むらを低減することができる。
また、第１及び第２の実施形態においては、板状部材６の各部位で蛍光体の含有量が均一であるものを示したが、ＬＥＤチップ２から出射した光の行路が短い部分で蛍光体の量を増し、行路が長くなる部分について蛍光体の量を減じるようにしてもよい。これにより、行路差による色むらをさらに低減することが可能となる。
具体的に、例えば、図８から図１０に示すように、板状部材１６，２６，３６を、蛍光体を含有する第１領域１６ａ，２６ａ，３６ａと、蛍光体を含有しない第２領域１６ｂ，２６ｂ，３６ｂとから構成してもよい。図８から図１０は、それぞれ変形例を示す発光装置の模式断面図である。
図８の発光装置１では、円板状の板状部材１６の上側を第１領域１６ａとし、下側を第２領域１６ｂとしている。そして、第１領域１６ａの厚みが径方向内側へ向かって大きくなるよう構成されている。
図９及び図１０の発光装置１では、円板状の板状部材２６，３６の径方向内側を第１領域２６ａ，３６ａとし、径方向外側を第２領域２６ｂ，３６ｂとしている。図９の発光装置１では第１領域２６ａが板状部材２６の上部にのみ形成され、図１０の発光装置１では第１領域２６ｂが板状部材２６の下部にのみ形成されている。
また、第１及び第２の実施形態においては、発光素子として青色光のＬＥＤチップ３を用いたものを示したが、発光素子として例えば、赤色光、緑色光、紫外光等のＬＥＤチップを用いてもよい。例えば、紫外光のＬＥＤチップを用い、板状部材６，１６，２６，３６に赤、緑及び青の蛍光体を含ませることによって、全体として白色に発光させるようにしてもよい。
また、第１及び第２の実施形態においては、基板７がセラミックからなるものを示したが、樹脂等からなるものであってもよい。また、ケース４の形状、材質についても適宜に変更であり、ケース４の形状が円筒状でなく角筒状であってもよい。例えば、ケース４が長方形状の開口３を有し、ケース４内に複数の発光素子が開口３の長手方向に並べて収容されるものであってもよい。
また、第１及び第２の実施形態においては、離隔部材として樹脂材１０を用いたものを示したが、離隔部材として光透過性の液体、気体等を用いてもよいことは勿論である。また、板状部材６、拡散板５、樹脂材１０等の屈折率は適宜に変更可能であるし、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。
本発明の第１の実施形態を示す発光装置の概略分解斜視図である。 本発明の第１の実施形態を示す発光装置の模式断面図である。 本発明の第１の実施形態を示すＬＥＤチップの模式断面図である。 本発明の第１の実施形態を示すものであり、ＬＥＤチップから発せられた光の進路を示す説明図である。 変形例を示す発光装置の模式断面図である。 本発明の第２の実施形態を示す発光装置の模式断面図である。 本発明の第２の実施形態を示すＬＥＤチップの模式断面図である。 変形例を示す発光装置の模式断面図である。 変形例を示す発光装置の模式断面図である。 変形例を示す発光装置の模式断面図である。
符号の説明
１ 発光装置
２ ＬＥＤチップ
３ 開口
４ ケース
５ 拡散板
６ 板状部材
７ 基板
８ ツェナーダイオード
９ ワイヤ
１０ 樹脂材
２１ ｐ電極
２１ａ Ａｕバンプ
２２ ｎ電極
２２ａ Ａｕバンプ
２３ サファイア基板
２４ ＡｌＮバッファ層
２５ ｎ−ＧａＮ層
２６ 発光層
２７ ｐ−ＧａＮ層
４１ 傾斜部
４２ 板状部材載置部４
４３ 板状部材位置決め部
４４ 拡散板載置部
４５ 拡散板位置決め部
７１ 上面配線部
７２ 上面配線部
７３ 下面配線部
７４ 下面配線部
７５ ビア
７６ ビア
８１ ｐ電極
８２ ｎ電極
１０１ 発光装置
１０２ ＬＥＤチップ
１１０ ダイボンドペースト
１２１ ｐ電極
１２２ ｎ電極
１２３ サファイア基板
１２４ ＡｌＮバッファ層
１２５ ｎ−ＧａＮ層
１２６ 発光層
１２７ ｐ−ＧａＮ層
１２８ 透明電極

Claims (5)

  1. 発光素子を収容し、該発光素子から発せられる光を取り出すための開口が形成されるケースと、
    前記発光素子と前記開口の間に介在し、該発光素子から発せられる光を受けると波長変換光を発する蛍光体を含有した板状部材と、
    前記発光素子と前記板状部材を離隔して配置する離隔部材と、
    前記板状部材から前記開口へ向かって進む光を拡散させる拡散板と、を備えたことを特徴とする発光装置。
  2. 前記板状部材は、前記拡散板よりも屈折率が大きいことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記離隔部材は、該板状部材よりも屈折率の大きな樹脂材であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 前記発光素子は、前記ケースの底部に配置された基板にフリップチップ実装され、前記離隔部材に面した成長基板を有し、
    前記発光素子の前記成長基板は、前記離隔部材よりも屈折率が大きいことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置。
  5. 前記発光素子は、前記ケースの底部にフェイスアップ実装され、前記離隔部材に面した透明電極を有し、
    前記発光素子の前記透明電極は、前記離隔部材よりも屈折率が大きいことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置。
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