KR20190051205A - 엘이디 패키지 - Google Patents

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KR20190051205A
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conversion panel
sealing portion
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오승현
조성식
김병건
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주식회사 루멘스
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Abstract

엘이디 패키지가 개시된다. 이 엘이디 패키지는, 캐비티가 형성된 리플렉터(metal reflector); 상기 리플렉터의 캐비티 하측에 배치되는 엘이디 칩; 하부 글래스 및 상부 글래스와, 상기 하부 글래스와 상부 글래스 사이에 개재된 파장 변환 시트를 포함하고, 상기 리플렉터의 캐비티 상측에 배치되는 파장 변환 패널; 및상기 하부 글래스의 측면 및 상기 상부 글래스의 측면에 형성되고, 상기 파장 변환 패널과 상기 리플렉터를 연결하는 실링부를 포함한다.

Description

엘이디 패키지{LED PACKAGE}
본 발명은 엘이디 패키지에 관한 것으로서, 파장 변환 패널을 포함하는 엘이디 패키지에 관한 것이다.
디스플레이 또는 조명 등에서 엘이디를 다양하게 응용하기 위해, 엘이디로부터 나온 광의 파장을 변환하는 다양한 종류의 파장 변환 재료가 이용되고 있다. 파장 변환 재료로는 형광체(phosphor)가 이용되어 왔으며, 근래 들어서는 크기나 모양에 따라 다양한 파장의 빛을 발할 수 있는 QD(Quantum Dot)의 이용이 늘고 있다. QD를 엘이디의 파장 변환 재료로 이용하기 위해, 통상은 수지(polymer)에 QD를 혼합하여 이를 시트(sheet) 상태로 만들며, 이를 QD 시트라 한다. QD 또는 수분에 취약한 형광체를 보호하기 위해, 시트 표면에 여러 개의 보호층을 형성한다. 그러나, 이것은 보호층을 여러 번 코팅해야 함에 따라, 제조 단가가 비싸고 QD나 형광체 습기로터 보호하는데 한계가 있었다. 또한, QD 시트 또는 형광체 시트가 높은 열의 발생을 수반하는 엘이디와 인접해 배치되므로, 열에 취약한 QD 시트 또는 형광체가 손상되는 문제점이 있다. 이에 대하여, 종래에는 QD 시트 또는 형광체 시트를 한 쌍의 유리 사이에 개재시켜 이용하는 기술이 제안되었다. 그러나 이 기술은 한 쌍의 유리 사이의 갭을 밀봉하므로, 엘이디 동작시 발생하여 QD 또는 형광체에 전달된 열이 한 쌍의 유리 사이에서 외부로 잘 방출되지 못하여, 신뢰성이 떨어지는 단점이 있다. 이로 인해 종래 기술은 엘이디가 수용되는 공간이 완전히 밀폐되어 열 방출이 잘 안 되는 엘이디 패키지로의 적용이 어렵다는 단점이 있다. 이로 인해, 이전에는 QD 시트를 대면적으로 제작하여 사용하는데 그칠 뿐 패키지에 국소 영역을 담당하는 패키지에 적용하기 어려웠다. 한편, 근래 들어서는 CSP(Chip Scale Package) 타입의 엘이디 패키지가 많이 이용되고 있는데, 기존 CSP 타입 엘이디 패키지는 엘이디 칩에서 나온 광 중 외부로 추출되지 못하고 손실되는 양이 많은 문제점이 있다. 또한, 전술한 QD를 적용한 엘이디 패키지의 구현이 어렵다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 수분이나 열에 위치한 QD 또는 형광체를 포함하는 파장 변환 재료를 시트 형태로 포함하되, 파장 변환 재료를 엘이디 칩 동작시 발생한 열이나 수분으로부터 보호할 수 있도록 구성된 엘이디 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 일측면에 따른 엘이디 패키지는, 캐비티가 형성된 리플렉터(metal reflector); 상기 리플렉터의 캐비티 하측에 배치되는 엘이디 칩; 하부 글래스 및 상부 글래스와, 상기 하부 글래스와 상부 글래스 사이에 개재된 파장 변환 시트를 포함하고, 상기 리플렉터의 캐비티 상측에 배치되는 파장 변환 패널; 및 상기 하부 글래스의 측면 및 상기 상부 글래스의 측면에 형성되고, 상기 파장 변환 패널과 상기 리플렉터를 연결하는 실링부를 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 리플렉터는 내벽면에 형성된 단턱을 포함하고, 상기 파장 변환 패널이 상기 단턱과 접하여 지지된다.
