CN109888079B - 一种深紫外发光二极管封装 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种深紫外发光二极管封装结构，包括：绝缘基板、发光二极管芯片、焊垫以及透光组件，其中，所述绝缘基板的边沿上开设有沟槽，所述透光组件的底端粘接在所述沟槽内，且所述透光组件和所述绝缘基板共同围成封闭的容纳空间，所述发光二极管芯片和所述焊垫位于所述容纳空间内，所述焊垫设置在所述绝缘基板上，所述发光二极管芯片与所述焊垫电连接，本发明提供的封装结构将透光组件粘结在绝缘基板上开设在沟槽内，使得粘结材料不会被深紫外光直接照射，避免了粘结材料出现性能劣化的情况，保证了封装结构的密封性能，提升了封装结构的抗剪切力，延长了封装结构的使用寿命。

Description

一种深紫外发光二极管封装

技术领域

本发明涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种深紫外发光二极管封装。

背景技术

基于三族氮化物(Ⅲ-nitride)材料的深紫外发光二极管(UV LED)在杀菌消毒、聚合物固化、生化探测、非视距通讯及特种照明等领域有着广阔的应用，与传统的紫外光源汞灯相比较，深紫外发光二极管具备环保、小巧便携、低功耗、低电压等诸多优点，因此，近年来受到越来越多的关注和应用。

目前，深紫外发光二极的管封装结构中，一般采用绝缘基板与围坝一体成型的支架结构来放置发光深紫外二极管芯片，再将光学透镜与围坝之间通过粘接或焊接材料粘接，从而使光学透镜和支架结构之间共同形成封闭空间来保护深紫外发光二极管芯片。

然而，这种封装结构难以维持较长久的封闭状态，光学透镜与围坝顶部的粘接面积较小，尤其在外来剪切力的作用下容易发生光学透镜脱落离的情况，而工作状态下深紫外发光二极管芯片射出的紫外光线经由上方穿透光学透镜射出，而一部分多余的紫外线会作用于粘接材料或焊接材料中，易致使粘接材料或焊接材料性能劣化，使其粘接性能或密封性能下降，同时粘接材料或焊接材料在加工使用过程中易释放出有机气体，有机气体易吸附于光学透镜、腔体内壁及发光二极管芯片的发光面上，对紫外线出光构成遮挡，同时，粘接材料或焊接材料在未固化前具有一定的流动性，其铺设或涂覆在围坝顶部时会在光学透镜的挤压下，将多余出的那一部分粘接材料或焊接材料顺着围坝内侧壁或外侧壁向下流淌，并永久粘附在围坝内外侧壁，甚至基板的底部，影响封装器件的使用。

发明内容

本发明提供一种深紫外发光二极管封装结构，通过在绝缘基板上开设沟槽，再将透光组件粘结在沟槽内，解决了现有技术中，传统封装结构的粘结处会被深紫外光直接照射，从而造成粘结材料性能劣化，导致封装断裂的技术问题。

本发明提供一种深紫外发光二极管封装结构，包括：绝缘基板、发光二极管芯片、焊垫以及透光组件，其中，所述绝缘基板的边沿上开设有沟槽，所述透光组件的底端粘接在所述沟槽内，且所述透光组件和所述绝缘基板共同围成封闭的容纳空间，所述发光二极管芯片和所述焊垫位于所述容纳空间内，所述焊垫设置在所述绝缘基板上，所述发光二极管芯片与所述焊垫电连接。

进一步地，所述透光组件包括：光学透镜和围坝，其中，所述围坝的一端与所述光学透镜相连，所述围坝的另一端粘接在所述沟槽内。

进一步地，所述围坝与所述光学透镜一体成型，或者所述围坝与所述光学透镜通过烧制固定连接。

进一步地，所述围坝采用透光材料或遮光材料制成。

进一步地，所述围坝为上下等宽的结构且所述围坝朝向所述发光二极管芯片的一面为平面。

进一步地，所述围坝为直角梯形结构，所述围坝朝向所述发光二极管芯片的一面为斜面，且所述围坝中的小端与所述光学透镜连接，所述围坝中大端的底端设有延伸部，所述延伸部与所述沟槽粘接，所述斜面上设有反射层，所述反射层用于将所述发光二极管芯片发出的光反射到所述光学透镜上。