일 실시예에 따라, 상기 리플렉터 내벽면은 상기 파장 변환 패널이 안착된 제1 단턱과, 상기 제 1 단턱과 이어져 상기 제1 단턱의 하부에 형성되고 상기 실링부가 채워진 제2 단턱을 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 파장 변환 패널은 상기 파장 변환 시트의 측면이 상기 하부 글래스의 측면 및 상기 상부 글래스의 측면보다 안쪽으로 더 함몰되어 형성된 리세스를 포함하며, 상기 실링부의 일부가 상기 리세스 내에 채워진다.
일 실시예에 따라, 상기 실링부는 상기 리플렉터의 내벽면과 상기 파장 변환 패널 사이의 갭에 파우더, 액상, 또는 겔상으로 충전된 열전도성 메탈이 고상으로 변하여 형성된다.
일 실시예에 따라, 상기 엘이디 패키지는 상기 리플렉터와 상기 실링부를 덮도록 형성되어 상기 리플렉터와 상기 실링부를 일체화하는 도금층을 더 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 파장 변환 패널은 상기 파장 변환 시트의 측면이 상기 하부 글래스의 측면 및 상기 상부 글래스의 측면보다 안쪽으로 더 함몰되어 형성된 리세스와, 상기 리세스에서 상기 파장 변환 시트의 측면과 상기 실링부 사이에 위치하는 측면 밀봉부를 더 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 엘이디 칩은 상기 리플렉터의 내측 하부 공간에 형성된 채 상기 엘이디 칩의 상면과 측면을 덮는 수지재 반사벽에 의해 상기 리플렉터와 일체화된다.
일 실시예에 따라, 상기 엘이디 칩은 상기 리플렉터의 하단 개방부를 통해 하부로 노출되는 한 쌍의 전극패드를 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 수지재 반사벽은 비결정성 구상 실리카(silica) 재료와 수지를 혼합하여 재료를 상기 리플렉터의 내측 하부 공간에 주입한 후 경화시켜 형성된다.
일 실시예에 따라, 상기 리플렉터의 하부벽은 내측면이 위에서 아래로 수렴하는 경사면으로 형성된다.
일 실시예에 따라, 상기 파장 변환 재료는 QD를 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 파장 변환 패널이 상기 리플렉터의 높이 중간에 걸쳐져 수평으로 배치될 때, 상기 리플렉터의 측면과 상기 리플렉터의 상부벽 내측면과 사이에 갭이 생기며, 상기 실링부는 액상, 겔상 또는 파우더 상으로 상기 갭에 채워진 메탈이 고상화되어 형성된다.
일 실시예에 따라, 상기 실링부는 금속 혹은 금속 성질을 포함하는 재질로 형성된다.
본 발명에 따른 엘이디 패키지는, QD와 같이 수분이나 열에 취약한 파장 변환 재료를 포함하는 파장 변환 시트가 방열 특성이 나쁜 글래스들 사이에 배치됨에도 불구하고, 수분으로부터 파장 변환 재료를 보호함을 물론이고 엘이디 칩 동작시 발생한 열로부터 파장 변환 재료가 보호된다는 장점을 갖는다. 또한, 본 발명에 따른 엘이디 패키지는 기존 CSP형 엘이디 패키지와 비교해 15% 이상으로 광 추출 효율이 향상되는 장점을 갖는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 엘이디 패키지를 도시한 저면도이다.
도 3은 도1 및 도 2의 엘이디 패키지를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 엘이디 패키지를 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 엘이디 패키지를 도시한 단면도이다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예예 따른 엘이디 패키지를 설명하기 위한 도면들이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지는 내벽면을 따라 내벽면의 높이 중간에 단턱(12, 이하 "제1 단턱"이라 함)이 링형으로 형성된 메탈 리플렉터(metal reflector; 10)와, 상기 제1 단턱(12)에 지지되도록 상기 리플렉터(10)의 내측 상부 공간에 배치되는 파장 변환 패널(20)과, 상기 리플렉터(10)의 내측 하부 공간에 수용되어 상기 파장 변환 패널(20)의 하부에 놓이는 엘이디 칩(30)과, 상기 리플렉터(10)의 내측 하부 공간에 형성된 채 상기 엘이디 칩(30)의 상면과 측면을 덮는 수지재 반사벽(40)을 포함한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지는, 파장 변환 패널(20)의 가장자리를 마감하도록 형성되어 내부 파장변환재료 측으로의 수분 침투를 막고, 상기 파장 변환 패널(20)과 상기 메탈 리플렉터(10)를 열적으로 연결하는 메탈 실링부(60)를 포함한다.
상기 메탈 리플렉터(10)는 열전도성이 좋고 반사성이 메탈 재료, 바람직하게는, 니켈, 크롬, 은, 알루미늄, 금, 구리, 아연, 주석, 백금 또는 납 등의 메탈 재료 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 메탈 재료로 형성될 수 있다. 또한, 상기 메탈 리플렉터(10)는 상기 제1 단턱(12)을 기준으로 하여 상측 공간과 하측 공간으로 구분된다. 상기 상측 공간은 상기 제1 단턱(12)의 외곽 모서리로부터 상측으로 수직 연장된 상부벽(13)에 의해 둘러싸인 공간이고, 상기 하측 공간은 상기 제1 단턱(12)의 내측 모서리로부터 하측으로 경사지게 연장된 하부벽(14)에 의해 둘러싸인 공간이다.
또한, 상기 제1 단턱(12)과 이어져 상기 제1 단턱(12)의 하부에는 제2 단턱(121)이 형성되다. 보다 구체적으로, 상기 제2 단턱(121)은 상기 제1 단턱(12)의 내측 모서리와 상기 하부벽(14)의 상단 사이의 경계를 따라 형성된다. 상기 제1 단턱(12)의 상부 표면과 상기 제2 단턱(121)의 상부 표면은 수평면인 것이 바람직하다. 이때, 상기 제2 단턱이 생략되는 것도 고려될 수 있다.
상기 파장 변환 패널(20)은 투광성을 갖는 하부 글래스(21a) 및 상부 글래스(21b)와, 상기 하부 글래스(21a)와 상부 글래스(21b) 사이에 샌드위치식으로 개재된 파장 변환 시트(22)를 포함한다. 이때, 상기 파장 변환 시트(22)는 입자의 크기나 모양에 따라 다른 파장의 광을 방출하는 특성을 갖는 QD를 수지와 혼합하여 성형한 QD 시트인 것이 바람직하다. 대안적으로, 상기 파장 변환 시트(22)로 형광체 시트 또는 다른 파장 변환 재료를 포함하는 다른 임의의 시트가 이용될 수도 있다.
상기 하부 글래스(21a)의 상면과 상기 파장 변환 시트(22)의 저면 사이와 상기 상부 글래스(21b)의 저면과 상기 파장 변환 시트(22) 사이에 1차 고형분 폴리머가 적용된 후 용융되어, 상기 하부 글래스(21a)와 상기 상부 글래스(21b) 사이에 상기 파장 변환 시트(22)가 일체화되어 있는 파장 변환 패널(20)이 제작된다. 1차 고형분으로는 글래스 봉지재, 에폭시, 실리콘을 포함하는 재료가 이용될 수 있다.
또한, 상기 파장 변환 시트(22)가 상기 하부 글래스(21a)의 면적 및 상기 상부 글래스(21b)의 면적보다 작은 면적을 가지므로, 상기 파장 변환 시트(22)의 측면이 상기 하부 글래스(21a)의 측면 및 상기 상부 글래스(21b)의 측면보다 안쪽으로 더 함몰되어 있는 형상으로 형성된 리세스(201)가 상기 파장 변환 패널(20)의 가장자리를 따라 형성된다.
상기 파장 변환 패널(20)은 상기 제1 단턱(12)에 걸쳐져 수평으로 배치된다. 이때, 상기 파장 변환 패널(20), 더 구체적으로는, 상기 하부 글래스(21a)의 하부면 가장자리 영역이 상기 제1 단턱(12)과 접해 있게 되고, 상기 파장 변환 패널(20)의 측면과 상기 메탈 리플렉터(10)의 상부벽(13) 사이에는 갭이 존재한다.