进一步地，所述透光组件包括：光学透镜，所述光学透镜向外凸起呈弧形状，且所述光学透镜的外边缘粘接在所述沟槽中。

进一步地，所述沟槽为环绕所述绝缘基板的一周设置的环形沟槽，或者所述沟槽为围绕所述绝缘基板的外沿间隔设置的多个凹槽。

进一步地，所述沟槽的宽度大于或等于所述围坝的壁厚。

进一步地，所述绝缘基板上开设有贯穿所述绝缘基板且与所述焊垫对应的通孔，所述通孔内均设有导电材料，以使所述焊垫通过导电材料与所述封装结构外部的引脚电连接；

还包括：保护芯片，所述保护芯片设置在所述绝缘基板上，且所述保护芯片位于所述容纳空间内，所述保护芯片与所述发光二极管芯片电连接。

本发明提供一种深紫外发光二极管封装结构，通过包括：绝缘基板、发光二极管芯片、焊垫以及透光组件，其中，绝缘基板的边沿上开设有向内凹陷的沟槽，透光组件罩设在绝缘基板上且透光组件的底端粘接在沟槽内，透光组件和绝缘基板之间共同围城封闭的容纳空间，发光二极管芯片和焊垫均位于容纳空间内，焊垫设置在绝缘基板上，而发光二极管芯片与焊垫之间电连接，工作状态时，发光二极管芯片发出的深紫外光会充满整个容纳空间内，且通过透光组件发散出去，而粘接材料位于沟槽内部，不会被深紫外光直接照射到，避免了粘接材料因长期受到深紫外光的直接照射，从而发生粘接性能逐步劣化，导致封装结构密封性能下降且易发生封装断裂的情况，现有技术中，紫外二极管的封装结构采用围坝和绝缘基座为一体的支架结构，再将围坝与光学透镜之间粘接，但是粘接面积过小且粘接材料会因被深紫外光照射而性能逐步劣化，导致封装结构易发生断裂而无法使用，与现有技术相比，本实施例中提供的深紫外发光二极管封装结构，在绝缘基板上设置沟槽，再将透光组件粘接在沟槽内，避免粘接材料被深紫外光直接照射，且沟槽限制了透光组件的位置，进一步提升了封装结构的抗剪切力，解决了深紫外发光二极管封装结构易发生封装断裂，使用寿命较短的技术问题。

附图说明

图1为现有技术中紫外二极管封装结构的整体结构示意图；

图2为本发明实施例一所提供的深紫外发光二极管封装结构的结构示意图；

图3为本发明实施例一所提供的深紫外发光二极管封装结构不连续沟槽的结构示意图；

图4为本发明实施例一所提供的深紫外发光二极管封装结构的又一第结构示意图；

图5为本发明实施例一所提供的深紫外发光二极管封装结构连续沟槽的结构示意图；

图6为本发明实施例二所提供的深紫外发光二极管封装结构的结构示意图；

图7本发明实施例三所提供的深紫外发光二极管封装结构的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

近年来深紫外发光二极管在杀菌消毒、聚合物固化、生化探测、非视距通讯及特种照明等领域有着广阔的应用前景，相比较传统紫外光源汞灯，具备环保、小巧便携、低功耗、低电压等诸多众所周知的优点，深紫外发光二极管的封装结构，一般采用一体成型的绝缘基板和围坝构成的支架结构20来放置深紫外发光二极管芯片，如图1所示，该封装结构中，光学透镜和围坝的顶端通过粘接材料或焊接材料粘接在一起，使得支架结构20和光学透镜之间形成封闭空间，目前的封装结构中部分采用无机封装的方式，这是由于传统封装材料中的环氧树脂和硅胶类有机材料对深紫外波长有强烈的吸收，这类材料会直接披覆于或扩散于深紫外发光二极管芯片上，导致光线无法被有效取出，更进一步的，深紫外光线辐照作用容易致使这类有机材料性能逐步劣化，导致其密封性能、粘接性能下降，同时有机粘接材料会释放出带有有机成分的气体，这些气体影响器件性能，甚至导致封装器件失效，但是无机封装的粘接效果并不好，这是因为围坝和光学透镜均为有机材料制成，使用无机材料进行粘接时，无机粘接剂与有机材料之间的结合度较低致使粘接效果不佳，因此，无可避免的还是要使用有机材料进行粘接，但是现有的封装结构中粘接的位置始终处于深紫外发光二极管能够直接照射到的位置，长期照射会导致粘接材料逐步劣化，严重影响封装结构的使用。