이때, 상기 파장 변환 패널(20)의 파장 변환 시트(22)의 측면은 상기 리플렉터(10)의 상부벽(13)과 갭을 두고서 마주하고 있다. 또한, 제1 단턱(12)에 형성된 제2 단턱(121)에 의해 상기 파장 변환 패널(20)의 하부면 일부 영역과 상기 제1 단턱(12) 사이에도 갭이 형성된다.
앞에서 언급한 바와 같이, 상기 엘이디 칩(30)은 상기 리플렉터(10)의 하부가 개방된 내측 하부 공간에 수용되어 상기 파장 변환 패널(20)의 하부에 놓인다. 또한, 상기 엘이디 칩(30)은 상기 리플렉터(10)의 내측 하부 공간에 형성된 채 상기 엘이디 칩(30)의 상면과 측면을 덮는 수지재 반사벽(40)에 의해 상기 리플렉터(10)와 일체화되어 있다. 상기 수지재 반사벽(40)은 비결정성 구상 실리카(silica) 재료와 수지를 혼합하여 형성된 백색 수지를 상기 리플렉터(10)의 내측 하부 공간에 주입한 후 경화시켜 형성된 화이트 월(white wall)일 수 있다. 상기 엘이디 칩(30)은 예컨대 청색 엘이디 칩 또는 자외선 엘이디 칩과 같이 단파장의 광을 발하는 엘이디 칩일 수 있다. 또한, 상기 엘이디 칩(30)은 하부에 서로 다른 극성을 갖는 한 쌍의 전극패드(31a, 31b)를 갖는 플립칩형 엘이디칩인 것이 바람직하다. 상기 한 쌍의 전극패드(31a, 31b)는 상기 리플렉터(10)의 하단 개방부를 통해 외부로 노출되며, 따라서, 본 실시예에 다른 엘이디 패키지를 PCB 상에 실장할 때, 한 쌍의 전극패드(31a, 31b)는 PCB 상의 전극들과 본딩된다. 상기 한 쌍의 전극패드(31a, 31b)의 저면과 상기 리플렉터(10)의 저면과 상기 수지재 반사면(40)의 저면이 동일 높이에 있으며, 이는 엘이디 칩(30)에서 나온 광이 리플렉터(10)의 바닥 측을 통해 외부로 새는 현상을 막아준다.
상기 파장 변환 시트(22)에 포함된 QD 또는 형광체는 상기 엘이디 칩에서 방출된 광을 파장 변환하여 방출한다. 상기 리플렉터(10)의 하부벽(14)은, 상기 수지재 반사벽(40)이 쉽게 빠질 수 없는 하측 공간을 형성하기 위해, 내측면이 위에서 아래로 수렴하는 경사면으로 형성되는 것이 바람직하다.
한편, 상기 메탈 실링부(60)는, 메탈 리플렉터(10)의 내벽면과 메탈 리플렉터(10)의 제1 단턱(12)에 지지된 파장 변환 패널(20) 사이의 갭에 액상(또는 페이스트상) 또는 파우더 상으로 충전된 열전도성 메탈이 고상으로 굳어져 형성되는 것으로서, 상기 파장 변환 패널(20) 가장자리의 리세스(201)를 메우도록 상기 하부 글래스(21a) 및 상부 글래스(21b)의 측면들과 접하여 형성되어 상기 파장 변환 패널(20) 가장자리를 마감하는 한편, 상기 메탈 리플렉터(10)의 상부벽(13) 내측면과 접하도록 형성된다. 이와 같이 형성된 메탈 실링부(60)에 의해, 파장 변환 패널(20)에 전달된 열이 메탈 실링부(60)와 메탈 리플렉터(10)을 거쳐 외부로 빠르게 방출될 수 있다. Pt 페이스트가 메탈 실링부(60) 형성을 위한 재료로 유리하게 이용될 수 있다. 대안적으로, 메탈 실링부(60) 형성을 위한 메탈 재료로는 니켈, 크롬, 은, 알루미늄, 금, 구리, 아연, 주석, 백금 또는 납 등의 메탈 재료 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 메탈 재료가 이용될 수 있다.