针对上述问题，本实施例提供一种深紫外发光二极管封装结构1，如图2所示，包括：绝缘基板10、发光二极管芯片11、焊垫13以及透光组件12，其中，绝缘基板10的边沿上开设有向内凹陷的沟槽101，透光组件12罩设在绝缘基板10上且透光组件12的底端粘接在沟槽101内，透光组件12和绝缘基板10之间共同围城封闭的容纳空间14，发光二极管芯片11和焊垫13均位于容纳空间14内，焊垫13设置在绝缘基板10上，而发光二极管芯片11与焊垫13之间电连接，工作状态时，发光二极管芯片11发出的深紫外光会充满整个容纳空间14内，且通过透光组件12发散出去。

需要说明的是，本实施例中，透光组件12与沟槽101之间的粘接使用的有机粘接材料15，实际上也可以使用焊接材料进行粘接，但是通过焊接材料进行粘接时，需要进行高温操作，而此时发光二极管芯片11已经设置在容纳空间14中，高温操作会导致发光二极管芯片11无法使用，因此，只能使用有机材粘接料的封装方式，有机粘接材料15位于沟槽101内，而沟槽101是在绝缘基板10上凹陷而成且处于容纳空间14外，当透光组件12粘接在凹槽内时，即使在工作状态下，发光二极管芯片11发出的深紫外光也无法照射到粘接处，因此，就不存在有机粘接材料15因长时间被深紫外光照射而出现逐步劣化的情况。

其中，现有的封装结构中，围坝与光学透镜之间的粘接面积较小，当封装结构受到外力时，器件会因抗剪切力不足而容易发生断裂，但是本实施例中，由于在绝缘基板10上开设沟槽101，透光组件12的底端粘接在沟槽101内，即使受到外力作用，由于沟槽101限制了透光组件12的位置，因此并不易发生断裂，极大地提高了器件的抗剪切力，同时，粘接材料15具有一定的流动性，在未完全凝固时，会受到透光组件12的挤压作用，但由于沟槽101具备一定的空间，多余的粘接材料15会在沟槽101内部流动，即使会被挤出沟槽101的外部，但被挤出的量也极少，沟槽101内部的粘接材料15不会被深紫外光直接照射，因此并不会影响发光二极管芯片11的正常工作。

本实施例提供一种深紫外发光二极管封装结构1，通过包括：绝缘基板10、发光二极管芯片11、焊垫13以及透光组件12，其中，绝缘基板10的边沿上开设有向内凹陷的沟槽101，透光组件12罩设在绝缘基板10上且透光组件12的底端粘接在沟槽101内，透光组件12和绝缘基板10之间共同围城封闭的容纳空间14，发光二极管芯片11和焊垫13均位于容纳空间14内，焊垫13设置在绝缘基板10上，而发光二极管芯片11与焊垫13之间电连接，工作状态时，发光二极管芯片11发出的深紫外光会充满整个容纳空间14内，且通过透光组件12发散出去，而粘接材料15位于沟槽101内部，不会被深紫外光直接照射到，避免了粘接材料15因长期受到深紫外光的直接照射，从而发生粘接性能逐步劣化，导致封装结构1密封性能下降且易发生封装断裂的情况，现有技术中，紫外二极管的封装结构采用围坝和绝缘基座为一体的支架结构20，再将围坝与光学透镜之间粘接，但是粘接面积过小且粘接材料会因被深紫外光照射而性能逐步劣化，导致封装结构易发生断裂而无法使用，与现有技术相比，本实施例中提供的深紫外发光二极管封装结构1，在绝缘基板10上设置沟槽101，再将透光组件12粘接在沟槽101内，避免粘接材料15被深紫外光直接照射，且沟槽101限制了透光组件12的位置，进一步提升了封装结构1的抗剪切力，解决了深紫外发光二极管封装结构1易发生封装断裂，使用寿命较短的技术问题。

进一步地，在本实施例中，透光组件12包括：光学透镜122和围坝121，其中，光学透镜122为透光材料制成，一般可为有机玻璃或者其他可透光的材料，围坝121一般为不透光的材料制成，光学透镜122和围坝121共同构成透光组件12，其中，光学透镜122与围坝121连接，而围坝121与绝缘基板10上的沟槽101粘接，光学透镜122一般位于发光二极管芯片11的正前方，以方便将发光二极管芯片11在工作状态时发出的深紫外光发散到封装结构1外。

进一步地，在本实施例中，围坝121为上下等宽的结构，具体的，围坝121朝向发光二极管芯片11的一面为平面，即围坝121与容纳空间14接触的一面是上下平齐的平面，围坝121的顶端与光学透镜122连接，围坝121的底端粘接在沟槽101内。

进一步地，在本实施例中，如图5所示，沟槽101环绕绝缘基板10的一周设置的环形沟槽101，而围坝121也同样环绕绝缘基板10边沿的一周，如同墙壁一般将发光二极管芯片环绕在其中，而光学透镜122如同盖子一般罩在围坝121的顶端，同时，沟槽101也可以间隔的环绕设置的绝缘基板10的外沿，如在绝缘基板10的各边角上和边沿上对称设置，此时，围坝121依然是整个环绕在绝缘基板10的一周，围坝121的底端与绝缘基板10平齐，仅在有沟槽101的地方，围坝121的底端突出一部分伸入到沟槽101内并与沟槽101粘接；另外，如图3所示，不连续的沟槽101设置为一个优选的方案，一方面围坝121在绝缘基板10的各边角和边沿上均与沟槽101粘接，保证了围坝121与绝缘之间的抗剪切强度，另一方面，相较于连续的沟槽101，不连续的沟槽101能够减少加工工序，提升工作效率。

需要说明的是，在本实施例中，虽然光学透镜122和围坝121采用不同材料构成，但是实际上在加工时，可以将两者直接加工成一体的结构，与现有技术中只能采用粘结的方式不同，不存在高温对封装结构1中其他部件的影响，同时，优选的，基于成本的考虑，围坝121可以使用塑料材质，事先直接使用高温将塑料与光学透镜122粘结在一起或卡扣连接等方式，保证两者之间的紧密连接即可。

进一步的，在本实施例中，如图4所示，沟槽101的槽宽大于或等于围坝121的壁厚，具体的，一般情况下，沟槽101的槽宽等于围坝121的壁厚，围坝121的底端可正好插入到沟槽101内部，优选的，沟槽101的槽宽略大于围坝121的壁厚，当围坝121的底端插入沟槽101后使围坝121尽量向容纳空间14靠拢，此时，围坝121的底端将沟槽101中靠近容纳空间14一侧的空间完全填满，而沟槽101中靠近绝缘基板10边沿的一侧与围坝121之间会留出一定的缝隙，将粘结材料挤入并填满这个缝隙，一方面可以保证粘结材料将围板粘结在沟槽101中，另一方面，即使挤入过量的粘结材料，多余出来的粘结材料也不会因为挤压而流入容纳空间14内，而且过量的粘结材料还能近一步保证围坝121与沟槽101之间的粘结强度，多余的粘结材料被挤出沟槽101也仅会流至绝缘基板10的边沿，因为靠近容纳空间14一侧的沟槽101已经被围坝121的底端完全填满，进一步的保证了封装结构1的密封性能。

进一步地，在本实施例中，焊垫13包括：相互间隔设置的正极焊垫131和负极焊垫132，正极焊垫131和负极焊垫132均设置在绝缘基板10上，且正极焊垫131与所述发光二极管芯片11的正极电连接，负极焊垫132与发光二极管芯片11的负极电连接。

进一步地，在本实施例中，绝缘基板10上还开设有贯穿整个绝缘基板10的通孔，其中，通孔包括：第一通孔102和第二通孔103，第一通孔102和第二通孔103之中均设有导电材料，发光二极管芯片11的正极经正极焊垫131和第一通孔102与设置在封装结构1外的正极引脚15电连接，发光二极管芯片11的负极经负极焊垫132和第二通孔103与设置在封装结构1外的负极引脚15电连接。

进一步地，在本实施例中，如图5所示，封装结构1内还包括：保护芯片111，保护芯片111位于容纳空间14内，保护芯片111同样设置在绝缘基板10上，且保护芯片111与发光二极管芯片11位于同一侧，保护芯片111与发光二极管芯片11之间电连接。

需要说明的是，保护二极管芯片的数量与发光二极管芯片11的数量和设置方式相关，具体的，一般而言，容纳空间14内只设置一个发光二极管芯片11，对应的，保护芯片111也设置一个来保护发光二极管芯片11，但是，当考虑到需要实现更多的功能及对功率大小有要求时，可以在同一容纳空间14内设置多个发光二极管芯片11，发光二极管芯片11之间可采用串联、并联或串并联混合的设置，此时，当多个发光二极管芯片11之间串联时，可只设置一个保护芯片111，当多个发光二极管芯片11之间并联时，则需要设置与发光二极管芯片11数量相同的保护芯片111，保护芯片111具体的设置数量以实际情况来定，同理，引脚15和焊垫13的设置数量也和保护芯片111的设置方式相同，都是依据发光二极管芯片11的实际情况来定。