또한, 상기 메탈 실링부(60)는 상기 제1 단턱(12)의 내측 모서리와 상기 하부벽(14)의 상단 사이의 경계에 형성된 제2 단턱(121)에 채워져 형성된 채움부(62)를 포함하여, 더욱 더 방열 성능이 뛰어나고, 리플렉터(10)에 대한 결합 성능이 더욱 더 뛰어나다.
본 실시예에 따른 엘이디 패키지는 전술한 것과 같이 하부 글래스(21a)와 상부 글래스(21b) 사이의 갭을 메우도록 파장 변환 패널(20)의 가장자리를 마감하고 상기 파장 변환 패널(20)과 메탈 리플렉터(10)을 열적으로 연결하는 메탈 실링부(60)에 의해 상기 파장 변환 패널(20) 내 QD 등 파장 변환 재료의 열적 손상을 막을 수 있고, 또한 투수분율(WVTR)을 제로화할 수 있다. 또한, 반사성이 좋은 메탈 리플렉터(10)와 수지재 반사벽(40)에 의해 광 추출 효율을 크게 높일 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 엘이디 패키지를 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 엘이디 패키지는 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지는 내벽면을 따라 내벽면의 높이 중간에 제1 단턱(12)이 링형으로 형성된 메탈 리플렉터(metal reflector; 10)와, 상기 제1 단턱(12)에 지지되도록 상기 리플렉터(10)의 내측 상부 공간에 배치되는 파장 변환 패널(20)과, 상기 리플렉터(10)의 내측 하부 공간에 수용되어 상기 파장 변환 패널(20)의 하부에 놓이는 엘이디 칩(30)과, 상기 리플렉터(10)의 내측 하부 공간에 형성된 채 상기 엘이디 칩(30)의 상면과 측면을 덮는 수지재 반사벽(40)을 포함하되, 상기 메탈 리플렉터(10)와 상기 메탈 실링부(60)를 모두 덮도록 형성되어 상기 메탈 리플렉터(10)와 상기 메탈 실링부(60)를 일체화하는 메탈 도금층(70)을 더 포함한다.
상기 메탈 리플렉터(10)과 상기 메탈 실링부(60)는 모두 도금성이 좋은 메탈로 이루어지므로, 상기 메탈 리플렉터(10)와 상기 메탈 실링부(60)를 함께 덮도록 메탈 도금층(70)이 쉽게 형성될 수 있다. 상기 메탈 도금층(70)이 상기 메탈 리플렉터(10)와 메탈 실링부(60) 상에서 하나의 층을 이루며 형성되므로, 상기 메탈 리플렉터(10)와 상기 메탈 실링부(60)가 보다 더 신뢰성 있게 일체화되어 결합될 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 엘이디 패키지를 설명하기 위한 도면이다.
본 실시예에 따르면, 파장 변환 패널(20)은 앞선 실시예들과 마찬가지로 투광성을 갖는 하부 글래스(21a) 및 상부 글래스(21b)와, 상기 하부 글래스(21a) 및 상부 글래스(21b) 사이에 샌드위치식으로 개재된 파장 변환 시트(22)를 포함한다. 또한, 상기 파장 변환 시트(22)가 상기 하부 글래스(21a)의 면적 및 상기 상부 글래스(21b)의 면적보다 작은 면적을 가지므로, 상기 파장 변환 시트(22)의 측면이 상기 하부 글래스(21a)의 측면 및 상기 상부 글래스(21b)의 측면보다 안쪽으로 더 함몰되어 있는 형상으로 형성된 리세스(201)가 상기 파장 변환 패널(20)의 가장자리를 따라 형성된다.
또한, 상기 하부 글래스(21a)의 상면과 상기 파장 변환 시트(22)의 저면 사이와 상기 상부 글래스(21b)의 저면과 상기 파장 변환 시트(22) 사이에 1차 고형분 폴리머만이 적용된 후 용융되어, 상기 하부 글래스(21a)와 상기 상부 글래스(21b) 사이에 상기 파장 변환 시트(22)가 일체화되는 한편, 2차 고형분 폴리머를 전술한 리세스(201)에 미리 주입 후 용융 및 경화시켜 형성된 수지재 측면 밀봉부(80)가 상기 파장 변환 시트(22)의 측면과 마주하게 형성될 수 있다. 리세스(201) 내에서 상기 파장 변환 시트(22)의 측면과 마주하게 형성된 수지재 측면 밀봉부(80)는 상기 메탈 실링부(60)와 상기 파장 변환 시트(22)의 측면 사이에서 상기 메탈 실링부(60)로 전달된 열이 다시 상기 파장 변환 시트(22)로 흐르는 것을 막는데 기여할 수 있다.