实施例二

本实施例提供一种深紫外发光二极管封装结构1，如图6所示，包括：绝缘基板10、发光二极管芯片11、焊垫13以及透光组件12，其中，绝缘基板10的边沿上开设有向内凹陷的沟槽101，透光组件12罩设在绝缘基板10上且透光组件12的底端粘接在沟槽101内，透光组件12和绝缘基板10之间共同围城封闭的容纳空间14，发光二极管芯片11和焊垫13均位于容纳空间14内，焊垫13设置在绝缘基板10上，而发光二极管芯片11与焊垫13之间电连接，工作状态时，发光二极管芯片11发出的深紫外光会充满整个容纳空间14内，且通过透光组件12发散出去，而粘接材料15位于沟槽101内部，不会被深紫外光直接照射到，避免了粘接材料15因长期受到深紫外光的直接照射，从而发生粘接性能逐步劣化，导致封装结构1密封性能下降且易发生封装断裂的情况。

进一步地，在本实施例中，透光组件12包括：围坝121和光学透镜122，其中，围坝121为直角梯形结构，围坝121中朝向发光二极管芯片11的一面为斜面，即围坝121位于容纳空间14内的一面为斜面，围坝121中的小端与光学透镜122连接，围坝121中的大端与绝缘基板10接触，也就是说，围坝121为上方小下放大且带有斜面的结构，围坝121的顶端为壁厚最小的一端，而围坝121的底端为壁厚最大的一端，围坝121的底端与絶縁基板接触且覆盖在沟槽101的表面，围坝121的底端设有延伸部，延伸部伸入到沟槽101内并与沟槽101粘结在一起，围坝121中的斜面上涂抹有反射层1211，当发光二极管芯片11处于工作状态时，反射层1211将发光二极管芯片11发出的深紫外光反射到光学透镜122上，以保证发光二极管芯片11发出的深紫外光能够全部经光学透镜122射出到封装结构1外。

进一步地，在本实施例中，沟槽101的宽度大于或者等于延伸部的壁厚，具体的，一般情况下，沟槽101的槽宽等于延伸部的壁厚，延伸部可正好插入到沟槽101内部，优选的，沟槽101的槽宽略大于延伸部的壁厚，当延伸部插入沟槽101后使延伸部尽量向容纳空间14靠拢，此时，延伸部将沟槽101中靠近容纳空间14一侧的空间完全填满，而沟槽101中靠近绝缘基板10边沿的一侧与延伸部之间会留出一定的缝隙，将粘结材料挤入并填满这个缝隙，一方面可以保证粘结材料将延伸部粘结在沟槽101中，另一方面，即使挤入过量的粘结材料，多余出来的粘结材料也不会因为挤压而流入容纳空间14内，而且过量的粘结材料还能近一步保证延伸部与沟槽101之间的粘结强度，多余的粘结材料被挤出沟槽101也仅会流至绝缘基板10的边沿，因为靠近容纳空间14一侧的沟槽101已经被延伸部完全填满，进一步的保证了封装结构1的密封性能。

进一步地，在本实施例中，焊垫13、通孔、引脚15以及保护芯片111的设置方式和作用均与实施例一中相同，沟槽101的连续或者不连续设置也与实施例一中相同，这里就不再做过多的描述，与实施例一相比，本实施例为一个优选的方案，通过在围坝121的斜面上设置反射层1211，能够辅助发光二极管芯片11发出的深紫外光射出封装结构1，进一步的提升发光二极管芯片11的使用效率。

实施例三

本实施例提供一种深紫外发光二极管封装结构1，如图7所示，包括：绝缘基板10、发光二极管芯片11、焊垫13以及透光组件12，其中，绝缘基板10的边沿上开设有向内凹陷的沟槽101，透光组件12罩设在绝缘基板10上且透光组件12的底端粘接在沟槽101内，透光组件12和绝缘基板10之间共同围城封闭的容纳空间14，发光二极管芯片11和焊垫13均位于容纳空间14内，焊垫13设置在绝缘基板10上，而发光二极管芯片11与焊垫13之间电连接，工作状态时，发光二极管芯片11发出的深紫外光会充满整个容纳空间14内，且通过透光组件12发散出去，而粘接材料15位于沟槽101内部，不会被深紫外光直接照射到，避免了粘接材料15因长期受到深紫外光的直接照射，从而发生粘接性能逐步劣化，导致封装结构1密封性能下降且易发生封装断裂的情况。

进一步地，在本实施例中，透光组件12包括：围坝121和光学透镜122，其中，优选的，围坝121和光学透镜122为一体成型结构，围坝121和光学透镜122均采用透光材料制成，且在加工阶段就可将围坝121和光学透镜122烧制成半圆形或者方形等结构，具体的结构形状这里不做要求，但是需要保证围坝121和光学透镜122的一体结构能够与绝缘基板10之间围成封闭的容纳空间14，围坝121的底端粘结在沟槽101中。

进一步地，在本实施例中，沟槽101的槽宽大于或等于围坝121的壁厚，具体的，一般情况下，沟槽101的槽宽等于围坝121的壁厚，围坝121的底端可正好插入到沟槽101内部，优选的，沟槽101的槽宽略大于围坝121的壁厚，当围坝121的底端插入沟槽101后使围坝121尽量向容纳空间14靠拢，此时，围坝121的底端将沟槽101中靠近容纳空间14一侧的空间完全填满，而沟槽101中靠近绝缘基板10边沿的一侧与围坝121之间会留出一定的缝隙，将粘结材料挤入并填满这个缝隙，一方面可以保证粘结材料将围板粘结在沟槽101中，另一方面，即使挤入过量的粘结材料，多余出来的粘结材料也不会因为挤压而流入容纳空间14内，而且过量的粘结材料还能近一步保证围坝121与沟槽101之间的粘结强度，多余的粘结材料被挤出沟槽101也仅会流至绝缘基板10的边沿，因为靠近容纳空间14一侧的沟槽101已经被围坝121的底端完全填满，进一步的保证了封装结构1的密封性能。

进一步地，在本实施例中，焊垫13、通孔、引脚15以及保护芯片111的设置方式和作用均与实施例一中相同，沟槽101的连续或者不连续设置也与实施例一中相同，这里就不再做过多的描述，与实施例一及实施例二相比较，本实施例中，围坝121和光学透镜122直接加工成一体成型的结构，且均采用透光材质，可以理解为将光学透镜122整个烧制成透光组件12的形状，进一步提高了封装结构1的抗剪切力和密封性能，也完全规避了因粘结材料的劣化带来的问题，同时，由于围坝121和光学透镜122均为透光材料制成，因此，最大限度的使发光二极管芯片11发出的深紫外光射出到封装结构1外，本实施例中提供的一体式透光结构为最优的方案，但是，围坝121和光学透镜122均采用透光材料制成会使得生产成本提高，同时，因为一体式结构需要烧制成半圆形或者方形等具体的形状，在加工工艺上也存在一定的难度，如需要制作相关的模具等，因此，可根据实际的需求进行选择。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (6)

1.一种深紫外发光二极管封装结构，其特征在于，包括：绝缘基板、发光二极管芯片、焊垫以及透光组件，其中，所述绝缘基板的边沿上开设有沟槽，所述透光组件的底端粘接在所述沟槽内，且所述透光组件和所述绝缘基板共同围成封闭的容纳空间，所述发光二极管芯片和所述焊垫位于所述容纳空间内，所述焊垫设置在所述绝缘基板上，所述发光二极管芯片与所述焊垫电连接；

所述透光组件包括：光学透镜和围坝，其中，所述围坝的一端与所述光学透镜相连，所述围坝的另一端粘接在所述沟槽内；

所述围坝为上下等宽的结构且所述围坝朝向所述发光二极管芯片的一面为平面，或：

所述围坝为直角梯形结构，所述围坝朝向所述发光二极管芯片的一面为斜面，且所述围坝中的小端与所述光学透镜连接，所述围坝中大端的底端设有延伸部，所述延伸部与所述沟槽粘接，所述斜面上设有反射层，所述反射层用于将所述发光二极管芯片发出的光反射到所述光学透镜上；

所述沟槽为不连续沟槽。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述围坝与所述光学透镜一体成型，或者所述围坝与所述光学透镜通过烧制固定连接。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述围坝采用透光材料或遮光材料制成。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述光学透镜向外凸起呈弧形状。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述沟槽的宽度大于或等于所述围坝的壁厚。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘基板上开设有贯穿所述绝缘基板且与所述焊垫对应的通孔，所述通孔内均设有导电材料，以使所述焊垫通过导电材料与所述封装结构外部的引脚电连接；

还包括：保护芯片，所述保护芯片设置在所述绝缘基板上，且所述保护芯片位于所述容纳空间内，所述保护芯片与所述发光二极管芯片电连接。

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