10..................................리플렉터
20..................................파장 변환 패널
30..................................엘이디 칩
40..................................수지재 반사벽
60..................................메탈 실링부
21a.................................하부 글래스
21b.................................상부 글래스
22...................................파장 변환 시트
12..................................단턱 또는 제1 단턱
122.................................제2 단턱

Claims (14)

  1. 캐비티가 형성된 리플렉터(metal reflector);
    상기 리플렉터의 캐비티 하측에 배치되는 엘이디 칩;
    하부 글래스 및 상부 글래스와, 상기 하부 글래스와 상부 글래스 사이에 개재된 파장 변환 시트를 포함하고, 상기 리플렉터의 캐비티 상측에 배치되는 파장 변환 패널; 및
    상기 하부 글래스의 측면 및 상기 상부 글래스의 측면에 형성되고, 상기 파장 변환 패널과 상기 리플렉터를 연결하는 실링부를 포함하는 엘이디 패키지.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 리플렉터는 내벽면에 형성된 단턱을 포함하고, 상기 파장 변환 패널이 상기 단턱과 접하여 지지되는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 리플렉터 내벽면은 상기 파장 변환 패널이 안착된 제1 단턱과, 상기 제 1 단턱과 이어져 상기 제1 단턱의 하부에 형성되고 상기 실링부가 채워진 제2 단턱을 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 파장 변환 패널은 상기 파장 변환 시트의 측면이 상기 하부 글래스의 측면 및 상기 상부 글래스의 측면보다 안쪽으로 더 함몰되어 형성된 리세스를 포함하며, 상기 실링부의 일부가 상기 리세스 내에 채워진 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 실링부는 상기 리플렉터의 내벽면과 상기 파장 변환 패널 사이의 갭에 파우더, 액상, 또는 겔상으로 충전된 열전도성 메탈이 고상으로 변하여 형성된 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 리플렉터와 상기 실링부를 덮도록 형성되어 상기 리플렉터와 상기 실링부를 일체화하는 도금층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 파장 변환 패널은 상기 파장 변환 시트의 측면이 상기 하부 글래스의 측면 및 상기 상부 글래스의 측면보다 안쪽으로 더 함몰되어 형성된 리세스와, 상기 리세스에서 상기 파장 변환 시트의 측면과 상기 실링부 사이에 위치하는 측면 밀봉부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 엘이디 칩은 상기 리플렉터의 내측 하부 공간에 형성된 채 상기 엘이디 칩의 상면과 측면을 덮는 수지재 반사벽에 의해 상기 리플렉터와 일체화된 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 엘이디 칩은 상기 리플렉터의 하단 개방부를 통해 하부로 노출되는 한 쌍의 전극패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
  10. 청구항 8에 있어서, 상기 수지재 반사벽은 비결정성 구상 실리카(silica) 재료와 수지를 혼합하여 재료를 상기 리플렉터의 내측 하부 공간에 주입한 후 경화시켜 형성된 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
  11. 청구항 8에 있어서, 상기 리플렉터의 하부벽은 내측면이 위에서 아래로 수렴하는 경사면으로 형성된 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
  12. 청구항 1에 있어서, 상기 파장 변환 재료는 QD를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
  13. 청구항 1에 있어서, 상기 파장 변환 패널이 상기 리플렉터의 높이 중간에 걸쳐져 수평으로 배치될 때, 상기 리플렉터의 측면과 상기 리플렉터의 상부벽 내측면과 사이에 갭이 생기며, 상기 실링부는 액상, 겔상 또는 파우더 상으로 상기 갭에 채워진 메탈이 고상화되어 형성된 것임을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
  14. 청구항 1에 있어서, 상기 실링부는 금속 혹은 금속 성질을 포함하는 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.
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